KR20100118625A - 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트 화합물 반도체 박막 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다음 화학식 1로 표시되는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체, 갈륨(Ga) 전구체 및 텔러륨(Te) 전구체를 동시에 진공 챔버의 기판으로 공급하여 제조함으로써 제조시간이 짧아 대량생산이 가능하고, 제조단가가 낮아 생산효율이 높으며, 대면적의 박막 제조가 가능하다.
화학식 1
CuxIny1Gay2Tez
상기 식에서, x는 1 이고, y1과 y2는 각각 0 ~ 1의 값을 가지며 y1 + y2 = 1의 관계를 만족하고, z는 2 이다.
태양전지, 반도체, 박막, 화학기상증착, CVD, 제조방법
Description
본 발명은 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막 및 이를 화학기상증착법을 이용하여 간단하고도 대면적으로 제조할 수 있는 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2족(Ⅰ: Ag, Cu ; Ⅲ:Al, Ga, In; Ⅵ:S, Se,Te) 화합물 반도체는 상온 대기압 하에서 켈로파이라이트(chalcopyrite) 구조를 가지고 있으며, 그 구성원소를 달리함에 따라 다양한 물성을 보여주기 때문에 폭 넓은 분야에서 응용되고 있다.
이러한 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2족 화합물 반도체는 1953년 Hahn 등에 의하여 처음 합성되었고, Goodman 등에 의하여 반도체로서 이용가능성이 제시된 이후, 적외선 검출기를 비롯하여 발광다이오드, 비선형광학소자 및 태양전지 등에 응용되고 있다.
이중에서 태양 전지에는, 상온에서 에너지 띠 간격(energy band gap)이 약 1~2.5 eV 이고, 선형 광흡수계수가 다른 반도체에 비하여 10 ~ 100배 정도 크기 때문에, CuInSe2(이하, "CIS"라고 함) 또는 CuIn1-xGaxSe2(이하, "CIGS"라고 함) 화합물 반도체가 많이 사용되고 있다.
특히, CIGS 박막을 사용하는 박막형 태양전지는 기존의 실리콘 결정을 사용하는 태양전지와는 달리 10㎛ 이하의 두께로 제작 가능하고 장시간 사용시에도 안정적인 특성을 갖고 있으며, 최근 박막형 태양 전지 중 가장 높은 19.5%의 에너지 변환 효율을 보임에 따라 실리콘 결정질 태양 전지를 대체할 수 있는 저가형 고효율 박막형 태양전지로 상업화 가능성이 아주 높은 것을 알려져 있다.
그런데 이러한 우수한 특성을 보이는 CIGS 박막의 태양전지는 구성요소 중 하나인 Se 전구체(SeH2, 셀렌화수소)의 폭발성, 유독성 때문에 산업화에 장애가 되고 있으며, 이를 해결하기 위해 높은 비용의 설비비를 필요로 한다. 이러한 높은 설비비는 곧 제조원가의 상승으로 작용하여 상업성을 떨어뜨리기 때문에 Se 전구체를 대체할 수 있는 물질의 개발이 필요하다.
본 발명에서는 구리-인듐-갈륨-셀레늄(CIGS)으로 이루어진 화합물 반도체 박막에서 Se의 위험성을 해결할 수 있는 새로운 화합물 반도체 박막과 대면적으로 비교적 간단하게 제조할 수 있는 제조방법을 제공하고자 한 것이다.
따라서, 본 발명에서는 CIGS 화합물 반도체 박막에서 상기 셀레늄을 텔러륨으로 대체하면서, 이의 제조시 화학기상증착법을 이용하여 본 발명의 화합물 반도체 박막을 구성하는 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 텔러륨 전구체를 동시에 첨가하는 방법으로 제조함으로써 안전성이 우수하고, 대면적이면서, 비교적 간단한 방법으로 CIGT 화합물 반도체 박막을 제조할 수 있게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 안전성이 우수한 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막을 제공하는 데 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 특성을 가지는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물을 화학기상증착법을 이용하여 비교적 간단하면서도 대면적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따르면 화학기상 증착법을 사용하여 구리, 인듐, 갈륨, 텔러륨 등 의 전구체를 동시에 챔버에 공급하여 CIGT 박막을 한 번에 제조하므로, 제조시간이 짧고, 생산성이 높으며, 상대적으로 제조 단가가 낮아지고 특히 대면적 박막을 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막은 다음 화학식 1로 표시되는 것을 그 특징으로 한다.
