KR20110041440A - ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ 단결정의 제조 방법, ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ 단결정 및 광학 렌즈 - Google Patents

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다카시 사쿠라다
요시유키 야마모토
잇세이 사토
게이스케 다니자키
히데아키 나카하타
나호 미즈하라
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스미토모덴키고교가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 AlxGa(1-x)N(0<x≤1) 단결정(10)의 제조 방법은 승화법으로 AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함한다. 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 AlxGa(1-x)N 단결정(10)이 성장한다. 또한, AlxGa(1-x)N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.3 이상이다.

Description

ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ 단결정의 제조 방법, ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ 단결정 및 광학 렌즈{PROCESS FOR PRODUCTION OF ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ SINGLE CRYSTAL, ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ SINGLE CRYSTAL AND OPTICAL LENSES}
본 발명은 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법, AlxGa(1-x)N 단결정 및 광학 렌즈에 관한 것이다.
DVD로 대표되는 광기록 매체(광자기 기억 매체도 포함함)의 대용량화에의 요구에 따라, 기록 재생에 이용되는 광원의 단파장화와 함께, 반도체 레이저로부터의 빛을 집광 렌즈를 통해 기억 매체에 집광하는 수속 스폿의 소직경화가 도모되고 있다. 이러한 집광 렌즈로서, 자외역부터 심자외역(200 ㎚∼350 ㎚)의 파장의 빛에 대하여 저흡수성을 나타내는, 석영으로 대표되는 유리, 사파이어로 대표되는 산화물, 다이아몬드 등이 이용되고 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2003-161801호 공보(특허문헌 1)에는, BaF2(불화바륨), CaF2(불화칼슘), LiF(불화리튬), NaF(불화나트륨) 등의 불화물 광학 재료가 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2003-161801호 공보
그러나, 유리, 산화물 등은 굴절률이 작기 때문에 개구수에 한계가 있었다. 이 때문에, 수속 스폿의 소형화가 충분하지 않다고 하는 문제가 있었다. 또한, 상기 특허문헌 1에 개시된 불화물 광학 재료는, 350 ㎚ 미만의 자외역의 빛에 대한 굴절률이 1.3∼1.5로 작아 개구수에 한계가 있었다.
또한, 다이아몬드는 단단하기 때문에, 미소(微小) 렌즈의 표면 가공 등의 가공이 어렵다고 하는 문제가 있었다.
이와 같이, 200 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 자외역부터 심자외역의 빛에 대하여 큰 굴절률과 가공 용이성을 겸비하는 재료는 지금까지 제안되지 않았다. 또한, 그러한 재료를 이용한 집광 렌즈 등의 광학 렌즈는 존재하지 않았다.
따라서, 본 발명은 큰 굴절률과 가공 용이성을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법 및 AlxGa(1-x)N 단결정을 제공하는 것이다.
본 발명자는 가공 용이성을 갖는 재료로서 AlxGa(1-x)N(0<x≤1) 단결정에 주목하였다. 또한, 본 발명자는 이 AlxGa(1-x)N 단결정의 굴절률을 향상시키는 것을 목적으로 하여 예의 연구한 결과, 이 AlxGa(1-x)N 단결정의 굴절률은 AlxGa(1-x)N 단결정 내의 불순물 농도와 관련이 있는 것을 발견하였다.
그래서, 본 발명의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법은 승화법으로 AlxGa(1-x)N(0<x≤1) 단결정을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함한다. 하지(下地) 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 AlxGa(1-x)N 단결정이 성장된다.
본 발명의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법에 따르면, 고순도의 원료로 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시키기 때문에, AlxGa(1-x)N 단결정에 함유되는 불순물을 저감할 수 있다. 이 때문에, 불순물의 도입이 억제된 고순도의 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시킬 수 있다. 이에 따라, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대하여 2.4 이상의 굴절률을 가지며, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대하여 2.3 이상의 굴절률을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 제조할 수 있다. 굴절률과 개구수는 비례하기 때문에, 제조된 AlxGa(1-x)N 단결정의 개구수를 향상시킬 수 있다. 또한, AlxGa(1-x)N 단결정은 다이아몬드보다 경도가 낮기 때문에, 용이하게 가공할 수 있다. 이상으로부터, 큰 굴절률과 가공 용이성을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 제조할 수 있다.
또한, 상기 「고순도의 원료」란, 원료 내의 불순물 농도가 승온 가스 이탈분석 등에 있어서 0.04 wt% 이하, 바람직하게는 0.025 wt% 이하, 더욱 바람직하게는 0.01 wt% 이하인 것을 의미한다. 즉, 원료에 함유되는 불순물은 적극적으로 함유되지 않고 불가피적으로만 함유되는 경우와, 0.04 wt% 이하의 불순물이 함유되는 경우가 있다.
상기 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 성장시키는 공정에서는, 300 ㎛ 이상의 두께를 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시킨다.
