KR20100057424A - 후면전극 태양전지의 제조방법 및 이를 이용한 후면전극 태양전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에미터(emitter) 및 BSF(Back Surface Field)를 형성하는 공정을 줄인 후면전극 태양전지의 제조방법 및 이를 통해 얻어지는 후면전극 태양전지에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판 후면에 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계, 기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계, 상기 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계 및 상기 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
후면전극 태양전지, 에미터, BSF, 컨택 개구부
Description
본 발명은 에미터(emitter) 및 BSF(Back Surface Field)를 형성하는 공정을 줄임으로써 공정비용을 절감한 후면전극 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 상기의 방법으로 제조한 후면전극 태양전지에 관한 것으로서, 기판 전면에 순차로 증착된 실리콘 산화층 및 PECVD SiNx:H 층이 형성되고, 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)이 형성된 기판 후면에 순차로 증착된 실리콘 산화층 및 PECVD SiO2 층 및 금속 전극층이 형성된, 복수 개의 태양전지 셀을 포함하는 후면전극 태양전지에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어서 특히 주목받고 있다. 태양전지 에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛을 전기에너지로 변화시키는 태양광 전지가 있다. 일반적으로 태양전지라고 하면 태양광 전지를 일컫는 것이다.
태양전지는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합 구조를 가진다. 태양전지에 빛이 입사되면, 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호작용에 의해, (-) 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여, 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 즉, 전자는 n형 반도체 쪽으로 끌어당겨지며, 정공은 p형 반도체 쪽으로 끌어당겨져서, 각각 n형 반도체 및 p형 반도체와 접합된 n형 전극 및 p형 전극으로 이동하게 된다. 상기의 전극들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻게 된다.
상기의 태양전지 중에서도 후면전극 태양전지는 기존의 태양전지와는 달리, 음극 및 양극 전극과 배선을 모두 후면에 배치함으로써, 전면전극에 비하여 높은 수광율을 가질 수 있고, 동시에 직렬저항을 줄일 수 있다. 또한 모듈제작이 용이한 장점도 있어서, 연구가 활발히 진행 중이다.
후면전극 태양전지가 다양한 산업분야에 널리 보급하고 이용되기 위해서는 제조공정을 단순화하여 제조비용을 절감한 후면전극 태양전지의 제조방법의 개발의 필요성이 절실하다.
본 발명의 목적은 후면전극 태양전지에 있어서, 제조공정을 간단히 하여 제조비용이 적게 소요되는 후면전극 태양전지의 제조방법을 제공하는데 있다.
특히, 본 발명의 목적은 후면전극 태양전지의 제조방법에 있어서, 한 번의 고열 확산공정만으로 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)를 각각 형성하여, 제조비용이 상당히 감소된 후면전극 태양전지의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법은 기판 후면에 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계, 기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계, 상기 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계 및 상기 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계는, 기판 후면에 p형 도핑 전구체막, 패턴화된 확산 방지막 및 n형 도핑 전구체막을 순서대로 형성한 후에, 고열확산 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 더욱 자세하게는, 기판 후면에 p형 도핑 전구체막을 형성하는 단계, 상기 p형 도핑 전구체막 위에 패턴화된 확산 방지막을 형성하는 단계, 상기 확산 방지막의 전면 일부와 기판 후면의 일부가 노출되도록 p형 도핑 전구체막을 식각하는 단계, 상기 확산 방지막 의 후면 및 측면과 기판 후면에 n형 도핑 전구체막을 형성하고, 고열의 확산 공정을 거치는 단계 및 상기 고열의 확산 공정에 의해 형성된 BSG 층, PSG 층과 상기 확산 방지막을 식각하는 단계를 를 포함할 수 있다.