화학식 1
CuxIny1Gay2Tez
상기 식에서, x는 1 이고, y1과 y2는 각각 0 ~ 1의 값을 가지며 y1 + y2 = 1의 관계를 만족하고, z는 2 이다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막의 제조방법은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)으로 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체, 갈륨(Ga) 전구체 및 텔러륨(Te) 전구체를 동시에 진공 챔버의 기판으로 공급하여 제조되는 것을 그 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막은 상기 화학식 1과 같다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 박막을 구성하는 구리 전구체는 비스(아세틸아세토네이토)구리(Bis(acetylacetonato)copper), 비스(2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이오네이토)구리(Bis(2,2,6,6-tetramethylheptandionato)copper), 비스(헥사플루오로아세틸아세토네이토)구리(Bis(hexafluoroacetylacetonato)copper), (비닐트리메틸실릴(헥사플루오로아세틸아세토네이토)구리(vinyltrimethylsilyl)(hexafluoroacetylacetonato)copper), 보닐트리메틸실릴(아세틸아세토네이토)구리((vonyltrimethylsilyl)(acetylacetonato)copper), 비닐트리메틸실릴(2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이오네이토)구리((Vinyltrimethylsilyl)(2,2,6,6-tetramethylheptandionato)copper),비닐트리에틸실릴-(아세틸아세토네이토)구리((Vinyltriethylsilyl)-(acetylacetonato)copper), 비닐트리에틸실릴-(2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이오네이토)구리((Vinyltriethylsilyl)-(2,2,6,6-teramethylheptandionato)copper), 및 비닐트리에틸실릴-(헥사플루오로아세틸아세토네이토)구리((Vinyltriethylsilyl)-(hexafluoroacetylacetonato)copper) 로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상인 것이다.
또한, 본 발명의 인듐 전구체는 다음 화학식 2로 표시되는 것이 바람직하다.
화학식 2
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 서로 같거나 다른 것으로서 각각 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 및 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이다.
상기 화학식 2로 표시되는 인듐 전구체는 트리메틸인듐(Trimethylindium), 트리에틸인듐(Triethylindium), 트리이소프로필인듐(Triisopropylindium), 트리부틸인듐(Tributylindium), 트리터셜리부틸인듐(Tritertiarybutylindium), 트리메톡시인듐(Trimethoxyindium), 트리에톡시인듐(Triethoxyindium), 트리이소프록시인듐(Triisopropoxyindium), 다이메틸이소프록시인듐(Dimethylisopropoxyindium), 다이에틸이소프록시인듐(Diethylisopropoxyindium), 다이메틸에틸인듐(Dimethylethylindium), 다이에틸메틸인듐(Diethylmethylindium), 다이메틸이소프로필인듐(Dimethylisopropylindium), 다이에틸이소프로필인듐(Diethylisopropylindium), 및 다이메틸터셜리부틸인듐(Dimethyltertiarybutylindium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 갈륨 전구체는 다음 화학식 3으로 표시되는 것이 바람직하다.
화학식 3
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 서로 같거나 다른 것으로서 각각 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 및 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이다.
상기 화학식 3으로 표시되는 갈륨 전구체는 트리메틸갈륨(Trimethylgallium), 트리에틸갈륨(Triethylgallium), 트리이소프로필갈륨(Triisopropylgallium), 트리부틸갈륨(Tributylgallium), 트리터셜리부틸갈륨(Tritertiarybutylgallium), 트리메톡시갈륨(Trimethoxygallium), 트리에톡시갈륨(Triethoxygallium), 트리이소프록시갈륨(Triisopropoxygallium), 다이메틸이소프록시갈륨(Dimethylisopropoxygallium), 다이에틸이소프록시갈륨(Diethylisopropoxygallium), 다이메틸에틸갈륨(Dimethylethylgallium), 다이에틸메틸갈륨(Diethylmethylgallium), 다이메틸이소프로필갈륨(Dimethylisopropylgallium), 다이에틸이소프로필갈륨(Diethylisopropylgallium), 및 다이메틸터셜리부틸갈륨(Dimethyltertiarybutylgallium)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 텔러륨 전구체는 다음 화학식 4로 표시되는 것이 바람직하다.