본 발명자는 AlxGa(1-x)N 단결정을 두껍게 성장시키면, 성장하는 AlxGa(1-x)N 단결정에 발생하는 전위 밀도를 저감할 수 있는 것을 발견하였다. 특히, 300 ㎛ 이상의 두께를 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시킴으로써, 그 전위 밀도를 효과적으로 저감할 수 있는 것을 발견하였다. 이 때문에, 보다 높은 굴절률을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시킬 수 있다. 따라서, 개구수를 보다 향상시킬 수 있다.
상기 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 준비하는 공정에서는, AlxGa(1-x)N 단결정과 동일한 조성을 갖는 하지 기판을 준비한다.
이에 따라, 성장하는 AlxGa(1-x)N 단결정과 하지 기판과의 격자 부정합 등을 억제할 수 있기 때문에, 성장하는 AlxGa(1-x)N 단결정의 결정성을 양호하게 할 수 있다. 이 때문에, 보다 높은 굴절률을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시킬 수 있다. 따라서, 개구수를 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명의 AlxGa(1-x)N 단결정(0<x≤1)은 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.3 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 AlxGa(1-x)N 단결정에 따르면, 전술한 본 발명의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법으로 제조함으로써, 불순물 농도를 저감한 AlxGa(1-x)N 단결정을 얻을 수 있다. 이 때문에, 상기한 바와 같이 높은 굴절률을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 실현할 수 있다. 따라서, 개구수를 향상시킬 수 있는 AlxGa(1-x)N 단결정을 실현할 수 있다. 또한, AlxGa(1-x)N 단결정은 다이아몬드보다 경도가 낮기 때문에 가공성이 우수하다. 이상으로부터, 큰 굴절률과 가공 용이성을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 제조할 수 있다.
상기 AlxGa(1-x)N 단결정에 있어서 바람직하게는, 300K에서 측정된, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만인 파장의 빛에 대한 흡수 계수가 27 cm-1 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명자는 AlxGa(1-x)N 단결정에 함유된 O(산소) 원자가 N(질소) 원자와 치환되고(치환 산소 원자 ON), 또한 Al(알루미늄) 원자의 격자 결함(구멍 결함 VAl)과 결합하여 복합 결함 VAl-ON을 형성하는 것을 발견하였다. 이 복합 결함 VAl-ON은 쌍극자 모멘트를 형성하고, 자외광이 조사되면 활성화되어 밴드갭 내에 흡수 준위를 형성한다. 그래서, 전술한 본 발명의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법으로 제조함으로써, 함유되는 산소 원자를 저감할 수 있다. 이 때문에, 복합 결함 VAl-ON을 저감할 수 있으므로, 복합 결함 VAl-ON에 관여하는 밴드갭 내의 250 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 흡수 준위를 저감할 수 있다. 그 결과, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 흡수 계수를 전술한 바와 같이 저감할 수 있다.
상기 AlxGa(1-x)N 단결정에 있어서 바람직하게는, 전위 밀도가 1×106 cm-2 이하인 것을 특징으로 한다.
이에 따라, AlxGa(1-x)N 단결정의 결정성을 향상시킬 수 있기 때문에, 굴절률을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 개구수를 보다 향상시킬 수 있다.
상기 AlxGa(1-x)N 단결정에 있어서 바람직하게는, 산소 농도가 1×1019 cm-3 이하인 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 불순물로서의 산소를 보다 저감할 수 있기 때문에, 굴절률을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 개구수를 보다 향상시킬 수 있다.
상기 AlxGa(1-x)N 단결정에 있어서 바람직하게는, 표면 조도 RMS가 100 ㎚ 이하인 주표면을 갖는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, AlxGa(1-x)N 단결정의 주표면에서의 빛의 반사를 저감할 수 있기 때문에, 상기 파장의 빛의 집광을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 AlxGa(1-x)N 단결정에 있어서 바람직하게는, 5 ㎜ 이상의 폭 또는 직경을 가지며, 또한 300 ㎛ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 광학 렌즈에 필요한 크기와 강도를 유지할 수 있다. 또한, 300 ㎛ 이상의 두께로 함으로써, 전위 밀도를 효과적으로 저감할 수 있기 때문에, 굴절률을 보다 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 개구수를 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명의 광학 렌즈는 상기 어느 하나에 기재된 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하여 제작되고 있다.
본 발명의 광학 렌즈는 굴절률이 높고 또한 가공성이 우수한 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하기 때문에, 성능을 향상시킨 광학 렌즈를 실현할 수 있다.
상기 광학 렌즈에 있어서 바람직하게는, 평탄면과, 이 평탄면으로부터 돌출된 반구형의 곡부(曲部)를 가지며, 평탄면이 (0001)면 또는 (0001)면과 평행한 면이다.
AlxGa(1-x)N 단결정은 하나의 광학축을 갖는 일축성 결정이다. 이 때문에, 광학축, 즉 c축에 대하여 수직인 면인 (0001)면(c면) 또는 (0001)면과 평행한 면을 입광면으로 하면, 복굴절에 의한 축 편위를 억제할 수 있다.
상기 광학 렌즈에 있어서 바람직하게는, 평탄면과, 이 평탄면으로부터 돌출된 초반구형의 곡부를 가지며, 평탄면이 (0001)면 또는 (0001)면과 평행한 면이다.
