KR20100052805A - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.
유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic light emitting display device used in an organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes positioned on a substrate.
유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.The organic light emitting display includes a top emission type, a bottom emission type, or a dual emission type according to a direction in which light is emitted. According to the driving method, it is divided into a passive matrix type and an active matrix type.
유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.When the scan signal, the data signal, and the power are supplied to the plurality of subpixels arranged in a matrix form, the organic light emitting display device may display an image by emitting light of the selected subpixel.
한편, 종래 유기전계발광표시장치 중 일부는 트랜지스터와 유기 발광다이오드를 각각 제1기판과 제2기판에 형성하고 제1기판과 제2기판을 접착부재로 접착 밀봉한 구조가 있다. 이 구조는 제1기판 상에 형성된 트랜지스터와 제2기판 상에 위치하는 유기 발광다이오드 간의 전기적인 연결을 하기 위해 스페이서를 사용하였 다. 그리고 스페이서와 인접하는 영역에는 유기 발광층 상에 형성되는 전극이 서브 픽셀별로 분리 형성될 수 있도록 격벽을 사용하였다. 한편, 이와 같은 구조로 형성된 종래 유기전계발광표시장치의 경우 유기 발광층 상에 전극을 형성할 때, 부유성 이물 등과 같은 미소입자 들이 격벽에 유착 또는 증착되어 인접하는 서브 픽셀 간의 쇼트나 발광 결함을 유발하는 문제가 있어 이의 개선이 요구된다.Meanwhile, some of the conventional organic light emitting display devices have a structure in which a transistor and an organic light emitting diode are formed on a first substrate and a second substrate, and the first substrate and the second substrate are adhesively sealed with an adhesive member. This structure uses spacers for electrical connection between the transistor formed on the first substrate and the organic light emitting diode located on the second substrate. In the region adjacent to the spacer, a partition wall is used so that electrodes formed on the organic emission layer may be separately formed for each subpixel. On the other hand, in the conventional organic light emitting display device having such a structure, when forming an electrode on the organic light emitting layer, microparticles such as floating foreign matters are adhered or deposited on the partition wall, causing short or light emitting defects between adjacent subpixels. There is a problem that needs to be improved.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 부유성 이물 등과 같은 미소입자 들이 격벽에 유착 또는 증착되어 서브 픽셀의 암점 발생 또는 인접하는 서브 픽셀 간의 쇼트나 발광 결함을 유발하는 문제를 방지할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 실시예는 소자의 신뢰성과 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention to solve the above-described problems of the background, a problem that microparticles such as floating foreign matters are adhered or deposited on the partition wall causing dark spots of the subpixels or short or light emitting defects between adjacent subpixels. It is to provide an organic light emitting display device that can prevent the. In addition, an embodiment of the present invention to provide an organic light emitting display device that can improve the reliability and life of the device.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 제1기판과 제1기판과 대향하는 제2기판; 제1기판 상에 위치하는 트랜지스터; 트랜지스터 상에 위치하며 트랜지스터에 포함된 소오스 또는 드레인에 연결된 콘택전극; 제2기판 상에 위치하는 발광부; 발광부에 포함된 하부전극과 상부전극 사이에 위치하여 발광부 간의 영역을 구분하는 기저부와 상부전극과 콘택전극 간의 전기적인 접촉을 돕는 돌출부를 포함하는 스페이서; 및 기저부 상에 위치하며 중앙영역의 내부가 이격되도록 함몰된 패턴부를 갖는 격벽을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.Embodiments of the present invention as a means for solving the above problems, the first substrate and the second substrate facing the first substrate; A transistor positioned on the first substrate; A contact electrode on the transistor and connected to a source or a drain included in the transistor; A light emitting part on the second substrate; A spacer disposed between the lower electrode and the upper electrode included in the light emitting part, the spacer including a base part for distinguishing an area between the light emitting parts and a protrusion to help electrical contact between the upper electrode and the contact electrode; And a partition wall disposed on the base part and having a pattern part recessed so that the inside of the central area is spaced apart from the organic light emitting display device.
격벽은, 중앙영역의 내부가 이격되도록 함몰된 제1패턴부와, 제2패턴부를 포함하며, 중앙영역의 내부는 제2패턴부에 의해 형성된 폭보다 제1패턴부에 의해 형성된 폭이 더 넓을 수 있다.The partition wall includes a first pattern portion and a second pattern portion recessed so that the inside of the central region is spaced apart from each other, and the inside of the central region is wider than the width formed by the second pattern portion. Can be.
