KR20110010399A - 반도체 장치 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 HAST시 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명의 반도체 장치 제조방법은, 복수의 금속퓨즈 및 상기 금속퓨즈를 일부 노출시키는 퓨즈박스를 포함하는 퓨즈부를 형성하는 단계; 리페어 공정을 실시하여 리페어 해야할 상기 금속퓨즈를 컷팅하는 단계; 및 상기 퓨즈박스로 인해 노출된 상기 금속퓨즈의 모든 표면을 덮도록 보호막을 형성하는 단계를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 퓨즈박스로 인해 노출된 금속퓨즈의 모든 표면을 덮는 보호막을 형성함으로써, HAST시 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
금속염, 염기성이온, 리페어, HAST
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조 기술에 관한 것으로, 특히 금속퓨즈를 구비하는 반도체 장치에서 HAST(High Acceleratin Stress Test)시 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조방법에 관한 것이다.
반도체 메모리 장치에서 수많은 셀 중 어느 한 개라도 결함(fail)이 있으면 메모리로서 기능을 수행하지 못하므로 불량품으로 처리된다. 그러나, 반도체 메모리 장치 내의 일부 셀에만 결함이 발생하였는데도 불구하고 반도체 메모리 장치 전체를 불량품으로 폐기하는 것을 수율(yield) 측면에서 매우 비효율적인 처리방법이다. 따라서, 현재는 반도체 메모리 장치 내에 미리 마련해둔 리던던시 셀(redundancy cell)을 이용하여 불량 셀을 대체하는 리페어 공정을 통해 전체 반도체 메모리 장치를 되살려 주는 방식으로 수율 향상을 도모하고 있다. 불량 셀을 리던던시 셀로 대체하기 위하여 반도체 메모리 장치는 퓨즈 및 퓨즈를 노출시키는 퓨박스로 이루어진 퓨즈부(fuse part)를 구비하고 있으며, 불량 셀에 연결된 퓨즈 에 레이져를 조사하여 퓨즈를 컷팅(cutting)하는 퓨즈 블로잉(fuse blowing)방식을 사용하여 리페어 공정을 수행한다.
도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 반도체 장치의 퓨즈부를 도시한 도면으로, 도 1a는 평면도, 도 1b는 도 1a에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'절취선을 따라 도시한 단면도이다. 그리고, 도 2a 및 도 2b는 종래기술에 따른 반도체 장치의 문제점을 나타낸 도면으로, 도 2a는 도 1a에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'절취선을 따라 도시한 단면도이고, 도 2b는 평면 이미지이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하여 종래기술에 따른 반도체 장치의 퓨즈부를 살펴보면, 소정의 구조물이 구비된 기판(11) 상에 복수의 퓨즈(12)가 형성되어 있고, 기판(11) 상에는 퓨즈(12)를 덮되, 리페어 공정을 위해 퓨즈(12)를 일부 노출시키는 퓨즈박스(15)를 구비하는 절연막(14)이 형성되어 있다.
통상적으로, 퓨즈(12)는 별도의 공정을 통해 형성하지 아니하고 금속배선의 일부를 퓨즈(12)로 사용한다. 최근에는 기존의 알루미늄(Al) 또는 텅스텐(W)에 비하여 비저항이 낮아 신호전달특성을 향상시킬 수 있는 구리(Cu)를 사용하여 금속배선을 형성함에 따라 퓨즈(12) 역시 구리배선으로 형성하고 있다.
하지만, 종래기술은 도 2a 및 도 2b에 나타낸 바와 같이 리페어 공정 이후 수행되는 신뢰성 테스트인 HAST(High Acceleratin Stress Test)시 컷팅된 퓨즈(12)가 전기적으로 다시 연결되는 리페어 퓨즈 불량이 발생하여 반도체 장치의 리페어 수율 및 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다(도 1a 및 도 2a의 도면부호 'A' 참조).
종래기술에서 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 원인은 다음과 같다. 리페어 공정시 도전성부산물(byproduct) 구체적으로, 퓨즈(12)를 구성하는 금속성분이 함유된 금속성부산물이 퓨즈박스(15) 내부에 잔류하게 된다. 이때, HAST가 고온다습한 환경에서 진행됨에 따라 퓨즈박스(15) 내부에 잔류하는 금속성부산물이 대기중 염기성이온과 반응하여 금속염이 생성되고, HAST시 퓨즈(12) 양단에 인가된 전압차이에 의하여 금속염 마이그레이션(Migration) 즉, 전압차이에 기인한 마이그레이션으로 인해 금속염이 재배열되면서 컷팅된 퓨즈(12) 사이를 연결하는 도전경로가 생성되어 리페어 퓨즈 불량이 발생하게 된다.
