JP5967985B2 - Laser processing method - Google Patents
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Description
本発明は、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザービームを、テープに貼着されてフレームで支持された被加工物に照射して、被加工物の外周の一端から他端に至るレーザー加工を施すレーザー加工方法に関する。 In the present invention, a laser beam having a wavelength that is absorptive with respect to a workpiece is irradiated onto a workpiece that is attached to a tape and supported by a frame, so that one end of the outer periphery of the workpiece is applied to the other end. The present invention relates to a laser processing method for performing various laser processing.
従来、例えば特許文献1に開示されるように、半導体ウェーハなどの被加工物のハンドリングを容易にするために、加工に際して被加工物をテープ(粘着テープ)に貼着するとともにフレームで支持して被加工物ユニットを構成することが行われている。
Conventionally, for example, as disclosed in
被加工物ユニットにおいてテープに貼着された状態の被加工物は、被加工物より大きい保持面を有する保持テーブル上にテープを介して保持される。そして、上方からレーザービームが被加工物に照射されてレーザー加工が施される。 The workpiece in a state of being stuck to the tape in the workpiece unit is held via a tape on a holding table having a holding surface larger than the workpiece. The workpiece is irradiated with a laser beam from above, and laser processing is performed.
このレーザー加工は、被加工物を保持テーブルで保持した状態でレーザービーム照射手段からレーザービームを照射しつつ、保持テーブルとレーザービーム照射手段を加工送り方向に相対移動せしめることで行われる。 This laser processing is performed by moving the holding table and the laser beam irradiation means relative to each other in the processing feed direction while irradiating the laser beam from the laser beam irradiation means with the workpiece held by the holding table.
レーザー加工において、被加工物の外周縁を越えてレーザービームが照射されると、テープが加熱されて溶融し、保持テーブルの保持面(被加工物保持領域)に溶着することが考えられる。そして、この溶着したテープによって保持面に形成された負圧を作用させるための吸引孔が目詰まりしたり、保持面の表面精度が低下する(例えば表面粗さが粗くなる)という問題が生じることになる。 In laser processing, when the laser beam is irradiated beyond the outer peripheral edge of the workpiece, the tape is heated and melted, and may be welded to the holding surface (workpiece holding region) of the holding table. And the suction hole for applying the negative pressure formed on the holding surface by this welded tape is clogged, or the surface accuracy of the holding surface is lowered (for example, the surface roughness becomes rough). become.
また、保持テーブルにレーザービームが照射される状況が生じると、保持テーブルの保持面がレーザービームによって損傷し、表面精度が低下するという問題が生じるになる。 In addition, when a situation occurs in which the holding table is irradiated with a laser beam, the holding surface of the holding table is damaged by the laser beam, resulting in a problem that the surface accuracy is lowered.
そして、このような問題が生じると、保持面に溶着したテープを砥石によって削ぎ落とすといったメンテナンスが必要となり、場合によっては保持テーブルを交換しなければならないことになる。 And when such a problem arises, the maintenance which scrapes off the tape welded to the holding surface with a grindstone is needed, and the holding table must be replaced | exchanged depending on the case.
他方、被加工物の外周縁についても確実にレーザービームを照射させるために、あえて、外周縁を超えた領域までレーザービームを照射する、いわゆるオーバーラン加工が実施されることも想定される。この場合では、外周縁を超えた領域にレーザービームが照射されることが予定されるため、上記の問題の対策が必要になる。 On the other hand, in order to reliably irradiate the outer peripheral edge of the workpiece with the laser beam, it is assumed that so-called overrun processing is performed in which the laser beam is irradiated to a region beyond the outer peripheral edge. In this case, since it is planned that the laser beam is irradiated to the region beyond the outer peripheral edge, it is necessary to take measures against the above problem.
