KR20110001306A - 태양광 발전장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
태양광 발전장치 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110001306A KR20110001306A KR1020090058789A KR20090058789A KR20110001306A KR 20110001306 A KR20110001306 A KR 20110001306A KR 1020090058789 A KR1020090058789 A KR 1020090058789A KR 20090058789 A KR20090058789 A KR 20090058789A KR 20110001306 A KR20110001306 A KR 20110001306A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat dissipation
- solar cell
- dissipation member
- cell panel
- heat
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F3/00—Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
- F28F3/02—Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F2265/00—Safety or protection arrangements; Arrangements for preventing malfunction
- F28F2265/26—Safety or protection arrangements; Arrangements for preventing malfunction for allowing differential expansion between elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
실시예에 따른 태양광 발전장치는 하부기판, 태양전지 셀, 상부기판을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널과 결합하여 배치되는 제1열방출 부재; 및 상기 제1열방출 부재와 접하며, 상기 태양전지 패널 아래에 배치되는 제2열방출 부재를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 하부기판, 태양전지 셀, 상부기판을 포함하는 태양전지 패널을 준비하는 단계; 상기 하부기판에 다수 개의 홈을 형성하는 단계; 상기 태양전지 패널 아래에 다수 개의 홀이 형성된 제2열방출 부재를 결합하는 단계; 상기 홀을 통하여, 상기 홈에 제1열방출 부재를 결합하는 단계; 및 상기 태양전지 패널 및 제2열방출 부재의 측벽에 프레임을 결합시키는 단계를 포함한다.
태양전지, 열, 방출
Description
실시예는 태양광 발전장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
광전 변환 효과를 이용하여 빛에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전 모듈은 지구 환경의 보전에 기여하는 무공해 에너지를 얻는 수단으로 널리 사용되고 있다.
태양 전지의 광전 변환 효율이 개선됨에 따라, 태양광 발전 모듈을 구비한 많은 태양광 발전 시스템이 주거 용도로까지 설치되기에 이르렀다.
이러한 태양 전지는 열에 의해서 성능이 저하될 수 있고, 이러한 열을 효율적으로 방출하는 구조가 연구되고 있다.
실시예는 열을 효율적으로 방출하고, 온도 상승에 의한 발전 효율 저하를 방지하고, 높은 내구성을 가지는 태양광 발전장치 및 그의 제조방법를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 하부기판, 태양전지 셀, 상부기판을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널과 결합하여 배치되는 제1열방출 부재; 및 상기 제1열방출 부재와 접하며, 상기 태양전지 패널 아래에 배치되는 제2열방출 부재를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 하부기판, 태양전지 셀, 상부기판을 포함하는 태양전지 패널을 준비하는 단계; 상기 하부기판에 다수 개의 홈을 형성하는 단계; 상기 태양전지 패널 아래에 다수 개의 홀이 형성된 제2열방출 부재를 결합하는 단계; 상기 홀을 통하여, 상기 홈에 제1열방출 부재를 결합하는 단계; 및 상기 태양전지 패널 및 제2열방출 부재의 측벽에 프레임을 결합시키는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 제1열방출 부재 및 제2열방출 부재에 의해서, 열을 효율적으로 방출한다.
특히, 태양전지 패널로부터 발생되는 열을 태양전지 패널에 삽입된 제1열방 출 부재를 통해, 효율적으로 제2열방출 부재에 전달할 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 온도 상승에 의한 발전 효율 저하를 방지하고, 내구성 감소를 방지한다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 추가적인 동력을 사용하지 않고, 효율적으로 열을 방출할 수 있다.
또한, 제1열방출 부재 및 제2열방출 부재의 열 전도도가 높아 냉각 능력이 좋다.
특히, 바람이 없어도 냉각이 가능하며, 바람이 있을 땐, 공냉에 의한 냉각 능력이 향상될 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 패널, 프레임, 플레이트, 부 또는 핀 등이 각 패널, 프레임, 플레이트, 부 또는 핀 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 7은 태양전지 모듈이 형성되는 과정을 도시한 측단면도이고, 도 8은 실시예에 따른 태양전지 모듈을 도시한 분해 사시도이다.
