KR20110011523A - 펠리클 - Google Patents

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KR20110011523A
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토루 시라사키
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 펠리클을 노광 원판에 부착하여도 펠리클 프레임의 변형에 기인하는 노광 원판의 변형을 최대한 저감할 수 있는 리소그래피용 펠리클을 제공하는 것.
(해결 수단) 펠리클 프레임의 일단면에 펠리클막이 장설되고, 타단면에 점착층이 형성되며, 상기 점착층의 기포 함유율이 10∼90용량%인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클, 바람직하게는 상기 점착층에 함유되는 기포의 수평균 직경이 10∼200㎛이다.

Description

펠리클{PELLICLE}
본 발명은 LSI, 초LSI 등의 반도체 장치 또는 액정 표시판을 제조할 때의 리소그래피용 마스크의 먼지 막이로서 사용되는 리소그래피용의 펠리클에 관한 것이다.
LSI, 초LSI 등의 반도체 제조 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판에 광을 조사해서 패턴을 제작하지만, 이 경우에 사용하는 노광 원판에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지가 광을 흡수하거나 광을 굴절시켜 버리기 때문에 전사한 패턴이 변형되거나 엣지가 매끄럽지 못한 것으로 되는 것 이외에 하지(下地)가 검게 오염되거나 해서 치수, 품질, 외관 등이 손상된다고 하는 문제가 있었다. 또, 본 발명에 있어서 「노광 원판」이란 리소그래피용 마스크(단지 「마스크」라고도 함) 및 레티클의 총칭이다. 이하, 마스크를 예로 해서 설명한다.
이들 작업은 통상 클린룸에서 행해지고 있지만 이 클린룸 내에서도 노광 원판을 항상 청정하게 유지하는 것이 어려우므로 노광 원판의 표면에 먼지 막이를 위한 노광용의 광을 잘 통과시키는 펠리클을 부착하는 방법이 채택되고 있다.
펠리클의 기본적인 구성은 펠리클 프레임 및 이것에 장설(張設)한 펠리클막으로 이루어진다. 펠리클막은 노광에 사용하는 광(g선, i선, 248㎚, 193㎚ 등)을 잘 투과시키는 니트로셀룰로오스, 아세트산 셀룰로오스, 불소계 폴리머 등으로 이루어진다. 펠리클 프레임의 상변부에 펠리클막의 양용매를 도포하고 펠리클막을 풍건하여 접착하거나, 아크릴 수지, 에폭시 수지나 불소 수지 등의 접착제로 접착한다. 또한, 펠리클 프레임의 하변부에는 노광 원판을 장착하기 위해서 폴리부텐 수지, 폴리아세트산 비닐 수지, 아크릴 수지 또는 실리콘 수지 등으로 이루어지는 점착층, 및 점착층의 보호를 목적으로 한 레티클 점착제 보호용 라이너를 설치한다.
펠리클은 노광 원판의 표면에 형성된 패턴 영역을 둘러싸도록 설치된다. 펠리클은 노광 원판 상에 먼지가 부착되는 것을 방지하기 위해서 설치되는 것이기 때문에, 이 패턴 영역과 펠리클 외부는 펠리클 외부의 진애가 패턴면에 부착되지 않도록 격리되어 있다.
최근, LSI의 디자인 룰은 서브 쿼터 미크론으로 미세화가 진행되고 있고, 그것에 따라, 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있는, 즉, 지금까지 주류이었던 수은램프에 의한 g선(436㎚), i선(365㎚)으로부터 KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚) 등으로 이행하고 있다. 미세화가 진행되면 마스크 및 실리콘 웨이퍼에 요구되는 평탄성도 점점 더 엄격해지고 있다.
