KR20110006541U - 상압 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

상압 플라즈마 처리 장치에서 기판을 가열하여 공정 온도를 일정하게 유지할 수 있는 상압 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 상압 플라즈마 처리장치는, 플라즈마 발생 모듈, 상기 플라즈마 발생 모듈 하부를 상기 기판이 통과하도록 이송하는 기판 이송부 및 상기 기판 이송부 하부에 구비되며 상기 기판을 가열하는 프리히터 유닛을 포함하여 구성될 수 있다.
상압 플라즈마 처리장치(atmospheric plasma processing apparatus), 히터

Description

상압 플라즈마 처리장치{ATMOSPHERIC PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 고안은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 기판 및 공정 온도를 일정하게 유지할 수 있는 상압 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체(semiconductor device)나 평면 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD), 전자 재료 등의 제조 공정은 다양한 공정이 사용되는데, 그 중에서 세정 공정은 단독 또는 각 공정 사이에서 필수적으로 수행되는 공정이다.
세정 또는 식각 공정은 약액을 이용하는 습식 세정과 플라즈마를 이용하는 건식 세정으로 구분될 수 있으며, 최근에는 청정기술이며 미세 패턴 가공에 적합한 건식 세정이 주로 사용된다. 또한, 기존의 UV(Ultra Violet) 클리너는 램프의 수명이 비교적 짧아서 지속적으로 램프 교체와 같은 유지비용이 소모되는 데 반해, 플라즈마 세정 장치는 추가 비용이 들지 않아서 UV 클리너를 대체할 수 있는 장비로 각광받고 있다.
한편, 기존의 플라즈마 처리장치는 서로 이격되어 마주보도록 설치된 한 쌍의 전극 사이에서 전기장을 인가하고 공정 가스를 제공함으로써 플라즈마를 발생시 키고 기판에 제공함으로써 기판의 표면 개질 공정이 수행된다. 기존에는 플라즈마에 유입되는 공정 가스를 가열하는 히터 유닛이 구비되어 있어서, 공정 가스를 소정 온도로 가열하여 플라즈마를 발생시키고 기판에 제공하였다.
그런데 기존의 상압 플라즈마 처리장치는 일정 시간이 경과하면 플라즈마 처리 효과가 상승하다가 포화되는데, 이와 같이 포화 시간이 길어질수록 생산 수율이 저하되는데, 공정 가스의 온도를 일정 온도로 유지시킴으로써 이러한 수율 저하를 방지할 수 있다. 그러나 기존의 상압 플라즈마 처리장치는 공정 가스를 가열하여 공급하는 방식으로 공정 온도를 유지시키므로 공정 온도를 유지시키기가 어려우며, 특히, 플라즈마를 발생시키고 일정 시간이 경과하면 점차 플라즈마 발생 모듈의 온도가 상승하면서, 공정 가스 및 공정 온도가 상승하면서 공정 처리 결과가 달라질 수 있다.
또한, 공정 가스 가열 방식의 경우 플라즈마 발생 모듈의 재질로 인해 일정 온도 이상 가열하기가 어려우며, 공정 온도로 가열된 공정 가스로 인해 플라즈마 발생 모듈이 고온으로 가열되므로 플라즈마 발생 모듈의 수명이 단축되는 단점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 고안의 실시예들은 기판 및 공정 온도를 일정하게 유지할 수 있는 상압 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.
에 따르면, 기판 및 공정 온도를 일정하게 유지할 수 있는 상압 플라즈마 처리장치는, 플라즈마 발생 모듈, 상기 플라즈마 발생 모듈 하부를 상기 기판이 통과하도록 이송하는 기판 이송부 및 상기 기판 이송부 하부에 구비되며 상기 기판을 가열하는 프리히터 유닛을 포함하여 구성될 수 있다.
실시예에서, 상기 프리히터 유닛은 상기 기판을 직접 또는 간접으로 가열하도록 구비되며, 예를 들어, 전도 방식 또는 복사 방식으로 상기 기판을 가열하는 히터이다. 여기서, 상기 기판 이송부는 상기 기판이 안착되어 이송되는 복수의 이송 롤러를 포함하고, 상기 프리히터 유닛은 상기 이송 롤러 사이에 구비될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 발생 모듈이 구비된 공간을 포함하며 상기 기판이 투입되어 상기 기판에 대해 플라즈마가 제공되어 플라즈마 처리가 수행되는 공정 챔버를 포함하며, 상기 프리히터 유닛은 상기 기판이 상기 공정 챔버에 투입되는 입구 쪽에 구비된다. 또는, 상기 프리히터 유닛은 상기 공정 챔버 외측에 구비될 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 고안의 실시예들에 따르면, 기판 이송부에 히터 유닛을 구비함으로써 기판을 일정한 온도로 가열할 수 있으며, 플라즈마 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 히터 유닛은 기판을 가열하도록 구비되며 플라즈마 발생 모듈은 공정 가스 주입 및 가스 냉각 방식을 그대로 유지할 수 있으므로 플라즈마 발생 모듈의 냉각과 기판의 가열을 효과적으로 유지할 수 있다.
