KR20100102042A

KR20100102042A - Resin film forming apparatus

Info

Publication number: KR20100102042A
Application number: KR1020100015154A
Authority: KR
Inventors: 도모아키 엔도
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2009-03-10
Filing date: 2010-02-19
Publication date: 2010-09-20
Also published as: JP2010207723A; TW201032907A

Abstract

PURPOSE: A device for forming a resin layer is provided to form the resin layer with an accurate thickness using a minimum amount of resin by coating a resin, which is supplied to one side of a work, on whole surface of the work using a coating member and to improve productivity. CONSTITUTION: A device(10) for forming a resin layer by coating a liquid resin on one side of a plate-like work comprises: a holding unit(40) which has an exposed one side and a holding plane for holding the work(1); a rotation unit(44) which rotates the holding unit; a resin supply unit(51) which supplies the liquid resin to one side of the work; a coating member(72) which is arranged to face to the outermost edge from a rotation center; and member(71) for deciding a position of the coating member.

Description

Resin film forming apparatus {RESIN FILM FORMING APPARATUS}

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 워크의 표면에 액상 수지를 도포하여 수지막을 형성하는 수지막 형성 장치에 관한 것이다.This invention relates to the resin film forming apparatus which forms a resin film by apply | coating liquid resin to the surface of workpiece | work, such as a semiconductor wafer.

예컨대 반도체 디바이스 제조 공정에서는, 원판형의 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형의 분할 예정 라인에 의해 다수의 직사각형 영역을 구획하고, 이들 직사각형 영역의 표면에 IC나 LSI 등의 전자 회로를 형성하며, 계속해서 이면을 연삭한 후에 연마하는 등의 필요한 처리를 하고 나서, 모든 분할 예정 라인을 절단하여, 즉 다이싱하여, 다수의 반도체 칩을 얻고 있다. 이와 같이 하여 얻어진 반도체 칩은, 수지 밀봉에 의해 패키징되어, 휴대 전화나 PC(퍼스널·컴퓨터) 등의 각종 전기·전자 기기에 널리 이용되고 있다.For example, in the semiconductor device manufacturing process, a plurality of rectangular regions are partitioned on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer by a grid-shaped dividing line, and electronic circuits such as IC and LSI are formed on the surfaces of the rectangular regions, and then After grinding the back surface and then performing necessary processing such as polishing, all of the scheduled division lines are cut, that is, diced to obtain a large number of semiconductor chips. The semiconductor chip obtained in this way is packaged by resin sealing, and is widely used for various electrical / electronic devices, such as a mobile telephone and a personal computer (PC).

반도체 웨이퍼의 다이싱은 고속 회전하는 절삭 블레이드를 절입시켜 이동시키는 방법이 일반적이지만, 최근에는, 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼를 용융시키는 어블레이션(ablation) 가공을 행하면서 절단하는 레이저 다이싱이 시도되고 있다(특허문헌 1 등 참조). 그런데 레이저 조사에 의한 어블레이션 가공을 행하였을 때에는, 데브리(debris)라고 불리는 증산(蒸散) 성분의 비말이 웨이퍼의 표면에 부착되어, 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 일어나고 있었다. 이에 따라, 본원의 출원인은, 웨이퍼의 표면에 수지를 도포하여 보호막을 형성한 상태로 그 표면에 레이저 광선을 조사하면, 데브리가 보호막에 부착되고 직접 웨이퍼의 표면에는 부착되지 않아, 품질을 확보할 수 있는 기술을 제안하고 있다(특허문헌 2).Dicing of a semiconductor wafer is generally a method of cutting and moving a cutting blade that rotates at high speed, but recently, laser dicing which cuts while performing an ablation process of melting a wafer by irradiating a laser beam has been attempted. (See patent document 1 etc.). By the way, when ablation processing by laser irradiation was carried out, the problem was that a droplet of a transpiration component called debris adhered to the surface of the wafer, thereby degrading the quality. Accordingly, the applicant of the present application applies a resin to the surface of the wafer and irradiates a laser beam to the surface while forming a protective film, so that the debris adhere to the protective film and do not directly adhere to the surface of the wafer, thereby ensuring quality. The technique which can be proposed is proposed (patent document 2).

일본 특허 공개 평성 제10-305420호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-305420 일본 특허 공개 제2004-188475호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2004-188475

웨이퍼의 표면에 수지를 도포하는 데에는, 상기 특허문헌 2에 기재된 바와 같이, 회전하는 웨이퍼의 중심에 수지를 적하하고, 원심력에 의해 수지를 전면(全面)으로 유동시키는 스핀코트법이 적합한 것으로 되어 있다. 그런데 이 방법에서는, 비산하여 실질적으로는 웨이퍼에 도포되지 않는 수지의 양이 많다고 하는 불만이 있어, 되도록이면 적은 양으로 적확한 두께의 수지막을 효율적으로 형성할 수 있는 기술이 요구되고 있었다.In order to apply | coat resin to the surface of a wafer, as described in the said patent document 2, the spin-coat method which drips resin in the center of a rotating wafer, and flows resin to the whole surface by centrifugal force is suitable. . However, in this method, there is a complaint that there is a large amount of resin that is scattered and is not substantially applied to the wafer, and there is a demand for a technique capable of efficiently forming a resin film having an appropriate thickness in a small amount as much as possible.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 되도록 적은 양의 수지로 적확한 두께의 수지막을 효율적으로 형성할 수 있으며, 그 결과 비용이나 생산성의 면에서 유리해지는 수지막 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a resin film forming apparatus which can efficiently form a resin film having an appropriate thickness with a small amount of resin as a result, which is advantageous in terms of cost and productivity. Doing.

본 발명의 수지막 형성 장치는, 판형 워크의 하나의 면에 액상 수지를 도포하여 수지막을 형성하는 수지막 형성 장치로서, 하나의 면이 노출되는 상태로 워크를 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단과, 상기 유지 수단을 유지면에 직교하는 방향을 회전축으로 하여 회전시키는 회전 수단과, 유지면에 유지된 워크의 하나의 면에 액상 수지를 공급하는 수지 공급 수단과. 유지 수단에 유지되고 회전 수단에 의해 회전되는 워크의 하나의 면에 대하여, 적어도 상기 하나의 면의 회전 중심으로부터 최외측 가장자리에 대응하도록 대향 배치되는 도포 부재와, 상기 도포 부재를 유지면에 유지된 워크의 하나의 면에 근접하는 미리 정해진 도포 전개 위치에 위치 결정하는 도포 부재 위치 결정 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. The resin film forming apparatus of this invention is a resin film forming apparatus which forms a resin film by apply | coating liquid resin to one surface of a plate-shaped workpiece, The holding film which has a holding surface which hold | maintains a workpiece | work in the state which one surface is exposed, and And rotation means for rotating the holding means in a direction perpendicular to the holding surface as a rotation axis, and resin supply means for supplying a liquid resin to one surface of the workpiece held on the holding surface. An application member that is held by the holding means and is disposed so as to face the outermost edge from the rotational center of the at least one surface with respect to one surface of the workpiece rotated by the rotating means, and the application member is held on the holding surface. It is characterized by including an application member positioning means for positioning at a predetermined application deployment position proximate to one surface of the work.