펠리클은 마스크가 완성된 후에 패턴의 먼지 막이를 위해서 마스크에 부착된다. 펠리클을 마스크에 부착하면 마스크의 평탄도가 변화될 경우가 있다. 마스크의 평탄도가 나빠지면, 상기에서 서술한 바와 같이, 초점 어긋남 등의 문제가 발생할 가능성이 있다. 또한, 평탄도가 변화되면 마스크 상에 그려진 패턴의 형상이 변화되고, 마스크의 겹침 정밀도에 문제가 생긴다고 하는 지장도 초래한다.
펠리클 부착에 의한 마스크 평탄도의 변화의 요인은 몇가지 있지만, 가장 큰 요인은 펠리클 프레임의 평탄도인 것이 알려져 왔다.
펠리클은 펠리클 프레임의 한 쪽에 있는 마스크 점착제를 통해서 마스크에 부착되지만, 펠리클을 마스크에 부착하는 경우에는 통상 펠리클을 20∼30㎏정도의 힘으로 마스크에 압착한다. 일반적으로 마스크의 평탄성은 TIR값으로 수㎛ 이하, 최선단의 마스크에서는 1㎛ 이하이지만, 펠리클 프레임의 평탄성은 일반적으로 수10㎛정도로, 마스크의 그것과 비교해서 크다. 그 때문에 펠리클이 마스크에 부착되면 프레임의 요철에 의해 마스크의 평탄도가 변화되는 경우가 있다. 여기에서 펠리클 프레임의 평탄도를 마스크의 평탄도와 같은 수준으로 높게 하면 마스크의 평탄성 변화를 감소시키는 것이 가능하게 된다고 생각된다.
펠리클 프레임은 일반적으로 알루미늄 합금으로 만들어져 있다. 반도체 리소그래피용의 펠리클 프레임에서는 폭이 150㎜정도, 길이가 110∼130㎜정도이며, 일반적으로 단면이 직사각형의 형상을 갖는 펠리클 프레임 바에 의해 구성되어 있다. 일반적으로는 알루미늄 합금의 판으로부터 펠리클 프레임 형상으로 잘라내거나, 프레임 형상에 알루미늄재를 압출하여 성형함으로써 프레임을 제작하고 있지만, 폭이 2㎜정도로 가늘기 때문에 변형되기 쉽고, 평탄한 프레임을 만드는 것은 용이하지는 않다. 그 때문에 펠리클 프레임에 있어서 마스크와 같은 수준의 평탄도를 달성하는 것은 매우 곤란하다.
이 펠리클 프레임의 변형에 기인하는 마스크의 변형을 방지하기 위해서, 특허문헌 1은 펠리클을 마스크에 부착하기 위한 마스크 점착제의 두께가 0.4㎜ 이상인 펠리클, 또한 마스크 점착제의 23℃에 있어서의 탄성률이 0.5㎫ 이하인 펠리클을 개시하고 있다.
일본 특허 공개 2008-65258호 공보
최근, 마스크에 요구되는 평탄성도, 패턴면에서 평탄도 2㎛의 요구로부터 서서히 엄격해지고 있고, 65㎚ 노드 이후에서는 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.25㎛라고 하는 요구가 나오고 있다.
일반적으로, 펠리클 프레임의 평탄도는 20∼80㎛정도이지만, 마스크와 비교해서 평탄도가 떨어지는 펠리클 프레임을 사용한 펠리클을 마스크에 부착하면 프레임의 형상이 마스크에 전사되어 마스크의 변형을 발생시켜 버린다. 펠리클은 부착시에 약 200∼400N(20∼40kg 중량)의 큰 힘으로 마스크에 압박된다. 마스크 표면의 평탄도는 펠리클 프레임에 비해서 평탄이 좋기 때문에 펠리클의 마스크로의 압박이 종료되면 펠리클 프레임은 원래의 형상으로 되돌아가려고 하기 때문에 펠리클 프레임이 마스크를 변형시켜 버린다.