화학식 4
상기 식에서, R1과 R2는 서로 같거나 다른 것으로서, 각각 수소 원자, 및 탄소수 1 내지 5의 알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이고, n은 1 또는 2이다.
상기 화학식 4로 표시되는 텔러륨 전구체는 다이메틸텔러륨(Dimethyltelluride), 다이에틸텔러륨(Diethyltelluride), 다이이소프로필텔러륨(Diisopropyltelluride), 다이터셜리부틸텔러륨(Ditertiarybutyltelluride), 다이메틸다이텔러륨(Dimethylditelluride), 다이에틸다이텔러륨(Diethylditelluride), 다이이소프로필다이텔러륨(Diisopropylditelluride), 다이터셜리부틸다이텔러륨(Ditertiarybutylditelluride), 터셜리부틸이소프로필텔러륨(Tertiarybutylisopropyltelluride), 및 터셜리부틸텔레놀(Tertiarybutyltellenol)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1의 구조를 가지는 본 발명의 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트((CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물은 종래와 같이 셀네늄을 포함하지 않기 때문에 폭발위험성이나 유독성 등의 안전에 위해한 효소는 포함하지 않고 있어 산업적으로 바람직하다.
상기와 같은 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트((CIGT)- based cahlcopyrite) 화합물 박막의 제조는 다음 도 1과 2에 도시된 바와 같은 화학기상증착 장치가 사용될 수 있다. 이러한 화학기상증착 장치에는 내부를 진공 상태로 유지할 수 있는 챔버(10)가 구비되고, 이 챔버 내부의 하측에는 기판(S)이 장착될 수 있는 기판척(20)이 구비된다.
기판(S)은 챔버(10) 일측에 구비되어 있는 게이트(도면에 미도시)를 통하여 챔버(10) 내부로 반입되고, 기판척(20)에 놓여진 후 고정된다. 기판(S)이 챔버(10) 내부로 반입된 후 게이트가 밀폐되고, 챔버(10) 내부는 감압되는데, 챔버 내부의 압력은 0.01 mtorr ~ 대기압 정도로 유지되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판의 온도는 상온~600℃로 유지되는 것이 바람직하다.
상기 챔버(10)의 상부에는 공정 가스가 공급될 수 있는 샤워헤드(30)가 구비되는데, 이 샤워헤드(30)에는 직경 0.5 ~ 1 mm 정도의 미세한 홀(도면에 미도시)이 무수하게 형성되어 있다. 따라서 이 샤워헤드(30)를 통하여 공정가스가 기판 전체적으로 균일하게 공급된다.
상기 샤워헤드(30)는 도 1에 도시된 바와 같이, 외부에 배치되어 있는 다수개의 캐니스터(40, 50, 60, 70)와 연결되어 있으며, 각 캐니스터로부터 각 전구체들을 공급받을 수 있는 구조를 가진다.
이러한 상태로 챔버(10) 내부에 기판(S)이 장착된 상태에서 상기 샤워헤드(30)를 통하여 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 텔러륨 전구체를 동시에 공급하여 화학 기상 증착 방법으로 신속하고 효율적으로 CIGT 박막을 제조한다.
이때 구리 전구체를 공급하는 구리 전구체 캐니스터(40)는, 적절한 구리 전 구체의 공급을 위하여 캐니스터의 온도를 -40℃ ~ 200℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한 캐니스터(40)를 출발한 구리 전구체가 샤워헤드(30)에 도달하기 위하여 통과하는 공급라인(a) 의 온도는 캐니스터의 온도보다 높게, 상온 ~ 400℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다.
그리고 구리 전구체는 단독으로 챔버 내부로 공급되기 보다는 운반 가스에 의하여 챔버 내부로 공급되는 것이 바람직한데, 이러한 운반 가스로는 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 질소(N2) 가스로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것이 바람직하다.
