JP4310914B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、 p型Si基板上にn+/p構成化合物半導体層(例えば、GaAs層)を積層した構造の太陽電池の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の太陽電池として、n型Si基板上にp+/n構成GaAs(ガリウム・砒素)層を積層した構造の太陽電池、或いはp型Si基板上にn+/p構成GaAs層を積層した構造の太陽電池が知られている。
【0003】
n型Si基板上にp+/n構成GaAs層を積層した構造の太陽電池(以下、p+/n構成太陽電池と呼ぶ)は、例えば、n型のSi基板上に、それぞれヘテロエピタキシャル成長により、n+型GaAsバッファー層、n+型AlGaAs(アルミニウム・ガリウム・砒素)バック・サーフェス・フィールド(BSF)層、n型GaAsベース層、p+型GaAsエミッタ層、p+型AlGaAs窓(window)層を順次積層し、さらにその上にp++型GaAsコンタクト層、AuZn(金・亜鉛)表面電極(一方の電極とも呼ぶ)を備え、Si基板の下面には裏面電極(他方の電極とも呼ぶ)が設けられた構造を有している。また、表面側には必要に応じ、反射防止膜を備えた構成となっている。
【0004】
また、p型Si基板上にn+/p構成GaAs層を積層した構造の太陽電池(以下、n+/p構成太陽電池と呼ぶ)は、例えば、p型のSi基板上に、それぞれヘテロエピタキシャル成長により、p+型GaAsバッファー層、p型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層、p型GaAsベース層、n+型GaAsエミッタ層、n+型AlGaAs窓(window)層を順次積層し、さらにn++型GaAsコンタクト層、AuGe/Ni/Au表面電極(一方の電極とも呼ぶ)を備え、またSi基板の下面には裏面電極(他方の電極とも呼ぶ)が設けられた構造を有している。また、表面側には、必要に応じ、反射防止膜を備えた構成となっている。
【0005】
上記p+/n構成太陽電池は、ベース層内では少数キャリアである正孔の拡散長が比較的短いため、再結合が起こりやすく変換効率がそれほど高くならないものであった。これに対して、上記n+/p構成太陽電池はベース層内の少数キャリアは電子であるため、上記p+/n構成太陽電池と比較して少数キャリア拡散長が長くなり、より変換効率が大きくなることが期待されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記いずれの構造の太陽電池においても、Si基板上にGaAs等の化合物半導体をヘテロエピタキシャル成長させる際に、Si基板とGaAsバッファ層との界面、即ち、GaAs/Siヘテロ界面では相互拡散が起こり、このヘテロ界面及び近傍にSiが高濃度にドープされたn+変成層が生成されることが知られている。
【0007】
このn+変成層は、p+/n構成太陽電池においては、さほど大きな影響をあたえることはない。
しかしながら、p+/n構成太陽電池と比較してより変換効率が大きくなることが期待されているn+/p構成太陽電池を実現しようとした場合、このn+変成層に起因して、次のような問題点があった。
【0008】
即ち、n+/p構成太陽電池においては、上記p+型GaAsバッファ層とp型Si基板とのヘテロ界面(即ち、 GaAs/Siヘテロ界面)及びその近傍に上記n+変成層が形成されることにより、変換効率が著しく小さくなってしまっていた。このため、実質上、裏面電極をp型のSi基板の下面に設けることは困難となり、変換効率をあげるためには、表面(一方の電極である表面電極が形成された面)側からp型GaAsベース層に到達する溝を形成し、裏面電極に代えて、この溝にベース層と電気的に接続する他方の電極を形成する必要があった。しかし、このように構成すると、太陽電池の受光表面における電極占有率が大きくなり、入射光が遮られて実効的な変換効率が下がるという問題があった。
【0009】
本発明は、上記問題点を解決し、変換効率の良いn+/p構成の太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、第1の発明に係る太陽電池の製造方法は、p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記バッファ層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板と前記バッファ層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に少なくとも前記バッファ層の内部に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【0011】
また、第2の発明に係る太陽電池の製造方法は、p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、前記Si基板に対してエッチングレートの大幅に小さいp+型化合物半導体からなるエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用いて、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記エッチングストッパー層、バッファ層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板と前記エッチングストッパー層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に前記エッチングストッパー層を貫通して、少なくとも前記バッファ層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【0012】
また、第3の発明に係る太陽電池の製造方法は、p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記バッファ層、エッチングストッパー層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板とバッファ層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に前記バッファ層及び前記エッチングストッパー層を貫通して、バック・サーフェス・フィールド層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【0013】
