KR20100052851A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

시야각에 따른 휘도가 향상된 표시 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다. 표시 장치는, 기판과, 기판 상에 배치되고 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층, 및 제1 산란층 상에 배치되고 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층이 교대로 배치된 산란층과, 산란층을 관통하도록 형성된 복수의 비아홀과, 기판 상에 배치된 발광층을 포함한다.
시야각, 굴절률, 비아홀

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{Display device and method of fabricating the same}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시야각에 따른 휘도가 향상된 유기 전계 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 표시 장치의 경량화, 박형화, 저소비 전력화 등의 요구가 커지면서 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display:LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel: PDP), 유기 전계 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED) 등의 평판 표시 장치(flat panel display)가 연구 및 개발되고 있다.
유기 전계 발광 다이오드는 서로 대향하는 한 쌍의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함한다. 유기 전계 발광 다이오드는 제1 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 제2 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 자체 발광한다. 따라서 별도의 광원이 필요 없기 때문에 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.
그러나, 유기 전계 발광 다이오드는 소자 계면 간 전반사 등의 이유로 발광층에서 발생된 광의 일부만 외부로 방출되어 휘도가 저하될 수 있다.
유기 전계 발광 다이오드의 휘도를 향상시키기 위해 전극에서 반사된 광의 간섭을 이용하여 휘도 및 색재현성을 향상시키는 미세 공진기(microcavity)가 연구되었다.
그러나, 미세 공진기를 이용하는 방법은 특정 파장에서 정면 방향으로의 광의 강도(intensity)는 증가시킬 수 있지만, 특정 파장 이외의 파장에서는 광의 강도가 감소되어 시야각에 따른 휘도가 감소하고 색재현성이 저하될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 시야각에 따른 휘도가 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 시야각에 따른 휘도가 향상된 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 배치되고 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층, 및 상기 제1 산란층 상에 배치되고 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층이 교대로 배치된 산란층과, 상기 산란층을 관통하도록 형성된 복수의 비아홀과, 상기 기판 상에 배치된 발광층을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층, 및 상기 제1 산란층 상에 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층을 교대로 배치하는 단계를 포함하는 산란층을 제공하는 단계와, 상기 산란층을 관통하도록 복수의 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 발광층을 배치하는 단계를 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로는, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 전계 발광 다이오드 등의 평판 표시 장치가 있으나, 이하, 설명의 편의상 유기 전계 발광 다이오드를 예로 들어 설명한다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 앞서 언급한 평판 표시 장치 등을 포함한다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
이하 도 1a 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 1a는 봉지 기판을 포함하는 본 발명의 제1, 3, 5, 7 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다. 도 1b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다. 도 2는 도 1b의 X 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 3은 도 1b의 Y-Y'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 수평 단면도이다. 도 4는 도 1b의 Y-Y'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예의 제1 변형례에 따른 에 따른 표시 장치의 수평 단면도이다. 도 5는 도 1b의 Y-Y'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예의 제2 변형례에 따른 에 따른 표시 장치의 수평 단면도이다.
도 1a 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판은 기판(110), 산란층(200), 컬러필터층(120), 오버코트층(130), 애노드(anode) 전극(140), 발광층(150), 및 캐소드(cathode) 전극(160), 및 봉지 기판(encapsulation substrate)(170)을 포함한다.
기판(110)은 광이 투과할 수 있도록 광투과성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 투명한 유리 또는 투명한 플라스틱과 같은 절연 기판을 포함 한다.
기판(110) 상에는 산란층(200)이 형성된다. 산란층(200)은 굴절률이 상이한 2이상의 물질로 이루어질 수 있다. 산란층(200)은 2이상의 층으로 이루어질 수 있으며, 2이상의 층이 기판(110)면에 대하여 실질적으로 수직인 방향으로 적층될 수 있다.
산란층(200)은 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층(210, 230, 250), 및 제1 산란층(210, 230, 250) 상에 배치되고 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층(200)을 포함한다. 제1 산란층(210, 230, 250)과 제2 산란층(220, 240)은 서로 교대로 배치되며, 제1 산란층(210, 230, 250)과 제2 산란층(220, 240)은 한 쌍만 배치되는 것이 아니라 제1 산란층(210, 230, 250)과 제2 산란층(220, 240) 중 적어도 하나는 2 이상 배치될 수 있다. 구체적으로 본 실시예의 제1 산란층(210, 230, 250)과 제2 산란층(220, 240)은 2.5쌍 배치될 수 있다. 즉, 제1 산란층(210), 제2 산란층(220), 제1 산란층(230), 제2 산란층(240), 및 제1 산란층(250) 등 5개의 층이 연속으로 적층될 수 있다.
본 실시예에서는 제1 산란층(210, 230, 250)과 제2 산란층(220, 240)이 2.5쌍 배치된 것을 예로들어 설명하였으나, 산란층(200)의 배치가 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 산란층(210, 230, 250)과 제2 산란층(220, 240)의 적층 개수는 이보다 적거나 많을 수 있다.
제1 산란층(210, 230, 250)은 제1 굴절률을 가질 수 있고, 제2 산란층(220, 240)은 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가질 수 있다. 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)은 서로 다른 무기물로 이루어질 수 있다. 제1 산란층(210, 230, 250)은 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있고, 제2 산란층(220, 240)은 예를 들어 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 이 경우 실리콘 산화물을 포함하는 제1 산란층(210, 230, 250)은 약 1.4의 굴절률을 가질 수 있고, 실리콘 질화물을 포함하는 제2 산란층(220, 240)은 약 1.6의 굴절률을 가질 수 있다.
