KR20100067158A - 단결정 잉곳 직경 측정 장치, 이를 구비하는 단결정 잉곳 성장 장치 및 단결정 잉곳 직경 측정 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 단결정 잉곳의 디지털 영상을 촬영하는 영상촬영부;촬영된 상기 단결정 잉곳의 디지털 영상을 이진화하여 응고계면 영상을 추출하고, 추출된 상기 응고계면 영상으로부터 좌표 샘플을 추출하는 영상분석부; 및추출된 상기 좌표 샘플을 이용하여 상기 단결정 잉곳의 직경을 산출하는 영상판단부를 포함하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치.
- 제1항에 있어서,상기 영상촬영부는 CCD형 고체 촬상 소자 또는 CMOS형 고체 촬상 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치.
- 제1항에 있어서,상기 영상분석부는,촬영된 상기 단결정 잉곳의 디지털 영상을 이진화하여 응고계면 영상을 추출하는 영상 이진화부; 및상기 영상 이진화부에 의해 추출된 상기 응고계면 영상으로부터 좌표 샘플을 추출하는 좌표 추출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치.
- 제1항에 있어서,상기 영상분석부는 촬영된 상기 단결정 잉곳의 디지털 영상을 이진화함에 있어서 임계치 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치.
- 제4항에 있어서,상기 영상분석부는 상기 단결정 잉곳의 응고계면의 밝기에 상응하는 상기 임계치를 선택하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치.
- 제1항에 있어서,상기 영상분석부는 추출된 상기 응고계면 영상으로부터 적어도 3개 이상의 좌표 샘플을 추출하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치.
- 제6항에 있어서,상기 영상판단부는 추출된 상기 적어도 3개 이상의 좌표 샘플로부터 원(Circle)의 곡률을 이용하여 상기 단결정 잉곳의 직경을 산출하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치.
- 단결정 잉곳을 성장시키는 단결정 잉곳 성장 챔버; 및상기 단결정 잉곳을 촬영한 디지털 영상으로부터 상기 단결정 잉곳의 직경을 산출하는 단결정 잉곳 직경 측정 장치를 포함하는 단결정 잉곳 성장 장치.
- 제8항에 있어서,상기 단결정 잉곳 직경 측정 장치는,상기 단결정 잉곳의 디지털 영상을 촬영하는 영상촬영부;촬영된 상기 단결정 잉곳의 디지털 영상을 이진화하여 응고계면 영상을 추출하고, 추출된 상기 응고계면 영상으로부터 좌표 샘플을 추출하는 영상분석부; 및추출된 상기 좌표 샘플을 이용하여 상기 단결정 잉곳의 직경을 산출하는 영상판단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장 장치.
- 제9항에 있어서,상기 영상분석부는 촬영된 상기 단결정 잉곳의 디지털 영상을 이진화함에 있어서 임계치 방법을 사용하되, 상기 단결정 잉곳의 응고계면의 밝기에 상응하는 상기 임계치를 선택하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장 장치.
- 제9항에 있어서,상기 영상분석부는 추출된 상기 응고계면 영상으로부터 적어도 3개 이상의 좌표 샘플을 추출하되, 추출된 상기 적어도 3개 이상의 좌표 샘플로부터 원(Circle)의 곡률을 이용하여 상기 단결정 잉곳의 직경을 산출하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장 장치.
- 제8항에 있어서,상기 단결정 잉곳 직경 측정 장치에 의해 산출된 상기 단결정 잉곳의 직경에 기초하여 상기 단결정 잉곳의 성장을 조절하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장 장치.
- (a) 단결정 잉곳의 디지털 영상을 촬영하는 단계;(b) 촬영된 상기 단결정 잉곳의 영상을 이진화하여 응고계면 영상을 추출하는 단계;(c) 추출된 상기 응고계면 영상으로부터 좌표 샘플을 추출하는 단계; 및(d) 추출된 상기 좌표 샘플로부터 상기 단결정 잉곳의 직경을 산출하는 단계를 포함하는 단결정 잉곳 직경 측정 방법.
