KR20100073571A - Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor - Google Patents

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KR20100073571A
KR20100073571A KR1020080132284A KR20080132284A KR20100073571A KR 20100073571 A KR20100073571 A KR 20100073571A KR 1020080132284 A KR1020080132284 A KR 1020080132284A KR 20080132284 A KR20080132284 A KR 20080132284A KR 20100073571 A KR20100073571 A KR 20100073571A
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Abstract

PURPOSE: A vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor is provided to reduce the variation of heat applied from a heater by locating a boat in one side of an inner tube and rotating it while forming a large circle in an inner tube and rotating it. CONSTITUTION: An outer supporting board(10) is connected to a gas inlet and a gas outlet. An inner tube(20) is combined inside the outside supporting board. An inner supporting board(30) is supported by the outer supporting board. A boat(40) is installed on the top of the inner supporting board. A process tube(50) is combined in the outer supporting board. A heater(60) is installed outside a process.

Description

반도체 제조용 수직형 확산로{Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor}Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor

본 발명은 반도체 제조용 수직형 확산로에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical diffusion furnace for semiconductor manufacturing.

반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서, 웨이퍼의 표면에 분자 기체를 반응시켜서 필요한 박막을 형성하는 공정을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 "CVD"라 한다) 공정이라 하며, CVD 공정에 사용되는 확산로는 튜브(tube)가 설치되는 형상에 따라 수직형 확산로(vertical type furnace)와 수평형 확산로(horizontal type furnace)로 나뉜다.In the process for manufacturing a semiconductor device, a process of forming a required thin film by reacting molecular gas on the surface of a wafer is called chemical vapor deposition (hereinafter referred to as "CVD") process, diffusion used in the CVD process Furnace is divided into a vertical type furnace (horizontal type furnace) and a horizontal type furnace (horizontal type furnace) according to the shape of the tube (tube) is installed.

상기 CVD 공정에 사용되는 확산로 중 수직형 확산로는 복수개의 웨이퍼가 종방향으로 장착되어 있는 보트, 보트가 내측으로 로딩 또는 언로딩되고 하단으로부터 반응 가스가 유입되는 이너 튜브, 이너 튜브의 외측으로 소정 간격 이격되어 설치되고 이너 튜브를 감싸는 벨(bell) 형상으로 형성되는 프로세스 튜브, 이너 튜브 및 프로세스 튜브의 하단을 지지하는 한편 이너 튜브 하측의 가스 유입부로 반응 가스를 공급하는 인젝터가 일측에 관통 결합되고 이너 튜브의 내측으로 공급된 반응 가스가 웨이퍼와 반응한 후 배출되도록 배출관이 타측에 형성된 매니폴드를 포함하여 이루어진다. 또한, 프로세스 튜브의 외측에는 히터가 설치되어 반응가스의 온도를 제어하도록 하고, 배출관에는 펌프가 설치되어 반응 가스를 배출하도록 되어 있다.Among the diffusion furnaces used in the CVD process, a vertical diffusion furnace includes a boat in which a plurality of wafers are mounted in a longitudinal direction, an inner tube into which a boat is loaded or unloaded inward and a reaction gas flows from the lower end to an outer side of the inner tube. A process tube, an inner tube, and an injector for supplying a reaction gas to a gas inlet below the inner tube while supporting the lower end of the inner tube and formed in a bell shape are installed at predetermined intervals and surround the inner tube. And a discharge pipe including the manifold formed at the other side so that the reaction gas supplied into the inner tube is discharged after reacting with the wafer. In addition, a heater is provided outside the process tube to control the temperature of the reaction gas, and a pump is installed in the discharge pipe to discharge the reaction gas.

한편, 이러한 종래의 반도체 제조용 수직형 확산로는 웨이퍼에 증착되는 필름 두께의 균일성을 위해 보트를 회전시키는 동작을 실시하고 있는데, 히터와의 거리에 따라 웨이퍼의 가장 자리와 중앙에 가해지는 열의 편차가 발생한다. 이에 따라, 웨이퍼의 가장 자리와 중앙에서 증착 필름 두께에 차이가 발생하는 문제가 있다.Meanwhile, the conventional vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor is rotating a boat for uniformity of the film thickness deposited on the wafer, and the variation of heat applied to the edge and center of the wafer according to the distance from the heater is performed. Occurs. Accordingly, there is a problem that a difference occurs in the thickness of the deposited film at the edge and the center of the wafer.