본 발명에 따르면, 워크의 하나의 면에 공급된 수지를 도포 부재에 의해 전면에 도포 전개하기 때문에, 수지의 사용량을 최저 한도로 억제하면서, 적확한 두께의 수지막을 형성할 수 있다. According to the present invention, since the resin supplied to one surface of the workpiece is applied and spread on the entire surface by the coating member, a resin film having an appropriate thickness can be formed while suppressing the amount of resin used to the minimum.

본 발명에서는, 상기 도포 부재 위치 결정 수단에 의해, 상기 도포 부재가 워크의 하나의 면과의 사이의 간격이 0.01 ㎜∼0.5 ㎜가 되는 위치에 위치 결정되는 형태를 포함한다.In the present invention, the coating member positioning means includes a form in which the coating member is positioned at a position where the distance between one surface of the workpiece and the surface becomes 0.01 mm to 0.5 mm.

또한, 본 발명에서 말하는 워크는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 실리콘 웨이퍼 등의 상기 반도체 웨이퍼나, 칩 실장용으로서 웨이퍼의 이면에 마련되는 DAF(Die Attach Film) 등의 점착 부재, 반도체 제품의 패키지, 세라믹, 유리, 사파이어, 실리콘계의 기판, 각종 전자 부품, 액정 표시 장치를 제어 구동하는 LCD 드라이버 등의 각종 드라이버, 그리고 미크론 오더의 정밀도가 요구되는 각종 가공 재료 등을 들 수 있다.In addition, although the workpiece | work as used in this invention is not specifically limited, For example, adhesive members, such as a semiconductor wafer, such as a silicon wafer, and DAF (Die Attach Film) provided in the back surface of a wafer for chip mounting, a package of a semiconductor product, a ceramic And various drivers such as glass, sapphire, silicon-based substrates, various electronic components, LCD drivers for controlling and driving liquid crystal display devices, and various processing materials for which precision of micron order is required.

본 발명에 따르면, 되도록 적은 양의 수지로 적확한 두께의 수지막을 효율적으로 형성할 수 있으며, 그 결과 비용이나 생산성의 면에서 유리하게 된다고 하는 효과를 제공한다.According to the present invention, a resin film having an appropriate thickness can be efficiently formed with a small amount of resin as a result, thereby providing an effect of being advantageous in terms of cost and productivity.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지막 형성 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 수지막 형성 장치에서 수지막이 형성되는 과정을 (a)∼(c)의 순으로 도시하는 사시도이다.
도 3은 수지 노즐이 웨이퍼의 표면에 수지를 도포 전개하는 도포 부재를 겸하고 있는 형태를 도시하는 단면도이다.
도 4는 도포 부재의 다른 형태예를 도시하는 사시도이다.
도 5는 도 4의 (b)에 도시한 도포 부재가 수지 공급 기능을 갖고 있는 형태를 도시하는 단면도이다.1 is a perspective view showing a resin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a process of forming a resin film in the order of (a) to (c) in the resin film forming apparatus of FIG. 1.
It is sectional drawing which shows the form which the resin nozzle also serves as the coating member which apply | coats and spreads resin on the surface of a wafer.
4 is a perspective view illustrating another embodiment of the application member.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a mode in which the coating member shown in FIG. 4B has a resin supply function. FIG.

이하. 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시형태를 설명한다. Below. An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(1) 수지막 형성 장치의 구성(1) Structure of Resin Film Forming Apparatus

도 1은 원판형의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 약칭)(1)의 표면(하나의 면)에 수지제의 보호막을 형성하는 일 실시형태에 따른 수지막 형성 장치(10)를 도시하고 있다. 웨이퍼(1)는 두께가 예컨대 100 ㎛∼700 ㎛ 정도로서, 표면에는 격자형의 분할 예정 라인에 의해 다수의 직사각 형상의 칩(2)이 구획되어 있다. 각 칩(2)의 표면에는, 도시하지 않는 IC나 LSI 등의 전자 회로가 형성되어 있다.FIG. 1 shows a resin film forming apparatus 10 according to an embodiment in which a protective film made of resin is formed on a surface (one surface) of a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as wafer) 1. The wafer 1 has a thickness of, for example, about 100 µm to 700 µm, and a plurality of rectangular chips 2 are partitioned on the surface by a grid-like division line. On the surface of each chip 2, electronic circuits such as IC and LSI (not shown) are formed.

웨이퍼(1)는 수지막 형성 장치(10)에 의해 표면에 보호막이 형성된 후, 모든 분할 예정 라인에 레이저 광이 조사되어 어블레이션 가공에 의한 레이저 다이싱이 행해진다. 어블레이션 가공은 두께 방향으로 완전히 관통하여 절단하는 풀커팅 외에, 두께의 도중까지 소정 깊이의 홈을 형성하는 홈 가공을 포함한다. 홈 가공을 행하는 경우의 웨이퍼(1)는, 후속 공정에서 그 홈의 나머지 두께 부분을 추가로 풀커팅하거나, 혹은 응력을 부여하여 할단함으로써, 다수의 칩(2)으로 분할된다. 수지막 형성 장치(10)는 단독으로 설치될 수도 있고, 웨이퍼(1)에 어블레이션 가공을 시행하여 다이싱하는 레이저 가공 장치에 부가될 수도 있다. After the protective film is formed on the surface of the wafer 1 by the resin film forming apparatus 10, laser light is irradiated to all the division scheduled lines, and laser dicing by ablation processing is performed. The ablation processing includes a groove processing for forming a groove of a predetermined depth up to the middle of the thickness, in addition to the full cutting that completely penetrates and cuts in the thickness direction. In the case of performing the groove processing, the wafer 1 is divided into a plurality of chips 2 by further cutting the remaining thickness portion of the groove in a subsequent step or by cutting under stress. The resin film forming apparatus 10 may be provided alone, or may be added to a laser processing apparatus that performs dicing by ablation processing on the wafer 1.

