KR20100099743A - Ｅｕｖ-방사선에 대한 격자, 격자를 제조하는 방법, 및 파면 측정 시스템 - Google Patents

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Abstract

EUV-방사선에 대한 격자는 복수의 반사 라인들을 포함한다. 각각의 반사 라인은 서로 교번하여 배치된 복수의 제 1 반사 도트들 및 복수의 제 2 반사 도트들을 포함한다. 제 1 반사 도트들 및 제 2 반사 도트들은 180±10 도 mod 360 도의 상호 위상 차로 EUV-방사선을 반사시키도록 구성된다.

Description

ＥＵＶ-방사선에 대한 격자, 격자를 제조하는 방법, 및 파면 측정 시스템{GRATING FOR EUV-RADIATION, METHOD FOR MANUFACTURING THE GRATING AND WAVEFRONT MEASUREMENT SYSTEM}
본 발명은 EUV-방사선에 대한 격자, 격자를 제조하는 방법, 및 예를 들어 격자를 포함한 리소그래피 장치에 대한 파면 측정 시스템에 관한 것이다.
리소그래피는 기판의 표면 상에 피처들을 생성하는데 사용되는 공정이다. 이러한 기판들은 평판 디스플레이, 회로판, 다양한 집적 회로(IC) 등의 제조에 사용되는 기판들을 포함할 수 있다. 이러한 적용예에 자주 사용되는 기판은 반도체 웨이퍼이다. 당업자라면, 본 명세서의 기재내용이 다른 형태의 기판들에도 적용된다는 것을 인지할 것이다. 이러한 경우, 패터닝 구조체는 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성할 수 있으며, 이 패턴은 방사선-감응재(예를 들어, 레지스트)층으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 이미징(image)될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 투영 시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접한 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함할 것이다. 마스크 테이블 상의 마스크에 의한 패터닝을 이용하는 현재의 장치는 2 개의 상이한 형태의 기계로 구별될 수 있다. 일 형태의 리소그래피 투영 장치에서는 전체 마스크 패턴을 타겟부 상으로 한번에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되며; 이러한 장치는 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 통상적으로 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라 칭하는 대안적인 장치에서는 투영 빔 하에서 주어진 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행하게(같은 방향으로 평행하게) 또는 역-평행하게(반대 방향으로 평행하게) 기판 테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은 배율 인자(M)(M < 1)를 가질 것이므로, 기판 테이블이 스캐닝되는 속력(V)은 마스크 테이블이 스캐닝되는 속력의 인자(M) 배일 것이다. 본 명세서에 서술된 바와 같은 리소그래피 디바이스들에 관련된 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되는 미국 특허 제 6,046,792호로부터 얻을 수 있다.
리소그래피 투영 장치를 사용하는 제조 공정에서, 방사선-감응재(예를 들어, 레지스트)층에 의해 전체 또는 부분적으로 덮인 기판 상에 (예를 들어, 마스크 내의) 패턴이 이미징된다. 이러한 이미징 단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크(soft bake)와 같은 다양한 과정들을 거칠 수 있다. 노광 후, 기판은 노광후 베이크(post-exposure bake: PEB), 현상, 하드 베이크(hard bake) 및 이미징된 피처들의 측정/검사와 같은 다른 과정들을 거칠 수 있다. 이러한 일련의 과정들은 디바이스, 예컨대 IC의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그 후, 이러한 패터닝된 층은 에칭, 이온-주입(도핑), 금속화(metallization), 산화, 화학-기계적 연마 등과 같은 다양한 공정들을 거칠 수 있으며, 이는 모두 개별층을 마무리하도록 의도된다. 여러 층이 요구되는 경우에는, 각각의 새로운 층에 대해 전체 과정 또는 그 변형이 반복되어야 한다. 최종적으로, 디바이스들의 어레이가 기판(웨이퍼) 상에 존재할 것이다. 그 후, 이 디바이스들은 다이싱(dicing) 또는 소잉(sawing)과 같은 기술에 의해 서로 분리되며, 개별 디바이스들은 캐리어에 장착되고, 핀에 연결되는 등의 작업을 거칠 수 있다. 이러한 공정들에 관한 추가 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing"(제 3 판, Peter van Zant 저, McGraw Hill Publishing Co., 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위해, 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 수 있다; 하지만, 이 용어는 예를 들어 굴절 광학기, 반사 광학기 및 카타디옵트릭(catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 타입의 투영 시스템들을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 방사선 시스템은 방사선 투영 빔을 지향, 성형 또는 제어하기 위해 이 디자인 형태들 중의 어느 하나에 따라 작동하는 구성요소를 포함할 수 있으며, 이후 이러한 구성요소들도 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수 있다. 투영 빔이 가로지르는 제 1 요소에 대한, 투영 빔이 가로지르는 제 2 요소의 위치는 간명함을 위해 이후 상기 제 1 요소의 "하류(downstream)" 또는 "상류(upstream)"라고 언급될 것이다. 본 명세서에서, "하류"라는 표현은 제 1 요소로부터 제 2 요소까지의 변위가 투영 빔의 전파 방향을 따르는 변위라는 것을 나타내며; 이와 유사하게, "상류"는 제 1 요소로부터 제 2 요소까지의 변위가 투영 빔의 전파 방향과 반대인 변위라는 것을 나타낸다. 또한, 상기 리소그래피 장치는 2 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 디바이스에서는, 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 인용참조되는 미국 특허 제 5,969,441호 및 국제 특허 출원 공개공보 WO 98/40791호에서 듀얼(dual) 스테이지 리소그래피 장치가 설명된다.
IC 내에 계속 증가하는 수의 전자 구성요소들을 집적하려는 요구가 존재한다. 이를 실현하기 위해, 구성요소들의 크기를 감소시키는 것이 바람직하므로, 더욱더 작은 세부요소들, 또는 라인 폭들이 기판의 타겟부 상에 투영될 수 있도록 투영 시스템의 분해능을 증가시키는 것이 바람직하다. 투영 시스템에 대해, 이는 투영 시스템 및 투영 시스템에서 사용되는 렌즈 요소들이 매우 엄격한 품질 요건들에 응해야 한다는 것을 의미한다. 투영 시스템 및 렌즈 요소들의 제조 시 매우 주의함에도 불구하고, 예를 들어 투영 시스템을 이용하여 기판의 타겟부 상에 투영된 이미지 필드를 가로질러 변위, 디포커스, 비점수차, 코마 및 구면 수차와 같은 파면 수차들의 문제가 여전히 있을 수 있다. 상기 수차들은 이미지 필드를 가로질러 일어나는 이미징된 라인 폭들의 변동들의 원인이다. 이미지 필드 내에서 상이한 지점들에 이미징된 라인 폭들은 일정해야 한다. 라인 폭 변동이 큰 경우, 이미지 필드가 투영되는 기판은 기판의 품질 검사 시 제거될 수 있다. 위상-시프팅 마스크(phase-shifting mask) 또는 오프-액시스 조명(off-axis illumination)과 같은 기술들을 이용하면, 이미징된 라인 폭들에 대한 파면 수차들의 영향이 더 증가할 수 있다.
렌즈 요소의 제조 시, 렌즈 요소의 파면 수차들을 측정하고, 이 요소 내의 수차들을 조정하거나 심지어 품질이 충분하지 않다면 이 요소를 제거하도록 측정된 결과들을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 렌즈 요소들이 투영 시스템을 형성하도록 구성되는 경우, 다시 투영 시스템의 파면 수차들을 측정하는 것이 바람직할 수 있다. 이 측정들은 투영 시스템의 파면 수차들을 최소화하기 위해 투영 시스템 내의 소정 렌즈 요소들의 위치를 조정하는데 사용될 수 있다.
투영 시스템이 리소그래피 투영 장치 내로 조립된 이후, 다시 파면 수차들이 측정될 수 있다. 또한, 파면 수차들이 예를 들어 렌즈 재료의 품질 저하 또는 렌즈 재료의 국부 가열로부터의 렌즈 가열 영향들로 인해, 투영 시스템 내에서 시간에 따라 변할 수 있기 때문에, 상기 장치의 작동 시 시간에 따라 소정 순간들에 수차들을 측정하고, 이에 따라 파면 수차들을 최소화하도록 이동가능한 소정 렌즈 요소들을 조정하는 것이 바람직할 수 있다. 렌즈-가열 영향들이 일어날 수 있는 시간 스케일이 짧기 때문에, 파면 수차들을 자주 측정하는 것이 바람직할 수 있다.
미국 특허 출원 공개공보 2002/0145717호는 리소그래피 장치 내에서 격자, 핀홀 및 검출기, 예를 들어 CCD 검출기를 사용하는 파면 측정 방법을 설명한다. 검출기는 핀홀의 하류에 위치되는 검출 평면과 실질적으로 일치하는 검출기 표면을 가질 수 있으며, 이 위치에서 투영 빔의 전기장 진폭의 공간 분포는 실질적으로 핀홀 평면에서의 투영 빔의 전기장 진폭의 공간 분포의 푸리에 변환(Fourier Transformation)이다. 리소그래피 투영 장치 내에 형성된 이 측정 시스템을 이용하여, 원위치에서(in situ) 투영 시스템의 파면 수차를 측정하는 것이 가능하다.
