KR20110040090A - 그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트 - Google Patents

그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 롤투롤 그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트에 관한 것으로, 상기 본 발명에 따른 도전성 페이스트는 입자 표면적을 극대화함으로써 전기전도도를 향상시키고 저온 소성에서 높은 소결성을 얻을 수 있는 도전성 페이스트로, 고속인쇄가 가능한 그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능하여 인쇄회로기판의 높은 생산성 및 생산비의 절감에 크게 기여할 것이다.
도전성, 페이스트

Description

그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트 {Conductivity paste composition of low temperature plasticity for gravure printing}
본 발명은 롤투롤 그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트에 관한 것이다.
최근 전자재료에 이용하기 위하여 전도성 페이스트, 잉크에 나노 크기의 입자를 응용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 전자부품을 제조하는 기술이 발달함에 따라, 인쇄회로기판의 고밀도화를 위한 회로패턴의 층간 전기적 도통 및 미세회로 배선이 적용된 HDI(high density interconnection)기판의 성능을 향상시킬 수 있는 기술이 요구되고 있다. 상기 HDI 기판의 성능을 향상시키기 위해서는 회로패턴의 층간 전기적 도통 기술 및 설계의 자유도를 확보하는 기술이 필요하다.
종래기술에 따른 다층 인쇄회로기판의 제조공정은 드릴링, 화학 동도금 및 또는 전기 동도금으로 도금층을 형성하고, 회로층을 형성한 후 적층 공정을 통하여 원하는 수만큼의 회로 패턴층을 형성하는 것이다. 그러나 이와 같은 종래의 다층 인쇄회로기판 제조공정은, 이 제조공정이 적용되는 핸드폰 등의 제품 가격 하락에 따른 저비용(low cost)에 대한 요구를 충족시키지 못하고 있다. 또한 전자 제품을 대량 생산하기 위해 필요한 시간, 즉 리드 타임(lead-time)을 단축할 필요성이 증가하고 있는데, 상기 제조공정은 이러한 요구에 부응하지 못하는 문제점이 발생할 수도 있다. 따라서 이러한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 제조공정이 요구되고 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여 도전성 페이스트를 이용하여 층간 연결을 하는 공법이 상용화되어 있다. 그러나 상기 도전성 페이스트를 이용하여 층간을 연결하는 공법은 동도금을 이용하여 층간을 연결하는 것보다 비저항이 높고 동박과의 접착력이 낮고, 페이스트 조성 중 폴리머 성분 때문에 열전도성이 좋지 않는 문제점이 있다.
일반적인 도전성 페이스트는 도전성 금속입자를 수지 등에 분산시킨 것으로서, 도전성 금속입자로는 전기전도성이 높고 산화가 어려운 은(Ag)을 주로 사용한다. 종래의 도전성 페이스트는 고온 소성형과 폴리머형으로 분류되었는데, 현재 주로 사용되고 있는 도전성 페이스트(conductive paste)는 금속 페이스트이다. 상기 금속 페이스트는 기본적으로 금속 분말과 에폭시/멜라민계 성분의 바인더를 포함하여 구성된다. 이러한 금속 도전성 페이스트는 경화 후 비저항이 약 10 내지 4Ω·㎝로서 벌크(bulk) 금속에 비해 그 가격이 고가이며, 미세 회로 등에 적용하기가 어려운 문제점이 있다. 이는 금속 도전성 페이스트 사이에 비전도성 물질인 에폭시/멜라민계 등의 물질이 채워져 있어서, 전자가 흐르는 데 매우 큰 저항 요인으로 작용하기 때문이다. 뿐만 아니라 고온 가열을 통해 금속 입자간을 융착하여 연속적 인 도전막을 형성함으로써, 약 2 μΩcm 이하의 비저항을 가질 수 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 나노 크기의 분말 및 도전성 물질을 사용하여 입자 표면적을 극대화함으로써 전기전도도를 향상시키고, 저온 소성에서 높은 소결성을 얻을 수 있는 저온 소성용 도전성 페이스트를 제공하기 위한 것이다.
또한 본 발명의 목적은 롤투롤 그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 전도성 입자; 은 나노 젤; 및 바인더 수지를 포함하는 롤투롤 그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트를 제공한다.
본 발명의 저온 소성용 도전성 페이스트는 0.3 내지 20 um의 직경의 전도성 입자, 고분자 바인더, 은 나노 젤, 수분산 및 유기용제가 혼합되어 형성되고, 상기 형성된 도전성 페이스트는 150℃ 이하의 온도에서 10 내지 60초 범위내로 경화되며, 경화 후 비저항이 6×10-4 내지 2×10-6Ω·㎝ 이하인 것이 특징이다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 전도성 입자; 은 나노 젤; 및 바인더 수지를 포함하는 저온 소성용 도전성 페이스트를 제공한다.
