KR20100077342A - Treatment device for large area substrate - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A processing unit of a large area substrate is provided to reduce the processing cost by decreasing the usage amount of a processing liquid chemical and improving the productivity, and to enhance the reliability of a process. CONSTITUTION: A processing unit of a large area substrate(S) comprises the following: a processing tank(30) dipping the large area substrate into a processing liquid chemical; a supplying pipe supplying the processing liquid chemical to the processing tank; and a water level controlling unit(40) partially storing the processing liquid chemical when the processing liquid chemical inside the processing tank is discharged through a drain pipe(35). The water level controlling unit includes a sealing plate(42) controlling the level of the processing liquid chemical by being operated by a cylinder(41) to move upward and downward.

Description

대면적 기판의 처리장치{Treatment device for large area substrate}Treatment device for large area substrate

본 발명은 대면적 기판의 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 기판을 디핑 방식으로 처리하는 대면적 기판의 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a large area substrate processing apparatus, and more particularly, to a large area substrate processing apparatus for processing a large area substrate in a dipping method.

일반적으로 평판 디스플레이 제조공정에서 사용되는 유리 기판에 사진식각공정 등의 식각공정, 현상공정, 세정공정 등을 진행할 때 처리약액을 기판에 도포하거나, 기판 전체를 처리약액에 디핑하여 처리하는 방식이 있다. In general, when a photolithography process such as a photolithography process, a developing process, a cleaning process, or the like is applied to a glass substrate used in a flat panel display manufacturing process, a treatment chemical is applied to the substrate, or the entire substrate is dipped into the treatment chemical. .

이때 디핑 또는 도포의 균일성은 처리의 균일성과 밀접한 관계가 있으며, 종래 디핑 방식의 대면적 기판의 처리장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In this case, the uniformity of the dipping or coating is closely related to the uniformity of the treatment, which will be described in detail with reference to the accompanying drawings of the apparatus for treating a large-area substrate of the conventional dipping method.

도 1은 종래 대면적 기판의 처리장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a conventional processing apparatus for a large area substrate.

도 1을 참조하면 종래 대면적 기판의 처리장치는, 배스(1)의 내측에 마련되어 기판(S)이 진출입할 수 있도록 진입오토셔터(2) 및 진출오토셔터(3)가 마련된 처리조(4)와, 상기 처리조 내에서 기판(S)을 이송할 수 있는 이송부(5)와, 상기 처리조(4)에 처리약액을 공급하는 공급관(6)과, 상기 처리조(4)의 처리약액을 드레인 하는 드레인관(7)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a conventional processing apparatus for a large-area substrate includes a processing tank 4 provided with an inlet auto shutter 2 and an outlet auto shutter 3 provided inside the bath 1 to allow the substrate S to enter and exit. ), A transfer part 5 capable of transferring the substrate S in the treatment tank, a supply pipe 6 for supplying the treatment liquid to the treatment tank 4, and a treatment liquid of the treatment tank 4. The drain pipe 7 which drains this is comprised.

이하, 상기와 같이 구성된 대면적 기판의 처리장치의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the processing apparatus of the large-area substrate configured as described above will be described in more detail.

먼저, 세정될 기판(S)이 공급될 때 진입오토셔터(2)가 열린 상태에서 그 기판(S)이 처리조(4)의 내측으로 이송부(5)의 구동에 따라 유입된다. 이때 처리조(4) 내의 처리약액의 수위는 상기 이송부(5)보다 낮은 위치로, 진입오토셔터(2)가 열린 상태에서도 처리조(4)외부로 처리약액이 유출되지 않도록 한다.First, when the substrate S to be cleaned is supplied, the substrate S is introduced into the processing tank 4 in accordance with the driving of the transfer section 5 while the entry auto shutter 2 is opened. At this time, the level of the processing chemical liquid in the processing tank 4 is lower than the transfer part 5, so that the processing chemical liquid does not flow out of the processing tank 4 even when the entry auto shutter 2 is open.