본 발명의 목적은 웨이퍼가 장착된 보트를 이너튜브의 일측에 위치시켜 자체 회전시키면서 이너 튜브 내부에서 큰 원을 만들며 회전시킴으로써, 웨이퍼의 에지부분과 센터부분에 대해서 히터에 의해 가해지는 열의 편차를 줄여 웨이퍼에 증착되는 필름을 균일하게 형성할 수 있는 반도체 제조용 수직형 확산로를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to position the boat on which the wafer is mounted on one side of the inner tube while rotating itself to create a large circle inside the inner tube, thereby reducing the variation in heat applied by the heater to the edge and center of the wafer. The present invention provides a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor capable of uniformly forming a film deposited on a wafer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로는 일측에 가스 도입구가 설치되며, 타측에 가스 배출구가 설치된 외부 받침대; 상측이 개구된 상태로 상기 외부 받침대의 내부에 결합되며, 일측에 상기 가스 도입구가 관통되도록 형성된 이너 튜브; 상기 외부 받침대에 의해 지지되며, 상기 이너 튜브의 내부에서 일측에 설치되는 내부 받침대; 상기 내부 받침대의 상부에 설치되며, 내부에 다수의 웨이퍼가 장착된 보트; 상기 보트와 내부 받침대를 덮으며, 상기 외부 받침대에 결합되는 프로세스 튜브; 상기 프로세스 외측에 설치되는 히터; 상기 내부 받침대의 하부에 설치되어, 상기 내부 받침대를 회전시키는 제 1 회전 구동부; 및 상기 보트의 하부에 설치되어, 상기 보트를 회전시키는 제 2 회전 구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다. Vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is provided with a gas inlet on one side, the outer pedestal is installed gas outlet on the other side; An inner tube coupled to the inside of the outer pedestal with an upper side opened and formed so that the gas inlet penetrates on one side; An inner pedestal supported by the outer pedestal and installed on one side of the inner tube; A boat installed above the inner pedestal and having a plurality of wafers mounted therein; A process tube covering the boat and the inner pedestal and coupled to the outer pedestal; A heater installed outside the process; A first rotation drive unit installed below the inner pedestal to rotate the inner pedestal; And a second rotational drive installed at a lower portion of the boat to rotate the boat.

상기 내부 받침대와 보트가 함께 상기 이너 튜브의 중심축을 기준으로 회전 할 수 있다.The inner pedestal and the boat may rotate about the central axis of the inner tube together.

상기 제 1 회전 구동부는 상기 내부 받침대의 하부에 설치되어 상기 내부 받침대를 지지하며, 상기 이너 튜브의 중심축을 기준으로 회전하는 제 1 턴-테이블; 상기 제 1 턴-테이블의 하부에 연결되며, 상기 이너 튜브의 중심축과 일치하는 제 1 수직 회전부; 상기 제 1 수직 회전부와 연동되게 회전하는 제 1 수평 회전부; 상기 제 1 수평 회전부와 연결되어, 상기 제 1 수평 회전부를 회전시키는 제 1 기어; 및 상기 제 1 기어를 동작시키는 제 1 모터를 포함할 수 있다.A first turn-table installed at a lower portion of the inner pedestal to support the inner pedestal, and rotating about a central axis of the inner tube; A first vertical rotation part connected to a lower portion of the first turn-table and coinciding with a central axis of the inner tube; A first horizontal rotating part rotating in association with the first vertical rotating part; A first gear connected to the first horizontal rotating part to rotate the first horizontal rotating part; And it may include a first motor for operating the first gear.

상기 보트는 상기 보트의 중심축을 기준으로 회전할 수 있다.The boat may rotate about the central axis of the boat.

