KR20100093240A - 박막 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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박성기
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Abstract

본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 복수의 도전성 입자를 포함하고 표면에 요철이 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 흡수층 및 상기 흡수층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하는 박막 태양전지를 제공한다.
박막 태양전지

Description

박막 태양전지 및 그 제조방법{Thin Film Solar Cells And Manufacturing Method For The Same}
본 발명은 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어, 직면하는 에너지 문제를 해결하기 위하여 기존의 화석 연료를 대체할 수 있는 다양한 연구가 진행되어 오고 있다. 특히 수십년 이내에 고갈될 석유 자원을 대체하기 위하여 풍력, 원자력, 태양력 등의 자연 에너지를 활용하기 위한 다양한 연구가 진행되어 오고 있다.
이 중 태양에너지를 이용한 태양전지는 기타 다른 에너지원과는 달리 자원이 무한하고, 환경 친화적이므로 1983년 Se 태양전지를 개발한 이후로 지난 수십 년간 많은 연구가 되어 왔다. 현재 상용화된 단결정 벌크 실리콘을 이용한 태양전지는 높은 제조 단가 및 설치 비용으로 인하여 적극적인 활용이 이루어지지 못하는 상황이다.
이러한 비용 문제를 해결하기 위하여 박막 태양전지에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 특히 비정질 실리콘(a-Si:H)을 이용한 박막 태양전지는 대면적 태양전지를 저가로 제작할 수 있는 기술로서 많은 관심을 받고 있다.
일반적으로, 박막 태양전지는 제 1 기판에 제 1 전극, 흡수층, 제 2 전극이 적층된 형태로 구성될 수 있으며, 효율 향상을 위해 제 1 전극 표면에 거대 요철을 형성시키기 위한 텍스쳐링 공정이 수행된다. 이러한 텍스쳐링 공정은 산/염기 용액을 이용한 화학적 에칭법을 사용해 오고 있다.
그러나, 태양전지의 제조 공정은 대부분 진공 상태에서 이루어지는 반면, 전술한 화학적 에칭법을 이용하는 텍스쳐링 공정은 산/염기 용액을 사용해야 하기 때문에 진공 공정이 깨지게 되고 다시 진공 분위기로 가기 위해서는 공정의 택타임(tact time)이 길어지는 문제점이 있다.
또한, 제 1 전극의 물질에 따라 에칭용액을 변경해야 하며, 요철 형태를 자유롭게 조절하기 용이하지 않을 뿐만 아니라 제 1 전극 표면이 손상되기 때문에 저항값이 증가되는 문제점이 있다. 또한, 에칭하고난 후의 산/염기 에칭용액 폐액을 처리하는데에도 큰 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 제 1 전극에 요철을 형성하기 용이하고, 공정 시간을 줄일 수 있으며, 태양전지의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 박막 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지는 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 복수의 도전성 입자를 포함하고 표면에 요철이 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 흡수층 및 상기 흡수층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함할 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자는 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴(Cd2O3) 및 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자는 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 붕소(B), 플루오르(F) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 도핑될 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자의 입경은 0.01 내지 0.7㎛일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지의 제조방법은 기판 상에 복수의 도전성 입자를 포함하며, 표면에 요철을 갖는 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 흡수층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자는 용액을 사용하여 도포할 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자는 스핀코팅, 침지코팅 또는 프린팅법 중 어느 하나로 형성할 수 있다.
