KR20100070888A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20100070888A
KR20100070888A KR1020080129624A KR20080129624A KR20100070888A KR 20100070888 A KR20100070888 A KR 20100070888A KR 1020080129624 A KR1020080129624 A KR 1020080129624A KR 20080129624 A KR20080129624 A KR 20080129624A KR 20100070888 A KR20100070888 A KR 20100070888A
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KR1020080129624A
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이상근
최민호
진훤
김진석
김진성
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판의 온도를 조절하는 온도조절판, 온도조절판을 상하로 수직하게 관통하는 핀(pin) 형상을 가지며 기판의 중앙 영역을 지지하는 중앙 지지체, 그리고 기판과 온도조절판과의 충돌을 방지하는 충돌방지기를 포함한다.
반도체, 기판 냉각, TSU, 노광, 포토,

Description

기판 처리 장치{substrate treating apparatus}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼를 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 사진 공정 설비는 포토 설비 및 스피너 설비를 포함할 수 있다. 상기 포토 설비는 반도체 기판(예컨대, 웨이퍼)에 사진 공정(photolithography process)을 수행한다. 상기 포토 설비는 포토마스크에 형성된 패턴을 상기 반도체 기판에 전사시키는 스텝퍼(stepper)를 구비할 수 있다. 상기 스피너 설비는 상기 사진 공정의 전후 공정(예컨대, 도포 공정, 현상 공정, 베이크 공정 등)을 수행한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 온도조절 및 기판의 정렬을 효과적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 뒤틀림(warpage)을 방지하여, 기판과 냉각판이 서로 충돌하는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있 다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판의 온도를 조절하는 온도조절판, 상기 온도조절판을 상하로 수직하게 관통하는 핀(pin) 형상을 가지며 상기 기판의 중앙 영역을 지지하는 중앙 지지체, 그리고 상기 기판과 상기 온도조절판과의 충돌을 방지하는 충돌방지기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 온도조절판은 상기 기판으로 냉각유체를 분사하는 분사구들을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 충돌방지기는 상기 기판의 주변 영역을 지지하도록 상기 중앙 지지체의 상부 둘레를 둘러싸는 플레이트 형상의 주변영역 지지체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 충돌방지기는 상기 중앙 지지체으로부터 수평하게 연장된 바(bar)를 포함하할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 충돌방지기는 상기 중앙 지지체로부터 수평하게 연장된 바(bar) 형상을 갖는 제1 바(first bar) 및 상기 제1 바의 끝단과 연결되어 상기 기판의 가장자리를 지지하는 제2 바(second bar)를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예의 변형예에 따르면, 상기 충돌 방지기는 상기 중앙 지지체로부터 수평하게 연장된 바(bar) 형상을 갖는 복수의 제1 바(first bar) 및 상기 복수의 제1 바의 끝단을 서로 연결하는 링(ring) 형상의 제2 바(second bar)를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 충돌방지기는 상기 온도조절판을 승하강시키는 승강기 및 상기 승강기를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 충돌방지기는 상기 중앙 지지체를 회전시키는 제1 구동기, 상기 온도조절판을 회전시키는 제2 구동기 및 상기 회전모터를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 중앙 지지체와 상기 온도조절판의 회전 속도가 동일하도록 상기 제1 및 제2 구동기들을 제어할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 온도조절판은 상기 온도조절판으로 냉각유체를 공급하는 냉각유체 공급라인을 포함하되, 상기 냉각유체 공급라인은 상기 온도조절판에 결합되는 공급위치 및 상기 온도조절판으로부터 분리되는 대기위치 간에 이동가능할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 방법은 온도조절판을 상하로 수직하게 관통하는 핀 형상을 가지며 상기 기판의 중앙 영역을 지지하는 중앙 지지체 상에 기판을 위치시키는 것, 상기 온도조절판으로 상기 기판의 온도를 조절하는 것 및 상기 기판과 상기 온도조절판을 이격시키는 것을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 온도조절판을 이격시키는 것은 상기 기판과 상기 온도조절판 사이에 상기 중앙 영역을 둘러싸는 상기 기판의 주변 영역을 지지하는 주변영역 지지체를 제공하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 온도조절판을 이격시 키는 것은 상기 기판의 회전 전에 상기 기판과 상기 온도조절판 간의 간격을 증가하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 온도조절판을 이격시키는 것은 상기 기판과 상기 온도조절판을 동일한 회전속도로 회전시켜 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 뒤틀림(warpage)을 방지하여, 기판과 온도조절판 간의 충돌에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 기판의 냉각 및 기판의 정렬을 효과적으로 처리할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 또한 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각각의 도면들에 있어서, 기판, 층 및 영역들의 두께는 본 발명의 기술적 특징을 명확히 나타내기 위해 과장된 것일 수 있다. "어느 대상물은 다른 대상물 상에 위치된다"라고 언급되는 경우에 상기 어느 대상물은 상기 다른 대상물의 표면에 접촉되어 배치되는 경우와 상기 다른 대상물과 이격되어 배치되는 경우를 모두 포함할 수 있다. 