또한, 웨이퍼(1)는 강성이 낮아 단체(單體)로는 취급이 곤란하기 때문에, 환형 프레임(5)의 내측에 점착 테이프(6)를 통하여 동심형으로 일체로 지지된 상태로, 수지막 형성 장치(10)에 공급된다. 점착 테이프(6)는 편면이 점착면으로 된 것으로, 그 점착면에 프레임(5)과 웨이퍼(1)가 접착된다. 프레임(5)은 금속 등의 판재로 이루어지는 강성을 갖는 것으로, 이 프레임(5)을 지지함으로써, 웨이퍼(1)를 손상시키는 일 없이 안전하게 반송할 수 있다. 이하, 점착 테이프(6)를 통하여 웨이퍼(1)를 지지한 프레임(5)을 웨이퍼 장착 프레임(7)이라고 칭한다. In addition, since the wafer 1 has low rigidity and is difficult to handle with a single body, the resin film is formed in the state in which the wafer 1 is integrally supported concentrically through the adhesive tape 6 inside the annular frame 5. Supplied to the device 10. One side of the adhesive tape 6 is an adhesive face, and the frame 5 and the wafer 1 are adhered to the adhesive face. The frame 5 has rigidity made of a plate material such as metal, and can be safely transported without damaging the wafer 1 by supporting the frame 5. Hereinafter, the frame 5 which supported the wafer 1 via the adhesive tape 6 is called the wafer mounting frame 7.

한편, 수지막 형성 장치(10)는 원통형의 케이싱(20)과, 케이싱(20)을 지지하는 지지대(30)를 구비하고 있다. 지지대(30)는 수평으로 설치되는 판형의 베이스(31)와, 이 베이스(31) 상에 세워진 복수의 다리부(32)와, 이들 다리부(32)의 상단에 고정된 수용부(33)로 이루어져 있다. 수용부(33)는 원형의 접시형으로 형성된 것으로, 이 수용부(33)에 케이싱(20)이 상측으로부터 삽입되어 지지되어 있다.On the other hand, the resin film forming apparatus 10 is provided with the cylindrical casing 20 and the support stand 30 which supports the casing 20. The support 30 is a plate-shaped base 31 which is horizontally installed, a plurality of leg portions 32 standing on the base 31, and a receiving portion 33 fixed to the upper end of these leg portions 32. Consists of The accommodating part 33 is formed in circular dish shape, and the casing 20 is inserted in the accommodating part 33 from the upper side, and is supported.

수용부(33)에 지지된 케이싱(20)은 축심이 거의 수직 방향을 따른 상태로 되어 있고, 이 케이싱(20)의 내부에, 스피너 테이블(유지 수단)(40)이 케이싱(20)과 동심형으로 배치되어 있다. 스피너 테이블(40)은 원판형의 프레임체(41)의 상면에 다공질체로 이루어지는 원판형의 흡착부(42)가 동심형으로 결합된 것이다. 흡착부(42)는 스피너 테이블(40)의 상면의 대부분을 차지하고 있고, 이 흡착부(42)의 상면(유지면)(42a)과, 흡착부(42) 주위의 환형 프레임체(41)의 상면은, 동일 평면에 있고 수평으로 설정되어 있다.The casing 20 supported by the housing portion 33 is in a state in which the axial center thereof is substantially along the vertical direction, and inside the casing 20, a spinner table (holding means) 40 is concentric with the casing 20. It is arranged in a mold. The spinner table 40 is a disc-shaped suction part 42 made of a porous body concentrically coupled to the upper surface of the disc-shaped frame 41. The adsorption part 42 occupies most of the upper surface of the spinner table 40, and the upper surface (oil level) 42a of this adsorption part 42 and the annular frame 41 around the adsorption part 42 The upper surface is on the same plane and is set horizontally.

스피너 테이블(40)의 흡착부(42)에는, 도시하지 않는 진공 장치가 접속되어 있다. 이 진공 장치가 운전되면 흡착부(42)가 부압으로 되고, 상기 흡착부(42)의 상면(42a)에 동심형으로 배치된 웨이퍼 장착 프레임(7)의 웨이퍼(1)가 점착 테이프(6)를 통해 흡착부(42)에 흡착되어, 유지되도록 되어 있다. A vacuum device (not shown) is connected to the suction part 42 of the spinner table 40. When this vacuum apparatus is operated, the adsorption part 42 becomes negative pressure, and the wafer 1 of the wafer mounting frame 7 arranged concentrically on the upper surface 42a of the adsorption part 42 is the adhesive tape 6. It is adsorbed by the adsorption part 42 through the ridge, and is hold | maintained.

스피너 테이블(40)의 프레임체(41)의 외경은 프레임(5)의 외경과 거의 동등하고, 흡착부(42)의 외경은 웨이퍼(1)의 외경과 거의 동등하게 되어 있다. 따라서, 웨이퍼 장착 프레임(7)이 스피너 테이블(40)에 동심형으로 배치되면, 프레임(5)과 프레임체(41)의 외주 가장자리가 거의 일치하고, 웨이퍼(1) 전체가 흡착부(42)에 밀착하여 유지되도록 되어 있다. 스피너 테이블(40)은 중심에 마련되며 수직 방향으로 연장되는 도시하지 않는 회전축을 중심으로 하여, 수용부(33)의 하방에 배치된 모터(회전 수단)(44)에 의해 회전 구동된다.The outer diameter of the frame body 41 of the spinner table 40 is almost equal to the outer diameter of the frame 5, and the outer diameter of the suction part 42 is substantially equal to the outer diameter of the wafer 1. Therefore, when the wafer mounting frame 7 is arranged concentrically on the spinner table 40, the outer circumferential edges of the frame 5 and the frame body 41 substantially coincide, and the entire wafer 1 is absorbed by the suction section 42. To be held in close contact with the The spinner table 40 is rotationally driven by a motor (rotating means) 44 disposed below the accommodating portion 33 about a rotation axis (not shown) provided at the center and extending in the vertical direction.

스피너 테이블(40)의 외주 가장자리부에는, 프레임(5)을 착탈 가능하게 유지하는 복수의 클램프(43)가 등간격을 두고 배치되어 있다. 이들 클램프(43)는, 스피너 테이블(40)이 회전하여 원심력이 발생하면, 커버부(43a)가 프레임(5)을 상방으로부터 프레임체(41)의 상면에 압박하는 구성의 것으로, 프레임체(41)에 장착되어 있다.At the outer peripheral edge of the spinner table 40, a plurality of clamps 43 for holding the frame 5 in a detachable manner are arranged at equal intervals. These clamps 43 have a structure in which the cover part 43a presses the frame 5 on the upper surface of the frame 41 from above when the spinner table 40 rotates to generate a centrifugal force. 41).