도 1 내지 도 7은 태양전지 모듈이 형성되는 과정을 도시한 측단면도이다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 태양전지 패널(100)을 준비한다.
상기 태양전지 패널(100)은 하부기판(10), 태양전지 셀(20) 및 상부기판(30)을 포함한다.
상기 태양전지 패널(100)은 태양광을 입사받아 전기에너지로 변환시킨다.
상기 태양전지 패널(100)은 다수 개의 태양전지 셀(20)들을 포함할 수 있으며, 상기 태양전지 셀(20)들을 덮는 완충층이 더 포함될 수 있다.
상기 태양전지 셀(20)들은 예를 들어, CIGS계 태양전지, 실리콘계열 태양전지 또는 염료 감응 태양전지일 수 있다.
이때, 상기 상부기판(30)은 수광면이며, 상기 하부기판(10)은 비수광면이 될 수 있다.
이어서, 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하부기판(10)에 홈(50)을 형성하고, 제2열방출 부재(200)를 상기 하부기판(10)에 결합시킨다.
상기 홈(50)은 상기 하부기판(10)에 레이저 가공이나 드릴 가공에 의해 형성될 수 있다.
이때, 상기 홈(50)의 크기 및 개수는 태양전지의 크기 및 열방출 부재의 형태에 따라 달라질 수 있다.
상기 홈(50)은 상기 하부기판(10)의 1/3~2/3의 깊이로 형성되며, 이후 결합된 제1열방출 부재의 모양에 따라 다각형 또는 원형으로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 제2열방출 부재(200)는 상기 홈(50)의 크기 및 개수가 동일한 홀(60)을 포함한다.
상기 홀(60)의 크기 및 개수는 태양전지의 크기 및 열방출 부재의 형태에 따라 달라질 수 있으며, 또한 상기 홈(50)의 크기 및 개수에 따라 달라질 수 있다.
상기 제2열방출 부재(200)는 방열 플레이트(210) 및 다수 개의 방열 핀들(220)을 포함한다.
상기 방열 핀들(220)은 상기 방열 플레이트(210)로부터 연장된다.
상기 방열 플레이트(210) 및 상기 방열 핀들(220)은 일체로 형성된다.
상기 방열 플레이트(210)는 상기 태양전지 패널(100)과 대향하며, 상기 제2열방출 부재(200)는 열 전도도가 좋은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.
상기 제2열방출 부재(200)가 상기와 같은 물질로 형성되므로, 열 전도도가 높아 냉각 능력이 향상될 수 있다.
특히, 바람이 없어도 냉각이 가능하며, 바람이 있을 땐, 공냉에 의한 냉각 능력이 향상될 수 있다.
상기 방열 플레이트(210)는 열압착 등을 통해 상기 태양전지 패널(100)의 하면에 직접 접촉하도록 결합될 수 있다.
이때, 상기 태양전지 패널(100)과 하부기판(10)의 결합은 이에 한정되지 않고, 결화제의 반응 온도에 따라 다른 방법으로도 결합될 수 있다.
상기 태양전지 패널(100)로부터 발생되는 열은 상기 방열 플레이트(210) 및 방열 핀들(220)에 의해서 외부로 방출될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 하부기판(10)에 형성된 홈(50)과 상기 제2열방출 부재(200)에 형성된 홀(60)을 따로 형성한 후 결합하였다.
하지만, 이에 한정되지 않고, 상기 제2열방출 부재(200)을 상기 하부기판(10)에 결합한 후, 상기 홈(50)과 홀(60)을 동시에 형성할 수도 있다.
그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 홀(60)을 통해, 상기 홈(50)에 제1열방출 부재(300)를 결합한다.
상기 제1열방출 부재(300)는 열 전도도가 높은 금속인, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 열 전도도가 340~400 W/m.K인 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1열방출 부재(300)가 상기와 같은 물질로 형성되므로, 열 전도도가 높아 냉각 능력이 향상될 수 있다.