또한, 고온의 가스 주입으로 인해 플라즈마 발생 모듈의 수명 단축을 방지할 수 있으며, 기존에 비해 플라즈마 발생 모듈의 온도가 비교적 저온을 유지할 수 있으므로 플라즈마 발생 모듈의 제조를 위한 재질 선정 폭에 제한이 적다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 고안의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 고안이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 고안을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 고안의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.
이하, 도 1과 도2를 참조하여 본 고안의 실시예들에 따른 상압 플라즈마 처리장치(100)에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 처리장치(100)를 설명하기 위한 모식도이고, 도 2는 도 1의 상압 플라즈마 처리장치(100)의 변형 실시예를 설명하기 위한 모식도이다.
도면을 참조하면, 상압 플라즈마 처리장치(100)는 처리 대상이 되는 기판(10)이 안착되어 이송되는 기판 이송부(150)와 기판(10)에 대해 플라즈마를 발생시켜 제공하기 위한 플라즈마 발생 모듈(110) 및 기판(10)의 가열을 위한 프리히터 유닛(pre-heater unit)(150a, 150b)을 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 플라즈마 발생 모듈(110)이 구비된 공간으로 기판(10)에 대해 플라즈마가 제공되어 처리가 수행되는 공간을 공정 챔버(101)라 한다. 상압 플라즈마 처리장치(100)의 경우 대기압 분위기에서 플라즈마를 발생시키므로 공정 챔버(101)는 대기압 상태로 개방된 챔버이다.
상압 플라즈마 처리장치(100)는 기판(10)에 산소 라디칼(radical)을 제공하여 기판(10) 표면에서 유기물이나, 기판(10) 절단 시 잔류 수분, 기판(10)에 회로 형성 시의 잔류 폴리머 등과 같은 오염물질을 제거할 수 있다. 여기서, 본 실시예에서 상압 플라즈마 처리장치(100)는 기판(10)의 오염을 제거하는 건식 세정 또는 애싱(ashing) 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 고안이 이에 한정되는 것은 아니며 플라즈마를 이용한 기판(10)의 표면처리 장치에는 실질적으로 동일하게 적용할 수 있다.
또한, 본 실시예들에서 '기판(10)'은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용으로 사용하는 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 그러나 본 고안의 기판(10)이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
기판 이송부(120)는 기판(10)이 안착되어 일정한 속도로 일방향으로 이송하기 위한 복수의 이송 롤러(121)를 구비하고, 이송 롤러(121)가 회전함에 따라 이송 롤러(121)에 접촉 안착된 기판(10)이 일 방향으로 이동한다. 그리고 기판 이송부(120)는 이송 롤러(121)의 회전 구동을 위한 샤프트(shaft)와 구동 모터(미도시)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 기판 이송부(120)는 회전축이 기판(10)의 이송 방향과 평행한 방향으로 형성된 샤프트가 상에 적어도 2개 이상 복수의 이송 롤러(121)가 구비되며, 샤프트(미도시)가 회전함에 따라 이송 롤러(121)와 접촉된 기판(10)이 일정한 속도로 이동할 수 있다.
플라즈마 발생 모듈(110)은 일정한 속도로 이동하는 기판(10)에 플라즈마를 제공함으로써 기판(10) 표면에서 오염원을 제거하며, 예를 들어, 산소 라디칼(radical)을 제공함으로써 기판(10)을 세정할 수 있다.
플라즈마 발생 모듈(110)은 전원이 인가되면 플라즈마를 발생키는 한 쌍의 플라즈마 전극(111, 113)과 전원을 인가하는 전원부(115)로 구성된다. 그리고 플라즈마 발생 모듈(110)은 플라즈마 전극(111, 113) 사이의 공간(110b)(이하, '플라즈마 발생 공간(110b)'이라 한다)에서 플라즈마를 발생시킨 후 하부의 기판(10)에 제공할 수 있도록 형성된다.
상세하게는, 플라즈마 발생 모듈(110)은 상부 및 하부 플라즈마 전극(111, 113) 사이에 전기장을 형성할 수 있도록 상부 및 하부 플라즈마 전극(111, 113)이 일정 간격 이격되어 구비되고, 상부 및 하부 플라즈마 전극(111, 113)에 각각 전원부(115)가 연결된다. 또한, 플라즈마 발생 모듈(110)은 플라즈마 발생 공간(110b)에서 발생된 플라즈마를 하부의 기판(10)에 제공할 수 있도록 상부 플라즈마 전극(111)에는 고주파 전원이 연결되고, 하부 플라즈마 전극(113)은 접지에 연결되며, 하부 플라즈마 전극(113)에는 플라즈마를 제공할 수 있도록 복수의 분사홀(110a)이 형성될 수 있다.
그리고 상부 및 하부 플라즈마 전극(111, 113) 사이의 플라즈마 발생 공간(110b)에는 가스 공급부(130)가 연결되어 플라즈마 발생을 위한 공정 가스를 공급한다. 여기서, 상압 플라즈마 처리장치(100)는 대기압 분위기에서 공정이 수행되는데, 산소 라디칼을 발생시키는 경우, 공기 중에 산소가 포함되어 있어서 플라즈마 전극(111, 113)에 전원을 인가하면 플라즈마가 발생될 수 있으나, 플라즈마의 균일도를 확보하고 공정 효율을 향상시키기 위해서 별도로 공정 가스를 사용할 수 있다. 예를 들어, 공정 가스는 산소 또는 공기일 수 있다.