상기 은 나노 젤은 은 이온 수용액, 고분자 바인더 및 환원제를 혼합하여 반 응시켜 원심분리한 후, 디에탄올,2,2 아조비스(Diethannol,2,2 azobis)를 첨가하여 제조되는 4 cP 내지 500 cP의 점도를 가지는 것이 특징이며, 상기 원심분리 후, 고분자 바인더는 은 나노입자 대비 0.0001 내지 0.001 중량%로 남기고 제거되는 것이 특징이다. 상기 혼합되는 고분자 바인더는 폴리피롤리돈, 폴리우레탄 및 폴리아미드로부터 선택되는 1종 이상인 것을 사용한다.
보다 구체적인 예로 은 나노 젤은 은 이온 수용액에 고분자 바인더 0.1 내지 0.01 g/ml , 바람직하게는 0.1 내지 0.05 g/ml, 가장 바람직하게는 0.1 내지 0.08 g/ml의 고분자 바인더, 첨가하는 환원제는 0.01 내지 0.05 g/ml, 바람직하게는 0.03 내지 0.05 g/ml 를 첨가 후 30분~3시간 교반하여 아세톤 10 g/ml 를 첨가 한 후, 원심 분리기를 통해 6000 rpm으로 2시간 처리하여 얻어지는 침전물에 Diehtnanol,2,2 azobis 0.01 내지 0.001 g/ml를 첨가하여 얻어지는 것으로, 나노 젤을 이루고 있는 고분자 바인더 함량이 0.01 내지 0.03중량%의 비율을 갖도록 조절하는 것이 은 나노 젤을 제조하는데 적합하다. 여기서 고분자 바인더 함량이 0.01 내지 0.03 중량%를 넘어서거나 작아지면 나노 젤이 형성되지 않고 분산되지 않은 상 분리 된 은 나노 입자를 얻게 된다.
본 발명에 따른 전도성 입자는 0.3 내지 20 um 직경의 은, 구리, 주석, 인듐, 니켈, 알루미늄 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것으로, 바람직하게는 은 입자를 사용하며, 상기 전도성 입자 100 중량부에 대하여, 은 나노 젤 5 내지 100 중량부 및 바인더 수지 10 내지 100 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 소성용 도전성 페이스트이다. 이는 롤투롤 그라비아 직접 인쇄 방식에 적용 가능한 저온 소성용 도전성 페이스트의 점도를 가지기 위해 중요한 의미를 가진다.
본 발명에 따른 도전성 페이스트는 전도성 고분자, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그라핀, 그라파이트 또는 이들의 혼합물인 도전성 물질을 더 포함할 수 있으며, 이는 전도성 입자와 상기 도전성 물질을 혼합시 두 물질 사이에 전기 브릿지를 형성시켜 전도성 입자 사이의 전자 흐름을 원활하게 하고 전기 전도도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
상기 도전성 물질은 전도성 입자 100 중량부에 대하여, 전도성 고분자 10 내지 100 중량부, 금속산화물 0.5 내지 60 중량부, 탄소나노튜브, 그라핀 또는 그라파이드 0.5 내지 40 중량부로 첨가한다.
본 발명에 따른 도전성 물질 중 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리아닐린(PANI), 2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌(MEHPPV), 폴리페닐렌비닐렌(PPV), 폴리피롤, 폴리싸이오펜으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것이고, 상기 금속산화물은 알루미늄, 망간, 코발트, 팔라듐, 니켈, 붕소로부터 선택되는 1종 이상인 금속이 도핑된 산화아연(ZnO), 산화인듐(InO), 산화주석(SnO)을 사용한다.
본 발명에 따른 도전성 물질 중 탄소나노튜브는 단일벽 탄소 나노 튜브, 이중벽 탄소 나노 튜브, 다중벽 탄소 나노 튜브 및 다발형 탄소 나노 튜브로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 사용한다.
상기 탄소나노튜브는 알루미늄과 구리와 같이 비교적 전기전도성이나 비저항 이 우수한 금속 물질 보다 더 우수한 전기적 성질을 가진다. 따라서 이러한 탄소나노튜브를 도전성 페이스트 재료로 이용할 경우, 전기적 저항을 줄일 수 있고 열전도도 역시 우수하여 인쇄회로기판 내부의 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 바인더 수지는 셀롤로오스계, 폴리아크릴계 및 폴르에스테계로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 사용하며, 이는 동일 기술 분야에서 널리 공지된 것을 사용해도 무방하다.