마스크가 변형되었을 경우에 마스크의 평탄도가 나빠질 경우가 있고, 그 경우 노광 장치 내에서 디포커싱의 문제가 발생한다. 한편, 마스크가 변형되어 평탄도가 좋아질 경우도 있지만 이 경우에도 마스크 표면에 형성된 패턴이 변형되고, 그 결과 노광했을 때에 웨이퍼에 전사된 패턴 상(像)이 변형되어 버린다고 하는 문제가 발생한다. 이 패턴의 변형은 평탄도가 나빠질 경우도 발생하므로 결국 펠리클을 부착함으로써 마스크가 변형되는 경우에는 반드시 패턴 상이 변형되어 버린다고 하는 문제가 발생한다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 펠리클을 노광 원판에 부착하여도 펠리클 프레임의 변형에 기인하는 노광 원판의 변형을 최대한 저감할 수 있는 리소그래피용 펠리클을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 과제는, 이하의 수단(1)에 의해 해결되었다. 바람직한 실시형태 (2)∼(7)과 함께 열기한다.
(1) 펠리클 프레임의 일단면에 펠리클막이 장설되고, 타단면에 점착층이 형성되며, 상기 점착층의 기포 함유율은 10∼90용량%인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
(2) (1)에 있어서, 상기 점착층에 함유되는 기포의 수평균 직경은 10∼200㎛인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
(3) (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 점착층의 두께는 0.3㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
(4) (1)∼(3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 점착층의 23℃에 있어서의 탄성률은 0.6㎫ 이하인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
(5) (1)∼(4) 중 어느 하나에 있어서, 상기 점착층은 실리콘 점착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
(6) (1)∼(4) 중 어느 하나에 있어서, 상기 점착층은 아크릴 점착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
(7) (1)∼(6) 중 어느 하나에 있어서, 상기 점착층에 잔류하는 용매를 가열 발포하여 형성된 기포를 함유하는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 펠리클 점착층의 겉보기 탄성을 낮춤으로써 펠리클을 마스크 등에 부착하였을 경우의 마스크 등의 변형을 저감할 수 있다. 이 때문에 펠리클 프레임의 변형에 기인하는 노광 원판의 변형을 최대한 저감할 수 있다. 특히 같은 재료의 점착제를 이용하여도 겉보기 탄성을 저하시킬 수 있다. 이 때문에 마스크 상에 그려진 패턴을 보다 충실하게 재현할 수 있고, 마스크의 겹침 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명에 사용하는 리소그래피용 펠리클의 기본적 구성을 나타내는 개념도이다.
본 발명에 사용하는 펠리클의 기본적 구성을, 우선 도 1을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 발명에 사용하는 리소그래피용 펠리클의 기본적 구성을 나타내는 개념도이다
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 펠리클(10)은 펠리클 프레임(3)의 상단면에 펠리클막 부착용 접착층(2)을 통해서 펠리클막(1)을 장설한 것으로, 이 경우, 펠리클(10)을 노광 원판(마스크 기판 또는 레티클)(5)에 점착시키기 위한 발포 점착층(4)이 펠리클 프레임(3)의 하단면에 형성되고, 상기 발포 점착층(4)의 하단면에 라이너(도시하지 않음)를 박리 가능하게 부착하여 이루어지는 것이다. 또한, 펠리클 프레임(3)에 기압 조정용 구멍(통기구)(6)이 설치되어 있고, 또한 파티클 제거의 목적으로 제진용 필터(7)가 설치되어 있어도 좋다.
이들 펠리클 구성 부재의 크기는 통상의 펠리클, 예를 들면 반도체 리소그래피용 펠리클, 대형 액정 표시판 제조 리소그래피 공정용 펠리클 등과 같고, 또한 그 재질도 공지의 재질을 사용할 수 있다.
펠리클막의 종류에 대해서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 종래 엑시머 레이저용으로 사용되고 있는 비정질 불소 폴리머 등이 사용된다. 비정질 불소 폴리머의 예로서는, 사이톱(아사히 가라스(주)제 상품명), 테플론(등록상표)AF(듀퐁사제 상품명) 등을 들 수 있다. 이들 폴리머는 그 펠리클막 제작시에 필요에 따라서 용매에 용해해서 사용해도 좋고, 예를 들면 불소계 용매 등으로 적당하게 용해할 수 있다.