상기 상기 기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계는, 상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)가 형성된 기판 후면에 확산 방지막을 형성하는 단계, 상기 확산 방지막을 형성한 후, 기판 전면을 비등방성으로 식각하는 단계, 상기 비등방성으로 식각된 기판 전면에 n형 전구체막을 형성하고, 고열의 확산 공정을 거치는 단계, 상기 고열의 확산 공정에 의해 형성된 PSG 층과 상기 확산 방지막을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 상기 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계는, 상기 n+층이 형성된 기판의 전면 및 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)가 형성된 기판의 후면에 실리콘 산화층을 형성하는 단계, 상기 기판 전면의 실리콘 산화층에 PECVD SiNx:H 층을 형성하는 동시에, 상기 기판 후면에 PECVD SiO2 층을 형성하는 단계 및 상기 PECVD SiO2 층의 측면 및 실리콘 산화층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 상기 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계는, 상기 기판 후면의 PECVD SiO2 층과 컨택 개구부에 금속 페이스트를 스크린 프린트하여 수행하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 후면전극 태양전지의 제조방법은, 기존의 방법에 비해서 에미 터(emitter) 및 BSF(Back Surface Field)의 형성공정을 간소화하여, 생산단가의 면에서 비용절감효과를 크게할 수 있으며, 보다 간편한 공정으로 후면전극 태양전지를 제공할 수 있다.
본 발명은, p형 도핑 전구체막 및 n형 도핑 전구체 막으로부터 한 번의 고열 확산 공정을 거쳐서 에미터(emitter) 및 BSF(Back Surface Field)를 형성함으로써, 후면전극 태양전지의 제조공정을 단순화하여 생산비용을 절감할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 발명의 일 실시예에 따른 후면전극 태양전지의 제조방법을 공정순서대로 나타낸 소자의 적층구조의 단면도이다. 하기의 공정 단계는 하나의 실시예 일 뿐이며 반드시 이러한 순서에 제한되지 않을 수 있다.
도 1을 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 기판(101) 후면에 에미터(emitter, 105)와 BSF(Back Surface Field, 106)를 형성하고(도 1a), 기판 전면에 n+ 층(109)을 형성하며(도 1b), 상기 기판 후면의 에미터(105)와 BSF(106)에 컨택 개구부(contact hole, 113) 배열을 형성하고(도 1c), 상기 기판 후면의 컨택 개구부(113)에 패턴화된 금속 전극층(114)을 형성함으로써(도 1d), 본 발명의 후면전극 태양전지를 제조할 수 있다.
상기 기판(101)은 n형 단결정 실리콘(Si) 기판 또는 p형 단결정 실리콘(Si) 기판을 사용할 수 있다.
상기 컨택 개구부(contact hole)의 형성은 본 발명의 기술 분야의 당업자들이라면 일반적으로 알 수 있는 종래의 공지된 식각공정을 사용할 수 있다. 통상적으로 광학적 스크라이빙법, 기계적 스크라이빙법, 플라즈마 이용 에칭법, 습식에칭법, 건식 에칭법, 리프트 오프(lift-off)법, 와이어 마스크(wire mask)법 중 어느 하나를 선택할 수 있다.
한편, 광학적 스크라이빙법으로는 주로 레이저 스크라이빙(laser scribing)법이 이용되며, 레이저 스크라이빙법은 펄스 레이저광을 기판에 대하여 상대적으로 주사하고 기판 상의 박막을 가공하는 방법이다.
본 발명에 의한 상기의 태양전지의 제조방법을 도면에 의거하여 각 단계별로 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2는 기판 후면에 p+ 영역과 n+ 영역을 형성하는 단계를 공정순서대 로 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
도 2a에서와 같이 기판(101)을 준비하고, 도 2b에서와 같이 기판(101) 후면에 p형 도핑 전구체막(102)을 형성하는 공정을 실행한다. 상기의 기판은 n형 단결정 실리콘(Si) 기판을 사용하였다.
상기 p형 도핑 전구체막(102)은 Boron Spin On Dopant(B-SOD)를 기판(101) 후면에 스프레이 코팅(spray coating)한 후 건조함으로써, 형성시킬 수 있다. 한편, 상기 B-SOD를 사용하는 대신에 boron doped SiO2를 사용할 수도 있다. 즉, boron doped SiO2를 기판(101) 후면에 PECVD 증착하여, p형 도핑 전구체막(102)을 형성할 수도 있다.