본 발명에 따른 도전성 페이스트는 150℃ 이하의 온도에서 경화한 후, 비저항이 6×10-4 내지 2×10-6Ω·㎝ 이며, 보다 바람직하게는 3.35×10-5Ω 이하인 것이 특징이며, 이는 금속과 근접시 비저항(예를 들면 은의 경우, 1.6×10-6Ω·㎝)을 가질수록 인쇄회로기판의 신호 전달 효율 및 또는 열 발생과 같은 전기적인 특성이 향상되는 것으로, 본 발명에 따른 도전성 페이스트는 비저항이 낮아서 전기전도도가 우수함을 확인한 결과이다.
상기 도선성 페이스트는 유리, 섬유, 종이, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리나프탈렌테레프탈레이트(PEN) 및 고분자 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 기재상에 롤투롤 그라비아 직접 인쇄 방식으로 사용되는 것을 특징으로 하며, 상기 도전성 페이스트는 점도가 500 내지 20000 cP인 것인 특징으로 한다.
구체적으로, 롤투롤 그라비아 직접 인쇄 방식에 적용 가능한 저온 소성용 도 전성 페이스트의 점도는 전도성 입자와 은 나노 젤, 전도성고분자, 탄소나노튜브, 그라핀, 그라파이트, 금속산화물을 포함하는 도전성 물질의 함량으로 조절하며, 상기 기재와 도전성 페이스트의 표면장력을 조절하기 위해 물 또는 알코올계열을 더 첨가하여, 분당 4 내지 100 m의 속도 인쇄회로기판을 인쇄하였다. 이때 경화 온도는 150℃ 이하이고 경화시간은 10 내지 60초 이내로 진행한다.
본 발명에 따른 저온 소성용 도전성 페이스트는 입자 표면적을 극대화함으로써 전기전도도를 향상시키고 저온 소성에서 높은 소결성을 얻을 수 있는 도전성 페이스트로, 고속인쇄가 가능한 그라비아 직접 인쇄방식에 적용 가능하여 인쇄회로기판의 높은 생산성 및 생산비의 절감에 크게 기여할 것이다.
하기의 구체적인 도전성 페이스트는 특정된 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
[ 제조예 1] 은 나노 젤의 제조
증류수 10 ㎖에 AgNO3 0.3 g을 녹여 은 이온 수용액을 제조하였다. 이 용액에 고분자 피롤리돈(수평균 분자량 5만) 0.02 g을 첨가하고 균일하게 분산되도록 호모제나이저로 교반하였다. 상기 분산된 용액에 10% 하이드라진 수용액 0.5 g을 천천히 첨가하고 추가적으로 3시간 교반하여 어두운 녹색을 띄는 용액을 제조하였다. 상기 제조된 용액에 아세톤 20 ㎖를 첨가하여 1분간 교반 후, 원심분리기를 이용하여 6000 rpm에서 30분간 분리하여 수득한 은 침전물에 0.1 g의 디에탄올 2,2-아조비스(Diethanol 2,2-azobis)를 첨가하여 은 나노젤 0.2 g을 제조하였다.
[ 제조예 2] 전도성 고분자의 제조
증류수 100 중량부에 대하여, 에틸렌디옥시티오펜(ethylenedioxythiophene) 5 중량부, 폴리(4-스티렌술포닉산)(poly(4-styrenesulfonicacid)) 7 중량부를 넣고 초음파로 분산시킨 후, 개시제(대정화금 사에서 제조한 암모늄퍼설페이트(Ammoniumpersulpate))를 넣어 24시간 반응하였다. 상기 반응 종료 후 증류수로 세척된 PEDOT 90 중량부에 디에틸렌글리콜(diethyleneglycol) 7 중량부, 증류수 3 중량부를 혼합하여 전도성 고분자를 제조하였다.
[ 제조예 3] 금속산화물의 제조
Zn 아세테이트(2.66 mol)와 Co 아세테이트(0.13 mol)를 반응기에 넣고 트리옥틸아민(25 ㎖)를 첨가 한 후 반응 온도를 310℃에서 30분 초임계에서 교반하고, 반응이 종료되면 반응기 벽면에 녹색으로 도포된 코발트가 도핑된 산화아연 나노선을 수득하였다. 상기 녹색 산화아연 나노선에 에탄올을 첨가하여 분산하고 원심분 리기 이용하여 용매와 최종 합성된 코발트가 도핑된 산화아연 나노입자를 분리하여 코발트가 도핑된 산화아연 나노입자를 수득하였다.