이에 따라, 전술한 바와 같이 복굴절에 의한 축 편위를 억제할 수 있다. 또한, 광축을 따르는 방향의 두께를 크게 할 수 있기 때문에, 개구수를 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법, AlxGa(1-x)N 단결정 및 광학 렌즈에 따르면, 큰 굴절률과 가공 용이성을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조에 사용할 수 있는 성장 장치이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 하지 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시킨 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 있어서의 광학 렌즈로서의 집광 렌즈를 개략적으로 나타낸 측면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태의 변형예에 있어서의 집광 렌즈를 개략적으로 나타낸 측면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 있어서의 집광 렌즈의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 또한, 이하의 도면에 있어서 동일 또는 상당한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명은 반복하지 않는다.
(제1 실시형태)
도 1은 본 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N(0<x≤1) 단결정을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 우선, 도 1을 참조하여 본 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정에 대해서 설명한다. 또한, 조성비 x는 Al 및 Ga의 몰비이다.
도 1에 도시된 바와 같이, AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 주표면(10a)을 갖는다. 광학 렌즈로 가공하기 쉬운 크기 및 기계적 강도를 갖는다는 관점에서, AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 폭 또는 직경이 5 ㎜ 이상이고, 또한 두께가 300 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 동일한 관점에서, AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 폭 또는 직경이 10 ㎜ 이상이고, 또한 두께가 1000 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
여기서, AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 폭이란, 단결정의 주표면(10a)이 다각 형상일 때, 그 주표면(10a)에 있어서 중앙부를 사이에 두고 마주보는 임의로 특정되는 2개의 정점 간의 거리를 의미한다. 또한, AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 직경이란, 단결정의 주표면(10a)이 원형 또는 타원형일 때, 그 주표면(10a)에 있어서 임의로 특정되는 직경 중 최대의 길이를 의미한다.
또한, AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 주표면(10a)은, 주표면(10a)에서의 빛의 반사를 저감할 수 있기 때문에, 집광을 보다 향상시킬 수 있다는 관점에서, 표면 조도 RMS가 100 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 10 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하며, 1 ㎚인 것이 더욱 바람직하다.
여기서, 표면 조도 RMS란, JIS B0601에 규정된 표면의 제곱 평균 조도, 즉, 평균면으로부터 측정면까지의 거리(편차)의 제곱을 평균한 값의 제곱근을 의미한다.
AlxGa(1-x)N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.3 이상이다. 이에 따라, 개구수를 증가시킬 수 있다. 250 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 굴절률은 개구수를 더욱 증가시킨다는 관점에서 2.4 이상인 것이 바람직하고, 2.5 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 굴절률이 높은 것이 개구수를 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하지만, 용이하게 제조할 수 있다는 관점에서, 굴절률의 상한은 예컨대 2.6이다.
상기 「굴절률」은, 예컨대 온도를 300 K로 하고, 자외/가시 분광 광도계로 절대 5° 반사율을 측정하여, 그 반사율로부터 산출되는 값이다.
여기서, 개구수란, 해상도를 나타내는 지표로서, 굴절률을 n으로 하고, 입사되는 광축에 대한 최대 각도를 θ로 하면, nsinθ로 표시된다. 즉, 개구수는 굴절률에 비례하는 값이다.
또한, AlxGa(1-x)N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 흡수 계수는, 복합 결함 VAl-ON을 저감함으로써, 복합 결함 VAl-ON에 관여된 흡수 준위를 저감할 수 있다는 관점에서, 27 cm-1 이하인 것이 바람직하다. 또한, 동일한 관점에서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 흡수 계수가 10 cm-1 이하인 것이 바람직하다.
상기 「흡수 계수」는, 예컨대 자외/가시 분광 광도계로 투과율을 측정하여, AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 두께로부터 산출되는 값이다.
AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 전위 밀도는, 복합 결함 VAl-ON을 보다 저감할 수 있기 때문에, 굴절률을 향상시킬 수 있다는 관점에서, 1×106 cm-2 이하인 것이 바람직하고, 5.6×105 cm-2 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 「전위 밀도」는, 예컨대 EPD(에치 피트)법으로 측정되는 값이다. EPD법이란, 예컨대 용융 KOH(수산화칼륨)에의 에칭에 의해 생기는 피트의 개수를 세어 단위 면적으로 나누는 방법으로 측정하는 방법이다.
AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 산소 농도는 결정성을 향상시켜 굴절률을 향상시킬 수 있고, 또한 복합 결함 VAl-ON을 보다 저감하여 흡수 계수를 저감할 수 있다는 관점에서, 1×1019 cm-3 이하인 것이 바람직하며, 1.4×1018 cm-3 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 「산소 농도」는 예컨대 SIMS(2차 이온 질량 분석)에 의한 분석에 의해 측정되는 값이다.
계속해서, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 2는 본 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다. 도 3은 본 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조에 사용할 수 있는 성장 장치이다.