また、第4の発明に係る太陽電池の製造方法は、p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用いp+型化合物半導体からなる第1のバッファ層を形成する工程と、前記第1のバッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなる第2のバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記第1のバッファ層、エッチングストッパー層、第2のバッファ層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板と前記第1のバッファ層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に前記第1のバッファ層及び前記エッチングストッパー層を貫通して、少なくとも第2のバッファ層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【0014】
これら第1〜第4の発明に係る太陽電池の製造方法によれば、裏面電極を形成するに際して、 先ずSi基板の裏面を選択的にバックエッチングし、次にヘテロエピタキシャル成長により各層を形成する際に前記Si基板とその上に形成された化合物半導体からなる層(例えば、バッファ層、或いはエッチングストッパー層)とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更にバック・サーフェス・フィールド層に隣接したバッファ層の表面或いはその内部にまで達するか、若しくはバック・サーフェス・フィールド層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成した後、開口部の部分も含めてSi基板の裏面側に導体膜からなる裏面電極を形成するようにしている。従って、完成した太陽電池は、n+変成層の影響を何らうけることがなく、良好な変換効率を有するものとすることができる。
【0015】
また、前記バッファ層、前記ベース層、及び前記エミッタ層としては、GaAsが好適である。また、エッチングストッパー層としては、エッチング方法やエッチャントによって適宜選択できるが、InGaP(インジウム・ガリウム・リン)等が好適である。さらに、前記Si基板のバックエッチングには、ヒドラジン水和物を用いるのが好適である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、図面は、本発明が理解できる程度に、形状、大きさ、配置関係を概略的に示しているに過ぎず、また、以下に記載される数値や材料なども単なる一例に過ぎないものであり、本発明はこの実施の形態に何ら限定されるものではない。
【0017】
本発明の第1の実施の形態に係るn+/p構成の太陽電池の製造方法について、図1〜図5を参照して説明する。
【0018】
(熱酸化膜形成工程)
まず、p型Si基板1の裏面電極を形成する面に、予め数十nm〜100nm程度の膜厚の熱酸化膜を形成する。この熱酸化膜は、例えば、Si基板1を酸化炉中に置いて高温(例えば、1200〜1300℃)に加熱し、Si基板1表面を酸化させることにより形成される。これによりSi基板1の全表面に熱酸化膜が形成されるが、フォトリソグラフィ、エッチングを行って、Si基板1の裏面電極を形成する面(Si基板1の裏面という)のみを熱酸化膜2で被覆されるように加工する。この熱酸化膜2は緻密な膜であり、Si基板1の裏面を被覆するこの熱酸化膜を後述するように加工して、後述のバックエッチング工程においてマスクパターンとして用いる。
【0019】
(ヘテロエピタキシャル層形成工程)
次いで、裏面側に熱酸化膜2が形成されたp型Si基板1の主表面上に、p+型GaAsバッファー層3、p型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層5、p型GaAsベース層7、n+型GaAsエミッタ層9、n+型AlGaAs窓(window)層11、n++型GaAsコンタクト層13aの各ヘテロエピタキシャル成長層を、それぞれ、ヘテロエピタキシャル成長させることにより所定の膜厚に形成して、順次積層する。なお、 n++型GaAsコンタクト層13aは、後述するコンタクト層加工工程において所定のパターンに加工される。
【0020】
上記各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に、 p型Si基板1とp+型GaAsバッファ層3とのヘテロ界面、即ち、GaAs/Siヘテロ界面で相互拡散が起こり、このヘテロ界面及びその近傍に、Siが高濃度にドープされたn+変成層21が生成される。このn+変成層21の厚さは主に成長温度によって決まるが、通常は数十nmの厚さとなる。このため、p+型GaAsバッファ層3の一部(場合によっては、Si基板1の一部も)は、n+変成層21に変質する。
【0021】
p+型GaAsバッファー層3は、通常約1μm程度の厚さに形成されるため、このn+変成層21の生成がBSF層まで達することはない。なお、後で説明する図1では、 n+変成層21が生成された後の構造を示しているが、 このn+変成層21は、前述のように当初はGaAsバッファー層3の一部(場合によっては、Si基板1の一部でも)であったものである。
【0022】
(表面電極形成工程)
前述のようにして、p型Si基板1の主表面上に、前述の各層3、5、7、9、11、13aを、ヘテロエピタキシャル成長により順次積層した後、 n++型GaAs層13a上に、AuGe/Ni/Auの積層構成の導体膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィ、エッチング工程を実施して、AuGe/Ni/Auの導体膜からなる所定のパターン形状の表面電極(一方の電極とも呼ぶ)15を形成する。
【0023】
(コンタクト層加工工程)
次いで、この表面電極15をマスクとしたエッチング工程により、n++型GaAsコンタクト層13aを選択的にエッチングして、n++型GaAsコンタクト層を所定のパターン13に加工する。
【0024】
(反射防止膜形成工程)
次いで、少なくとも窓層の露出した表面上にZnS(硫化亜鉛)/MgF2(フッ化マグネシウム)の積層膜からなる反射防止膜17を形成する。
図1は、以上の各工程により、上述の各層を積層した積層体23が形成された状態を示したものである。
【0025】
(バックエッチング工程)