비아홀(300)은 산란층(200)을 관통하도록 형성되어 있으며, 비아홀(300)에는 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 제3 산란물질(125)이 충전될 수 있다. 비아홀(300)은 산란층(200)의 각 층에 복수개 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 비아홀(300)이 산란층(200)의 전체층을 관통하도록 형성된 것을 예로 들어 설명하였으나, 비아홀(300)은 이에 한정되지 않고 산란층(200) 중 일부의 층만을 관통하도록 형성될 수도 있다.
본 실시예의 비아홀(300)은 산란층(200)의 각 층에서의 비아홀(300)의 내경은 상이하다. 구체적으로 설명하면, 비아홀(300)은 각각의 제1 산란층(210, 230, 250)을 관통하도록 형성된 제1 비아홀(310, 330, 350), 및 상기 각각의 제2 산란층(220, 240)을 관통하도록 형성된 제2 비아홀(320, 340)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 비아홀(310, 330, 350)의 제1 내경(w1, w3, w5) 또는 복수의 제2 비아홀(320, 340)의 제2 내경(w2, w4)은 기판(110)과의 이격 거리가 클수록 점점 커질 수 있다. 즉, 기판(110)과 가장 멀리 떨어져 배치된 제1 산란층(250)에 위치하는 제1 비아홀(350)의 제1 내경(w1)은 기판(110)과 가장 인접하게 배치된 제1 산란 층(210)에 위치하는 제1 비아홀(310)의 제1 내경(w5)보다 클 수 있다. 이들 제1 산란층들(210, 250)의 중간에 배치되는 제1 산란층(230)에 위치하는 제1 비아홀(330)의 제1 내경(w3)은 w1보다 작고 w5보다 큰 사이즈를 가질 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 산란층(220, 240) 중 기판(110)과 가장 크게 이격되어 배치된 제2 산란층(240)에 위치하는 제2 비아홀(340)의 제2 내경(w2)은 이보다 기판(110)에 인접하게 배치된 제2 산란층(220)의 제2 비아홀(320)의 제2 내경(w4)보다 클 수 있다.
제2 비아홀(320, 340)의 제2 내경(w2, w4)은 제1 비아홀(310, 330, 350)의 제1 내경(w1, w3, w5)보다 크게 형성될 수 있다. 한편, 비아홀(300)에는 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 제3 산란 물질(125)이 충전될 수 있다. 비아홀(300)에 반드시 제3 산란 물질(125)이 충전되는 것은 아니고 비아홀(300)의 적어도 일부는 비어있을 수 있다.
제3 산란 물질(125)은 컬러필터용 유기물일 수 있다. 제3 산란 물질(125)은 상부에 배치되는 컬러필터층(120)에 상응하도록 레드, 그린, 또는 블루 컬러필터용 유기물로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 한 제3 산란 물질(125)의 종류는 한정되지 않는다.
이에 따라 산란층(200)의 수직 분포는, 굴절률이 서로 다른 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)이 교대로 배치된 X1 컬럼, 제1 산란층(250), 제3 산란 물질(125), 제1 산란층(230), 제3 산란 물질(125), 및 제1 산란층(210)이 연속으로 배치된 X2 컬럼, 제3 산란 물질(125)로만 이루어진 X3 컬럼 등으로 이루어질 수 있다. X1 컬럼, X2 컬럼, 및 X3 컬럼은 기판(110)의 일면과 평행한 방향, 즉 수평 방향으로 배열되어 있다. 결과적으로, 컬러필터층(125)을 통과한 광은 굴절률이 상이한 산란층(200) 및 비아홀(300)에 충전된 제3 산란 물질(125)을 통과하면서 반사 및 굴절을 반복한다. 이 경우 광은 전반사가 일어나는 임계각 이하의 각으로 광이 경로가 변환하여 기판(110) 외부로 광이 출사되는 양이 많아지고, 기판(110)의 일면에 수직한 방향뿐만 아니라 기판(110)의 일면과 경사각을 가지는 방향으로도 광이 출사되어 시야각에 따른 휘도 효율이 향상된다.
도 1a 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수의 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)의 단면 형상은 육각형일 수 있다. 즉, 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)은 육각 기둥 형상을 가질 수 있다. 복수의 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)은 인접한 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)과 일정 간격(d2)으로 이격 배치되어 주기적인 정삼각형 배열을 가질 수 있다. 정삼각형의 꼭지점에 배치된 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)이 연속되어 단위 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)은 중심에 비아홀(250d)이 배치된 육각형 형상의 배열을 가질 수 있다. 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)은 제1 산란층(250) 내에 형성될 수 있다.
여기서, 일 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)의 제1 내경(d1)과 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)간 이격 거리(d2)는 3:2 내지 2:1 일 수 있다. 본 실시예에서 제1 내경(d1)은 예를 들어 3~6㎛이고, 이격 거리(d2)는 2~4㎛일 수 있다. 또한, 삼각형의 꼭지점에 배치된 어느 하나의 비 아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)로부터 삼각형의 밑변까지의 거리(d3)는 4.25~8.75㎛일 수 있다. 이에 따라 광이 산란층(200) 및 비아홀(350a, 350b, 350c, 350d, 350e, 350f, 350g)을 통과하면서 산란되어 휘도 효율 및 색재현성이 향상된다.