상기 제 2 회전 구동부는 상기 보트의 하부와 상기 내부 받침대의 상부 사이에 설치되어 상기 보트를 지지하고, 상기 보트의 중심축을 기준으로 회전하는 제 2 턴-테이블; 상기 제 2 턴-테이블의 하부에 연결되며, 상기 보트의 중심축과 일치하는 제 2 수직 회전부; 상기 제 2 수직 회전부와 연동되게 회전하는 제 2 수평 회전부; 상기 제 2 수평 회전부와 연결되어, 상기 제 2 수평 회전부를 회전시키는 제 2 기어; 및 상기 제 2 기어를 동작시키는 제 2 모터를 포함할 수 있다.The second rotary drive unit is provided between the lower portion of the boat and the upper portion of the inner pedestal for supporting the boat, the second turn-table for rotating around the central axis of the boat; A second vertical rotating part connected to a lower portion of the second turn-table and coinciding with a central axis of the boat; A second horizontal rotating part rotating in association with the second vertical rotating part; A second gear connected to the second horizontal rotating part to rotate the second horizontal rotating part; And it may include a second motor for operating the second gear.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로는 웨이퍼가 장착된 보트를 이너튜브의 일측에 위치시켜 자체 회전시키면서 이너 튜브 내부에서 큰 원을 만들며 회전시킴으로써, 웨이퍼의 에지부분과 센터부분에 대해서 히터에 의해 가해지는 열의 편차를 줄여 웨이퍼에 증착되는 필름을 균일하게 형성할 수 있다.Vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention by positioning the boat on which the wafer is mounted on one side of the inner tube while rotating itself to create a large circle inside the inner tube, to the edge portion and the center portion of the wafer It is possible to uniformly form the film deposited on the wafer by reducing the deviation of the heat applied by the heater.

이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로의 단면도이고, 도 2는 이너 튜브의 내부에서 내부 받침대와 보트의 회전 동작을 보여주기 위한 개략적인 평면도이다. FIG. 1 is a cross-sectional view of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view illustrating a rotation operation of an inner pedestal and a boat in an inner tube.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로(100)는 외부 받침대(10), 이너 튜브(20), 내부 받침대(30), 보트(40), 프로세스 튜브(50), 히터(60), 제 1 회전 구동부(70) 및 제 2 회전 구동부(80)를 포함할 수 있다. 이러한 반도체 제조용 수직형 확산로(100)는 보트(40)에 장착되는 다수의 웨이퍼(W)에 대해 어닐링 공정, 확산 공정, 산화 공정 및 화학 기상 증착 공정 등의 반도체 제조 공정을 실시할 수 있다. 1 and 2, the vertical diffusion path 100 for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention may include an outer pedestal 10, an inner tube 20, an inner pedestal 30, a boat 40, It may include a process tube 50, a heater 60, a first rotational drive 70, and a second rotational drive 80. The vertical diffusion path 100 for manufacturing a semiconductor may perform a semiconductor manufacturing process, such as an annealing process, a diffusion process, an oxidation process, and a chemical vapor deposition process, on a plurality of wafers W mounted on the boat 40.

상기 외부 받침대(10)는 후술되는 내부 받침대(30)와 보트(40)를 지지하도록 형성된다. 또한, 상기 외부 받침대(10)는 일측에 공정 가스가 도입되도록 하는 가스 도입구(12)가 설치되고, 타측에 공정 가스가 배출되도록 하는 가스 배출구(14)가 설치되어 있다. 물론, 상기 가스 도입구(12)에는 가스 공급원(미도시)이 연결되고, 상기 배출구(14)에는 펌프(미도시)가 연결될 수 있다. The outer pedestal 10 is formed to support the inner pedestal 30 and the boat 40 to be described later. In addition, the outer pedestal 10 is provided with a gas inlet 12 for introducing a process gas on one side, and a gas outlet 14 for discharging the process gas on the other side. Of course, a gas supply source (not shown) may be connected to the gas inlet 12, and a pump (not shown) may be connected to the outlet 14.

상기 이너 튜브(20)는 상기 외부 받침대(10)의 내부에 결합한다. 상기 이너 튜브(20)는 상측이 개구되고 일측 하부에 상기 가스 도입구(12)가 관통되도록 형성된다. 또한, 이너 튜브(20)는 내측에 후술되는 내부 받침대(30)와 다수의 웨이퍼(W)가 장착되는 보트(40)가 장착되도록 형성된다. 이러한 이너 튜브(20)는 가스 도입구(12)를 통해 유입되는 공정 가스가 보트(40)에 장착된 다수의 웨이퍼(W)로 확산되는 공간을 제공한다.The inner tube 20 is coupled to the inside of the outer pedestal (10). The inner tube 20 is formed so that the upper side is opened and the gas inlet 12 penetrates through the lower side. In addition, the inner tube 20 is formed such that an inner pedestal 30 to be described later and a boat 40 on which a plurality of wafers W are mounted are mounted. The inner tube 20 provides a space in which the process gas flowing through the gas inlet 12 is diffused to the plurality of wafers W mounted on the boat 40.

