KR20110012745A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20110012745A
KR20110012745A KR1020090070595A KR20090070595A KR20110012745A KR 20110012745 A KR20110012745 A KR 20110012745A KR 1020090070595 A KR1020090070595 A KR 1020090070595A KR 20090070595 A KR20090070595 A KR 20090070595A KR 20110012745 A KR20110012745 A KR 20110012745A
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김재용
배정용
노은수
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 개시한 것으로서, 기판 처리 공정이 진행되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 제공되며, 기판을 척킹하는 스핀 척; 상기 공정 챔버 내에 상기 기판과 마주보도록 제공되는 블레이드; 상기 공정 챔버의 외측 하부에 제공되며, 상기 스핀 척을 회전시키는 제1 회전 구동 유닛; 및 상기 공정 챔버의 외측 상부에 제공되며, 상기 블레이드를 회전시키는 제2 회전 구동 유닛을 포함한다.
스핀 척, 회전 축, 초임계, 하우징

Description

기판 처리 장치{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 초임계 유체를 이용하여 기판 처리 공정을 진행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 디자인 룰이 감소함에 따라, 종횡비가 큰 깊고 좁은 콘택 형성 공정 및 이에 수반되는 식각 또는 세정 공정이 요구되고 있다. 이와 같이 큰 종횡비를 가지는 구조물이 형성된 웨이퍼에 대하여, 소정의 처리 공정, 예를 들면 식각, 세정, 건조 등의 처리 공정을 진행하는 데 있어서, 통상의 습식 공정을 이용하는 경우에는 웨이퍼 표면의 다른 막질의 손상 및 물반점 등에 의한 불량이 빈번하게 발생된다. 또한, 비교적 큰 두께를 가지는 막, 예를 들면 커패시터의 스토리지 노드 형성시 희생용 막으로 사용되는 몰드 산화막을 제거하기 위한 식각 공정에서, 습식 식각 공정을 이용하는 경우에는 순수의 높은 표면 장력으로 인해 몰드 산화막이 제거된 후 스토리지 노드가 쓰러지는 현상이 발생되기도 한다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 노력의 일환으로서, 초임계 상태의 이산화탄소를 용매로 이용하여 웨이퍼상의 소정막을 식각, 세정 또는 건조시키는 방법들이 제안되었다.
본 발명은 세정 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 챔버 내의 약액 잔존을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 진행되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 제공되며, 기판을 척킹하는 스핀 척; 상기 공정 챔버 내에 상기 기판과 마주보도록 제공되는 블레이드; 상기 공정 챔버의 외측 하부에 제공되며, 상기 스핀 척을 회전시키는 제1 회전 구동 유닛; 및 상기 공정 챔버의 외측 상부에 제공되며, 상기 블레이드를 회전시키는 제2 회전 구동 유닛을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 블레이드는 상기 스핀척의 회전방향과는 역방향으로 회전된다.
본 발명에 의하면, 블레이드가 역회전하면서 기판 상부에 전단응력을 최대화시킴으로써 기판 처리 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 케미칼을 이용한 기판 처리후에 블레이드를 회전시켜 기판 상부에 존재할 수 있는 케미칼을 털어낼 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
기판의 세정 및 식각 공정은, 예를 들어, 약액 공정, 린스 공정, 그리고 건조 공정을 포함할 수 있다. 약액 공정에서 처리된 기판상의 약액은 탈이온수에 의해 린스 처리되고, 린스 공정에서 처리된 기판상의 탈이온수는 이소프로필알코올(IPA)에 의해 치환되며, 기판상의 잔류 이소프로필알코올(IPA)은 건조 공정에서 초임계 유체에 의해 건조될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 약액 공정, 린스 공정 그리고 초임계 유체를 이용한 건조 공정을 하나의 챔버 내에서 진행하는 장치에 사용된다. 이하에서는 이에 대해 상세히 설명한다. 이 경우, 기판 처리 장치로 반입되는 기판은 세정 및 식각 공정이 진행될 기판이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 처리 유체 공급 유닛(200), 블레이드(900), 스핀척(400), 배기 유닛(300), 그리고 제1,2회전 구동 유닛(500a,500b)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 하부가 개방된 통 형상의 상부 구조물(이하, 처리실이라 칭한다.120)과, 처리실(120)의 개방된 하부를 개폐하는 하부 구조물(이하, 하부 벽이라 칭한다.140)을 포함한다.
