KR20100121301A - Ejecting device of semiconductor die and method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 다이 이젝팅 장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor die ejecting apparatus and a method thereof.
급변하는 반도체 시장은 기업들에게 기술력의 획기적 도약을 끊임없이 요구해 왔으며, 그 결과 현재에는 웨이퍼의 두께를 3mil에서 2mil, 또는 그 이하로 끌어 내리려는 시도를 가속화시키고 있다.The fast-changing semiconductor market has continually demanded companies a quantum leap in technology, which is now accelerating attempts to pull wafers from 3 mils to 2 mils or less.
상기 웨이퍼는 각각의 반도체 다이로 분리되기 위하여 소잉(sawing)되고, 소잉된 각각의 반도체 다이는 전기적 연결을 위해 리드 프레임 또는 회로기판에 접착된다.The wafer is sawed to separate into each semiconductor die, and each sawed semiconductor die is bonded to a lead frame or circuit board for electrical connection.
한편, 이때 소잉된 개별 반도체 다이는 이젝팅 장치 및 픽업 기구에 의해 접착 테이프에 부착된 웨이퍼로부터 낱개의 반도체 다이로 분리되어 리드프레임 등에 접착된다. 여기서, 종래의 이젝팅 장치는 핀 푸시 타입(pin push type)이다. 즉, 이젝팅 장치로부터 다수의 핀이 올라와 접착 테이프의 하면을 상부 방향으로 밀어 올리는 방식이다. 상기 핀 푸시 타입의 이젝팅 장치의 핀 셋업은 반도체 다이의 사이즈에 따라 최적의 수량으로 셋업된다.On the other hand, the sawed individual semiconductor die is separated from the wafer attached to the adhesive tape by the ejecting apparatus and the pick-up mechanism into individual semiconductor dies and bonded to the lead frame or the like. Here, the conventional ejecting device is a pin push type. That is, a plurality of pins are raised from the ejecting device to push up the lower surface of the adhesive tape upward. The pin setup of the pin push type ejection apparatus is set up in an optimal quantity according to the size of the semiconductor die.
그러나, 이러한 종래의 핀 푸시 타입 이젝팅 장치는 단순히 다수의 핀이 접착 테이프를 아래에서 위로 밀어 올리는 방식으로 구동하기 때문에, 접착 테이프로부터 반도체 다이가 잘 분리되지 않는 문제가 있다. 이러한 현상은 웨이퍼가 얇아짐에 따라 더욱 빈번하게 발생한다. 더욱이, 웨이퍼가 더욱 얇아짐에 따라, 반도체 다이의 분리 공정시 상기 핀 푸시 타입 이젝팅 장치의 접촉 충격에 의해 반도체 다이가 깨지는 현상도 발생한다. 이와 같이 반도체 다이가 접착 테이프로부터 잘 분리되지 않거나 깨지면, 이후 픽업 툴이 상기 반도체 다이를 픽업하지 못함으로써, 후속 공정인 다이 어태치 공정이 진행되지 않게 된다.However, such a conventional pin push type ejecting device has a problem in that the semiconductor die is not easily separated from the adhesive tape because a plurality of pins are driven by simply pushing the adhesive tape up from the bottom. This phenomenon occurs more frequently as the wafer becomes thinner. Moreover, as the wafer becomes thinner, a phenomenon occurs in which the semiconductor die is broken by the contact impact of the pin push type ejecting device during the separation process of the semiconductor die. As such, if the semiconductor die is hardly separated or broken from the adhesive tape, then the pick-up tool cannot pick up the semiconductor die, so that the die attach process, which is a subsequent process, does not proceed.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 접착 테이프에 부착된 웨이퍼로부터 반도체 다이의 분리 효율을 향상시키고, 반도체 다이의 깨짐 현상도 방지할 수 있는 반도체 다이 이젝팅 장치 및 그 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to improve the separation efficiency of a semiconductor die from a wafer attached to an adhesive tape and to prevent the semiconductor die from breaking. And to provide a method.