상기 내부 받침대(30)는 상기 외부 받침대(10)에 의해 지지되며, 상기 이너 튜브(20)의 내부에서 일측에 설치된다. 이러한 내부 받침대(30)에는 도시되지 않은 각종 진공 라인 등이 설치될 수 있으나, 이러한 구조로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 상기 내부 받침대(30)는 당업계에서 통상 페디스탈(pedestal)이라 불린다.The inner pedestal 30 is supported by the outer pedestal 10 and is installed at one side in the inner tube 20. Various internal vacuum lines and the like may be installed in the internal pedestal 30, but the present invention is not limited thereto. The inner pedestal 30 is commonly referred to in the art as a pedestal.

상기 보트(40)는 상기 내부 받침대(30)의 상부에 설치되며, 상부 방향으로 일정 길이 연장된다. 이러한 보트(40)의 내부에는, 다수의 웨이퍼(W)가 장착되어 어닐링 공정, 확산 공정, 산화 공정 및 화학 기상 증착 공정 등의 반도체 제조 공정 등이 진행될 수 있도록 다수의 격벽이 형성될 수 있다. 물론 이러한 격벽마다 웨이퍼(W)가 장착될 수 있다.The boat 40 is installed above the inner pedestal 30 and extends a predetermined length in the upper direction. A plurality of partition walls may be formed in the boat 40 so that a plurality of wafers W may be mounted so that a semiconductor manufacturing process such as an annealing process, a diffusion process, an oxidation process, and a chemical vapor deposition process may be performed. Of course, the wafer W may be mounted on each of the partition walls.

상기 프로세스 튜브(50)는 상기 보트(40)와 내부 받침대(30)를 덮으며, 상기 외부 받침대(10)에 결합된다. 따라서, 반도체 제조 공정 중 공정 가스가 상기 프로세스 튜브(50)의 외측으로 누출되지 않게 된다.The process tube 50 covers the boat 40 and the inner pedestal 30 and is coupled to the outer pedestal 10. Therefore, the process gas does not leak to the outside of the process tube 50 during the semiconductor manufacturing process.

상기 히터(60)는 상기 프로세스 튜브(50)의 외측에 설치된다. 이러한 히터(60)는 히터 코일(미도시)을 구비하여 이루어질 수 있으며, 파워가 인가되면 프로세스 튜브(50) 내부의 온도를 상승시키며, 온도 상승을 통해 웨이퍼(W)에 대한 공정 가스의 반응을 촉진시킨다. The heater 60 is installed outside the process tube 50. The heater 60 may include a heater coil (not shown). When the power is applied, the heater 60 increases the temperature inside the process tube 50, and reacts the process gas to the wafer W through the temperature increase. Promote

상기 제 1 회전 구동부(70)는 상기 내부 받침대(30)의 하부에 설치되어, 상기 내부 받침대(30)를 상기 이너 튜브(20)의 중심축(Ci)을 기준으로 회전시킨다. 이러한 제 1 회전 구동부(70)는, 구체적으로 제 1 턴-테이블(71), 제 1 수직 회전부(72), 제 1 수평 회전부(73), 제 1 기어(74) 및 제 1 모터(75)를 포함할 수 있다. The first rotation driving unit 70 is installed below the inner pedestal 30 to rotate the inner pedestal 30 about the central axis Ci of the inner tube 20. Specifically, the first rotation drive unit 70 includes a first turn-table 71, a first vertical rotation unit 72, a first horizontal rotation unit 73, a first gear 74, and a first motor 75. It may include.