[ 제조예 4] 그라핀의 제조
진한 황산 원액(10 ㎖)에 탄소 나노 튜브(10 ㎎)를 첨가하여 12시간 교반하고 과망간산칼륨(KMnO4)을 500 중량% 비율로 첨가하여 70℃에서 1시간 교반 후, 과산화수소를 소량 첨가하여 폴리테트라플로로에틸렌(PTFE)을 분리한 후 에탄올과 에스터로 잔여 산을 제거하여 그라핀을 수득하였다.
[ 제조예 5] 탄소나노튜브의 제조
직경 50 내지 100 nm, 길이가 0.5 내지 500um인 다중벽으로 된 탄소나노튜브(CNT, 한화나노텍사의 제품)를 질산과 황산이 1:3으로 포함된 용액에 120 ℃에서 10시간 동안 넣어두었다. 그 다음, 상기 탄소나노튜브를 증류수로 세척한 후 에틸렌글라이콜 초음파 분산시켰다.
[ 실시예 1] 은 나노 젤이 포함된 도전성 페이스트
은 나노 젤이 포함된 도전성 페이스트는 실온에서 상기 제조예 1의 은 나노 젤(100 g)을 에틸렌글라이콜(20 g)에 1시간 동안 분산시켜 제조한 은 나노 젤 1 중량%, 에폭시 13 중량%, 은 입자 84 중량% 및 경화제 2 중량%를 첨가하여 실온에서 3시간 이상 교반하여 은 나노 젤이 포함된 도전성 페이스트를 제조하였다.
[ 실시예 2] 전도성 고분자가 포함된 도전성 페이스트
전도성 고분자가 포함된 도전성 페이스트는 상기 제조예 2의 전도성 고분자 3.0 중량%를 에틸렌글라이콜(100 g)에 초음파 분산기를 이용하여 5 내지 15℃에서 12시간 분산시킨 전도성 고분자 1 중량%, 에폭시 13 중량%, 은 입자 84 중량% 및 경화제 2 중량%로 이루어진 도전성 페이스트를 만든 후, 상기 실시예 1에서 제조한 은 나노 젤이 포함된 도전성페이스트를 1 : 1 비율로 교반하여 전도성 고분자가 포함된 도전성 페이스트를 제조하였다.
[ 실시예 3] 금속산화물이 포함된 도전성 페이스트
금속산화물이 포함된 도전성 페이스트는 상기 제조예 3의 금속산화물 1 중량%, 800℃에서 열처리한 은 입자 84 중량%, 에폭시 13 중량% 및 경화제 2 중량%로 이루어진 도전성 페이스트를 만든 후, 상기 실시예 1에서 제조된 은 나노 젤이 포함된 도전성 페이스트를 1 : 10 비율로 교반하여 금속산화물이 포함된 도전성 페이스트를 제조하였다.
[ 실시예 4] 그라핀이 포함된 도전성 페이스트
그라핀이 포함된 도전성 페이스트는 상기 제조예 4의 그라핀(5 g)을 물에 분산시켜 제조한 그라핀 1 중량%, 에폭시 13 중량%, 은 입자 84 중량% 및 경화제 2 중량%로 이루어진 도전성 페이스트를 만든 후, 상기 실시예 1에서 제조한 은 나노 젤이 포함된 도전성 페이스트와 0.5 : 1의 비율로 교반하여 그라핀이 포함된 도전성 페이스트를 제조하였다.
[ 실시예 5] 탄소나노튜브가 포함된 도전성 페이스트
탄소나노튜브가 포함된 도전성 페이스트는 상기 제조예 5의 탄소나노튜브를 에탄올에 분산시켜 제조한 탄소나노튜브 1 중량%, 평균 입자 지름이 3 내지 5μm 의 은 입자 84 중량%, 에폭시 13 중량% 및 경화제 2 중량%를 혼합하고 초음파 분쇄하여 도전성 페이스트를 만든 후, 상기 실시예 1에서 제조한 은 나노 젤이 포함된 도전성 페이스트와 0.5 : 1의 비율로 교반하여 탄소나노튜브가 포함된 도전성 페이스트를 제조하였다.
[ 시험예 1]
상기 실시예 1 내지 5의 도전성 페이스트를 물, IPA 등으로 점도 3000 cP 내지 10000 cP 정도로, 표면장력 33 내지 70 N/m로 조절하여 그라비아 직접인쇄방식으로 인쇄회로기판 제작 후 150℃에서 1분 경화하여, 도 8과 같이 3D 이미지에서 인쇄회로기판의 도선의 두께 및 선폭을 확인하고. ASTM D5701측정법에서 비저항 값을 유추하여 하기 표 1로 나타내었다. 시중에 판매 되는 은 페이스트의 비저항 값과 비교하였다.