도 1b 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예의 제1 변형례에 따른 표시 장치의 비아홀(351) 및 산란층(251a, 251b, 251c, 251d, 251e, 251f, 251g)의 배치는 본 발명의 제1 실시예와 상응하는 형상을 가지지만 서로 반대의 위치에 충전될 수 있다. 즉, 육각 기둥 내에는 산란층(251a, 251b, 251c, 251d, 251e, 251f, 251g)이 배치되고, 육각 기둥 외부 공간에 비아홀(351)이 형성되어 제3 산란 물질이 배치될 수 있다. 즉, 본 변형례의 비아홀(351)은, 일정 간격으로 이격 배치되어 주기적인 정삼각형 배열을 가지는 육각 기둥 형상의 외부 영역으로 이루어진다.
도 1b 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예의 제2 변형례에 따른 표시 장치의 비아홀(352)은 사각 기둥을 가질 수 있다. 비아홀(352) 및 산란층(252)의 단면 배치는 주기적인 스트라이프 배열을 가질 수 있다. 복수의 비아홀(352)은 인접한 비아홀(300)과 일정 간격(d5)으로 이격 배치되고, 비아홀(352)은 일정한 내경(d4)을 가진다.
다시, 도 1b를 참조하면, 산란층(200) 상부에는 컬러필터층(120)이 형성되어 있다. 컬러필터층(120)은 레드, 그린, 블루 유기물로 이루어질 수 있다. 컬러필터층(120)은 레드(Red), 그린(Green), 블루(Blue) 유기물이 주기적으로 배치되어 형성될 수 있다. 레드, 그린, 및 블루 유기물은 제1 및 2 굴절률과 상이한 제3 굴절 률을 가진다. 본 실시예에서는 컬러필터층(120)이 레드, 그린, 블루 색상을 가지는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 컬러필터층(120)은 이에 한정되지 아니하고 화이트 색상을 가지는 화이트 유기물로 이루어진 컬러필터층(120)을 더 포함할 수도 있다. 비아홀(300)에 충전된 제3 산란물질(125)은 컬러필터층(120)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
컬러필터층(120)의 상부에는 오버코트층(130)이 배치될 수 있다. 오버코트층(130)은 컬러필터층(120) 상부를 평탄화하는 역할을 한다. 오버코트층(130)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 아크릴 수지(acryl resin), 벤조사이클로부텐(BCB: Benzo Cyclo Butene) 및 페놀 수지(Phenolic resin)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 오버코트층용 유기물로 이루어질 수 있다.
오버코트층(130) 상부에는 표시 패널(140, 150, 160)이 형성된다. 표시 패널(140, 150, 160)은 컬러필터층(120)의 상부에 순차적으로 배치된 애노드 전극(140), 발광층(150), 및 캐소드 전극(160)으로 이루어질 수 있다.
애노드 전극(140)은 일함수(work function)가 높은 금속 또는 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 애노드 전극(140)을 구성하는 물질의 예로는 ITO, IZO 등을 들 수 있다. ITO나 IZO는 일함수가 높을 뿐만 아니라, 그 자체로서 투명하기 때문에 기판(110)의 타면 측으로 발광하는 배면 발광형 유기 전계 발광 다이오드에 바람직하게 사용될 수 있다.
애노드 전극(140)은 화소별로 전기적으로 서로 분리되어 있으며, 각각의 애노드 전극(140)은 적어도 하나의 스위칭 소자(미도시), 예를 들어 박막 트랜지스터 에 의해 독립적으로 구동된다.
발광층(150)은 애노드 전극(140)의 위에 애노드 전극(140)과 오버랩되어 형성된다. 일예로, 도 1b에 도시된 것처럼 애노드 전극(140) 상에 완전히 오버랩되어 형성될 수 있다. 발광층(150)은 알루미늄퀴놀린 복합체(Alq3), 안트라센(Anthracene), 시클로펜타디엔(Cyclo pentadiene), ZnPBO, BAlq (bis(8-hydroxyquinaldine)aluminum biphenoxide) 및 DPVBi((4,4'-bis(2,2-diphenylethen-1-yl)-diphenyl)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 저분자 물질로 형성될 수 있다. 또한 발광층(150)은 폴리티오펜(PT;polythiophene), 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV;poly(pphenylenevinylene)), 폴리페닐렌(PPP;polyphenylene) 및 그들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 고분자 물질로 이루어질 수도 있다. 본 실시예는 발광층(150)으로서 백색 발광층을 예로들어 설명하였으나, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 레드, 그린, 블루 발광층을 포함한다.
발광층(150) 위에는 캐소드 전극(160)이 형성되어 있다. 캐소드 전극(160)은 애노드 전극(140)보다 일함수가 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 캐소드 전극(160)을 구성하는 물질로는 반사성이 높은 MgAg, CaAl 등이 예시될 수 있다. 캐소드 전극(160)은 애노드 전극(140)과는 달리 화소의 구별없이 동일한 전압이 인가될 수 있다.
나아가, 도면에는 도시하지 않았지만, 애노드 전극(140)과 발광층(150) 사이에는 정공 수송층(미도시)이 더 형성될 수 있고, 필요에 따라 애노드 전극(140)과 정공 수송층 사이에 정공 주입층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 마찬가지로, 캐소 드 전극(160)과 발광층(150) 사이에는 전자 수송층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 필요에 따라 캐소드 전극(160)과 전자 수송층 사이에 전자 주입층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
캐소드 전극(160)의 상부에는 봉지 기판(170)이 형성될 수 있다. 봉지 기판(170)은 절연 물질, 예를 들어 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 본 실시예는 배면 발광형 유기 전계 발광 장치를 예로 들어 설명하였으며, 이 경우 봉지 기판(170)은 투명 소재 뿐만 아니라 메탈 등 불투명 소재로 이루어질 수도 있다.