상기 어느 대상물이 상기 다른 대상물과 이격되어 배치되는 경우에 는 상기 어느 대상물과 상기 다른 대상물 사이에는 또 다른 대상물이 더 배치될 수 있다. 그리고, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 사진 공정 설비를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 사진 공정 설비(1)는 스피너 설비(spinner facility:40) 및 포토 설비(photo facility:50)을 포함할 수 있다. 상기 스피너 설비(40)는 인덱서부(10), 공정 처리부(20) 및 인터페이스부(30)를 포함할 수 있다. 상기 인덱서부(10)는 카세트(Cassette:12)와 상기 공정 처리부(20) 간에 기판(W)을 이송할 수 있다. 상기 카세트(12)는 상기 기판(W)을 수납하는 기판 저장 용기일 수 있다. 상기 기판(W)은 반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼일 수 있다. 상기 공정 처리부(20)는 복수의 공정 모듈들(process modules:22)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 공정 모듈들(22)은 도포 모듈(Coater Modulue), 현상 모듈(Develop module), 그리고 베이크 모듈(Bake Module) 등을 포함할 수 있다. 상기 베이크 모듈은 상기 기판(W)을 가열하는 베이크 공정을 포함할 수 있다. 상기 인터페이스부(30)는 상기 공정 처리부(20)와 상기 포토 설비(50) 간에 상기 기판(W)을 이송할 수 있다.
상기 포토 설비(50)는 사진 공정(photolithography process)을 수행할 수 있다. 상기 포토 설비(50)는 노광 장치(52) 및 기판 처리 장치(100)를 포함할 수 있다. 상기 노광 장치(52)는 상기 기판(W) 상에 소정의 패턴을 형성할 수 있다. 상기 노광 장치(52)는 광을 이용하여 마스크에 형성된 패턴을 상기 기판(W) 상에 전사시키는 스텝퍼(Stepper)를 포함할 수 있다.
도 2a는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 지지함과 동시에 상기 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 이에 더하여, 상기 기판 처리 장치(100)는 상기 기판(W)을 정렬시킬 수 있다. 상기 기판 처리 장치(100)는 소위 온도안정화유닛(Temperature Stabilization Unit:TSU)이라 일컫는 장치일 수 있다.
상기 기판 처리 장치(100)는 온도조절판(110), 중앙 지지체(120), 구동기(130), 감지기(140), 제어기(150) 및 충돌방지기(160)를 포함할 수 있다.
상기 온도조절판(110)은 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 가령, 상기 온도조절판(110)은 상기 기판(W)을 냉각 또는 가열할 수 있다. 일 예로서, 상기 온도조절판(110)은 냉각판(112) 및 냉각유체 공급라인(116)을 포함할 수 있다. 상기 냉각판(112)은 대체로 원판 형상을 가질 수 있다. 상기 냉각판(112)은 일측면에 형성된 홈(112a)을 가질 수 있다. 상기 홈(112a)은 상기 감지기(140)가 조사하는 광(L)의 이동 통로로 사용될 수 있다. 상기 냉각판(112)은 상기 기판(W)과 마주보는 상부면(113)을 가질 수 있다. 상기 상부면(113)에는 분사구들(114)이 형성될 수 있다. 상기 냉각유체 공급라인(116)은 상기 분사구들(114)로 냉각유체(117)를 공급할 수 있다. 상기 냉각유체는 냉각가스를 포함할 수 있다.
상기 중앙 지지체(120)는 상기 기판(W)의 중앙 영역(a)을 지지할 수 있다. 일 예로서, 상기 중앙 지지체(120)는 대체로 핀(pin) 형상을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 냉각판(112)의 중앙에 형성된 관통홀(113)에 삽입될 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 기판(W)의 중앙 영역(a)을 지지하는 지지면(122)을 가질 수 있다. 상기 지지면(122) 상에는 상기 기판(W)을 진공 흡착하기 위한 진공홀(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 구동기(130)에 의해 회전될 수 있다. 이에 따라, 상기 구동기(130)는 상기 중앙 지지체(120)에 놓여진 상기 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
상기 감지기(140)는 상기 기판(W)을 정렬(align)시키기 위한 것일 수 있다. 일 예로서, 상기 감지기(140)는 상기 기판(W)의 노치(notch:N)를 감지할 수 있다. 상기 감지기(140)는 발광센서(142) 및 수광센서(144)를 포함할 수 있다. 상기 발광센서(142)와 상기 수광센서(144)는 서로 상하로 대향되도록 배치될 수 있다. 상기 발광센서(142) 및 상기 수광센서(144), 그리고 상기 냉각판(112)의 상기 홈(112a)은 대체로 동일선상에 배치될 수 있다. 상기 발광센서(142)는 상기 수광센서(144)로 광(L)을 조사할 수 있다. 이때, 상기 기판(W)이 기설정된 위치에 정렬되었을 때, 상기 광(L)은 상기 노치(N) 및 상기 홈(112a)을 통과하여 상기 수광센서(144)에 수신될 수 있다. 이와 반대로, 상기 기판(W)이 기설정된 위치에 정렬되지 않은 경우, 상기 광(L)은 상기 기판(W)에 의해 차단되어 상기 수광센서(144)에 도달되지 않을 수 있다.
