KR100846119B1 - 플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치,그리고 상기 장치의 기판 처리 방법 - Google Patents

플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치,그리고 상기 장치의 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 공급유닛은 플라즈마를 발생시키기 위한 로드 형상의 전극들의 내부에 통로를 형성시키고, 그 통로에 냉각유체가 흐르도록 하여 전극들이 냉각되도록 한다.
반도체, 플라즈마, 애싱, 전극, 냉각,

Description

플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치의 기판 처리 방법{PLASMA GENERATING UNIT AND APPARATUS WITH THE SAME, AND SUBSTRATE TREATING METHOD OF THE APPARATUS}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 공급유닛의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
10 : 기판 처리 장치
100 : 지지유닛
110 : 척 플레이트
120 : 구동부재
200 : 플라즈마 공급유닛
210 : 하우징
220 : 전극부재
230 : 분배부재
240 : 처리유체 공급부재
300 : 승강유닛
310 : 연결부재
320 : 승강기
본 발명은 플라즈마를 발생시켜 이를 기판으로 공급하는 유닛 및 상기 유닛을 구비하여 기판을 처리하는 장치, 그리고 상기 장치의 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 플라즈마 처리 장치는 공정시 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼를 처리하는 장치이다. 일반적으로 반도체 제조 공정 중 식각 공정 및 박리 공정에서는 플라즈마를 사용하여 기판을 식각 및 박리하는 건식 식각 및 박리 장치가 널리 사용된다.
이러한 플라즈마 처리 장치는 전극들 및 상기 전극들로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부재를 포함한다. 공정시 전극들은 기판과 대향되도록 위치되며, 전극들 중 적어도 어느 하나에 전력을 인가한다. 전극들이 인가되면, 공급된 소스가스가 전력이 인가된 전극들에 의해 이온화되어 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라 즈마는 웨이퍼의 처리면으로 공급되어, 웨이퍼 표면의 불필요한 이물질을 제거한다.
그러나, 이러한 플라즈마 처리 장치는 전극들에 전력이 인가되므로 공정시 전력들은 고온으로 발열된다. 따라서, 기판 처리 장치는 공정시 전극들은 효과적으로 냉각시켜야 한다. 그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 단순히 전극들의 외부에서 냉각수가 흐르도록 냉각수 라인을 제공하여 전극들을 냉각하므로, 전극들의 냉각 효율이 낮아 고온의 전극들을 효과적으로 냉각하기 힘들었다. 특히, 로드 형상의 전극들을 사용하여 플라즈마를 발생시키는 경우에는 각각의 로드 형상의 전극들을 냉각하여야 하므로, 구조적으로 각각의 전극들을 효과적으로 냉각하기 어려웠다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 공정시 전극을 효과적으로 냉각시켜 공정 효율을 향상시키는 플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치의 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 로드 형상의 전극들을 사용하여 플라즈마를 공급하는 장치에 있어서, 로드 형상의 전극들을 효과적으로 냉각시키는 플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치의 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 공급유닛은 로드 형 상을 가지는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 나란히 배치되며 로드 형상을 가지는 제2 전극을 가지는 전극부재, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부재, 그리고 상기 전극부재를 냉각하는 냉각부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각부재는 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 내부에 형성되는 통로로 냉각유체를 공급하도록 상기 통로와 연결되는 냉각유체 공급라인을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 전극은 접지되며 상기 통로는 상기 제2 전극에 형성된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 회전시키는 구동유닛, 그리고 공정시 플라즈마를 발생시켜 상기 지지부재에 의해 지지된 기판의 처리면으로 상기 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급유닛을 포함하되, 상기 플라즈마 공급유닛은 상기 척 플레이트의 상부에 배치되며, 내부에 플라즈마를 생성하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징에 설치되고 로드 형상을 가지며 동일한 높이에서 복수개가 평행하게 배치되는 제1 전극들 및 상기 제1 전극들 사이에 제공되며 로드 형상을 가지는 제2 전극들을 가지는 전극부재, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 각각의 외부를 감싸는 절연부재, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 사이 공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부재, 그리고 상기 전극부재를 냉각하는 냉각부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각부재는 상기 제1 전극들 또는 상기 제2 전극들 중 어느 하나의 내부에 형성되는 통로로 냉각유체를 공급하도록 상기 통로와 연결되는 냉각유체 공급라인을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 전극들은 접지되며 상기 통로는 상기 제2 전극들에 형성된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정시 기판을 지지하는 척 플레이트, 상기 척 플레이트의 상부에서 동일한 높이에서 복수개가 평행하게 배치되는 로드 형상의 제1 전극들, 상기 제1 전극들 사이에 배치되는 제2 전극들, 그리고 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 사이 공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부재를 구비하여 기판을 처리하되, 기판을 처리하는 동안 상기 제1 전극들 또는 상기 제2 전극들은 냉각된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 전극들 또는 상기 제2 전극들의 냉각은 상기 제1 전극들 또는 상기 제2 전극들 중 적어도 어느 하나의 내부에 통로를 형성하고, 상기 통로에 냉각유체가 흐르도록 하여 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 전극들 또는 상기 제2 전극들의 냉각은 상기 제2 전극들을 접지시키고, 상기 제2 전극들 내부에 형성된 통로에 냉각유체를 흐르게 하여 이루어진다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 반도체 기판을 습식으로 세정하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 공급유닛의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 지지유닛(support unit)(100), 플라즈마 공급유닛(plasma supply member)(200), 그리고 승강유닛(lift unit)(300)을 포함한다.
