KR20100127270A - 동적(기판 이동) 플라스마 프로세싱을 위한 선형 플라즈마 소스 - Google Patents

동적(기판 이동) 플라스마 프로세싱을 위한 선형 플라즈마 소스 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판이 일반적으로 처리 챔버를 통하여 이동할 때 기판상으로 층을 증착하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판은 롤 투 롤 시스템을 따라 이동할 수 있다. 롤 투 롤 시스템은 기판이 프로세싱되고 이어서 프로세싱 후 제 2 롤 상으로 다시 감길 수 있도록 제 1 롤로부터 풀릴 수 있는 시스템이다. 기판이 처리 챔버를 통하여 이동할 때, 플라즈마 소스는 플라즈마를 생성할 수 있다. 기판으로 인가되는 전기 바이어스는 플라즈마를 기판으로 끌어들여, 이에 따라 기판이 챔버를 통과할 때 기판 상으로 재료의 증착을 허용한다.

Description

동적(기판 이동) 플라스마 프로세싱을 위한 선형 플라즈마 소스 {LINEAR PLASMA SOURCE FOR DYNAMIC (MOVING SUBSTRATE) PLASMA PROCESSING}
본 발명의 실시예는 일반적으로 유기 발광 다이오드(OLED) 제조를 위한 롤 투 롤(roll to roll) 처리 장치에 관한 것이다.
OLED 디스플레이는 액정 디스플레이(LCD)에 비해, 더 빠른 반응 시간, 더 큰 시야 각, 더 높은 콘트라스트(contrast), 더 가벼운 중량, 더 적은 파워, 및 가요성 기판에 대한 수정가능성(amendability)의 관점에서 디스플레이 분야에서 최근에 상당한 관심을 얻고 있다. OLED에 이용되는 유기 재료에 부가하여, 또한 많은 폴리머 재료가 또한 소형 모듈, 가요성 유기 발광 다이오드(FOELD) 및 폴리머 발광 다오드(PLED) 디스플레이를 위해 개발된다. 이러한 다수의 유기 및 폴리머 재료는 얇은 평판 디스플레이(FPD), 전기 펌핑 유기 레이저, 및 유기 광학 증폭기와 같은, 다양하고 투명한 다중-칼라 디스플레이 분야에 대해 복합, 다중-층 장치를 이상적으로 제조하기 위해 기판의 열(range) 상의 복합, 다중-층 장치의 제조에 대해 융통적이다.
수 년에 걸쳐, 디스플레이 장치 상의 층은 상이한 기능을 수행하는 각각의 레이저로 다중 층 내로 전개되었다. 다중 기판 상으로 다중 층 증착은 다중 처리 챔버를 요구할 수 있다. 다중 처리 챔버를 통한 다중 기판 이송은 기판 처리량을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 기술 분야에서 기판 처리량이 최대화되고 기판 이송이 감소되는 것을 보장하기 위한 OLED 구조를 처리하기 위한 효과적인 방법 및 장치에 대한 요구가 있다.
본 발명은 일반적으로 기판이 처리 챔버를 통과하여 이동할 때 기판 상으로 층을 증착하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판은 롤 투 롤 시스템(roll to roll system)을 따라 이동할 수 있다. 롤 투 롤 시스템은 기판이 프로세싱될 수 있고 이어서 프로세싱 후 제 2 롤 상으로 다시 감길 수 있도록 기판이 제 1 롤로부터 풀릴 수 있는 시스템이다. 기판이 처리 챔버를 통하여 이동할 때, 플라즈마 소스는 플라즈마를 생성할 수 있다. 기판으로 인가되는 전기 바이어스는 기판으로 플라즈마를 끌어들여, 기판이 챔버를 통과하여 이동할 때 기판 상으로 재료의 증착을 허용한다.