스피너 테이블(40)은 도시하지 않는 승강 기구에 의해, 상방의 개구부에 가까운 위치, 또는 개구부로부터 상방으로 나온 웨이퍼 전달 위치와, 웨이퍼 전달 위치로부터 하강한 케이싱(20) 내의 처리 위치[도 1의 스피너 테이블(40)은 상기 처리 위치에 있음]에 위치 결정되도록 되어 있다.The spinner table 40 is a position close to the upper opening or a wafer transfer position emerging upward from the opening by a lifting mechanism (not shown), and a processing position in the casing 20 lowered from the wafer transfer position (the spinner in FIG. 1). Table 40 is located at the processing position].

케이싱(20) 내에는, 선단이 하방을 향하여 굴곡되고 수평 방향으로 연장되는 3개의 노즐[제1 노즐(51), 제2 노즐(52) 및 제3 노즐(53)]이 마련되어 있다. 이 경우, 제1 노즐(51)은 단독이며, 제1 배관 기부(基部)(51A)에 수평 선회 가능하게 지지되어 있다. 또한, 제2 노즐(52)과 제3 노즐(53)은 병렬 상태로 1조로 되어 있으며, 이들 노즐(52, 53)은 제1 배관 기부(51A)와 스피너 테이블(40)의 중심을 사이에 두고 있는 위치에 배치된 제2 배관 기부(52A)에, 수평 선회 가능하게 지지되어 있다. 제1 노즐(51)과, 제2 및 제3 노즐(52, 53)은, 배관 기부로부터 연장되는 방향이 엇갈린 방향으로 되어 있다. In the casing 20, three nozzles (first nozzle 51, second nozzle 52, and third nozzle 53) which are bent downward and extend in the horizontal direction are provided. In this case, the 1st nozzle 51 is independent and is supported by 51A of 1st piping bases so that horizontal rotation is possible. Moreover, the 2nd nozzle 52 and the 3rd nozzle 53 are comprised in one set in parallel, These nozzles 52 and 53 have the center of the 1st piping base 51A and the spinner table 40 between them. It is supported by 52 A of 2nd piping bases arrange | positioned at the position to be able to rotate horizontally. The 1st nozzle 51 and the 2nd and 3rd nozzles 52 and 53 are the direction from which the direction extended from a piping base differs.

각 배관 기부(51A, 52A)는 케이싱(20)의 내벽 근방에 배치되어 있다. 상기 각 노즐(51, 52, 53)은, 케이싱(20)의 내벽에 근접한 통상 위치에서는, 스피너 테이블(40)보다도 외주측에 있어, 스피너 테이블(40)이 승강할 때, 스피너 테이블(40)에 유지되어 있는 웨이퍼 장착 프레임(7)의 프레임(5)에 간섭하지 않는 위치로 후퇴하도록 구성되어 있다. 그리고 각 노즐(51, 52, 53)은 스피너 테이블(40)이 도 1에 도시하는 바와 같이 처리 위치에 위치 결정되어 있을 때에, 케이싱(20)의 내벽 근방의 후퇴 위치로부터, 스피너 테이블(40)의 상방에서 수평 선회하도록 작동한다. 각 노즐(51, 52, 53)은 수평 선회함으로써, 적어도 선단이 스피너 테이블(40)의 중심으로부터 외주 가장자리까지의 사이의 반경에 대응하는 영역을 이동할 수 있게 있다. Each piping base 51A, 52A is arrange | positioned in the vicinity of the inner wall of the casing 20. As shown in FIG. Each of the nozzles 51, 52, 53 is located on the outer circumferential side of the spinner table 40 at a normal position close to the inner wall of the casing 20, and the spinner table 40 moves up and down when the spinner table 40 moves up and down. It is comprised so that it may retreat to the position which does not interfere with the frame 5 of the wafer mounting frame 7 hold | maintained at. And each nozzle 51, 52, 53 is a spinner table 40 from the retracted position of the inner wall vicinity of the casing 20, when the spinner table 40 is positioned in a process position as shown in FIG. Operate horizontally from above. Each nozzle 51, 52, 53 is pivoted so that at least the tip can move an area corresponding to the radius between the center of the spinner table 40 and the outer peripheral edge.

제1 노즐(51)에는, 액상의 수용성 수지를 공급하는 수지원(61)에 접속된 배관(61A)이 접속되어 있다. 제1 노즐(51)에는 수지원(61)으로부터 배관(61A)을 통해 액상의 수용성 수지가 이송되어, 제1 노즐(51)의 선단으로부터 상기 수지가 적하되도록 되어 있다. 사용되는 수용성 수지로서는, 폴리비닐알코올(PVA), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리에틸렌옥사이드(PEO) 등의 수용성 레지스트가 바람직하게 이용된다.The first nozzle 51 is connected with a pipe 61A connected to a water support 61 for supplying a liquid water-soluble resin. The liquid water-soluble resin is transferred from the water support 61 through the pipe 61A to the first nozzle 51 so that the resin is dripped from the tip of the first nozzle 51. As the water-soluble resin to be used, water-soluble resists such as polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene glycol (PEG), polyethylene oxide (PEO) and the like are preferably used.

또한, 제2 노즐(52)에는, 에어를 공급하는 에어원(62)에 접속된 배관(62A)이 접속되어 있다. 제2 노즐(52)에는 에어원(62)으로부터 배관(62A)을 통해 건조 에어가 이송되어, 제2 노즐(52)의 선단으로부터 상기 건조 에어가 분출되도록 되어 있다.In addition, a pipe 62A connected to the air source 62 for supplying air is connected to the second nozzle 52. Dry air is transferred to the second nozzle 52 from the air source 62 through the pipe 62A, and the dry air is ejected from the tip of the second nozzle 52.

또한, 제3 노즐(53)에는, 세정수를 공급하는 수원(63)에 접속된 배관(63A)이 접속되어 있다. 제3 노즐(53)에는 수원(63)으로부터 배관(63A)을 통해 세정수가 이송되어, 제3 노즐(53)의 선단으로부터 상기 세정수가 토출되도록 되어 있다. 사용되는 세정수로서는, 순수, 혹은 정전기 방지를 위해 CO₂가 혼입된 순수가 바람직하게 이용된다.In addition, a pipe 63A connected to the water source 63 for supplying the washing water is connected to the third nozzle 53. The washing water is transferred to the third nozzle 53 from the water source 63 through the pipe 63A, and the washing water is discharged from the tip of the third nozzle 53. As the washing water used, pure water or pure water mixed with CO ₂ for preventing static electricity is preferably used.