지지유닛(100)은 공정시 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(100)은 척 플레이트(chuck plate)(110) 및 구동부재(driving member)(120)를 포함한다. 척 플레이트(110)는 공정시 기판(W)의 처리면(패턴이 형성된 면)이 상부를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 척 플레이트(110)는 지지체(support body)(112) 및 척킹핀들(chucking pins)(114), 그리고 회전축(rotating shaft)(116)을 포함한다. 지지체(112)는 기판(W)이 안착되는 상부면을 가지며, 척킹핀들(114)은 상부면의 가장자리 영역을 따라 환형으로 배치된다. 각각의 척킹핀들(114)은 지지체(112)에 안착된 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)하여 기판(W)을 지지체(112) 상에 고정한다. 그리고, 회전축(116)은 지지체(112)의 하부 중앙에 설치된다. 회전축(116)은 구동부재(120)에 의해 회전된다. 공정시 회전축(116)의 회전에 의해 지지유닛(110)에 안착된 기판(W)은 기설정된 공정속도로 회전된다.
구동부재(120)는 지지유닛(100)을 구동시킨다. 구동부재(120)는 구동모터(driving motor)(122) 및 벨트(belt)(126)를 포함한다. 구동모터(122)는 지지유닛(100)의 회전축(116)을 회전시키기 위한 회전력을 제공한다. 벨트(126)는 회전축(116)과 구동모터(112)의 회전축을 외부에서 감싸도록 제공된다. 벨트(126)는 구동모터(122)의 회전력을 회전축(116)으로 전달한다.
플라즈마 공급유닛(200)는 공정시 플라즈마를 발생시켜 지지유닛(110)에 의해 지지된 기판(W)의 처리면으로 플라즈마를 공급한다. 플라즈마 공급유닛(200)의 구성들에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
승강유닛(300)은 공정시 플라즈마 공급유닛(200)를 상하로 승강시킨다. 승강유닛(300)은 연결부재(connect member)(310) 및 승강기(lift part)(320)를 포함한다. 연결부재(310)의 일단은 플라즈마 공급유닛(200)과 결합되고, 연결부재(310)의 타단은 승강기(320)와 결합된다. 승강기(320)는 연결부재(310)를 상하로 승강 및 하강시켜 플라즈마 공급유닛(200)의 높이를 조절한다. 예컨대, 승강기(320)는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시에는 플라즈마 공급유닛(200)을 상승시키고, 공정시에는 플라즈마 공급유닛(200)의 하부면이 기판(W)의 처리면과 인접하도록 플라즈마 공급유닛(200)을 하강시킨다.
계속해서, 본 발명에 따른 플라즈마 공급유닛(200)의 구성들에 대해 상세히 설명한다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 공급유닛(200)은 하우징(housing)(210), 전극부재(electrode member)(220), 분배부재(distribution member)(230), 그리고 처리유체 공급부재(treating fluid supply member)(240)를 포함한다.
하우징(210)은 내부에 플라즈마를 발생시키는 공간을 제공한다. 하우징(210)은 대체로 원통형상을 가지며, 공정시 기판(W)의 처리면과 대향되는 하부면(212)을 가진다.
전극부재(220)는 하우징(210)의 내부에 설치된다. 전극부재(220)는 제1 전극들(first electrodes)(222) 및 제2 전극들(second electrodes)(224)을 포함한다. 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224)은 로드(rod) 형상을 가진다. 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224)은 동일한 높이에서 평행하게 배치된다. 또한, 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224)은 서로 교대로 배치된다. 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224)의 외부면은 절연체(222a, 224a)에 의해 피복된다. 절연체(222a, 224a)는 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224)을 절연시켜 공정시 방전 현상 및 아킹(arching) 현상 등을 방지한다.