펠리클 프레임의 모재에 관해서는, 종래 사용되고 있는 알루미늄 합금재, 바람직하게는 JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052재 등이 사용되지만, 알루미늄 합금재를 사용하는 경우에는 펠리클 프레임으로서의 강도가 확보되는 한 특별히 제한은 없다. 펠리클 프레임 표면은 폴리머 피막을 설치하기 전에 샌드블라스트나 화학연마에 의해 조면화하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서 이 프레임 표면의 조면화의 방법은 종래 공지의 방법을 채용할 수 있다. 알루미늄 합금재에 대하여 스테인레스, 카보런덤, 글래스 비드 등에 의해 표면을 블라스트 처리하고, 또한 NaOH 등에 의해 화학연마를 행해서 표면을 조면화하는 방법이 바람직하다.
발포 점착층(4)에 사용하는 접착제는 각종 접착제를 적당하게 선택할 수 있고, 아크릴 접착제나 SEBS(폴리(스티렌-에틸렌-부타디엔-스티렌))계 접착제 및 실리콘계 접착제를 바람직하게 사용할 수 있으며, 아크릴 접착제 또는 실리콘계 접착제를 보다 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 리소그래피용 펠리클은 노광 원판과의 점착층(본 발명에 있어서 단지 「점착층」이라고도 함)의 기포 함유율이 10∼90용량%인 것을 특징으로 한다.
기포 함유율은 10∼80용량%인 것이 바람직하고, 10∼50용량%인 것이 보다 바람직하다.
기포 함유율이 10용량% 미만에서는 탄성률의 저하 효과가 적어지고, 또한 90용량%를 초과하면 기계적 강도가 낮아지는 경향이 있다. 50용량% 이하로 함으로써 점착층 중에서 기포를 연속하지 않는 독립된 상태로 내포시켜 충분한 강도를 얻을 수 있으므로 특히 바람직하다.
본 발명의 리소그래피용 펠리클에 있어서, 상기 점착층에 함유되는 기포의 크기는 수평균 직경이 10∼200㎛인 것이 바람직하고, 10∼120㎛인 것이 보다 바람직하며, 50∼120㎛인 것이 특히 바람직하다.
상기 수치 범위이면 점착층의 점착 효과를 유지하고, 또한 점착층의 탄성률을 저하시킬 수 있다.
기포의 크기는 발포시킨 점착층 단면을 광학 현미경 관찰에 의해 측정할 수 있고, 평균치는 30개의 기포의 수평균값으로 한다.
마스크 점착제에 기포를 함유시키는 방법에는, 특별하게 한정되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있지만, 용매 휘발법, 가압법 및 발포제법이 포함된다.
용매 휘발법은 용매를 함유하는 점착제를 프레임에 도포한 후, 용매가 남은 상태에서 프레임/점착제를 급가열하는 방법이다. 이 경우, 용매의 잔류율, 가열시의 승온율 등으로 기포의 사이즈를 제어할 수 있다.
용매 휘발법의 경우, 휘발시키는 용매의 비점의 바람직한 범위는 상압에서 30∼200℃인 것이 바람직하고, 50∼150℃인 것이 보다 바람직하다. 비교적 비점이 낮은 용매를 급가열해서 기포로 하는 것이 실용적이다.
급가열의 구체적 방법은 특별하게 한정되지 않지만, 펠리클 프레임의 유도가열, 고열원으로의 점착제의 접촉, 플래시 광원에 의한 광열 변환이 포함된다. 예를 들면, 카본블랙 등의 착색제를 함유하고, 잔류 용제가 있는 점착층을 크세논 광원에 의해 플래시 노광함으로써 점착층을 급가열하여 발포시킬 수 있다.