도 1a에 예시된 바와 같이, 이 측정 시스템에서 파동(W1)의 평면파 PW10 성분은 격자에 의해 방사파(emanating wave: WD)로서 회절된다. 격자로부터 방사되는 파(WD)는 회절된 평면파들 PW2i[i=0,1,2...]의 합으로서 간주될 수 있다. 평면파들(PW22, PW20, 및 PW21)은 각각 입사파(PW10)의 +1차, 0차, -1차 회절이다. 도 1b에 개략적으로 나타낸 투영 시스템에서, 평면파들 PW2i[i=0,1,2...]은 퓨필 평면(PU) 부근이나 퓨필 평면(PU)에 포커스되고, 3 개의 지점에서 퓨필 평면을 샘플링할 것이다. 투영 시스템(PL)의 수차들은 퓨필 평면(PU) 내에 포커스된 평면파들 PW2i[i=0,1,2...] 상에 부여되는 위상 오차들로서 생각될 수 있다. 이 포커스된 평면파들은 각각 평면파들 PW3i[i=0,1,2...]로서 렌즈를 빠져나갈 것이다. 도 1c에 나타낸 바와 같이, 렌즈 수차들에 대해 표현되는 위상 오차들을 측정하기 위해, 평면파들 PW3i[i=0,1,2...]는 핀홀 플레이트(11) 내의 핀홀(17)에서의 회절에 의해 방향적으로 재조합된다. 예를 들어, PW400은 PW30으로부터 유래된 0차 회절파이고, PW411은 PW31로부터 유래된 +1차 회절파이며, PW422는 PW32로부터 유래된 -1차 회절파이고, 이 방향적으로 재조합된 파들은 간섭할 수 있다. 그 간섭 세기는 격자의 위상 스테핑과 조화(harmonic)된다. PW3i[i=0,1,2...]로부터 유래된 회절파들의 다른 재조합들도 가능하다. 하지만, 이러한 재조합의 간섭으로부터 발생한 세기는 고차 고조파(harmonic)의 격자의 위상 스테핑 이동에 따라 변한다. 이러한 고차 고조파 신호들은 각각의 CCD-픽셀 신호로부터 필터링될 수 있다.
리소그래피에 의해 얻어진 구조체들의 크기를 더 감소시키는 것이 바람직하다. 이때, 방사선의 파장은 필수적인 역할을 할 수 있다. 파장이 짧을수록, 실리콘 웨이퍼 상에 보다 많은 트랜지스터가 에칭될 수 있다. 많은 트랜지스터를 갖는 실리콘 웨이퍼는 더 강력하고 더 빠른 마이크로프로세서를 유도할 수 있다. 더 짧은 파장의 광으로의 처리를 가능하게 하기 위해, 칩 제조자들은 EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography)로 알려진 리소그래피 공정을 개발하였다. 이 공정에서는, 투명한 렌즈들이 거울로 대체된다. 미국 특허 제 6,867,846호가 이러한 공정에서 파면 수차들을 측정하는 위상 시프트 마스크를 설명한다.
여기에 설명된 방법에 따르면- 도 3에 개략적으로 나타냄 -, 투영 광학 시스템(PO)은 초점면에 위치되는 제 2 격자(201)에 제 1 격자(203)의 이미지를 투영한다. 미국 특허 출원 공개공보 2002/0145717호에 설명된 방법과 유사하게, 제 2 격자는 회절파들을 재조합한다. 광학 시스템(PO)에 의해 야기된 파면 수차들은 간섭 패턴으로서 보이게 되며, 이는 CCD-카메라와 같은 파면 센서(106)에 의해 검사될 수 있다.
많은 EUV 포토리소그래피 시스템들에 흔히 존재하는 특정 문제는, EUV 소스가 균일한 정보를 제공하지 않고, 대신 EUV 소스의 광학기 내의 플라이아이 렌즈(fly's eye lense)들의 사용으로부터 유도되는 출구 퓨필(exit pupil) 내의 다수의 패싯(facet)들 또는 핫스폿들을 갖는다는 것이다. 이는 투영 광학기의 퓨필의 입사 개구수(input numerical aperture)에서 비-균일한 파면을 유도하거나, 때때로 투영 광학기의 덜 채워진(underfilled) 개구수를 유도한다. 이 문제들은 앞서 서술된 파면 센서에 의한 파면의 측정에 영향을 줄 수 있다.
따라서, 투영 광학기의 입사 개구수에서 언더필링(underfilling) 및 세기 비균일성을 제거할 수 있는 것이 바람직하다. 따라서, 위상 시프트 마스크는 추가적으로 투영 광학기(PO)의 입사 개구수 퓨필 평면에 도달하는 조명을 컨디셔닝하는 역할을 한다. 위상 시프트 마스크는, 퓨필 평면이 실질적으로 완전히, 또한 균질하게 조명되도록 소스에 의해 도입된 공간 변동들을 없앤다.
이는, 제 1 격자(203)가 복수의 반사 도트들에 의해 각각 형성된 복수의 반사 라인들을 포함한다는 점에서 달성될 수 있다.
반사 도트들은 회절 패턴 내에 회절 패턴을 발생시킨다. 따라서, 초점면으로부터 보이는 바와 같이 각각의 반사 도트가 파면 소스가 된다. 그러므로, 특히 소스의 플라이아이 패싯들로 인한 세기의 불규칙성이 사라져, 초점면에서 소스의 깨끗한 규칙적인 이미지를 제공할 것이다. 미국 특허 출원 공개공보 2002/0145717호에 따르면, 반사 도트들은 다수 배(many times) 파장의 표준 편차를 갖는 무작위의 높이를 갖는다.
이 알려진 격자의 한가지 가능한 단점은, 큰 높이 차를 갖는 한편 사전설정된 평면내 크기를 갖는 반사 도트들의 패턴을 얻기가 어렵기 때문에, 제조하기가 어려울 수 있다는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV-방사선에 대한 격자가 제공된다. 격자는 복수의 반사 라인들을 포함한다. 각각의 반사 라인은 서로 교번하여 배치된 복수의 제 1 반사 도트들 및 복수의 제 2 반사 도트들을 포함한다. 제 1 반사 도트들 및 제 2 반사 도트들은 180±10 도 mod 360 도(180±10 degrees mod 360 degrees)의 상호 위상 차로 EUV-방사선을 반사시키도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 대상물 평면 및 대상물 평면에 위치된 제 1 격자를 조명하기 위해 소스로부터 대상물 평면에 전자기 방사선을 지향하도록 구성된 이미징 시스템을 포함하는 파면 측정 시스템이 제공된다. 제 1 격자는 복수의 반사 라인들을 포함하며, 각각의 반사 라인은 서로 교번하여 배치된 복수의 제 1 반사 도트들 및 복수의 제 2 반사 도트들을 포함한다. 제 1 반사 도트들 및 제 2 반사 도트들은 180±10 도 mod 360 도의 상호 위상 차로 EUV-방사선을 반사시키도록 구성된다. 또한, 측정 시스템은 초점면 상에 제 1 격자의 이미지를 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템, 초점면의 제 2 격자, 및 제 2 격자에 의해 생성된 프린지 패턴(fringe pattern)을 수용하도록 구성된 검출기를 포함한다. 격자는 대상물 평면 내에 위치될 수 있다. 알려진 격자들과 반대로, 본 발명의 실시예들에 따른 격자는 비교적 쉽게 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV-방사선에 대한 격자를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 서로 교번하여 확산된 제 1 위치들 및 제 2 위치들을 갖는 패터닝된 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 제 1 위치들 및 제 2 위치들은 상호 높이 차를 갖는다. 또한, 상기 방법은 패터닝된 기판에 EUV-방사선에 대한 브래그 반사기(Bragg-reflector)를 형성하는 다층을 배치하는 단계, 및 다층에 EUV 흡수재로 구성된 라인들의 패턴을 적용하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV-방사선에 대한 격자를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 다층 반사기를 제공하는 단계, 상기 제 1 다층 반사기 상에 제 1 조합된 캐핑(capping)/에칭 중지층(etch stop layer)을 제공하는 단계, 및 상기 제 1 조합된 캐핑/에칭 중지층 상에 제 2 다층 반사기를 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 제 2 다층 반사기 상에 제 2 조합된 캐핑/에칭 중지층을 제공하는 단계, EUV-흡수재 층을 적용하는 단계, 0 도의 위상 시프트로 반사하는 제 1 도트들 및 180 도 ±10 도 modulo 360 도(180 deg ± 10 deg modulo 360 deg)의 상호 위상 차로 반사하는 제 2 도트들의 패턴을 얻기 위해 제 2 다층 반사기를 선택적으로 에칭하는 단계, 및 반사 라인들의 패턴을 얻기 위해 흡수재 층을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른 격자의 제조는, 브래그 반사기가 배치되는 기판에 대해 2 개의 상이한 높이 레벨들만이 사용되는 것으로 충분하다는 점에서 실질적으로 간소화될 수 있다. 2 개의 상이한 높이 레벨들 및 브래그 반사기는, 예를 들어 미국 특허 제 6,392,792호에 설명된 바와 같은 알려진 방식으로 적용될 수 있다. 후속하여, EUV 흡수재로 구성된 라인들의 패턴이 다층에 구성될 수 있다.