봉지 기판(170)은 기판(110)과 합착되어 산란층(200), 컬러필터층(120), 오버코트층(130), 애노드(anode) 전극(140), 발광층(150), 및 캐소드(cathode) 전극(160)을 밀봉하여, 이들 부재들을 수분으로부터 보호한다. 봉지 기판(170)은 실링재(180)를 매개로 기판(110)과 합착될 수 있다.
봉지 기판(170)은 캐소드 전극(160)과 소정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 봉지 기판(170)과 캐소드 전극(160)의 이격 공간(190)에는 제습제가 배치될 수도 있다. 봉지 기판(170)이 박형 플라스틱으로 이루어진 경우 캐소드 전극(160)과 이격되지 않을 수도 있다. 내투습성을 향상시키기 위하여 봉지 기판(170)은 무기물과 유기물이 적층된 절연층으로 이루어질 수도 있다.
본 실시예는 배면 발광형 유기 전계 발광 다이오드를 예로 들어 설명하였으나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 전면 발광형 유기 전계 발광 다이오드에도 적용된다. 전면 발광형 유기 전계 발광 다이오드에 대해서는 이후의 실시예에서 설명한다. 미설명 부호 100은 봉지 기판(170) 및 기판(110)을 제외한 표시 장치의 단위 소자를 의미한다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 휘도 효율 및 시야각에 따른 평균 휘도를 비교예의 경우와 대비하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 휘도 효율을 비교예와 비교하여 나타낸 그래프이다. 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 평균 휘도를 비교예와 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예 및 본 발명의 제1 실시예의 제1 변형례, 본 발명의 제1 실시예의 제2 변형례의 경우 휘도 효율이 7 cd/A 이상으로 높은 반면, 제1 및 제2 비교예의 경우 상대적으로 휘도 효율이 낮음을 확인할 수 있다. 여기서, 제1 비교예는 기판 상에 형성된 산란층에 비아홀이 형성되지 않은 경우이다. 제2 비교예는 단일 물질로 이루어진 산란층만을 포함하는 경우로, 제2 비교예의 산란층은 산화막으로 이루어진 단일층의 산란층만을 포함하고, 실리콘 질화막으로 이루어진 산란층을 포함하지 않는다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예의 경우 시야각의 증가에 따른 평균 휘도의 감소가 제1 비교예에 비해 상대적으로 적음을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 제1 실시예의 경우 비아홀이 주기적인 패턴으로 형성되지 않은 제1 비교예에 비해 시야각에 따른 평균 휘도가 큼을 확인할 수 있다.
이하, 도 1a, 도 1b 및 도 8 내지 도 14를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 8 내지 도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 단면도 이다. 설명의 편의상, 이하의 실시예들에서는 상기 제1 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략하거나 간략화한다.
먼저, 도 8을 참조하면, 기판(110)을 제공하고, 기판(110) 상에 산란층(200)을 제공한다. 산란층(200)을 제공하는 단계는 기판(110) 상에 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층(210, 230, 250), 및 제1 산란층(210, 230, 250) 상에 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층(220, 240)을 교대로 배치하는 단계를 포함한다. 본 실시예는 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)을 2.5쌍 배치한 경우를 예로 들어 설명하였으나, 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)의 적층수는 이에 한정되는 것이 아니다.
제1 산란층(210, 230, 250)은 예를 들어 실리콘 산화막을 화학 기상 증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)시켜 형성할 수 있다. 제2 산란층(220, 240)은 예를 들어 실리콘 질화막을 화학 기상 증착시켜 형성할 수 있다.
이어서, 도 9를 참조하면, 본 실시예의 산란층(200)의 최상부는 제1 산란층(250)으로 이루어질 수 있다. 제1 산란층(250)을 식각하여 제1 산란층(250)을 관통하도록 제1 비아홀(350)을 형성한다. 제1 산란층(250)은 제2 산란층(240)에 대하여 식각 선택비를 가지는 제1 식각 가스를 이용하여 식각할 수 있다. 제1 산란층(250)이 실리콘 산화막이고, 제2 산란층(240)이 실리콘 질화막인 경우 제1 식각 가스는 C4H8+H2일 수 있다. 복수의 제1 비아홀(350)을 형성하는 단계는 제1 폭을 가 지는 개구부가 제2 간격으로 주기적으로 배치된 식각 마스크를 이용하여 수행할 수 있고, 상기 제1 폭과 제2 간격의 비는 3:2 내지 2:1일 수 있다.
이어서, 도 10을 참조하면, 제2 산란층(240)을 식각하여 제2 산란층(240)을 관통하도록 제2 비아홀(340)을 형성한다. 제2 산란층(240)은 제1 산란층(250)에 대하여 식각 선택비를 가지는 제2 식각 가스를 이용하여 식각할 수 있다. 제1 산란층(250)이 실리콘 산화막이고, 제2 산란층(240)이 실리콘 질화막인 경우 제2 식각 가스는 CF4+O2일 수 있다. 제2 산란층(240) 식각 시 식각 시간을 늘려 제2 산란층(240)이 과식각 되도록 한다. 제2 식각 가스가 제1 산란층(250)에 대해서 식각 선택비를 가지므로, 식각 시간을 늘려주면 제2 산란층(240)이 수평 방향으로 과식각되어 제2 비아홀(340)의 제2 내경이 제1 비아홀(350)의 제1 내경보다 커진다.