프리히터 유닛(150a, 150b)은 기판 이송부(120)에 구비되어 이송되는 기판(10)을 가열할 수 있도록 구비된다. 또한, 프리히터 유닛(150a, 150b)은 기판(10)을 가열하기 위한 가열 면적이 일정 크기 이상으로 형성되며, 이송 롤러(121)는 기판(10)을 안정적으로 이송하기 위해서 비교적 조밀하게 배치되는데, 프리히터 유닛(150a, 150b)은 이송 롤러(121)와 간섭이 발생되지 않도록 이송 롤러(121) 사이에 구비될 수 있다. 그러나 본 고안이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 프리히터 유닛(150a, 150b)의 크기와 위치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
프리히터 유닛(150a, 150b)은 기판(10)에 직접 접촉되어 전도에 의해 가열하는 직접 가열방식이거나 복사에 의해 가열하는 간접 가열 방식의 히터일 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이, 프리히터 유닛(150a)은 기판(10)의 온도를 일정하게 유지하고 공정 챔버(101)에서 기판(10)의 온도가 소정의 공정 온도로 가열될 수 있도록, 공정 챔버(101)에서 기판(10)이 공정 챔버(101)로 투입되는 입구 부분에 구비될 수 있다. 또는 도 2에 예시한 바와 같이, 프리히터 유닛(150b)은 공정 챔버(101) 외부에 구비될 수 있다. 그러나 본 고안이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 프리히터 유닛(150a, 150b)의 수와 위치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 프리히터 유닛(150a, 150b)은 공정 챔버(101) 내부에서 복수 개가 구비될 수 있다. 또는, 프리히터 유닛(150a, 150b)은 공정 챔버(101) 외부 및 내부에 각각 구비될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 기판 이송부(120)에 프리히터 유닛(150a, 150b)이 구비되어 기판(10)을 가열하므로 공정 온도를 일정하게 유지할 수 있으며, 플라즈마 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 플라즈마 발생 모듈(110)에서 기존의 가스 냉각 방식을 그대로 유지할 수 있으므로 플라즈마 발생 모듈(110)의 냉각 및 온도 유지 효과를 향상시킬 수 있다. 또한, 프리히터 유닛(150a, 150b)이 기판(10)이 가열하여 공정 온도를 유지시키므로 플라즈마 발생 모듈(110)에 고온의 공정 가스를 처리하지 않으므로 고온의 가스 처리로 인해 플라즈마 발생 모듈(110)의 수명 단축을 방지할 수 있고, 플라즈마 발생 모듈(110)의 재질 선택의 폭이 넓어진다. 또 한, 플라즈마 발생 모듈(110)의 수명 단축을 방지하고, 프리히터 유닛(150a, 150b)이 플라즈마 발생 모듈(110)과 분리 구비되므로, 플라즈마 발생 모듈(110) 및 상압 플라즈마 처리장치(100)의 유지 보수 작업이 용이하고 간단하며, 유지 보수 기간을 연장할 수 있다.
이상과 같이 본 고안에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 고안의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 고안은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 고안이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 고안의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 고안 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 모식도;
도 2는 도 1의 상압 플라즈마 처리장치의 변형 실시예를 설명하기 위한 모식도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 100: 상압 플라즈마 처리장치
101: 프로세스 챔버 110: 플라즈마 발생 모듈
110a: 분사홀 110b: 플라즈마 발생 공간
111, 113: 전극 115: 전원부
120: 기판 이송부 121: 이송 롤러
130: 가스 공급부
150a, 150b: 프리히터 유닛(pre-heater unit)

Claims (5)

  1. 상압 플라즈마 처리장치에 있어서,
    플라즈마 발생 모듈;
    상기 플라즈마 발생 모듈 하부를 기판이 통과하도록 이송하는 기판 이송부; 및
    상기 기판 이송부 하부에 구비되며 상기 기판을 가열하는 프리히터 유닛;
    을 포함하는 상압 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프리히터 유닛은 상기 기판을 직접 또는 간접으로 가열하도록 구비된 상압 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 이송부는 상기 기판이 안착되어 이송되는 복수의 이송 롤러를 포함하고,
    상기 프리히터 유닛은 상기 이송 롤러 사이에 구비된 상압 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 모듈이 구비된 공간을 포함하며 상기 기판이 투입되어 상기 기판에 대해 플라즈마가 제공되어 플라즈마 처리가 수행되는 공정 챔버를 포함하고,
    상기 프리히터 유닛은 상기 기판이 상기 공정 챔버에 투입되는 입구 쪽에 구비된 상압 플라즈마 처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 프리히터 유닛은 상기 공정 챔버 외측에 구비된 상압 플라즈마 처리장치.
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