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 다이 이젝팅 장치는 상하 방향으로 통공이 형성된 메인 바디; 상기 메인 바디의 통공에 결합되어 승강되는 센터 푸셔; 상기 센터 푸셔의 상부에 판 형태로 결합된 베이스; 상기 베이스의 중앙에 결합된 동시에 봉 형태로 상부를 향하여 연장된 센터 블록; 상기 센터 블록의 양측으로서, 내측에 가이드 홈이 형성된 채 상기 베이스에 결합된 가이드 레일; 상기 센터 블록의 양측으로서, 상기 가이드 레일을 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 대향되는 양측에 가이드 돌기가 형성된 핑거; 상기 핑거의 양측에 위치되고, 내측에 경사진 수직 방향의 가이드 홈이 형성되어 상기 가이드 돌기에 결합된 가이드; 및, 상기 가이드를 덮으며 상기 메인 바디에 결합되고, 상기 핑거가 상부로 노출되도록 개구가 형성된 커버를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention includes a main body having a through hole formed in an up and down direction; A center pusher coupled to and lifted through the opening of the main body; A base coupled to the upper portion of the center pusher in the form of a plate; A center block coupled to the center of the base and extending upwardly in the form of a rod; Two sides of the center block, guide rails coupled to the base with guide grooves formed therein; Fingers on both sides of the center block movably coupled in a horizontal direction along the guide rail and having guide protrusions formed on opposite sides thereof; Guides positioned on both sides of the finger and having a guide groove in a vertical direction inclined therein and coupled to the guide protrusion; And a cover covering the guide and coupled to the main body and having an opening formed so that the finger is exposed upward.
상기 센터 블록은 표면에 경사면이 형성되고, 상기 핑거의 내측에는 단턱이 형성됨으로써, 상기 센터 블록이 상승하면 상기 경사면이 상기 단턱에 밀착되어, 상기 핑거도 함께 상승한다.The center block has an inclined surface formed on a surface thereof, and a stepped portion is formed inside the finger. When the center block rises, the inclined surface adheres to the stepped portion, and the finger also rises.
상기 가이드의 가이드 홈은 상기 센터 블록을 향하여 상부 방향으로 경사져 형성되어 있음으로써, 상기 핑거가 상승하면 상기 핑거가 상기 센터 블록을 향하여 경사진 상부 방향으로 슬라이딩한다.The guide groove of the guide is formed to be inclined upward toward the center block, so that when the finger is raised, the finger slides in an upward direction inclined toward the center block.
상기 가이드 레일과 상기 핑거에는 각각 레일 홈이 형성되고, 상기 각 레일 홈에는 베어링이 개재된다.Rails are formed in the guide rail and the finger, respectively, and bearings are interposed in the rail grooves.
상기 핑거는 상기 커버의 개구를 통해 돌출되어, 웨이퍼가 안착된 접착 테이프의 하면을 수평 방향으로 잡아 당기는 동시에 수직 방향으로 밀어 올리는 스크래퍼가 더 구비된다.The finger protrudes through the opening of the cover, and further includes a scraper that pulls up the lower surface of the adhesive tape on which the wafer is seated in the horizontal direction and pushes it up in the vertical direction.
상기 스크래퍼는 최내측면이 가장 높고, 최외측면이 가장 낮으며, 상기 최내측면과 상기 최외측면 사이에 경사면이 형성된다.The scraper has the highest innermost surface, the lowest outermost surface, and an inclined surface is formed between the innermost surface and the outermost surface.