처리실(120)의 상부 벽(122)에는 블레이드(900)를 회전시키기 위한 제회전 구동 유닛(500b)의 회전축(510)이 관통해서 블레이드와 연결된다. 회전축(510)은 중공 형태로 기판과 가까운 위치에 분사노즐(800)이 설치되며, 이 분사노즐(800)에는 처리 유체 공급 유닛(200)이 연결된다.
하부 벽(140)은 판 형상을 가지며, 처리실(120)의 개방된 하부를 폐쇄한다. 하부 벽(140)의 상면(142) 가장자리에는 실링 부재(160)가 설치된다. 실링 부재(160)는, 하부 벽(140)이 처리실(120)의 개방된 하부를 폐쇄할 때, 처리실(120)과 하부벽(140) 사이의 틈새를 실링한다. 하부 벽(140)의 중앙 영역에는 스핀척(400)과 연결되는 제1회전 구동 유닛(500a)의 회전 축(510a)이 관통되어 설치된다.
하부 벽(140)의 하면(144)에는 하우징(520a)이 고정 설치되고, 하우징(520a)은 승강 유닛(600a)에 의해 상하 방향으로 이동한다. 공정 챔버(100)로의 기판 로딩과 공정 챔버(100)로부터의 기판 언로딩시, 하부 벽(140)은 승강 유닛(600a)에 의해 하강하고, 공정 진행을 위해 하부 벽(140)은 승강 유닛(600a)에 의해 승강한다.
공정 챔버(100) 내부에는 스핀 척(400)과 블레이드(900)가 서로 대향되게 위치된다. 스핀 척(400)과 블레이드(900)는 각각의 회전 구동 유닛(500a,500b)에 의해 서로 다른 방향으로 회전된다.
스핀 척(400)은 공정 챔버(100)의 내측에 블레이드(900)와 대향되게 제공되며, 기판을 척킹한다. 스핀 척(400)은 원판 형상의 지지판(420)을 가진다. 지지판(420)의 상면(422) 가장자리 영역에는 기판을 척킹하는 핀 부재들(440)이 설치되고, 지지판(420)의 하면(424) 중앙 영역에는 제1회전 구동 유닛(500a)의 회전 축(510)이 결합된다.
제1회전 구동 유닛(500a)과 제2회전구동유닛(500b)는 동일한 구성으로 이루어지며, 다만 제1회전 구동유닛(500a)은 스핀척(400)을 제1방향으로 회전시키기 위한 것이고, 제2회전 구동유닛(500b)은 블레이드(900)를 제2방향(제1방향과 역방향)으로 회전시키기 위한 것으로 회전시키고자 하는 대상이 다르고, 제2회전 구동 유닛(500b)의 회전축(510)은 중공 형태로 기판과 가까운 위치에 분사노즐(800)이 위치되고, 하우징(520)이 처리실(120)과 떨어져 있는 것이 다를뿐 동일한 구성으로 이루어지기 때문에 본 실시예에서는 제1회전 구동 유닛(500a)에 대해서만 설명하기로 하고 제2회전 구동 유닛(500b)에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2 및 도 3은 제1회전 구동 유닛의 회전축 확대도 및 하우징 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1회전 구동 유닛(500a)은 공정 챔버(100)의 외측 하부에 제공되며, 스핀 척(400)을 회전시킨다. 회전 구동 유닛(500a)은 회전 축(510)을 가진다. 회전 축(510)의 일단은 스핀 척(400)의 지지판(420) 하면(424)에 결합되고, 회전 축(510)의 타단은 공정 챔버(100)의 하부 벽(140)에 형성된 관통 홀을 관통하여 공정 챔버(100)의 외측 하부로 노출된다. 회전 축(510)의 표면은 초임계 유체 및 약액과 접촉하여도 견딜 수 있는 내부식성이 우수한 재질로 코팅될 수 있다. 회전 축(510)은 그 길이 방향이 수직 방향을 향하도록 제공된다. 회전 축(510)은 길이 방향을 따라 3 개의 영역으로 구분될 수 있으며, 이하에서는 편의상 상부 영역을 제 1 로드(511)로, 중앙 영역을 제 2 로드(512)로, 그리고 하부 영역을 제 3 로드(513)로 칭한다.