상기 제어기(150)는 상기 기판(W)의 정렬 상태를 제어할 수 있다. 예컨대, 상기 제어기(150)는 상기 감지기(140)로부터 전송받은 데이터를 판단하여, 상기 구 동기(130)를 제어할 수 있다. 상기 제어기(150)의 동작에 대해서는 후술한다.
상기 충돌방지기(160)는 상기 기판(W)의 상기 중앙 영역(a)을 둘러싸는 주변 영역(b)을 지지할 수 있다. 일 예로서, 상기 충돌방지기(160)는 상기 기판(W)의 주변 영역(b)을 지지하는 주변영역 지지체일 수 있다. 예컨대, 상기 충돌방지기(160)는 상기 중앙 지지체(120)의 상부 둘레에 배치된 플레이트 형상을 가질 수 있다. 상기 충돌방지기(160)는 상기 중앙 지지체(120)에 기계적으로 결합될 수 있다. 또는, 상기 충돌방지기(160)는 상기 중앙 지지체(120)와 일체로 제공될 수 있다. 상기 충돌방지기(160)는 비전도성 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 상기 충돌방지기(160)는 불소수지 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 충돌방지기(160)는 상기 기판(W)의 상기 중앙 영역(a) 이외의 주변 영역(b)과 접촉할 수 있다. 한편, 상기 충돌방지기(160)의 크기는 상기 분사구들(114)이 모두 노출되도록 조절될 수 있다. 이에 더하여, 상기 충돌방지기(160)의 크기는 상기 기판(W)의 뒤틀림(warpage)을 방지하도록 조절될 수 있다. 예컨대, 상기 충돌방지기(160)의 직경이 커질수록 상기 충돌방지기(160)에 의해 상기 분사구들(114)이 가려지게 되므로, 상기 냉각판(112)에 의한 기판 냉각 효율이 감소할 수 있다. 이와 반대로, 상기 충돌방지기(160)의 직경이 작아질수록, 상기 충돌방지기(160)가 상기 기판(W)에 접촉하는 면적이 감소하여, 상기 충돌방지기(160)의 기판 지지 효율이 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 충돌방지기(160)는 상기 기판(W)의 뒤틀림을 방지함과 동시에 상기 냉각판(112)의 기판 냉각 효율이 감소하는 것을 방지하도록 그 크기가 조절될 수 있다.
계속해서, 상기 기판 처리 장치(100)의 기판 처리 과정의 일 예를 상세히 설명한다. 도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 사진 공정 설비(1)의 인덱서부(10)는 카세트(12)로부터 공정 처리부(20)로 상기 기판(W)을 이송할 수 있다. 공정 모듈들(22) 중 도포 모듈은 상기 기판(W) 상에 감광액(Photoresist)를 도포하고, 베이크 모듈은 상기 기판(W) 상에 베이크 공정을 수행할 수 있다. 상기 베이크 공정에 의해 상기 기판(W)은 고온으로 가열될 수 있다. 상기 인터페이스부(30)는 상기 공정처리부(20)로부터 상기 포토 설비(40)의 기판 처리 장치(100)로 상기 기판(W)을 이송할 수 있다. 상기 기판(W)은 중앙 지지체(120) 상에 위치될 수 있다. 이때, 상기 기판(W)의 중앙 영역(a)은 상기 중앙 지지체(120)의 지지면(122) 상에 놓여질 수 있으며, 진공홀(미도시)은 상기 기판(W)을 흡착시켜 상기 기판(W)을 상기 지지면(122) 상에 고정시킬 수 있다.
온도조절판(110)은 상기 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 일 예로서, 상기 기판(W)은 고온으로 가열된 상태이므로, 상기 냉각판(112)은 상기 기판(W)을 기설정된 온도로 냉각시킬 수 있다. 예컨대, 분사구들(114)은 냉각유체 공급라인(116)로부터 공급받은 냉각유체(117)를 상기 기판(W)으로 분사할 수 있다. 상기 냉각판(112)의 기판 냉각 효율을 증가시키기 위해, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)은 서로 최대한 인접하게 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112) 사이의 간격은 대체로 100㎛ 이내로 조절될 수 있다.