도 11을 참조하면, 도 9에서 이용한 제1 식각 가스를 이용하여 제1 산란층(230)을 식각하여 제1 비아홀(330)을 형성한다. 이 경우, 최상부의 제1 비아홀(350)은 제1 식각 가스에 오래 노출되므로 제1 비아홀(330)보다 큰 내경을 가질 수 있다.
도 12를 참조하면, 도 10에서 이용한 제2 식각 가스를 이용하여 제2 산란층(220)을 식각하여 제2 비아홀(320)을 형성한다. 이 경우 도 10에서 형성된 제2 비아홀(340)은 제2 식각 가스에 오래 노출되므로 제2 비아홀(320)보다 큰 내경을 가질 수 있다.
도 13을 참조하면, 도 9 및 도 11에서 이용한 제1 식각 가스를 이용하여 제1 산란층(210)을 식각하여 제1 비아홀(310)을 형성한다. 이 경우, 최상부의 제1 비아홀(350)은 제1 식각 가스에 오래 노출되므로 제1 비아홀(330)보다 큰 내경을 가질 수 있고, 제1 비아홀(330)은 최하부의 제1 비아홀(310)보다 큰 내경을 가질 수 있다. 즉, 기판(110)으로부터의 이격 거리가 가장 큰 제1 비아홀(350)의 제1 내경(w1)이 가장 크고, 기판(110)으로부터의 이격 거리가 가장 작은 제1 비아홀(310)의 제1 내경(w5)의 내경이 가장 작으며, 이들의 중간에 위치한 제1 비아홀(330)의 제1 내경(w3)은 중간 크기를 가진다.
한편, 기판(110)으로부터의 이격 거리가 가장 큰 제2 비아홀(340)의 제2 내경(w2)이 가장 크고, 기판(110)으로부터의 이격 거리가 가장 작은 제2 비아홀(320)의 제2 내경(w4)의 내경이 가장 작다. 한편, 제2 산란층(220, 240)을 과식각 하여 제2 내경(w2, w4)은 제1 내경(w1, w3, w5)보다 크게 형성하는 점은 상술한 바와 같다.
상술한 바와 같이 복수의 비아홀(300)을 형성하는 단계는, 제2 산란층(220, 240)에 대해 식각 선택비를 가지는 제1 식각 가스를 이용하여 제1 산란층(210, 230, 250)을 식각하는 단계와 제1 산란층(210, 230, 250)에 대해 식각 선택비를 가지는 제2 식각 가스를 이용하여 제2 산란층(220, 240)을 식각하는 단계를 교대로 수행한다. 제1 식각 가스 및 제2 식각 가스를 이용한 식각 공정은 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)의 개수만큼 수행할 수 있다.
도 14를 참조하면, 상술한 바와 같이 비아홀(300)을 형성한 이후, 산란층(200) 중 최상부의 산란층(200)의 바로 위에 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴 절률을 가지는 컬러 유기물로 이루어진 컬러필터층(120)을 형성한다. 컬러필터층(120)은 스핀 코팅(spin coating), 잉크젯(ink jet)법, 또는 화학 기상 증착 등의 공지된 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 이 경우, 비아홀(300)에는 컬러 유기물이 충전된다.
이어서, 도 1b를 참조하면, 컬러필터층(120) 상에 예를 들어 스핀 코팅 등의 방식을 이용하여 오버코트층(130)을 형성한다.
이어서, 예를 들어 스퍼터링(sputtering)법 등을 이용하여 애노드 전극(140)을 형성한다. 이어서, 애노드 전극(140) 상에 발광층(150)을 형성하고, 발광층(150) 상에 예를 들어 캐소드 전극(160)을 형성한다.
이어서, 도 1a를 참조하면, 캐소드 전극(160) 상에 봉지 기판(170)을 배치하고, 실링재(180)를 이용하여 봉지 기판(170)과 기판(110)을 합착시켜 표시 장치를 완성한다.
이하, 도 15를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 실시예의 산란층(200) 상부에는 컬러필터층(미도시)이 형성되어 있지 않고, 최상부의 산란층(250)의 바로 위에는 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제4 굴절률을 가지는 오버코트층 용 유기물로 이루어진 오버코트층(133)이 형성되어 있다.
비아홀(300)에는 오버코트층 용 유기물(135)이 충전되어 산란층(200)과 함께 광의 산란을 유도하여 시야각에 따른 휘도를 향상시키는 역할을 한다.
이하, 도 8 내지 도 13, 도 15 및 도 16을 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 16은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 8 내지 도 13에서 설명한 공정을 이용하여 산란층(200) 및 비아홀(300)을 형성한다.
이어서, 도 16을 참조하면, 산란층(200) 상에 오버코트층 용 유기물로 이루어진 오버코트층(133)을 형성한다. 이 경우 비아홀(300)에는 오버코트층 용 유기물(135)이 충전된다.
이어서, 도 15를 참조하면, 오버코트층(133) 상에 애노드 전극(140)을 형성하고, 애노드 전극(140) 상에 레드, 그린, 블루 유기물로 이루어진 발광층(153)을 형성한다. 이어서, 발광층(153) 상에 캐소드 전극(160)을 형성하여 표시 패널을 완성한다.
