KR20100073645A - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 반사방지막(104)이 형성된 태양전지 기판(100)의 후면에 패시베이션층(106)을 형성한다. 상기 패시베이션층(106)은 에칭 페이스트에 의해 에칭이 잘되는 유전체층으로 이루어진다. 상기 형성된 패시베이션층(106)에 에칭 페이스트(108)를 부분적으로 도포한다. 상기 에칭 페이스트(108)는 붕소원소가 함유된 페이스트이다. 그런 상태에서 고온 열처리 공정을 수행한다. 그러면, 상기 붕소원소가 함유된 에칭 페이스트(108)가 도포된 부분의 패시베이션층(106)이 선택적으로 에칭되고, 그 부분을 통해 상기 에칭 페이스트(108)에 함유된 붕소원소가 태양전지 기판(100)으로 흡수된다. 그래서 상기 태양전지 기판(100)에는 후면전계가 부분적으로 형성된다. 이후에는 상기 태양전지 기판(100)에 대해 후면전극(112)과 전면전극(114)을 형성하고 열처리 공정을 수행하여 전극을 소성하고 마지막으로 에지 아이솔레이션 공정을 수행한다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 태양전지 기판의 휨 현상을 방지할 수 있고, 또 태양전지 기판 후면에서의 재결합 속도를 감소시켜 태양전지의 효율이 향상되는 이점이 있다.
태양전지 기판, 에칭 페이스트, 붕소(Boron), 패시베이션, 후면전계
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 특히 붕소(Boron) 원소가 함유된 페이스트에 의해 후면 전계(Back Surface Field)가 형성되는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 무공해, 설비의 간편성, 내구성 향상 등 여러 가지 이유로 인하여 태양전지의 보급이 급속도로 확산되고 있으며, 이에 따라 태양전지의 효율을 높일 수 있으며, 양산성이 우수한 태양전지의 제조방법들이 다양하게 연구되고 있다.
도 1에는 알루미늄 페이스트(Al paste)를 이용하여 후면 전계를 형성하고 있는 태양전지의 제조 공정도가 도시되어 있다.
먼저, 도 1a에 도시된 절단 및 에칭(Saw damage etching) 공정과 텍스처링(Texturing) 공정이 완료된 태양전지 기판(10)에 대해 에미터를 형성하는 도핑 공정을 수행하여, 도 1b와 같이 태양전지 기판상에 에미터층(12)을 형성한다. 그리고, 도 1c에서와 같이 상기 에미터층(12)상에 태양광 반사를 막아 효율을 높이도록 해주는 반사방지막(14)을 형성한다.
그런 다음, 상기 태양전지 기판(10)의 후면에 알루미늄 페이스트를 이용하여 후면전극(16)을 인쇄 건조하고(도 1d), 또 상기 태양전지 기판(10)의 전면에 전면전극(18)을 인쇄 건조한다(도 1e). 이때 후면전극(16)과 전면전극(18)의 인쇄 건조 방법은 순서를 바꿔서 수행할 수도 있다.
그와 같은 태양전지 기판(10)을 700 ~ 900℃ 온도에서 수분 내지 수십 분 동안 고온 열처리 공정(co-firing)을 수행한다. 상기 고온 열처리 공정은 상기 태양전지 기판(10)의 후면에 후면전계를 형성함과 동시에 상기 전면전극(18)이 에미터층(14)과 접합을 잘할 수 있게 하기 위함이다. 상기 고온 열처리가 수행되면, 상기 태양전지 기판(10)과 상기 후면전극(16) 사이에는 상기 알루미늄 원자의 확산에 의한 불순물 층으로서 후면전계(20)가 형성된다. 상기 후면전계(20)가 형성된 상태가 도 1f에 도시되어 있다.
이와 같은 순서에 의해 태양전지 기판(10)에 후면전계(20)가 형성되면, 상기 후면전계(20)에 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키게 된다.
하지만, 상기한 방법에 의해 제조되는 태양전지는 다음과 같은 문제점이 있다.
먼저, 태양전지의 후면전계(20) 형성시 상대적으로 고가인 알루미늄 페이스트를 사용하기 때문에 태양전지의 생산가격이 올라가게 되어 가격 경쟁력이 약화된다.
또 태양전지의 비용 절감을 위해 태양전지 기판(10)을 얇게 하는 것이 제안되고 있는데, 이 경우 태양전지 기판(10)이 박막이면 태양전지 기판(10)과 후면전 계(20)를 위해 사용되는 알루미늄(Al)의 열팽창 계수의 차이로 인하여 소성공정 후 태양전지 기판(10)이 휘거나 굽어지는 보윙(bowing)현상이 발생하는 문제점이 있다. 이에 의해 후공정인 모듈화공정에서 태양전지가 손상될 위험성이 증가하게 된다.