상기 센터 푸셔와 상기 메인 바디 사이에는 리턴 스프링이 더 결합된다.A return spring is further coupled between the center pusher and the main body.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 접착 테이프 위에 부착되어 낱개의 반도체 다이로 소잉된 웨이퍼로부터 낱개의 반도체 다이를 이젝팅하는 방법에 있어서, 상기 낱개의 반도체 다이와 대응되는 영역의 접착 테이프를 상호 이격된 거리에서 상호 가까워지는 수평 방향으로 잡아 당기는 동시에, 상기 접착 테이프를 수직 방향으로 밀어 올려 낱개의 반도체 다이가 접착 테이프로부터 분리되도록 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of ejecting a single semiconductor die from a wafer attached to an adhesive tape and sawed into a single semiconductor die, wherein the space between the respective semiconductor die and the adhesive tape in the corresponding area is mutually spaced. While pulling in the horizontal direction closer to each other at a predetermined distance, the adhesive tape is pushed up in the vertical direction so that each semiconductor die is separated from the adhesive tape.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 및 그 방법은 접착 테이프에 밀착된 후 접착 테이프를 수평 방향으로 밀면서 동시에 상부로 밀어 냄으로써, 접착 테이프에 부착된 웨이퍼로부터 낱개의 반도체 다이가 잘 떨어진다. 더욱이, 접착 테이프에 수평 방향 및 수직 방향의 힘이 동시에 작용함으로써, 반도체 다이에 작용하는 힘이 분산됨으로써 반도체 다이의 깨짐 현상도 크게 줄어 든다.As described above, the semiconductor die ejecting apparatus and the method according to the present invention are closely adhered to the adhesive tape and then pushed upward in the horizontal direction while simultaneously pushing the adhesive tape upwards, so that the individual semiconductor dies are easily removed from the wafer attached to the adhesive tape. Falls. Moreover, the horizontal and vertical forces act simultaneously on the adhesive tape, whereby the force acting on the semiconductor die is dispersed, thereby greatly reducing the phenomenon of cracking of the semiconductor die.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치를 도시한 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view showing a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치(100)는 메인 바디(110), 센터 푸셔(120), 베이스(130), 센터 블록(140), 가이드 레일(150), 핑거(160), 가이드(170) 및 커버(180)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the semiconductor die ejecting
상기 메인 바디(110)는 내부에 다수의 구성 요소들이 수납될 수 있도록 상하 방향으로 관통된 통공(111)이 구비되어 있다.The
상기 센터 푸셔(120)는 상기 메인 바디(110)의 통공(111)에 결합되어 있다. 상기 센터 푸셔(120)는 종래와 같은 승강 부재에 의해 상기 메인 바디(110)의 통공(111) 내에서 상하 방향으로 승강된다. 여기서, 상기 메인 바디(110)와 상기 센터 푸셔(120) 사이에는 리턴 스프링(122)이 더 결합될 수 있다. 따라서, 상기 센터 푸셔(120)가 종래와 같은 승강 부재에 의해 상승된 이후에는, 상기 리턴 스프링(122)에 의해 원래 위치로 복귀한다.The