이하, 도 17 및 도 18을 참조하여, 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 17은 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다. 도 18은 도 17의 X' 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 실시예의 비아홀(304)은 균일한 내경을 가지도록 형성된다. 즉, 제2 산란층(220, 240)에 형성된 제2 비아홀의 제2 내경은 제1 산란층(210, 230, 250)에 형성된 제1 비아홀의 제1 내경과 실질적으로 동일하다.
비아홀(304)에는 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 비아홀(300)에는 제3 산란 물질(125)이 충전될 수 있다. 본 실시예에서 제3 산란 물질은 컬러필터용 유기물일 수 있다.
도 18을 참조하면, 산란층(200)의 수직 분포는, 굴절률이 서로 다른 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)이 교대로 배치된 X1' 컬럼, 제3 산란 물질(125)로만 이루어진 X3' 컬럼 등으로 이루어질 수 있다. X1' 컬럼, 및 X3' 컬럼은 기판(110)의 일면과 평행한 방향, 즉 수평 방향으로 배열되어 있다. 결과적으로, 컬러필터층(125)을 통과한 광은 굴절률이 상이한 산란층(200) 및 비아홀(300)에 충전된 제3 산란 물질(125)을 통과하면서 반사 및 굴절을 반복하여 기판(110)의 일면과 경사각을 가지는 방향으로 많은 양의 광이 출사되어 시야각에 따른 휘도 효율이 향상된다.
이하, 도 17, 도 19 및 도 20을 참조하여, 본 발명의 제6 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 19를 참조하면, 기판(110)을 제공하고, 기판(110) 상에 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층(210, 230, 250), 및 제1 산란층(210, 230, 250) 상에 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층(220, 240)을 교대로 배치하여 산란층(200)을 제공한다.
이어서, 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)에 대해 식각 선택비를 가지지 않는 식각 가스를 이용하여 상기 제1 산란층(210, 230, 250) 및 제2 산란층(220, 240)을 교대로 식각한다. 이 경우 비아홀(300)은 산란층(200)의 각 층에서 균일한 내경을 가지도록 형성된다.
이어서, 도 20을 참조하면, 산란층(200) 상에 산란층(200) 중 최상부의 산란층(200)의 바로 위에 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 컬러 유기물로 이루어진 컬러필터층(120) 형성한다. 이 경우 균일한 내경을 가지는 비아홀(300) 내부에는 컬러필터용 컬러 유기물(125)이 충전된다.
이어서, 도 17을 참조하면, 컬러필터층(120) 상에 오버코트층(130), 애노드 전극(140), 발광층(150), 및 캐소드 전극(160)을 순차 형성하여 표시 패널을 완성한다.
이하, 도 21을 참조하여, 본 발명의 제7 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 21은 본 발명의 제7 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
본 실시예는 오버코트층(130) 상에 굴절층(420)을 형성하는 점을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예와 동일하다.
굴절층(420)은 제3 굴절률을 가지는 제1 굴절층(410, 430)과 제4 굴절률을 가지는 제2 굴절층(420)을 포함한다. 제3 및 제4 굴절률을 각각 제1 굴절률 및 제2 굴절률과 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다. 제1 굴절층(410, 430)은 제1 두께(t1, t3)를 가질 수 있고, 제2 굴절층(420)은 제2 두께(t2)를 가질 수 있다. 제1 두께(t1, t3)와 제2 두께(t2)는 상이할 수 있다. 즉, 제1 두께(t1, t3)는 두께보다 두꺼울 수 있다. 여기서 t1과 t3는 동일하거나 상이할 수 있다.
제1 굴절층(410, 430)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있고, 제2 굴절층(420) 은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
본 실시예는 굴절층(420)의 두께를 조절하여 정면으로 출사되는 광의 휘도를 향상시키는 한편, 기판(110) 상에 배치된 산란층(200)을 이용하여 시야각에 따른 휘도 상승의 효과도 얻을 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 14 및 도 21 내지 도 23을 참조하여, 본 발명의 제8 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 22 및 도 23은 본 발명의 제8 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 8 내지 도 14에서 설명한 공정을 이용하여 기판(110) 상에 산란층(200), 컬러필터층(120)을 형성한다.
이어서, 도 22를 참조하면, 컬러필터층(120) 상에 오버코트층(130)을 형성한다.
이어서, 도 23을 참조하면, 오버코트층(130) 상에 제1 두께(t1)로 제1 굴절층(410, 430)을 형성하고, 제1 굴절층(410, 430) 상에 제2 두께(t2)로 제2 굴절층(420)을 형성한다. 이어서, 제2 굴절층(420) 상에 제3 두께(t3)로 제1 굴절층(410, 430)을 형성한다.
이어서, 도 21을 참조하면, 굴절층(420) 상에 애노드 전극(140), 발광층(150), 및 캐소드 전극(160)을 형성하여 표시 패널을 완성한다.
이하, 도 24a 및 도 24b를 참조하여, 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 24a는 봉지 기판을 포함하는 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다. 도 24b는 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 24a 및 도 24b를 참조하면, 본 실시예의 표시 장치는 전면 발광형 유기 전계 발광 장치를 예로 들어 설명한다. 본 실시예의 봉지 기판(170)은 캐소드 전극(160)과 이격되어 형성되어 기판(110)과 합착된다.