그렇지만, 본 발명에 따른 격자를 제조하기 위해 다른 방법들이 적용가능하다. 이러한 한가지 방법에 따르면, 제 1 단계에서 실질적으로 평탄한 기판에 브래그 반사기가 배치된다. 다음 단계에서, 브래그 반사기의 표면이 제 1 및 제 2 반사 도트들을 형성하도록 패터닝된다. 이 단계 이후, 패터닝된 표면에 (Cr 또는 TaN-포함 재료와 같은) EUV 흡수재의 라인들의 패턴이 적용된다. 다른 단계들이 끼어들 수 있으며, 예를 들어 흡수 라인들의 패턴이 적용되기 전에, 예를 들어 Ru로 이루어진 캐핑 층이 패터닝된 브래그 반사기에 제공될 수 있다.
라인들은, 전형적으로 라인들 내에 형성된 반사 도트들의 폭보다 크기 차수(order of magnitude)가 더 큰 폭을 갖는다. 바람직한 실시예들에서, 라인들은 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위 내의 폭을 갖는 한편, 반사 도트들은 70 nm 내지 120 nm의 직경을 갖는다. 이에 따라, 라인들의 폭과 도트들의 폭 간의 비는 5 내지 150의 범위 내에 있을 수 있다.
놀랍게도, 비간섭성 방사선을 이용하는 시스템들에 대해, 180 도(mod 360 도)의 위상 차들만을 도입하는 반사 도트들의 패턴은 상이한 패턴에서의 0차 기여의 효율적인 감소를 제공한다. 그렇지만, 90 도 및/또는 270 도 mod 360 도의 위상 차들을 제공할 수 있는 도트들도 존재할 수 있다.
격자의 일 실시예에서, 제 1 및 제 2 반사 도트들은 반사 라인들 내의 영역을 완전히 채운다. 이는 비교적 높은 효율성의 장점을 가질 수 있다. 격자의 광학 특성들은 제 1 및 제 2 도트들 간의 정확한 위상 차를 조정함으로써 교정될 수 있다.
격자의 일 실시예에서, 반사 라인들 내의 제 1 및 제 2 반사 도트들은 흡수 부분들에 의해 분리된다. 이는 회절 패턴의 광학 특성들을 결정하기 위해 더 많은 파라미터들이 이용가능하다는 장점을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 도트들의 크기는 서로 독립적으로 조정될 수 있다. 제 1 및 제 2 반사 도트들은 사전설정된 패턴, 예를 들어 바둑판 패턴에 따라 서로 교번하여 규칙적으로 확산될 수 있으며, 대안적으로 무작위 방식으로 불규칙하게 확산될 수 있다.
도면을 참조하여, 이러한 실시형태 및 다른 실시형태가 더 상세히 설명된다:
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 광학 시스템 내의 파면 수차들을 측정하는 측정 방법을 개략적으로 나타내는 도면;
도 2는 EUV-리소그래피 시스템을 개략적으로 나타내는 도면;
도 3은 EUV-리소그래피 시스템에서 파면 수차들을 측정하는 측정 방법을 개략적으로 나타내는 도면;
도 4 및 도 5는 전단 간섭계 유닛 내의 프린지 패턴의 발생을 입증하는 도면;
도 6은 EUV-리소그래피 시스템에서 파면 수차들을 측정하는데 사용된 구성을 개략적으로 나타내는 도면;
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 격자를 개략적으로 나타내는 도면;
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 격자를 개략적으로 나타내는 도면;
도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 실시예들에 따른 격자들을 나타내는 도면;
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 파면 수차 측정 시스템에서 사용되는 제 1 격자의 실시예를 나타내는 도면;
도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 파면 수차 측정 시스템에서 사용되는 제 2 격자의 실시예를 나타내는 도면;
도 10c는 본 발명의 일 실시예에 따른 파면 수차 측정 시스템에서 사용되는 제 3 격자의 실시예를 나타내는 도면;
도 10d는 도 10c의 실시예를 세부적으로 나타내는 도면;
도 10e는 본 발명의 일 실시예에 따른 파면 수차 측정 시스템에서 사용되는 제 4 격자의 실시예를 나타내는 도면;
도 10f는 도 10e에서 F에 따른 제 4 실시예의 확대부를 나타내는 도면;
도 10g는 도 10f에서 G에 따른 제 4 실시예의 추가 확대부를 나타내는 도면;
도 10h는 본 발명의 일 실시예에 따른 파면 수차 측정 시스템에서 사용되는 제 5 격자의 실시예를 나타내는 도면;
도 10i는 도 10h에서 I에 따른 제 5 실시예의 확대부를 나타내는 도면;
도 10j는 도 10i에서 J에 따른 제 5 실시예의 추가 확대부를 나타내는 도면;
도 10k는 본 발명의 일 실시예에 따른 파면 수차 측정 시스템에서 사용되는 제 6 격자의 실시예를 나타내는 도면;
도 10l은 도 10k에서 L에 따른 제 6 실시예의 확대부를 나타내는 도면;
도 10m은 도 10l에서 M에 따른 제 6 실시예의 추가 확대부를 나타내는 도면;
도 10n은 본 발명의 일 실시예에 따른 파면 수차 측정 시스템에서 사용되는 제 7 격자의 실시예를 나타내는 도면;
도 10o는 도 10n에서 O에 따른 제 7 실시예의 확대부를 나타내는 도면;
도 10p는 도 10o에서 P에 따른 제 7 실시예의 추가 확대부를 나타내는 도면;
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 격자를 제조하는 방법에서의 단계들을 나타내는 도면;
도 12는 대안적인 방법으로 얻어질 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 격자를 나타내는 도면;
도 13은 검출기 및 격자의 일 실시예의 단면을 더 세부적으로 나타내는 도면;
도 14a 내지 도 14c는 격자의 세정에 관한 실시형태들을 예시하는 도면으로,
도 14a는 제 1 형태의 격자 내의 탄소 증착을 예시하는 도면;
도 14b는 이 격자를 세정하는 공정을 예시하는 도면;
도 14c는 상이한 형태의 격자를 세정하는 공정을 예시하는 도면;
도 15a는 직사각형 개구부들을 갖는 격자를 예시하는 도면;
도 15b는 도 15a를 세부적으로 예시하는 도면; 및
도 15c는 상이한 격자를 예시하는 도면이다.
아래의 상세한 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 명확한 세부사항들이 설명된다. 하지만, 당업자라면 이러한 명확한 세부사항들 없이도 본 발명이 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 다른 경우, 본 발명의 실시형태들을 애매하게 하지 않도록 잘 알려진 방법들, 절차들, 및 구성요소들은 상세히 설명되지 않는다. 본 발명은 본 발명의 실시예들을 나타내는 첨부된 도면들을 참조하여 아래에서 더 충분히 설명된다. 하지만, 본 발명은 많은 다른 형태들로 구현될 수 있으며, 본 명세서에 설명된 실시예들에 제한되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 오히려, 이 실시예들은 이 기재내용이 완전하고 철저하게 되도록, 또한 당업자에게 본 발명의 범위를 전부 전달하도록 제공된다. 도면들에서, 층들 및 구역들의 크기 및 상대 크기들은 명료함을 위해 과장될 수 있다. 본 명세서에서, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상화된 실시예들(및 중간 구조체들)의 개략적인 예시들인 단면 예시들을 참조하여 설명된다. 이러한 것으로서, 예를 들어 제조 기술들 및/또는 공차들의 결과로서 예시들의 형상들로부터 변형들이 예상되어야 한다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 예시된 구역들의 특정 형상들에 제한되는 것으로 해석되어서는 안 되며, 예를 들어 제조로부터 발생하는 형상들의 편차들을 포함하여야 한다.
따라서, 도면들에 예시된 구역들은 실제로 개략적이며, 그 형상들은 디바이스의 구역의 실제 형상을 예시하도록, 또한 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
층이 층 "상"에 있는 것으로 언급되는 경우, 이는 다른 층 바로 위에 있을 수 있으며, 또는 개재되는 층들이 존재할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 대조적으로, 요소가 다른 층 "바로 위"에 있는 것으로 언급되는 경우에는, 개재되는 층들이 존재하지 않는다. 동일한 번호들은 전부 동일한 요소들을 칭한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "및/또는"이라는 용어는 연계된 본 명세서의 아이템들 중 어느 하나 및 1 이상의 모든 조합들을 포함한다.
본 명세서에서, 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어들은 다양한 요소들, 구성요소들, 구역들, 층들 및/또는 부분들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이 요소들, 구성요소들, 구역들, 층들 및/또는 부분들이 이 용어들에 의해 제한되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다. 이 용어들은 단지 하나의 요소, 구성요소, 구역 층 또는 부분을 또 다른 구역, 층 또는 부분으로부터 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 아래에 서술되는 제 1 요소, 구성요소, 구역, 층 또는 부분은 본 발명의 교수(teaching)로부터 벗어나지 않고 제 2 요소, 구성요소, 구역, 층 또는 부분이라 할 수 있다.