일 실시예에서, 장치는 다수의 벽 및 상기 챔버 내에 배치되는 하나 또는 둘 이상의 회전가능한 공정 드럼을 가지는 기판 처리 챔버를 포함한다. 상기 장치는 또한 기판이 기판 처리 챔버를 통과하는 동안 기판 처리 챔버 내에 배치되고 이로부터 이격된 다수의 필터 블록을 포함하여 기판이 그 사이로 통과하도록 한다. 상기 기판은 또한 처리 챔버와 커플링되는 하나 또는 둘 이상의 뮤(mu)-플라즈마 소스를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 웨브-처리 장치는 기판 처리 챔버 및 기판 처리 챔버 내에 커플링되고 실질적인 선형 플라즈마를 점화시킬 수 있는 하나 또는 둘 이상의 뮤- 플라즈마 소스를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 웨브 처리 방법은 롤-투-롤 기판 이송 시스템 상으로 처리 챔버를 통하여 기판을 이동하는 단계를 포함한다. 처리 챔버는 기판이 그 사이로 이동하는 것을 허용하도록 이격되는 다수의 필터 블롯을 가진다. 상기 방법은 또한 기판으로부터 원격에 있는 실질적인 선형 플라즈마를 점화하도록 뮤-플라즈마 소스로 전기 바이어스를 인가하는 단계를 포함한다. 실질적인 선형 플라즈마는 기판 운동의 방향에 대해 실질적으로 수직하다. 상기 방법은 또한 기판이 챔버를 통하여 이동할 때 전기 바이어스를 기판을 인가하는 단계 및 플라즈마를 기판으로 끌어 들이는 단계 및 기판 상에 층을 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 상술된 특징이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에서 간단히 요약된 본 발명의 더욱 특별한 설명이 실시예를 참조할 수 있으며, 실시예들 중 일부가 첨부된 도면에 도시된다. 그러나, 첨부된 도면은 단지 본 발명의 통상적인 실시예들만 도시하고 따라서 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 고려되지 않으며, 본 발명에 대해 다른 동일하고 효과적인 실시예들만 인정될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 구조(100)이며,
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 챔버(200)의 단면도이며,
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 처리 챔버(300)의 단면도이며,
도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 처리 챔버(400)의 단면도이며,
도 4b는 도 4a의 처리 챔버(400)의 일 부분의 측 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 동일한 도면 부호는 가능하게는 도면에 공통하는 동일한 구성 요소를 나타내기 위해서 이용된다. 일 실시예의 구성 요소 및 피쳐(feature)는 추가의 인용 없이 다른 실시예에 유익하게 이용될 수 있다.
본 발명은 전체적으로 기판이 처리 챔버를 통하여 이동할 때 기판 상으로 층을 증착하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판은 롤 투 롤 시스템을 따라 이동할 수 있다. 롤 투 롤 시스텝은 기판이 프로세싱 처리될 수 있고 이어서 프로세싱 후 제 2 롤 상으로 다시 감겨질 수 있도록 제 1 롤로부터 풀릴 수 있는 시스템이다. 기판이 처리 챔버를 관통하여 이동할 때, 플라즈마 소스는 플라즈마를 생성할 수 있다. 기판이 챔버를 통하여 이동할 때 기판으로 인가되는 전기 바이어스(bias)는 플라즈마를 기판으로 끌어들여, 기판 상으로 재료의 증착을 허용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 구조(100)이다. 구조(100)는 기판(102)을 포함한다. 일 실시예에서, 기판(102)은 구조를 롤링하는 가요성 롤이다. 기판(102)이 롤 투 롤 기판으로서 설명되지만, 다른 구조가 소다 석회 유리 기판, 실리콘 기판, 반도체 웨이퍼, 다각형 기판, 대면적 기판, 및 평판 디스플레이 기판을 포함하는 OLED를 생산하기 위해 이용될 수 있다.
기판(102) 위에, 아노드(104)가 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 아노드(104)는 크롬, 구리, 또는 알루미늄을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 아노드(104)는 아연 산화물, 인듐-주석 산화물 등과 같은 투명한 재료를 포함할 수 있다. 아노드(104)는 약 200 옹스토롬 내지 약 2000 옹스트롬 사이의 두께를 가질 수 있다.
홀 주입 층(106)은 이어서 아노드(104) 위에 증착될 수 있다. 홀 주입(injection) 층(106)은 약 200 옹스트롬 내지 약 2000 옹스토롬 사이의 두께를 가질 수 있다. 일 실시에에서, 홀 주입 층(106)은 페닐렌디아민 구조를 가지는 직선형 사슬 저중합체를 가지는 재료를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 홀 주입 층(106)은 페닐렌디아민 구조를 가지는 분지 사슬 저중합체를 가지는 재료를 포함할 수 있다.