또한, 마이그레이션이 기인한 금속염 재배열과 더불어서 퓨즈(12) 양단에 인가된 전압차이에 의한 마이그레이션으로 인해 컷팅된 퓨즈(12)의 절단면으로부터 금속이온이 석출됨에 따라 리페어 퓨즈 불량이 심화되는 문제점이 있다.
특히, 구리로 이루어진 퓨즈(12)는 기존의 텅스텐, 알루미늄에 비해 반응성 및 이온이동성이 큰 물질이기 때문에 금속염의 생성 및 금속이온 석출이 용이하여 상술한 리페어 퓨즈 불량이 더욱 빈번하게 발생하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, HAST시 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명의 반도체 장치 제조방법은, 복수의 금속퓨즈 및 상기 금속퓨즈를 일부 노출시키는 퓨즈박스를 포함하는 퓨즈부를 형성하는 단계; 리페어 공정을 실시하여 리페어 해야할 상기 금속퓨즈를 컷팅하는 단계; 및 상기 퓨즈박스로 인해 노출된 상기 금속퓨즈의 모든 표면을 덮도록 보호막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 보호막은 탈이온수 린스를 복수회 실시하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 탈이온수 린스는 제트스트림 방식으로 실시할 수 있다.
상기 보호막은 상기 금속퓨즈의 표면을 의도적으로 산화시켜 형성할 수 있다. 이때, 상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 금속퓨즈를 포함하는 구조물을 400℃ ~ 800℃ 범위의 온도로 가열시킨 상태에서 실시할 수 있다.
상기 금속퓨즈는 구리퓨즈를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조방법은, 상기 보호막을 형성하기 이전에 상기 리페어 공정시 발생된 금속성부산물을 금속염으로 변환시키는 단계를 더 포함 할 수 있다.
상기 금속성부산물을 금속염으로 변화시키는 단계는 상기 금속퓨즈 일측에는 양의 전압을 인가하고, 상기 금속퓨즈의 타측에는 접지전압 또는 음의 전압을 인가한 상태에서 실시할 수 있다.
상기 금속염은 상기 금속성부산물과 염기성이온을 반응시켜 형성할 수 있다. 이때, 상기 염기성이온은 불소이온, 염소이온, 황이온, 브롬이온 및 질산이온으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들이 결합된 이온을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 금속염은 수용성일 수 있다.
상술한 과제 해결 수단을 바탕으로 하는 본 발명은 리페어 공정 이후에 퓨즈박스로 인해 노출된 금속퓨즈의 모든 표면을 덮는 보호막을 형성함으로써, 리페어 공정시 발생된 금속성부산물이 HAST시 대기중의 염기성이온과 반응하여 금속염이 생성되는 것을 방지할 수 있고, 금속퓨즈 양단의 전압차이에 기인한 마이그레이션으로 인해 컷팅된 금속퓨즈 절단면으로부터의 금속이온 석출을 방지할 수 있다.
이로써, 본 발명은 HAST시 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기 술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.
후술할 본 발명은 리페어 공정 이후 진행되는 테스트 예컨대, HAST(High Acceleratin Stress Test)시 컷팅된 퓨즈(즉, 리페어 퓨즈)가 전기적으로 다시 연결되는 리페어 퓨즈 불량을 방지할 수 있는 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 장치 제조방법을 도시한 공정단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 소정의 구조물이 형성된 기판(21) 상에 복수의 금속퓨즈(22)를 형성한다. 이때, 금속퓨즈(22)는 금속배선의 일부를 퓨즈부로 연장시켜 형성할 수 있으며, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 텅스텐(W)등의 금속으로 형성할 수 있다. 여기서, 상술한 금속물질들 중에서 비저항이 낮아 신호전달특성을 향상시킬 수 있는 구리를 사용하여 금속배선을 형성하는 것이 바람직하므로, 금속퓨즈(22) 역시 구리퓨즈로 형성할 수 있다.
다음으로, 금속퓨즈(22)를 포함하는 구조물 전면을 덮는 절연막(23)을 형성한 후, 절연막(23)을 선택적으로 식각하여 금속퓨즈(22) 일부를 노출시키는 퓨즈박스(24)를 형성한다. 이때, 절연막(23)은 산화막, 질화막, 산화질화막(oxynitride), 비정질탄소막(amorphous carbon layer) 및 폴리이미드(polyimide)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 단일막으로 형성하거나, 또는 이들이 적층된 적층막으로 형성할 수 있다.