특히, 바람이 없어도 냉각이 가능하며, 바람이 있을 땐, 공냉에 의한 냉각 능력이 향상될 수 있다.
또한, 상기 제1열방출 부재(300)를 장착하기 위한 상기 홈(50)은 단차 가공될 수도 있다.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 홈(50)은 제1홈(1) 및 제2홈(2)을 포함하도록 단차 가공하여, 상기 홀(60) 및 제1홈(1)까지 상기 제1열방출 부재(300)를 삽입하고, 더 큰 압력으로 상기 제1열방출 부재(300)를 상기 제2홈(2)까지 삽입한다.
따라서, 상기 제1열방출 부재(300)와 하부기판(10)의 결합력을 향상시킬 수 있다.
이때, 상기 제1열방출 부재(300)는 상기 홈(50)에 삽입되고, 상기 홀(60)에도 일부가 삽입될 수 있다.
즉, 상기 홀(60)에 삽입된 상기 제1열방출 부재(300)의 일부가 상기 제2열방출 부재(200)와 연결된다.
따라서, 상기 태양전지 패널(100)로부터 발생되는 열은 상기 제1열방출 부재(300)를 통해 상기 방열 플레이트(210) 및 방열 핀들(220)이 형성된 상기 제2열방출 부재(200)를 통해 외부로 방출된다.
그리고, 상기 홈(50)의 깊이를 제어함으로써, 상기 제1열방출 부재(300)와 제2열방출 부재(200)가 접촉되는 면적을 조절할 수 있다.
도 7은 상기 제1열방출 부재(300)가 상기 하부기판(10) 및 제2열방출 부재(200)에 결합된, 상기 제1열방출 부재(300)의 밀집도를 도시한 평면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1열방출 부재(300)는 상기 제2열방출 부재(200)의 홀을 통해 노출될 수 있다.
또한, 중심영역이 주변영역보다 상기 제1열방출 부재(300)의 밀집도가 높게 형성될 수 있다.
즉, 상기 하부기판(10)의 중심영역에는 상기 홈(50)을 많이 형성하여, 상기 제1열방출 부재(300)의 개수가 많고, 상기 하부기판(10)의 주변영역인 가장자리 영역에는 상기 홈(50)을 적게 형성하여, 상기 제1열방출 부재(300)의 개수가 많아질 수 있다.
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 태양전지 패널(100)과 제2열방출 부재(200)의 측벽에 프레임(400)을 형성한다.
상기 프레임(400)은 구조물을 둘러싸는 구조가 아닌, 상기 태양전지 패널(100)과 제2열방출 부재(200)의 측벽만 감싸도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 프레임(400)은 상기 제2열방출 부재(200)의 방열 핀들(200)보다 길게 형성될 수 있다.
이때, 상기 프레임(400)이 구조물을 둘러싸는 구조가 아닌, 상기 태양전지 패널(100)과 제2열방출 부재(200)의 측벽만 감싸도록 형성되어, 외부로부터 바람을 잘 받아들이는 공랭(空冷) 구조가 될 수 있다.
도 8은 실시예에 따른 태양전지 모듈을 도시한 분해 사시도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 태양전지 패널(100), 제1열방출 부재(300) 및 제2열방출 부재(200)를 포함한다.
상기 태양전지 패널(100)은 하부기판(10), 태양전지 셀(20) 및 상부기판(30)을 포함하며, 상기 하부기판(10)에는 다수 개의 홈이 형성된다.
상기 제1열방출 부재(300)은 상기 태양전지 패널(100)의 하부기판(10)과 결합될 수 있으며, 제2열방출 부재(200)와 접하여, 상기 태양전지 패널(100)에서 발생한 열을 외부로 방출시킬 수 있다.
상기 제2열방출 부재(200)는 상기 제1열방출 부재(200)와 접하도록 형성되며, 상기 태양전지 패널(100) 아래에 배치된다.