상기 기판(S)이 완전히 처리조(4)의 내부로 진입된 상태에서 상기 진입오토셔터(2)가 닫히게 되며, 공급관(6)을 통해 처리약액이 공급되며, 상기 처리약액의 수위가 높아져 그 기판(S)의 상면 보다 수위가 높아지게 된다.The entry auto shutter 2 is closed in the state where the substrate S is completely entered into the treatment tank 4, the treatment chemical is supplied through the supply pipe 6, and the level of the treatment chemical is increased. The water level becomes higher than the upper surface of the substrate S.

이때 소정의 시간이 경과한 후, 상기 드레인관(7)을 통해 상기 처리조(4) 내의 처리약액이 드레인되어, 최초의 수준으로 회복된다.At this time, after a predetermined time has elapsed, the treatment chemical in the treatment tank 4 is drained through the drain pipe 7 to recover to the initial level.

이와 같이 종래 대면적 기판의 처리장치는 디핑 방식으로 대면적 기판을 처리하기 위하여 처리약액의 수준을 변화시키며, 그 수준의 변화를 처리약액의 공급과 배출을 통해서만 이루기 때문에 상대적으로 시간이 오래걸려 공정시간이 지연된다.As described above, the conventional apparatus for treating a large-area substrate changes the level of the processing liquid in order to process the large-area substrate by dipping. The time is delayed.

이와 같은 공정시간의 지연은 소정온도로 가열되어 있는 처리약액의 온도차를 발생시켜 원하는 처리를 이룰수 없는 경우가 발생할 수 있는 문제점이 있었다.Such a delay of the process time generates a temperature difference between the treatment chemicals heated to a predetermined temperature, which may cause a case in which a desired treatment cannot be achieved.

상기 드레인관(7)을 통해 처리약액을 배출한 후, 진출오토셔터(3)가 열리고, 이송부(5)에 의해 처리된 기판(S)은 처리조(4)의 외부로 진출된다.After discharging the treatment liquid through the drain pipe 7, the advance auto shutter 3 is opened, and the substrate S processed by the transfer unit 5 is advanced out of the treatment tank 4.

상기 처리조(4)의 외부로 기판(S)이 완전히 진출된 상태에서 그 진출오토셔터(3)가 닫히고, 상기 진입오토셔터(2)가 열려 기판(S)이 새롭게 진입되어 처리될 수 있도록 한다.The exit auto shutter 3 is closed in the state where the substrate S is fully advanced to the outside of the processing tank 4, and the entry auto shutter 2 is opened so that the substrate S is newly entered and processed. do.

이처럼, 종래 대면적 기판의 처리장치는 처리약액의 공급과 배출만을 통해 처리조 내의 처리약액 수위를 조정하기 때문에 수위 조절에 시간이 많이 걸려 생산성이 저하되는 문제점이 있었으며, 처리약액의 배출량이 많아야 하기 때문에 처리비용이 증가하는 문제점이 있었다. As such, the conventional apparatus for treating a large-area substrate has a problem in that it takes a lot of time to adjust the level of the processing liquid in the treatment tank only by supplying and discharging the processing liquid, thereby reducing productivity and increasing the amount of the processing liquid. Because of this, there is a problem that the processing cost increases.

또한 처리시간의 증가에 따른 처리약액의 온도변화가 발생할 수 있어, 공정의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.In addition, a temperature change of the treatment chemical may occur due to an increase in the treatment time, and thus there is a problem that the reliability of the process is lowered.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 처리약액의 수준 변화를 보다 빠르게 할 수 있으며, 처리약액의 투입량 및 배출량을 줄일 수 있는 대면적 기판의 처리장치를 제공함에 있다.The problem to be solved by the present invention in view of the above problems is to provide a processing apparatus for a large-area substrate that can change the level of the processing chemical more quickly, and can reduce the input amount and discharge of the processing chemical.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 대면적 기판을 처리조 내에서 수위가 조절되는 처리약액에 디핑하여 처리하는 대면적 기판의 처리장치에 있어서, In the present invention for solving the above problems, in the processing apparatus of a large-area substrate for processing by dipping a large-area substrate in the treatment chemical liquid level is controlled in the treatment tank,

처리약액이 공급관을 통해 상기 처리조 내로 공급될 때, 보유한 처리약액을 상기 처리조 내로 함께 공급하고, When the treatment liquid is supplied into the treatment tank through a supply pipe, the retained treatment liquid is supplied together into the treatment tank,

상기 처리조 내의 처리약액이 드레인관을 통해 배출될 때, 상기 처리조의 처리약액의 일부를 저장하는 수위조절부를 더 포함한다.When the treatment liquid in the treatment tank is discharged through the drain pipe, it further comprises a water level control unit for storing a portion of the treatment liquid of the treatment tank.