또한, 이하에서는 제1 노즐(51), 제2 노즐(52), 제3 노즐(53)을 각각 수지 노즐(수지 공급 수단)(51), 에어 노즐(52), 세정수 노즐(53)이라고 칭한다.In addition, below, the 1st nozzle 51, the 2nd nozzle 52, and the 3rd nozzle 53 are respectively called the resin nozzle (resin supply means) 51, the air nozzle 52, and the wash water nozzle 53, respectively. It is called.

케이싱(20)의 상방에는, 수지 도포 수단(70)이 배치되어 있다. 이 수지 도포 수단(70)은 수직 하방을 향하여 신축하는 피스톤 로드(71a)를 갖는 에어 실린더(도포 부재 위치 결정 수단)(71)와, 피스톤 로드(71a)의 하단에 수평으로 고정된 환봉 형상의 도포 부재(72)로 구성되어 있다. 피스톤 로드(71a)는 스피너 테이블(40)과 동심형으로 배치되어 있고, 스피너 테이블(40)의 중심에 대하여 신축한다.Above the casing 20, the resin application means 70 is arrange | positioned. This resin application means 70 has an air cylinder (coating member positioning means) 71 having a piston rod 71a that extends and contracts vertically downward, and an annular rod shape fixed horizontally to the lower end of the piston rod 71a. It is comprised by the coating member 72. The piston rod 71a is arranged concentrically with the spinner table 40 and expands and contracts with respect to the center of the spinner table 40.

도포 부재(72)의 길이는, 웨이퍼(1)의 직경과 동등하거나, 그보다 약간 길고, 그 중앙부가 피스톤 로드(71a)의 선단에 고정되어 있다. 도포 부재(72)는 스테인레스나 수지 등으로 이루어지고, 표면이 평활하게 가공되어 있는 것이 바람직하게 이용된다. 수지 도포 수단(70)은, 스피너 테이블(40)이 상기 처리 위치에 위치 결정된 상태에서 피스톤 로드(71a)가 신장되고, 도포 부재(72)가 스피너 테이블(40)에 유지된 웨이퍼(1)의 표면에 근접하여 그 표면에 수지를 균일 두께로 도포 전개하는 것이 가능한 도포 위치까지 하강한다. 도포 부재(72)의 도포 위치는 웨이퍼(1)의 표면과의 간격이 예컨대 0.01 ㎜∼0.5 ㎜ 정도가 되는 위치로서, 위에서 본 상태에서 웨이퍼(1)의 중심을 통과하고, 외주 가장자리 사이에 걸친 직경에 대응하는 위치로 된다. 또한, 이 도포 부재(72)의 도포 위치는 어디까지나 일 구체예이며, 형성하는 보호막의 두께에 따라 웨이퍼(1)의 표면과의 간격은 상기 일 구체예보다도 크게 설정될 수도 있고, 작게 설정될 수도 있다. The length of the coating member 72 is equal to or slightly longer than the diameter of the wafer 1, and the center portion thereof is fixed to the tip of the piston rod 71a. The coating member 72 is made of stainless steel, resin, or the like, and a smooth surface is preferably used. The resin coating means 70 is formed of the wafer 1 in which the piston rod 71a is extended in the state where the spinner table 40 is positioned at the processing position, and the coating member 72 is held on the spinner table 40. Close to the surface, the resin is lowered to the application position where the resin can be applied and developed with a uniform thickness on the surface. The application position of the application member 72 is a position where the distance from the surface of the wafer 1 is, for example, about 0.01 mm to 0.5 mm, and passes through the center of the wafer 1 in the state seen from above, and extends between the outer peripheral edges. The position corresponds to the diameter. In addition, the application position of this coating member 72 is one specific example to the last, and the space | interval with the surface of the wafer 1 may be set larger than the said specific example according to the thickness of the protective film to form, or it may be set small. It may be.

(2) 수지막 형성 장치의 동작(2) operation of the resin film forming apparatus

다음에, 상기 수지막 형성 장치(10)의 동작을 설명한다.Next, the operation of the resin film forming apparatus 10 will be described.

(2-1) 수지의 도포(2-1) Application of Resin

미리 진공 장치가 운전되고, 또한, 웨이퍼 전달 위치로 상승하여 대기하고 있는 스피너 테이블(40) 상에, 적절한 반송 수단에 의해 반송된 웨이퍼 장착 프레임(7)이 동심형으로 흡착, 유지된다. 다음에, 스피너 테이블(40)이 처리 위치로 하강한다. 그리고 수지 노즐(51)이 케이싱(20)의 내측으로 선회하고, 그 선단이 웨이퍼(1)의 중심 부근의 바로 위에 위치 결정된다. 계속해서, 스피너 테이블(40)이 수지 도포에 따른 회전 속도(예컨대 5 rpm∼100 rpm 정도)로 회전하고, 계속해서, 스피너 테이블(40)의 회전에 따라 자전하고 있는 상태의 웨이퍼(1)의 표면의 중심 부근에, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이 액상의 수용성 수지(P)가 수지 노즐(51)의 선단으로부터 적량 적하된다. The wafer mounting frame 7 conveyed by an appropriate conveying means is sucked and held concentrically on the spinner table 40 which is operated in advance and is waiting to rise to the wafer transfer position. Next, the spinner table 40 descends to the processing position. Then, the resin nozzle 51 pivots inside the casing 20, and the tip thereof is positioned just above the center of the wafer 1. Subsequently, the spinner table 40 rotates at a rotational speed (for example, about 5 rpm to about 100 rpm) in accordance with the resin coating, and then the wafer 1 in the rotating state is rotated in accordance with the rotation of the spinner table 40. In the vicinity of the center of the surface, as shown in FIG. 2 (a), the liquid water-soluble resin P is appropriately dropped from the tip of the resin nozzle 51.

수지(P)가 적하되면, 수지 노즐(51)을 스피너 테이블(40)의 외측으로 후퇴시킨다. 계속해서 에어 실린더(71)의 피스톤 로드(71a)를 신장시켜, 수지 도포 수단(70)의 도포 부재(72)를 상기 도포 위치까지 하강시킨다. 이렇게 하면 도 2의 (b)∼(c)에 도시하는 바와 같이, 수지(P)가 웨이퍼(1)에 대하여 상대적으로 회전하고 있는 도포 부재(72)에 의해 눌러 퍼지면서, 웨이퍼(1)의 표면에 균일 두께로 도포 전개된다. When resin P is dripped, the resin nozzle 51 is retracted outward of the spinner table 40. Subsequently, the piston rod 71a of the air cylinder 71 is extended, and the application member 72 of the resin application means 70 is lowered to the application position. In this case, as shown in FIGS. 2B to 2C, the resin P is pressed and spread by the coating member 72 that is relatively rotated with respect to the wafer 1. The coating is developed with a uniform thickness on the surface.

