KR20100076678A - 박막형 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0236—Special surface textures
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
Claims (23)
- 기판;상기 기판 상에 형성되며, 비드 및 상기 비드를 고정하는 바인더를 포함하여 이루어진 광산란막;상기 광산란막 상에 형성된 전면전극층;상기 전면전극층 상에 형성된 반도체층; 및상기 반도체층 상에 형성된 후면전극층을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 기판과 접촉하는 광산란막은 상기 기판과 굴절율이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 전면전극층과 접촉하는 광산란막은 상기 전면전극층과 굴절율이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 광산란막을 구성하는 비드 및 바인더는 굴절율이 서로 상이한 것을 특 징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 비드는 굴절율이 서로 상이한 복수개의 비드들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 비드는 코어부 및 상기 코어부를 둘러싸고 있는 스킨부로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제6항에 있어서,상기 코어부 및 스킨부는 굴절율이 서로 상이한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제6항에 있어서,상기 코어부는 공기로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 광산란막은 그 표면이 요철구조로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 전면전극층은 그 표면에 요철구조가 형성되지 않은 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 반도체층과 후면전극층 사이에 투명도전층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 기판 상에 비드 및 상기 비드를 고정하는 바인더를 포함하여 이루어진 광산란막을 형성하는 공정;상기 광산란막 상에 전면전극층을 형성하는 공정;상기 전면전극층 상에 반도체층을 형성하는 공정; 및상기 반도체층 상에 후면전극층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 광산란막을 형성하는 공정은 페이스트를 이용한 프린팅 방법, 졸-겔 방법, 딥 코팅 방법, 또는 스핀 코팅 방법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 광산란막을 형성하는 공정은 상기 기판과 상기 광산란막 사이의 결합력을 증진시키기 위해서 막 형성 후 소성공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 기판과 접촉하는 광산란막은 상기 기판과 굴절율이 서로 상이하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 전면전극층과 접촉하는 광산란막은 상기 전면전극층은 굴절율이 서로 상이하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 비드 및 바인더는 굴절율이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 비드는 굴절률이 서로 상이한 복수개의 비드들의 조합을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 비드는 코어부 및 상기 코어부를 둘러싸고 있는 스킨부로 이루어지며, 상기 코어부 및 스킨부는 굴절율이 서로 상이한 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제19항에 있어서,상기 코어부는 공기로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 광산란막은 그 표면을 요철구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 전면전극층은 그 표면을 요철구조로 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 반도체층과 후면전극층 사이에 투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080134804A KR100977726B1 (ko) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
PCT/KR2009/007657 WO2010074477A2 (ko) | 2008-12-26 | 2009-12-22 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
US13/132,070 US20110247692A1 (en) | 2008-12-26 | 2009-12-22 | Thin Film Type Solar Cell and Method for Manufacturing the Same |
CN2009801512625A CN102257631A (zh) | 2008-12-26 | 2009-12-22 | 薄膜型太阳能电池及其制造方法 |
TW098145142A TW201031001A (en) | 2008-12-26 | 2009-12-25 | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080134804A KR100977726B1 (ko) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100055909A Division KR101033286B1 (ko) | 2010-06-14 | 2010-06-14 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100076678A true KR20100076678A (ko) | 2010-07-06 |
KR100977726B1 KR100977726B1 (ko) | 2010-08-24 |
Family
ID=42638360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080134804A KR100977726B1 (ko) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100977726B1 (ko) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2756050B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1998-05-25 | キヤノン株式会社 | 光起電力装置 |
JP3416024B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2003-06-16 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池における微粒子塗布膜 |
-
2008
- 2008-12-26 KR KR1020080134804A patent/KR100977726B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100977726B1 (ko) | 2010-08-24 |
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AMND | Amendment | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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