상기의 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)란 전자에 의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성상태의 가스분자와 충돌하여 가스분자를 분해하고 이 분해된 가스 원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하는 화학적 기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 말한다.
또한, 상기의 실시예에서는 p형 도핑 전구체막을 형성하기 위해서, B(보론, boron)를 사용하였으나, B 뿐만 아니라, Ga(갈륨) 또는, Al(알루미늄) 등의 원소를 사용할 수 있다. 그리고, 상기의 실시예에서는 스프레이 코팅 후 건조하는 방법으로 p형 도핑 전구체막을 형성하였으나, 그 외에도 스핀 코팅(spin coating) 또는 스크린 프린트(screen print) 후 건조하는 방법을 사용하거나, 화학적 기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 또는 물리적 기상증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)을 사용할 수도 있다.
다음으로, 도 2c에서와 같이, p형 도핑 전구체막(102) 위에 패턴화된 확산 방지막(103)을 형성하는 공정을 실행한다. 상기 확산 방지막(103)은 에미터(emitter)를 형성하고자 하는 영역에만 페이스트(paste)를 스크린 프린트하고 건조, 소성하여 형성한다.
상기의 확산 방지막은 p형 도핑 전구체막에 비해서 식각 선택비가 있고, 불순물의 열확산을 방지하는 기능을 한다. 또한, 상기의 에미터(emitter)는 정공(hole)을 포집하는 기능을 한다.
다음으로, 도 2d에서와 같이, 확산 방지막(103)을 하드 마스크(hard mask)로 하여, 상기 확산 방지막(103)의 전면 일부와 기판(101) 후면의 일부가 노출되도록 p형 도핑 전구체막(102)을 식각하는 공정을 실행한다. 이와 같은 공정을 통해서, p형 도핑 전구체막(102)와 이하의 단계에서 형성될 n형 도핑 전구체막(104) 간에 수 내지 수십㎛의 틈을 둘 수 있다. 그 결과, p형 도핑 전구체막(102)로부터 형성되는 에미터(emitter, 105)와 n형 도핑 전구체막(104)로부터 형성되는 BSF(Back Surface Field, 106)간의 겹침(butting)을 방지할 수 있게 된다.
다음으로, 도 2e에서와 같이, 상기 확산 방지막(103)의 후면 및 측면과 기판(101) 후면에 n형 도핑 전구체막(104)을 형성하는 공정을 실행한다.
상기 n형 도핑 전구체막(104)은 Posphorous Spin On Dopant(P-SOD)를 확산 방지막(103)의 후면 및 측면과 기판(101) 후면에 스프레이 코팅(spray coating)한 후 건조함으로써, 형성시킬 수 있다. 한편, 상기 P-SOD를 사용하는 대신에 인 도핑 된 SiO2(posphorous doped SiO2)를 사용할 수도 있다. 즉, 인 도핑된 SiO2(posphorous doped SiO2)를 기판(101) 후면에 후면 및 측면과 기판(101) 후면에 스프레이 코팅(spray coating) 하여, n형 도핑 전구체막(104)을 형성할 수도 있다.
또한, 상기의 실시예에서는 n형 도핑 전구체막을 형성하기 위해서, P(인, posphorous)를 사용하였으나, P 뿐만 아니라, As(비소) 또는, Sb(안티몬) 등의 원소를 사용할 수 있다. 그리고, 상기의 실시예에서는 스프레이 코팅 후 건조하는 방법으로 n형 도핑 전구체막을 형성하였으나, 그 외에도 스핀 코팅(spin coating) 또는 스크린 프린트(screen print) 후 건조하는 방법을 사용하거나, 화학적 기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 또는 물리적 기상증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)을 사용할 수도 있다.