본 실시예의 산란층(200)은 캐소드 전극(160)과 봉지 기판(170)의 이격 공간(198)에 배치된 점을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예와 동일하다.
본 실시예의 애노드 전극(140)은 반사성 물질, 예를 들어 Ag, Al 등의 물질로 형성시켜, 캐소드 전극(160)측으로 광을 반사시킨다. 본 실시예의 캐소드 전극(160)은 애노드 전극(140)으로부터 출사된 광을 투과하도록 투명 전극으로 이루어질 수 있다. 구체적으로 캐소드 전극(160)은 일함수 및 광투과도를 고려하여, 예를 들어 얇은 박막으로 이루어진 Ag를 포함할 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 13, 도 24a, 도 24b 및 도 25를 참조하여, 본 발명의 제10 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 25는 본 발명의 제10 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 25를 참조하면, 기판(110) 상에 컬러필터층(120), 오버코트층(130), 애노드(anode) 전극(140), 발광층(150), 및 캐소드(cathode) 전극(160)을 형성한다.
이어서, 캐소드 전극(160) 상에 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층(210, 230, 250), 및 제1 산란층(210, 230, 250) 상에 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층(220, 240)을 교대로 배치한다.
이어서, 도 8 내지 도 13에서 설명한 공정을 이용하여 산란층(200)을 관통하 는 비아홀(300)을 형성하여 도 24b의 표시 장치를 제공한다. 본 실시예의 비아홀(300)은 내부가 비어있을 수 있다.
이어서, 도 24a를 참조하면, 산란층(200) 상에 봉지 기판(170)을 배치하고 기판(110)과 합착하여 표시 장치를 완성한다.
본 실시예에서는 캐소드 전극(160) 상에 산란층(200)을 형성한 후 산란층(200) 상에 봉지 기판(170)을 배치하고 봉지 기판(170)을 기판(110)과 합착하는 공정을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
즉, 먼저 봉지 기판(170) 상에 산란층(200)을 형성한 후, 이 결과물을 캐소드 전극(160)이 형성된 기판(110)h가 합착할 수도 있는 등 본 발명은 다양한 변형이 가능하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1a는 봉지 기판을 포함하는 본 발명의 제1, 3, 5, 7 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다.
도 1b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 2는 도 1b의 X 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1b의 Y-Y'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 수평 단면도이다.
도 4는 도 1b의 Y-Y'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예의 제1 변형례에 따른 에 따른 표시 장치의 수평 단면도이다.
도 5는 도 1b의 Y-Y'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예의 제2 변형례에 따른 에 따른 표시 장치의 수평 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 휘도 효율을 비교예와 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 평균 휘도를 비교예와 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 8 내지 도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 18은 도 17의 X' 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 제6 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 제7 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 22 및 도 23은 본 발명의 제8 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 24a는 봉지 기판을 포함하는 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다.
도 24b는 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 25는 본 발명의 제10 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
110: 기판 120: 컬러필터층
125: 제3 산란 물질 130: 오버코트층
140: 애노드 전극 150: 발광층
160: 캐소드 전극 200: 산란층
210, 230, 250: 제1 산란층 220, 240: 제2 산란층
300, 304: 비아홀 310, 330, 350: 제1 비아홀
320, 340: 제2 비아홀 400: 굴절층
410, 430: 제1 굴절층 420: 제2 굴절층

Claims (30)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층, 및 상기 제1 산란층 상에 배치되고 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층이 교대로 배치된 산란층;
    상기 산란층을 관통하도록 형성된 복수의 비아홀; 및
    상기 기판 상에 배치된 발광층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 산란층은 실리콘 산화물을 포함하고,
    상기 제2 산란층은 실리콘 질화물을 포함하는 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 비아홀에 충전되고, 상기 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 제3 산란 물질을 더 포함하는 표시 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 비아홀은 육각 기둥 형상이고,
    상기 복수의 비아홀은 인접한 상기 비아홀과 일정 간격으로 이격 배치되어 주기적인 정삼각형 배열을 가지는 표시 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 비아홀은, 일정 간격으로 이격 배치되어 주기적인 정삼각형 배열을 가지는 육각 기둥 형상의 외부 영역으로 이루어지는 표시 장치.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 비아홀은 사각 기둥 형상이고,
    상기 제1 또는 제2 산란층과 상기 비아홀이 주기적인 스트라이프 배열을 가지도록 상기 복수의 비아홀은 인접한 상기 비아홀과 일정 간격으로 이격 배치된 표시 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 산란층은 한 쌍의 상기 제1 및 제2 산란층 상에 배치된 적어도 하나의 제1 산란층 또는 제2 산란층을 더 포함하고,
    상기 비아홀은 상기 각각의 제1 산란층을 관통하도록 형성된 제1 비아홀, 및 상기 각각의 제2 산란층을 관통하도록 형성된 제2 비아홀을 포함하고,
    상기 복수의 제1 비아홀의 제1 내경 또는 상기 복수의 제2 비아홀의 제2 내경은 상기 기판과의 이격 거리가 클수록 점점 커지는 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 비아홀은 상기 제1 산란층을 관통하도록 형성된 제1 비아홀, 및 상기 제2 산란층을 관통하도록 형성된 제2 비아홀을 포함하고,
    상기 제2 비아홀의 제2 내경은 상기 제1 비아홀의 제1 내경보다 큰 표시 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 비아홀은 상기 제1 산란층을 관통하도록 형성된 제1 비아홀, 및 상기 제2 산란층을 관통하도록 형성된 제2 비아홀을 포함하고,
    상기 제2 비아홀의 제2 내경은 상기 제1 비아홀의 제1 내경과 실질적으로 동일한 표시 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 산란층 중 최상부의 상기 산란층의 바로 위에 형성되고, 상기 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 컬러 유기물로 이루어진 컬러필터층을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 컬러 유기물은 상기 비아홀에 충전된 표시 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 산란층 중 최상부의 상기 산란층의 바로 위에 형성되고, 상기 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제4 굴절률을 가지는 오버코트층 용 유기물로 이루어진 오버코트층을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 오버코트층 용 유기물은 상기 비아홀에 충전된 표시 장치.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 오버코트층 상에 형성되고,
    상기 발광층은 레드, 그린, 블루 유기물로 이루어진 표시 장치.