상기 제어기(150)는 구동기(130)를 구동시켜, 상기 중앙 지지체(120)를 회전시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)은 회전될 수 있다. 상기 기판(W)의 회전 시, 상기 제어기(150)는 상기 수광센서(144)의 광(L) 수신 여부를 판단할 수 있다. 만약, 상기 수광센서(144)가 상기 광(L)을 수신받으면, 상기 제어기(150)는 상기 기판(W)이 기설정된 위치에 정렬된 것으로 판단할 수 있다. 이 경우, 상기 제어기(150)는 상기 중앙 지지체(120)의 회전이 중단되도록 상기 구동기(130)를 제어함으로써, 상기 기판(W)을 상기 기설정된 위치에 정렬시킬 수 있다.
한편, 상기 기판(W)의 정렬시, 충돌방지기(160)는 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110) 간의 충돌을 방지할 수 있다. 예컨대, 상기 중앙 지지체(120)의 회전시, 상기 중앙 지지체(120)에 의해 지지되지 않는 상기 기판(W)의 주변 영역(b)에는 뒤틀림(warpage)이 발생될 수 있다. 앞서 살펴본 바와 같이, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)은 매우 인접하게 배치되므로, 상기 기판(W)의 회전시 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110)이 서로 충돌될 수 있다. 이 경우, 상기 기판(W)이 손상되거나, 상기 기판(W)의 스크래치로 인해 발생된 파티클에 의해 상기 기판(W)이 오염될 수 있다. 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110)의 충돌을 방지하기 위해, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)의 간격을 증가시킬 수 있다. 그러나, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)의 간격을 증가시킬수록, 상기 냉각판(112)의 기판 냉각 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 충돌방지기(160)는 상기 기판(W)의 주변 영역(b)을 지지함으로써, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112) 간의 간격을 100㎛ 이내로 유지한 상태에서도, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)의 충돌을 방지할 수 있다.
상기 기판(W) 상에 사진 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 도 1을 참조하면, 상기 기판(W)은 상기 기판 처리 장치(100)로부터 노광 장치(52)로 이송될 수 있다. 상기 노광 장치(52)는 포토마스크(미도시)에 형성된 패턴을 상기 기판(W) 상에 전사시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W) 상에는 소정의 패턴이 형성될 수 있다. 상기 사진 공정이 완료된 상기 기판(W)은 포토 설비(50)로부터 상기 스피너 설비(40)로 이송될 수 있다. 상기 기판(W)은 공정처리부(20)의 공정 모듈들(22)로 반송될 수 있다. 상기 공정 모듈들(22) 중 베이크 모듈은 상기 기판(W) 상에 베이크 공정을 수행하고, 현상 모듈은 상기 기판(W) 상에 현상 공정을 수행할 수 있다. 그리고, 상기 기판(W)은 인덱서부(10)에 의해 카세트(12)에 수납된 후 상기 스피너 설비(40)로부터 반출될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 상기 기판(W)의 회전시 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110)이 서로 충돌하는 것을 방지하는 충돌방지기(160)를 구비할 수 있다. 이때, 상기 기판(W)의 회전시, 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110)의 간격은 100㎛ 이내를 유지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110)이 서로 충돌되는 것을 방지함과 동시에 상기 기판(W)을 효과적으로 냉각시킬 수 있다.
이하, 앞서 설명한 기판 처리 장치(100)의 변형예들을 상세히 설명한다. 여기서, 앞서 설명한 기판 처리 장치(100)와 중복되는 내용은 생략되거나 간소화될 수 있다.
도 3a는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 일 변형예를 보여주는 평면도이고, 도 3b는 도 3a에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 변형예에 따른 기판 처리 장치(102)는 온도조절판(110), 중앙 지지체(120), 구동기(130), 감지기(140), 제어기(150) 및 충돌방지기(162)를 포함할 수 있다.
상기 온도조절판(110)은 냉각판(112) 및 냉각유체 공급라인(116)을 포함할 수 있다. 상기 냉각판(112)은 광(L)의 이동경로로 사용되는 홈(112a)을 가질 수 있다. 상기 냉각판(112)의 상부면(113)에는 냉각유체 공급라인(116)과 연결된 분사구들(114)이 형성될 수 있다.
상기 중앙 지지체(120)는 대체로 핀(pin) 형상을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 냉각판(112)의 중앙에 형성된 관통홀(113)에 삽입될 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 기판(W)의 중앙 영역(a)을 지지하는 지지면(122)을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 구동기(130)에 의해 회전될 수 있다.