여기서, 도 3을 참조하여 본 실시형태에 있어서의 성장 장치(100)의 주요한 구성에 대해서 설명한다. 이 성장 장치(100)는 승화법으로 결정 성장시키는 장치이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 성장 장치(100)는 도가니(101)와, 가열체(121)와, 반응 용기(123)와, 가열부(125)를 주로 구비한다.
도가니(101)는 배기구(101a)를 갖는다. 이 도가니(101)의 주위에는, 도가니(101)의 내부와 외부와의 통기를 확보하도록 가열체(121)가 설치되어 있다. 이 가열체(121)의 주위에는, 반응 용기(123)가 설치된다. 이 반응 용기(123)의 외측 중앙부에는, 가열체(121)를 가열하기 위한 고주파 가열 코일 등의 가열부(125)가 설치된다.
가열체(121) 및 반응 용기(123)의 한쪽 단부에는, 반응 용기(123) 내에 배치된 도가니(101)로 예컨대 질소 가스 등의 캐리어 가스를 흐르게 하기 위한 도입구(121a, 123a)와, 반응 용기(123)의 외부로 캐리어 가스를 배출하기 위한 배출구(121b, 123b)가 형성된다. 또한, 반응 용기(123)의 상부 및 하부에는, 도가니(101)의 상방 및 하방 온도를 측정하기 위한 방사 온도계(127a, 127b)가 설치된다.
또한, 상기 성장 장치(100)는 상기 이외의 다양한 요소를 포함할 수도 있지만, 설명의 편의상 이들 요소의 도시 및 설명은 생략한다.
도 4는 본 실시형태에 있어서의 하지 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 우선, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 하지 기판(11)을 준비한다(단계 S1). 하지 기판은 특별히 한정되지 않고, SiC(탄화규소) 기판 등의 이종 기판일 수도 있지만, 성장하는 AlxGa(1-x)N 단결정(12)(도 5 참조)과 동일한 조성비 x를 갖는 기판인 것이 바람직하다. 이 하지 기판(11)은 도가니(101)의 상부에 설치한다.
다음에, 고순도의 원료(17)를 준비한다(단계 S2). 원료(17)의 불순물 농도는 0.04 wt% 이하, 바람직하게는 0.025 wt% 이하, 더욱 바람직하게는 0.01 wt% 이하인 것을 의미한다. 또한, 원료는 소결된 AlN 원료를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 원료(17)에는, 소결 조제는 함유되지 않는다. 이 원료(17)는 하지 기판(11)과 서로 마주보도록 도가니(101)의 하부에 설치한다.
도 5는 본 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정을 성장시킨 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 다음에, 도 5에 도시된 바와 같이, 원료(17)를 승화시켜 하지 기판(11) 상에 AlxGa(1-x)N 단결정(12)을 성장시킨다(단계 S3). 이 단계 S3에서는, 승화법으로 AlxGa(1-x)N 단결정(12)을 성장시킨다.
구체적으로는, 원료(17)가 승화하는 온도까지 원료(17)를 가열부(125)에 의해 가열한다. 이 가열에 의해 원료(17)가 승화하여 승화 가스를 생성한다. 이 승화 가스를, 원료(17)보다 저온으로 설치되어 있는 하지 기판(11)의 표면에 재차 고화시킨다. 이에 따라, 하지 기판(11) 상에 AlxGa(1-x)N 단결정(12)이 성장한다. 이 AlxGa(1-x)N 단결정(12)은 전술한 바와 같은 굴절률을 갖는다.
다음에, 하지 기판(11)을 제거한다(단계 S4). 하지 기판(11)이 AlxGa(1-x)N 단결정(12)과 동일한 조성비 x를 갖는 경우에는, 이 단계 S4는 생략할 수도 있다. 제거하는 경우에는, 하지 기판(11)만을 제거할 수도 있고, 또한 하지 기판(11) 및 AlxGa(1-x)N 단결정(12)의 일부를 제거할 수도 있다.
제거하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 절단, 연삭, 벽개 등의 기계적인 제거 방법을 이용할 수 있다. 절단이란, 전착 다이아몬드 휠의 외주날을 갖는 슬라이서 등에 의해 기계적으로 AlxGa(1-x)N 단결정(12)으로부터 적어도 하지 기판(11)을 제거하는 것을 말한다. 연삭이란, 지석을 회전시키면서 표면에 접촉시켜 두께 방향으로 깎아내는 것을 말한다. 벽개란, 결정 격자면을 따라 AlxGa(1-x)N 단결정(12)을 분할하는 것을 말한다. 또한, 에칭 등의 화학적인 제거 방법을 이용할 수도 있다.
그 후, AlxGa(1-x)N 단결정(12)의 양면을 연삭, 연마 등에 의해 평탄화한다. 이 AlxGa(1-x)N 단결정(12)은 연마 시에 탈립(脫粒)을 억제할 수 있기 때문에, 표면을 용이하게 평탄화할 수 있다. 이 연삭, 연마 등은 생략될 수도 있지만, AlxGa(1-x)N 단결정(12)의 표면 조도 RMS가 100 ㎚ 이하가 되도록 평탄화하는 것이 바람직하다.