次に、バックエッチング工程について説明する。このバックエッチング工程に先だって、前述したように、図1で示す構造の積層体23が形成されている。この積層体23におけるSi基板1の裏面側には、熱酸化膜2が形成されている。この熱酸化膜2をマスクとした異方性エッチングにより、Si基板1のバックエッチングを行うために、バックエッチングする個所に対応して、熱酸化膜2の選択的エッチングを行う。この熱酸化膜2の選択的エッチングは通常のフォトリソグラフィ、エッチング工程により行う。これにより、図2に示すように、熱酸化膜2の所定の個所に開口部H0が形成され、エッチングマスク2aが形成される。
【0026】
ここで、エッチングマスクのパターンは種々考えられるが、開口部の形状を考慮して適宜設計する必要がある。この例では、3インチのSi(100)基板(厚さ約480μm)を用い、エッチングマスクの開口部を750μm□(750μm×750μm)としている。その詳細は後述する。
【0027】
次いで、熱酸化膜からなるエッチングマスク2aでその裏面を選択的に覆われた積層体23の少なくともSi基板1の部分をヒドラジン水和物(NH2NH2・H2O)中に浸漬する。このヒドラジン水和物を用いた場合、SiのGaAsに対するエッチング選択比が大きい(即ち、Siの方がGaAsよりエッチングレートが大幅に大きい)ことにより、Siの選択エッチングが可能となる。
表1にヒドラジン水和物によるSi基板及びGaAs基板のエッチングレートの実験結果を示す。
【0028】
【表1】
【0029】
これら各基板のエッチングは有機ドラフトの中で、90℃に加熱したヒドラジン水和物中に浸積して行った。エッチングレートはそれぞれ25.5μm/時(Si)、0.8μm/時(GaAs)であった。Siのエッチングレートはこれまでの報告では約100μm/時といわれているが、今回の実験では特にSi基板の表面処理を行わなかったため、自然酸化膜が残っていたものと考えられ、これにより上記のような数値となったものと思われる。しかしながら、今回の実験結果からも明らかなように、Si基板のGaAsに対するエッチング選択比は32(≒25.5/0.8)であり十分選択エッチング可能な値である。
【0030】
前述したように、少なくともSi基板1の部分をヒドラジン水和物(NH2NH2・H2O)中に浸漬して、Si基板1のバックエッチングを行う。Si(100面)基板(厚さ約480μm)であれば、約56°の角度のテーパーを形成しながら異方的にエッチングが進行するから、750μm□(750μm×750μm)の開口部H0を有する熱酸化膜のマスクを用いてバックエッチングを行うと、Si基板1を完全に異方性エッチングした時には、750μm−2×480μm×cot(56°)=約100μmとなり、 n+変成層21に変質した当初のp+型GaAsバッファー層3との界面部分において、Si基板1には約100μm□(約100μm×約100μm)のコンタクト用の穴があいた第1の開口部H1が形成される。
【0031】
このSi基板1のバックエッチングでは、 前述のようにSiとGaAsとのエッチング選択比が大きいことにより、Siの選択エッチングが可能となっており、 n+変成層21に変質した当初のp+型GaAsバッファー層3の界面部分が露出した時点で、エッチング速度は極度に低下し、実質上エッチングが停止したようになり、この時点でこのSi基板1のバックエッチングを実質上停止する。上述の点から明らかなように、本例では、p+型GaAsバッファー層3が、Si基板1をバックエッチングする際のエッチングストッパー層の機能を果たしているといえる。
【0032】
さらに第1の開口部H1から露出した部分のn+変成層21(即ち、n+変成層21に変質した当初のp+型GaAsバッファ層3の一部)及びp+型GaAsバッファー層3を、硫酸系エッチング溶液(例えば、硫酸、過酸化水素水及び水の混合溶液)を用いてエッチングして、 n+変成層21を貫通し、 さらにp+型GaAsバッファー層3中の所定の深さまで達するように、第2の開口部H2を形成する。この第2の開口部H2の深さは、最大で、p+型GaAsバッファー層3とp型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層5との界面までに達する深さとすることもできる。その際は、できるだけBSF層5に損傷を与えないようにすることが重要である。なお、このバッファ層3のエッチングにおいては、エッチングレートを考慮した時間による制御を行い、エッチング深さを所定の深さとなるようにしている。
【0033】
図3に、これらのエッチング工程によりSi基板1、 n+変成層21及びバッファ層3に第1、第2の開口部H1及びH2が形成された状態を示す。また、ここで、基板1の裏面側から上述の第1、第2の開口部H1及びH2の形成された箇所を見た平面図を図4に示す。
【0034】
(裏面電極形成工程)
上述のようにして、エッチングを完了した後、熱酸化膜からなるエッチングマスク2aを除去する。その後、Si基板1の裏面側の全面にAuZn/Pt/Auの積層構成の導体膜からなる裏面電極19を形成する。
【0035】
このようにして、第1の実施の形態の製造方法によるn+/p構成の太陽電池が完成する。図5は、以上の製造工程により形成されたn+/p構成の太陽電池の構造を示している。
【0036】
このようにして製造されるn+/p構成の太陽電池においては、裏面電極19が、GaAsバッファ層/Si基板ヘテロ界面及びその近傍に形成されるSiが高濃度にドープされたn+変性層を介することなく、直接GaAsバッファ層3に電気的に接続され、さらにGaAsバッファ層3、BSF層5を介して太陽電池のベース層に電気的に接続されるため、太陽電池として良好に動作を行うことができる。また、従来技術で述べたような表面側(受光面側)から他方の電極を設けた構成とする必要はないため、受光面における電極占有率を増大させることがなく、その結果、太陽電池の変換効率を低下させることがなく、変換効率のよい太陽電池を実現できる。
【0037】
次に、本発明の第2の実施の形態に係るn+/p構成の太陽電池の製造方法について、図6〜図9を参照して説明する。この第2の実施の形態においては、 p型Si基板1とp+型GaAsバッファ層3との間にp+型InGaPエッチングストッパー層25を設けた点が前述の第1の実施の形態と異なる。この第2の実施の形態において、前述の第1の実施の形態と同一の部位については、同一の番号を付して説明している。以下、この第2の実施の形態の製造工程について説明する。
【0038】
(熱酸化膜形成工程)