상기 제 1 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 상기 복수의 도전성 입자를 포함하는 용액을 도포하는 단계, 상기 기판을 열처리하여 상기 용액을 제거하는 단계 및 상기 복수의 도전성 입자가 형성된 상기 기판 상에 투명도전물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자의 입경은 0.01 내지 0.7㎛일 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자는 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 붕소(B), 플루오르(F) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 도핑될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지 및 그 제조방법은 복수의 도전성 입자를 통해 제 1 전극 표면에 요철을 형성함으로써, 제 1 전극의 요철의 크기를 조절하기 용이하고, 제 1 전극의 표면이 손상되어 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하고, 진공 공정을 유지할 수 있어 공정 택타임을 줄일 수 있는 이점이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예들을 자세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지(100)는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 위치하며, 복수의 도전성 입자(125)를 포함하고, 표면에 요철(128)이 형성된 제 1 전극(120), 상기 제 1 전극(120) 상에 위치하는 흡수층(130) 및 상기 흡수층(130) 상에 위치하는 제 2 전극(140)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 유리 또는 투명 수지 필름 등을 사용할 수 있다. 상기 유리는 투명성 및 절연성이 높은 산화규소(SiO2), 산화나트륨(Na2O) 및 산화칼슘(CaO)을 주 성분으로 하는 판유리를 사용할 수 있다.
상기 제 1 전극(120)은 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 투명 도전성 산화물로는 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴(Cd2O3) 및 산화인듐주석(Indium Tin Oxide : ITO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있으나, 산화인듐주석(ITO)을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 금속으로는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다.
그리고, 제 1 전극(120)은 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 이루어진 단일층일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 투명 도전성 산화물/금속의 2층 또는 그 이상이 적층된 복층일 수 있다.
한편, 상기 제 1 전극(120)은 복수의 도전성 입자(125)를 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자(125)들은 제 1 전극(120)의 표면에 요철(128)이 형성되도록 함으로써 제 1 전극(120)의 표면적을 넓히는 역할을 할 수 있다.
복수의 도전성 입자(125)는 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴(Cd2O3) 및 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 복수의 도전성 입자(125)는 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 붕소(B), 플루오르(F) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 도핑될 수 있다.
상기 복수의 도전성 입자(125)의 입경은 0.01 내지 0.7㎛일 수 있다. 여기서, 도전성 입자(125)의 입경이 0.01㎛ 이상이면, 제 1 전극(120)에 요철을 형성할 수 있어, 제 1 전극(120)의 표면적을 넓힐 수 있는 이점이 있고, 도전성 입자(125)의 입경이 0.7㎛ 이하이면, 제 1 전극(120)의 두께가 두꺼워지는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 제 1 전극(120)은 복수의 도전성 입자(125)로 인해 그 표면에 복수의 요철(128)이 형성될 수 있다. 이러한 요철(128)은 제 1 전극(120)의 표면적을 넓혀, 제 1 전극(120)에 입사되는 광의 산란을 일으켜서 빛의 경로를 길게할 수 있는 이점이 있다.
한편, 상기 흡수층(130)은 비정질 실리콘, CdTe 또는 CIGS(CuInGaSe2)으로 이루어질 수 있으며, pin구조로 이루어질 수 있다. 여기서 흡수층(130)이 비정질 실리콘 일 경우를 예로 들면, pin 구조는 p+ 형 비정질 실리콘층/i형(intrinsic) 비정질 실리콘층/n+ 비정질 실리콘층으로 이루어진 구조일 수 있다.
여기서, pin 구조는 태양광이 입사되면 실리콘 박막층에서 태양광을 흡수하게 되며 이때 전자-홀이 생성된다. pin 구조에서 p형과 n형에 의해 생성된 내부 전계(Built-in potential)에 의해 앞에서 생성된 전자와 홀은 각각 n형과 p형 반도체로 이동되어 이를 이용할 수 있게 된다.
본 실시 예에서는 상기 흡수층(130)이 하나의 층만으로 도시되어 있으나, 흡수층(130)은 p+ 형 비정질 실리콘층/i형(intrinsic) 비정질 실리콘층/n+ 비정질 실리콘층으로 이루어진 구조일 수 있다.
상기 제 2 전극(140)은 상기 제 1 전극(120)과 동일하게 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 투명 도전성 산화물로는 산화인듐주석(Indium Tin Oxide : ITO), 산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)을 사용할 수 있으나, 산화인듐주석(ITO)을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 금속으로는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다.