제1 전극들(222)은 공정시 전력을 인가받는다. 제1 전극들(222) 각각은 전력인가라인(202)과 연결되며, 공정시 제1 전극들(222) 각각은 전력인가라인(202)으로부터 전력을 인가받는다. 제2 전극들(224)은 접지(ground)된다. 제2 전극들(224) 각각의 내부에는 통로(224')가 형성된다. 통로(224')는 제2 전극들(224)의 내부에서 냉각유체가 흐르도록 제공되는 통로이다.
본 실시예에서는 전력이 인가되는 제1 전극들(222)에는 냉각유체가 흐르지 않도록 하고, 전력이 인가되지 않는 제2 전극들(224)은 접지되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224)의 구조는 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224) 모두에 통로를 형성시켜 냉각유체가 흐르도록 제공될 수 있다. 또한, 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224) 모두에 전력을 인가시킬 수 있다. 그러나, 전력이 인가되는 전극들의 내부에 냉각유체가 흐르도록 하면, 전극들에 인가되는 전력과 냉각유체가 서로 영향을 받아 전극부재(220)에 전기적인 문제가 발생될 수 있다. 따라서, 전력이 인가되는 전극들에는 냉각유체가 흐르지 않도록 하는 것이 바람직할 것이다.
분배부재(230)는 공정시 소스가스 공급부재(242)로부터 소스가스를 공급받아 공급받은 소스가스를 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224) 사이 공간(a)으로 공급한다. 예컨대, 분배부재(230)는 샤워헤드(shower head)와 같은 구조를 가진다. 즉, 분배부재(230)는 몸통(body)(232) 및 다공판(Perforated plate)(234)을 포함한다. 몸통(232)은 대체로 원통형상을 가진다. 몸통(232)은 상부에 소스가스 공급부재(242)와 연결된다.
다공판(234)은 몸통(232)으로 공급된 소스가스를 제1 전극들(222)과 제2 전극들(224) 사이 공간(a)으로 공급한다. 다공판(234)은 몸통(232)의 하부에 설치된다. 다공판(234)에는 복수의 분사홀들(234a)이 형성된다. 분사홀들(234a)은 공정시 소스가스를 분사시킨다. 이때, 분사홀들(234a)은 제1 전극들(222)과 제2 전극들(224) 사이 공간(a)으로 소스가스가 통과되도록 다공판(234)에 형상지어진다.
처리유체 공급부재(240)는 소스가스 공급부재(source gas supply member)(242) 및 냉각유체 공급부재(cooling fluid supply member)(244)를 포함한다. 소스가스 공급부재(242)는 공정시 분배부재(230)로 소스가스(source gas)를 공급한다. 소스가스 공급부재(242)는 소스가스 공급원(242a) 및 소스가스 공급라인(242b)을 가진다. 소스가스 공급원(242a)은 소스가스를 수용하고, 소스가스 공급라인(242b)은 소스가스 공급원(242a)으로부터 분배부재(230)의 몸통(232)으로 소스가스를 공급한다.
냉각유체 공급부재(244)는 공정시 전극부재(220)의 제2 전극들(224)에 형성된 통로(224')로 냉각유체를 공급한다. 냉각유체 공급부재(244)는 냉각유체 공급원(244a) 및 냉각유체 공급라인(244b), 그리고 냉각유체 회수라인(244c)을 포함한다. 냉각유체 공급원(244a)은 냉각유체를 수용한다. 냉각유체로는 냉각수가 사용된다. 예컨대, 냉각유체로는 일정 온도로 유지되는 초순수가 사용될 수 있다. 그러나, 선택적으로 냉각유체로는 냉각가스가 사용될 수 있다. 냉각유체 공급라인(244b)은 냉각유체 공급원(244a)으로부터 통로(224')로 냉각유체를 공급하고, 냉각유체 회수라인(244c)은 통로(224')로부터 냉각유체 공급원(244a)으로 냉각유체를 회수한다. 본 실시예에서는 냉각유체 회수라인(244c)이 냉각유체를 냉각유체 공급원(244a)으로 회수하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 냉각유체 회수라인(244c)은 냉각유체 공급원(244a)으로 냉각유체를 회수하지 않고, 통로(224')로부터 기판 처리 장치(10) 외부로 냉각유체를 배수(drain)시킬 수 있다.