이 점착층의 가온 온도는 점착제의 종류, 용매의 종류에 따라 변화되지만, 예를 들면 40∼150℃인 것이 바람직하고, 50∼120℃인 것이 보다 바람직하며, 60∼120℃인 것이 특히 바람직하다.
발포시에 압력을 대기압으로부터 변동시켜도 좋다. 이 경우, 가열시에 가압하는 것보다 감압하는 편이 바람직하다. 감압할 경우에는 가열과 동기해서 단시간 감압으로 하는 것이 바람직하다.
가압법은 미리 점착제를 가압 상태로 해서 내부에 기체를 용해시키고, 펠리클 프레임으로의 점착제의 도포시에 상압으로 되돌리는 방법이다. 점착제 내부에 녹아든 기체가 상압으로 되돌아올 때에 기포를 발생시킨다. 가압하는 압력, 기체종 등의 선택 조정에 의해 발포하는 기포의 사이즈를 제어할 수 있다. 기체종으로서는 공기, 질소 가스, 이산화탄소 등을 사용할 수 있다. 이 방법은 특히 점착제로부터 기포가 빠지기 어려운 경우에 유효하다.
발포제법은 점착제 생성 성분 또는 첨가제의 반응에 의해 가스가 발생하는 계를 사용하는 방법이다. 이 경우에는 용매가 잔류하지 않는 상태에서도 기포를 발생시킬 수 있다. 이 경우도 발포제의 종류와 양 및 가열할 때의 승온율 등으로 기포의 사이즈 제어를 할 수 있다.
사용할 수 있는 발포제에는 탄산수소나트륨, 디아조아미노벤젠, 아조디카르본아미드, 디니트로소펜타메틸렌테트라민 등이 포함된다.
본 발명의 리소그래피용 펠리클에 있어서 발포한 점착층의 23℃에 있어서의 겉보기 탄성률이 0.6㎫ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 겉보기 탄성률의 정의와 그 측정 방법은 이하와 같다.
「겉보기 탄성률」이란 기포를 함유한 상태의 점착제의 탄성률을 말한다. 일반적으로 기포를 함유한 점착제의 탄성률은 기포를 함유하지 않는 점착제의 탄성률보다 낮아진다.
그 측정 방법은 점착제를 시트 형상으로 하고, 인장 시험기에 의해 시트를 양측으로부터 잡아당기고, 그 때의 변위와 응력, 시트의 단면적으로부터 겉보기 탄성률을 구할 수 있다.
대부분의 경우, 발포되어 있지 않은 점착제를 발포시킴으로써 겉보기 탄성률을 무발포 점착제의 탄성률의 1/2∼1/5로 저하시킬 수 있다.
예를 들면, 실리콘 점착제는 약 1㎫의 탄성률을 갖고 있지만, 발포시킴으로써 그 겉보기 탄성률을 0.6㎫ 이하, 바람직하게는 0.1∼0.3㎫로 저하시킬 수 있다.
상기 점착층의 두께는 0.3㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.3∼0.8㎜인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼0.5㎜인 것이 특히 바람직하다. 점착층의 두께를 약간 크게 함으로써 평탄성이 나쁜 펠리클을 부착하여도 노광 원판의 좋은 평탄성을 열화시키는 것을 방지할 수 있다.