  15. 제 1항에 있어서,
    제1 두께로 상기 산란층 상에 형성되고 제3 굴절률을 가지는 제1 굴절층, 및 상기 제1 두께와 상이한 제2 두께로 상기 산란층 상에 형성되고 상기 제3 굴절률과 상이한 제4 굴절률을 가지는 제2 굴절층이 교대로 배치된 굴절층을 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 발광층 상에 배치된 캐소드 전극; 및
    상기 캐소드 전극 상에 배치되고 상기 기판과 합착되는 봉지 기판을 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 캐소드 전극과 상기 봉지 기판이 서로 이격되어 형성된 이격 공간을 더 포함하고,
    상기 산란층은 상기 이격 공간에 배치되는 표시 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 투명 전극으로 이루어진 표시 장치.
  19. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 굴절률을 가지는 제1 산란층, 및 상기 제1 산란층 상에 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가지는 제2 산란층을 교대로 배치하는 단계를 포함하는 산란층을 제공하는 단계;
    상기 산란층을 관통하도록 복수의 비아홀을 형성하는 단계; 및
    상기 기판 상에 발광층을 배치하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 복수의 비아홀을 형성하는 단계는, 상기 제2 산란층에 대해 식각 선택 비를 가지는 제1 식각 가스를 이용하여 상기 제1 산란층을 식각하는 단계와 상기 제1 산란층에 대해 식각 선택비를 가지는 제2 식각 가스를 이용하여 상기 제2 산란층을 식각하는 단계를 교대로 수행하는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 비아홀은 상기 각각의 제1 산란층을 관통하도록 형성된 복수의 제1 비아홀, 및 상기 각각의 제2 산란층을 관통하도록 형성된 복수의 제2 비아홀을 포함하고,
    상기 산란층 중 최상부의 상기 산란층은 상기 제1 산란층이고,
    상기 제2 식각 가스를 이용하여 상기 제2 산란층을 식각하는 단계는 상기 제2 비아홀의 제2 내경이 상기 제1 비아홀의 제1 내경보다 커지도록 상기 제2 산란층을 과식각하는 단계인 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제 20항에 있어서,
    상기 제1 산란층은 실리콘 산화물을 포함하고,
    상기 제2 산란층은 실리콘 질화물을 포함하고,
    상기 제1 식각 가스는 C4H8+H2를 포함하고,
    상기 제2 식각 가스는 CF4+O2를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제 19항에 있어서,
    상기 복수의 비아홀을 형성하는 단계는,
    상기 제1 산란층 및 제2 산란층에 대해 식각 선택비를 가지지 않는 식각 가스를 이용하여 상기 제1 및 제2 산란층을 교대로 식각하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 비아홀은 상기 제1 산란층을 관통하도록 형성된 제1 비아홀, 및 상기 제2 산란층을 관통하도록 형성된 제2 비아홀을 포함하고,
    상기 제2 비아홀의 제2 내경은 상기 제1 비아홀의 제1 내경과 실질적으로 동일한 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제 19항에 있어서,
    상기 비아홀을 형성한 이후, 상기 산란층 중 최상부의 상기 산란층의 바로 위에 상기 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제3 굴절률을 가지는 컬러 유기물로 이루어진 컬러필터층을 형성하는 것을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제 19항에 있어서,
    상기 비아홀을 형성한 이후, 상기 산란층 중 최상부의 상기 산란층의 바로 위에 상기 제1 및 제2 굴절률과 상이한 제4 굴절률을 가지는 오버코트층 용 유기물 로 이루어진 오버코트층을 형성하는 것을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 오버코트층 상에 상기 발광층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 발광층은 레드, 그린, 블루 유기물로 이루어진 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제 19항에 있어서,
    제3 굴절률을 가지는 제1 굴절층을 제1 두께로 상기 산란층 상에 형성하는 단계, 및 상기 제3 굴절률과 상이한 제4 굴절률을 가지는 제2 굴절층을 상기 제1 두께와 상이한 제2 두께로 상기 제1 굴절층 상에 형성하는 단계를 교대로 수행하는 굴절층 형성 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제 19항에 있어서,
    상기 발광층 상에 캐소드 전극을 배치하는 단계; 및
    상기 캐소드 전극 상에 봉지 기판을 배치하고 상기 기판과 합착시키는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 산란층을 제공하는 단계 이전에 수행하고,
    상기 캐소드 전극과 상기 봉지 기판이 서로 이격되어 형성된 이격 공간을 더 포함하고,
    상기 산란층은 상기 이격 공간에 배치되는 표시 장치의 제조 방법.
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