상기 감지기(140)는 발광센서(142) 및 수광센서(144)를 포함할 수 있다. 상기 발광센서(142)는 상기 수광센서(144)로 광(L)을 조사할 수 있다. 상기 기판(W)이 기설정된 위치에 놓여졌을 때, 상기 광(L)은 상기 노치(N) 및 상기 홈(112a)을 차례로 통과한 후 상기 수광센서(144)에 수신될 수 있다. 이에 따라, 상기 감지기(140)는 상기 기판(W)의 노치(notch:N)를 감지할 수 있다.
상기 제어기(150)는 상기 감지기(140)로부터 전송받은 데이터를 판단하여, 상기 구동기(130)를 제어할 수 있다. 상기 제어기(150)의 동작 과정은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 바와 대체로 동일할 수 있다.
상기 충돌방지기(162)는 상기 기판(W)의 주변 영역(b)을 지지하여 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110) 간의 충돌을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 충돌방지기(162)는 상기 주변 영역(b)을 지지하는 주변영역 지지체일 수 있다. 일 예로서, 상기 충돌방지기(162)는 복수의 바(bars:162a, 162b, 162c)를 갖는 주변 지지체일 수 있다. 상기 복수의 바(162a, 162b, 162c) 각각은 상기 중앙 지지체(120)의 상부로부터 상기 중앙 지지체(120)의 길이방향과 대체로 수직한 방향(이하, 수평방향)을 따라 연장된 형상을 가질 수 있다. 이때, 상기 복수의 바(162a, 162b, 162c)는 상기 기판(W)의 가장자리까지 연장될 수 있다. 상기 복수의 바(162a, 162b, 162c)는 상기 중앙 지지체(120)를 중심축으로 삼아 서로 균등한 각도로 배치될 수 있다. 또한, 상기 복수의 바(162a, 162b, 162c)의 폭(D)은 1mm 내지 10mm를 만족하도록 조절될 수 있다.
상기와 같은 충돌방지기(162)는 상기 기판(W)의 주변 영역(b)을 지지하여, 상기 기판(W)의 뒤틀림을 방지할 수 있다. 또한, 상기 복수의 바(162a, 162b, 162c)는 상기 복수의 바(162a, 162b, 162c) 사이의 공간을 통해 상기 냉각판(112)의 분사구들(114)을 노출시킬 수 있다. 따라서, 상기 기판 처리 장치(102)는 상기 충돌방지기(162)에 의해 상기 분사구들(114)로부터 분사되는 냉각가스의 흐름이 방해받는 것을 감소시킬 수 있다. 상기와 같은 구조의 충돌방지기(162)는 상기 기판(W)의 가장자리까지 상기 기판(W)을 지지하므로, 상기 기판(W)을 안정적으로 지지할 수 있다.
도 4a는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 또 다른 예를 보여주는 평면도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다. 그리고, 도 4c는 도 4a에 도시된 주변 지지체의 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 예에 따른 기판 처리 장치(104)는 온도조절판(110), 중앙 지지체(120), 구동기(130), 감지기(140), 제어기(150) 및 충돌방지기(164)를 포함할 수 있다.
상기 온도조절판(110)은 냉각판(112) 및 냉각유체 공급라인(116)을 포함할 수 있다. 상기 냉각판(112)은 광(L)의 이동경로로 사용되는 홈(112a)을 가질 수 있다. 상기 냉각판(112)의 상부면(113)에는 냉각유체 공급라인(116)과 연결된 분사구들(114)이 형성될 수 있다.
상기 중앙 지지체(120)는 대체로 핀(pin) 형상을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 냉각판(112)의 중앙에 형성된 관통홀(113)에 삽입될 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 기판(W)의 중앙 영역(a)을 지지하는 지지면(122)을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 구동기(130)에 의해 회전될 수 있다.
상기 감지기(140)는 발광센서(142) 및 수광센서(144)를 포함할 수 있다. 상기 발광센서(142)는 상기 수광센서(144)로 광(L)을 조사할 수 있다. 상기 기판(W)이 기설정된 위치에 놓여졌을 때, 상기 광(L)은 상기 노치(N) 및 상기 홈(112a)을 차례로 통과한 후 상기 수광센서(144)에 수신될 수 있다. 이에 따라, 상기 감지기(140)는 상기 기판(W)의 노치(notch:N)를 감지할 수 있다.
상기 제어기(150)는 상기 감지기(140)로부터 전송받은 데이터를 판단하여, 상기 구동기(130)를 제어할 수 있다. 상기 제어기(150)의 동작 과정은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 바와 대체로 동일할 수 있다.