격벽은, 하부면적보다 상부면적이 넓은 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.The partition wall may have an inverse taper shape in which the upper area is wider than the lower area.
제1패턴부 및 제2패턴부 중 적어도 하나는, 하부면이 상부면보다 내측으로 인입되도록 패턴될 수 있다.At least one of the first pattern portion and the second pattern portion may be patterned such that the lower surface is drawn inward than the upper surface.
제2패턴부는, 격벽의 하부에 위치하는 기저부의 일부가 노출되도록 패턴될 수 있다.The second pattern portion may be patterned to expose a portion of the base portion positioned below the partition wall.
격벽은, 중앙영역의 내부가 이격되어 기저부의 일부가 노출되도록 패턴되어 제1격벽과 제2격벽으로 구분될 수 있다.The partition wall may be divided into a first partition wall and a second partition wall by patterning the inner portion of the central area to expose a portion of the base part.
돌출부는, 상부면적보다 하부면적이 넓은 부등변사각형일 수 있다.The protruding portion may be an trapezoid having a wider lower area than the upper area.
발광부는, 제2기판 상에 위치하는 하부전극과, 하부전극 상에 위치하는 유기 발광층과, 유기 발광층 상에 위치하는 상부전극을 포함할 수 있다.The light emitting unit may include a lower electrode positioned on the second substrate, an organic emission layer positioned on the lower electrode, and an upper electrode positioned on the organic emission layer.
발광부는, 기저부가 위치하는 영역에 형성되고 제2기판과 하부전극 사이에 위치하는 보조전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting unit may further include an auxiliary electrode formed in a region where the base is located and positioned between the second substrate and the lower electrode.
격벽은, 유기물, 무기물 또는 유/무기 복합물 중 어느 하나일 수 있다.The partition wall may be any one of an organic material, an inorganic material, and an organic / inorganic composite.
본 발명의 실시예는, 부유성 이물 등과 같은 미소입자 들이 격벽에 유착 또는 증착되어 서브 픽셀의 암점 발생 또는 인접하는 서브 픽셀 간의 쇼트나 발광 결함을 유발하는 문제를 방지할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 소자의 신뢰성과 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an organic light emitting display device capable of preventing a problem that microparticles, such as floating foreign matters, are adhered or deposited on a partition wall to cause dark spots of subpixels or short or light emission defects between adjacent subpixels. Has the effect of providing. In addition, the embodiment of the present invention has the effect of providing an organic light emitting display device that can improve the reliability and life of the device.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the specific content for the practice of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도 이다.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 트랜지스터를 포함하는 제1기판(110)과 발광부를 포함하는 제2기판(180)을 포함할 수 있다. 또한, 제1기판(110) 상에 위치하는 소자들에 구동신호를 공급하는 구동부(160)를 포함할 수 있다. 또한, 외부로부터 공급되는 각종 신호를 전달하도록 외부회로기판과 연결되는 패드부(170)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include a
제1 및 제2기판(110, 180)은 투광성 또는 비투광성 재료로 형성될 수 있다. 제1 및 제2기판(110, 180)의 재료로는 유리, 금속, 세라믹 또는 플라스틱(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.The first and
표시부(AA)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀(SP)을 포함할 수 있다. 복수의 서브 픽셀(SP) 각각은 제1기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터와, 제2기판(180) 상에 위치하는 발광부를 포함할 수 있다. 제1기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터와 제2기판(180) 상에 위치하는 발광부는 제1기판(110)과 제2기판(180)이 합착 밀봉되면 상호 전기적으로 연결된다. 한편, 제1기판(110) 상에는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터는 물론 커패시터가 위치하고, 이들에 전기적으로 연결된 스캔 배선, 데이터 배선, 제1전원 배선 및 제2전원 배선을 포함하는 복수의 배선들이 위치한다. 그리고 제2기판(180) 상에는 하부전극, 유기 발광층 및 상부전극을 포함하는 발광부는 물론 상부전극과 하부전극 간의 전기적인 연결을 돕는 스페이서가 위치한다.The display unit AA may include a plurality of sub pixels SP arranged in a matrix form. Each of the plurality of sub-pixels SP may include a transistor positioned on the