(실시예)
이하에 실시예에 의해 구체적으로 본 발명을 예시해서 설명한다. 또한, 실시예 및 비교예에 있어서의 「마스크」는 「노광 원판」의 예로서 기재한 것이며, 레티클에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
(실시예 1) -용매 휘발법 (1)-
알루미늄 합금제의 펠리클 프레임(외형 사이즈 149㎜×113㎜×4.5㎜, 두께 2㎜이며, 점착제측의 평탄성이 30㎛)을 순수로 세정 후, 그 끝면에 신에쓰 가가꾸 고교(주)제의 실리콘 점착제(상품명:X-40-3122A)를 도포하고, 직후에 전자 유도 가열에 의해 펠리클 프레임의 가열을 행하였다. 실온으로부터 80℃까지 1분간의 승온 속도로 가열하고, 그 후 80℃에서 5분간 가열 상태를 유지하여 점착층에 잔류하는 혼합 용매(헵탄 및 톨루엔)를 점착제 내부에서 휘발시켰다. 이 처리에 의해 점착제의 기포 함유율은 30용량%가 되고, 기포의 수평균 직경은 70㎛가 되었다. 또한 발포 경화 후의 점착제의 겉보기 탄성률은 0.4㎫이며, 그 두께는 0.3㎜이었다.
펠리클 프레임의 점착면과는 반대면에 아사히가라스(주)제 사이톱 접착제(상품명:CTX-A)를 도포했다. 그 후에 130℃로 펠리클 프레임의 가열을 행하여 접착제를 경화시켰다.
그 후, 상기 펠리클 프레임보다 큰 알루미늄 프레임에 취한 펠리클막에 상기 펠리클 프레임의 접착제측을 부착하고, 펠리클 프레임보다 외측의 부분을 제거하여 펠리클(1)을 완성시켰다.
이 펠리클(1)을 평탄성이 0.25㎛인 마스크에 부착한 결과 마스크의 평탄성이 0.37㎛로 변화되었다. 펠리클 부착 후의 마스크의 평탄성의 변화량은 0.12㎛로 작고, 부착 전의 평탄성인 0.25㎛ 이하에 포함되어 있어 양호한 결과로 되었다. 이 결과를 표 1 및 표 2에 정리해서 나타냈다.
(실시예 2) -용매 휘발법 (1)-
실시예 1에서 사용한 조건을 표 1에 나타낸 바와 같이 변경하는 이외는, 실시예 1과 완전히 마찬가지로 해서 펠리클을 제작하고, 마스크 부착 전후의 평탄성을 평가했다. 얻어진 결과를 표 1 및 표 2에 함께 나타냈다.
(실시예 3) -용매 휘발법 (2)-
알루미늄 합금제의 펠리클 프레임(외형 사이즈 149㎜×113㎜×4.5㎜, 두께 2㎜이며, 점착제측의 평탄성이 30㎛)을 순수로 세정 후, 그 끝면에 신에쓰 가가꾸(주)제의 실리콘 점착제(상품명:X-40-3122A)를 도포하고, 직후에 80℃로 가열한 알루미늄판 위에 깔은 두께 75㎛의 세퍼레이터에 점착층을 접촉시켜, 그대로 2시간 접촉을 유지했다. 이 처리에 의해, 점착제의 기포 함유율은 10용량%가 되고, 기포의 수평균 직경은 120㎛가 되었다. 또한 경화된 후의 점착제의 겉보기 탄성률은 0.6㎫이며, 그 두께는 0.3㎜이었다.
펠리클 프레임의 점착면과는 반대면에 아사히가라스(주)제 사이톱 접착제(상품명:CTX-A)를 도포했다. 그 후, 130℃에서 펠리클 프레임의 가열을 행하고 접착제를 경화시켰다.
그 후, 상기 펠리클 프레임보다 큰 알루미늄 프레임에 취한 펠리클막에 상기 펠리클 프레임의 접착제측을 부착하고, 상기 펠리클 프레임보다 외측의 부분을 제거해 펠리클(1)을 완성시켰다.
이 펠리클(1)을 평탄성이 0.25㎛인 마스크에 부착한 결과 마스크의 평탄성이 0.45㎛로 변화되었다. 펠리클 부착 후의 마스크의 평탄성의 변화량은 0.20㎛로 작고, 양호한 결과가 되었다. 이 결과를 표 1 및 표 2에 정리해서 나타냈다.