또 태양전지 기판(10)의 후면에 전체적으로 금속층, 즉 후면전극(16)이 형성되기 때문에 후면 재결합 확률의 증가로 태양전지의 효율이 저하되는 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 부분적으로 붕소(Boron)에 의한 후면전계를 형성하여 후면 구조를 만드는데 있어 상대적으로 가격이 저가이고 태양전지 기판의 박형화 시에도 효율이 향상되도록 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 태양전지 기판 후면의 재결합 속도를 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시키는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 태양전지 기판; 상기 태양전지 기판의 전면에 형성된 에미터 층; 상기 에미터층과 접촉되는 전면전극; 상기 태양전지 기판의 후면에 도포된 패시베이션층; 상기 패시베이션층에 부분적으로 에칭 페이스트가 도포된 상태에서 소정 열처리 공정이 수행되면 상기 에칭 페이스트가 상기 패시베이션층을 선택적으로 에칭하고 상기 에칭된 부분을 통해 상기 에칭 페이스트에 함유된 원소가 상기 태양전지 기판으로 흡수되어 선택적으로 형성되는 후면전계; 그리고, 상기 패시베이션층 및 후면전계상에 형성된 후면전극;을 포함하여 구성된다.
상기 에칭 페이스트는 상기 태양전지 기판에서 억셉터(acceptor)를 포함하고 있는 페이스트임이거나, 상기 태양전지 기판에서 알루미늄 페이스트보다 용해도가 좋은 페이스트이다.
상기 에칭 페이스트에 함유된 원소는 비금속물질인 붕소(Boron) 원소이다.
상기 패시베이션층은 상기 에칭 페이스트에 의해 에칭이 잘되는 유전체층으로 구성된다. 상기 패비베이션층은 SiNx, SiO2, Al2O3, a-Si, a-SiC, TiO2, ZrO2, Ta2O5, SiOxNy, AlOxNy 들 중 하나가 될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 텍스처링(Texturing) 공정이 완료된 태양전지 기판에 에미터층을 형성하는 단계; 상기 에미터층상에 반사방지막을 형성하는 단계; 상기 태양전지 기판의 후면에 패시베이션층을 형성하는 단계; 상기 형성된 패시베이션층에 에칭 페이스트를 부분적으로 도포하는 단계; 상기 에칭 페이스트까지 도포된 태양전지 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 단계; 상기 열처리 공정에 의해 상기 에칭 페이스트가 도포된 부분의 패시베이션층이 에칭되면서 상기 에칭 페이스트에 함유된 원소가 태양전지 기판으로 흡수되어 상기 태양전지 기판에 부분적으로 후면전계를 형성하는 단계; 그리고, 상기 후면전계가 형성된 태양전지 기판에 대해 후면전극과 전면전극을 형성하고 열처리 공정을 수행하여 전극을 소성하고 마지막으로 에지 아이솔레이션 공정을 수행하는 단계;를 포함하여 구성된다.
상기 에칭 페이스트는 상기 태양전지 기판의 후면에서 상기 후면전계가 형성되어지는 부분에 해당하는 패시베이션층의 일부에만 도포한다.
상기 에칭 페이스트는 붕소 원소가 함유된 페이스트를 사용하여 상기 패시베이션층을 선택적으로 에칭하고, 상기 에칭된 부분을 통해 상기 에칭 페이스트에 함유된 붕소 원자가 상기 태양전지 기판에 흡수된다.
본 발명에서는, 태양전지 기판 제조공정시 일반적인 반사방지막 형성 공정 후 태양전지 기판의 후면에 유전체로 이루어진 패시베이션층을 형성하고, 그 패시베이션층 위에 붕소원소가 함유된 에칭 페이스트를 선택적으로 도포하고 있다. 그래서 열처리 공정이 수행되면, 상기 에칭 페이스트는 상기 패시베이션층을 선택적으로 에칭하며, 상기 붕소원소는 상기 태양전지 기판으로 흡수된다. 이에 태양전지 기판의 후면에는 부분적인 후면전계가 형성된다. 이에 따라 후면전극이 태양전지 기판의 전면에 형성되지 않기 때문에 고온 열처리 공정으로 인한 태양전지 기판의 휨 현상을 방지할 수 있어 수율 향상을 기대할 수 있고 이는 원가절감으로 인해 생산효율을 증대할 수 있는 효과가 있다.