구동부(160)는 표시부(AA)에 포함된 복수의 서브 픽셀(SP)에 데이터신호와 스캔신호를 공급하는 데이터구동부와 스캔구동부를 포함할 수 있다. 데이터구동부는 외부로부터 수평 동기 신호 및 영상 데이터신호를 공급받고 수평 동기 신호를 참조하여 데이터신호 등을 생성할 수 있다. 그리고 스캔구동부는 외부로부터 수직 동기 신호를 공급받고 수직 동기 신호를 참조하여 복수의 서브 픽셀(SP)에 공급할 스캔신호 및 제어신호 등을 생성할 수 있다. 여기서, 구동부(160)에 포함된 데이터구동부와 스캔구동부는 제1기판(110) 상에 각각 구분되어 위치할 수도 있다.The
이하, 단면도를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the cross-sectional view.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도 1의 X-X 영역의 단면도 이다.2 is a cross-sectional view of the region X-X of FIG. 1 in accordance with an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 제1기판(110) 상에는 게이트(102)가 위치할 수 있다. 게이트(102)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(102)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크 롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(102)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.Referring to FIG. 2, a
게이트(102) 상에는 제1절연막(103)이 위치할 수 있다. 제1절연막(103)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first
제1절연막(103) 상에는 액티브층(104)이 위치할 수 있다. 액티브층(104)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(104)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(104)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함할 수도 있다.The
액티브층(104) 상에는 액티브층(104)과 접촉하는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 위치할 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄 -네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.The
소오스(105a) 및 드레인(105b) 상에는 제2절연막(106)이 위치할 수 있다. 제2절연막(106)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(106)은 패시베이션막 또는 평탄화막일 수 있다.The second
제2절연막(106) 상에는 소오스(105a) 또는 드레인(105b)에 연결된 콘택전극(107a, 107b)이 위치할 수 있다. 콘택전극(107a, 107b)은 도시된 바와 같이 복층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
이상은 제1기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터(DT)가 바탐 게이트형 인 것을 일례로 설명하였다. 그러나, 제1기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터(DT)의 구조는 이에 한정되지 않고 탑 게이트형으로도 형성될 수 있다.As described above, the transistor DT positioned on the
제2기판(180) 상에는 하부전극(122)이 위치할 수 있다. 하부전극(122)은 애노드 또는 캐소드로 선택될 수 있다. 하부전극(122)이 애노드로 선택된 경우, 애노드의 재료로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), AZO(ZnO doped Al2O3) 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
하부전극(122) 상에는 하부전극(122)의 일부를 노출하는 기저부(123a)와 기저부(123a)보다 돌출된 돌출부(123b)를 포함하는 스페이서(123a, 123b)를 포함할 수 있다. 스페이서(123a, 123b)는 유기물, 무기물 또는 유/무기 복합물 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The
기저부(123a) 상에는 중앙영역의 내부가 이격되도록 함몰된 패턴부를 갖는 격벽(125)이 위치할 수 있다. 격벽(125)은 유기물, 무기물 또는 유/무기 복합물 중 어느 하나로 형성될 수 있다.On the
하부전극(122) 상에는 격벽(125)에 의해 분리 형성된 유기 발광층(126)이 위치할 수 있다. 유기 발광층(126)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층을 포함할 수 있다.The
유기 발광층(126) 상에는 격벽(125)에 의해 분리 형성된 상부전극(127)이 위치할 수 있다. 상부전극(127)은 애노드 또는 캐소드로 선택될 수 있다. 하부전극(127)이 캐소드로 선택된 경우, 캐소드의 재료로는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 알미네리윰(AlNd) 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 하부전극(127)이 캐소드로 선택된 경우, 캐소드의 재료로는 반사도가 높은 재료로 형성하는 것이 유리하다.The