상기 제 1 턴-테이블(71)은 상기 내부 받침대(30)의 하부에 설치되어, 상기 내부 받침대(30)를 지지한다. 이러한 제 1 턴-테이블(71)은 후술되는 제 1 수직 회전부(72)의 동작에 의해 상기 이너 튜브(20)의 중심축(Ci)을 기준으로 회전한다. 이에 따라, 상기 제 1 턴-테이블(71)은 상기 이너 튜브(20)의 내부에서 일측에 위치하는 상기 내부 받침대(30)를 상기 이너 튜브(20)의 중심축(Ci)을 기준으로 회전시키게 된다. 그럼, 상기 내부 받침부(30)와, 상기 내부 받침부(30)의 상부에 위치하는 보트(40)가 함께 상기 이너 튜브(20)의 중심축(Ci)을 기준으로 큰 원을 만들며 상기 이너 튜브(20)의 내부에서 회전된다. 즉, 상기 내부 받침부(30)와 상기 내부 받침부(30)의 어느 한 측면이 상기 히터(60)로부터 멀어졌다 가까워지는 동작을 하게 된다. 따라서, 히터(60)의 열이 웨이퍼(W)의 에지부분과 센터 부분 모두에 균일하게 가해지게 되어, 반도체 제조 공정에 의해 생성되는 필름이 웨이퍼(W)의 에지 부분과 센터에 균일하게 증착될 수 있다.The first turn-table 71 is installed under the inner pedestal 30 to support the inner pedestal 30. The first turn-table 71 rotates about the central axis Ci of the inner tube 20 by the operation of the first vertical rotating unit 72 to be described later. Accordingly, the first turn-table 71 rotates the inner pedestal 30 positioned on one side of the inner tube 20 about the central axis Ci of the inner tube 20. do. Then, the inner support portion 30 and the boat 40 located on the upper portion of the inner support portion 30 together to form a large circle based on the central axis (Ci) of the inner tube 20, the inner It is rotated inside the tube 20. That is, any one side of the inner support part 30 and the inner support part 30 is moved away from and close to the heater 60. Thus, the heat of the heater 60 is applied uniformly to both the edge portion and the center portion of the wafer W, so that the film produced by the semiconductor manufacturing process is uniformly deposited on the edge portion and the center of the wafer W. Can be.

상기 제 1 수직 회전부(72)는 상기 제 1 턴-테이블(71)의 하부에 수직으로 연결되며, 상기 이너 튜브(20)의 중심축(Ci)과 일치하도록 설치된다. 이러한 제 1 수직 회전부(72)는 후술되는 제 1 수평 회전부(73)의 동작에 의해 회전한다.The first vertical rotating unit 72 is vertically connected to the lower portion of the first turn-table 71 and is installed to coincide with the central axis Ci of the inner tube 20. The first vertical rotating unit 72 rotates by the operation of the first horizontal rotating unit 73 to be described later.

상기 제 1 수평 회전부(73)는 후술되는 제 1 기어(74)의 동작에 의해 상기 제 1 수직 회전부(72)와 연동되게 회전한다.The first horizontal rotating unit 73 rotates in association with the first vertical rotating unit 72 by the operation of the first gear 74 to be described later.

상기 제 1 기어(74)는 상기 제 1 수평 회전부(73)와 연결되어 상기 제 1 수평 회전부(73)을 회전시킨다.The first gear 74 is connected to the first horizontal rotating part 73 to rotate the first horizontal rotating part 73.

상기 제 1 모터(75)는 상기 제 1 기어(74)를 동작시킬 수 있는 에너지를 공급한다. The first motor 75 supplies energy for operating the first gear 74.

상기 제 2 회전 구동부(80)는 상기 보트(40)의 하부에 설치되어, 상기 내부 받침대(30)의 상부에서 상기 보트(40)를 상기 보트(40)의 중심축(Cb)을 기준으로 자체 회전시킨다. 이러한 제 2 회전 구동부(80)는, 구체적으로 제 2 턴-테이블(81), 제 2 수직 회전부(82), 제 2 수평 회전부(83), 제 2 기어(84) 및 제 2 모터(85)를 포함할 수 있다. The second rotary drive unit 80 is installed at the lower portion of the boat 40, the boat 40 in the upper portion of the inner pedestal 30 itself based on the central axis (Cb) of the boat 40 Rotate Specifically, the second rotation drive unit 80 includes a second turn-table 81, a second vertical rotation unit 82, a second horizontal rotation unit 83, a second gear 84, and a second motor 85. It may include.