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物の外周縁を越えて外周縁の周囲にレーザービームが照射されるような状況が生じた場合でも、テープの溶解、これに伴うテープの保持テーブルへの溶着、また、保持テーブルの損傷を生じさせないためのレーザー加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and the object of the present invention is that a situation occurs in which a laser beam is irradiated around the outer peripheral edge beyond the outer peripheral edge of the workpiece. Even in such a case, the present invention is to provide a laser processing method for melting the tape, welding the tape to the holding table, and preventing the holding table from being damaged.
請求項1に記載の発明によると、被加工物にレーザービームを照射してレーザー加工を施すレーザー加工方法であって、被加工物にテープを貼着するとともにテープの外周を環状フレームに装着するテープ貼着ステップと、テープ貼着ステップを実施した後、被加工物より大きい保持面を有した保持テーブルでテープを介して被加工物を保持する保持ステップと、保持ステップを実施した後、レーザービーム照射手段で被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザービームを保持テーブルに保持された被加工物に照射するとともにレーザービーム照射手段と保持テーブルとを加工送り方向に相対移動させて、被加工物の外周の一端から他端に至るレーザー加工を被加工物に施すレーザー加工ステップと、少なくともレーザー加工ステップを実施する前に、該テープを介して該被加工物をスピンナーテーブルで保持し、該スピンナーテーブルを回転させながら該レーザービームの進入を妨げるガード用樹脂でなるガード部材を滴下することで、被加工物の外周側のテープ上に被加工物の外周縁に沿って該ガード部材を配設して被加工物を囲繞するガード部を形成するガード部材配設ステップと、を備え、レーザー加工ステップでは、被加工物の外周の一端から他端に至るレーザー加工を施すとともに被加工物の外周側にはみ出す位置に照射されたレーザービームをガード部で吸収する、レーザー加工方法が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a laser processing method for performing laser processing by irradiating a workpiece with a laser beam, and attaching the tape to the workpiece and attaching the outer periphery of the tape to the annular frame. After performing the tape adhering step, the tape adhering step, the holding step for holding the workpiece through the tape with a holding table having a holding surface larger than the workpiece, the laser after performing the holding step The beam irradiation means irradiates the workpiece held by the holding table with a laser beam having a wavelength that is absorptive with respect to the workpiece, and relatively moves the laser beam irradiation means and the holding table in the processing feed direction. a laser processing step of applying a laser processing from one end to the other end of the outer periphery of the workpiece to the workpiece, the laser processing step even without least Before Hodokosuru, by through the tape holding the workpiece with a spinner table, dropping a guard member made of a resin guard that prevents the entry of the laser beam while rotating the spinner table, the workpiece and a guard member disposed forming a guard portion which surrounds the workpiece disposed the guard member along the outer peripheral edge of the outer peripheral side workpiece on the tape of articles, in the laser processing step A laser processing method is provided in which laser processing is performed from one end to the other end of the outer periphery of the workpiece, and the laser beam irradiated to a position protruding to the outer periphery of the workpiece is absorbed by the guard portion.
本発明によると、被加工物の外周に被加工物を囲繞するガード部材を配設した後、レーザービームが照射される。従って、被加工物の外周縁を越えて外周縁の周囲にレーザービームが照射されるような状況が生じた場合でも、ガード部材によってレーザービームが吸収され、レーザービームがテープや保持テーブルに到達することを防止できる。これにより、テープの溶解、これに伴うテープの保持テーブルへの溶着、また、保持テーブルの損傷といった問題の発生を防ぐことができる。 According to the present invention, after the guard member surrounding the workpiece is disposed on the outer periphery of the workpiece, the laser beam is irradiated. Therefore, even when a situation occurs in which the laser beam is irradiated around the outer peripheral edge beyond the outer peripheral edge of the workpiece, the laser beam is absorbed by the guard member, and the laser beam reaches the tape or the holding table. Can be prevented. Thereby, it is possible to prevent problems such as melting of the tape, welding of the tape to the holding table, and damage of the holding table.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明のレーザー加工方法の実施に使用する一例であるレーザー加工装置2の外観を示している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the appearance of a
レーザー加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
On the front side of the
図2に示すように、加工対象の半導体ウェーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交されて形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the semiconductor wafer W to be processed, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 are formed. A number of devices D are formed in a region partitioned by.