또 후면전극이 부분적으로 형성되고 있어 태양전지 기판 후면에서의 재결합 속도를 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킨다.
이하 본 발명에 의한 태양전지 및 그 제조방법을 첨부된 도면에 도시된 바람직한 실시 예를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2에는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 태양전지를 제조하는 흐름도가 도시되어 있다.
먼저, 태양전지용 웨이퍼를 필요한 크기로 자른 뒤 절단시 발생한 표면 자국을 없애는 절단 및 에칭(Saw damage etching) 공정을 수행한다(s100). 상기 에칭 공정을 마친 웨이퍼에 대해 스크래칭 작업인 텍스처링(Texturing) 공정을 수행한다(s102). 그런 다음 상기 웨이퍼에 전도성을 띠게 하기 위해 웨이퍼와 다른 타입의 불순물을 확산시켜 에미터층을 형성하는 도핑 공정을 수행한다(s104). 상기 도핑 공정이 완료되면 상기 에미터 형성시 발생한 포스포실리케이트글래스(PSG)을 제거하는 에칭 공정을 수행하고(s106), 태양광 반사를 막아 효율을 높이도록 해주는 반사방지막을 형성시키는 공정을 수행한다(s108).
상기 반사방지막이 형성되면, 이후 상기 태양전지 기판의 후면에 일정 두께의 패시베이션층을 형성한다(s110). 상기 패시베이션층은 아래에서 설명될 에칭 페이스트에 의해 에칭이 잘되는 유전체층으로 구성되는 것이 바람직하다. 종류로는 SiNx, SiO2, Al2O3, a-Si, a-SiC, TiO2, ZrO2, Ta2O5, SiOxNy, AlOxNy 등이 있다. 상기 패시베이션층을 형성하는 이유는 금속-반도체 접합으로 인하여 후면 재결합 속도를 감소시켜 재결합률을 낮추기 위함이다.
상기 패시베이션층이 형성된 다음에는 후면전계를 형성할 부분에 비금속 (Non-Metal) 물질인 붕소원소가 함유된 페이스트(이하, '에칭 페이스트'라 함)를 부분적으로 도포한다(s112). 여기서, 상기 붕소원소가 함유된 에칭 페이스트 대신에 Al, Ga 등의 억셉터(acceptor) 역할을 하는 원소가 함유된 다른 페이스트를 사용할 수 있으며, 상기 Al보다 용해도(solubility)가 좋은 억셉터를 사용할 경우 보다 바람직하게 후면전계를 형성할 수 있다. 이는 상기 붕소원소가 알루미늄보다 태양전지 기판에서 용해도가 좋아 상기 태양전지 기판 표면에 고농도로 도핑을 시행할 수 있기 때문이다.
상기 에칭 페이스트가 도포된 상태에서 고온 열처리과정을 수행한다(s114). 그러면 상기 패시베이션층이 선택적으로 식각되면서 상기 에칭 페이스트에 함유된 붕소원소가 상기 태양전지 기판으로 흡수되고, 상기 태양전지 기판상에 후면전계가 부분적으로 형성된다.
이후, 후면전극 및 전면전극을 도포 건조하고(s116), 고온 열처리과정을 수행한다(s118).
그리고, 상기 반도체 기판의 전면전극과 후면전극을 아이솔레이션시키기 위한 에지 아이솔레이션 공정을 수행한다(s120).
상기와 같은 공정을 도 3의 공정도를 참조하여 다시 설명한다.
도 3a에 도시된 절단 및 에칭(Saw damage etching) 공정과 텍스처링(Texturing) 공정이 완료된 태양전지 기판(100)에 대해 에미터를 형성하는 도핑 공정을 수행하고, 도 3b와 같이 태양전지 기판(100)상에 에미터층(102)을 형성한다. 그리고, 상기 에미터층(102)상에 태양광 반사를 막아 효율을 높이도록 해주는 반사방지막(104)을 형성한다. 그러면 도 3c와 같은 상태가 된다.
그런 상태에서 태양전지 기판(100)의 후면에 패시베이션층(106)을 형성한다. 상기 패시베이션층(106)이 형성된 상태는 도 3d에 도시되어 있다. 상기 패시베이션층(106)은 앞서 설명한 바와 같이 에칭 페이스트에 의해 에칭이 잘되는 물질로 구성된다.
상기 형성된 패시베이션층(106)위에 도 3e와 같이 후면전극을 형성할 부분에 에칭 페이스트(108)를 부분적으로 도포한다. 상기 에칭 페이스트(108)는 종래 후면 전극을 위해 사용되었던 알루미늄보다 용해도가 좋은 붕소원소가 함유된 에칭 페이스트가 사용된다.