상기 베이스(130)는 상기 센터 푸셔(120)의 상부에 판 형태로 결합되어 있다. 따라서, 상기 베이스(130)는 상기 센터 푸셔(120)와 함께 승강된다.The
상기 센터 블록(140)은 상기 베이스(130)에 상부 방향을 향하여 일정 길이의 봉 형태로 연장 및 결합되어 있다. 상기 센터 블록(140)은 최종적으로 하기할 핑거(160)를 가이드(170)보다 더 높은 위치까지 상승시키는 역할을 한다. 이는 아래에서 다시 설명한다.The
상기 가이드 레일(150)은 상기 베이스(130)의 상면으로서 대향되는 양측에 서로 이격되어 결합되어 있다.The
상기 핑거(160)는 상기 센터 블록(140)의 양측으로서, 상기 가이드 레일(150)에 베어링을 통하여 결합되어 있다. 따라서, 상기 핑거(160)는 기본적으로 수평 운동이 가능하다. 또한, 상기 핑거(160)는 가이드 돌기를 통하여 하기할 가이드(170)에 결합되어 있다. 따라서, 상기 핑거(160)는 수직 운동이 가능하다.The
상기 가이드(170)는 상기 핑거(160)의 대향되는 양측에 위치되어 있다. 또한, 상기 가이드(170)는 내측에 경사진 수직 방향의 가이드 홈이 형성된 채 상기 핑거(160)의 가이드 돌기와 결합되어 있다. 따라서, 상기 핑거(160)는 상기 가이드(170)의 가이드 홈을 따라 수직 및 수평 방향으로 슬라이딩 가능하게 되어 있다.The
상기 커버(180)는 상기 메인 바디(110)에 결합되고, 상기 가이드(170)의 상승 높이를 제한하는 역할을 한다. 또한 상기 메인 바디(110)에는 상기 핑거(160)가 상부로 노출될 수 있도록 개구(開口)가 형성되어 있다.The
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 핑거와 가이드 사이의 결합 상태 및 동작 상태를 도시한 것이다.2A and 2B illustrate a coupling state and an operating state between a finger and a guide in the semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 2a 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 핑거(160)는 서로 이격되어 대향되는 양측에 돌출된 가이드 돌기(165)가 형성되어 있고, 상기 가이드 돌기(165)와 대응되는 가이드(170)의 내측에는 경사진 수직 방향의 가이드 홈(171)이 형성되어 있다. 또한, 한쌍의 핑거(160) 사이에는 봉 형태의 센터 블록(140)이 위치되어 있다. 여기서, 상기 센터 블록(140)에는 경사면(141)이 형성되어 있고, 상기 핑거(160)의 내측에는 단턱(164)이 형성되어 있다. 따라서, 수직 상승 동작시 최초에는 센터 푸셔(120)의 동작에 의해 상기 핑거(160)와 가이드(170)가 함께 상승하며, 이후 상기 가이드(170)가 커버(180)에 의해 상승 높이가 제한되면, 상기 센터 블록(140)의 경사면(141)이 상기 핑거(160)의 단턱(164)에 결합되어, 센터 블록(140)이 핑거(160)를 상부로 더 밀어 올리게 된다. 이때, 상기 핑거(160)의 가이드 돌기(165)와 상기 센터 블록(140)의 가이드 홈(171) 사이의 결합 구조에 의해, 핑거(160)가 가이드(170)로부터 슬라이딩 되며 상부로 상승한다. 즉, 상기 핑거(160)는 가이드(170)로부터 수직 방향인 동시에 수평 방향으로 상승한다. 따라서, 상기 핑거(160)의 상단에 형성된 스크래퍼(162)는 수평 방향으로 움직이는 동시에 수직 방향으로 상승한다. 이에 따라, 스크래퍼(162)는 웨이퍼가 부착된 접착 테이프를 수평 방향으로 밀어내는 동시에, 수직 방향으로 밀어내며 상승한다.As shown in Figure 2a and 2c, the
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 메인 바디를 도시한 것이다.3A and 3B illustrate a main body of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 메인 바디(110)는 대략 원통 형태로서, 내부에 각종 구성 요소가 위치할 수 있도록 상하 방향으로 통공(111)이 형성되어 있다. 또한, 상기 메인 바디(110)의 내측에는 하기할 센터 푸셔(120)가 안착될 수 있도록 걸림턱(112)이 더 형성되어 있다. 또한, 이러한 메인 바디(110)에는 상단의 둘레에 커버(180)가 결합된다.As shown in FIGS. 3A and 3B, the