ウェーハWは粘着テープであるテープT(ダイシングテープ)に貼着され、テープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウェーハWはテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウェーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
The wafer W is attached to a tape T (dicing tape) that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the annular frame F via the tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 wafers) are accommodated in the
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8からレーザー加工前のウェーハWを搬出するとともに、加工後のウェーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。
Behind the
ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウェーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
Between the
30は保護材付与装置であり、この保護材付与装置30は加工後のウェーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、ウェーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。
仮置き領域12に搬出されたウェーハWは、搬送手段16により吸着されて保護材付与装置30に搬送される。保護材付与装置30では、後で詳細に説明するようにウェーハWの加工面に保護膜が被覆される。
The wafer W carried out to the
加工面に保護膜が被覆されたウェーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段(クランプ)19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。 The wafer W whose processing surface is coated with a protective film is attracted by the transport means 16 and transported onto the chuck table 18 and sucked by the chuck table 18, and the frame F is fixed by a plurality of fixing means (clamps) 19. As a result, the chuck table 18 is held.
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウェーハWのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。 The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, alignment means 20 that detects a street of the wafer W to be laser processed. Is arranged.
アライメント手段20は、ウェーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
The
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウェーハWに対してレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット24が配設されている。レーザービーム照射ユニット24のケーシング26中には後で詳細に説明するレーザー発振手段等が収容されており、ケーシング26の先端にはレーザービームを加工すべきウェーハ上に集光する集光器28が装着されている。
On the left side of the alignment means 20, a laser
レーザービーム照射ユニット24のケーシング26内には、図3のブロック図に示すように、レーザー発振手段34と、レーザービーム変調手段36が配設されている。
In the
レーザー発振手段34としては、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器を用いることができる。レーザービーム変調手段36は、繰り返し周波数設定手段38と、レーザービームパルス幅設定手段40と、レーザービーム波長設定手段42を含んでいる。
As the laser oscillation means 34, a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator can be used. The laser
レーザービーム変調手段36を構成する繰り返し周波数設定手段38、レーザービームパルス幅設定手段40及びレーザービーム波長設定手段42は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。 The repetition frequency setting means 38, the laser beam pulse width setting means 40, and the laser beam wavelength setting means 42 constituting the laser beam modulation means 36 are of known forms, and detailed description thereof is omitted in this specification.
レーザービーム照射ユニット24によりレーザー加工が終了したウェーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により保持されて洗浄装置を兼用する保護材付与装置30まで搬送される。保護材付与装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウェーハWを低速回転(例えば800rpm)させることによりウェーハを洗浄する。
The wafer W that has been subjected to laser processing by the laser
洗浄後、ウェーハWを高速回転(例えば2000rpm)させながらエアーノズルからエアーを噴出させてウェーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウェーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウェーハWは戻される。
After cleaning, the wafer W is dried at a high speed (for example, 2000 rpm) by blowing air from the air nozzle and drying the wafer W. Then, the wafer W is adsorbed by the transfer means 16 and returned to the