이하, 상술한 기판 처리 장치(10)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이고. 도 5는 도 4에 도시된 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.
기판 처리 공정이 개시되면, 기판(W)은 로봇암(robot arm)과 같은 기판 이송 장치(미도시됨)에 의해 이송되어 지지유닛(110)에 로딩(loading)된다. 지지유닛(100)의 척 플레이트(110)에 기판(W)이 안착되면, 척킹핀들(114)은 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹하여 기판(W)을 지지체(112)에 고정시킨다. 그리고, 승강유닛(300)의 승강기(320)는 연결부재(310)를 하강시켜 플라즈마 생성유닛(200)이 기설정된 높이에 위치하도록 한다.
플라즈마 생성유닛(200)이 기설정된 높이에 위치되면, 플라즈마 생성유닛(200)은 기판(W)의 처리면으로 플라즈마를 공급한다. 즉, 도 4를 참조하면, 구동부재(120)는 회전축(116)을 회전시켜 기판(W)을 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 그리고, 소스가스 공급라인(242b)은 소스가스 공급원(242a)으로부터 분배부재(230)로 소스가스(S)를 공급한다. 분배부재(230)로 공급된 소스가스(S)는 다공판(234)에 형성된 분사홀들(234a)을 통해 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224) 사이 공간(a)을 향해 분사된다. 이때, 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224) 사이 공간(a)을 통과하는 소스가스(S)는 제1 전극들(222) 및 제2 전극들(224)에 의해 이온화됨으로써 플라즈마화 되어 기판(W)으로 분사된다. 분사된 플라즈마(P)는 기판(W) 표면의 불필요한 이물질을 제거한다. 예컨대, 상기 이물질은 기판(W) 표면에 잔류하는 감광액일 수 있다. 분사된 플라즈마(P)에 의해 기판(W) 표면에 불필요한 감광액이 박리(ashing)되면, 구동부재(120)는 척 플레이트(110)의 회전을 중지하고, 소스가스 공급부재(242)는 소스가스의 공급을 중단한다. 그리고, 승강기(320)는 연결부재(310)를 상승시켜 플라즈마 공급유닛(200)을 상승시키고, 기판 이송 장치는 지지유닛(100)에 놓여진 기판(W)을 후속 공정이 수행되는 설비로 이송한다.
상술한 공정을 수행하는 과정에서 전극부재(220)는 기설정된 온도로 냉각된다. 즉, 도 5를 참조하면, 냉각유체 공급라인(244b)은 냉각유체 공급원(244a)으로부터 제2 전극들(224)의 통로(224')로 냉각유체(C)를 공급한다. 통로(224')로 공급된 냉각유체(C)는 통로(224')를 따라 이동하면서 제2 전극들(224)을 직접 냉각한다. 이때, 제2 전극들(224)의 냉각에 의해 제2 전극들(224) 사이에서 제2 전극들(224)과 인접하게 배치되는 제1 전극들(222) 또한 냉각된다. 통로(224')를 따라 이동된 냉각유체(C)는 냉각유체 회수라인(244c)을 통해 다시 냉각유체 공급원(244a)으로 회수된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 공정시 플라즈마를 발생시키기 위한 전극부재(220)를 효과적으로 냉각한다. 즉, 본 발명에 따른 플라즈마 공급유닛(200)은 공정시 전력이 인가되지 않는 제2 전극들(224)의 내부에 냉각유체가 흐르는 통로(224')를 제공하고, 공정시 통로(224')의 내부에 냉각유체가 흐르도록 하여 냉각유체에 의해 제2 전극들(224)이 냉각되도록 한다. 따라서, 본 발명은 냉각유체가 제2 전극들(224)의 내부를 따라 이동하면서 제2 전극들(224)을 직접 냉각함으로써 제2 전극들(224)의 냉각 효율이 향상된다. 이때, 제2 전극들(224)의 냉각에 의해 제2 전극들(224)에 사이에 인접하게 배치되는 제1 전극들(222) 또한 냉각유체에 의해 냉각되는 제2 전극들(224)에 의해 냉각된다.