(2-2) 수지의 건조에 의한 보호막 형성(2-2) Protective film formation by drying of resin

웨이퍼(1)의 표면에 수지(P)가 도포되었으면, 도포 부재(72)를 상승시켜 수지 도포 공정을 끝낸다. 계속해서, 스피너 테이블(40)의 회전을 속행시킨 채로, 일체로 되어 있는 에어 노즐(52)과 세정수 노즐(53)을 웨이퍼(1) 상에서 왕복 선회시키면서, 에어 노즐(52)의 선단으로부터 건조 에어를 웨이퍼(1)의 표면에 도포된 수지(P)에 분무하여 상기 수지(P)를 건조시킨다. 이에 따라 수지(P)가 경화되어, 웨이퍼(1)의 표면에 소망 두께의 보호막(수지막)(P1)가 형성된다. When resin P is apply | coated to the surface of the wafer 1, the coating member 72 is raised and the resin application | coating process is complete | finished. Subsequently, while the rotation of the spinner table 40 is continued, the integrated air nozzle 52 and the washing water nozzle 53 are dried from the tip of the air nozzle 52 while reciprocating the wafer 1 on the wafer 1. Air is sprayed onto the resin P applied to the surface of the wafer 1 to dry the resin P. Thereby, resin P hardens | cures and the protective film (resin film) P1 of desired thickness is formed in the surface of the wafer 1.

건조를 종료하여 보호막 형성 공정을 끝나면, 스피너 테이블(40)의 회전이 정지되고, 또한 스피너 테이블(40)이 웨이퍼 전달 위치로 상승된다. 이 후, 웨이퍼(1)는 스피너 테이블(40)로부터 들어 올려져, 전술한 어블레이션 가공에 의한 레이저 다이싱 가공 공정으로 이송된다. 웨이퍼(1)가 어블레이션 가공될 때에 생기는 데브리는 보호막(P1)의 표면에 부착되어 웨이퍼(1)의 표면에는 직접 부착되지 않기 때문에, 웨이퍼(1)의 품질이 확보된다. After the drying is finished and the protective film forming step is finished, the rotation of the spinner table 40 is stopped, and the spinner table 40 is raised to the wafer transfer position. After that, the wafer 1 is lifted from the spinner table 40 and transferred to the laser dicing process by the ablation process described above. Since the debris generated when the wafer 1 is ablated are attached to the surface of the protective film P1 and are not directly attached to the surface of the wafer 1, the quality of the wafer 1 is ensured.

(2-3) 보호막의 제거 및 세정(2-3) Removing and Cleaning the Protective Film

웨이퍼(1)에 레이저 다이싱 가공이 시행되면, 웨이퍼 장착 프레임(7)이 재차 상기 수지막 형성 장치(10)에 공급되고, 다음과 같이 하여 보호막(P1)이 제거되어 세정된다.When the laser dicing process is performed on the wafer 1, the wafer mounting frame 7 is again supplied to the resin film forming apparatus 10, and the protective film P1 is removed and washed as follows.

우선, 웨이퍼(1)가 레이저 다이싱된 웨이퍼 장착 프레임(7)은, 상기 웨이퍼 전달 위치에서 대기하고 있는 스피너 테이블(40)에 흡착, 유지된다. 계속해서, 스피너 테이블(40)이 상기 처리 위치로 하강하여 회전한다. 그리고 각 노즐(52, 53)을 왕복 선회시키면서, 세정수 노즐(53)의 선단으로부터 세정수를 토출하여, 상기 세정수를 보호막(P1)의 전면에 고르게 뿌린다. 이에 의해 수용성의 수지(P)로 이루어지는 보호막(P1)이 융해되고, 웨이퍼(1)의 표면으로부터 보호막(P1)이 씻겨져 제거된다. First, the wafer mounting frame 7 on which the wafer 1 is laser diced is attracted to and held by the spinner table 40 waiting at the wafer transfer position. Subsequently, the spinner table 40 descends to the processing position and rotates. The washing water is discharged from the tip of the washing water nozzle 53 while reciprocating the nozzles 52 and 53, and the washing water is evenly sprayed on the entire surface of the protective film P1. Thereby, the protective film P1 which consists of water-soluble resin P melt | dissolves, and the protective film P1 is wash | cleaned from the surface of the wafer 1, and it removes.

웨이퍼(1)의 표면의 보호막(P1)이 완전하게 제거되면, 세정수 노즐(53)로부터의 세정수의 토출을 정지하고, 계속해서 스피너 테이블(40)의 회전과, 각 노즐(52, 53)의 왕복 선회를 속행한 채로, 에어 노즐(52)의 선단으로부터 건조 에어를 분출시킨다. 건조 에어는 노출된 웨이퍼(1)의 표면 전면에 고르게 분무되고, 또한 원심력에 의해 수분이 날리는 작용도 더해져, 웨이퍼(1)가 건조 처리된다. 이 후, 스피너 테이블(40)이 웨이퍼 전달 위치로 상승되고, 웨이퍼 장착 프레임(7)은 다음 공정으로 이송된다. When the protective film P1 on the surface of the wafer 1 is completely removed, discharge of the washing water from the washing water nozzle 53 is stopped, and then the rotation of the spinner table 40 and the respective nozzles 52 and 53 are stopped. The drying air is blown out from the front end of the air nozzle 52 while continuing the reciprocating turning of). Dry air is sprayed evenly on the entire surface of the exposed wafer 1, and the action of blowing moisture by centrifugal force is also added, and the wafer 1 is dried. Thereafter, the spinner table 40 is raised to the wafer transfer position, and the wafer mounting frame 7 is transferred to the next process.

또한, 상기 수용부(33)에는, 수지(P) 도포 시에 웨이퍼(1)의 외주 가장자리로부터 낙하한 잉여의 수지와 세정수가 모이지만, 수용부(33)에는 이들 수지와 세정수를 소정의 처리 설비에 배출하기 위한 배액관(도시 생략)이 접속되어 있다.Moreover, although the excess resin and washing water which fell from the outer peripheral edge of the wafer 1 at the time of resin P application apply to the said accommodating part 33, the accommodating part 33 supplies these resin and washing water to predetermined | prescribed value. A drain pipe (not shown) for discharging to the treatment facility is connected.