次に、保護材付与装置30について図4乃至図7を参照して詳細に説明する。まず図4を参照すると、保護材付与装置30の一部破断斜視図が示されている。
Next, the protective
保護材付与装置30は、スピンナーテーブル機構44と、スピンナーテーブル機構44を包囲して配設された洗浄水受け機構46を具備している。スピンナーテーブル機構44は、スピンナーテーブル48と、スピンナーテーブル48を回転駆動する電動モータ50と、電動モータ50を上下方向に移動可能に支持する支持機構52とから構成される。
The protective
スピンナーテーブル48は多孔性材料から形成された吸着チャック48aを具備しており、吸着チャック48aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル48は、吸着チャック48aにウェーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック48a上にウェーハを吸引保持する。
The spinner table 48 includes a
スピンナーテーブル48は、電動モータ50の出力軸50aに連結されている。支持機構52は、複数の(本実施形態においては3本)の支持脚54と、支持脚54にそれぞれ連結され電動モータ50に取り付けられた複数(本実施形態においては3本)のエアーシリンダ56とから構成される。
The spinner table 48 is connected to the
このように構成された支持機構52は、エアーシリンダ56を作動することにより、電動モータ50及びスピンナーテーブル48を図5に示す上昇位置であるウェーハ搬入・搬出位置と、図6に示す加工位置である作業位置に位置付け可能である。
The
洗浄水受け機構46は、洗浄水受け容器58と、洗浄水受け容器58を支持する3本(図4には2本のみ図示)の支持脚60と、電動モータ50の出力軸50aに装着されたカバー部材62とから構成される。
The cleaning
洗浄水受け容器58は、図5及び図6に示すように、円筒状の外側壁58aと、底壁58bと、内側壁58cとから構成される。底壁58bの中央部には、電動モータ50の出力軸50aが挿入される穴51が設けられており、内側壁58cはこの穴51の周辺から上方に突出するように形成されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the washing
また、図4に示すように、底壁58bには廃液口59が設けられており、この廃液口59にドレンホース64が接続されている。カバー部材62は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部62aを備えている。
As shown in FIG. 4, a
このように構成されたカバー部材62は、電動モータ50及びスピンナーテーブル48が図6に示す作業位置に位置付けられると、カバー部62aが洗浄水受け容器58を構成する内側壁58cの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。
When the
保護材付与装置30は、スピンナーテーブル48に保持された加工前の半導体ウェーハに液状樹脂を塗布する塗布手段66(図6参照)を具備している。塗布手段66は、スピンナーテーブル48に保持された加工前のウェーハの加工面に向けて液状樹脂を塗布する塗布ノズル68と、塗布ノズル68を支持する概略L形状のアーム70と、アーム70に支持された塗布ノズル68を少なくともウェーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する正転・逆転可能な電動モータ72とから構成される。塗布ノズル68はアーム70を介して保護膜用樹脂供給源90(図7参照)に接続されている。
The protective
図7に示すように、塗布ノズル68とアーム70は一体的に形成されており、保護膜用樹脂供給通路88が形成されている。保護膜用樹脂供給通路88は、保護膜用樹脂供給源90に接続され、塗布ノズル68の先端部に形成される滴下口95からは、保護膜形成用樹脂91が滴下されるようになっている。
As shown in FIG. 7, the
さらに、塗布ノズル68とアーム70には、ガード用樹脂供給路97が形成されている。ガード用樹脂供給路97は、ガード用樹脂供給源99に接続され、塗布ノズル68の先端部に形成される滴下口96からガード用樹脂93が滴下されるようになっている。
Further, a guard
保護材付与装置30はレーザー加工後のウェーハを洗浄する洗浄装置を兼用するため、保護材付与装置30は、スピンナーテーブル48に保持された加工後のウェーハを洗浄するための洗浄水供給手段74(図5)及びエアー供給手段76(図4)を具備している。
Since the protective
図5に示すように、洗浄水供給手段74は、スピンナーテーブル48に保持された加工後のウェーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル78と、洗浄水ノズル78を支持するアーム80と、アーム80に支持された洗浄水ノズル78を揺動する正転・逆転可能な電動モータ82とから構成される。洗浄水噴射ノズル78はアーム80を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
As shown in FIG. 5, the cleaning water supply means 74 includes a cleaning
図4に示すように、エアー供給手段76は、スピンナーテーブル48に保持された洗浄後のウェーハに向けてエアーを噴出するエアーノズル84と、エアーノズル84を支持するアーム86と、アーム86に支持されたエアーノズル84を揺動する正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えている。エアーノズル84はアーム86を介して図示しないエアー供給源に接続されている。
As shown in FIG. 4, the air supply means 76 includes an
以上の装置構成を用い、本願発明にかかるレーザー加工方法を実施することができる。まず、図8に示すように、被加工物となるウェーハWにテープTを貼着するとともにテープTの外周を環状フレームFに装着するテープ貼着ステップが実施される。これにより、図2に示すように、ウェーハWがテープTを介して環状フレームFに固定された被加工物ユニットUが構成される。 The laser processing method concerning this invention can be implemented using the above apparatus structure. First, as shown in FIG. 8, a tape adhering step of adhering the tape T to the wafer W to be processed and attaching the outer periphery of the tape T to the annular frame F is performed. As a result, as shown in FIG. 2, a workpiece unit U in which the wafer W is fixed to the annular frame F via the tape T is configured.