그리고, 제 2 전극(140)은 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 이루어진 단일층일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 투명 도전성 산화물/금속의 2층 또는 그 이상이 적층된 복층일 수 있다.
이하, 전술한 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 설 명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지의 제조방법은 기판 상에 복수의 도전성 입자를 포함하며, 표면에 요철을 갖는 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 흡수층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 기판(210) 상에 복수의 도전성 입자(225)를 포함하는 제 1 전극(230)을 형성하는 단계를 도 2a를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
(a) 기판(210) 상에 복수의 도전성 입자(225)를 포함하는 용액(220)을 도포한다.
이때, 상기 기판(210)은 유리 또는 투명 수지 필름 등을 사용할 수 있다. 상기 유리는 투명성 및 절연성이 높은 산화규소(SiO2), 산화나트륨(Na2O) 및 산화칼슘(CaO)을 주 성분으로 하는 평편한 판유리를 사용할 수 있다.
그리고, 상기 용액(220)은 메탄올, 에탄올 또는 알코올 등과 같이 상기 복수의 도전성 입자(225)를 분산시킬 수 있는 것들이면 모두 사용 가능하다.
이때, 상기 용액(220)을 도포하는 방법으로는 스핀코팅, 침지코팅 또는 프린팅법 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
한편, 상기 복수의 도전성 입자(225)는 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO), 산화 카드뮴(Cd2O3) 및 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 복수의 도전성 입자(225)는 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 붕소(B), 플루오르(F) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 도핑될 수 있다. 이때, 이들의 도핑농도는 3 내지 7%일 수 있다.
그리고, 상기 복수의 도전성 입자(225)의 입경은 0.01 내지 0.7㎛일 수 있다. 여기서, 도전성 입자(225)의 입경이 0.01㎛ 이상이면, 추후 제 1 전극(230)에 요철을 형성할 수 있어, 제 1 전극(230)의 표면적을 넓힐 수 있는 이점이 있고, 도전성 입자(225)의 입경이 0.7㎛ 이하이면, 제 1 전극(230)의 두께가 두꺼워지는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
다음, (b) 상기 복수의 도전성 입자(225)를 포함하는 용액(220)이 도포된 기판(210)을 열처리하여 용액(220)을 제거한다.
상기 용액(220)은 150℃의 오븐에서 1 내지 10분 가량 열처리하여 제거할 수 있다.
이어, (c) 용액이 제거된 기판(210) 상에 투명도전물질을 증착하여 복수의 도전성 입자(225)를 포함하는 제 1 전극(230)을 형성한다.
이전 열처리 공정을 통해, 용액이 제거된 기판(210) 상에는 복수의 도전성 입자(225)들만이 남아 있게 된다. 따라서, 복수의 도전성 입자(225)가 형성된 기판(210) 상에 투명도전물질을 증착하면, 상기 복수의 도전성 입자(225)로 인해 표 면에 요철(228)을 갖는 제 1 전극(230)이 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제 1 전극(230)은 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 투명 도전성 산화물로는 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴(Cd2O3) 및 산화인듐주석(Indium Tin Oxide : ITO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있으나, 산화인듐주석(ITO)을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 금속으로는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다.
그리고, 제 1 전극(230)은 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 이루어진 단일층일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 투명 도전성 산화물/금속의 2층 또는 그 이상이 적층된 복층으로 형성될 수도 있다.
또한, 제 1 전극(230)은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD), 물리 기상 증착법(Physical vapor Deposition :PVD) 또는 전자빔(E-beam)법 등으로 형성할 수 있다.
따라서, 도 2b와 같이, 기판(210) 상에 복수의 도전성 입자(225)를 포함하며 표면에 요철(228)이 형성된 제 1 전극(230)을 형성하게 된다.
상기와 같이, 복수의 도전성 입자를 통해 제 1 전극 표면에 요철을 형성함으로써, 종래 제 1 전극에 산/염기 에칭용액을 이용하여 요철을 형성하는 공정을 대체할 수 있다.