상기 충돌방지기(164)는 상기 기판(W)의 주변 영역(b)을 지지하여 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110) 간의 충돌을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 충돌방지기(164)는 상기 주변 영역(b)을 지지하는 주변영역 지지체일 수 있다. 일 예로서, 상기 충돌방지기(164)는 제1 바(first bar:164a) 및 제2 바(second bar:164b)를 갖는 주변 지지체일 수 있다. 상기 제1 바(164a)는 대체로 앞서 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 바(162)와 유사한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 제1 바(164a)는 상기 중앙 지지체(120)의 상부로부터 수평방향을 따라 연장된 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 바(164b)는 상기 제1 바(164a)의 끝단에 연결되고, 상기 제1바(164a)의 길이방향과 대체로 수직된 방향으로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제2 바(164b)는 상기 중앙 지지체(120)를 향해 오목하도록 라운드된 형상을 가질 수 있다. 상기 충돌방지기(164)는 상기 중앙 지지체(120)를 중심축로 삼아 서로 균등한 각도로 배치될 수 있다.
한편, 상기 충돌방지기(164)의 형상은 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 도 4c를 참조하면, 기판 처리 장치(104a)는 중앙 지지체(120), 감지기(140), 그리고 제1 바(164a) 및 제2 바(164c)를 갖는 주변 지지체인 충돌방지기(165)를 포함할 수 있다. 상기 제1 바(164a)는 앞서 도 4b를 참조하여 설명한 제1 바(164a)와 동일한 구성을 가질 수 있다. 상기 제2 바(164c)는 상기 제1 바(164a)의 끝단을 연결시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 바(164c)는 기판(W)의 가장자리를 따라 연장 된 링(ring) 형상을 가질 수 있다. 이러한 상기 제2 바(164c)는 상기 기판(W)의 가장자리를 지지할 수 있다. 상술한 기판 처리 장치(104a)는 상기 제2바(164c)가 상기 기판(W)의 가장자리를 지지함으로써, 상기 기판(W)을 안정적으로 지지할 수 있다.
도 5a는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 또 다른 예를 보여주는 평면도이고, 도 5b는 도 5a에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 예에 따른 기판 처리 장치(106)는 온도조절판(110), 중앙 지지체(120), 구동기(130), 감지기(140), 그리고 충돌방지기(166)를 포함할 수 있다.
상기 온도조절판(110)은 냉각판(112) 및 냉각유체 공급라인(116)을 포함할 수 있다. 상기 냉각판(112)은 광(L)의 이동경로로 사용되는 홈(112a)을 가질 수 있다. 상기 냉각판(112)의 상부면(113)에는 냉각유체 공급라인(116)과 연결된 분사구들(114)이 형성될 수 있다.
상기 중앙 지지체(120)는 대체로 핀(pin) 형상을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 냉각판(112)의 중앙에 형성된 관통홀(113)에 삽입될 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 기판(W)의 중앙 영역(a)을 지지하는 지지면(122)을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 구동기(130)에 의해 회전될 수 있다.
상기 감지기(140)는 발광센서(142) 및 수광센서(144)를 포함할 수 있다. 상기 발광센서(142)는 상기 수광센서(144)로 광(L)을 조사할 수 있다. 상기 기판(W) 이 기설정된 위치에 놓여졌을 때, 상기 광(L)은 상기 노치(N) 및 상기 홈(112a)을 차례로 통과한 후 상기 수광센서(144)에 수신될 수 있다. 이에 따라, 상기 감지기(140)는 상기 기판(W)의 노치(notch:N)를 감지할 수 있다.
상기 충돌방지기(166)는 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110) 간의 충돌을 방지할 수 있다. 일 예로서, 상기 충돌방지기(166)는 제어기(150) 및 승강기(170)를 포함할 수 있다. 상기 제어기(150)는 상기 감지기(140)로부터 전송받은 데이터를 판단하여, 상기 구동기(130)를 제어할 수 있다. 상기 제어기(150)의 동작 과정은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 바와 대체로 동일할 수 있다.
상기 승강기(170)는 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110) 간의 간격을 조절할 수 있다. 일 예로서, 상기 승강기(170)는 상기 온도조절판(110)을 상하로 업다운시킬 수 있다. 상기 승강기(170)는 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)이 서로 충돌되는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 기판(W)의 정렬시, 상기 제어기(150)는 상기 중앙 지지체(120)를 회전시킴으로써, 상기 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)를 회전시키기 전, 상기 제어기(150)는 상기 냉각판(112)을 아래로 하강시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112) 간의 간격이 증가되어, 상기 기판(W)의 회전시 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)이 서로 충돌하는 것을 방지할 수 있다. 그 후, 상기 수광센서(142)가 노치(N)를 통과하여 광(L)을 수신받으면, 상기 제어기(150)는 상기 구동기(130)를 정지시켜, 상기 중앙 지지체(120)의 회전을 중지시킬 수 있다. 그리고, 상기 제어기(150)는 상기 냉각판(112)이 위로 승강되도록 상기 승강기(170)를 제어할 수 있 다. 이에 따라, 상기 제어기(150)는 상기 기판(W)의 회전시, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112) 간의 간격을 증가시켜, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)의 충돌을 방지할 수 있다.