다음으로, 리페어 공정을 실시하여 리페어 대상 금속퓨즈(22) 즉, 리페어 해야할 금속퓨즈(22)를 컷팅(cutting)한다. 이때, 리페어 공정은 레이져를 이용한 퓨즈 블로잉(fuse blowing) 방식을 사용하여 실시할 수 있다.
여기서, 퓨즈 블로잉 방식은 레이져가 조사된 영역의 금속퓨즈(22)가 기화되면서 발생하는 폭발력을 이용하여 금속퓨즈(22)를 컷팅하기 때문에 리페어 공정 이후에 퓨즈박스(24) 내부 예컨대, 금속퓨즈(22) 표면, 퓨즈박스(24) 측벽 및 컷팅된 금속퓨즈(22) 사이 기판 상에 도전성부산물이 발생하게 된다. 이때, 도전성부산물은 금속퓨즈(22)를 구성하는 금속성분이 함유된 금속성부산물(P)이다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 리페어 공정을 완료한 이후에 복수회의 세정공정을 실시하여 리페어 공정시 발생된 금속성부산물(P)을 제거함과 동시에 퓨즈박스(24)로 인해 노출된 금속퓨즈(22)의 모든 표면을 덮는 보호막(25)을 형성한다. 이때, 보호막(25)은 반도체 장치의 제조공정을 단순화시키기 위하여 별도의 형성공정을 통해 형성하지 않고 세정공정시 금속퓨즈(22)의 표면을 의도적으로 산화시켜 금속산화막으로 형성할 수 있다. 참고로, 금속산화물 예컨대, 구리산화물, 텅스텐산화물, 알루미늄산화물 등은 절연성을 갖는 물질이다.
세정공정은 탈이온수(deionized water, DI) 린스(rines)를 복수회 구체적으로, 적어도 2회 이상 실시할 수 있으며, 탈이온수 린스는 제트스트림(jet stream) 방식으로 실시할 수 있다. 여기서, 제트스트림 방식은 세정액을 고압으로 분사하여 고압으로 분사된 세정액의 운동에너지를 이용하여 물리적으로 부산물을 제거하는 세정방법이다.
또한, 세정공정은 금속성부산물(P)을 제거함과 동시에 보호막(25)을 형성하기 위하여 금속퓨즈(22)를 포함하는 구조물을 가열한 상태 예컨대, 400℃ ~ 800℃ 범위의 온도로 가열한 상태에서 실시할 수 있다. 이는, 퓨즈박스(24)로 인해 노출된 금속퓨즈(22)의 표면을 의도적으로 산화시켜 금속산화막으로 이루어진 보호막(25)을 용이하게 형성하기 위해 탈이온수로부터 제공되는 산소성분과 금속퓨즈(22) 사이의 반응성을 증대시키기 위함이다. 이때, 금속퓨즈(22)를 포함하는 구조물을 400℃ 이하로 가열할 경우에는 금속퓨즈(22) 표면이 산화되지 않을 수 있으며, 800℃ 이상의 가열하는 경우에는 열적부담이 증가하여 기형성된 구조물의 손상 또는 변형될 우려가 있다.
한편, 크기가 큰 금속성부산물(P)의 경우 세정공정시 제거되지 않고 잔류할 수 있다. 하지만, 금속퓨즈(22)를 포함하는 구조물을 가열한 상태에서 세정공정을 진행함에 따라 제거되지 않고 잔류하는 금속성부산물(P)의 표면에도 보호막(25)이 형성되거나, 또는 금속성부산물(P)이 절연성을 갖는 금속산화물로 변환되기 때문에 후속 HAST시 잔류하는 금속성부산물(P)에 기인한 리페어 퓨즈 불량 발생을 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 리페어 공정 이후에 세정공정을 실시하여 퓨즈박스(24) 내 잔류하는 금속성부산물(P)을 제거함과 동시에 퓨즈박스(24)로 인해 노출된 금속퓨즈(22)의 모든 표면을 덮는 보호막(25)을 형성함으로써, 후속 HAST시 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이는, 보호막(25)을 형성함에 따라 금속성부산물(P)이 HAST시 대기중의 염기성이온과 반응하여 금속염이 생성되는 것을 방지할 수 있고, 금속퓨즈(22) 양단의 전압차이에 기인한 마이그레이션으로 인해 컷팅된 금속퓨즈(22) 절단면으로부터의 금속이온 석출을 방지할 수 있기 때문이다.