본 명세서에서, "밑", "아래", "하부", "위", "상부" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어들은 도면들에 예시된 다른 요소(들) 또는 특징부(들)에 대한 하나의 요소 또는 특징부의 관계를 용이하게 설명하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어들은 도면들에 도시된 방위 외에도, 사용 또는 작동 시 디바이스의 상이한 방위들을 포함하도록 의도된다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 도면들 내의 디바이스가 뒤집힌 경우, 다른 요소들 또는 특징부들의 "아래" 또는 "밑"으로서 설명된 요소들은 다른 요소들 또는 특징부들의 "위"로 방위될 것이다. 따라서, "아래"라는 예시적인 용어는 위와 아래의 방위를 모두 포함할 수 있다. 디바이스는 다른 방식으로 방위될 수 있으며(90 도 또는 다른 방위로 회전됨), 이에 따라 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 설명들이 해석될 수 있다.
달리 정의되지 않는 경우, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어들(기술적 및 과학적 용어들 포함)은 본 발명에 속하는 일반적인 기술 중 하나에 의해 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 통상적으로 사용되는 사전들에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 분야의 맥락에서의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에 분명히 정의되지 않은 경우 이상화되거나 지나치게 형식적인 느낌으로 해석되지 않을 것을 이해할 것이다.
도 2는 EUV 포토리소그래피 시스템(100)의 일부분을 예시하며, 이는 EUV 소스(도 2에 도시되지 않음)를 포함한다. 또한, 상기 시스템(100)은 (거울들 M4 및 M3을 포함한) 이미지 광학기, 퓨필(101), 웨이퍼와 같은 기판(105) 상에 이미징될 패턴의 이미지를 갖고, 레티클 스테이지(도시되지 않음)와 같은 지지체 상에 장착된 레티클과 같은 패터닝 디바이스(102), 및 거울들 M1 및 M6을 포함하는 투영 광학기(104)를 포함한다. 이때, EUV 방사선은 웨이퍼 스테이지(도시되지 않음)와 같은 기판 지지체 상에 장착되는 기판(105) 상으로 투영된다. 원자외 또는 가시광과 같은 더 긴 파장으로 작동하는 포토리소그래피와 달리- 이 경우, 패터닝 디바이스(102)는 통상적으로 투과형임 -, EUV 시스템에서 패터닝 디바이스(102)는 반사형이라는 것을 이해할 것이다.
도 2에 더 나타낸 바와 같이, 본 발명에서 파면을 측정하기 위해 웨이퍼 스테이지 상에 센서 모듈(106)이 배치되고, 레티클 스테이지 상에 소스 모듈(103)이 배치된다. 또한, 센서 및 소스 모듈들(106 및 103)은 파면 센서(WFS)라고 칭해질 수도 있다.
도 3은 본 발명의 적어도 1 이상의 실시예가 적용될 수 있는 파면 측정 구성의 예시이며, 특히 이는 포토리소그래피 시스템에 통합될 수 있다. 도 3에서, 도 2에서의 부분들에 대응하는 부분들은 동일한 참조 번호를 갖는다. 도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 소스 모듈(103)은 레티클 스테이지 상에 배치될 수 있으며, 일 실시예에서 2 개의 직교 방위된 격자들을 포함한다. 파면 센서[또는 센서 모듈(106)]는 웨이퍼 스테이지 상에 배치되며, 2-D 격자(201) 및 2-D 격자 아래에 위치되는 CCD 검출기(202)를 포함한다. 투영 광학기(PO)(104)는, 예를 들어 도 2에 나타낸 바와 같은 정상 노광 작동 시와 동일하게 유지된다.
파면은 이미징이 수행되고 있지 않은 경우에 측정될 수 있다. 파면을 측정하기 위해, 레티클(102) 자체보다는 레티클 스테이지가 이동되어, 레티클 스테이지 상의 소스 모듈(103) 내의 격자들(203) 중 하나가 광학 경로 내에 배치되게 한다. 또한, 웨이퍼 스테이지가 이동되어, 파면 센서가 소스 모듈 격자(203)의 이미지를 수용하도록 위치된다. 그 후, 2-D 격자(201) 아래의 CCD 검출기(202)가 투과된 방사선을 수용하고 측정한다. 그 후, 소스 모듈 격자(203)의 직교 방위로 파면을 측정하기 위해, 광학 경로 내에 상이한 회절 격자를 배치하도록 레티클 스테이지가 이동될 수 있다.
도 4 및 도 5는 기준 파면들 및 전단 파면(shear wavefront)들을 생성하기 위한 측면 전단 간섭계(lateral shearing interferometer: 410)에서의 퓨필의 사용을 예시한다. [또한, 도 2에서의 입구 퓨필(entrance pupil: 101)을 참조한다]. 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 파면(401)은 주 소스로부터 나오면서 공간 내의 한 점에 수렴한다. 점 소스(point source: 402)의 이미지가 입구 퓨필(101)에 존재한다. 입구 퓨필(101)에는 부분 투과막(415)이 배치될 수 있다. 입구 퓨필(101)에 핀홀(403)이 위치된다. 핀홀(403)은 파면(411)을 갖는 투과파(404)를 발생시키며, 이는 회절된 구면 기준파(405)를 포함한다. 따라서, 측면 전단 간섭계(410)는 프린지(412)들을 생성하도록 파면들(411)이 간섭하는 1 이상의 명백한 소스들을 생성한다.
도 6은 본 발명의 실시예들이 적용가능한 파면 측정 시스템의 또 다른 예시이며, 이는 대상물 평면(즉, 패터닝 디바이스 평면, 도면에는 표시되지 않음) 내에 위치된 소스 모듈(103), 투영 광학기(104), 및 센서 모듈(106)을 나타낸다. 이미지 전단 격자(201)가 웨이퍼 스테이지 상에 위치되고, 센서 모듈(106)에서 프린지 패턴들로서 검출되는 다수 파면들을 발생시킨다.
도 7a 및 도 7b는 격자(702)의 일 실시예를 예시한다. 도 7a에 나타낸 바와 같이, 2 개의 직교 방위된 격자가 집합적으로 앞서 설명된 소스 모듈 격자와 같은 소스 모듈 격자(203)를 형성한다. 2 개의 직교 격자는 각각 200×200 ㎛의 크기를 갖는다. 도 7b에 더 상세히 나타낸 바와 같이, 반사 라인들(704)은 약 3.2 ㎛의 폭을 가질 수 있으며, 복수의 반사 도트들(706)을 포함할 수 있다. 상기 도트들(706)은 제 1 반사 도트들 및 제 2 반사 도트들을 포함한다. 제 1 반사 도트들 및 제 2 반사 도트들은, 180+/-10 도 mod 360 도의 상호 위상 차로 EUV-방사선을 반사시킨다.
반사 도트들은 도 7a 및 도 7b에 나타낸 바와 같이 무작위로 분산될 수 있으며, 또는 규칙적인 매트릭스 패턴으로 배치될 수 있다.
도 7a로부터 알 수 있는 바와 같이, 소스 모듈의 격자(702)의 라인들(704)은 "멀리서" 보여지는 경우, 앞서 설명된 바와 같이 실선으로 보일 수 있다. 하지만, (도 7b에 예시된 바와 같이) "바로 가까이에서" 보게 되면 이들은 그 대신 다수의 반사 도트들로 구성되어 있다. EUV 적용에 대하여, 재료의 잔여부는 흡수재일 수 있다.
격자 라인들은 대상물 평면 조명의 사용을 더 최대화하고, 검출기에서 프린지 가시성을 보존하며, +1차 및 -1차 프린지들을 제거하기 위해, 2차 격자 라인들과 직접적인 관계를 갖도록 선택된다.
일 실시예에서, 앞서 설명된 파라미터들(0.25 출사 개구수, 0.0625 입사 개구수, 13.5 nm 소스, 4X 배율에 대해 6.4 ㎛)에 대해 도트들의 직경은 약 70 내지 약 120 nm이고, 약 70 nm일 수 있다.
본 발명의 실시예들의 제 1 및 제 2 반사 도트들을 사용하면, 단일 회절 패턴이 회절 패턴 내에서의 회절 패턴이 된다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 초점면에서 보면 각각의 반사 도트가 파면 소스가 된다. 그러므로, 특히 소스의 플라이아이 패싯들로 인한 세기의 불규칙성이 사라지고, 이로 인해 초점면에 소스의 깨끗하고 규칙적인 이미지가 제공된다. 또한, 격자(203)의 반사 도트 패턴은 투영 광학기의 0.0625 개구수를 넘게 채우고(overfill), 격자(203) 상에 입사하는 광을 가능한 한 많이 이용한다는 장점을 가질 수 있다. 또한, 대상물 평면의 조명이 공간적으로 비간섭성이라도 추가 퓨필 패싯들 또는 퓨필 구조체들이 도입되지 않는다. 도 7a 및 도 7b에 나타낸 반사 도트 격자는 표준 레티클 블랭크 상에 제작될 수 있다. 도트 직경은 바람직하게는 거의-균일한 퓨필 조명을 제공하기 위해 개구수를 매우 넘게 채우도록 선택된다.
각각의 도트에 대해 2 배의 세기 감소가 허용가능할 수 있는데, 이는 광자 잡음-제한 요소 검출의 신호-대-잡음 비가 2의 제곱근에 의해서만 증가하기 때문이다. 제조력 문제로 인해 더 큰 직경들이 바람직할 수 있다. 계산들은, 예를 들어 44 nm 직경의 도트가 10 % 감소를 제공하고, 66 nm 직경의 도트가 20 % 감소를 제공하며, 112 nm 직경의 도트가 50 % 감소를 제공한다는 것을 나타낸다.