そして、少なくとも後に説明するレーザー加工ステップを実施する前に、図9に示すように、ウェーハWの外周側のテープT上にウェーハWの外周縁Wgに沿ってレーザービームの進入を妨げるガード用樹脂(ガード部材)93を配設してウェーハWを囲繞するガード部93gを形成するガード部材配設ステップが実施される。
Before performing at least a laser processing step described later, as shown in FIG. 9, a guard resin that prevents the laser beam from entering along the outer peripheral edge Wg of the wafer W onto the tape T on the outer peripheral side of the wafer W. A guard member disposing step for forming a
本実施形態では、ウェーハWの外周縁Wgの上方に塗布ノズル68を位置付け、塗布ノズル68の滴下口96(図7参照)からガード用樹脂93を滴下するとともに、スピンナーテーブル48(図6)をゆっくりと回転させてウェーハWを回転させることで、ウェーハWの外周縁Wgに沿うようなビード状のガード部93gが形成されることとしている。
In the present embodiment, the
塗布ノズル68から滴下させるガード用樹脂93は、特に限定されるものではないが、例えば、紫外線吸収剤入り水溶性樹脂を用いることが考えられる。この紫外線吸収剤入り水溶性樹脂を用いることによれば、後のレーザー加工ステップにおいて、レーザービームを吸収し、テープTへのレーザービームの到達を防ぎ、テープTが溶融しチャックテーブル18へ溶着するといった不具合を防ぐことが可能となる。また、水溶性の樹脂とすることにより、レーザー加工後において、水で洗い流すことが可能となる。また、ガード用樹脂(ガード部材)93として水溶性液状樹脂を使用する場合には、保護膜形成用樹脂91よりも粘度の高いものを使用することが好ましい。
The
また、少なくとも後に説明するレーザー加工ステップを実施する前に、図9に示すように、ウェーハWの加工面(上面)Waに保護膜形成用樹脂91による保護膜91Mが形成されることとする。この保護膜91Mは、図7に示すように、塗布ノズル68の滴下口95から保護膜形成用樹脂91をウェーハWの略中心位置に滴下するとともに、その後、スピンナーテーブル48(図5)を回転させて保護膜形成用樹脂91を遠心力で広げることで形成される、いわゆる、スピンコートの形態にて形成することが考えられる。また、この保護膜91Mは、後のレーザー加工ステップにおいて発生するデブリがウェーハWの加工面(上面)Waに形成されるデバイスに直接付着することを防止するためのものである。
Further, before performing at least a laser processing step to be described later, as shown in FIG. 9, a
保護膜91Mを形成するための保護膜形成用樹脂91としては、特に限定されるものではないが、例えば、PVA(ポリ・ビニール・アルコール)PEG(ポリ・エチレン・グリコール)、PEO(酸化ポリエチレン)等の水溶性のレジストを使用することが考えられる。また、水溶性の樹脂とすることにより、レーザー加工後において水で洗い流すことが可能となる。
The protective
また、本実施形態では、上述したテープ貼着ステップとガード部材配設ステップを実施した後に、図1に示すレーザー加工装置2において、ウェーハWより大きい吸着チャック(保持面)18aを有したチャックテーブル(保持テーブル)18で、テープTを介してウェーハWを保持する保持ステップが実施される。
In the present embodiment, the chuck table having the chuck (holding surface) 18a larger than the wafer W in the
この保持ステップにより、図10に示すように、加工面Waに保護膜91Mが被覆され、さらに、外周縁Wgにガード部93gが配設されたウェーハWが、吸着チャック18a上にて吸引されるとともに、複数の固定手段(クランプ)19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
By this holding step, as shown in FIG. 10, the processing surface Wa is covered with the
また、保持ステップを実施した後、図11に示すように、レーザービーム照射ユニット(レーザービーム照射手段)24で被加工物であるウェーハWに対して吸収性を有する波長のレーザービームLBをチャックテーブル18に保持されたウェーハWに照射するとともにレーザービーム照射ユニット24とチャックテーブル18とを加工送り方向に相対移動させて、ウェーハWの外周の一端w1から他端w2に至るレーザー加工を被加工物に施すレーザー加工ステップを実施する。
Further, after performing the holding step, as shown in FIG. 11, a laser beam LB having a wavelength that is absorptive with respect to the wafer W that is a workpiece by the laser beam irradiation unit (laser beam irradiation means) 24 is chucked. The laser