이하, 본 발명의 제2실시예에서는 본 발명의 제1실시예보다 효과적으로 금속성부산물(P)을 제거할 수 있는 반도체 장치의 제조방법을 제공한다. 이를 통해, 리페어 퓨즈 불량 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법을 도시한 공정단면도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 소정의 구조물이 형성된 기판(31) 상에 복수의 금속퓨즈(32)를 형성한다. 이때, 금속퓨즈(32)는 금속배선의 일부를 퓨즈부로 연장시켜 형성할 수 있으며, 구리, 알루미늄, 텅스텐등의 금속으로 형성할 수 있다. 여기서, 상술한 금속물질들 중에서 비저항이 낮아 신호전달특성을 향상시킬 수 있는 구리를 사용하여 금속배선을 형성하는 것이 바람직하므로, 금속퓨즈(32) 역시 구리퓨즈로 형성할 수 있다.
다음으로, 금속퓨즈(32)를 포함하는 구조물 전면을 덮는 절연막(33)을 형성한 후, 절연막(33)을 선택적으로 식각하여 금속퓨즈(32) 일부를 노출시키는 퓨즈박스(34)를 형성한다.
다음으로, 리페어 공정을 실시하여 리페어 대상 금속퓨즈(32) 즉, 리페어 해 야할 금속퓨즈(32)를 컷팅(cutting)한다. 이때, 리페어 공정은 레이져를 이용한 퓨즈 블로잉(fuse blowing) 방식을 사용하여 실시할 수 있다.
여기서, 퓨즈 블로잉 방식은 레이져가 조사된 영역의 금속퓨즈(32)가 기화되면서 발생하는 폭발력을 이용하여 금속퓨즈(32)를 컷팅하기 때문에 리페어 공정 이후에 퓨즈박스(34) 내부 예컨대, 금속퓨즈(32) 표면, 퓨즈박스(34) 측벽 및 컷팅된 금속퓨즈(32) 사이 기판 상에 도전성부산물이 발생하게 된다. 이때, 도전성부산물은 금속퓨즈(32)를 구성하는 금속성분이 함유된 금속성부산물(P)이다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 리페어 공정시 발생된 금속성부산물(P)을 후속 세정공정시 보다 손쉽게 제거하기 위하여 금속성부산물(P)을 수용성 금속염(metal salt, S)으로 변환시키는 변환공정을 실시한다. 여기서, 금속성부산물(P)을 염기성이온과 반응시키면 금속성부산물(P)을 수용성 금속염(S)으로 변환시킬 수 있다.
금속성부산물(P)을 수용성 금속염(S)으로 변환시키기 위한 염기성이온으로는 불소(F)이온, 염소(Cl)이온, 황(S)이온, 브롬(Br)이온 및 질산(NO3)이온으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들이 결합된 이온을 사용할 수 있다. 예컨대, 금속성부산물(P)이 구리성분을 포함할 경우에 불소이온, 염소이온, 황이온, 브롬이온 및 질산이온과 각각 반응시키면 구리플로라이드(CuF2), 구리클로라이드(CuCl2), 구리셀페이트(CuS), 구리브로민(CuBr) 및 구리니트레이트(Cu(NO3))가 각각 생성된다. 상술한 구리플로라이드, 구리클로라이드, 구리셀페이트, 구리브로민 및 구리니트레이트는 모두 수용성 금속염(S)이다.
또한, 변환효율을 향상시키기 위하여 금속퓨즈(32) 일측에는 양의 전압(예컨대, VDD)을 인가하고, 타측에는 접지전압(VSS) 또는 음의 전압(VBB)을 인가하여 금속퓨즈(32) 양단에 전압차이를 발생시킨 상태에서 변환공정을 실시할 수 있다. 이때, 금속퓨즈(32) 양단에 전압차이를 발생시킨 상태에서 변환공정을 실시할 경우에는 특히, 금속퓨즈(32) 표면에 잔류하는 금속성부산물(P)의 변환효율을 향상시킬 수 있다. 이는, 금속퓨즈(32)에 인가된 전압에 의하여 금속성부산물(P)이 이온화되어 염기성이온과의 반응성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
한편, 금속퓨즈(32)에 전압을 인가함에 따라 퓨즈박스(34)로 인해 노출된 금속퓨즈(32)의 표면 일부가 수용성 금속염(S)으로 변환될 수 있다. 하지만, 금속성부산물(P)에 비하여 금속퓨즈(32)는 안정적인 결합상태를 갖기 때문에 금속성부산물(P)을 수용성 금속염(S)으로 변환시키는 동안 금속퓨즈(32) 표면에 생성되는 수용성 금속염(S) 극히 소량이며, 반도체 장치의 특성에 영향을 미치지 않는다.