상기 제1열방출 부재(300) 및 제2열방출 부재(200)는 열 전도도가 좋은 구 리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.
상기 제1열방출 부재(300) 및 제2열방출 부재(200)가 상기와 같은 물질로 형성되므로, 열 전도도가 높아 냉각 능력이 향상될 수 있다.
특히, 바람이 없어도 냉각이 가능하며, 바람이 있을 땐, 공냉에 의한 냉각 능력이 향상될 수 있다.
이상에서 설명한 실시예에 따른 태양전지 모듈은 제1열방출 부재 및 제2열방출 부재에 의해서, 열을 효율적으로 방출한다.
특히, 태양전지 패널로부터 발생되는 열을 태양전지 패널에 삽입된 제1열방출 부재를 통해, 효율적으로 제2열방출 부재에 전달할 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 온도 상승에 의한 발전 효율 저하를 방지하고, 내구성 감소를 방지한다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 추가적인 동력을 사용하지 않고, 효율적으로 열을 방출할 수 있다.
또한, 제1열방출 부재 및 제2열방출 부재의 열 전도도가 높아 냉각 능력이 좋다.
특히, 바람이 없어도 냉각이 가능하며, 바람이 있을 땐, 공냉에 의한 냉각 능력이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지 의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 7은 태양전지 모듈이 형성되는 과정을 도시한 측단면도이고, 도 8은 실시예에 따른 태양전지 모듈을 도시한 분해 사시도이다.
Claims (10)
- 하부기판, 태양전지 셀, 상부기판을 포함하는 태양전지 패널;상기 태양전지 패널과 결합하여 배치되는 제1열방출 부재; 및상기 제1열방출 부재와 접하며, 상기 태양전지 패널 아래에 배치되는 제2열방출 부재를 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 1항에 있어서,상기 하부기판은 다수 개의 홈을 포함하고,상기 하부기판에 상기 제1열방출 부재가 삽입되어 결합된 것을 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 2항에 있어서,상기 다수 개의 홈은,상기 하부기판 두께의 1/3~2/3 깊이로 형성되며,상기 제1열방출 부재의 모양에 따라 다각형 또는 원형으로 형성된 것을 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제2열방출 부재는,상기 태양전지 패널과 마주보는 방열 플레이트; 및상기 방열 플레이트로부터 연장되는 다수 개의 방열 핀들을 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제2열방출 부재는 상기 제1열방출 부재와 접촉될 수 있는 홀을 포함하며, 상기 홀을 통하여 상기 제1열방출 부재가 노출되고, 상기 제1열방출 부재의 일부가 상기 홀에 삽입되어, 상기 제1열방출 부재와 제2열방출 부재가 연결되는 태양광 발전장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제1열방출 부재는,상기 태양전지 패널의 중심부의 밀도가 주변부의 밀도보다 크게 형성된 것을 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제1열방출 부재의 열전도도는 340~400 W/m.K인 것을 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 1항에 있어서,상기 태양전지 패널 및 제2열방출 부재를 수용하는 프레임을 포함하며,상기 프레임은 상기 태양전지 패널 및 제2열방출 부재의 측면에 배치되고,상기 제2열방출 부재보다 길게 형성된 것을 포함하는 태양광 발전장치.