또한, 예컨대 30 ㎜ 이상의 두께를 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정(12)을 성장시키는 경우에는, AlxGa(1-x)N 단결정(12)으로부터 복수의 AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 잘라낼 수 있다. AlxGa(1-x)N 단결정(12)은 단결정으로 이루어지기 때문에, 용이하게 분할된다. 이 경우에는, AlxGa(1-x)N 단결정(12)은 결정성이 양호하며, 또한 제조 비용을 저감할 수 있다.
이상의 단계 S1∼S4를 실시함으로써, AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 제조할 수 있다.
이와 같이 제조되는 AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 전술한 바와 같이, 자외역부터 심자외역의 빛에 대하여, 높은 굴절률과 저흡수성을 갖는다. 또한, AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 그 특성 때문에 가공이 용이하고, 할로겐 가스 등의 내부식성을 향상시킬 수 있다.
또한, AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 단결정이기 때문에, 다결정과 같이 결정의 입계가 거의 존재하지 않고, 또한 연마, 연삭 시에 탈립을 억제할 수 있다. 이 때문에, 빛의 투과 손실을 저감할 수 있다. 또한, 주표면(10a)에서 빛이 반사되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 빛의 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 원료(17)의 순도가 높기 때문에, 소결체에 필요한 소결 조제 등의 불순물을 함유하지 않는다. 이 때문에, 소결체 및 다결정의 AlxGa(1-x)N보다도 AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 열전도율이 높고, 열팽창율의 편차를 억제할 수 있으므로, 내열충격성을 향상시킬 수 있다.
나아가서는, 승화법으로 AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 성장시키기 때문에, 두께를 크게 할 수 있다. 이 때문에, AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 강도를 향상시킬 수 있다.
따라서, 본 실시형태의 AlxGa(1-x)N 단결정(10)은 DVD로 대표되는 광기록 재생 장치의 픽업용 집광 렌즈, 소형 고체 촬상 장치에 이용되는 집광 렌즈, 자외광 현미경의 대물 렌즈 등의 재료에 적합하게 이용될 수 있다.
(제2 실시형태)
도 6은 본 실시형태에 있어서의 광학 렌즈로서의 집광 렌즈를 개략적으로 나타낸 측면도이다. 도 6을 참조하여 본 실시형태에 있어서의 광학 렌즈로서의 집광 렌즈(20)를 설명한다. 집광 렌즈(20)는 제1 실시형태에서 설명한 AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 이용하여 제작된 것이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 집광 렌즈(20)는 평탄면(20a)과, 이 평탄면(20a)으로부터 돌출된 반구형의 곡부(20b)를 갖는다. 즉, 집광 렌즈(20)는 반구형 집광 렌즈이다. 평탄면(20a)은 평면에서 보아 원형인 입광면이고, 곡부(20b)는 출광면이다. 평탄면(20a)은 (0001)면(c면) 또는 (0001)면과 평행한 면인 것이 바람직하다.
도 7은 본 실시형태의 변형예에 있어서의 집광 렌즈를 개략적으로 나타낸 측면도이다. 도 7을 참조하며, 변형예에 있어서의 집광 렌즈(30)는 기본적으로는 집광 렌즈(20)와 동일한 구성을 갖추고 있지만, 초반구형 집광 렌즈인 점에서 상이하다.
구체적으로는, 집광 렌즈(30)는 평탄면(30a)과, 이 평탄면(30a)으로부터 돌출된 초반구형의 곡부(30b)를 갖는다. 평탄면(30a)은 평면에서 보아 원형인 입광면이고, 곡부(30b)는 출광면이다. 평탄면(30a)은 (0001)면 또는 (0001)면과 평행한 면인 것이 바람직하다. 초반구형의 집광 렌즈(30)는 반구형의 집광 렌즈(20)와 동일한 굴절률을 갖는 경우, 실효적인 개구수를 높일 수 있다는 점에서 유리하다.
계속해서, 본 실시형태에 있어서의 집광 렌즈(20, 30)의 제조 방법에 대해서 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명한다. 또한, 도 8은 본 실시형태에 있어서의 집광 렌즈(20, 30)의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 우선, 제1 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 전술한 바와 같이 제조한다(단계 S1∼S4).
다음에, AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 이용하여 집광 렌즈를 제작한다(단계 S5). 이 단계 S5에서는, 도 6에 도시된 집광 렌즈(20), 도 7에 도시된 집광 렌즈(30)로 가공한다. 가공하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 연마, 연삭 등에 의해 수행될 수 있다.
이 단계 S5에서는, AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 용이하게 가공할 수 있는 경도이므로, 전술한 형상으로 용이하게 가공할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 광학 렌즈로서 집광 렌즈를 이용하여 설명하였지만, 특별히 이들에 한정되지 않는다. 또한, 집광 렌즈의 형상에 대해서도 한정되지 않는다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.3 이상인 AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 제조 방법에 대해서 조사하였다. 구체적으로는, 제1 실시형태에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정(12)의 제조 방법에 따라 AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 제조하였다.