상기 에칭 페이스트(108)가 도포된 상태에서 고온 열처리 공정을 수행한다. 도면에서 상기 열처리 공정은 도 3e 다음에 수행된다. 그러면 상기 에칭 페이스트(108)가 도포된 부분의 패시베이션층(106)은 에칭되고, 상기 에칭 페이스트(108)에 함유된 붕소원소가 태양전지 기판(100)으로 흡수된다. 그래서, 도 3f에 도시된 바와 같이 상기 태양전지 기판(100)에는 후면전계(110)가 부분적으로 형성된다.
이후, 도 3g 및 도 3h에서와 같이 후면전극(112)과 전면전극(114)을 형성한다.
이와 같은 공정에 따라 제조된 태양전지는 태양전지 기판(100) 표면에 고농도로 도핑이 가능하고, 또 태양전지 기판(100)의 휨 현상을 방지할 수 있다. 또 태양전지 기판(100)의 후면 재결합 확률이 감소로 인해 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 권리범위는 위에서 설명된 실시 예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
도 1은 알루미늄 페이스트(Al paste)를 이용하여 후면전계를 형성하고 있는 태양전지의 제조 공정도
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 태양전지를 제조하는 흐름도
도 3은 도 2의 제조공정도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 태양전지 기판 102 : 에미터층
104 : 반사방지막 106 : 패시베이션층
108 : 에칭 페이스트 110 : 후면전계
112 : 후면전극 114 : 전면전극
Claims (9)
- 태양전지 기판;상기 태양전지 기판의 전면에 형성된 에미터층;상기 에미터층과 접촉되는 전면전극;상기 태양전지 기판의 후면에 도포된 패시베이션층;상기 패시베이션층에 부분적으로 에칭 페이스트가 도포된 상태에서 소정 열처리 공정이 수행되면 상기 에칭 페이스트가 상기 패시베이션층을 선택적으로 에칭하고 상기 에칭된 부분을 통해 상기 에칭 페이스트에 함유된 원소가 상기 태양전지 기판으로 흡수되어 선택적으로 형성되는 후면전계; 그리고,상기 패시베이션층 및 후면전계상에 형성된 후면전극;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 에칭 페이스트는 상기 태양전지 기판에서 억셉터(acceptor)를 포함하고 있는 페이스트임을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 에칭 페이스트는 상기 태양전지 기판에서 알루미늄 페이스트보다 용해도가 좋은 페이스트임을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 에칭 페이스트에 함유된 원소는 비금속물질인 붕소(Boron) 원소인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패시베이션층은 상기 에칭 페이스트에 의해 에칭이 잘되는 유전체층으로 구성됨을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 5항에 있어서,상기 패비베이션층은 SiNx, SiO2, Al2O3, a-Si, a-SiC, TiO2, ZrO2, Ta2O5, SiOxNy, AlOxNy 중 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 텍스처링(Texturing) 공정이 완료된 태양전지 기판에 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층상에 반사방지막을 형성하는 단계;상기 태양전지 기판의 후면에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 형성된 패시베이션층에 에칭 페이스트를 부분적으로 도포하는 단계;상기 에칭 페이스트까지 도포된 태양전지 기판에 대해 열처리 공정을 수행하 는 단계;상기 열처리 공정에 의해 상기 에칭 페이스트가 도포된 부분의 패시베이션층이 에칭되면서 상기 에칭 페이스트에 함유된 원소가 태양전지 기판으로 흡수되어 상기 태양전지 기판에 부분적으로 후면전계를 형성하는 단계; 그리고,상기 후면전계가 형성된 태양전지 기판에 대해 후면전극과 전면전극을 형성하고 열처리 공정에 의해 전극을 소성한 후 마지막으로 에지 아이솔레이션 공정을 수행하는 단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 에칭 페이스트는 상기 태양전지 기판의 후면에서 상기 후면전계가 형성되어지는 부분에 해당하는 패시베이션층의 일부에만 도포하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 에칭 페이스트는 붕소 원소가 함유된 페이스트를 사용하여 상기 패시베이션층을 선택적으로 에칭하고, 상기 에칭된 부분을 통해 상기 에칭 페이스트에 함유된 붕소 원자가 상기 태양전지 기판에 흡수되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
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| KR101580222B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2015-12-24 | 현대중공업 주식회사 | 양면 열산화막과 후면 패턴전극을 사용한 태양전지의 제조방법 및 그에 의한 태양전지 |
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