회전 축(510)의 제 2 로드(512)의 외주 면에는 종동 자성체(516)가 설치되며, 제 2 로드(512)의 둘레에는 회전 축(510)의 반경 방향으로 종동 자성체(516)와 마주보도록 구동 자성체(527)가 제공된다. 구동 자성체(527)는 구동 부재(530)에 의해 회전 축(510)을 중심으로 회전된다. 종동 자성체(516)의 자극들과 구동 자성체(527)의 자극들은 서로 간에 자기적 인력이 작용하도록 배치될 수 있다. 구동 부재(530)가 구동 자성체(527)를 회전시키면, 구동 자성체(527)와 종동 자성체(516) 간의 자기적 인력에 의해 종동 자성체(516)가 회전된다.
회전 축(510)과 구동 자성체(527)는 공정 챔버(100)의 하부 벽(140)에 인접하게 설치되는 하우징(520)에 수용될 수 있다. 하우징(520)의 몸체(521)는 공정 챔버(100)의 하부 벽(140)에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있으며, 길이 방향이 수직 방향을 향하도록 길게 연장될 수 있다. 하우징(520) 몸체(521)의 길이 방향을 따르는 중심에는 수직 홀(522)이 길게 형성되며, 하우징(520) 몸체(521)의 내측 중심부에는 수직 홀(522)에 연통되고 횡 방향을 향하는 자성체 수용 홈(525)이 형성된다. 회전 축(510) 중 공정 챔버(100)의 외부로 노출된 부분이 수직 홀(522)에 삽입되며, 회전 축(510)은 외주 면이 수직 홀(522)의 내주 면과 일정 간격을 유지한 상태로 삽입된다. 자성체 수용 홈(525)에는 구동 자성체(527)가 수용된다. 구동 자성체(527)의 상면 및 하면과 자성체 수용 홈(525)의 표면 사이에는 베어링 부재(528)가 각각 개재되며, 구동 자성체(527)는 베어링 부재(528)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 그리고 자성체 수용 홈(525)의 일측에는 하우징(520)의 외측과 통하도록 개구부(526)가 형성된다. 하우징(520)의 수직 홀(522), 자성체 수용 홈(525)의 표면은 초임계 상태의 유체와 접촉하여도 견딜 수 있는 내부식성 재질로 코팅될 수 있다.
구동 부재(530)는 회전력을 제공하는 모터(532)와, 모터(532)의 회전력을 구동 자성체(527)에 전달하는 벨트-풀리 어셈블리(534)를 포함한다. 벨트-풀리 어셈블리(534)는 모터(532)의 축에 결합된 풀리(534a), 그리고 풀리(534a)와 구동 자성체(527)에 감기는 벨트(534b)를 가진다. 벨트(534b)는 하우징(520)의 개구부(526)를 통해 자성체 수용 홈(525)으로 인입될 수 있다.
회전 축(510)과 하우징(520)에는 회전 축(510)의 길이 방향을 수직 방향으로 정렬하는 제 1 축 정렬 부재(540a)와 제 2 축 정렬 부재(540b)가 제공된다. 제 1 축 정렬 부재(540a)는 하부벽(140)에 형성된 관통 홀(146)의 내주 면에 제공되는 제 1 정렬용 고정 자성체(544a)와, 제 1 정렬용 고정 자성체(544a)와 마주보도록 회전 축(510)의 제 1 로드(511)의 외주 면에 제공되는 제 1 정렬용 가동 자성체(542a)를 포함한다. 그리고 제 2 축 정렬 부재(540b)는 하우징(510)의 수직 홀(522) 하단의 내주 면에 제공되는 제 2 정렬용 고정 자성체(544b)와, 제 2 정렬용 고정 자성체(544b)와 마주보도록 회전 축(510)의 제 3 로드(513)의 외주 면에 제공되는 제 2 정렬용 가동 자성체(544a)를 포함한다. 제 1 정렬용 고정 자성체(544a)와 제 1 정렬용 가동 자성체(542a) 사이, 그리고 제 2 정렬용 고정 자성체(544b)와 제 2 정렬용 가동 자성체(544a) 사이에는 자기적 인력이 작용할 수 있으며, 이와 반대로 자기적 반발력이 작용할 수도 있다. 이는 상호 작용하는 자성체들의 환형 구조로 인해, 자력이 반경 방향으로 작용하여, 자성체들 간에 자기적 인력이 작용하든, 자기적 반발력이 작용하든, 모두 동일한 효과를 낼 수 있기 때문이다.