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 센터 푸셔를 도시한 것이다.4A and 4B illustrate a center pusher in a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 센터 푸셔(120)는 상기 메인 바디(110)에 결합되어 상하 방향으로 승강될 수 있도록 되어 있다. 또한, 상기 센터 푸셔(120)는 둘레에 상기 메인 바디(110)의 걸림턱(112)에 안착될 수 있도록 걸림 판(121)이 구비되어 있다. 따라서, 상기 센터 푸셔(120)는 상기 메인 바디(110)의 걸림턱(112)의 하부로 더 이상 하강하지 않는다.As shown in FIGS. 4A and 4B, the
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 베이스를 도시한 것이다.5A and 5B illustrate a base of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 베이스(130)는 대략 판 형태로 형성되어 있다. 이러한 베이스(130)에는 하면에 상기 센터 푸셔(120)가 결합된다. 또한, 상기 베이스(130)에는 상면 양측에 하기할 가이드 레일(150)이 결합된다.As shown in FIGS. 5A and 5B, the
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 센터 블록을 도시한 것이다.6A and 6B illustrate a center block of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 센터 블록(140)은 대략 봉 형태로 형성되어 있다. 이러한 센터 블록(140)은 하단이 상기 베이스(130)의 대략 중앙에 결합된다. 또한, 상기 센터 블록(140)은 대략 중앙에 경사면(141)이 형성되어 있으며, 상기 경사면(141)은 상승시 상기 핑거(160)의 내부에 형성된 단턱(164)에 밀착된다. 또한, 상기 센터 블록(140)은 상단에 십자머리(142)가 형성되어 있으며, 상기 십자머리(142)는 센터 블록(140) 및 핑거(160)가 최상단에 위치되었을 때, 핑거(160)에 구비된 스크래퍼(162)의 사이에 위치된다. 물론, 이러한 핑거(160)의 십자머리(142)는 상기 센터 블록(140)의 핑거(160)보다 상부 방향으로 더 돌출되지는 않는다.As shown in FIGS. 6A and 6B, the
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 가이드 레일을 도시한 것이다.7A to 7C illustrate guide rails in a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이, 가이드 레일(150)은 일측에 가이드 홈(151)이 형성되어 있다. 또한, 상기 가이드 레일(150)은 상술한 바와 같이 베이스(130)의 대향되는 양측에 결합되고, 베어링(도시되지 않음)을 통하여 상기 핑거(160)와 결합된다. 따라서, 상기 가이드 레일(150)은 상기 핑거(160)의 수평 운동이 부드럽게 수행되도록 한다.As shown in Figure 7a to 7c, the
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 핑거를 도시한 것이다.8A-8C illustrate a finger of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 8a 내지 도 8c에 도시된 바와 같이, 핑거(160)는 바깥 표면에 수평 방향으로 가이드 홈(166)이 형성된 몸체(161)와, 상기 몸체(161)의 상단에 형성된 스크래퍼(162)를 포함한다. 상기 몸체(161)는 내부에 센터 블록(140)이 결합 및 분리되는 공간부(163)가 형성되어 있다. 상기 공간부(163)에는 내부에 단턱(164)이 형성되어 있으며, 상기 단턱(164)에는 센터 블록(140)의 경사면(141)이 밀착 또는 분리된다. 더불어, 상기 몸체(161)의 바깥 표면에는 상기 가이드(170)의 가이드 홈(171)에 결합되어 핑거(160)가 슬라이딩되도록 하는 가이드 돌기(165)가 형성되어 있다. 더불어, 상기 몸체(161)의 상단에는 웨이퍼가 안착된 접착 테이프를 수평 방향 및 수직 방향으로 동시에 밀어내는 스크래퍼(162)가 형성되어 있다. 상기 스 크래퍼(162)는 일측면이 가장 높고, 타측면이 가장 낮으며, 상기 일측면과 상기 타측면 사이에 경사면이 형성되어 있다. 더불어, 여기서 상기 핑거(160)의 몸체(161)에 형성된 가이드 홈(166)은 베어링(도시되지 않음)을 통하여 상기 가이드 레일(150)에 결합된다.As shown in FIGS. 8A to 8C, the
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 가이드를 도시한 것이다.9A to 9C illustrate a guide among semiconductor die ejecting apparatuses according to the present invention.