따라서, 본 발명의 일 실시예의 반사 도트 격자(203)는 반사형 EUV 분산 디바이스의 일 예시이며, 이 경우 이는 다수의 도트들 및 제 1 격자 크기에 대하여 0.4 % 효율성을 가지며, 효율성을 최대화하려는 추가 목표를 갖는다. 본 명세서에서, 효율성은 램버시안 확산기(Lambertian diffuser)와 비교하여, 디바이스로부터의 반사 이후 원하는 개구수를 포함한 조명 파워의 비율로서 정의된다.
조명 서브시스템으로 인한 퓨필 패싯들을 제거하고, 측면 격자 전단 간섭계를 이용한 EUV 파장들에서의 광학 시스템 수차 측정들에 대해 조명의 이용을 최대화하기 위해, 맞춤 반사형 EUV 회절기(tailored reflecting EUV diffractor)가 투영 광학기의 입사 개구수를 채울 수 있다. 마지막은 레티클 평면 내의 비간섭성 확장 소스 앞에 배치된 격자의 등가물을 이용할 수 있다. 처음 2 개는, 입사 조명이 램버시안 확산기보다 더 유리한 패턴을 갖는 회절기에 의해 반사될 것을 요구할 수 있다. 맞춤 반사형 회절기는 격자의 형태인 마이크로-반사기 회절-제한 도트들의 앙상블(ensemble)일 수 있다. 상기 앙상블 내의 개별적인 반사 도트들은 50 % 듀티 사이클(duty cycle) "격자"의 "슬릿들"에 배치되며, 개별적인 반사 도트 각각은 회절에 의해 측정되는 광학기의 입사 개구수를 채우는 크기 및 형상을 갖는다. 13.5 nm에서의 0.0625의 개구수에 대해, 도트 직경은 70 nm(내지 210 nm)일 수 있다. 단일 70 nm 도트는 EUV ILIAS 측정 시스템들에서 약 0.01 "검출가능한" EUV 광자를 산출할 것이다. 하지만, 6.4 ㎛ 피치의 45 개의 라인들 및 각 라인의 중심축만을 따르는 도트들을 갖는 300 ㎛ 길이의 50 % 듀티 사이클 "격자"는 EUV ILIAS 측정 시스템들에 대해 매우 적당한 "검출가능한" 광자들을 1,000 개까지 산출하기에 충분한 스폿들을 수용할 수 있다. 도트들로 채워진 "격자" 라인들은 더 큰 신호들을 제공할 것이다. 단일 (도트) 라인은 부적당한 신호를 제공할 것이다. 램버시안 확산기 및 유사한 형태의 규칙적인 격자는 간신히 적당한 신호를 제공할 것이다.
일 실시예에서, 반사 도트들의 패턴은 제 1 및 제 2 도트들과 다른 위상 차를 도입하는 추가 도트들을 포함할 수 있으며, 예를 들어 상기 패턴은 위상 시프트를 도입하지 않는 제 1 도트들, 180 도의 위상 시프트를 도입하는 제 2 도트들, 90 도의 위상 시프트를 도입하는 제 3 도트들, 및 270 도의 위상 시프트를 도입하는 제 4 도트들을 포함할 수 있다.
도 7a 및 도 7b에 나타낸 격자의 실시예에서, 반사 라인들 내의 제 1 및 제 2 반사 도트들은 흡수 부분들에 의해 분리된다. 이는 회절 패턴이 다양한 방식으로 조정될 수 있다는 장점을 가질 수 있다.
도 8a는 격자(802)를 갖는 패터닝 디바이스에서의 라인들(804)의 패턴의 일 실시예를 나타내고, 도 8b는 라인(804) 내의 반사 도트들의 패턴을 더 상세히 나타낸다. 이때, 반사 도트들은 반사 라인들 내의 영역을 완전히 채운다. 이 실시예는 높은 반사의 장점을 가질 수 있다. 반사 라인들(804)은 EUV 흡수 라인들(805)과 교번된다. 예시의 방식으로, 패터닝 디바이스는 45.12 ㎛의 길이(L) 및 2.82 ㎛의 폭(W)을 갖는 반사 라인들을 포함할 수 있다. 예시된 실시예에서, 반사 도트들은 90 nm의 크기를 갖는 정사각형으로서 형성된다. 정사각형들은 라인들의 방향으로 대각선을 갖도록 배치된다. 라인들은 센서 모듈 상의 이미지들이다; 일 실시예에서, 이는 바둑판 격자(도 10a)를 갖는다. 그 경우, 센서는 구조체가 대각방향으로 통합되도록 대각방향으로('u' 또는 'v') 이동되고, 이에 따라 도 8a에서의 라인들은 대각선('u' 또는 'v')일 수도 있다. 일 실시예에서, 센서는 다이아몬드(도 10b)를 포함할 수 있으며, 이때 레티클에서의 방위는 'x' 및 'y'(도 9a 및 도 7)일 것이다. 일 실시예에서, 핀홀 어레이가 센서 상의 바둑판을 대신할 수 있다. 도 8b에 나타낸 바와 같이, 정사각형 도트들의 패턴은 위상 시프트를 도입하지 않거나 n.360 도의 위상 시프트를 도입하는 회색으로 도시된 제 1 도트들(807), 및 약 180 도 mod 360 도의 위상 시프트를 도입하는 검은색으로 도시된 제 2 도트들(808)을 포함한다. 예를 들어, 180 도 +/-10 도의 범위 내에서 제 1 도트들(807)과 제 2 도트들(808) 간의 위상 시프트 차를 선택함으로써, 도트들의 패턴에 의해 유도된 회절 패턴이 적합해질 수 있다.
본 발명은 파면 수차들을 측정하는 레티클로서의 사용에 제한될 필요는 없다. 도 9a 내지 도 9d는 레티클들의 다양한 예시들을 나타내며, 각각은 복수의 제 1 및 제 2 반사 도트들로 구성된 복수의 라인들을 포함한다. 도 9a 내지 도 9d에 나타낸 레티클들은 각각 y, x, -xy 및 xy 방향으로의 위상 시프트를 도입하는데 사용되는 복수의 평행한 라인들을 갖는다. 도 10a 및 도 10b는 본 발명의 파면 측정 시스템에서 사용되는 2-D 격자(201)의 실시예들을 예시한다. 도 10a 및 도 10b에 나타낸 바와 같이, 신중하게 선택된 피치의 격자를 갖는 바둑판 격자가 사용될 수 있다. 이러한 격자는 노광 파장에 투과성인 재료로 구성된, 예를 들어 100 나노미터 두께의 기판 상에 제조될 수 있다. 예를 들어, 13.5 나노미터의 노광 파장에 대해 이러한 투과성 재료의 예시들은 실리콘 및 실리콘 니트라이드를 포함한다. 따라서, 2-D 바둑판 회절 격자(201)는 50 % 듀티 사이클을 갖는 것으로 언급될 수 있다. 주요 간섭은 +1차 및 -1차를 갖는 0차로 구성될 것이다. 소스 모듈(103)로부터의 산만한 분산의 의사-무작위 성질이 투영 광학기(104) 퓨필을 가로지르는 파면 내의 공간 변동을 효과적으로 제거할 것으로 예상된다. 도 10a 및 도 10b에서 알 수 있는 바와 같이, 2-D 격자(201)의 피치는 수직적인 정사각형(perpendicular square)의 길이이다.
또한, 2-D 격자(201)는 도 10a 및 도 10b에서 알 수 있는 바와 같이 반사(또는 불투명) 구역들을 포함할 수 있다. 불투명 구역들은 니켈, 크롬 또는 다른 금속과 같이 EUV 방사선(이 경우, 13.5 nm 노광 파장)을 흡수하는 재료들로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 바둑판 격자 피치는 1.6 미크론일 수 있다. 상기 피치는 특정 전단비 및 개구수에 대하여 (아래에서 설명되는 바와 같이) 1차 회절에 대한 적절한 각도를 야기하도록 신중하게 선택되어야 한다. 일 실시예에서, 전단비는 1/30일 수 있지만, 당업자라면 본 발명의 실시예들이 이러한 특정 수 또는 치수에 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 일 실시예에서, 시스템의 출사 개구수는 0.25일 수 있지만(또한, 입사 개구수는 4X 배율에 대해 0.0625일 수 있음), 실시예들은 이 특정 개구수에 제한되지 않는다.
앞서 유의되는 바와 같이, 2-D 격자(201)의 피치는 일 실시예에서 1/30의 전단비를 제공하도록 선택될 수 있으며, 이 경우 CCD 검출기(202)는 프린지 평면 내(즉, 시스템의 초점면 아래)에 있고, 프린지들의 패턴(인터페로그램) 또는 다수의 포개진 원들을 "본다". 전단비는 2 개의 원들의 오버랩의 측정치이며, 이 경우 0의 전단비는 완벽한 오버랩을 나타낸다. CCD 검출기(202)가 0차, +1차 및 -1차 회절 이미지들만을 "보고", 회절 이미지들 상에서 +2차 및 -2차는 제거하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제 2 격자는 50 % 듀티 사이클을 가질 수 있다. 이는 도 10a 및 도 10b에 나타낸 바와 같이, 정사각형 투과 및 반사 영역들을 갖는 바둑판 격자를 이용하여 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 도 10c 및 더 상세히는 도 10d에 나타낸 바와 같이 핀홀 어레이가 적용될 수 있으며, 이는 수 ㎛, 예를 들어 2 ㎛의 규소 층에 에칭된 홀들의 어레이로서 제조될 수 있다. 이 방식으로, 완전히 투과성인 홀(100 % 투과) 및 실질적으로 비-투과성인 배경(1 % 투과보다 작음)의 어레이가 얻어질 수 있다. 도 10c에 나타낸 핀홀 어레이는 100 ㎛의 크기를 갖는다. 도 10d에 상세히 나타낸 바와 같이, 어레이에는 1.13 ㎛의 직경을 갖고, x-축에 대해 45 도의 각도로 방위되는 1.41 ㎛ 주기의 규칙적인 그리드로 배치된 핀홀들이 제공된다.