まず、前述の第1の実施の形態で説明した「熱酸化膜形成工程」を実施して、p型Si基板1の裏面電極を形成する面(Si基板1の裏面という)のみを熱酸化膜2で被覆されるように加工する。この熱酸化膜2は緻密な膜であり、Si基板1の裏面を被覆するこの熱酸化膜を後述するように加工して、後述のバックエッチング工程においてマスクパターンとして用いる。
【0039】
(ヘテロエピタキシャル成長層形成工程)
次いで、裏面側に熱酸化膜2が形成されたp型Si基板1の主表面上に、p+型InGaPエッチングストッパー層25、p+型GaAsバッファー層3、p型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層5、p型GaAsベース層7、n+型GaAsエミッタ層9、n+型AlGaAs窓(window)層11、n++型GaAsコンタクト層13aを、それぞれ、ヘテロエピタキシャル成長させることにより所定の膜厚に形成して、順次積層する。なお、 n++型GaAsコンタクト層13aは、後述するコンタクト層加工工程において所定のパターンに加工される。
【0040】
上記各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に、p型Si基板1とp+型InGaPエッチングストッパー層25とのヘテロ界面、即ち、InGaP/Siヘテロ界面で相互拡散が起こり、このヘテロ界面及びその近傍に、Siが高濃度にドープされたn+変成層27が生成される。このn+変成層27の厚さは主に成長温度によって決まるが、通常は数十nmの厚さとなる。このため、InGaPエッチングストッパー層25の一部(場合によっては、Si基板1の一部も)は、n+変成層27に変質する。
【0041】
このn+変成層27の生成がp+型GaAsバッファー層3にまで及ばないようにするために、形成直後のInGaPエッチングストッパー層25の厚さは、 生成されるn+変成層27の厚さ以上の厚さ、例えば100nm或いはそれ以上の厚さとなるように、形成しておく。なお、後で説明する図6では、n+変成層27が生成された後の構造を示しているが、このn+変成層27は、前述のように当初はInGaPエッチングストッパー層25の一部(場合によっては、Si基板1の一部でも)であったものである。
【0042】
(表面電極形成工程)
前述のようにして、p型Si基板1の主表面上に、前述の各層25、3、5、7、9、11、13aを、ヘテロエピタキシャル成長により順次積層した後、 n+型GaAs層13a上に、AuGe/Ni/Auの積層構成の導体膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィ、エッチング工程を実施して、AuGe/Ni/Auの積層膜からなる所定のパターン形状の表面電極(一方の電極とも呼ぶ)15を形成する。
【0043】
(コンタクト層加工工程)
次いで、この表面電極15をマスクとしたエッチング工程により、n++型GaAsコンタクト層13aを選択的にエッチングして、n++型GaAsコンタクト層を所定のパターン13に加工する。
【0044】
(反射防止膜形成工程)
次いで、少なくとも窓層の露出した表面上にZnS(硫化亜鉛)/MgF2(フッ化マグネシウム)の積層膜からなる反射防止膜17を形成する。
図6は、以上の工程により、上述の各層を積層した積層体29が形成された状態を示したものである。
【0045】
(バックエッチング工程)
次に、バックエッチング工程について説明する。このバックエッチング工程に先だって、前述したように、図6で示す構造の積層体29が形成されている。この積層体29におけるSi基板1の裏面側には、熱酸化膜2が形成されている。この熱酸化膜2をマスクとした異方性エッチングにより、Si基板1のバックエッチングを行うために、バックエッチングする個所に対応して、熱酸化膜2の選択的エッチングを行う。この熱酸化膜2の選択的エッチングは通常のフォトリソグラフィ、エッチング工程により行う。これにより、図7に示すように、熱酸化膜2の所定の個所に開口部H0が形成され、エッチングマスク2aが形成される。
【0046】
ここで、エッチングマスクのパターンは種々考えられるが、開口部の形状を考慮して適宜設計する必要がある。この例では、第1の実施の形態の場合と同様に、3インチのSi(100)基板(厚さ約480μm)を用い、エッチングマスクの開口部を750μm□(750μm×750μm)としている。その詳細は後述する。
【0047】
次いで、熱酸化膜からなるエッチングマスク2aでその裏面を選択的に覆われた積層体29の少なくともSi基板1の部分をヒドラジン水和物(NH2NH2・H2O)中に浸漬する。
【0048】
ここで、InGaPをエッチングストッパー層25として用いた理由を説明する。それは、第1に、このInGaPを用いることにより、SiのInGaPに対するエッチング選択比が大きい(即ち、Siの方がInGaPよりエッチングレートが大幅に大きい)ことにより、Siの選択エッチングが可能となるためであり、第2に、InGaPがSi基板1とp+型GaAsバッファー層3との格子不整合を緩和できるためである。
【0049】
表2にヒドラジン水和物によるSi基板及びInP基板のエッチングレートの実験結果を示す。なお、この実験に関し、InGaPの基板は市販されていないため、InGaPと物性が類似し、しかも市販されているInP基板をInGaP基板の代替物として用いた結果を表2に示した。
【0050】
【表2】
【0051】
これら各基板のエッチングは有機ドラフトの中で、90℃に加熱したヒドラジン水和物中に浸積して行った。エッチングレートはそれぞれ25.5μm/時(Si)、2.0μm/時(InP)であった。今回の実験結果からも明らかなように、Si基板のInPに対するエッチング選択比は12.8(≒25.5/2.0)であり十分選択エッチング可能な値である。なお、ここでは、入手が容易なInP基板を用いた実験結果について説明したが、市販されていないInGaP基板も物性がInPと類似しているため、InPと同等のエッチングレートを示すものといえる。
【0052】
前述したように、少なくともSi基板1の部分をヒドラジン水和物(NH2NH2・H2O)中に浸漬して、Si基板1のバックエッチングを行う。Si(100面)基板(厚さ約480μm)であれば、約56°の角度のテーパーを形成しながら異方的にエッチングが進行するから、750μm□(750μm×750μm)の開口部H0を有する熱酸化膜のマスクを用いてバックエッチングを行うと、Si基板1を完全に異方性エッチングした時には、750μm−2×480μm×cot(56°)=約100μmとなり、 n+変成層27に変質した当初のp+型InGaPストッパー層25との界面部分において、Si基板1には約100μm□(約100μm×約100μm)のコンタクト用の穴があいた第1の開口部H1が形成される。