レーザー加工ステップでは、レーザービーム照射ユニット24からウェーハWに向けてパルスレーザービームを照射しながら、チャックテーブル18をX軸方向に所定の送り速度(例えば100mm/秒)で移動させる。
In the laser processing step, the chuck table 18 is moved in the X-axis direction at a predetermined feed rate (for example, 100 mm / second) while irradiating a pulse laser beam from the laser
尚、レーザー加工条件は例えば以下の通りである。 The laser processing conditions are as follows, for example.
光源 :YAGレーザー
波長 :355nm(YAGレーザーの第3高調波)
出力 :3.0W
繰り返し周波数 :20kHz
集光スポット径 :1.0μm
送り速度 :100mm/秒
Light source: YAG laser Wavelength: 355 nm (third harmonic of YAG laser)
Output: 3.0W
Repetition frequency: 20 kHz
Condensing spot diameter: 1.0 μm
Feeding speed: 100 mm / second
そして、このレーザー加工ステップでは、ウェーハWの外周の一端w1から他端w2に至るレーザー加工を施すとともに、ウェーハWの外周側にはみ出す位置に照射されたレーザービームLBは、ガード部93gで吸収されることになる。
In this laser processing step, laser processing from one end w1 to the other end w2 of the outer periphery of the wafer W is performed, and the laser beam LB irradiated to a position protruding to the outer peripheral side of the wafer W is absorbed by the
このようにガード部93gでレーザービームLBが吸収されるため、レーザービームLBはテープTに到達することがなく、テープTの溶融や、溶融したテープTが吸着チャック18aに溶着するといった不具合発生を防止できる。
Since the laser beam LB is absorbed by the
また、吸着チャック18aにはレーザービームLBが直接到達することがないため、吸着チャック18aがレーザービームLBによって損傷する不具合発生を防止できる。
Further, since the laser beam LB does not reach the
また、このレーザー加工ステップにおいて、意図的に、ウェーハWの外周縁Wgの手前の位置からレーザー加工を開始する、或は、外周縁Wgを超えた位置でレーザー加工を碇止する(オーバーラン)を実施する場合においても、ガード用樹脂93によってレーザービームを吸収することができ、本発明を好適に実施することが可能となる。
In this laser processing step, laser processing is intentionally started from a position before the outer peripheral edge Wg of the wafer W, or laser processing is stopped at a position exceeding the outer peripheral edge Wg (overrun). Even in the case of carrying out the above, the laser beam can be absorbed by the
以上の実施形態により本発明を実施することができるが、ガード部93gについては、ガード用樹脂93をビード状にしてウェーハWの外周縁Wgを囲繞することとするほか、例えば、石膏や塗料などを外周縁Wgに沿わせるように円環状に塗布して配置することが考えられる。
Although the present invention can be implemented by the above embodiment, the
なお、上述の実施形態のように、ガード用樹脂93や、石膏、塗料などの液体やゲル状などの不定形のガード部材を用いることによれば、ウェーハWとガード部材の間に隙間を形成させないようにすることができ、この隙間を通してレーザービームがテープTや吸着チャック18aに到達するといった不具合の発生を防止することができる。
Note that, as in the above-described embodiment, by using a
さらに、別の実施形態として、予め円環状に形付けられたシート状、あるいは、プレート状のガード部材をウェーハWを取り囲むように配置することなども考えられる。 Furthermore, as another embodiment, it is also conceivable to arrange a guard member in the form of a sheet or plate shaped in an annular shape so as to surround the wafer W.