제 1 격자(103)는 원하지 않는 차수들을 제거하는 것을 돕도록 구성될 수 있다. 투과 및 반사 영역들의 패턴 어느 것이 사용되든지, 2-D 격자를 형성하는 규칙적인 패턴이 존재하여야 한다. 패턴이 규칙적인 한, 정사각형에 이외에도, 예를 들어 원형 반사 영역들 또는 원형 투과 영역들 등과 같은 다른 형상들이 가능하다.
센서 모듈(106)과 소스 모듈(103) 간의 공차 문제들 중 일부는, 먼저 센서 모듈(106)의 2-D 격자(201)를 제작하고, 그 정확한 치수들을 측정한 후, 이에 따라 소스 모듈 격자들(203)을 제작함으로써 해결될 수 있다. 4X 배율 시스템에서, 소스 모듈(103)의 선형 격자의 피치는 센서 모듈(106)의 2-D 격자(201)의 피치의 정확히 4 배(4X)일 수 있다. 따라서, 2-D 격자(201)의 1.6 미크론 피치에 대해, 소스 모듈 격자(203)의 피치는 6.4 미크론일 수 있다. 하지만, 2-D 격자(201)가 1.6의 공칭 값으로부터 예를 들어 10 % 편차를 갖는 것으로 측정되는 경우, 소스 모듈 격자(203)는 이에 따라 측정된 격자 피치의 4X 배의 피치를 갖도록 제조될 수 있다. 이는 동시에 격자들의 두 세트들의 제조 시, 극단적으로 정밀할 필요성이 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 2-D 격자(201)는 크로스 격자일 수 있으며, 적절한 피치의 2 개의 선형 격자들이 본질적으로 하나가 다른 하나 위에 배치되고, 각각의 격자는 적절한 조합된 대각선 피치를 유도하도록 적절한 피치 치수를 갖는다. 하지만, 바둑판 격자가 더 우수한 결과들을 제공할 수 있는 것으로 생각된다.
일 실시예에서, 2 개의 분리된 선형 격자들 대신에 바둑판 격자 또는 크로스 격자가 소스 모듈(103)에서 사용될 수 있지만, 소스 모듈(103)에서의 2-D 격자의 사용은 검출기 판독 및 프린지 패턴을 해석하는데 사용되는 분석 수학(analysis mathematics)을 복잡하게 할 수 있다.
앞선 설명은, 전형적으로 [소스 모듈 격자(203), 투영 광학기(104) 및 이미징 광학기와 같은] 반사 광학 요소들이 사용되는 EUV 포토리소그래피 시스템에 주로 관련되지만, 본 발명의 실시예들은 적절하다면 반사 구성요소들 대신 사용되는 적절한 투과/굴절 구성요소들과 함께, 포토리소그래피 시스템에서 사용되는 다른 파장들에 대해 동등하게 적용가능하다.
도 10e 내지 도 10p는 앞선 관측들을 고려하여, 본 발명에 따른 리소그래피에서 사용되는 격자들의 또 다른 비-제한적인 예시들을 일부 나타낸다.
도 10e는 100 ㎛의 변들을 갖는 제 1 정사각형 격자를 나타낸다. F로 나타낸 점선 정사각형에 따른 상기 격자의 확대부가 도 10f에 도시된다. 격자는 양방향으로 1.41 ㎛의 피치를 갖는 직사각형 그리드로 배치되는 복수의 원형 핀홀들을 포함한다. 핀홀들은 도 10f 내의 점선 직사각형(G)에 따른 확대도인 도 10g에 예시된 바와 같이 1.13 ㎛의 직경을 갖는다. 이 실시예에서, 정사각형 격자 및 직사각형 그리드는 X 및 Y 축들에 대해 45 °만큼 회전된다.
도 10h는 100 ㎛의 변들을 갖는 제 2 정사각형 격자를 나타낸다. I로 나타낸 점선 정사각형에 따른 상기 격자의 확대부가 도 10i에 도시되며, J로 나타낸 점선 정사각형에 따른 상기 격자의 확대부는 도 10j에 도시된다. 이 제 2 정사각형 격자 및 도 10e 내지 도 10g에 따른 제 1 정사각형 격자는, 제 2 정사각형 격자가 X 및 Y 축들에 대해 정렬된다는 것을 제외하고 동일한 사양을 갖는다.
도 10k는 100 ㎛의 변들을 갖는 제 3 정사각형 격자를 나타낸다. L로 나타낸 점선 정사각형에 따른 상기 격자의 확대부가 도 10l에 도시된다. 격자는 양방향으로 1.41 ㎛의 피치를 갖는 직사각형 그리드로 배치되는 복수의 직사각형 핀홀들을 포함한다. 핀홀들은 도 10l 내의 점선 직사각형(M)에 따른 확대도인 도 10m에 예시된 바와 같이 1.41 ㎛의 직경을 갖는다. 이 실시예에서, 정사각형 격자 및 직사각형 그리드는 X 및 Y 축들에 대해 45 °만큼 회전된다. 또한, 직사각형 핀홀들도 X 및 Y 축들에 대해 45 °만큼 회전된다.
도 10n은 100 ㎛의 변들을 갖는 제 4 정사각형 격자를 나타낸다. O로 나타낸 점선 정사각형에 따른 상기 격자의 확대부가 도 10o에 도시되며, P로 나타낸 점선 정사각형에 따른 상기 격자의 확대부가 도 10p에 도시된다. 이 제 4 정사각형 격자 및 도 10k 내지 도 10m에 따른 제 3 정사각형 격자는, 제 4 정사각형 격자가 X 및 Y 축들에 대해 정렬된다는 것을 제외하고 동일한 사양을 갖는다. 직사각형 홀들은 X 및 Y 축들에 대해 45 °만큼 회전된다.
도 11a 및 도 11b는 EUV-방사선에 대한 격자를 제조하는 방법의 일 실시예를 예시한다. 이 방법에 따르면, 도 11a에 나타낸 바와 같이 평탄한 기판(20)이 제공된다. 기판(20)에는, 예를 들어 이중층(bi-layer)들의 스택이 제공되며, 이때 이중층 각각의 두 성분들은 각각의 에칭제를 갖는다. 이중층들은 Cr, Si 및 Mo, 또는 기판을 파괴하지 않는 다른 재료들의 조합으로부터 형성될 수 있다. 각각의 에칭 단계를 이용하여, 기판이 동시에 한 층으로 에칭되어, 기판의 표면에 정확한 높이 패턴이 형성될 수 있다. 이 방식으로, 제 1 위치들(21) 및 제 2 위치들(22)을 갖는 패터닝된 기판이 제공될 수 있다. 제 1 위치들(21) 및 제 2 위치들(22)은 상호 높이 차를 갖는다.
그 후, 패터닝된 기판에 EUV-방사선에 대한 브래그 반사기(30)가 적용될 수 있다. 브래그 반사기(30)는 복수의, 예를 들어 40 내지 50 개의 적절한 이중층들(35), 예를 들어 Mo/Si 층들 또는 Mo/Be 층들을 포함한다. 이중층들(35)은 EUV-방사선의 파장 절반의 두께, 예를 들어 7 nm의 두께를 가질 수 있다. 이중층들(35)은 기상 증착과 같은 여하한의 적절한 방법에 의해 적용될 수 있다.
패터닝된 기판(20) 내의 제 1 및 제 2 위치들(21 및 22)에 의해 형성된 구조체는 이중층들(35)의 스택으로 전파되고, EUV 빔의 편향을 제공한다. 구조체들 간의 거리(D)는 EUV 빔의 명백한 편향 각도를 결정한다.
도 11b는 격자를 제조하는 또 다른 단계를 나타낸다. 간명함을 위해, 도 11a에서 형성되고 예시된 패턴은 도시되지 않는다. 도 11b에 나타낸 바와 같이, 이중층들(35)의 스택(30)에는 예를 들어 반사기의 산화를 방지하는 보호층(40)이 제공될 수 있다. 적절한 보호층(40)은 Ru를 포함할 수 있다.
후속하여, 리소-e빔과 같은 당업계에 알려진 방법에 의해 이중층들(35)의 스택(30)에 Cr 또는 TaN-포함 재료와 같은 EUV 흡수재의 라인들(50)의 패턴이 적용될 수 있다.
도 11b에 나타낸 바와 같이, 흡수 라인들(50) 사이에 반사 라인들(51)이 유지된다. 도 11a에 나타낸 바와 같이, 이 반사 라인들은 패터닝된 기판 내의 제 1 위치들(21) 위로 전파되는 제 1 반사 도트들(31), 및 패터닝된 기판(20) 내의 제 2 위치들(22) 위로 전파되는 제 2 반사 도트들(32)로 형성된다.