【0053】
このSi基板1のバックエッチングでは、 前述のようにSiとInGaPとのエッチング選択比が大きいことにより、Siの選択エッチングが可能となっており、 n+変成層27に変質した当初のp+型InGaPエッチングストッパー層25の界面部分が露出した時点で、エッチング速度は極度に低下し、実質上エッチングが停止したようになり、この時点でSi基板1のバックエッチングを停止することが容易となる。上述の点から明らかなように、本例では、p+型InGaPエッチングストッパー層25の存在により、Si基板1のバックエッチングを精度良く行うことができる。
【0054】
さらに第1の開口部H1から露出した部分のn+変成層27(即ち、n+変成層27に変質した当初のp+型InGaPストッパー層25)及びInGaPストッパー層25を塩酸(HCl)等でエッチングして、n+変成層27及びストッパー層25にGaAsバッファ層3との界面にまで達する第2の開口部H2が形成される。この塩酸を用いたエッチングでは、InGaPとGaAs(バッファ層3)とのエッチング選択比が大きい(即ち、InGaPの方がGaAsよりエッチングレートが大幅に大きい)ことにより、InGaPの選択エッチングが可能となっている。
【0055】
図8に、これらのエッチング工程によりSi基板1、n+変成層27及びストッパー層25にそれぞれ第1、第2の開口部H1及びH2が形成された状態を示す。
【0056】
(裏面電極形成工程)
上述のようにして、バックエッチングを完了した後、熱酸化膜からなるエッチングマスク2aを除去する。その後、Si基板1の裏面側の全面にAuZn/Pt/Auの積層構成の導体膜からなる裏面電極19を形成する。
【0057】
このようにして、第2の実施の形態の製造方法によるn+/p構成の太陽電池が完成する。図9は、以上の製造工程により形成されたn+/p構成の太陽電池の構造を示している。
【0058】
このようにして製造されるn+/p構成の太陽電池においては、裏面電極19が、InGaPストッパー層/Si基板ヘテロ界面及びその近傍に形成される高濃度にドープされたn+変性層を介することなく、直接GaAsバッファ層3に電気的に接続され、さらにGaAsバッファ層3及びBSF層5を介して太陽電池のベース層に電気的に接続されるため、太陽電池として良好に動作を行うことができる。また、従来技術で述べたような表面側(受光面側)から他方の電極を設けた構成とする必要はないため、受光面における電極占有率を増大させることがなく、その結果、太陽電池の変換効率を低下させることがなく、変換効率のよい太陽電池を実現できる。
【0059】
次に、本発明の第3の実施の形態に係るn+/p構成の太陽電池の製造方法について説明する。この第3の実施の形態と前述の第2の実施の形態との主な相違点は、次の通りである。即ち、前述の第2の実施の形態では、p+型InGaPエッチングストッパー層25を、 p型Si基板1とp+型GaAsバッファー層3との間に形成したが、これに代えて、この第3の実施の形態においては、p+型InGaPエッチングストッパー層25を、p+型GaAsバッファー層3とp型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層5との間に形成するようにしたものである。なお、この第3の実施の形態において、前述の第1、第2の実施の形態と同一の部位については、同一の番号を付して説明している。
【0060】
以下に、第3の実施の形態の製造工程について説明する。
先ず、「熱酸化膜形成工程」は、前述の第1、第2の実施の形態の場合と同様にして行う。
【0061】
それに続く「ヘテロエピタキシャル成長層形成工程」においては、裏面側に熱酸化膜21が形成されたp型Si基板1の主表面上に、p+型GaAsバッファー層3、p+型InGaPエッチングストッパー層2、p型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層5、p型GaAsベース層7、n+型GaAsエミッタ層9、n+型AlGaAs窓(window)層11、n++型GaAsコンタクト層13aを、それぞれ、ヘテロエピタキシャル成長させることにより所定の膜厚に形成して、順次積層する。
【0062】
この第3の実施の形態においては、p型Si基板1と界面を接するのはp+型GaAsバッファー層3である。従って、エピタキシャル成長層形成工程で、各エピタキシャル成長層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に、前述の第1の実施の形態の場合と同様に、p型Si基板1とp+型GaAsバッファ層3とのヘテロ界面、即ち、GaAs/Siヘテロ界面で相互拡散が起こり、このヘテロ界面及びその近傍に、Siが高濃度にドープされたn+変成層21が生成される。このため、 p+型GaAsバッファ層3の一部(場合によっては、Si基板1の一部も)は、 n+変成層21に変質する。
【0063】
この「エピタキシャル成長層形成工程」に続く「表面電極形成工程」、「コンタクト層加工工程」、「反射防止膜形成工程」は、前述の第1、第2の実施の形態の場合と同様にして行う。
【0064】
それに続く「バックエッチング工程」においては、先ずSi基板のバックエッチングを前述の第1の実施の形態と同様にして行い、第1の開口部H1を形成する。続いて、n+変成層21(即ち、n+変成層21に変質した当初のp+型GaAsバッファ層3の一部)及びp+型GaAsバッファー層3のエッチングを第1の実施の形態の場合と同様にして硫酸系エッチング溶液を用いて行う。このエッチングに際して、p+型GaAsバッファー層3上にはp+型InGaPエッチングストッパー層25が存在しており、p+型InGaPエッチングストッパー層25の表面が露出した時点でエッチング速度が大幅に遅くなり、実質上エッチングが停止するといえるため、エッチング時間の制御を厳密に行う必要はない。
【0065】
次いでp+型InGaPエッチングストッパー層25のエッチングを第2の実施の形態と同様にして塩酸を用いて行い、p型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層5の表面が露出した時点でエッチングを停止する。この塩酸を用いたエッチングでは、InGaPのAlGaAs(BSF層5)に対するエッチング選択比が大きい(即ち、InGaPの方がAlGaAsよりエッチングレートが大幅に大きい)ことにより、InGaPの選択エッチングが可能となっている。このようにして、n+変成層21、p+型GaAsバッファー層3、p+型InGaPエッチングストッパー層25を貫通し、BSF層5の表面を露出させる第2の開口部H2が形成される。