본 발명은 처리약액의 공급과 아울러 처리조 내로 저장된 처리약액을 공급하고, 처리약액의 배출과 아울러 처리조 내의 처리약액의 일부를 저장하는 수단을 두어, 보다 빠른 시간 내에 처리약액의 수위 조절이 가능하여, 생산성을 향상시킴과 아울러 처리약액의 사용량을 줄여 처리비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.The present invention provides a treatment liquid stored in the treatment tank together with the supply of the treatment liquid, and a means for discharging the treatment liquid and storing a portion of the treatment liquid in the treatment tank, so that the level of the treatment liquid can be adjusted more quickly. As a result, productivity can be improved and treatment costs can be reduced by reducing the amount of treatment liquid used.

또한 본 발명은 처리약액의 수위 조절을 보다 빠르게 함으로써, 처리조 내의 처리약액의 온도변화를 최소화하여 공정의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of improving the reliability of the process by minimizing the temperature change of the treatment chemical in the treatment tank by adjusting the level of the treatment chemical more quickly.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예의 구성과 작용을 상 세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail.

도 2는 본 발명 대면적 기판의 처리장치의 바람직한 실시예에 따른 구성도이다.2 is a block diagram according to a preferred embodiment of the apparatus for processing a large area substrate of the present invention.

도 2를 참조하면 본 발명 대면적 기판의 처리장치의 바람직한 실시예는, 배스(10)의 내측에서 지지부(20)에 의해 지지되어 위치하며, 기판(S)의 진입과 진출을 위한 진입오토셔터(31)와 진출오토셔터(32)를 구비하는 처리조(30)와, 상기 처리조(30)의 내측에서 상기 기판(S)을 이송하는 이송부(33)와, 상기 처리조(30)에 처리약액을 공급하는 공급관(34)과, 상기 처리조(30)에서 처리약액을 배출시키는 배출관(35)과, 상기 지지부(20)의 내측에서 처리약액의 일부를 저장 또는 배출시켜 상기 처리조(30) 내의 처리약액의 높이를 조절하는 높이조절부(40)를 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 2, a preferred embodiment of the apparatus for processing a large-area substrate of the present invention is located by being supported by the support part 20 inside the bath 10, and an inlet auto shutter for entry and exit of the substrate S. Referring to FIG. A processing tank 30 including a 31 and an advance auto shutter 32, a transfer part 33 for transferring the substrate S from the inside of the processing tank 30, and the processing tank 30. A supply pipe 34 for supplying a treatment liquid, a discharge tube 35 for discharging the treatment liquid from the treatment tank 30, and a portion of the treatment liquid is stored or discharged from the inside of the support part 20 to treat the treatment tank ( 30) is configured to include a height adjusting unit 40 for adjusting the height of the treatment liquid.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 대면적 기판의 처리장치의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the processing apparatus of the large-area substrate of the present invention configured as described above will be described in more detail.

먼저, 처리조(30)는 배스(10)의 바닥면으로부터 소정거리 이상 이격되어, 지지부(20)에 의해 지지되어 위치한다.First, the treatment tank 30 is spaced apart from the bottom surface of the bath 10 by a predetermined distance or more, and is supported and positioned by the support unit 20.

상기 지지부(20)의 내측에는 높이조절부(40)가 위치하며, 그 높이조절부(40)는 실린더(41)에 의해 상하 구동되는 기밀판(42)을 포함하여 구성될 수 있다.The height adjusting part 40 is located inside the support part 20, and the height adjusting part 40 may include an airtight plate 42 driven up and down by the cylinder 41.