이에 따라, 도전성 입자의 입경을 조절하는 것으로 제 1 전극의 요철의 크기를 조절하기 용이하고, 제 1 전극의 표면이 손상되어 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하고, 진공 공정을 유지할 수 있어 공정 택타임을 줄일 수 있는 이점이 있다.
다음, 도 2c를 참조하면, 상기 제 1 전극(230)을 패터닝한다.
이때, 제 1 전극(230)을 패터닝하는 방법으로는 포토레지스트법, 샌드 블라스트법, 레이저 스크라이빙법 등을 사용할 수 있다. 여기서, 상기 제 1 전극(230)은 제 1 패터닝된 라인(235)에 의해 분리될 수 있다.
이어, 도 2d를 참조하면, 상기 패터닝 공정이 끝난 제 1 전극(230) 상에 흡수층(240)을 형성한다.
이때, 상기 흡수층(240)은 비정질 실리콘, CdTe 또는 CIGS(CuInGaSe2)으로 이루어질 수 있으며, pin구조로 이루어질 수 있다. 여기서 흡수층(240)이 비정질 실리콘 일 경우를 예로 들면, pin 구조는 p+ 형 비정질 실리콘층/i형(intrinsic) 비정질 실리콘층/n+ 비정질 실리콘층이 적층된 구조일 수 있다.
이러한 pin 구조는 태양광이 입사되면 실리콘 박막층에서 태양광을 흡수하게 되며 이때 전자-홀이 생성된다. pin 구조에서 p형과 n형에 의해 생성된 내부 전계(Built-in potential)에 의해 앞에서 생성된 전자와 홀은 각각 n형과 p형 반도체로 이동되어 이를 이용할 수 있게 된다.
본 실시 예에서는 상기 흡수층(240)이 하나의 층만으로 도시되어 있으나, 흡수층(250)은 p+ 형 비정질 실리콘층/i형(intrinsic) 비정질 실리콘층/n+ 비정질 실리콘층으로 적층된 구조일 수 있다.
이때, 상기 흡수층(240)은 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD)으로 증착할 수 있다.
이어, 도 2e를 참조하면, 상기 흡수층(240)을 패터닝한다.
이때, 상기 제 1 전극(230)이 패터닝된 제 1 패터닝 라인(235)과 이격된 영역의 흡수층(240)을 패터닝한다. 여기서, 흡수층(240)을 패터닝하는 방법으로는 포토레지스트법, 샌드 블라스트법, 레이저 스크라이빙법 등을 사용할 수 있다.
따라서, 흡수층(240)은 제 2 패터닝 라인(245)에 의해 분리될 수 있다.
다음, 도 2f를 참조하면, 흡수층(240)의 패터닝 공정이 끝난 기판(210) 상에 제 2 전극(250)을 형성한다.
제 2 전극(250)은 상기 제 1 전극(230)과 동일하게 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 여기서, 투명 도전성 산화물로는 산화인듐주석(Indium Tin Oxide : ITO), 산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)을 사용할 수 있으나, 산화인듐주석(ITO)을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 금속으로는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다.
그리고, 제 2 전극(250)은 투명 도전성 산화물 또는 금속으로 이루어진 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 투명 도전성 산화물/금속의 2층 또는 그 이상이 적층된 복층으로 형성될 수도 있다.
이때, 제 2 전극(250)은 제 1 전극(230)과 동일하게 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD), 물리 기상 증착법(Physical vapor Deposition :PVD) 또는 전자빔(E-beam)법 등으로 형성할 수 있다.
마지막으로, 도 2g를 참조하면, 전기적 절연을 위해, 상기 기판(210) 상에 형성된 흡수층(240) 및 제 2 전극(250)을 패터닝한다.
이때, 전술한 제 1 패터닝 라인(235) 및 제 2 패터닝 라인(245)과 이격된 영역을 패터닝하여 제 3 패터닝 라인(255)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다.