다음으로, 확산로(diffusion furnace)나 벨트로(belt furnace)를 이용하여 고열의 확산 공정을 거친다. 상기의 고열의 확산 공정을 거치면, p형 도핑 전구체막(102)의 B-SOD는 BSG(Boro-Silicate Glass)로 변형되고, n형 도핑 전구체막(104)의 P-SOD는 PSG(Posphorous-Silicate Glass)로 변형되면서 동시에 패턴화된 확산이 가능하다. 상기 BSG 층, PSG 층과 확산 방지막(103)을 식각하는 공정을 실행하면, 도 2f에서와 같이, 기판(101) 후면에 emitter(105)와 BSF(Back Surface Field, 106)가 교대로 형성된다.
다음으로, 도 3은 기판 전면에 n+층을 형성하는 단계를 공정순서대로 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
도 3a에서와 같이, 상기 에미터(105)와 BSF(106)가 형성된 기판(101) 후면에 확산 방지막(107)을 스크린 프린트하는 공정을 실행한다.
그 후, 도 3b에서와 같이, 기판(101) 전면을 비등방성으로 식각하기 위하여 NaOH, KOH, TMAH(테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, TetraMethyl Ammonium Hydroxide) 등의 용액을 이용하여 랜덤 피라미드 텍스쳐링(random pyramid texturing)을 실시한다
다음으로, 도 3c에서와 같이, 상기 비등방성으로 식각된 기판(101) 전면에 Posphorous Spin On Dopant(P-SOD)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 실행한 후 건조하여, n형 전구체막(108)을 형성하는 공정을 실행한다. 한편, 상기 P-SOD를 사용하는 대신에 인 도핑된 SiO2(posphorous doped SiO2)를 사용할 수도 있다. 즉, 인 도핑된 SiO2(posphorous doped SiO2)를 기판(101) 후면에 후면 및 측면과 기판(101) 후면에 CVD(Chemical Vapor Deposition)을 실행하여, n형 도핑 전구체막(104)을 형성할 수도 있다.
다음으로, 확산로(diffusion furnace)나 벨트로(belt furnace)를 이용하여 고열의 확산 공정을 거친다. 도 3d에서와 같이, 상기의 고열의 확산 공정을 거쳐서 형성된 PSG 층과 확산 방지막(107)을 식각하는 공정을 거치면, 기판(101) 전면에 n+ 층(109)이 형성된다.
다음으로, 도 4는 기판 후면의 에미터와 BSF에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계를 공정순서대로 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
우선, 상기의 공정을 거친 기판을 세정한 후, 산소분위기의 확산로 또는 벨트로에서 고온의 열처리를 실행한다. 이 과정에서, 도 4a에서와 같이, 기판의 후면 및 기판의 전면의 n+ 층에 실리콘 산화층(110)이 동시에 형성된다. 상기의 실리콘 산화층(110)은, 기판의 표면을 보호하는 층으로서, 수십 ~ 수백 nm의 두께로 형성된다.
그 후, 도 4b에서와 같이, 상기 기판 후면에는 PECVD SiO2 층(111)을 형성하는 동시에, 상기 기판 전면의 실리콘 산화층에는 PECVD SiNx:H 층(112)을 형성하는 공정을 실행한다. 상기 PECVD SiO2 층(111)은 기판 후면의 절연 특성을 높이기 위한 것이다. 또한, 상기 PECVD SiNx:H 층(112)은 Anti-Reflection Coating(ARC) 막으로서, 기판 전면의 반사 현상을 감소시키기 위한 것이다.
다음으로, 도 4c에서와 같이, 상기 PECVD SiO2 층(111)의 측면 및 실리콘 산화층(110)을 식각하는 단계의 공정을 실행하여 컨택 개구부(113) 배열을 형성한다.
마지막으로, 상기의 공정을 거친 기판(101) 후면의 PECVD SiO2(111)층과 컨택 개구부(113)에 금속페이스트를 스크린 프린트하여, 도 1d에서와 같이, 패턴화된 금속 전극층(114)를 형성한다. 즉, 각각의 emitter(105)및 BSF(Back Surface Field, 106)에 금속 전극층(114)이 연결되어, 복수 개의 셀로 구성된 후면전극 태 양전지의 제조가 완료된다.