도 4c 도시된 바와 같이, 리페어 공정을 완료한 이후에 복수회의 세정공정을 실시하여 수용성 금속염(S)을 제거함과 동시에 퓨즈박스(34)로 인해 노출된 금속퓨즈(32)의 모든 표면을 덮는 보호막(35)을 형성한다. 이때, 보호막(35)은 금속퓨즈(22)의 표면을 의도적으로 산화시켜 금속산화막으로 형성할 수 있다. 참고로, 금속산화물 예컨대, 구리산화물, 텅스텐산화물, 알루미늄산화물 등은 절연성을 갖는 물질이다.
세정공정은 탈이온수(deionized water, DI) 린스(rines)를 복수회 구체적으로, 적어도 2회 이상 실시할 수 있으며, 탈이온수 린스는 제트스트림(jet stream) 방식으로 실시할 수 있다. 여기서, 제트스트림 방식은 탈이온수를 고압으로 분사하여 고압으로 분사된 탈이온수의 운동에너지를 이용하여 부산물을 제거하는 세정방법이다. 이때, 고압으로 분사된 탈이온수의 운동에너지와 더불어서 수용성 금속염(S)은 탈이온수에 쉽게 용해되기 때문에 퓨즈박스(34) 내 잔류하는 부산물 예컨대, 미반응 금속성부산물(P) 및 수용성 금속염(S)을 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 세정공정은 수용성 금속염(S)을 제거함과 동시에 보호막(35)을 형성하기 위하여 금속퓨즈(32)를 포함하는 구조물을 가열한 상태 예컨대, 400℃ ~ 800℃ 범위의 온도로 가열한 상태에서 실시할 수 있다. 이는, 퓨즈박스(34)로 인해 노출된 금속퓨즈(32)의 표면을 의도적으로 산화시켜 금속산화막으로 이루어진 보호막(35)을 용이하게 형성하기 위해 탈이온수로부터 제공되는 산소성분과 금속퓨즈(32) 사이의 반응성을 증대시키기 위함이다.
이와 같이, 본 발명은 금속성부산물(P)을 수용성 금속염(S)으로 변환시킴에 따라 세정공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 세정공정시 퓨즈박스(34)로 인해 노출된 금속퓨즈(32)의 모든 표면을 덮는 보호막(35)을 형성함으로써, 후속 HAST시 리페어 퓨즈 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범 위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 반도체 장치의 퓨즈부를 도시한 도면.
도 2a 및 도 2b는 종래기술에 따른 반도체 장치의 문제점을 나타낸 도면.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 장치 제조방법을 도시한 공정단면도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법을 도시한 공정단면도.
*도면 주요 부분에 대한 부호 설명*
21, 31 : 기판 22, 32 : 금속퓨즈
23, 33 : 절연막 24, 34 : 퓨즈박스
25, 35 : 보호막 P : 도전성부산물
S : 금속염
Claims (11)
- 복수의 금속퓨즈 및 상기 금속퓨즈를 일부 노출시키는 퓨즈박스를 포함하는 퓨즈부를 형성하는 단계;리페어 공정을 실시하여 리페어 해야할 상기 금속퓨즈를 컷팅하는 단계; 및상기 퓨즈박스로 인해 노출된 상기 금속퓨즈의 모든 표면을 덮도록 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 보호막은 탈이온수 린스를 복수회 실시하여 형성하는 반도체 장치 제조방법.
- 제2항에 있어서,상기 탈이온수 린스는 제트스트림 방식으로 실시하는 반도체 장치 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 보호막은 상기 금속퓨즈의 표면을 의도적으로 산화시켜 형성하는 반도체 장치 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는,상기 금속퓨즈를 포함하는 구조물을 400℃ ~ 800℃ 범위의 온도로 가열시킨 상태에서 실시하는 반도체 장치 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속퓨즈는 구리퓨즈를 포함하는 반도체 장치 제조방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 보호막을 형성하기 이전에 상기 리페어 공정시 발생된 금속성부산물을 금속염으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 반도체 장치 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 금속성부산물을 금속염으로 변화시키는 단계는,상기 금속퓨즈 일측에는 양의 전압을 인가하고, 상기 금속퓨즈의 타측에는 접지전압 또는 음의 전압을 인가한 상태에서 실시하는 반도체 장치 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 금속염은 상기 금속성부산물과 염기성이온을 반응시켜 형성하는 반도체 장치 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 염기성이온은 불소(F)이온, 염소(Cl)이온, 황(S)이온, 브롬(Br)이온 및 질산(NO3)이온으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들이 결합된 이온을 포함하는 반도체 장치 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 금속염은 수용성인 반도체 장치 제조방법.
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2009
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