(3) 일 실시형태의 작용 효과(3) Effects of one embodiment

상기 일 실시형태의 수지막 형성 장치(10)에 의하면, 웨이퍼(1)를 자전시키면서, 상기 웨이퍼(1)의 표면에 공급한 수지(P)에 수지 도포 수단(70)의 도포 부재(72)를 압력 접촉시킴으로써, 수지(P)가 웨이퍼(1)의 표면 전면에 전개되어 도포된다. 이 때문에, 종래의 스핀코트법과 같이 수지가 비산하는 일이 없고, 공급되는 수지(P)의 대부분의 양을 보호막(P)으로서 사용할 수 있다. 따라서 최소 한도의 수지(P)의 사용량으로 소망 두께의 보호막(P1)을 효율적으로 형성할 수 있다.According to the resin film forming apparatus 10 of the above embodiment, the coating member 72 of the resin coating means 70 is applied to the resin P supplied to the surface of the wafer 1 while rotating the wafer 1. By pressure contact, resin P is developed and applied to the entire surface of the wafer 1. For this reason, like the conventional spin coat method, resin does not scatter and most of the quantity of resin P supplied can be used as protective film P. FIG. Therefore, the protective film P1 of desired thickness can be formed efficiently with the usage-amount of resin P of the minimum limit.

또한, 점도가 비교적 높은 수지일 경우에도, 도포 부재(72)에 의해 눌러 퍼지게 함으로써 도포할 수 있기 때문에, 예컨대 수지 용액을 미스트형으로 분무하여 도포하는 스프레이법과 비교하면 점도가 높은 수지를 사용할 수도 있다. 점도가 높은 수지를 사용할 수 있으면, 수지의 선택지가 늘어나고, 또한 건조 시간이 단축된다고 하는 이점이 있다. Moreover, since even if it is resin with a comparatively high viscosity, since it can apply | coat by pressing and spreading by the application | coating member 72, resin with a high viscosity can also be used compared with the spraying method which sprays a resin solution in mist form and apply | coats, for example. . If resin with high viscosity can be used, there exists an advantage that the choice of resin will increase and a drying time will be shortened.

또한, 상기 실시형태에서, 웨이퍼의 표면에 형성하는 보호막의 소망 두께는, 수지가 건조되어 두께가 줄기 때문에, 예컨대 도포 시의 수지의 두께[즉, 도포 부재(72)와 웨이퍼(1)의 표면 사이의 간격]의 1/10 정도로 된다. 달리 말하면, 보호막을 소망의 두께로 하기 위해서는, 도포 부재(72)와 웨이퍼(1)의 표면 사이의 간격을 소망 두께의 10배 정도로 설정한다. 또한, 소망 두께는 필요에 따라 변하는 것이며, 예컨대 수백 ㎚ 정도가 통상적이고, 두꺼운 경우에 수 ㎛, 또한 웨이퍼 표면에 범프라고 불리는 돌기 전극이 있는 경우에는 수백 ㎛ 정도로 된다. 또한, 최종적으로 보호막 두께를 조정하는 수단으로서는, 도포 부재(72)에 의해 수지를 도포한 후, 스피너 테이블(40)을, 보호막으로서 필요한 막 두께에 따른 적절한 회전 속도(예컨대 100 rpm∼3000 rpm 정도)로 회전시켜, 불필요한 양의 수지를 비산시켜 제거하는 것도 고려된다. In the above embodiment, the desired thickness of the protective film formed on the surface of the wafer is, for example, the thickness of the resin at the time of coating (that is, the surface of the coating member 72 and the wafer 1), for example, because the resin dries and the thickness decreases. About 1/10 of the interval between them. In other words, in order to make the protective film the desired thickness, the distance between the coating member 72 and the surface of the wafer 1 is set to about 10 times the desired thickness. In addition, a desired thickness changes as needed, for example, about several hundred nm is common, for example, it is several micrometers when thick, and about several hundred micrometers when there is a projection electrode called bump on the wafer surface. In addition, as a means of finally adjusting a protective film thickness, after apply | coating resin with the coating member 72, the spinner table 40 is suitable rotation speed according to the film thickness required as a protective film (for example, about 100 rpm-about 3000 rpm). It is also contemplated to rotate and to remove unnecessary amounts of resin to remove.

(4) 다른 실시형태 및 부가적 요소(4) Other Embodiments and Additional Elements

이하에, 상기 일 실시형태에 기초하는 본 발명의 다른 실시형태와, 부가적 요소에 대해서 설명한다.Below, the other embodiment of this invention based on said one embodiment, and an additional element are demonstrated.

(4-1) 수지 노즐에 의해 수지를 도포한다. (4-1) Resin is apply | coated with a resin nozzle.

상기 수지 노즐(51)은 선단으로부터 수지(P)를 웨이퍼(1)의 표면에 적하하는 형태의 것이지만, 다른 실시형태에서는 도 3에 나타내는 바와 같이, 수지 노즐(51)의 중앙부 부근에, 웨이퍼(1)의 표면의 중심에 수지(P)를 적하하는 개구(51a)를 형성하고, 이 개구(51a)까지 수지(P)가 유동하는 수지 공급로(51b)를 형성한 것으로 한다. 이러한 수지 노즐(51)을 이용하면, 상기 노즐(51)을 스피너 테이블(40)에 유지된 웨이퍼(1)의 상방에 배치하고 개구(51a)로부터 수지(P)를 적하한 후, 스피너 테이블(40)을 상승시키며 회전시켜, 수지 노즐(51)에 의해 수지(P)를 웨이퍼(1)의 표면에 도포 전개할 수 있다.The resin nozzle 51 is in the form of dropping the resin P on the surface of the wafer 1 from the tip, but in another embodiment, as shown in FIG. 3, the wafer (in the vicinity of the center portion of the resin nozzle 51) The opening 51a which drips resin P is formed in the center of the surface of 1), and the resin supply path 51b which flows resin P to this opening 51a shall be formed. When such a resin nozzle 51 is used, the nozzle 51 is disposed above the wafer 1 held on the spinner table 40 and the resin P is dropped from the opening 51a, and then the spinner table ( 40 is rotated while being raised, and resin P can apply | coat and develop resin P on the surface of the wafer 1 by the resin nozzle 51. FIG.