따라서, 상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지를 제조할 수 있다.
상기와 같이, 복수의 도전성 입자를 통해 제 1 전극 표면에 요철을 형성함으로써, 종래 제 1 전극에 산/염기 에칭용액을 이용하여 요철을 형성하는 공정을 대체할 수 있다.
이에 따라, 도전성 입자의 입경을 조절하는 것을 통해 제 1 전극의 요철의 크기를 조절하기 용이하고, 제 1 전극의 표면이 손상되어 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하고, 진공 공정을 유지할 수 있어 공정 택타임을 줄일 수 있는 이점이 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
유리 기판 상에 입경이 0.7㎛이며 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO) 입자들이 용 해된 용액을 스핀 코팅법으로 도포한 후, 150℃의 오븐에서 5분 정도 열처리하여 용액을 제거하였다. 그리고, 유리 기판 상에 산화아연(ZnO)을 스퍼터법을 이용하여 0.4㎛의 두께로 증착하여 제 1 전극을 형성하였다.
<실시예 2>
유리 기판 상에 입경이 0.4㎛이며 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO) 입자들이 용해된 용액을 스핀 코팅법으로 도포한 후, 150℃의 오븐에서 5분 정도 열처리하여 용액을 제거하였다. 그리고, 유리 기판 상에 산화아연(ZnO)을 스퍼터법을 이용하여 0.4㎛의 두께로 증착하여 제 1 전극을 형성하였다.
상기 실시예 1 및 2에 따라 제조된 제 1 전극의 면저항 및 투과율을 측정하여 하기 표 1에 나타내었고, 그 표면을 SEM으로 측정하여 도 3a 및 도 3b에 나타내었다.
면저항(Ω/sq) 투과율(%)
실시예 1 35 93
실시예 2 30 91
상기 표 1 및 도 3a와 3b를 참조하면, 실시예 1 및 2에 따라 제조된 제 1 전극은 면저항과 투과율이 모두 양산 기준치에 적합한 것을 알 수 있다.
상기와 같이, 복수의 도전성 입자를 통해 제 1 전극 표면에 요철을 형성함으로써, 종래 제 1 전극에 산/염기 에칭용액을 이용하여 요철을 형성하는 공정을 대체할 수 있다.
이에 따라, 도전성 입자의 입경을 조절하는 것을 통해 제 1 전극의 요철의 크기를 조절하기 용이하고, 제 1 전극의 표면이 손상되어 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하고, 진공 공정을 유지할 수 있어 공정 택타임을 줄일 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지를 나타낸 단면도.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 나타낸 공정별 도면.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 박막 태양전지의 제 1 전극의 표면을 측정한 SEM 사진.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하며, 복수의 도전성 입자를 포함하고 표면에 요철이 형성된 제 1 전극;
    상기 제 1 전극 상에 위치하는 흡수층; 및
    상기 흡수층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하는 박막 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자는 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴(Cd2O3) 및 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 박막 태양전지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자는 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 붕소(B), 플루오르(F) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 도핑된 박막 태양전지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자의 입경은 0.01 내지 0.7㎛인 박막 태양전지.
  5. 기판 상에 복수의 도전성 입자를 포함하며, 표면에 요철을 갖는 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극 상에 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 흡수층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자는 용액을 사용하여 도포하는 박막 태양전지의 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자는 스핀코팅, 침지코팅 또는 프린팅법 중 어느 하나로 형성하는 박막 태양전지의 제조방법.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 전극을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 상기 복수의 도전성 입자를 포함하는 용액을 도포하는 단계;
    상기 기판을 열처리하여 상기 용액을 제거하는 단계; 및
    상기 복수의 도전성 입자가 형성된 상기 기판 상에 투명도전물질을 증착하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자의 입경은 0.01 내지 0.7㎛인 박막 태양전지의 제조방법.
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자는 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 붕소(B), 플루오르(F) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 도핑된 박막 태양전지의 제조방법.
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