【0066】
続いて、前述の第1、第2の実施の形態の場合と同様の「裏面電極形成工程」を実施して、裏面電極19を形成する。
【0067】
このようにして、第3の実施の形態の製造方法によるn+/p構成の太陽電池が完成する。図10は、以上の製造工程により形成されたn+/p構成の太陽電池の構造を示している。
【0068】
この第3の実施の形態の方法により製造されるn+/p構成の太陽電池においては、裏面電極19が、p+型GaAsバッファー層3/Si基板ヘテロ界面及びその近傍に形成される高濃度にドープされたn+変性層21を介することなく、直接BSF層5に電気的に接続され、さらにBSF層5を介して太陽電池のベース層に電気的に接続されるため、太陽電池として良好に動作を行うことができる。また、従来技術で述べたような表面側(受光面側)から他方の電極を設けた構成とする必要はないため、受光面における電極占有率を増大させることがなく、その結果、太陽電池の変換効率を低下させることがなく、変換効率のよい太陽電池を実現できる。
【0069】
次に、本発明の第4の実施の形態に係るn+/p構成の太陽電池の製造方法について説明する。この第4の実施の形態と前述の第3の実施の形態との主な相違点は、次の通りである。前述の第3の実施の形態における「ヘテロエピタキシャル成長層形成工程」において、p+型InGaPエッチングストッパー層上に、更にもう1層のp+型GaAsバッファー層33(第2のp+型GaAsバッファー層と呼ぶ)を形成した点が第3の実施の形態の工程と大きく異なり、それ以外は、バッファ層の膜厚を除けば、ほぼ第3の実施の形態と同様の工程となる。なお、この第4の実施の形態において、前述の第3の実施の形態と同一の部位については、同一の番号を付して説明している。
【0070】
以下に、第4の実施の形態の製造工程について説明する。
先ず、「熱酸化膜形成工程」は、前述の第1、第2、第3の実施の形態の場合と同様にして行う。
【0071】
それに続く「ヘテロエピタキシャル成長層形成工程」においては、裏面側に熱酸化膜21が形成されたp型Si基板1の主表面上に、第1のp+型GaAsバッファー層31、p+型InGaPエッチングストッパー層25、第2のp+型GaAsバッファー層33、p型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層5、p型GaAsベース層7、n+型GaAsエミッタ層9、n+型AlGaAs窓(window)層11、n++型GaAsコンタクト層13aを、それぞれ、ヘテロエピタキシャル成長させることにより所定の膜厚に形成して、順次積層する。なお、第1のp+型GaAsバッファー層31及び第2のp+型GaAsバッファー層33の膜厚は、両者を合計した膜厚が、前述の第1〜第3の実施の形態におけるp+型GaAsバッファー層3の膜厚と同等の膜厚に成るように形成すれば良い。
【0072】
この第4の実施の形態においては、p型Si基板1と界面を接するのは第1のp+型GaAsバッファー層3である。従って、エピタキシャル成長層形成工程で、各エピタキシャル成長層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に、前述の第1の実施の形態の場合と同様に、p型Si基板1と第1のp+型GaAsバッファ層31とのヘテロ界面、即ち、GaAs/Siヘテロ界面で相互拡散が起こり、このヘテロ界面及びその近傍に、Siが高濃度にドープされたn+変成層21が生成される。このため、 第1のp+型GaAsバッファ層31の一部(場合によっては、Si基板1の一部も)は、 n+変成層21に変質する。
【0073】
この「エピタキシャル成長層形成工程」に続く「表面電極形成工程」、「コンタクト層加工工程」、「反射防止膜形成工程」は、前述の第1、第2の実施の形態の場合と同様にして行う。
【0074】
それに続く「バックエッチング工程」においては、先ずSi基板のバックエッチングを前述の第1〜第3の実施の形態と同様にして行い、第1の開口部H1を形成する。続いて、n+変成層21(即ち、n+変成層21に変質した当初の第1のp+型GaAsバッファ層31の一部)及び第1のp+型GaAsバッファー層31のエッチングを第1の実施の形態の場合と同様にして硫酸系エッチング溶液を用いて行う。このエッチングに際して、第1のp+型GaAsバッファー層31上にはp+型InGaPエッチングストッパー層25が存在しており、p+型InGaPエッチングストッパー層25の表面が露出した時点でエッチング速度が大幅に遅くなり、実質上エッチングが停止するといえるため、エッチング時間の制御を厳密に行う必要はない。
【0075】
次いでp+型InGaPエッチングストッパー層25のエッチングを第2の実施の形態と同様にして塩酸を用いて行い、第2のp+型GaAsバッファー層33の表面が露出した時点でエッチングを停止する。この塩酸を用いたエッチングでは、InGaPのGaAs(第2のp+型GaAsバッファー層33)に対するエッチング選択比が大きい(即ち、InGaPの方がGaAsよりエッチングレートが大幅に大きい)ことにより、InGaPの選択エッチングが可能となっている。このようにして、n+変成層21、第1のp+型GaAsバッファー層31、p+型InGaPエッチングストッパー層25を貫通し、第2のp+型GaAsバッファー層33の表面を露出させる第2の開口部H2が形成される。
【0076】
続いて、前述の第1、第2の実施の形態の場合と同様の「裏面電極形成工程」を実施して、裏面電極19を形成する。
【0077】
このようにして、第4の実施の形態の製造方法によるn+/p構成の太陽電池が完成する。図11は、以上の製造工程により形成されたn+/p構成の太陽電池の構造を示している。
【0078】
この第4の実施の形態の方法により製造されるn+/p構成の太陽電池においては、裏面電極19が、第1のp+型GaAsバッファー層31/Si基板ヘテロ界面及びその近傍に形成されるSiが高濃度にドープされたn+変性層21を介することなく、直接第2のp+型GaAsバッファー層33に電気的に接続され、さらに第2のp+型GaAsバッファー層33を介して太陽電池のベース層に電気的に接続されるため、太陽電池として良好に動作を行うことができる。また、従来技術で述べたような表面側(受光面側)から他方の電極を設けた構成とする必要はないため、受光面における電極占有率を増大させることがなく、その結果、太陽電池の変換効率を低下させることがなく、変換効率のよい太陽電池を実現できる。