그리고, 회전 축(510)과 하우징(520)에는 회전 축(510)을 지지하는 제 1 축 지지 부재(550a)와 제 2 축 지지 부재(550b)가 제공된다.
제 1 축 지지 부재(550a)는 제 1 플랜지(514), 제 1 지지용 가동 자성체(552a), 제 1 지지용 상부 고정 자성체(554a-1), 그리고 제 1 지지용 하부 고정 자성체(554a-2)를 포함한다. 제 1 플랜지(514)는 회전 축(510) 상의 종동 자성체(516)의 상부, 예를 들어 제 1 로드(511)와 제 2 로드(512)의 경계 지점에 결합될 수 있다. 제 1 지지용 가동 자성체(552a)는 제 1 플랜지(514)의 가장자리 영역에 제공된다. 제 1 플랜지(514)는 하우징(510)의 수직 홀(522)에 연통하는 제 1 수평 홀(523)에 수용되며, 제 1 플랜지(514)는 표면이 제 1 수평 홀(523)의 내면과 일정 간격을 유지한 상태로 수용될 수 있다. 제 1 수평 홀(523)은 자성체 수용 홈(525)의 상부에 수평하게 형성될 수 있다. 그리고, 제 1 플랜지(514)의 표면과 제 1 수평 홀(523)의 표면은 초임계 상태의 유체와 접촉하여도 견딜 수 있는 내부식성 재지로 코팅될 수 있다.
제 1 지지용 하부 고정 자성체(554a-2)는 제 1 플랜지(514)의 제 1 지지용 가동 자성체(552a)와의 사이에 자기적 반발력이 작용하도록 제 1 수평 홀(523)의 하부에 마주보게 제공될 수 있다. 제 1 지지용 가동 자성체(552a)와 제 1 지지용 하부 고정 자성체(554a-2) 사이의 자기적 반발력이 제 1 플랜지(514)를 위쪽 방향으로 밀어주어, 제 1 플랜지(514)가 결합된 회전 축(510)을 지지한다. 제 1 지지용 상부 고정 자성체(554a-1)는 제 1 지지용 가동 자성체(552a)와의 사이에 자기적 반발력이 작용하도록 제 1 수평 홀(523)의 상부에 마주보게 제공될 수 있다. 제 1 지지용 가동 자성체(552a)와 제 1 지지용 상부 고정 자성체(554a-1) 사이의 자기적 반발력이 제 1 플랜지(514)를 아래쪽 방향으로 밀어주어, 제 1 지지용 가동 자성체(552a)와 제 1 지지용 하부 고정 자성체(554a-2) 사이에 작용하는 자기적 반발력에 의해 제 1 플랜지(514)가 과도하게 요동하는 것을 방지할 수 있다.
제 2 축 지지 부재(550b)는 제 2 플랜지(515), 제 2 지지용 가동 자성체(552b), 제 2 지지용 상부 고정 자성체(554b-1), 그리고 제 2 지지용 하부 고정 자성체(554b-2)를 포함한다. 제 2 플랜지(515)는 회전 축(510) 상의 종동 자성체(516)의 하부, 예를 들어 제 2 로드(512)와 제 3 로드(513)의 경계 지점에 결합될 수 있다. 제 2 지지용 가동 자성체(552b)는 제 2 플랜지(515)의 가장자리 영역 에 제공된다. 제 2 플랜지(515)는 하우징(510)의 수직 홀(522)에 연통하는 제 2 수평 홀(524)에 수용되며, 제 2 플랜지(515)는 표면이 제 2 수평 홀(524)의 내면과 일정 간격을 유지한 상태로 수용될 수 있다. 제 2 수평 홀(524)은 자성체 수용 홈(525)의 하부에 수평하게 형성될 수 있다. 그리고, 제 2 플랜지(515)의 표면과 제 2 수평 홀(524)의 표면은 초임계 상태의 유체와 접촉하여도 견딜 수 있는 내부식성 재지로 코팅될 수 있다.
제 2 지지용 하부 고정 자성체(554b-2)는 제 2 플랜지(515)의 제 2 지지용 가동 자성체(552b)와의 사이에 자기적 반발력이 작용하도록 제 2 수평 홀(524)의 하부에 마주보게 제공될 수 있다. 제 2 지지용 가동 자성체(552b)와 제 2 지지용 하부 고정 자성체(554b-2) 사이의 자기적 반발력이 제 2 플랜지(515)를 위쪽 방향으로 밀어주어, 제 2 플랜지(515)가 결합된 회전 축(510)을 지지한다.