또한, 이 경우에는, 스피너 테이블(40)을 상승시켜 웨이퍼(1)를 수지 노즐(51)에 대하여 근접시키고 나서, 개구(51a)로부터 수지(P)를 토출하면서 스피너 테이블(40)을 회전시켜 수지(P)를 도포 전개하여도 좋다. 이와 같이 수지 노즐이 도포 부재를 겸용하는 형태에서는, 구조의 간소화 및 부품 갯수의 저감을 도모할 수 있다고 하는 효과가 제공된다.In this case, the spinner table 40 is raised to bring the wafer 1 close to the resin nozzle 51, and then the spinner table 40 is rotated while discharging the resin P from the opening 51a. You may apply | coat and expand resin (P). In this manner, in the form in which the resin nozzle also serves as the coating member, the effect of simplifying the structure and reducing the number of parts is provided.

(4-2) 도포 부재의 형상(4-2) Shape of Coating Member

상기 실시형태에서는, 수지(P)를 도포 전개하는 도포 부재(72)가 환봉 형상이지만, 도포 부재의 형상은 이에 한정되지 않고, 도 4의 (a)에 도시하는 판형의 도포 부재(73)와, 도 4의 (b)에 도시하는 원판형의 도포 부재(74) 등과 같이, 웨이퍼(1)의 표면에 수지(P)를 도포 전개할 수 있는 것이면 어떠한 형상이어도 좋다.In the said embodiment, although the coating member 72 which apply | coats and spreads resin P is a round bar shape, the shape of a coating member is not limited to this, The plate-shaped coating member 73 shown to Fig.4 (a), and Any shape may be sufficient as long as it can apply | coat and develop resin P on the surface of the wafer 1 like the disk-shaped coating member 74 etc. which are shown to FIG. 4 (b).

또한, 이러한 형상의 도포 부재의 내부에 수지 공급로를 형성하고, 수지 공급로의 개구로부터 수지를 웨이퍼의 표면에 토출하면서 도포 부재로 수지를 도포 전개하도록 구성할 수도 있다. 도 5는 도 4의 (b)에 도시한 원판형의 도포 부재(74)의 중심에 공급로로서의 구멍(74a)을 형성하고, 이 구멍(74a)으로부터 수지(P)를 적하하는 구성을 도시하고 있다.Further, a resin supply path may be formed inside the coating member having such a shape, and the resin may be applied to the coating member while discharging the resin to the surface of the wafer from the opening of the resin supply path. FIG. 5: shows the structure which forms the hole 74a as a supply path in the center of the disk-shaped coating member 74 shown to FIG. 4 (b), and dripping resin P from this hole 74a. Doing.

(4-3) 도포 부재의 세정(4-3) Cleaning of the coating member

수지를 도포 전개하는 도포 부재에는 수지가 부착되는 경우가 있고, 수지가 부착된 채로 다음 도포에 사용하면 보호막의 표면을 평탄하게 하기 어렵게 될 우려가 있다. 따라서 수지를 도포한 후의 도포 부재에 세정수를 뿌리거나, 세정수에 도포 부재를 넣고 진동시키는 등에 의해 세정하고, 세정 후에 건조시키는 구성의 도포 부재 세정 수단을 부가하는 것이 바람직하다.Resin may adhere to the coating member which apply | coats resin, and there exists a possibility that it may become difficult to flatten the surface of a protective film, when it is used for the next application | coating with resin adhered. Therefore, it is preferable to add the coating member washing | cleaning means of the structure which sprays washing water to the coating member after apply | coating resin, wash | cleans by putting a coating member in washing water, and vibrating, and drying after washing.

(4-4) 제어 수단의 부가(4-4) addition of control means

웨이퍼의 두께, 및 수지의 종류(점도)와 수지 도포 시의 수지의 회전수에 따라, 도포 부재의 하강 거리를 제어하는 제어 수단을 부가한 구성으로 하여, 웨이퍼 표면에 대한 도포 부재의 간격을 적확하게 제어할 수 있도록 하는 것이 고려된다. 예컨대, 그와 같은 제어 수단에, 소망의 보호막 두께와, 웨이퍼의 두께 및 수지의 종류(점도)를 입력함으로써, 제어 수단이 미리 보유하고 있는 데이터에 기초하여 도포 부재의 하강 거리[상기 실시형태에서는 피스톤 로드(71a)의 신장량]를 환산하여, 도포 부재를 그 하강 거리만큼 하강시킨다. 이에 따라, 웨이퍼의 표면에 소망 두께의 보호막을 적확하게 형성하는 것이 가능해진다.According to the thickness of the wafer, the type (viscosity) of the resin, and the number of rotations of the resin at the time of resin coating, a control means for controlling the falling distance of the coating member is added, so that the gap between the coating member and the wafer surface is precisely determined. It is considered to be able to control. For example, by inputting the desired protective film thickness, the thickness of the wafer, and the type (viscosity) of the resin into such control means, the falling distance of the coating member based on the data held in advance by the control means (in the above embodiment) [Extension amount of piston rod 71a] is converted to lower the coating member by the lowering distance thereof. As a result, it is possible to accurately form a protective film having a desired thickness on the surface of the wafer.

1…웨이퍼(워크)
10…수지막 형성 장치
40…스피너 테이블(유지 수단)
42a…흡착부의 상면(유지면)
44…모터(회전 수단)
51…수지 노즐(수지 공급 수단)
70…수지 도포 수단
71…에어 실린더(도포 부재 위치 결정 수단)
72, 73, 74…도포 부재
P…수지
P1…보호막(수지막)One… Wafer (work)
10... Resin film forming apparatus
40 ... Spinner table (maintenance means)
42a... Upper surface of adsorption part (oil level)
44 ... Motor (rotation means)
51 ... Resin Nozzle (Resin Supply Means)
70 ... Resin coating means
71 ... Air cylinder (coating member positioning means)
72, 73, 74... Application member
P… Suzy
P1... Protective film (resin film)

Claims

A resin film forming apparatus for forming a resin film by applying a liquid resin to one surface of a plate-shaped work,
Holding means having a holding surface for holding said workpiece in a state where said one surface is exposed,
Rotating means for rotating the holding means in a direction perpendicular to the holding surface as a rotating shaft;
Resin supply means for supplying the liquid resin to the one surface of the workpiece held on the holding surface;
An application member opposed to the one surface of the workpiece held by the holding means and rotated by the rotating means so as to correspond to the outermost edge from the rotation center of the at least one surface;
Application member positioning means for positioning the application member at a predetermined application deployment position proximate to the one surface of the workpiece held by the holding surface
Resin film forming apparatus comprising a.

2. The resin film formation according to claim 1, wherein the coating member positioning means positions the coating member at a position where the distance between the application member and one surface of the workpiece is 0.01 mm to 0.5 mm. Device.