한편, 제2기판(180) 상에 형성된 발광부(EL)는 기저부가(123a) 위치하는 영역에 형성되고 제2기판(180)과 하부전극(122) 사이에 위치하는 보조전극(121)을 더 포함할 수 있다. 보조전극(121)은 하부전극(122)과 접촉하여 하부전극(122)을 통해 공급되는 전원이 강하하지 않도록 금속재료로 형성될 수 있다. 보조전극(121)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Meanwhile, the light emitting part EL formed on the
이상 트랜지스터(DT)를 포함하는 제1기판(110)과 발광부(EL)를 포함하는 제2기판(180)은 접착부재 등에 의해 합착 밀봉된다. 여기서, 제1기판(110)과 제2기 판(180)이 합착 밀봉되면 제1기판(110) 상에 위치하는 콘택전극(197a, 107b)과 제2기판(180) 상에 위치하는 상부전극(127)은 상부전극(127)의 하부에 위치하는 돌출부(123b)에 의해 전기적으로 연결되는 구조를 갖게 된다. 즉, 돌출부(123b)의 경우 콘택전극(197a, 107b)과 상부전극(127) 간의 전기적인 접촉을 돕는 구조물 역할을 한다. 여기서, 제1기판(110) 상에 도시된 트랜지스터(DT)는 구동 트랜지스터를 나타낸다.The
제2기판(180) 상에 위치하는 돌출부(123b)의 경우, 제2기판(180) 상에 형성되는 유기 발광층(126)과 상부전극(127)이 하나의 서브 픽셀을 정의하는 영역 내에서 분리되지 않고 증착될 수 있도록 상부면적보다 하부면적이 넓은 부등변사각형 형태로 형성될 수 있다. 이와 달리, 격벽(125)의 경우, 제2기판(180) 상에 형성되는 유기 발광층(126)과 상부전극(127)이 하나의 서브 픽셀을 정의하는 영역별로 구분되어 형성되도록 함몰된 패턴부를 가질 수 있다. 격벽(125)의 구조에 대한 설명은 이하에서 더욱 자세히 한다.In the case of the
한편, 제1기판(110)과 제2기판(180)이 합착 밀봉될 때, 제1기판(110) 상에 위치하는 제1전원배선과 제2기판(180) 상에 위치하는 하부전극(122)은 전기적으로 연결될 수 있는데, 제1전원배선과 하부전극(122)도 돌출부(123b)와 같은 구조물에 의해 도움을 받아 상호 전기적으로 연결될 수 있다.Meanwhile, when the
이하, 도 3을 참조하여 발광부(EL)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the light emitting unit EL will be described in more detail with reference to FIG. 3.
도 3은 발광부의 계층 구조 예시도 이다.3 is a diagram illustrating a hierarchical structure of a light emitting unit.
도 3에 도시된 바와 같이, 발광부는 하부전극(122), 정공주입층(126a), 정공수송층(126b), 발광층(126c), 전자수송층(126d), 전자주입층(126e) 및 상부전극(127)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the light emitting unit includes a
정공주입층(126a)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
정공수송층(126b)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
발광층(126c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.The
발광층(126c)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the
발광층(126c)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the
발광층(126c)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the
전자수송층(126d)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
전자주입층(126e)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
여기서, 본 발명의 실시예는 도 3에 한정되는 것은 아니며, 정공주입 층(126a), 정공수송층(126b), 전자수송층(126d), 전자주입층(126e) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다.Here, the embodiment of the present invention is not limited to FIG. 3, and at least one of the
이하, 도 4를 참조하여 격벽(125)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the
도 4는 실시예에 따른 격벽의 단면 예시도 이다.4 is a cross-sectional view of a partition wall according to an embodiment.
도 4를 참조하면, 격벽(125)은 도시된 바와 같이 하부면적보다 상부면적이 넓은 역테이퍼 형상을 가질 수 있다. 그리고 격벽(125) 중앙영역의 내부가 이격되도록 함몰된 제1패턴부(P1)와, 제2패턴부(P2)를 포함할 수 있다. 제2패턴부(P2)는 격벽(125)의 하부에 위치하는 기저부(123a)의 일부가 노출되도록 패턴될 수 있다. 이 경우, 격벽(125)은 중앙영역의 내부가 이격되어 기저부(123a)의 일부가 노출되도록 패턴되어 제1격벽(125a)과 제2격벽(125b)으로 구분된 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 격벽(125)의 중앙영역의 내부는 제2패턴부(P2)에 의해 형성된 폭보다 제1패턴부(P1)에 의해 형성된 폭이 더 넓은 형태로 형성된다.Referring to FIG. 4, the
이상과 같은 구조를 갖는 격벽(125)을 사용하면, 하부전극(122) 상에 유기 발광층(126) 및 상부전극(127)을 증착할 때 부유성 이물 등과 같은 미소입자 들이 격벽(125)에 유착 또는 증착되어 인접하는 서브 픽셀 간의 쇼트나 발광 결함을 유발하는 문제를 방지할 수 있게 된다.When the
이하, 제2기판(180) 상에 위치하는 스페이서(123a, 123b) 상에 격벽(125)을 형성하는 공정에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, a process of forming the
도 5 내지 도 10은 실시예에 의한 격벽 형성 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.5 to 10 are flowcharts illustrating a method of forming a partition wall according to an embodiment.