우선, 하지 기판(11)으로서, 2인치의 SiC 기판을 준비하였다(단계 S1). 이 하지 기판(11)을 WC제의 도가니(101)의 상부에 배치하였다. 이 때, 도가니(101)와 동일한 재질의 덮개에 하지 기판(11)을 밀착시켰다. 하지 기판(11)의 주표면은 Si면이었다.
다음에, 고순도의 원료(17)를 준비하였다(단계 S2). 단계 S2에서는, 준비한 원료를 한번 1500℃ 이상 2000℃ 이하에서 가열함으로써 불순물을 저감하여, 고순도의 원료(17)를 얻었다. 이와 같이 하여, 불순물 농도가 0.025 wt%인 AlN 소성 원료를 준비하였다. 이 원료(17)를 하지 기판(11)과 마주보도록 배치하였다.
다음에, AlxGa(1-x)N 단결정(12)을 성장시켰다(단계 S3). 구체적으로는, 이하와 같이 수행하였다.
반응 용기(123) 내에 N2 가스를 흐르게 하고, N2의 가스 분압이 10 kPa∼100 kPa가 되도록 N2 가스 도입량과 N2 배출량을 제어하면서, 가열부(125)로서의 고주파 가열 코일을 이용하여 도가니(101) 내의 온도를 승온시켰다. 도가니(101)의 원료(17)측의 온도를 측정하는 방사 온도계(127a)의 지시값이 규정 온도에 도달한 후, N2의 가스 분압이 50 kPa, 원료(17)측의 방사 온도계(127a)의 측정 온도가 2050℃, 하지 기판(11)측의 방사 온도계(127b)의 온도가 1730℃가 되도록 파워 제어하였다. 이에 따라, 원료(17)로부터 AlN을 승화시키고, 성장 시간을 40시간으로 하여, 하지 기판(11) 상에 AlxGa(1-x)N 단결정(12)으로서 AlN 단결정을 성장시켰다. 그 후, 실온까지 냉각시켜 도가니(101)로부터 AlN 단결정을 꺼내었다.
이 AlN 단결정의 크기는 하지 기판(11)과 거의 동일한 2인치이며, 4.3 ㎜의 두께를 갖는다. 이것으로부터, 성장 속도는 108 ㎛/h라고 예상되었다.
다음에, 하지 기판을 제거하였다(단계 S4). 구체적으로는, 얻어진 AlN 단결정을 (0001)면과 평행하게 슬라이스 가공하여 하지 기판(11)을 제거하고, 복수 장의 판형 기판(AlN 단결정 기판)으로 하였다. 그 후, AlN 단결정 기판의 양면을 연삭에 의해 평탄화하고, 표면을 다이아몬드 지립으로 더 연마하였다. 이에 따라, 본 실시예에 있어서의 AlxGa(1-x)N 단결정(10)으로서의 AlN 단결정 기판을 제조하였다.
(측정 결과)
이 AlN 단결정 기판에 대해서, 굴절률, 흡수 계수, 전위 밀도, 산소 농도, 표면 조도 RMS 및 FWHM(Full Width at Half Maximum: X선 회절에 있어서의 로킹 커브의 반치폭)을 이하와 같이 측정하였다.
굴절률에 있어서, 온도를 300 K로 하고, 자외/가시 분광 광도계로 절대 5° 반사율을 측정하여, 그 반사율로부터 굴절률(n)을 산출하였다. 그 결과, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.40 이상 2.60 이하이며, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.30 이상 2.60 이하로 높았다.
흡수 계수는, 자외/가시 분광 광도계로 투과율을 측정하여 AlN 단결정 기판의 두께로부터 산출하였다. 그 결과, 250 ㎚의 파장의 빛에 대한 흡수 계수는 142 cm-1, 300 ㎚의 파장의 빛에 대한 흡수 계수는 27 cm-1, 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 흡수 계수는 11 cm-1로 작았다.
전위 밀도는 EPD법에 의해 산출하였다. 구체적으로는, 이하와 같이 산출하였다. 우선, KOH:NaOH(수산화나트륨)을 1:1의 비율로 백금 도가니 내에서 250℃로 용융시킨 융액 속에 AlN 단결정 기판을 30분간 침지하여 AlN 단결정 기판의 에칭을 행하였다. 그 후, AlN 단결정 기판을 세정하고, 현미경을 통해, 표면에 발생한 에치 피트의 단위 면적당 개수를 카운트하였다. 그 결과, 전위 밀도는 1×106 cm-2로 작았다.
산소 농도는 AlN 단결정 기판의 중심으로부터 잘라낸 평방 5 ㎜(5 ㎜×5 ㎜의 정방형 영역)의 시료를 이용하여 SIMS에 의해 측정하였다. 그 결과, 산소 농도는 1.4×1018 cm-3로 작았다.
표면 조도 RMS는 JIS B0601에 준거하여 측정하였다. 구체적으로는, AlN 단결정 기판에 있어서의 Al면측의 표면 조도 RMS를 AFM(원자간력 현미경)을 이용하여 평방 50 ㎛(50 ㎛×50 ㎛의 정방형 영역)의 시야 내에서 측정하였다. 그 결과, 표면 조도 RMS는 40 ㎚로 작았다.