도 6a는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 또 다른 예를 보여주는 평면도이고, 도 6b는 도 6a에 도시된 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 예에 따른 기판 처리 장치(108)는 온도조절판(110), 중앙 지지체(120), 감지기(140), 그리고 충돌방지기(168)를 포함할 수 있다. 상기 충돌방지기(168)는 제1 구동기(130) 및 제2 구동기(180), 그리고 상기 제1 및 제2 구동기들(130, 180)을 제어하는 제어기(150)를 포함할 수 있다.
상기 온도조절판(110)은 냉각판(112) 및 냉각유체 공급라인(116)을 포함할 수 있다. 상기 냉각판(112)은 대체로 원판 형상을 가질 수 있다. 상기 냉각판(112)은 광(L)의 이동경로로 사용되는 홈(112a)을 가질 수 있다. 상기 냉각판(112)의 상부면(113)에는 냉각유체 공급라인(116)과 연결된 분사구들(114)이 형성될 수 있다. 상기 냉각판(112)은 상기 제2 구동기(180)에 의해 회전될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 구동기(180)는 상기 냉각판(112)을 회전시키는 회전모터(rotating motor)를 포함할 수 있다. 한편, 상기 냉각유체 공급라인(116)은 상기 냉각판(112)에 탈착 가능하게 체결될 수 있다. 예컨대, 상기 냉각유체 공급라인(116)은 공급위치(L1) 및 대기위치(L2) 간에 이동가능하도록 구비될 수 있다. 상기 공급위치(L1)는 상기 냉 각판(112)에 상기 냉각유체를 공급하기 위한 상기 냉각유체 공급라인(116)의 위치일 수 있다. 상기 공급위치(L1)에 위치된 상기 냉각유체 공급라인(116)은 상기 냉각판(112)과 결합될 수 있다. 상기 대기위치(L2)는 상기 공급위치(L1)에 위치되기 전의 상기 냉각유체 공급라인(116)의 위치일 수 있다. 상기 대기위치(L2)에 위치된 상기 냉각유체 공급라인(116)은 상기 냉각판(112)으로부터 분리될 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각유체 공급라인(116)이 상기 대기위치(L2)에 위치되면, 상기 냉각판(112)의 회전을 방해하지 않을 수 있다. 상기 기판 처리 장치(100)는 상기 냉각유체 공급라인(116)을 상기 공급위치(L1) 및 대기위치(L2) 간에 이동시키는 제3 구동기(미도시)를 더 포함할 수 있다.
상기 중앙 지지체(120)는 대체로 핀(pin) 형상을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 냉각판(112)의 중앙에 형성된 관통홀(113)에 삽입될 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 기판(W)의 중앙 영역(a)을 지지하는 지지면(122)을 가질 수 있다. 상기 중앙 지지체(120)는 상기 제1 구동기(130)에 의해 회전될 수 있다.
상기 감지기(140)는 발광센서(142) 및 수광센서(144)를 포함할 수 있다. 상기 발광센서(142)는 상기 수광센서(144)로 광(L)을 조사할 수 있다. 상기 기판(W)이 기설정된 위치에 놓여졌을 때, 상기 광(L)은 상기 노치(N) 및 상기 홈(112a)을 차례로 통과한 후 상기 수광센서(144)에 수신될 수 있다. 이에 따라, 상기 감지기(140)는 상기 기판(W)의 노치(notch:N)를 감지할 수 있다. 한편, 상기 감지기(140)는 상기 냉각판(112)의 회전을 방해하지 않도록 설치될 수 있다. 일 예로 서, 상기 발광센서(142) 및 상기 수광센서(144), 그리고 이들을 지지하는 센서 지지체(146)는 상기 냉각판(112)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 충돌방지기(168)는 상기 기판(W)과 상기 온도조절판(110) 간의 충돌로 인한 상기 기판(W)의 손상을 줄일 수 있다. 일 예로서, 상기 제어기(150)는 상기 감지기(140)로부터 전송받은 데이터를 판단하여, 상기 제1 및 제2 구동기들(130, 180)을 제어할 수 있다. 예컨대, 상기 제어기(150)는 상기 제3 구동기를 제어하여, 상기 냉각유체 공급라인(116)을 대기위치(L2)에 위치시킬 수 있다. 상기 제어기(150)는 상기 기판(W)의 정렬을 위해 상기 제1 구동기(130)를 구동시켜, 상기 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 이와 동시에, 상기 제어기(150)는 상기 제2 구동기(180)를 구동시켜, 상기 냉각판(112)을 회전시킬 수 있다. 이때, 상기 제어기(150)는 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)의 회전속도가 동일하도록 상기 제1 및 제2 구동기들(130, 180)을 제어할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)의 회전시, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)이 서로 충돌하더라도, 상기 기판(W)과 상기 냉각판(112)이 동일한 속도로 회전하므로, 상기 기판(W)에 가해지는 충격을 최소화할 수 있다. 상기 기판(W)의 정렬이 완료되면, 상기 제어기(150)는 상기 냉각유체 공급라인(116)이 상기 공급위치(L1)에 위치되도록, 상기 제3 구동기를 제어할 수 있다.