먼저, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제2기판(180) 상에 보조전극(121)을 형성하고, 보조전극(121) 상에 하부전극(122)을 형성한다.First, as shown in FIGS. 5 and 6, the
다음, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제2기판(180) 상에 하부전극(122)을 덮도록 박막(124)을 형성하고, 제2기판(180)과 이격하도록 하프톤마스크(150)를 얼라인하고 이를 이용하여 박막(124)을 패터닝한다. 여기서, 하프톤마스크(150)의 경우 패턴할 형상에 적합한 금속막(151)이 하부에 부착된다. 하프톤마스크(150)를 이용하여 패터닝할 때, 도시된 바와 같은 형상의 금속막(151)에 의해 "F"영역은 풀 노광, "H"영역은 하프 노광, "D"영역은 차단이 되므로, 박막(124)은 기저부(123a)와 돌출부(123b)를 갖는 스페이서(123a, 123b)로 형성된다.Next, as shown in FIGS. 7 and 8, the
다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 기저부(123a) 상에 박막을 형성하고, 하프톤마스크(150)를 이용하여 박막을 패터닝하면, 중앙영역의 내부가 이격되도록 함몰된 패턴부를 갖는 격벽(125)이 형성된다. 다만, 격벽(125)을 형성할 때 사용되는 하프톤마스크(150)의 경우, 도 9에 도시된 바와 같은 금속막(151)의 구조 외에 다른 것을 사용하면 다른 형상으로 격벽(125)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 9, when the thin film is formed on the
다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 앞서 설명한 격벽(125)이 형성된 경우 제2기판(180) 상에 유기 발광층(126)과 상부전극(127)을 차례로 증착하면, 유기 발광층(126)과 상부전극(127)은 기저부(123a)에 의해 노출된 하부전극(122)의 표면과 돌출부(123b)의 표면에 증착되되 격벽(125)이 형성된 부분에서 각각 분리 된다.Next, as shown in FIG. 10, when the
다른 실시예에 의하면, 격벽(125)은 하프톤마스크(150)에 부착된 금속막(151)의 형태와 노광 정도에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.According to another embodiment, the
도 11 및 도 12는 다른 실시예에 따른 격벽의 구조를 나타낸 도면이다.11 and 12 are views illustrating a structure of a partition wall according to another embodiment.
먼저, 도 11을 참조하면, 격벽(125)의 형상은 앞서 설명한 도 9의 공정에서 실시되는 노광 정도에 따라 기저부(123a)의 일부를 노출하지 않고 일부만 함몰되도록 패턴될 수도 있다.First, referring to FIG. 11, the shape of the
다음, 도 12를 참조하면, 격벽(125)의 형상은 앞서 설명한 도 9의 공정에서 사용되는 하프톤마스크(150)의 금속막(151)의 형태에 따라 기저부(123a)의 일부를 노출하되 제1격벽과 제2격벽 형태로 구분되도록 패턴될 수도 있다.Next, referring to FIG. 12, the shape of the
또 다른 실시예에 의하면, 격벽(125)은 하프톤마스크가 아닌 다른 패턴 방법에 의해서도 다양한 형상으로 형성될 수 있다.According to another embodiment, the
도 13 및 도 14는 또 다른 실시예에 따른 격벽의 구조를 나타낸 도면이다.13 and 14 are views illustrating a structure of a partition wall according to still another embodiment.