Figure 112009062658842-PAT00001
그 결과, 상기 표 1에서도 확인할 수 있듯이 본 발명에 따른 저온 소성용 도전성 페이스트는 입자 표면적을 극대화함으로써 전기적 저항을 줄일 수 있어 전기전도도를 향상시키고 저온 소성에서 높은 소결성을 얻을 수 있는 것을 확인하였다.
도 1은 본 발명에 따른 실시예 1의 은 나노 젤이 포함된 도전성 페이스트를 SEM으로 관찰한 사진이고,
도 2는 본 발명에 따른 실시예 2의 전도성 고분자가 포함된 도전성 페이스트를 SEM으로 관찰한 사진이고,
도 3은 본 발명에 따른 실시예 3의 금속산화물이 포함된 도전성 페이스트를 SEM으로 관찰한 사진이고,
도 4는 본 발명에 따른 실시예 4의 그라핀이 포함된 도전성 페이스트를 SEM으로 관찰한 사진이고,
도 5는 본 발명에 따른 실시예 5의 탄소나노튜브가 포함된 도전성 페이스트를 SEM으로 관찰한 사진이고,
도 6은 도전성 페이스트를 롤투롤 그라비아 인쇄 방식에 이용한 인쇄회로기판의 예시를 보여주는 것이고,
도 7은 본 발명에 따른 도전성 페이스트를 롤투롤 그라비아 인쇄 방식에 이용한 인쇄회로기판이고,
도 8은 본 발명에 따른 도전성 페이스트를 롤투롤 그라비아 인쇄 방식으로 인쇄한 인쇄 회로 기판의 3D 이미지를 보여주는 것이다.

Claims (12)

  1. 전도성 입자; 은 나노 젤; 및 바인더 수지를 포함하는 저온 소성용 도전성 페이스트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 은 나노 젤은 은 이온 수용액, 고분자 바인더 및 환원제를 혼합하여 반응시켜 원심분리한 후, 디에탄올,2,2 아조비스(Diethannol,2,2 azobis)를 첨가하여 제조되는 4 cP 내지 500 cP 의 점도를 가지는 것인 저온 소성용 도전성 페이스트.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 원심분리 후, 고분자 바인더는 은 나노입자 대비 0.0001 내지 0.001 중량%로 남기고 제거하며, 상기 고분자 바인더는 폴리피롤리돈, 폴리우레탄 및 폴리아미드로부터 선택되는 1종 이상인 것인 저온 소성용 도전성 페이스트.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 전도성 입자 100 중량부에 대하여, 은 나노 젤 5 내지 100 중량부 및 바인더 수지 10 내지 100 중량부로 포함하는 것인 저온 소성용 도전성 페이스트.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 전도성 고분자, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그라핀, 그라파이트 또는 이들의 혼합물인 도전성 물질을 더 포함하는 것인 저온 소성용 도전성 페이스트.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 전도성 입자는 0.3 내지 20 um의 직경의 은, 구리, 주석, 인듐, 니켈, 알루미늄 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 도전성 페이스트.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리아닐린(PANI), 2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌(MEHPPV), 폴리페닐렌비닐렌(PPV), 폴리피롤, 폴리싸이오펜으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것이고, 상기 금속산화물은 알루미늄, 망간, 코발트, 팔라듐, 니켈, 붕소로부터 선택되는 1종 이상인 금속이 도핑된 산화아연(ZnO), 산화인듐(InO), 산화주석(SnO)인 도전성 페이스트.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소 나노 튜브, 이중벽 탄소 나노 튜브, 다중 벽 탄소 나노 튜브 및 다발형 탄소 나노 튜브로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 도전성 페이스트.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 셀롤로오스계, 폴리아크릴계 및 폴르에스테계로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 도전성 페이스트.
  10. 제 1항 내지 제 9항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 150℃ 이하의 온도에서 경화한 후, 비 저항성이 6×10-4 내지 2×10-6Ω·㎝ 인 도전성 페이스트.
  11. 제 10항에 있어서.
    상기 도전성 페이스트는 점도가 500 내지 20000 cP인 것인 도전성 페이스트.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 도선성 페이스트는 유리, 섬유, 종이, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 및 고분자 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 기재상에 롤투롤 그라비아 직접 인쇄 방식으로 사용되는 것인 도전성 페이스트.
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