제 2 지지용 상부 고정 자성체(554b-1)는 제 2 지지용 가동 자성체(552b)와의 사이에 자기적 반발력이 작용하도록 제 2 수평 홀(524)의 상부에 마주보게 제공될 수 있다. 제 2 지지용 가동 자성체(552b)와 제 2 지지용 상부 고정 자성체(554b-1) 사이의 자기적 반발력이 제 2 플랜지(515)를 아래쪽 방향으로 밀어주어, 제 2 지지용 가동 자성체(552b)와 제 2 지지용 하부 고정 자성체(554b-2) 사이에 작용하는 자기적 반발력에 의해 제 2 플랜지(515)가 과도하게 요동하는 것을 방지할 수 있다.
승강 유닛(600a)은 하우징(520)을 지지하는 베이스(620)와, 베이스(620)를 상하 방향으로 이동시키는 직선 구동 부재(640)를 포함한다. 직선 구동 부재(640) 가 베이스(620)를 상하 방향으로 이동시킴에 따라 하우징(520)이 상하 방향으로 이동하고, 이에 연동하여 공정 챔버(100)의 하부 벽(140)과 스핀 척(400)이 상하 이동된다. 승강 유닛(600)은 공정 챔버(100)로의 기판 로딩과 공정 챔버(100)로부터의 기판 언로딩시, 하우징(520)을 하강시켜 스핀 척(400)을 처리실(120)의 외측 하부에 위치시킬 수 있다. 그리고 승강 유닛(600)은 공정 진행을 위해 하우징(520)을 승강시켜 스핀 척(400)을 처리실(120)의 내측에 위치시킬 수 있다.
한편, 제2회전 구동 유닛(500b)의 승강 유닛(600b)은 하우징(520)을 승강시켜 블레이드(900)와 기판 사이의 간격을 조정할 수 있다.
도 4는 처리 유체 공급 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 처리 유체 공급 유닛(200)은 제 1 공급 라인(210)을 통해 공정 챔버(100)로 액상의 처리 유체를 공급하고, 제 2 공급 라인(240)을 공정 챔버(100)로 초임계 상태의 건조 유체를 공급한다.
제 1 공급 라인(210)의 일단은 분사노즐(800)에 연결되고, 제 1 공급 라인(210)의 타단은 복수 개의 분기 라인들(212, 214, 216, 218)로 분기된다. 제 1 분기 라인(212)에는 액상의 약액 공급원(222)이 연결되고, 제 1 분기 라인(212)상에는 약액의 흐름을 개폐하는 밸브(213)가 설치된다. 제 2 분기 라인(214)에는 액상의 탈이온수(DIW) 공급원(224)이 연결되고, 제 2 분기 라인(214)상에는 탈이온수의 흐름을 개폐하는 밸브(215)가 설치된다. 제 3 분기 라인(216)에는 액상의 이소프로필알코올(IPA) 공급원(226)이 연결되고, 제 3 분기 라인(216)상에는 이소프로필알코올의 흐름을 개폐하는 밸브(217)가 설치된다. 제 4 분기 라인(218)에는 액상 의 이산화탄소(CO2(l)) 공급원(228)이 연결되고, 제 4 분기 라인(218)상에는 액상 이산화탄소의 흐름을 개폐하는 밸브(219)가 설치된다.
제 1 공급 라인(210)상에는 히터(232)와 펌프(234)가 설치될 수 있다. 히터(232)는 공정 챔버(100)로 공급되는 액상의 처리 유체를 공정 온도로 가열할 수 있고, 펌프(234)는 공정챔버(100)로 공급되는 액상의 처리 유체를 가압하여 공정 챔버(100) 내부를 공정 압력으로 유지시킬 수 있다.
약액 공급원(222)으로부터 공급되는 약액은 다양한 종류의 약액이 사용될 수 있다. 예를 들면, 약액으로는 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합물인 에스.피.엠(SPM, Sulphuric Peroxide Mixture), 또는 기판상의 산화막을 에칭하기 위한 불화수소(HF) 등이 사용될 수 있다.