또한 상기 구리 전구체는 수소(H2), 암모니아(NH3), 이산화질소(NO2), 산소(O2) 등의 기체와 혼합되어 공급될 수도 있으며, 구리 전구체 공급 후에, 전술한 기체들이 운반가스와 함께 또는 단독으로 챔버 내부로 공급될 수도 있다.
다음으로 인듐 전구체를 공급하는 캐니스터(50)도 전술한 구리 전구체와 마찬가지로 효율적인 인듐 전구체의 공급을 위하여 캐니스터의 온도를 -40℃ ~ 200℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한 공급라인(b)의 온도도 캐니스터의 온도보다 높게, 상온 ~ 400℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한 인듐 전구체도 구리 전구체와 마찬가지로, 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 질소(N2) 가스로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 운반 가스로 사용하는 것이 바람직하다.
다음으로 갈륨 전구체를 공급하는 캐니스터(60)도 전술한 구리 전구체와 마찬가지로 효율적인 갈륨 전구체의 공급을 위하여 캐니스터의 온도를 -40℃ ~ 200℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한 공급라인(c)의 온도도 캐니스터의 온도보 다 높게, 상온 ~ 400℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한 갈륨 전구체도 구리 전구체와 마찬가지로, 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 질소(N2) 가스로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 운반 가스에 의하여 운반되는 것이 바람직하다.
다음으로 텔러륨 전구체를 공급하는 캐니스터(70) 또한 효율적인 텔러륨 전구체의 공급을 위하여 캐니스터의 온도를 -60℃ ~ 200℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한 공급라인(d)의 온도는 상기 캐니스터의 온도보다 높게, 상온 ~ 400℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한 텔러륨 전구체도 구리 전구체와 마찬가지로, 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 질소(N2) 가스로 이루어진 그룹으로부터 선택된 운반 가스에 의하여 운반되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막은 화학기상증착 공정을 통하여 상기 화합물 반도체 박막을 구성하는 각 전구체들을 동시에 첨가하여 제조함으로써 제조 공정이 짧아져 대량생산이 가능하고, 제조비용이 절약되며, 대면적 박막 제조에 유용하여, 이러한 박막은 태양 전지 등에 사용 가능하다.
도 1과 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 예를 도시한 단면도이다.
Claims (14)
- 다음 화학식 1로 표시되는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te(CIGT)-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막:화학식 1CuxIny1Gay2Tez상기 식에서, x는 1 이고, y1과 y2는 각각 0 ~ 1의 값을 가지며 y1 + y2 = 1의 관계를 만족하고, z는 2 이다.
- 제1항에 있어서, 상기 구리 전구체는 비스(아세틸아세토네이토)구리(Bis(acetylacetonato)copper), 비스(2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이오네이토)구리(Bis(2,2,6,6-tetramethylheptandionato)copper), 비스(헥사플루오로아세틸아세토네이토)구리(Bis(hexafluoroacetylacetonato)copper), (비닐트리메틸실릴(헥사플루오로아세틸아세토네이토)구리(vinyltrimethylsilyl)(hexafluoroacetylacetonato)copper), 보닐트리메틸실릴(아세틸아세토네이토)구리((vonyltrimethylsilyl)(acetylacetonato)copper), 비닐트리메틸실릴(2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이오네이토)구리((Vinyltrimethylsilyl)(2,2,6,6-tetramethylheptandionato)copper),비닐트리에틸실릴-(아세틸아세토네이토)구리((V inyltriethylsilyl)-(acetylacetonato)copper), 비닐트리에틸실릴-(2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이오네이토)구리((Vinyltriethylsilyl)-(2,2,6,6-teramethylheptandionato)copper), 및 비닐트리에틸실릴-(헥사플루오로아세틸아세토네이토)구리((Vinyltriethylsilyl)-(hexafluoroacetylacetonato)copper) 로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(Cu-In-Ga-Te-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막.