도 9a 내지 도 9c에 도시된 바와 같이, 가이드(170)는 내측에 서로 대향하는 두개의 가이드 홈(171)이 형성되어 있다. 또한, 상기 가이드 홈(171)은 수평 방향 및 수직 방향으로 동시에 경사지게 형성되어 있다. 즉 상기 가이드 홈(171)은 가이드(170)중 가상의 중심선에 근접한 영역이 가장 높고, 그 바깥 방향으로 갈수록 점차 낮아진다. 물론, 상기 가이드(170)는 2개가 구비되며, 이는 상기 핑거(160)의 외측에 각각 위치된다. 따라서, 이러한 가이드(170)는 상기 핑거(160)와 함께 센터 푸셔(120)에 의해 커버(180)의 하면에까지 상승한다. 그러나, 상기 커버(180)에 의해 상기 가이드(170)의 상승 높이는 제한된다. 상기 핑거(160)는 커버(180)에 형성된 개구(181)를 통하여 상부로 좀더 상승한다. 이때, 핑거(160)에 형성된 가이드 돌기(165)가 가이드(170)에 형성된 가이드 홈(171)에 결합되어 수평 및 수직의 경사진 방향으로 움직임으로써, 결국 핑거(160)의 스크래퍼(162)가 상기 커버(180)의 개구(181)를 통해 상부로 일정 높이 돌출된다. 물론, 이때 상기 스크래퍼(162)는 수평 운동도 한다.9A to 9C, the
도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 커버를 도시한 것이다.10A and 10B illustrate a cover of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 커버(180)는 상기 메인 바디(110)의 상단 둘레에 결합되어 있다. 또한, 상기 핑거(160)에 구비된 스크래퍼(162)가 외측으로 노출 및 돌출될 수 있도록 대략 중앙에 개구(181)가 형성되어 있다. 물론, 가이드(170)는 상기 커버(180)에 의해 상승 높이가 제한된다.As shown in FIGS. 10A and 10B, the
이와 같은 구성을 하는 본 발명에 의한 반도체 다이 이젝팅 장치(100)의 동작을 설명한다.The operation of the semiconductor die ejecting
먼저 메인 바디(110)는 고정되어 있고, 상기 메인 바디(110)의 통공(111)에 설치된 센터 푸셔(120)가 종래와 같은 승강 부재에 의해 상부로 상승한다. 물론, 상기 센터 푸셔(120)와 메인 바디(110) 사이에는 리턴 스프링(122)이 결합되어 있음으로써, 상기 승강 부재의 상승 동작이 정지하면 상기 센터 푸셔(120)는 원래의 위치로 복귀한다.First, the
상기와 같이 센터 푸셔(120)가 일정 거리 상승하면, 상기 센터 푸셔(120)에 결합된 베이스(130), 베이스(130)에 결합된 센터 블록(140) 및 베이스(130)에 결합된 가이드 레일(150) 역시 상부로 일정 높이 상승한다.When the
이와 같이 베이스(130), 센터 블록(140) 및 가이드 레일(150)이 상부로 일정 높이 상승하면, 상기 가이드 레일(150)에 결합된 핑거(160) 역시 상부로 일정 높이 상승한다.As such, when the
더불어, 상기 핑거(160)의 바깥에는 가이드(170)가 안착되어 있으므로, 상기 가이드(170) 역시 상부로 일정 높이 상승한다.In addition, since the
한편, 상기 가이드(170)는 상부로 상승하는 도중 커버(180)에 의해 그 상승 높이가 제한된다. 즉, 상기 가이드(170)의 상면에는 상기 메인 바디(110)에 고정된 커버(180)가 설치되어 있기 때문이다.Meanwhile, the rising height of the
여기서, 상기 핑거(160)는 가이드 레일(150)과 수평 이동 가능하게 결합된 동시에, 상기 가이드(170)에 경사진 상부 방향으로 이동 가능하게 결합되어 있다. 더욱이, 상기 핑거(160)는 한쌍이 구비되어 있으며, 한쌍의 중심을 향하여 수평 방향으로 서로 근접하는 동시에 상부로 이동 가능하게 상기 가이드(170)에 결합되어 있다. 더불어, 상기 한쌍의 핑거(160) 상단에는 스크래퍼(162)가 구비되어 있으며, 이러한 스크래퍼(162)는 커버(180)에 구비된 개구(181)를 통하여 수평 방향 및 상부 방향으로 움직일 수 있도록 되어 있다.Here, the
따라서, 비록 상기 가이드(170)는 상기 커버(180)에 의해 상승 동작이 제한되지만, 상기 핑거(160)에 설치된 스크래퍼(162)는 상기 개구(181)를 통하여 수평 방향 및 상부 방향으로 움직인다.Therefore, although the upward movement of the
이에 따라, 상기 한쌍의 스크래퍼(162)는 중심을 향하여 수평 방향으로 움직이는 동시에 상부 방향으로 움직임으로써, 소잉된 웨이퍼가 안착된 접착 테이프를 수평 방향으로 잡아 당기는 동시에 상부 방향으로 밀어 올리게 된다. 따라서, 상기 접착 테이프로부터 낱개의 반도체 다이가 용이하게 분리되는 동시에, 반도체 다 이의 깨짐 현상이 방지된다.Accordingly, the pair of
도 11a 및 도 11b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 방법을 도시한 것이다.11A and 11B illustrate a semiconductor die ejecting method according to the present invention.