에스.피.엠(SPM)은 이온 주입 공정 후의 감광액 표면의 경화층을 제거하기 위한 것으로, 경화층의 효율적인 제거를 위해서 에스.피.엠은 상온/대기압 상태의 끊는점(180℃)보다 높은 온도인 200℃ 이상의 고온으로 가열되어야 한다. 그런데, 상온/대기압 상태에서는 에스.피.엠이 공정 온도(200℃)에 도달하기 전에 증발되므로, 상온/대기압 상태에서는 에스.피.엠의 공정 온도를 높이는데에 한계가 있다. 그러나, 본 발명의 경우, 에스.피.엠이 펌프(234)에 의해 상압 이상의 압력으로 가압된 상태로 공정 챔버(100)에 공급되므로, 에스.피.엠을 상온/대기압 상태의 끊는점(180℃)보다 높은 온도인 200℃ 이상의 고온으로 가열할 수 있다.
제 2 공급 라인(240)의 일단은 공정 챔버(100)의 분사노즐(800)에 연결되고, 제 2 공급 라인(240)의 타단은 혼합기(250)에 연결된다. 혼합기(250)는 액상의 이산화탄소, 계면활성제, 그리고 공용매를 공급받고, 이들을 소정의 공정 온도/압력하에서 혼합하여 초임계 상태의 이산화탄소(scCO2)를 생성한다. 혼합기(250)에서 생성된 초임계 이산화탄소는 제 2 공급 라인(240)을 통해 분사노즐로 공급된다. 제 2 공급 라인(240)상에는 히터(242), 펌프(244) 그리고 밸브(246)가 설치될 수 있다.
액상의 이산화탄소는 제 4 분기 라인(218)으로부터 분기된 액상 이산화탄소 공급 라인(218a)을 통해 혼합기(250)로 공급되고, 계면활성제는 계면활성제 공급 라인(261-1)을 통해 계면활성제 공급원(262)으로부터 공급되며, 공용매는 공용매 공급 라인(263-1)을 통해 공용매 공급원(264)으로부터 공급된다. 액상 이산화탄소 공급 라인(218a)에는 밸브(218a-2)가 설치되고, 계면활성제 공급 라인(261-1)에는 밸브(261-2)가 설치되며, 그리고 공용매 공급 라인(263-1)에는 밸브(263-2)가 설치될 수 있다.
도 5는 도 1의 공정 챔버 구조를 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 블레이드(900)은 기판(W)과 마주보도록 상부에 위치되며 플레이트 형상으로 이루어진다. 블레이드(900)는 제2회전 구동 유닛(500b)에 의해 스핀척의 회전방향과는 역방향으로 회전된다. 블레이드(900)는 분사노즐(800)을 통해 처리 유체가 분사되는 과정에서 기판과는 역방향으로 회전됨으로써 기판 상부에 전단응력을 최대화시켜 처리 유체에 의한 기판 처리 효율을 높일 수 있다. 한편, 블레이드(900)는 약액 공정을 마치고 린스 공정하기 전 그리고 린스 공정을 마치고 건조 공정을 하기 전, 그리고 건조 공정을 마친 후에 기판 회전과는 무관하게 회전하여 블레이드에 묻어 있는 처리유체를 털어내는 것이 바람직하다. 따라서, 기판 상부에 위치하는 블레이드는 처리 유체가 바뀔때 마다 블레이드 표면에 묻어 있는 처리 유체를 털어냄으로써 후속 공정에서 발생될 수 있는 문제를 사전에 예방할 수 있다.
한편, 공정 챔버(100)에는 처리유체를 배출하기 위한 배출 라인(300)이 연결된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 3은 제1회전 구동 유닛의 회전축 확대도 및 하우징 확대도이다.
도 4는 처리 유체 공급 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1의 공정 챔버 구조를 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 공정 챔버 200: 처리유체 공급 유닛
400: 스핀 척 500a: 제1회전 구동 유닛
500b: 제2회전 구동 유닛 900 : 블레이드

Claims (2)

  1. 기판 처리 장치에 있어서:
    기판 처리 공정이 진행되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 제공되며, 기판을 척킹하는 스핀 척;
    상기 공정 챔버 내에 상기 기판과 마주보도록 제공되는 블레이드;
    상기 공정 챔버의 외측 하부에 제공되며, 상기 스핀 척을 회전시키는 제1 회전 구동 유닛; 및
    상기 공정 챔버의 외측 상부에 제공되며, 상기 블레이드를 회전시키는 제2 회전 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 블레이드는 상기 스핀척의 회전방향과는 역방향으로 회전되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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