다시 말해서, 본 발명의 일 실시예에서 제조된 후면전극 태양전지는, 복수 개의 태양전지 셀로 구성되어 있다. 각각의 태양전지 셀은 기판(101)의 전면에 실리콘 산화층(110) 및 PECVD SiNx:H 층(112)이 순차로 형성되어 있고, 기판(101)의 후면에 실리콘 산화층(110), PECVD SiO2 층(111) 및 금속 전극층(114)이 순차로 형성되어 있는 구조를 가지고 있다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극 태양전지의 제조방법을, 공정단계에 따라 개략적으로 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극 태양전지를 제조하는 공정단계 중, 기판 후면에 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)를 형성하는 단계를 순서대로 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극 태양전지를 제조하는 공정단계 중, 기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계를 순서대로 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극 태양전지를 제조하는 공정단계 중, 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계를 순서대로 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극 태양전지를 제조하는 공정단계 중, 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계를, 공정단계에 따라 나타낸 후면전극 태양전지 구조의 단면도이다.
{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}
101 : 기판
102 : p형 도핑 전구체막
103, 107 : 확산 방지막
104, 108 : n형 도핑 전구체막
105 : 에미터(emitter)
106 : BSF(Back Surface Field)
109 : n+ 층
110 : 실리콘 산화층
111 : PECVD SiO2 층
112 : PECVD SiNx:H 층
Claims (8)
- 기판 후면에 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계;기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계;상기 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계; 및상기 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계는,기판 후면에 p형 도핑 전구체막, 패턴화된 확산 방지막 및 n형 도핑 전구체막을 순서대로 형성한 후에, 고열확산 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계는,기판 후면에 p형 도핑 전구체막을 형성하는 단계;상기 p형 도핑 전구체막 위에 패턴화된 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 확산 방지막의 전면 일부와 기판 후면의 일부가 노출되도록 p형 도핑 전구체막을 식각하는 단계;상기 확산 방지막의 후면 및 측면과 기판 후면에 n형 도핑 전구체막을 형성하고, 고열의 확산 공정을 거치는 단계; 및상기 고열의 확산 공정에 의해 형성된 BSG 층, PSG 층과 상기 확산 방지막을 식각하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계는,상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)가 형성된 기판 후면에 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 확산 방지막을 형성한 후, 기판 전면을 비등방성으로 식각하는 단계;상기 비등방성으로 식각된 기판 전면에 n형 전구체막을 형성하고, 고열의 확산 공정을 거치는 단계;상기 고열의 확산 공정에 의해 형성된 PSG 층과 상기 확산 방지막을 식각하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계는,상기 n+층이 형성된 기판의 전면 및 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)가 형성된 기판의 후면에 실리콘 산화층을 형성하는 단계;상기 기판 전면의 실리콘 산화층에 PECVD SiNx:H 층을 형성하는 동시에, 상기 기판 후면에 PECVD SiO2 층을 형성하는 단계; 및상기 PECVD SiO2 층의 측면 및 실리콘 산화층을 식각하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계는,상기 기판 후면의 PECVD SiO2 층과 컨택 개구부에 금속 페이스트를 스크린 프린트하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법.
- 기판 전면에 순차로 증착된 실리콘 산화층 및 PECVD SiNx:H 층이 형성되고,에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)이 형성된 기판 후면에 순차로 증착된 실리콘 산화층 및 PECVD SiO2 층 및 금속 전극층이 형성된, 복수 개의 태양 전지 셀을 포함하는 후면전극 태양전지.
- 제 7 항에 있어서,상기 금속 전극층은 PECVD SiO2 층의 후면에서 연장되어 PECVD SiO2 층의 측면 및 실리콘 산화층의 측면을 감싸면서 형성되는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지.
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