이 예시에서, 라인들의 패턴 내의 도트들의 서브-패턴은 교번 위상-시프트 마스크를 형성하며, 즉 제 1 및 제 2 도트들(31 및 32)은 EUV-방사선에 대해 실질적으로 동일한 반사를 갖는다.
반사 도트들의 패턴을 제공하는 대안적인 방법이 미국 특허 제 6,645,679호에서 설명된다. 거기에 설명된 바와 같이, 이중층들의 스택은 예를 들어 저열팽창 재료(LTEM)의 평탄한 기판 상에 배치된다. 기판은 실리콘 옥시니트라이드(SiON) 재료일 수 있다. 이중층들의 스택이 제공된 이후, 스택에 온열 마스크(heat mask)가 제공된다. 후속하여, 온열 마스크는 패턴을 형성하도록 선택적으로 에칭되고, 이중층들의 스택은 패턴을 따라 선택적으로 열처리된다. 이 방식으로, 0 도의 위상 시프트 및 높은 반사율을 갖는 제 1 스폿들과 180 도의 위상 스프트 및 상대적으로 낮은 반사율을 갖는 제 2 스폿들의 스택 상에 패턴이 형성된다.
일 실시예에 따르면, 후속하여 다층에서의 Cr과 같이 이중층들의 패터닝된 스택의 표면에 EUV 흡수재의 라인들의 패턴이 구성될 수 있다. 라인들의 패턴은 e빔 기록에 의해 적용될 수 있다. 이 방식으로, 제 1 고-반사 스폿 및 제 2 저-반사 스폿에 의해 형성된 서브-패턴을 갖는 제 2 라인들 및 제 1 EUV-흡수 라인들이 교번하는 결과적인 패턴이 얻어질 수 있다. 필요에 따라, 제 2 라인들에 EUV-흡수 구역들이 제공될 수 있다. 이 방식으로, 서브-패턴에 의해 야기된 회절 패턴을 형성하도록 대안적인 자유도가 얻어질 수 있다.
도 12는 일 실시예에 의해 얻어질 수 있는 격자를 나타낸다. 도 11a 및 도 11b에 대응하는 부분들은 100 더 높은 참조 번호를 가질 수 있다. 도 12에 나타낸 격자는 저열팽창 재료의 기판(120)을 갖는다. 예를 들어, 복수의, 예를 들어 40 내지 50 개의 적절한 이중층들, 예를 들어 Mo/Si 층들 또는 Mo/Be 층들을 증착함으로써, 기판(120) 상에 제 1 다층 반사기(136)가 적용될 수 있다. 제 1 반사기(136)에는 조합된 캐핑/에칭 중지층(138)이 제공될 수 있다. 에칭 중지층(138)의 최상부에 제 2 반사기(137)가 적용될 수 있다. 제 2 반사기(137)에는 조합된 캐핑/에칭 중지층(139)이 제공될 수 있다. 에칭 중지층(139)의 최상부에 EUV 흡수층이 적용될 수 있다. 제 2 반사기(137) 및 에칭 중지층(139)에 의해 형성된 스택의 효과적인 두께는 λ/4이다. 제 2 반사기의 이중층 두께는 스택된 반사기들(136, 138, 137 및 139)의 반사율과 제 1 반사기(136 및 138)만의 반사율이 매칭하도록 맞춰진다. 제 2 반사기(137) 및 흡수재(150)는, 예를 들어 도 8b에 나타낸 바와 같이 0 도의 위상 시프트로 반사하는 제 1 도트들(132) 및 180 도의 위상 시프트로 반사하는 제 2 도트들(131)의 패턴을 얻기 위해 알려진 방식으로 선택적으로 에칭된다. 최종적으로, 흡수 재료(150)는 예를 들어 도 8a에 나타낸 바와 같은 라인들의 패턴을 얻기 위해 선택적으로 에칭된다.
도 13은 격자(201) 및 CCD 검출기(202)의 일 실시예의 단면도를 더 상세히 나타낸다. 격자(201)는 실리콘의 웨이퍼(201A)를 포함한 층 구조체로서 형성된다. 대안적으로, Si3N4와 같은 세라믹 재료 또는 얇은 금속판과 같은 또 다른 재료가 사용될 수 있다. 웨이퍼는 적어도 0.1 mm 이상의 두께를 갖는다. 실제로, 웨이퍼는 1 cm보다 더 두껍지는 않다. 이 실시예에서, 웨이퍼의 두께는 0.675 mm이다. 웨이퍼(201A)에는 티타늄과 같은 금속이나 Si3N4 또는 SiC와 같은 세라믹 재료의 견고한 포일(stiff foil: 201B)이 제공되며, 이는 최대 100 nm 범위 내의 두께를 갖는다. 본 명세서에서 Si3N4이고 50 nm의 두께를 갖는 포일(201B)은 패터닝된 흡수재 층(201C)으로 덮인다. 우수한 흡수 특성들을 갖는 이 층(201C)에 대한 재료는 니켈이다. 50 nm의 두께는 충분한 흡수를 제공한다. 하지만, 나타낸 실시예에서는 Cr의 층(201C)이 사용되는데, 이는 재료가 쉽게 패터닝될 수 있기 때문이다. 상기 층(201C)은 충분한 흡수를 제공하기 위해 120 nm의 두께를 갖는다. 흡수층(201C)이 개구부들을 갖는 경우, (실제 홀들을) 관통하여 막(membrane: 201B)이 에칭된다. 바둑판 패턴, 6각 개구부들을 갖는 패턴과 같이 패턴에 대해 다양한 선택사항들이 가능하지만, 예를 들어 도 10d에 나타낸 원형 핀홀들(201E)의 패턴이 바람직하다. 이러한 패턴은 특히 우수한 열-전달 및 우수한 강도에 유리하고, 도 14c를 참조하여 설명된 바와 같이 격자(201)의 세정을 용이하게 한다. 기판(201A)은 막(201B)의 패턴과 거의 비슷한 패턴을 가져서, 개구부들(201E) 사이의 영역들에서 기계적으로 막을 지지하게 하며, 이는 격자의 견고함에 기여한다. 층 구조체에는 층 구조체의 세정을 허용하도록 루테늄 보호막(201D)이 제공된다. 대안적인 재료는 Si3N4, Cr 및 TiN이다. 보호층(201D)은 전형적으로 5 내지 10 nm 범위 내의 두께를 가지며, 예를 들어 7.5 nm이다.
도 14a 내지 도 14c는 세정에 필요한 노력에 대한 격자(201)의 구조체의 결과를 예시한다.
도 14c에서, 도 13의 부분들에 대응하는 부분들은 동일한 참조 번호를 갖는다. 도 14a 및 도 14b에서, 도 13의 부분들에 대응하는 부분들은 300 더 높은 참조 번호를 갖는다.
도 14a는 폐쇄된 포일(501B)을 갖는 격자(501)를 나타낸다. 나타낸 바와 같이, 사용 시 격자의 양면에 탄소(501F)가 증착된다. 이 탄소 증착은 격자의 투과를 감소시키며, 이는 격자의 기능을 방해한다. 도 14b에 예시된 세정 방법이 사용될 수 있으며, 이때 격자는 수소 라디칼(hydrogen radical: H*)에 노출된다. 수소 라디칼(H*)이 증착된 탄소와 반응하고, 반응 생성물(CxHx)이 증발한다. 이 공정은 격자(501)의 세정 상부면을 발생시키지만, 이러한 방식으로 저부에 증착된 탄소(501F)는 제거되지 않는다. H*로 저부 세정을 제공하기 위해, H* 소스가 센서 내부에 필요할 것이다. 하지만, 이러한 소스는 높은 열 생성을 수반하기 때문에, 냉각 수단을 도입하지 않고는 구현될 수 없으며, 이는 실질적으로 검출기의 부피를 증가시킨다. H*가 H2로의 H*의 높은 재조합-비를 갖기 때문에, H*는 격자(501)의 저부에 거의 도달하지 않는다.
도 14c는 본 발명에 따른 격자(201)의 일부분을 나타낸다. 개구부들(201E)의 존재로 인해, 수소 라디칼이 격자의 양면에 도달할 수 있으며, 이는 증착된 탄소를 실질적으로 모두 제거한다.
도 15a는 이상적으로 정사각형 개구부들(201E)을 갖는 격자(201)의 평면도를 개략적으로 나타내며, 이는 검은색으로 도시된다. 도 15b에 더 상세히 나타낸 바와 같이, 점선 원(201E) 내부를 참조하면 실제로 개구부들은 코너 라운딩(corner rounding)을 나타낼 것이다. 코너 라운딩들이 큰 전단력의 지점들을 형성하기 때문에, 도 15a 및 도 15b의 격자는 좋지 않은 힘 분포를 갖는다. 반면, 이 구성은 간단한 e-비밍(beaming), 즉 형성된 전자 비밍을 허용하고, 제르니케 오프셋(Zernike offset)이 회전 버전으로 해결될 수 있다는 점에서 유리하다.