도 13의 (a)를 참조하면, 격벽(225)은 제1패턴부(P1)의 경우 하부면이 상부면보다 내측으로 인입되도록 패턴되고 제2패턴부(P2)의 경우 기저부(223a)의 일부를 노출하도록 패턴되어 제1격벽(225a)과 제2격벽(225b)으로 구분된 형상을 가질 수 있다.Referring to FIG. 13A, the
이와 달리, 도 13의 (b)를 참조하면, 격벽(225)은 제1패턴부(P1)의 경우 하부면이 상부면보다 내측으로 인입되도록 패턴되고 제2패턴부(P2)의 경우 기저 부(223a)의 일부를 노출하지 않고 함몰되도록 패턴된 형상을 가질 수 있다.On the contrary, referring to FIG. 13B, the
도 14의 (a)를 참조하면, 격벽(325)은 역테이퍼 형상이 아닌 사각형으로 형성되고 제1패턴부(P1)과 제2패턴부(P2)에 의해 기저부(323a)의 일부를 노출하도록 패턴되어 제1격벽(325a)와 제2격벽(325b)으로 구분된 형상을 가질 수 있다.Referring to FIG. 14A, the
이와 달리, 도 14의 (b)를 참조하면, 격벽(325)은 사각형으로 형성되되 제1패턴부(P1)의 경우 하부면이 상부면보다 내측으로 인입되도록 패턴되고 제2패턴부(P2)의 경우 기저부(323a)의 일부를 노출하도록 패턴되어 제1격벽(325a)과 제2격벽(325b)으로 구분된 형상을 가질 수 있다.On the contrary, referring to FIG. 14B, the
이와 달리, 도 14의 (c)를 참조하면, 격벽(325)은 사각형으로 형성되되 제1패턴부(P1)의 경우 하부면이 상부면보다 내측으로 인입되도록 패턴되고 제2패턴부(P2)의 경우 기저부(323a)의 일부를 노출하지 않고 함몰되도록 패턴된 형상을 가질 수 있다.On the contrary, referring to FIG. 14C, the
도 14의 (b) 및 (c)에서는 제1패턴부(P1)가 하부면이 상부면보다 내측으로 인입되도록 패턴된 것을 도시하였지만 제1패턴부(P1) 및 제2패턴부(P2) 중 적어도 하나의 하부면이 상부면보다 내측으로 인입되도록 패턴될 수 있다.In FIGS. 14B and 14C, the first pattern portion P1 is patterned such that the lower surface is drawn inward from the upper surface, but at least one of the first pattern portion P1 and the second pattern portion P2 is illustrated. One lower surface may be patterned to be drawn inwardly than the upper surface.
이상 본 발명의 실시예는 제1기판 상에 형성된 트랜지스터와 제2기판 상에 형성된 발광부를 포함하는 유기전계발광표시장치에서 사용하는 격벽의 구조를 변경하여 유기 발광층 상에 전극을 형성할 때, 부유성 이물 등과 같은 미소입자 들이 격벽에 유착 또는 증착되어 서브 픽셀의 암점 발생 또는 인접하는 서브 픽셀 간의 쇼트나 발광 결함을 유발하는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 소자의 신뢰성과 수명을 향상시키는 효과가 있다.As described above, an embodiment of the present invention changes the structure of a partition wall used in an organic light emitting display device including a transistor formed on a first substrate and a light emitting portion formed on a second substrate to form an electrode on the organic light emitting layer. Microparticles, such as oily foreign matter, are adhered to or deposited on the partition wall, thereby preventing the problem of generating dark spots of the subpixels or shorting or emission defects between adjacent subpixels. In addition, the embodiment of the present invention has the effect of improving the reliability and life of the device.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도 1의 X-X 영역의 단면도.2 is a cross-sectional view of region X-X of FIG. 1 in accordance with an embodiment of the invention.
도 3은 발광부의 계층 구조 예시도.3 is a diagram illustrating a hierarchical structure of a light emitting unit.
도 4는 실시예에 따른 격벽의 단면 예시도.4 is an exemplary cross-sectional view of a partition wall according to the embodiment.
도 5 내지 도 10은 실시예에 의한 격벽 형성 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도.5 to 10 are process flowcharts for explaining a partition formation method according to an embodiment.
도 11 및 도 12는 다른 실시예에 따른 격벽의 구조를 나타낸 도면.11 and 12 are views showing the structure of a partition wall according to another embodiment.
도 13 및 도 14는 또 다른 실시예에 따른 격벽의 구조를 나타낸 도면.13 and 14 illustrate a structure of a partition wall according to still another embodiment.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
110: 제1기판 102: 게이트110: first substrate 102: gate
107a, 107b: 콘택전극 122: 하부전극107a and 107b: contact electrode 122: lower electrode
123a, 123b: 스페이서 125: 격벽123a and 123b: spacer 125: partition wall
126: 유기 발광층 127: 상부전극126: organic light emitting layer 127: upper electrode
160: 구동부 170: 패드부160: drive unit 170: pad unit
180: 제2기판180: second substrate
Claims (10)
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1020080111666A KR20100052805A (en) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | Organic light emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020080111666A KR20100052805A (en) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | Organic light emitting display device |
Publications (1)
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KR20100052805A true KR20100052805A (en) | 2010-05-20 |
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ID=42278004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080111666A KR20100052805A (en) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | Organic light emitting display device |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20100052805A (en) |
-
2008
- 2008-11-11 KR KR1020080111666A patent/KR20100052805A/en not_active Application Discontinuation
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