(실시예 4) -용매 휘발법 (2)-
실시예 3에서 사용한 조건을 표 1에 나타낸 바와 같이 변경하는 이외는, 실시예 3과 완전히 마찬가지로 해서 펠리클을 제작하고, 마스크 부착 전후의 평탄성을 평가했다. 얻어진 결과를 표 1 및 표 2에 함께 나타냈다.
(실시예 5) -가압법-
알루미늄 합금제의 펠리클 프레임(외형 사이즈 149㎜×113㎜×4.5㎜, 두께 2㎜이며, 점착제측의 평탄성이 30㎛)을 순수로 세정 후, 그 끝면에 니폰 고세이 카가쿠(주)제의 아크릴 점착제(상품명:코포닐 5672)를 도포했다. 또한 점착제는 미리 시린지 중에 조합하고, 가압 공기를 송입하여 500㎪로 30분간 가압한 뒤 압력을 유지하면서 프레임 상에 도포했다. 또한 도포시에 점착제는 상압까지 감압되기 때문에 점착제 중에 녹아든 공기가 미세한 기포로 되었다. 점착면과는 반대면에 아사히가라스(주)제 사이톱 접착제(상품명:CTX-A)를 도포하고, 그 후 130℃에서 상기 펠리클 프레임의 가열을 행하여 점착제, 및 접착제를 경화시켰다.
점착제의 기포 함유율은 30용량%이며, 기포의 수평균 직경은 10㎛로 되었다. 또한 경화 후의 점착제의 겉보기 탄성률은 0.25㎫이며, 그 두께는 0.4㎜이었다.
그 후, 상기 펠리클 프레임보다 큰 알루미늄 프레임에 취한 펠리클막에 상기 펠리클 프레임의 접착제측을 부착하고, 상기 펠리클 프레임보다 외측의 부분을 제거해 펠리클(1)을 완성시켰다.
이 펠리클(1)을 평탄성이 0.25㎛인 마스크에 부착한 결과 마스크의 평탄성이 0.30㎛로 변화되었다. 펠리클 부착 후의 마스크의 평탄성의 변화량은 0.05㎛에 머물러 있고, 매우 양호한 결과가 되었다. 이 결과를 표 1 및 표 2에 정리했다.
(실시예 6) -가압법-
실시예 5에서 사용한 조건을 표 1에 나타낸 바와 같이 변경하는 이외는, 실시예 5과 완전히 마찬가지로 해서 펠리클을 제작하고, 마스크 부착 전후의 평탄성을 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 함께 나타냈다.
(실시예 7) -발포제법-
알루미늄 합금제의 펠리클 프레임(외형 사이즈 149㎜×113㎜×4.5㎜, 두께가 2㎜이며, 점착제측의 평탄성이 30㎛)을 순수로 세정 후, 그 끝면에 산쿄카세(주)제의 발포제(상품명:셀마이크)를 혼합한 신에쓰 가가꾸 고교(주)제의 실리콘 점착제(상품명:X-40-3122A)를 도포했다. 도포 후 3시간 실온에서 방치한 후, 천천히 130℃로 가열해서 용매를 증발시켰다. 그 후 프레임을 180℃로 가열하고, 발포제를 분해시켜 점착제 중에 기포를 발생시켰다.
점착면과는 반대면에 아사히가라스(주)제 사이톱 접착제(상품명:CTX-A)를 도포하고, 그 후 130℃에서 상기 펠리클 프레임의 가열을 행하여 접착제를 경화시켰다.
점착제의 기포 함유율은 50용량%이며, 기포의 수평균 직경은 200㎛가 되었다. 또한 경화 후의 점착제의 겉보기 탄성률은 0.18㎫이며, 그 두께는 0.5㎜이었다.
그 후, 상기 펠리클 프레임보다 큰 알루미늄 프레임에 취한 펠리클막에 상기 펠리클 프레임의 접착제측을 부착하고, 상기 펠리클 프레임보다 외측의 부분을 제거해 펠리클(1)을 완성시켰다.