홀 운반 층(108)은 홀 주입 층(106) 위에 증착될 수 있다. 홀 운반 층(108)은 약 200 옹스토롬 내지 약 1000 옹스트롬 사이의 두께를 가질 수 있다. 홀 운반 층(108)은 디아민을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 홀 운반 층(108)은 에타놀-치환 벤지딘(NPB) 유도체를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 홀 운반 층(108)은 N,N'-디페닐-N, N'-비스(bis)(3-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-디아민(TPD)을 포함한다.
방사 층(110)은 홀 운반 층(108) 위에 증착될 수 있다. 방사 층(110)은 약 200 옹스트롬 내지 약 1500 옹스트롬의 두께로 증착될 수 있다. 방사 층(110)용 재료는 통상적으로 형광성 금속 킬레이트 복합물의 등급에 포함된다. 일 실시예에서, 방사 층은 8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(Alq3)을 포함한다.
전자 운반 층(112)은 방사 층(110) 위에 증착될 수 있다. 전자 운반 층(112)은 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 운반 층(112)은 옥신의 킬레이트 자체(또는 통상적으로 8-키놀리놀 또는 8-하이드록시퀴놀린으로 지칭됨)를 포함할 수 있다. 전자 운반 층(112)은 약 200 옹스트롬 내지 약 1000 옹스트롬 사이의 두께를 가질 수 있다.
전자 주입 층(114)은 전자 운반 층(112) 위에 증착될 수 있다. 전자 주입 층(114)은 약 200 옹스트롬 내지 약 1000 옹스트롬의 두께를 가질 수 있다. 전자 주입 층(114)은 알루미늄 및 알칼리 할로겐화물 중 하나 이상 또는 알칼리 토류 할로겐화물 중 하나 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 알칼리 할로겐화물은 리튬 불화물, 나트륨 불화물, 칼륨 불화물, 루비듐 불화물, 및 세슘 불화물으로부터 선택될 수 있고, 알칼리 토류 할로겐화물은 마그네슘 불화물, 칼슘 불화물, 스트론튬 불화물, 및 바륨 불화물이다.
캐쏘오드(116)는 전자 주입 층(114) 위에 증착될 수 있다. 캐쏘오드(116)는 금속, 금속의 혼합물, 또는 금속의 합금을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캐쏘오드(116)는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 및 알루미늄(Al)의 합금을 포함할 수 있다. 캐쏘오드(116)는 약 1000 옹스트롬 내지 약 3000 옹스트롬의 두께를 가질 수 있다. 전기 바이어스는 빛이 방사되어 기판(102)을 통하여 볼 수 있게 되도록 전원(118)에 의해 OLED 구조(100)로 공급될 수 있다. OELD 구조(100)의 유기 층은 홀 주입 층(106), 홀 운반 층(108), 방사 층(110), 전자 운반 층(112), 및 전자 주입 층(114)을 포함한다. 유기 층의 모든 5개의 층이 OLED 구조를 제조하기 위해 필요하지 않을 수 있다. 예를 들면, 소정의 경우, 홀 운반 층(108) 및 방사 층(110) 만이 요구된다.
장치 및 방법이 OLED 구조의 의미로 설명되었지만, 장치 및 방법은 소정의 웨브-프로세싱 장치를 생산하기 위해 이용될 수 있다. 예를 들면, 웨브-프로세싱 장치 및 방법은 가요성 인쇄 기판(FPCB), 디스플레이용 투명 상부 전극, 가요성 태양 전지, 가요성 디스플레이, 터치 스크린, 평판 디스플레이, 필드 이미터 디스플레이(field emitter display), 캐쏘오드 레이 튜브, 윈도우 필름, 윈도우 필름 캐피시터, 및 가요성 기판 상의 다른 장치를 제조하기 위해 이용될 수 있다.
도 2a는 일 실시예에 따른 처리 챔버(200)의 단면도이다. 도 2b는 챔버 벽 및 소정의 필러(filler; 214)가 명료성을 위해 제거된 도 2a의 처리 챔버(200)의 사시도이다. 롤 투 롤 시스템을 따라 이동하는 기판(202)은 제 1 측부를 통하여 그리고 화살표 A로 도시된 바와 같이 제 1 방향으로 회전하는 롤러(206) 위로 챔버(200)로 들어간다. 기판(202)은 제 1 방향에 대해 반대인 화살표 B로 도시된 방향으로 액슬(208)을 중심으로 회전되는 드럼(204)에 의해 하향된다. 이어서 기판(202)은 챔버(200)를 나오기 전에 또 다른 롤러(206) 위로 그리고 상방으로 롤링된다.