상기 제 2 턴-테이블(81)은 상기 보트(40)의 하부에서 상기 보트(40)를 지지한다. 이러한 제 2 턴-테이블(81)은 후술되는 제 2 수직 회전부(82)의 동작에 의해 상기 보트(40)의 중심축(Cb)을 기준으로 회전한다. 이에 따라, 상기 제 2 턴-테이블(81)은 상기 보트(40)를 상기 보트(40)의 중심축(Cb)을 기준으로 자체 회전시키게 된다. 따라서, 가스 도입구(12)를 통해 도입되는 공정 가스가 자체 회전하는 보트(40)에 장착된 웨이퍼(W) 전체에 균일하게 확산될 수 있다. 여기서, 상기 제 2 턴-테이블(81)의 회전은 상기 제 1 턴-테이블(71)의 회전과 동시에 이루어질 수 있으며, 이에 따라 반도체 제조 공정에 의해 생성되는 필름이 웨이퍼(W)의 에지 부분과 센터에 더욱 균일하게 증착될 수 있다.The second turn-table 81 supports the boat 40 at the bottom of the boat 40. The second turn-table 81 rotates about the central axis Cb of the boat 40 by the operation of the second vertical rotating unit 82 described later. Accordingly, the second turn-table 81 rotates the boat 40 itself about the central axis Cb of the boat 40. Therefore, the process gas introduced through the gas inlet 12 can be uniformly dispersed throughout the wafer W mounted on the boat 40 that rotates itself. Here, the rotation of the second turn-table 81 may be performed at the same time as the rotation of the first turn-table 71, so that the film produced by the semiconductor manufacturing process may have an edge portion of the wafer W. It can be deposited more evenly in the center.

상기 제 2 수직 회전부(82)는 상기 제 2 턴-테이블(81)의 하부에 수직으로 연결되며, 상기 보트(40)의 중심축(Cb)과 일치하도록 설치된다. 이러한 제 2 수직 회전부(82)는 후술되는 제 2 수평 회전부(83)의 동작에 의해 회전한다.The second vertical rotating part 82 is vertically connected to the lower portion of the second turn-table 81 and is installed to coincide with the central axis Cb of the boat 40. The second vertical rotating part 82 rotates by the operation of the second horizontal rotating part 83 described later.

상기 제 2 수평 회전부(83)는 후술되는 제 2 기어(84)의 동작에 의해 상기 제 2 수직 회전부(82)와 연동되게 회전한다.The second horizontal rotating part 83 rotates in association with the second vertical rotating part 82 by the operation of the second gear 84 to be described later.

상기 제 2 기어(84)는 상기 제 2 수평 회전부(83)와 연결되어 상기 제 2 수평 회전부(83)을 회전시킨다.The second gear 84 is connected to the second horizontal rotating part 83 to rotate the second horizontal rotating part 83.

상기 제 2 모터(85)는 상기 제 2 기어(84)를 동작시킬 수 있는 에너지를 공급한다. The second motor 85 supplies energy for operating the second gear 84.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로(100)는 웨이퍼(W)가 장착된 보트(40)를 이너튜브(20)의 일측에 위치시켜 자체 회전시키면서 이너 튜브(20) 내부에서 큰 원을 만들며 회전시킴으로써, 웨이퍼(W) 의 에지부분과 센터부분에 대해서 히터(60)에 의해 가해지는 열의 편차를 줄여 웨이퍼에 증착되는 필름을 균일하게 형성할 수 있다.As described above, the vertical diffusion path 100 for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention is a boat 40 on which the wafer W is mounted on one side of the inner tube 20 and rotates itself while the inner tube ( 20) By rotating a large circle in the interior, it is possible to uniformly form a film deposited on the wafer by reducing the deviation of the heat applied by the heater 60 with respect to the edge portion and the center portion of the wafer (W).

본 발명은 도시된 실시예를 중심으로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 할 수 있는 다양한 변형 및 균등한 타 실시예를 포괄할 수 있음을 이해할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiments, it is merely exemplary, and the present invention may encompass various modifications and equivalent other embodiments that can be made by those skilled in the art. Will understand.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention.