- 제1항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 다음 화학식 2의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(CIGT-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막:화학식 2
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 서로 같거나 다른 것으로서 각각 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 및 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이다. - 제3항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 트리메틸인듐(Trimethylindium), 트리 에틸인듐(Triethylindium), 트리이소프로필인듐(Triisopropylindium), 트리부틸인듐(Tributylindium), 트리터셜리부틸인듐(Tritertiarybutylindium), 트리메톡시인듐(Triemthoxyindium), 트리에톡시인듐(Triethoxyindium), 트리이소프록시인듐(Triisopropoxyindium), 다이메틸이소프록시인듐(Dimethylisopropoxyindium), 다이에틸이소프록시인듐(Diethylisopropoxyindium), 다이메틸에틸인듐(Dimethylethylindium), 다이에틸메틸인듐(Diethylmethylindium), 다이메틸이소프로필인듐(Dimethylisopropylindium), 다이에틸이소프로필인듐(Diethylisopropylindium), 및 다이메틸터셜리부틸인듐(Dimethyltertiarybutylindium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(CIGT-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막.
- 제1항에 있어서, 상기 갈륨 전구체는 다음 화학식 3의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(CIGT-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막:화학식 3
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 서로 같거나 다른 것으로서 각각 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 및 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이다. - 제5항에 있어서, 상기 갈륨 전구체는 트리메틸갈륨(Trimethylgallium), 트리에틸갈륨(Triethylgallium), 트리이소프로필갈륨(Triisopropylgallium), 트리부틸갈륨(Tributylgallium), 트리터셜리부틸갈륨(Tritertiarybutylgallium), 트리메톡시갈륨(Trimethoxygallium), 트리에톡시갈륨(Triethoxygallium), 트리이소프록시갈륨(Triisopropoxygallium), 다이메틸이소프록시갈륨(Dimethylisopropoxygallium), 다이에틸이소프록시갈륨(Diethylisopropoxygallium), 다이메틸에틸갈륨(Dimethylethylgallium), 다이에틸메틸갈륨(Diethylmethylgallium), 다이메틸이소프로필갈륨(Dimethylisopropylgallium), 다이에틸이소프로필갈륨(Diethylisopropylgallium), 및 다이메틸터셜리부틸갈륨(Dimethyltertiarybutylgallium)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(CIGT-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막.
- 제1항에 있어서, 상기 텔러륨 전구체는 다음 화학식 4의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(CIGT-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막:화학식 4
상기 식에서, R1과 R2는 서로 같거나 다른 것으로서, 각각 수소 원자, 및 탄소수 1 내지 5의 알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이고, n은 1 또는 2이다. - 제7항에 있어서, 상기 텔러륨 전구체는 다이메틸텔러륨(Dimethyltelluride), 다이에틸텔러륨(Diethyltelluride), 다이이소프로필텔러륨(Diisopropyltelluride), 다이터셜리부틸텔러륨(Ditertiarybutyltelluride), 다이메틸다이텔러륨(Dimethylditelluride), 다이에틸다이텔러륨(Diethylditelluride), 다이이소프로필다이텔러륨(Diisopropylditelluride), 다이터셜리부틸다이텔러륨(Ditertiarybutylditelluride), 터셜리부틸이소프로필텔러륨(Tertiarybutylisopropyltelluride), 및 터셜리부틸텔레놀(Tertiarybutyltellenol)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(CIGT-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막.
- 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)으로 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체, 갈륨(Ga) 전구체 및 텔러륨(Te) 전구체를 동시에 진공 챔버의 기판으로 공급하여 구리-인듐-갈륨-텔러륨계 전구체의 켈코파이라이트(CIGT-based cahlcopyrite) 화합물 반도체 박막을 제조하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 구리 전구체, 인듐 전구체, 및 갈륨 전구체는 캐니스터 온도를 -40~200℃, 공급라인 온도를 상온 ~ 400℃로 유지하면서 공급하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 텔러륨 전구체는 캐니스터 온도를 -60~200℃, 공급라인 온도를 상온~400℃로 유지하면서 공급하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 기판의 온도는 상온~600℃로 유지시키는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 전구체들의 공급시에 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 질소(N2) 가스로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종을 운반가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 진공 챔버의 압력은 0.01mtorr ~ 대기압으로 유지시키는 것을 특징으로 하는 제조방법.
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