플라즈마 소스는 기판이 챔버를 통과할 때 기판 상에 층을 증착하기 위해 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 플라즈마 소스는 뮤(mu)-소스(220)를 포함할 수 있다. 뮤-소스는 플라즈마 튜브(226)를 둘러싸는 하나 또는 둘 이상의 강자성 링(222)을 포함할 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 전기 바이어싱 코일(224)은 강자성 링(222) 둘레에 감겨져 전원(232)으로 커플링될 수 있다. 전원(232)은 AC, DC, 또는 스위치형 DC 전원을 포함할 수 있다. 코일(224)은 다중-감김 코일을 포함할 수 있다. 뮤-소스(222)는 챔버(200)로 연장하는 다수의 아암(228)을 가진다. 플라즈마(230)는 튜브(226) 내 및 처리 챔버(200) 내의 두 개의 아암들(228) 사이에서 점화될 수 있다. 플라즈마(230)는 아암들(228) 사이로 연장하는 선형 라이너일 수 있다. 플라즈마(230)가 선형이기 때문에, 챔버 벽 상의 원하지 않는 증착이 감소될 수 있다.
드럼(204)은 또한 AC, DC, 또는 스위치형-DC 전원일 수 있는 전원(210, 212)에 의해 전기적으로 바이어싱될 수 있다. 드럼(204)으로의 전기 바이어스는 기판이 드럼(204)의 외측면을 따라 이동할 때 기판(202)으로 전기 바이어스를 제공한다. 드럼(204)으로의 전기 바이어스는 플라즈마(230)를 기판(202)으로 끌여들여 기판이 드럼(204) 둘레를 회전할 때 기판(202) 상에 층을 증착하도록 한다.
기판(202)으로부터 멀리서 플라즈마(230)를 점화함으로써, 기판(202) 상의 전기 바이어스는 플라즈마(230)를 기판(202)으로 당겨서 기판(202) 상에 층을 증착할 수 있다. 따라서, 기판(202) 상의 전기 바이어스의 크기는 기판(202)으로 끌어들이는 플라즈마(203)의 양 및 이에 따라 재료가 기판(202) 상에 증착되는 비율(rate)을 결정할 수 있다. 기판(202) 상의 전기 바이어스의 크기는 필름 특성을 변경할 수 있다.
처리 챔버(200) 내의 어떠한 원하지 않는 증착을 최소화하기 위하여, 필러(214) 재료는 챔버(200)의 개방 영역에 배치될 수 있다. 기판이 화살표(C)에 의해 도시된 거리 만큼 챔버(200)를 통하여 이동할 때, 필러(214)는 기판(202)으로부터 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 필러(214)와 기판(202) 사이의 거리는 플라즈마의 암대(dark space) 보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 거리는 약 30 mm 보다 작을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 거리는 약 10 mm 보다 작을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 거리는 약 2 mm일 수 있다. 일 실시예에서, 필러(214)는 유전체 재료일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 필러(214)는 금속을 포함할 수 있다. 드럼(204) 및 필러(214)는 합쳐서 처리 챔버 용적의 약 90 퍼센트를 포함할 수 있다. 필러(214)는 뮤-소스(220)와 기판(202) 사이의 가시 경로의 라인을 차단하지 않을 수 있다. 필러(214)는 챔버(200)의 소정의 미리결정된 영역 내로 플라즈마(203)를 제한하여 기생 플라즈마(parasitic plasma) 형성을 감소시키기 위해 이용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 챔버(300)의 단면도이다. 기판(302)은 챔버(300) 내로 들어가서 하나 또는 둘 이상의 롤러(306) 위로 통과한다. 기판(302)은 또한 롤러(306)의 반대 방향으로 회전하는 드럼(304)의 외측면을 따라 통과한다. 드럼(304)은 하나 또는 둘 이상의 전원(310, 312)으로부터 공급된 전력에 의해 전기적으로 편향될 수 있다. 전원(301, 312)은 DC, AC, 또는 스위치형 DC일 수 있다. 상술된 실시예에 유사하게, 필러(314)는 처리 챔버(300)로 배치될 수 있다. 플라즈마 소스에 대해, 코일(316)은 챔버(300)에 유도 커플링될 수 있다. 코일(316)은 코일(316)을 따라 유동하도록 RF 또는 스위치형-DC 전류에 대해 RF 전원(320)으로 커플링될 수 있다. 처리 가스는 처리 가스 소스(318)로부터 유입될 수 있다. 전기 편향 코일(316)은 증착을 위해 기판(302)으로 끌어들여 질 수 있는 플라즈마(308) 내로 처리 가스를 점화할 수 있다. 코일(316)이 처리 챔버(300) 내부에 도시되지만, 코일(316)이 유전체 윈도우(322)를 통하여 챔버(300) 외부로부터 챔버(300)로 커플링될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 드럼(304)에서 기판(302) 상의 전기 바이어스는 플라즈마(308)를 증착을 위해 기판(302)으로 당길 수 있다.