FWHM은 최상부의 AlN 단결정 기판의 평탄부에 있어서의 (0002)면에 대해서, X선 회절 피크를 측정하였다. 그 결과, X선 회절 피크의 반치폭이 15 arcsec로 작아 고품질의 결정이었다.
이상으로부터, 본 실시예에 따르면, 원료를 고순도로 함으로써, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대하여 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대하여 2.3 이상의 굴절률을 갖는 AlxGa(1-x)N 단결정을 실현할 수 있는 것을 확인하였다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.3 이상인 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하여 제작된 광학 렌즈의 효과에 대해서 조사하였다.
(본 발명예 1)
상기 실시예 1에서 얻어진 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하고, 공지된 방법을 이용하여 광학 렌즈를 제작하였다. 형상은 도 6에 도시된 바와 같은 반구형 렌즈로 하고, 평탄면(20a)은 단결정의 c면이 되도록 하였다. 이에 따라, 본 발명예 1의 광학 렌즈를 제조하였다.
(본 발명예 2)
본 발명예 2에서는, 하지 기판(11)으로서 AlN 기판을 준비하였다. 또한, 원료(17)로서 준비한 AlN 소성 원료의 불순물 농도는 0.008 wt%였다. 그 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 결정 성장시켰다. 그 결과, 두께 5.0 ㎜의 AlN 단결정을 얻었다.
다음에, 본 발명예 2의 AlN 단결정에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로 결정 평가를 하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 본 발명예 2에서는, 본 발명예 1과 비교하여 전위 밀도의 저감, 산소 농도의 저감이 확인되었다. 광학 특성에 대해서는 본 발명예 1에 비하여 굴절률은 평균적으로 높아지고, 흡수 계수는 감소하였다. 그 원인으로서는, 하지 기판을 조성이 동일한 AlN 기판으로 하고, 또한 원료의 불순물 농도를 개선한 효과라고 생각된다.
다음에, 본 발명예 2에서 얻어진 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하고, 공지된 방법을 이용하여 광학 렌즈를 제작하였다. 형상은 도 7에 도시된 바와 같은 초반구형 렌즈로 하고, 평탄면(30a)은 단결정의 c면이 되도록 하였다.
(본 발명예 3)
본 발명예 3에 있어서는, 실시예 1에서 얻어진 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하고, 공지된 방법을 이용하여 광학 렌즈를 제작하였다. 형상은 도 6에 도시된 바와 같은 반구형 렌즈로 하고, 평탄면(20a)은 단결정의 m면이 되도록 하였다.
(비교예 1)
비교예 1에서는 하지 기판(11)으로서 AlN 기판을 준비하였다. 또한, 원료(17)로서 준비한 AlN 소성 원료의 불순물 농도는 0.05 wt%였다. 그 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 결정 성장시켰다. 그 결과, 두께 5.0 ㎜의 AlN 단결정을 얻었다.
다음에, 비교예 1의 AlN 단결정에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로 결정 평가를 하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 비교예 1에서는, 전위 밀도가 본 발명예 1보다 낮고 본 발명예 2보다 높은 결과를 얻었다. 또한, 산소 농도는 본 발명예 1, 2와 비교하여 증가가 확인되었다. 그 원인으로서는, 하지 기판을 조성이 동일한 AlN 기판으로 하고, 원료의 불순물 농도가 높았던 효과라고 생각된다. 광학 특성에 대해서는, 본 발명예 1∼3에 비하여 굴절률은 낮아지고, 흡수 계수는 증가하였다. 그 원인으로서는, 원료의 불순물 농도가 높았던 효과라고 생각된다.
다음에, 비교예 1에서 얻어진 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하고, 공지된 방법을 이용하여 광학 렌즈를 제작하였다. 형상은 도 6에 도시된 바와 같은 반구형 렌즈로 하고, 평탄면(20a)은 단결정의 c면이 되도록 하였다.
(측정 방법)
본 발명예 1∼3 및 비교예 1의 광학 렌즈의 투광성에 대해서, 광학 렌즈에 빛이 입사하여 투과된 비율을 조사하였다. 그 결과를 하기의 표 1에 나타낸다. 표 1에 있어서, 투광성이 높은 그룹부터 차례로 A, B, C로 하였다. 즉, 투광성이 가장 높은 그룹의 렌즈를 A로 하고, 투광성이 가장 낮은 그룹의 렌즈를 C로 하며, A와 C 사이의 투광성을 갖는 그룹의 렌즈를 B로 하였다. A 및 B의 렌즈의 투광성은 우수하였다.
Figure pct00001
(측정 결과)
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명예 1의 광학 렌즈는 투광성이 우수하고, 축 편위가 없었다. 본 발명예 1의 광학 렌즈의 투광성이 양호한 이유는 본 발명예 1에서 이용한 AlN 단결정의 투과율이 높기 때문이라고 생각된다. 또한, 광학축, 즉 c축에 대하여 수직인 면인 (0001)면(c면)을 입광면으로 하였기 때문에, 복굴절에 의한 축 편위를 억제할 수 있었다고 생각된다.