- 하부기판, 태양전지 셀, 상부기판을 포함하는 태양전지 패널을 준비하는 단계;상기 하부기판에 다수 개의 홈을 형성하는 단계;상기 태양전지 패널 아래에 다수 개의 홀이 형성된 제2열방출 부재를 결합하는 단계;상기 홀을 통하여, 상기 홈에 제1열방출 부재를 결합하는 단계; 및상기 태양전지 패널 및 제2열방출 부재의 측벽에 프레임을 결합시키는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 제2열방출 부재를 상기 태양전지 패널 아래에 결합할 때,상기 홀과 홈이 정렬(align)되도록 결합하며,상기 제1열방출 부재가 상기 홀을 통하여, 상기 홈에 결합된 후,상기 제1열방출 부재의 일부가 상기 홀에 삽입되어,상기 제1열방출 부재와 제2열방출 부재가 연결되는 것을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090058789A KR101072094B1 (ko) | 2009-06-30 | 2009-06-30 | 태양광 발전장치 및 그의 제조방법 |
CN201080029306.XA CN102473766B (zh) | 2009-06-30 | 2010-06-30 | 太阳能电池设备 |
EP10794348.2A EP2450965B1 (en) | 2009-06-30 | 2010-06-30 | Photovoltaic power-generating apparatus |
JP2012517407A JP5730299B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-30 | 太陽光発電装置 |
PCT/KR2010/004227 WO2011002213A2 (ko) | 2009-06-30 | 2010-06-30 | 태양광 발전장치 |
US13/321,743 US20120060921A1 (en) | 2009-06-30 | 2010-06-30 | Solar Cell Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090058789A KR101072094B1 (ko) | 2009-06-30 | 2009-06-30 | 태양광 발전장치 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110001306A true KR20110001306A (ko) | 2011-01-06 |
KR101072094B1 KR101072094B1 (ko) | 2011-10-10 |
Family
ID=43411593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090058789A KR101072094B1 (ko) | 2009-06-30 | 2009-06-30 | 태양광 발전장치 및 그의 제조방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120060921A1 (ko) |
EP (1) | EP2450965B1 (ko) |
JP (1) | JP5730299B2 (ko) |
KR (1) | KR101072094B1 (ko) |
CN (1) | CN102473766B (ko) |
WO (1) | WO2011002213A2 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013042965A1 (en) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell |
KR101665400B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2016-10-12 | 우석대학교 산학협력단 | 태양광 발전장치 |
CN112018204A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-01 | 孙文 | 一种太阳能电池片及太阳能电池板 |
CN113066881A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-07-02 | 江苏新源太阳能科技有限公司 | 一种太阳能光伏幕墙及其制作方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102623540B (zh) * | 2012-03-13 | 2014-12-10 | 友达光电股份有限公司 | 散热结构 |
EP3261137B1 (en) * | 2015-02-20 | 2019-05-08 | Fujitsu Limited | Thermoelectric conversion module, sensor module, and information processing system |
US10050165B2 (en) | 2016-04-12 | 2018-08-14 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic system with non-uniformly cooled photovoltaic cells |
CN106130462A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-11-16 | 中天储能科技有限公司 | 高散热太阳能电池组件 |
WO2024091112A1 (en) * | 2022-10-24 | 2024-05-02 | Technische Universiteit Delft | Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules |
CN116094423B (zh) * | 2023-04-10 | 2023-07-14 | 徐州佳悦阳电力科技有限公司 | 光伏发电装置、光伏车辆及光伏船 |
CN116633259B (zh) * | 2023-07-20 | 2023-09-29 | 江苏晶道新能源科技有限公司 | 一种太阳能光伏发电装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129790A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-16 | Toshiba Corp | ヒートシンク装置 |
JPH09186353A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fujikura Ltd | 太陽電池モジュール |
JPH11261096A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Honda Motor Co Ltd | 集光型太陽光発電装置 |
US6262359B1 (en) * | 1999-03-17 | 2001-07-17 | Ebara Solar, Inc. | Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof |
US6385972B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-05-14 | Oscar Lee Fellows | Thermoacoustic resonator |
JP2002289900A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Canon Inc | 集光型太陽電池モジュール及び集光型太陽光発電システム |
US6898082B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-05-24 | Serguei V. Dessiatoun | Enhanced heat transfer structure with heat transfer members of variable density |
US20070095384A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Farquhar Donald S | Photovoltaic modules and interconnect methodology for fabricating the same |