도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 처리 챔버(400)의 단면도이다. 도 4b는 도 4a의 처리 챔버(400)의 일 부분의 측 단면도이다. 기판(402)은 챔버(400)로 들어가서 하나 또는 둘 이상의 롤러(406) 뿐만 아니라 회전하는 드럼(404)의 외측면 위로 통과한다. 드럼(404)은 롤러(406)와 반대 방향으로 회전한다. 필러(414)는 도 2a 및 도 2b에 대해 위에서 설명된 바와 같이 챔버(414) 내에 존재할 수 있다. 드럼(404)은 하나 또는 둘 이상의 전원(410, 412)으로부터 전류로 전기적으로 바이어스될 수 있다. 전원(410, 412)은 스위치형-DC, AC, 또는 DC 전력을 포함할 수 있다. 플라즈마(420)는 마이크로파 소스(418)에 의해 챔버(400) 내에서 점화될 수 있다. 가스는 가스 매니폴드(416)로부터 챔버(400) 내로 공급될 수 있다. 드럼(404)에서 기판(402) 상의 전기 바이어스는 플라즈마를 증착을 위해 기판(402)으로 당겨질 수 있다.
OLED 증착을 위해 이동하는 기판 상으로의 재료 증착은 기판으로부터 원격에 있는 플라즈마를 점화하고 기판이 플라즈마를 지나 롤링할 때 기판을 전기적으로 바이어싱함으로써 수행될 수 있다. 이와 같이 함으로써, 플라즈마는 증착을 발생시키기 위해 기판으로 당겨질 수 있다. 따라서, 기판은 그 위에 층을 증착하기 위해 필요하지만 플라즈마로 과노출되지 않는 플라즈마의 양만을 당긴다.
전술된 것은 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 추가의 양이 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 발명될 수 있으며, 본 발명의 범위는 다음의 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 다수의 벽을 가지는 기판 처리 챔버;
    상기 기판 처리 챔버 내에 배치되는 하나 또는 둘 이상의 회전가능한 공정 챔버;
    상기 기판 처리 챔버 내에 배치되고 상기 기판이 상기 기판 처리 챔버를 통과하는 동안 상기 기판이 그 사이로 통과하는 것을 허용하도록 이격되는 다수의 필러 블록(filler block); 및
    상기 기판 처리 챔버와 커플링되는 하나 또는 둘 이상의 뮤(mu)-플라즈마 소스를 포함하는,
    장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 챔버를 통과하는 기판과 상기 다수의 필러 블록 사이의 거리가 플라즈마 암대(dark space) 보다 작은,
    장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 필러 블록 및 상기 하나 또는 둘 이상의 회전가능한 공정 블록은 합쳐서 상기 기판 처리 챔버의 용적의 약 90%를 포함하며, 상기 하나 또는 둘 이상의 회전가능한 공정 드럼과 상기 하나 또는 둘 이상의 뮤-플라즈마 소스 사이의 가시 경로의 라인 내에 필러 블록이 배치되지 않는,
    장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 뮤-플라즈마 소스는:
    상기 다수의 챔버 벽 중 하나 또는 둘 이상에 커플링되는 플라즈마 튜브; 및
    상기 플라즈마 튜브 내부에 유도-커플링 플라즈마를 발생시키기 위한 수단을 포함하는,
    장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 플라즈마 튜브 내부에 유도-커플링 플라즈마를 발생시키기 위한 수단은:
    상기 플라즈마 튜브를 실질적으로 둘러싸는 하나 또는 둘 이상의 강자성 블록: 및
    상기 하나 또는 둘 이상의 강자성 블록을 실질적으로 둘러싸는 하나 또는 둘 이상의 구동 코일을 포함하는,
    장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 플라즈마 튜브는 중앙 바디로부터 연장하는 두 개의 아암 부분을 더 포함하며, 각각의 아암의 단부는 상기 챔버 벽에 커플링되는,
    장치.