이 펠리클(1)을 평탄성이 0.25㎛인 마스크에 부착한 결과 마스크의 평탄성이 0.29㎛로 변화되었다. 펠리클 부착 후의 마스크의 평탄성의 변화량은 0.04㎛에 머물러 있고, 매우 양호한 결과가 되었다. 이 결과를 표 1 및 표 2에 정리했다.
또한, 표 2에 있어서 비교예의 실리콘 점착제의 탄성률은 점착제 실리콘 자체의 탄성률을 나타낸다.
실시예
 점착제
 발포 방법
 기포 함유율 평균 기포 사이즈 조건
(%) (㎛)
1 실리콘 휘발1 30 70 80℃ 1분 승온+80℃ 5분간
2 실리콘 휘발1 90 100 120℃ 30초 승온+ 120℃ 10분간
3 실리콘 휘발2 10 120 80℃ 플레이트 접촉
4 실리콘 휘발2 30 100 100℃ 플레이트 접촉
5 아크릴 가압 30 10 500㎪ 가압
6 아크릴 가압 50 50 800㎪ 가압
7 실리콘+발포제 발포제 50 200 발포제 180℃ 가열
비교 실리콘 - 0 -
실시예
 두께 겉보기
탄성률		 마스크 평탄도(㎛)
(㎜) (㎫) 전 후 변화
1 0.3 0.4 0.25 0.37 0.12
2 0.3 0.1 0.25 0.27 0.02
3 0.3 0.6 0.25 0.45 0.20
4 0.5 0.4 0.25 0.32 0.07
5 0.4 0.25 0.25 0.30 0.05
6 0.4 0.15 0.25 0.28 0.03
7 0.5 0.18 0.25 0.29 0.04
비교 0.3 1.0 0.25 0.55 0.30
1 : 펠리클막 2 : 접착층
3 : 펠리클 프레임 4 : 발포 점착층
5 : 노광 원판 6 : 기압 조정용 구멍(통기구)
7 : 제진용 필터 10 : 펠리클

Claims (7)

  1. 펠리클 프레임의 일단면에 펠리클막이 장설되고, 타단면에 점착층이 형성되며, 상기 점착층의 기포 함유율은 10∼90용량%인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착층에 함유되는 기포의 수평균 직경은 10∼200㎛인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 점착층의 두께는 0.3㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착층의 23℃에 있어서의 탄성률은 0.6㎫ 이하인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착층은 실리콘 점착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착층은 아크릴 점착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착층에 잔류하는 용매를 가열 발포하여 형성된 기포를 함유하는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.





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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120121343A (ko) * 2011-04-26 2012-11-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5767505B2 (ja) * 2011-04-28 2015-08-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 大型ペリクル用枠体及び大型ペリクル
US8813135B2 (en) * 2011-11-21 2014-08-19 Maxlinear, Inc. Method and system for providing a home cable network
JP5749680B2 (ja) * 2012-04-26 2015-07-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
CN103676459B (zh) * 2012-09-13 2016-08-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光罩装置
US9880462B2 (en) 2014-11-28 2018-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Pellicle and exposure mask including the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04212958A (ja) * 1990-12-07 1992-08-04 Nikon Corp ペリクルフレーム装着方法
JP3209073B2 (ja) * 1996-01-30 2001-09-17 信越化学工業株式会社 ペリクル
EP1700164B1 (en) * 2003-12-23 2010-08-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Irradiation method
KR20060116152A (ko) * 2005-05-09 2006-11-14 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 오염이 적은 펠리클
JP2008065258A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
TWI454839B (zh) * 2007-03-01 2014-10-01 尼康股份有限公司 A film frame apparatus, a mask, an exposure method, and an exposure apparatus, and a method of manufacturing the element
US7829248B2 (en) * 2007-07-24 2010-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle stress relief

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120121343A (ko) * 2011-04-26 2012-11-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클

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