도 15c는 격자(301)가 원형 개구부들(301E)을 갖는 대안적인 구성을 나타낸다. 이는 상당히 매끄러운 응력 분포를 유도하기 때문에 유리하다. 하지만, 도 15a 및 도 15b에 나타낸 실시예과 비교하면, 이 구성은 e-비밍에 의해 제조하기가 더 어렵다.
격자(201)로부터 10 mm의 거리(D)에 카메라(202)가 위치된다. 나타낸 실시예에서, 카메라는 인쇄 회로 기판(202A)에 장착된 COMS 카메라 칩(202B)을 포함한다. 격자(201)을 향하여 마주하는 측에서, 카메라 칩(202B)에는 광섬유 플레이트(fiber optic plate)가 제공된다. 광섬유 플레이트(202C)는 추가 층들의 증착 시 카메라(202B)를 보호하면서 추가 층들의 증착을 가능하게 한다. 광섬유 플레이트(202C)가 "수직 섬유(vertical fibers)", 즉 카메라 칩(202B)의 표면을 가로질러 배치되는 섬유로 구성되기 때문에, 이는 이미징 능력에 거의 영향을 주지 않는다. 광섬유 플레이트(202C) 상에 증착된 제 1 층은 형광 재료(scintillating material) 층(202D)이다. 상기 층(202)은 UV-방사선을, 카메라 칩(202B)이 우수한 감도를 갖는 파장으로 전환한다. 형광 재료는, 예를 들어 YAG:Ce의 P43이다. 상기 층(202D)은 50 nm의 두께를 갖는 지르코늄 층(202E)으로 덮이며, 이는 스펙트럼 퓨리티 필터(spectral purity filter)로서 기능한다. 스펙트럼 퓨리티 필터로서 여하한의 다른 재료가 적절하지만, Zr 또는 Si 층들이 바람직하다. EUV가 아닌 파장들의 요구되는 억제에 따라, 상기 층(202E)의 두께는 10 내지 100 nm에서 변화될 수 있다. 10 nm보다 얇은 두께는 일반적으로 EUV가 아닌 파장들에 있어서 너무 낮은 억제를 가질 것이며, 100 nm보다 두꺼운 두께를 갖는 층은 일반적으로 EUV 파장 범위 내의 방사선을 너무 많이 억제할 것이다. 층들(202A 내지 202E)에 의해 형성된 스택에 세정-회복-층으로서 루테늄 층(202F)이 제공된다. 전형적으로, 상기 층은 5 내지 10 nm 범위 내의 두께를 갖는다. 상기 층은 진공 정합성(vacuum compatible)이어야 하며, 이에 따라 낮은 가스방출 특성을 갖고, 또한 비교적 낮은 흡수를 가져야 한다. 루테늄 이외에, TiN 및 CrN과 같은 다른 재료들이 이 층에 사용될 수 있다.
청구항에서, "포함하는"이라는 단어는 다른 요소들 또는 단계들을 배제하지 않으며, 부정 관사 "일" 또는 "하나"는 복수를 배제하지 않는다. 단일 구성요소 또는 다른 유닛이 청구항들에 인용되는 수 개의 아이템들의 기능들을 충족할 수 있다. 소정 측정치들이 서로 상이한 청구항들에서 인용되는 단순한 사실이, 이 측정치들의 조합이 유리하게 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다. 청구항들에서의 여하한의 참조 부호들은 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.

Claims (22)

  1. EUV-방사선에 대한 격자에 있어서:
    복수의 반사 라인들을 포함하고, 상기 반사 라인들은 각각 서로 교번하여 배치된 복수의 제 1 반사 도트들 및 복수의 제 2 반사 도트들을 포함하며, 상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 180±10 도 mod 360 도(180±10 degrees mod 360 degrees)의 상호 위상 차로 EUV-방사선을 반사시키도록 구성되는 격자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 라인들 내의 상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 흡수 부분들에 의해 분리되는 격자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 상기 반사 라인들 내의 영역을 완전히 채우는 격자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 도트들 및/또는 상기 제 2 반사 도트들은 50 nm 내지 150 nm의 직경을 갖는 격자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 도트들 및/또는 상기 제 2 반사 도트들은 70 nm 내지 120 nm의 직경을 갖는 격자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 각각의 라인 내에서 무작위한 패턴으로 배치되는 격자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 각각의 라인 내에서 규칙적인 패턴으로 배치되는 격자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 반사 라인들은 2 개의 직교 방위로 배치되는 격자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 반사 라인들은 바둑판 격자로서 배치되는 격자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 반사 라인들은 각각 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위 내의 폭을 갖는 격자.
  11. 제 1 항에 있어서,
    서로 교번하여 확산된 제 1 위치들 및 제 2 위치들을 갖는 패터닝된 기판- 상기 제 1 위치들 및 상기 제 2 위치들은 상호 높이 차를 가짐 -;
    상기 패터닝된 기판에 상기 EUV-방사선에 대한 브래그 반사기(Bragg-reflector)를 형성하도록 구성된 다층- 상기 기판에서의 상기 제 1 위치들 및 상기 제 2 위치들의 패턴은 각각 상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들로서 상기 브래그 반사기의 표면으로 전파됨 -; 및
    상기 다층의 표면에 의해 형성된 반사 라인들의 경계를 정하도록 구성된, 상기 다층에 EUV 흡수재로 이루어진 라인들의 패턴을 더 포함하는 격자.
  12. 제 1 항에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상의 제 1 다층 반사기;
    상기 제 1 다층 반사기 상에 패터닝된 제 2 다층 반사기- 상기 제 1 다층 반사기 및 상기 제 2 다층 반사기는 반사 표면을 형성하도록 구성되며, 상기 제 1 반사 도트들은 상기 제 2 다층 반사기에 의해 형성되고, 상기 제 2 반사 도트들은 상기 제 1 다층 반사기에 의해 형성됨 -; 및
    상기 표면에 형성된 반사 라인들의 패턴- 상기 반사 라인들은 상기 표면에서 흡수재의 라인들에 의해 분리됨 -을 더 포함하는 격자.
  13. 파면 측정 시스템에 있어서:
    대상물 평면을 조명하기 위해, 소스로부터 상기 대상물 평면에 전자기 방사선을 지향하도록 구성된 이미징 시스템;
    상기 대상물 평면에 위치된 제 1 격자- 상기 제 1 격자는 복수의 반사 라인들을 포함하고, 상기 반사 라인들은 각각 서로 교번하여 배치된 복수의 제 1 반사 도트들 및 복수의 제 2 반사 도트들을 포함하며, 상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 180±10 도 mod 360 도의 상호 위상 차로 EUV-방사선을 반사시키도록 구성됨 -;
    초점면 상에 상기 제 1 격자의 이미지를 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템;
    상기 초점면의 제 2 격자; 및
    상기 제 2 격자에 의해 생성된 프린지 패턴(fringe pattern)을 수용하도록 구성된 검출기를 포함하는 파면 측정 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 상기 투영 광학 시스템의 개구수를 넘게 채우는(overfill) 조명을 생성하도록 구성되는 파면 측정 시스템.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 도트들 및 상기 제 2 반사 도트들은 상기 소스에 의해 야기된 불규칙성들이 없는 조명을 생성하도록 구성되는 파면 측정 시스템.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 격자의 상기 복수의 반사 라인들은 상기 프린지 패턴의 세기 및 가시성을 최대화하도록 배치되는 파면 측정 시스템.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 격자의 상기 복수의 반사 라인들은 상기 제 2 격자에 대해 45 도로 방위되는 파면 측정 시스템.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 소스는 극자외(EUV) 방사선 소스인 파면 측정 시스템.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 격자는 레티클 스테이지 상에 장착되는 파면 측정 시스템.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 격자는 웨이퍼 스테이지 상에 장착되는 파면 측정 시스템.
  21. EUV-방사선에 대한 격자를 제조하는 방법에 있어서:
    서로 교번하여 확산된 제 1 위치들 및 제 2 위치들을 갖는 패터닝된 기판을 제공하는 단계- 상기 제 1 위치들 및 상기 제 2 위치들은 상호 높이 차를 가짐 -;
    상기 패터닝된 기판에 상기 EUV-방사선에 대한 브래그 반사기를 형성하는 다층을 배치하는 단계; 및
    상기 다층에 EUV 흡수재로 이루어진 라인들의 패턴을 적용하는 단계를 포함하는 격자 제조 방법.
  22. EUV-방사선에 대한 격자를 제조하는 방법에 있어서:
    기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 제 1 다층 반사기를 제공하는 단계;
    상기 제 1 다층 반사기 상에 제 1 조합된 캐핑(capping)/에칭 중지층(etch stop layer)을 제공하는 단계;
    상기 제 1 조합된 캐핑/에칭 중지층 상에 제 2 다층 반사기를 제공하는 단계;
    상기 제 2 다층 반사기 상에 제 2 조합된 캐핑/에칭 중지층을 제공하는 단계;
    EUV-흡수재 층을 적용하는 단계;
    0 도의 위상 시프트로 반사하는 제 1 도트들, 및 180 도 ±10 도 modulo 360 도(180 deg ± 10 deg modulo 360 deg)의 상호 위상 차로 반사하는 제 2 도트들의 패턴을 얻기 위해 상기 제 2 다층 반사기를 선택적으로 에칭하는 단계; 및
    반사 라인들의 패턴을 얻기 위해, 상기 흡수재 층을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하는 격자 제조 방법.
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