상술한 설명들은 본 발명의 개념을 예시하는 것들이다. 또한, 상술한 내용은 본 발명의 개념을 당업자가 쉽게 이해할 수 있도록 구현한 예들을 나타내고 설명하 는 것일 뿐이며, 본 발명은 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용될 수 있다. 즉, 본 발명은 본 명세서에 개시된 발명의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 및 수정 등이 가능할 수 있다. 또한, 상술한 실시예들은 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능할 수 있다. 따라서, 상술한 발명의 상세한 설명은 개시된 실시예들은 본 발명을 제한하지 않으며, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 사진 공정 설비를 보여주는 도면이다.
도 2a는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 변형예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 변형예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4c는 도 4a에 도시된 기판 처리 장치의 변형예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 변형예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 또 다른 변형예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 6b는 도 6a에 도시된 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단한 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
10 : 사진 공정 설비
20 : 포토 설비
30 : 스피너 설비
100 : 기판 처리 장치
110 : 온도조절판
120 : 중앙 지지체
130 : 구동기
140 : 감지기
150 : 제어기
160 : 주변 지지체

Claims (9)

  1. 기판의 온도를 조절하는 온도조절판;
    상기 온도조절판을 상하로 수직하게 관통하는 핀(pin) 형상을 가지며, 상기 기판의 중앙 영역을 지지하는 중앙 지지체; 및
    상기 기판과 상기 온도조절판과의 충돌을 방지하는 충돌방지기를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도조절판은 상기 기판으로 냉각유체를 분사하는 분사구들을 가지는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 충돌방지기는 상기 기판의 주변 영역을 지지하도록 상기 중앙 지지체의 상부 둘레를 둘러싸는 플레이트 형상의 주변영역 지지체를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 충돌방지기는 상기 중앙 지지체로부터 수평하게 연장된 바(bar)를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 충돌방지기는:
    상기 중앙 지지체로부터 수평하게 연장된 바(bar) 형상을 갖는 제1 바(first bar); 및
    상기 제1 바의 끝단과 연결되어 상기 기판의 가장자리를 지지하는 제2 바(second bar)를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 충돌 방지기는:
    상기 중앙 지지체로부터 수평하게 연장된 바(bar) 형상을 갖는 복수의 제1 바(first bar); 및
    상기 복수의 제1 바의 끝단을 서로 연결하는 링(ring) 형상의 제2 바(second bar)를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 충돌방지기는:
    상기 온도조절판을 승하강시키는 승강기; 및
    상기 승강기를 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 충돌방지기는:
    상기 중앙 지지체를 회전시키는 제1 구동기:
    상기 온도조절판을 회전시키는 제2 구동기; 및
    상기 회전모터를 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 중앙 지지체와 상기 온도조절판의 회전 속도가 동일하도록 상기 제1 및 제2 구동기들을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제 9 항에 있어서,
    상기 온도조절판은 상기 온도조절판으로 냉각유체를 공급하는 냉각유체 공급라인을 포함하되,
    상기 냉각유체 공급라인은 상기 온도조절판에 결합되는 공급위치 및 상기 온도조절판으로부터 분리되는 대기위치 간에 이동가능한 기판 처리 장치.
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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190041644A (ko) * 2017-10-13 2019-04-23 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 구동 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150017961A (ko) * 2013-08-08 2015-02-23 삼성디스플레이 주식회사 기판 판별 장치, 기판 판별 방법 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW297910B (ko) * 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
KR20050105364A (ko) * 2004-04-30 2005-11-04 삼성전자주식회사 근접 측정 장치를 갖는 반도체 제조 설비 및 그 구동방법
WO2007080779A1 (ja) * 2006-01-12 2007-07-19 Nikon Corporation 物体搬送装置、露光装置、物体温調装置、物体搬送方法、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4294661B2 (ja) * 2006-07-26 2009-07-15 国立大学法人東北大学 基板ステージ、熱処理装置および基板ステージの製造方法
JP5103060B2 (ja) * 2007-06-05 2012-12-19 東京応化工業株式会社 冷却装置及び基板の処理装置
US7773212B1 (en) * 2008-05-21 2010-08-10 Kla-Tencor Corporation Contemporaneous surface and edge inspection

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190041644A (ko) * 2017-10-13 2019-04-23 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 구동 방법

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