이와 같은 상태에서 최초 기판(S)이 진입할 때에는 상기 진입오토셔터(31)가 열린 상태에서 이송부(33)에 의해 기판(S)이 상기 처리조(30)의 내부로 진입된다.When the first substrate S enters in such a state, the substrate S enters into the processing tank 30 by the transfer part 33 in the state in which the entry auto shutter 31 is opened.

기판(S)이 완전히 진입된 상태에서, 상기 진입오토셔터(31)가 닫혀, 처리조(30)를 배스(10)의 내부와는 완전히 차단되도록 한다.In the state where the substrate S is completely entered, the entry auto shutter 31 is closed to completely block the processing tank 30 from the inside of the bath 10.

상기와 같이 기판(S)이 진입될 때 상기 처리조(30) 내의 처리약액의 수위는 상기 진입오토셔터(31) 측으로 배출되지 않는 선에서 최대한 높게 위치하는 것이 바람직하다.As described above, when the substrate S enters, the water level of the treatment liquid in the treatment tank 30 is preferably located as high as possible in a line that is not discharged to the entry auto shutter 31.

상기 기판(S)이 완전히 진입한 상태에서 진입오토셔터(31)가 닫힌 후에는 공급관(34)을 통해 처리약액이 처리조(30)의 내부로 공급된다. 이때 상기 실린더(41)의 구동에 의하여 상기 기밀판(42)이 상승하여 그 높이조절부(40)의 내측에 위치하던 처리약액도 처리조(30)의 내부로 공급하여 처리약액의 수위가 보다 더 빠르게 상승할 수 있도록 한다.After the entry auto shutter 31 is closed in the state where the substrate S is completely entered, the processing chemical is supplied into the processing tank 30 through the supply pipe 34. At this time, the airtight plate 42 is raised by the driving of the cylinder 41, and the processing chemical liquid located inside the height adjusting part 40 is also supplied to the inside of the processing tank 30 so that the level of the processing chemical liquid is higher. Allow you to climb faster.

이와 같은 동작으로 처리약액의 수위가 기판(S)을 넘어 정해진 위치까지 도달하였을 때, 상기 처리약액의 공급 및 실린더(41)의 구동을 중단하고, 식각이 이루어지는 시간동안 그 상태를 유지한다.In this operation, when the level of the processing chemical reaches the predetermined position beyond the substrate S, the supply of the processing chemical and the driving of the cylinder 41 are stopped, and the state is maintained for the time for etching.

그 다음, 상기 식각에 요구되는 시간이 경과한 후에는 드레인관(35)을 통해 그 처리약액이 배출된다. 이때 상기 실린더(41)에 의해 기밀판(42)이 하향 구동되어 그 처리약액의 수위를 보다 빠르게 낮출 수 있게 된다.Then, after the time required for the etching has elapsed, the treatment liquid is discharged through the drain pipe 35. At this time, the airtight plate 42 is driven downward by the cylinder 41, so that the level of the processing liquid can be lowered more quickly.

즉, 기밀판(42)은 상기 처리조(30)의 내부 공간을 실질적으로 감소 또는 증가시키는 역할을 하여, 보다 빠르게 처리약액의 수위 조절이 가능하게 된다.That is, the airtight plate 42 serves to substantially reduce or increase the internal space of the treatment tank 30, so that the level of the treatment chemical can be adjusted more quickly.

이와 같이 드레인관(35)을 통해 처리약액을 배출함과 아울러 기밀판(42)을 하향으로 이동시켜 그 높이조절부(40)의 내측에 처리약액이 유입되도록 함으로써, 보다 빠른 처리약액의 수위 조절을 한 후, 그 처리약액의 수위가 상기 진출오토셔터(32)의 열림에 따라 외부로 배출되지 않는 범위에서 최고의 수위가 되었을 때, 상기 진출오토셔터(32)가 열리고, 이송부(35)를 통해 처리된 기판(S)이 외부로 배출된다.As described above, the treatment liquid is discharged through the drain pipe 35, and the airtight plate 42 is moved downward so that the treatment liquid is introduced into the height adjusting part 40. After that, when the level of the processing liquid is the highest level in the range that is not discharged to the outside according to the opening of the advance auto shutter 32, the advance auto shutter 32 is opened, through the transfer unit 35 The processed substrate S is discharged to the outside.