【0079】
さらに、本発明は、前述の各実施の形態にのみ限定されるものではなく、設計に応じて種々の変更を行うことができる。
【0080】
例えば、Si基板をバックエッチングする際のマスク材料として、前述の実施の形態において用いた熱酸化膜に代えて、熱CVD酸化膜を用いることもできる。
【0081】
また、バックエッチングの方法として、前述の実施の形態において説明したヒドラジン水和物を用いる方法に代えて、ドライエッチング、或いは、沸酸(HF)/硝酸(HNO3)系或いは水酸化カリウム(KOH)溶液を用いる方法等を用いることもできる。
【0082】
また、好ましくは、Auメッキ等で表面電極15及び裏面電極19の膜厚をさらに厚くして、電極抵抗を低減することが、変換効率を上げる上で有効となる。
【0083】
また、前述の実施の形態では、単一接合型の太陽電池を形成する例を示したが、本発明の方法は、タンデムセル(積層セル)タイプなどの太陽電池を形成する場合にも適用できることは明らかである。
【0084】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、第1〜第4の発明に係る太陽電池の製造方法によれば、裏面電極を形成するに際して、 先ずSi基板の裏面を選択的にバックエッチングし、ヘテロエピタキシャル成長により各層を形成する際に前記Si基板とその上に形成された化合物半導体からなる層(例えば、バッファ層、或いはエッチングストッパー層)とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更にバック・サーフェス・フィールド層に隣接したバッファ層の表面或いはその内部にまで達するか、若しくはバック・サーフェス・フィールド層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成した後、開口部の部分も含めてSi基板の裏面側に導体膜からなる裏面電極を形成するようにしている。
【0085】
そのため、従来、表面側から他方の電極(裏面電極に対応する電極)を設ける必要があったn+/p構成太陽電池(p型Si基板上にn+/p構成GaAs層を積層した構造の太陽電池)について、本発明を適用することにより、n+変成層の影響を何ら受けることが無く、且つ他方の電極を裏面側から形成することが可能となり、従って、受光面積を損なうことなく高変換効率のn+/p構成太陽電池を良好に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の製造工程を説明するための断面図である。
【図2】図2に続く本発明の第1の実施の形態の製造工程を説明するための断面図である。
【図3】図3に続く本発明の第1の実施の形態の製造工程を説明するための断面図である。
【図4】第1、第2の開口部H1及びH2の箇所をSi基板裏面側から見た平面図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態の製造工程により形成された太陽電池の構造を示す断面図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態の製造工程を説明するための断面図である。
【図7】図6に続く本発明の第2の実施の形態の製造工程を説明するための断面図である。
【図8】図7に続く本発明の第2の実施の形態の製造工程を説明するための断面図である。
【図9】本発明の第2の実施の形態の製造工程により形成された太陽電池の構造を示す断面図である。
【図10】本発明の第3の実施の形態の製造工程により形成された太陽電池の構造を示す断面図である。
【図11】本発明の第4の実施の形態の製造工程により形成された太陽電池の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1:p型Si基板
2:熱酸化膜
2a:エッチングマスク
3:p+型GaASバッファー層
5:p型AlGaAsバック・サーフェス・フィールド(BSF)層
7:p型GaAsベース層
9:n+型GaAsエミッタ層
11:n+型AlGaAs窓(window)層
13:n++型GaAsコンタクト層
15:表面電極
17:反射防止膜
19:裏面電極
21、27:n+変成層
23、29:積層体
25:p+型InGaPエッチングストッパー層
31:第1のp+型GaASバッファー層
33:第2のp+型GaASバッファー層
H0:熱酸化膜の開口部
H1:第1の開口部
H2:第2の開口部
Claims (7)
- p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、
前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、
前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、
前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、
前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、
前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、
少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、
前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記バッファ層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板と前記バッファ層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に少なくとも前記バッファ層の内部に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と
前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、前記Si基板に対してエッチングレートの大幅に小さいp+型化合物半導体からなるエッチングストッパー層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、
前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用いて、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、