- 제13항에 있어서,상기 (a) 단계는 CCD형 고체 촬상 소자 또는 CMOS형 고체 촬상 소자를 이용하여 촬영하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 방법.
- 제13항에 있어서,상기 (b) 단계는 촬영된 상기 단결정 잉곳의 디지털 영상을 이진화함에 있어서 임계치 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 방법.
- 제15항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 단결정 잉곳의 응고계면의 밝기에 상응하는 상기 임계치를 선택하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 방법.
- 제13항에 있어서,상기 (c) 단계는 추출된 상기 응고계면 영상으로부터 적어도 3개 이상의 좌표 샘플을 추출하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 방법.
- 제17항에 있어서,상기 (d) 단계는 추출된 상기 적어도 3개 이상의 좌표 샘플로부터 원(Circle)의 곡률을 이용하여 상기 단결정 잉곳의 직경을 산출하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 방법.
- 제13항에 있어서,(e) 산출된 상기 단결정 잉곳의 직경에 기초하여 상기 단결정 잉곳의 성장을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 직경 측정 방법.
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
WO2014115948A1 (en) * | 2013-01-23 | 2014-07-31 | Lg Siltron Incorporated | Single-crystal ingot growth apparatus |
KR101481442B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-01-13 | 한국생산기술연구원 | 단결정잉곳 성장로의 아일랜드 위치검출장치 및 아일랜드 위치검출방법 |
KR20160080292A (ko) * | 2014-12-26 | 2016-07-08 | 현빈테크 주식회사 | 사파이어 단결정 성장장치의 잉곳 성장 관찰용 모니터링 제어장치 |
WO2017043826A1 (ko) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 한국생산기술연구원 | 용융로의 아일랜드 위치검출 장치 및 방법 |
KR20180076558A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 경북대학교 산학협력단 | 단결정 성장로의 잉곳 직경 측정 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4209082B2 (ja) * | 2000-06-20 | 2009-01-14 | コバレントマテリアル株式会社 | 単結晶引上げ装置および引上げ方法 |
JP4221917B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2009-02-12 | 株式会社Sumco | 結晶形状測定装置および結晶形状測定方法およびプログラムおよび記録媒体 |
JP2003176199A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上げ装置および引上げ方法 |
JP4078156B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2008-04-23 | コバレントマテリアル株式会社 | 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法 |
JP4000988B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2007-10-31 | 株式会社Sumco | 単結晶の直径測定方法及び直径測定装置 |
KR200396732Y1 (ko) * | 2005-07-08 | 2005-09-27 | 퀄리플로나라테크 주식회사 | 이미지 이치화를 이용한 실리콘 결정 성장 제어 장치 |
-
2008
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014115948A1 (en) * | 2013-01-23 | 2014-07-31 | Lg Siltron Incorporated | Single-crystal ingot growth apparatus |
KR101481442B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-01-13 | 한국생산기술연구원 | 단결정잉곳 성장로의 아일랜드 위치검출장치 및 아일랜드 위치검출방법 |
WO2015050286A1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-09 | 한국생산기술연구원 | 단결정잉곳 성장로의 아일랜드 위치검출장치 및 아일랜드 위치검출방법 |
US10233563B2 (en) | 2013-10-02 | 2019-03-19 | Korea Institute Of Industrial Technology | Device for detecting island position of single crystal ingot growing furnace and method for detecting island position |
KR20160080292A (ko) * | 2014-12-26 | 2016-07-08 | 현빈테크 주식회사 | 사파이어 단결정 성장장치의 잉곳 성장 관찰용 모니터링 제어장치 |
WO2017043826A1 (ko) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 한국생산기술연구원 | 용융로의 아일랜드 위치검출 장치 및 방법 |
KR20180076558A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 경북대학교 산학협력단 | 단결정 성장로의 잉곳 직경 측정 방법 |
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