도 2는 이너 튜브의 내부에서 내부 받침대와 보트의 회전 동작을 보여주기 위한 개략적인 평면도이다. Figure 2 is a schematic plan view for showing the rotational movement of the inner pedestal and the boat inside the inner tube.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 외부 받침대 20: 이너 튜브10: outer pedestal 20: inner tube

30: 내부 받침대 40: 보트30: internal pedestal 40: boat

50: 프로세스 튜브 60: 히터50: process tube 60: heater

70: 제 1 회전 구동부 80: 제 2 회전 구동부70: first rotational drive 80: second rotational drive

100: 반도체 제조용 수직형 확산로100: vertical diffusion furnace for semiconductor manufacturing

Claims (5)

일측에 가스 도입구가 설치되며, 타측에 가스 배출구가 설치된 외부 받침대;An outer pedestal having a gas introduction port installed at one side and a gas discharge port installed at the other side; 상측이 개구된 상태로 상기 외부 받침대의 내부에 결합되며, 일측에 상기 가스 도입구가 관통되도록 형성된 이너 튜브;An inner tube coupled to the inside of the outer pedestal with an upper side opened and formed so that the gas inlet penetrates on one side; 상기 외부 받침대에 의해 지지되며, 상기 이너 튜브의 내부에서 일측에 설치되는 내부 받침대;An inner pedestal supported by the outer pedestal and installed on one side of the inner tube; 상기 내부 받침대의 상부에 설치되며, 내부에 다수의 웨이퍼가 장착된 보트;A boat installed above the inner pedestal and having a plurality of wafers mounted therein; 상기 보트와 내부 받침대를 덮으며, 상기 외부 받침대에 결합되는 프로세스 튜브; A process tube covering the boat and the inner pedestal and coupled to the outer pedestal; 상기 프로세스 외측에 설치되는 히터;A heater installed outside the process; 상기 내부 받침대의 하부에 설치되어, 상기 내부 받침대를 회전시키는 제 1 회전 구동부; 및A first rotation drive unit installed below the inner pedestal to rotate the inner pedestal; And 상기 보트의 하부에 설치되어, 상기 보트를 회전시키는 제 2 회전 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.And a second rotary driver installed at the lower portion of the boat to rotate the boat. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 내부 받침대와 보트가 함께 상기 이너 튜브의 중심축을 기준으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.And the inner pedestal and the boat rotate about the central axis of the inner tube together. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 회전 구동부는The first rotation drive unit 상기 내부 받침대의 하부에 설치되어 상기 내부 받침대를 지지하며, 상기 이너 튜브의 중심축을 기준으로 회전하는 제 1 턴-테이블; A first turn-table installed at a lower portion of the inner pedestal to support the inner pedestal and rotating about the central axis of the inner tube; 상기 제 1 턴-테이블의 하부에 연결되며, 상기 이너 튜브의 중심축과 일치하는 제 1 수직 회전부;A first vertical rotation part connected to a lower portion of the first turn-table and coinciding with a central axis of the inner tube; 상기 제 1 수직 회전부와 연동되게 회전하는 제 1 수평 회전부;A first horizontal rotating part rotating in association with the first vertical rotating part; 상기 제 1 수평 회전부와 연결되어, 상기 제 1 수평 회전부를 회전시키는 제 1 기어; 및A first gear connected to the first horizontal rotating part to rotate the first horizontal rotating part; And 상기 제 1 기어를 동작시키는 제 1 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.And a first motor for operating said first gear. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보트는 상기 보트의 중심축을 기준으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.The boat is a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor, characterized in that the rotation about the central axis of the boat. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 2 회전 구동부는The second rotation drive unit 상기 보트의 하부와 상기 내부 받침대의 상부 사이에 설치되어 상기 보트를 지지하고, 상기 보트의 중심축을 기준으로 회전하는 제 2 턴-테이블;A second turn-table installed between a lower portion of the boat and an upper portion of the inner pedestal to support the boat and rotate about the central axis of the boat; 상기 제 2 턴-테이블의 하부에 연결되며, 상기 보트의 중심축과 일치하는 제 2 수직 회전부;A second vertical rotating part connected to a lower portion of the second turn-table and coinciding with a central axis of the boat; 상기 제 2 수직 회전부와 연동되게 회전하는 제 2 수평 회전부;A second horizontal rotating part rotating in association with the second vertical rotating part; 상기 제 2 수평 회전부와 연결되어, 상기 제 2 수평 회전부를 회전시키는 제 2 기어; 및A second gear connected to the second horizontal rotating part to rotate the second horizontal rotating part; And 상기 제 2 기어를 동작시키는 제 2 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.And a second motor for operating said second gear.
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CN110265330A (en) * 2019-06-18 2019-09-20 德淮半导体有限公司 Inner tube adjusts device
CN110265329A (en) * 2019-06-18 2019-09-20 德淮半导体有限公司 Interior pipe fixing device

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