도 11a에 도시된 바와 같이, 접착 테이프(10) 위에 부착되어 낱개의 반도체 다이(11)로 소잉된 웨이퍼(12)로부터 낱개의 반도체 다이(11)를 이젝팅하는 방법에 있어서, 먼저 본 발명은 상기 낱개의 반도체 다이(11)와 대응되는 영역의 접착 테이프(10)에 핑거(160)의 스크래퍼(162)가 상호 이격된 상태에서 밀착되도록 한다. 이어서, 도 11b에 도시된 바와 같이 스크래퍼(162)가 상호 이격된 거리에서 상호 가까워지는 수평 방향으로 움직이는 동시에, 상기 접착 테이프(10)를 수직 방향으로 밀어 올린다. 그러면, 상기 접착 테이프(10)로부터 낱개의 반도체 다이(11)가 분리되며, 이후 도시되지 않은 픽업 툴이 상기 반도체 다이(11)를 픽업해 간다.As shown in FIG. 11A, in the method of ejecting the individual semiconductor dies 11 from the
이와 같이 하여, 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 방법은 접착 테이프(10)를 수평 방향으로 잡아 당기는 동시에, 접착 테이프(10)를 상부 방향으로 밀어 올림으로써, 접착 테이프(10)로부터의 반도체 다이(11)가 쉽게 분리된다. 이와 같이 하여, 반도체 다이(11)의 분리 효율이 높아질 뿐만 아니라 두께2~3mil 이하의 반도체 다이(11)에 대한 깨짐 현상도 감소한다.In this way, the semiconductor die ejecting method according to the present invention pulls the
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 및 그 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗 어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing the semiconductor die ejecting apparatus and method thereof according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the present invention, anyone of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치를 도시한 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view showing a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 핑거와 가이드 사이의 결합 상태 및 동작 상태를 도시한 것이다.2A and 2B illustrate a coupling state and an operating state between a finger and a guide in the semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 메인 바디를 도시한 것이다.3A and 3B illustrate a main body of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 센터 푸셔를 도시한 것이다.4A and 4B illustrate a center pusher in a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 베이스를 도시한 것이다.5A and 5B illustrate a base of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 센터 블록을 도시한 것이다.6A and 6B illustrate a center block of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 가이드 레일을 도시한 것이다.7A to 7C illustrate guide rails in a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 핑거를 도시한 것이다.8A-8C illustrate a finger of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 가이드를 도시한 것이다.9A to 9C illustrate a guide among semiconductor die ejecting apparatuses according to the present invention.
도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 장치 중에서 커버를 도시한 것이다.10A and 10B illustrate a cover of a semiconductor die ejecting apparatus according to the present invention.
도 11a 및 도 11b는 본 발명에 따른 반도체 다이 이젝팅 방법을 도시한 것이다.11A and 11B illustrate a semiconductor die ejecting method according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
110; 메인 바디 111; 통공110;
112; 걸림턱 120; 센터 푸셔112; Hanging
121; 걸림판 130; 베이스121; Stopping
140; 센터 블록 141; 경사면140;
142; 십자머리 150; 가이드 레일142;
151; 레일 홈 160; 핑거151;
161; 몸체 162; 스크래퍼161;
163; 공간부 164; 단턱163;
165; 가이드 돌기 166; 레일 홈165;
170; 가이드 171; 가이드 홈170;
180; 커버 181; 개구180;
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