기판(S)이 완전히 배스(10)의 내측으로 진출된 후에는, 새로운 기판을 처리하기 위하여 상기 진입오토셔터(32)를 열어 기판(S)이 처리조(30)의 내부로 공급되도록 한다.After the substrate S is fully advanced into the bath 10, the entry auto shutter 32 is opened to process the new substrate so that the substrate S is supplied into the processing tank 30.

이처럼 본 발명은 처리조(30)의 내측에서 처리약액의 수위 조절을 처리약액의 공급 또는 배출뿐만 아니라 높이조절부(40)의 작용에 의해 이루어지기 때문에 보다 더 빠른 시간 내에 처리약액의 수위조절이 가능하게 된다.As described above, the present invention controls the level of the treatment chemical within the treatment tank 30 by the action of the height adjusting part 40 as well as supplying or discharging the treatment chemical. It becomes possible.

이처럼 본 발명은 처리약액의 수위조절에 필요한 시간을 단축함으로써, 공정 에 필요한 시간을 줄여 생산성을 향상시키며, 처리약액의 배출량을 줄인 상태에서도 적당한 수위의 조절이 가능하기 때문에 처리약액의 소모량을 줄여 비용을 절감할 수 있게 된다.As such, the present invention shortens the time required for controlling the level of the treatment liquid, thereby improving productivity by reducing the time required for the process, and reducing the consumption of the treatment liquid because the appropriate level can be adjusted even in a state where the amount of treatment liquid is reduced. Can be reduced.

또한 처리약액의 온도변화를 최소화하여 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다. In addition, it is possible to improve the reliability of the process by minimizing the temperature change of the treatment liquid.

도 1은 종래 대면적 기판의 처리장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a conventional processing apparatus for a large area substrate.

도 2는 본 발명 대면적 기판 처리장치의 바람직한 실시예의 구성도이다.2 is a block diagram of a preferred embodiment of the large-area substrate processing apparatus of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10:배스 20:지지부10: bath 20: support

30:처리조 31:진입오토셔터30: treatment tank 31: inlet auto shutter

32:진출오토셔터 33:이송부32: advance auto shutter 33: transfer unit

34:공급관 35:드레인관34: Supply pipe 35: Drain pipe

40:수위조절부 41:실린더40: water level control part 41: cylinder

42:기밀판42: Confidential board

Claims (4)

대면적 기판을 처리조 내에서 수위가 조절되는 처리약액에 디핑하여 처리하는 대면적 기판의 처리장치에 있어서, A large area substrate processing apparatus for processing a large area substrate by dipping into a processing liquid having a level controlled in a processing tank, 처리약액이 공급관을 통해 상기 처리조 내로 공급될 때, 보유한 처리약액을 상기 처리조 내로 함께 공급하고, When the treatment liquid is supplied into the treatment tank through a supply pipe, the retained treatment liquid is supplied together into the treatment tank, 상기 처리조 내의 처리약액이 드레인관을 통해 배출될 때, 상기 처리조의 처리약액의 일부를 저장하는 수위조절부를 더 포함하는 대면적 기판의 처리장치.And a level control unit for storing a portion of the treatment liquid in the treatment tank when the treatment liquid in the treatment tank is discharged through the drain pipe. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수위조절부는,The water level control unit, 상기 처리조의 아래쪽에서 실린더에 의하여 상하 구동되어, 상기 처리조 내의 처리약액의 수위를 조절하는 기밀판을 포함하는 대면적 기판의 처리장치.And a gas tight plate driven up and down by a cylinder under the processing tank to adjust the level of the processing liquid in the processing tank. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 처리조는,The treatment tank, 배스의 바닥면에서 지지부에 의해 소정거리 이격되어 지지되는 것을 특징으로 하는 대면적 기판의 처리장치.An apparatus for processing a large-area substrate, which is spaced apart by a predetermined distance from the bottom of the bath by a support. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 수위조절부는,The water level control unit, 상기 지지부의 내측에 위치하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판의 처리장치.A large area substrate processing apparatus, characterized in that located on the inner side of the support.
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