  7. 웨브-처리 장치로서,
    기판 처리 챔버; 및
    상기 기판 처리 챔버와 커플링되고 실질적인 선형 플라즈마를 점화할 수 있는 하나 또는 둘 이상의 뮤-플라즈마 소스를 포함하는,
    웨브-처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 뮤-플라즈마 소스는:
    상기 기판 처리 챔버에 커플링되는 플라즈마 튜브;
    상기 플라즈마 튜브를 실질적으로 둘러싸는 하나 또는 둘 이상의 강자성 블록; 및
    상기 하나 또는 둘 이상의 강자성 블록을 실질적으로 둘러싸는 하나 또는 둘 이상의 구동 코일을 포함하는,
    웨브-처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 플라즈마 튜브는 중앙 바디로부터 연장하는 두 개의 아암 부분을 더 포함하고, 상기 각각의 아암의 단부는 상기 기판 처리 챔버에 커플링되는,
    웨브 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하나 또는 둘 이상의 구동 코일과 커플링되는 RF 전원을 더 포함하고, 상기 하나 또는 둘 이상의 구동 코일은 다중-감김 코일을 포함하는,
    웨브-처리 장치.
  11. 웨브-처리 방법으로서,
    기판을 처리 챔버를 통하여 롤-투-롤(roll-to-roll) 기판 이송 시스템 상으로 이동시키는 단계로서, 상기 처리 챔버는 상기 기판이 그 사이로 이동하도록 이격되어 있는 다수의 필러 블록을 가지는, 단계;
    상기 기판으로부터 원격에 있는 실질적인 선형 플라즈마를 점화하도록 뮤-플라즈마 소스에 전기 바이어스를 인가하는 단계로서, 상기 실질적인 선형 플라즈마는 상기 기판 이동의 방향에 대해 실질적으로 수직한, 단계;
    전기 바이어스를 상기 기판으로 인가하고 상기 플라즈마를 상기 기판으로 끌어들이는 단계; 및
    상기 기판이 상기 처리 챔버를 통하여 이동할 때 상기 기판상에 층을 증착하는 단계를 포함하는,
    웨브-처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    하나 이상의 공정 드럼을 상기 처리 챔버 내에서 제 1 방향으로 회전시키고 하나 이상의 다른 공정 드럼을 상기 처리 챔버 내에서 상기 제 1 방향에 대해 반대되는 제 2 방향으로 회전시키는 단계를 더 포함하는,
    웨브-처리 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 뮤-플라즈마 소스는:
    상기 처리 챔버에 커플링되는 플라즈마 튜브;
    상기 플라즈마 튜브를 실질적으로 둘러싸는 하나 또는 둘 이상의 강자성 블록; 및
    상기 하나 또는 둘 이상의 강자성 블록을 실질적으로 둘러싸는 하나 또는 둘 이상의 구동 코일을 포함하며,
    상기 방법은 전기 바이어스를 상기 하나 또는 둘 이상의 구동 코일로 인가하는 단계를 더 포함하는,
    웨브-처리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 플라즈마 튜브는 중앙 바디로부터 연장하는 두 개의 아암 부분을 더 포함하고 각각의 아암의 단부는 상기 처리 챔버와 커플링되고, 상기 플라즈마는 상기 처리 챔버 내에서 점화되고 상기 각각의 아암의 단부들 사이로 연장하는,
    웨브-처리 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판상에 층을 증착하도록 상기 플라즈마를 상기 기판으로 당기는 단계를 더 포함하는,
    웨브-처리 방법.
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