또한, 본 발명예 2의 광학 렌즈는 표 1에 나타낸 바와 같이, 투광성이 본 발명예 1보다 우수하고, 축 편위가 없었다. 본 발명예 2의 광학 렌즈의 투광성이 개선된 이유는 본 발명예 2에서 이용한 AlN 단결정의 투과율이 높기 때문이라고 생각된다. 또한, 광학축, 즉 c축에 대하여 수직인 면인 (0001)면(c면)을 입광면으로 하였기 때문에, 복굴절에 의한 축 편위를 억제할 수 있었다고 생각된다.
본 발명예 3의 광학 렌즈는 투광성이 본 발명예 1과 같은 정도이고, 축 편위가 있었다. 본 발명예 1 및 본 발명예 3의 광학 렌즈에 이용한 AlN 단결정이 동일하였기 때문에, 본 발명예 3의 광학 렌즈의 투광성은 본 발명예 1과 같은 정도였다고 생각된다. 또한, 광학축, 즉 c축에 대하여 수직인 면인 (0001)면(c면)을 입광면으로 하지 않았기 때문에, 복굴절에 의한 축 편위가 발생하였다고 생각된다.
한편, 비교예 1의 광학 렌즈는 투광성이 본 발명예 1∼3보다 뒤떨어지고, 또한 축 편위가 없는 렌즈였다. 렌즈의 투광성이 악화된 이유는 비교예 1에서 이용한 AlN 단결정의 투과율이 낮기 때문이라고 생각된다. 또한, 광학축, 즉 c축에 대하여 수직인 면인 (0001)면(c면)을 입광면으로 하였기 때문에, 복굴절에 의한 축 편위를 억제할 수 있었다고 생각된다.
이상으로부터, 본 실시예에 따르면, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.3 이상인 AlxGa(1-x)N 단결정을 이용하여 광학 렌즈를 제작함으로써, 투광성을 향상시킨 광학 렌즈를 실현할 수 있는 것을 확인하였다.
이번에 개시된 실시형태 및 실시예는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 실시형태가 아니라 특허청구범위에 의해 나타내며, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
10, 12 : AlxGa(1-x)N 단결정 10a : 주표면
11 : 하지 기판 17 : 원료
20, 30 : 집광 렌즈 20a, 30a : 평탄면
20b, 30b : 곡부 100 : 성장 장치
101 : 도가니 101a : 배기구
121 : 가열체 121a, 123a : 도입구
121b, 123b : 배출구 123 : 반응 용기
125 : 가열부 127a, 127b : 방사 온도계

Claims (12)

  1. 승화법으로 AlxGa(1-x)N(0<x≤1) 단결정(10, 12)을 성장시키는 AlxGa(1-x)N 단결정(10)의 제조 방법에 있어서,
    하지 기판(11)을 준비하는 공정과,
    고순도의 원료(17)를 준비하는 공정과,
    상기 원료(17)를 승화시켜 상기 하지 기판(11) 상에 상기 AlxGa(1-x)N 단결정(10, 12)을 성장시키는 공정
    을 포함하는 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 성장시키는 공정에서는, 300 ㎛ 이상의 두께를 갖는 상기 AlxGa(1-x)N 단결정(10, 12)을 성장시키는 것인 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 준비하는 공정에서는, 상기 AlxGa(1-x)N 단결정(10, 12)과 동일한 조성을 갖는 상기 하지 기판(11)을 준비하는 것인 AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법.
  4. AlxGa(1-x)N(0<x≤1)단결정(10)에 있어서,
    300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.4 이상이고, 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률이 2.3 이상인 것을 특징으로 하는 AlxGa(1-x)N 단결정.
  5. 제4항에 있어서, 300K에서 측정된, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 흡수 계수가 27 cm-1 이하인 것을 특징으로 하는 AlxGa(1-x)N 단결정.
  6. 제4항에 있어서, 전위 밀도가 1×106 cm-2 이하인 것을 특징으로 하는 AlxGa(1-x)N 단결정.
  7. 제4항에 있어서, 산소 농도가 1×1019 cm-3 이하인 것을 특징으로 하는 AlxGa(1-x)N 단결정.
  8. 제4항에 있어서, 표면 조도 RMS가 100 ㎚ 이하인 주표면을 갖는 것을 특징으로 하는 AlxGa(1-x)N 단결정.
  9. 제4항에 있어서, 5 ㎜ 이상의 폭 또는 직경을 가지며, 300 ㎛ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 AlxGa(1-x)N 단결정.
  10. 제4항에 기재된 AlxGa(1-x)N 단결정(10)을 이용하여 제작된 광학 렌즈(20, 30).
  11. 제10항에 있어서, 평탄면과, 상기 평탄면으로부터 돌출된 반구형의 곡부(曲部)를 가지며,
    상기 평탄면은 (0001)면 또는 (0001)면과 평행한 면인 것인 광학 렌즈.
  12. 제10항에 있어서, 평탄면과, 상기 평탄면으로부터 돌출된 초반구형의 곡부를 가지며,
    상기 평탄면은 (0001)면 또는 (0001)면과 평행한 면인 것인 광학 렌즈.
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