또한, 상술한 플라즈마 공급유닛(200)은 전력이 인가되지 않는 제2 전극들(224)에만 냉각유체를 공급하여 전극부재(220)를 냉각하므로, 제2 전극들(224)에 인가되는 전력과 냉각유체가 서로 영향을 받아 플라즈마 공급유닛(200)이 방전되는 현상을 방지할 수 있어 안정적으로 전극부재(220)의 냉각을 수행한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치의 기판 처리 방법은 공정시 전극들의 내부에 직접 냉각유체가 흐르도록 하여 전극들을 효과적으로 냉각시킨다. 특히, 본 발명은 로드 형상을 가지는 전극들의 내부에 냉각유체가 흐르도록 하여 각각의 전극들을 효과적으로 냉각시킨다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치의 기판 처리 방법은 전력이 인가되지 않는 전극들의 내부에만 냉각유체가 흐르도록 하여 안정적으로 전극들의 냉각을 수행한다.

Claims (9)

  1. 플라즈마 공급유닛에 있어서,
    로드 형상을 가지는 복수 개의 제1 전극 및 상기 제1 전극들 사이에 상기 제1 전극과 나란히 배치되며 로드 형상을 가지는 복수 개의 제2 전극을 가지는 전극부재와,
    소스가스 공급원으로부터 소스가스를 공급받아서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 공간으로 소스가스를 공급하는 분배부재, 그리고
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 내부로 냉각유체를 공급하여 상기 전극부재를 냉각하는 냉각부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공급유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각부재는,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 내부에 냉각유체가 흐르도록 형성되는 통로와, 상기 통로로 냉각 유체를 공급하는 냉각유체 공급라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공급유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 전원이 인가되고, 상기 제2 전극은 접지되며,
    상기 냉각부재는 상기 제2 전극에 형성된 상기 통로로 냉각유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공급유닛.
  4. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 척 플레이트와,
    상기 척 플레이트를 회전시키는 구동유닛, 그리고
    공정시 플라즈마를 발생시켜 상기 지지부재에 의해 지지된 기판의 처리면으로 상기 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급유닛을 포함하되,
    상기 플라즈마 공급유닛은,
    상기 척 플레이트의 상부에 배치되며, 내부에 플라즈마를 생성하는 공간을 제공하는 하우징과,
    상기 하우징에 설치되고 로드 형상을 가지며 동일한 높이에서 복수개가 평행하게 배치되는 제1 전극들 및 상기 제1 전극들 사이에 제공되며 로드 형상을 가지는 제2 전극들을 가지는 전극부재와,
    상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 각각의 외부를 감싸는 절연부재와,
    상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 사이 공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부재, 그리고
    상기 전극부재를 냉각하는 냉각부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 냉각부재는,
    상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 중 적어도 어느 하나의 내부에 형성되는 통로로 냉각유체를 공급하도록 상기 통로와 연결되는 냉각유체 공급라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 전극들은 전원이 인가되고, 상기 제2 전극들은 접지되며,
    상기 통로는 상기 제2 전극들에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 공정시 기판을 지지하는 척 플레이트, 상기 척 플레이트의 상부에서 동일한 높이에서 복수개가 평행하게 배치되는 로드 형상의 제1 전극들, 상기 제1 전극들 사이에 배치되는 제2 전극들, 그리고 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 사이 공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부재를 구비하여 기판을 처리하되,
    기판을 처리하는 동안 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 중 적어도 어느 하나의 내부로 냉각 유체를 공급하여 상기 제1 및 상기 제2 전극들을 냉각시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 전극들을 냉각시키는 것은,
    상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 중 적어도 어느 하나의 내부에 통로를 형성하고, 냉각유체 공급원으로부터 상기 통로로 냉각유체를 공급하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 전극들을 냉각시키는 것은,
    상기 제1 전극들을 전원을 인가하고, 상기 제2 전극들을 접지시키고, 상기 제2 전극들 내부에 형성된 통로에 냉각유체를 흐르게 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519611B1 (ko) * 2014-03-10 2015-05-12 주식회사 디에스티시스템 인쇄회로기판 플라즈마 처리장치
KR20170046476A (ko) * 2015-10-21 2017-05-02 세메스 주식회사 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040079561A (ko) * 2003-03-07 2004-09-16 위순임 다중 배열된 평판 전극 어셈블리 및 이를 이용한 진공프로세스 챔버

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040079561A (ko) * 2003-03-07 2004-09-16 위순임 다중 배열된 평판 전극 어셈블리 및 이를 이용한 진공프로세스 챔버

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519611B1 (ko) * 2014-03-10 2015-05-12 주식회사 디에스티시스템 인쇄회로기판 플라즈마 처리장치
KR20170046476A (ko) * 2015-10-21 2017-05-02 세메스 주식회사 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101970981B1 (ko) * 2015-10-21 2019-04-22 세메스 주식회사 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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