前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、
前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、
前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、
前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、
少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、
前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記エッチングストッパー層、バッファ層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板と前記エッチングストッパー層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に前記エッチングストッパー層を貫通して、少なくとも前記バッファ層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と
前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるエッチングストッパー層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、
前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、
前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、
前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、
前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、
前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、
少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、
前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記バッファ層、エッチングストッパー層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板とバッファ層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に前記バッファ層及び前記エッチングストッパー層を貫通して、バック・サーフェス・フィールド層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と
前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - p型のSi基板の主表面上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなる第1のバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなるエッチングストッパー層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p+型化合物半導体からなる第2のバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるバック・サーフェス・フィールド層を形成する工程と、
前記バック・サーフェス・フィールド層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、p型化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、
前記エミッタ層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n+型化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、
前記窓層上に、ヘテロエピタキシャル成長法を用い、n++型化合物半導体からなるコンタクト層を形成する工程と、
前記コンタクト層上に、所定のパターンの表面電極を形成する工程と、
前記表面電極をマスクとして前記コンタクト層を選択的にエッチングすることにより、前記コンタクト層を所定のパターンに加工する工程と、
少なくとも窓層の露出した部分上に、反射防止膜を形成する工程と、
前記Si基板の裏面を選択的にバックエッチングし、更に前記第1のバッファ層、エッチングストッパー層、第2のバッファ層、バック・サーフェス・フィールド層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層の各層をヘテロエピタキシャル成長により形成する際に前記Si基板と前記第1のバッファ層とのヘテロ界面及びその近傍に生成されたn+変成層を貫通し、更に前記第1のバッファ層及び前記エッチングストッパー層を貫通して、少なくとも第2のバッファ層の表面に達するようにエッチングして開口部を形成する工程と
前記開口部が形成された前記Si基板の裏面に導体膜を形成し且つ当該導体膜が前記開口部の位置で前記バッファ層と電気的に接続するように構成された、前記導体膜からなる裏面電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記バッファ層、前記ベース層、及び前記エミッタ層がいずれもGaAsからなることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかの請求項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記エッチングストッパー層が、InGaPからなることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかの請求項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記Si基板のバックエッチングに、ヒドラジン水和物を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかの請求項に記載の太陽電池の製造方法。
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