また、以上のようにガード部材としては各種の形態が考えられるが、本発明を実施するうえでは、レーザービームを吸収し、テープTや吸着チャック18aに到達させない機能を果たすものであれば、特に限定されるものではない。
Further, as described above, various forms of the guard member are conceivable. However, in carrying out the present invention, the guard member is not particularly limited as long as it functions to absorb the laser beam and prevent it from reaching the tape T or the
以上のレーザー加工ステップを実施した後に、ガード部材の除去や、各チップへの分割ステップなどが実施される。ここで、ガード部材として紫外線吸収剤入り水溶性樹脂からなるガード用樹脂93を用いることによれば、洗浄装置の機能を兼ねる保護材付与装置30により、このガード用樹脂93を洗い流すことが可能となる。
After performing the above laser processing steps, the removal of the guard member, the division step into each chip, and the like are performed. Here, by using the
2 レーザー加工装置
18 チャックテーブル
18a 吸着チャック
24 レーザービーム照射ユニット
30 保護材付与装置
93 ガード用樹脂
93g ガード部
F 環状フレーム
LB レーザービーム
T テープ
U 被加工物ユニット
W ウェーハ
w1 一端
w2 他端
Wg 外周縁
2
Claims (1)
該被加工物にテープを貼着するとともに該テープの外周を環状フレームに装着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップを実施した後、該被加工物より大きい保持面を有した保持テーブルで該テープを介して該被加工物を保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、レーザービーム照射手段で該被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該保持テーブルに保持された該被加工物に照射するとともに該レーザービーム照射手段と該保持テーブルとを加工送り方向に相対移動させて、該被加工物の外周の一端から他端に至るレーザー加工を該被加工物に施すレーザー加工ステップと、
少なくとも該レーザー加工ステップを実施する前に、該テープを介して該被加工物をスピンナーテーブルで保持し、該スピンナーテーブルを回転させながら該レーザービームの進入を妨げるガード用樹脂でなるガード部材を滴下することで、該被加工物の外周側の該テープ上に該被加工物の外周縁に沿って該ガード部材を配設して該被加工物を囲繞するガード部を形成するガード部材配設ステップと、を備え、
該レーザー加工ステップでは、該被加工物の外周の一端から他端に至るレーザー加工を施すとともに該被加工物の外周側にはみ出す位置に照射された該レーザービームを該ガード部で吸収する、レーザー加工方法。 A laser processing method for performing laser processing by irradiating a workpiece with a laser beam,
A tape attaching step of attaching a tape to the workpiece and attaching an outer periphery of the tape to an annular frame;
A holding step of holding the workpiece via the tape with a holding table having a holding surface larger than the workpiece after performing the tape attaching step;
After carrying out the holding step, the laser beam irradiating means irradiates the workpiece held on the holding table with a laser beam having a wavelength that is absorptive with respect to the workpiece, and the laser beam irradiating means; A laser processing step in which laser processing is performed on the workpiece from one end to the other end of the outer periphery of the workpiece by relatively moving the holding table in the processing feed direction ;
Before carrying out the laser processing step even without low, through the tape holding the workpiece in the spinner table, the guard member made of a resin guard that prevents the entry of the laser beam while rotating the spinner table by dropping the guard member to form the guard portion surrounding the along the outer edge of the workpiece on the outer side of the tape of the workpiece is disposed the guard member workpiece comprising a disposed step, a
In the laser processing step, a laser processing is performed from one end to the other end of the outer periphery of the workpiece, and the laser beam irradiated to a position protruding to the outer periphery of the workpiece is absorbed by the guard portion. Processing method.
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