DE102006013017B4 (de) * | 2006-03-20 | 2014-11-06 | R. Stahl Schaltgeräte GmbH | Gehäuse mit Wärmebrücke |
JP4794402B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-10-19 | シャープ株式会社 | 太陽電池および集光型太陽光発電ユニット |
US20080134497A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Sunmodular, Inc. | Modular solar panels with heat exchange & methods of making thereof |
US20080135090A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Sunmodular, Inc. | Solar roof tiles with heat exchange and methods of making thereof |
US7539019B2 (en) * | 2007-07-31 | 2009-05-26 | Adc Telecommunications, Inc. | Apparatus for transferring heat from a heat spreader |
US20090293862A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Bailey Wayne E | Solar thermal collector cabinet and system for heat storage |
-
2009
- 2009-06-30 KR KR1020090058789A patent/KR101072094B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-06-30 EP EP10794348.2A patent/EP2450965B1/en not_active Not-in-force
- 2010-06-30 WO PCT/KR2010/004227 patent/WO2011002213A2/ko active Application Filing
- 2010-06-30 CN CN201080029306.XA patent/CN102473766B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-30 JP JP2012517407A patent/JP5730299B2/ja active Active
- 2010-06-30 US US13/321,743 patent/US20120060921A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013042965A1 (en) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell |
KR101665400B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2016-10-12 | 우석대학교 산학협력단 | 태양광 발전장치 |
CN112018204A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-01 | 孙文 | 一种太阳能电池片及太阳能电池板 |
CN113066881A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-07-02 | 江苏新源太阳能科技有限公司 | 一种太阳能光伏幕墙及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012532443A (ja) | 2012-12-13 |
CN102473766B (zh) | 2016-08-17 |
WO2011002213A2 (ko) | 2011-01-06 |
WO2011002213A3 (ko) | 2011-04-14 |
US20120060921A1 (en) | 2012-03-15 |
KR101072094B1 (ko) | 2011-10-10 |
EP2450965B1 (en) | 2014-10-22 |
EP2450965A4 (en) | 2012-11-21 |
EP2450965A2 (en) | 2012-05-09 |
JP5730299B2 (ja) | 2015-06-10 |
CN102473766A (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101072094B1 (ko) | 태양광 발전장치 및 그의 제조방법 | |
US20080110490A1 (en) | Photovoltaic connection system | |
US10168041B2 (en) | Light fixture | |
TW201108428A (en) | Concentrated photovoltaic system receiver for III-V semiconductor solar cells | |
CN101983434A (zh) | 高散热效率太阳能电池装置 | |
CN201599745U (zh) | 一种led灯具及led灯具的基板 | |
RU2563551C2 (ru) | Метод и устройство термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (мртv) высокой степени с субмикронным зазором | |
US20100037931A1 (en) | Method and Apparatus for Generating Electric Power Using Solar Energy | |
US20100224250A1 (en) | Solar cell device structure | |
KR20160002710U (ko) | Led 플립 칩 패키지를 위한 led 패키지 조립체와 구리 시트를 구비하는 부유식 히트 싱크 서포트 | |
CN109787084B (zh) | 一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法 | |
JP2013207079A (ja) | 集光型太陽光発電パネル及び集光型太陽光発電装置 | |
TW201320877A (zh) | 熱管理裝置及電子設備 | |
JP6292266B2 (ja) | 集光型太陽光発電パネル及び集光型太陽光発電装置 | |
KR20090095823A (ko) | 태양전지 어셈블리 | |
KR101305849B1 (ko) | 태양전지 모듈 | |
CN212161849U (zh) | 一种led芯片 | |
US20120227937A1 (en) | Heat dissipation structure for photovoltaic inverter | |
CN106100573A (zh) | 接线片及应用其的光伏组件接线盒 | |
JP2011071462A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2002170975A (ja) | 半導体素子搭載用基板及び該基板を使用した半導体デバイス | |
CN205986763U (zh) | 接线片及应用其的光伏组件接线盒 | |
KR20100011368U (ko) | 태양광 모듈의 냉각장치 | |
CN212673157U (zh) | 一种高导热性的led灯散热灯座 | |
CN212323011U (zh) | 一种光伏组件及光伏发电系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150904 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160905 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170905 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180910 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190916 Year of fee payment: 9 |