KR20100046619A

KR20100046619A - 질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR20100046619A
Application number: KR1020080105538A
Authority: KR
Inventors: 김선운; 한재호
Original assignee: 삼성엘이디 주식회사
Priority date: 2008-10-27
Filing date: 2008-10-27
Publication date: 2010-05-07

Abstract

본 발명은 높은 광 추출효율을 갖는 질화물 반도체 발광소자 구조와 이를 용이하게 제작할 수 있는 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면은, 성장용 기판; 및 상기 성장용 기판 상에 순차 적층된 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 구비하는 발광 구조물을 포함하되, 상기 발광 구조물의 테두리를 따라 상기 발광 구조물과 상기 성장용 기판이 분리되어 있고, 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향 면에 표면 거칠기를 제공하는 요철이 형성된 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

LED, 질화물 반도체, 사파이어

Description

질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법{Nitride Semiconductor Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same}

본 발명은 광 추출효율이 높은 질화물 반도체 발광소자 구조 및 이러한 구조를 형성하기 위한 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 표면에 형성된 요철 패턴에 의해 광 추출효율이 높으면서도 이러한 요철 패턴으로 인한 전기적 특성의 열화가 방지된 질화물 반도체 발광소자와, 그 발광소자를 용이하게 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

질화물 반도체 발광소자(GaN 등의 질화물계 LED 등)가 개발된 후, 디스플레이용 백라이트, 카메라용 플래쉬, 조명 등 다양한 분야에서 질화물 반도체 발광소자가 차세대의 주요 광원으로 주목받고 있다. 질화물 반도체 발광소자의 적용 분야가 확대됨에 따라, 휘도와 발광 효율을 증대시키기 위한 노력이 진행되고 있다. 질화물 반도체 발광소자의 발광 효율(light emitting efficiency)은 내부 양자효율(interal quatum efficiency)과 광 추출효율(extraction efficiency)에 의해 결정된다. 광 추출효율은 사용되는 재료의 굴절율과 표면 혹은 계면 평활 도(flatness)에 의해 결정된다.

질화물계 LED의 본체부(발광 구조물)를 구성하는 질화물 반도체(Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1))는 LED 패키지에 사용되는 봉지제(예컨대, 에폭시 등) 또는 공기 등의 외부 환경에 비해 높은 굴절율을 가지고 있다. 따라서, 이러한 굴절율의 차이로 인해, 발광소자 내부에서 발생된 빛 중 상당 부분은 외부로 추출되지 못하고 소자(칩) 내부의 전반사 과정을 통해 재흡수되어 낮은 추출 효율을 나타낸다. 이러한 광 추출 효율의 저감 문제를 해결하고자 여러 기술이 제안되었다. 예를 들어, 질화물계 LED 구조 자체를 변형하거나 질화물 반도체층 표면 혹은 사파이어 기판 표면에 요철 패턴 등의 표면 텍스쳐(texure)를 형성하는 기술이 제안되었다.

그러나, 일반적으로 질화물 반도체 발광소자 제작시 질화물계 반도체의 성장방향은 Ga-극성(Ga-polar) 방향이고 이 방향의 반도체 결정면은, 산 혹은 염기계열의 에칭 용액에 매우 강하기 때문에, 화학적 에칭 공정을 통한 표면 거칠기 형성은 용이하지 않고 표면 거칠기를 형성하더라도 광 추출효율이 향상될 만큼의 요철 크기와 밀도를 갖지 못한다. 또한, Ga-극성의 p형 질화물 반도체층 결정면에 규칙적인 혹은 불규칙적인 표면 요철 패턴을 형성할 경우, p측 전극과의 오믹 특성이 나빠지거나 p형 반도체층 내부 및 활성층에 손상을 주어 소자의 전기적 특성에 크게 악영향을 미칠 수 있다. 간편한 습식식각으로 높은 강도의 사파이어 기판 표면에 표면 거칠기를 제공하기는 용이하지 않다. 따라서, 사파이어 기판 표면에 충분한 크기와 밀도의 표면 요철 패턴을 형성하기도 쉽지 않다.

본 발명의 일 과제는 광 추출효율이 높으면서도 전기적 특성의 열화가 억제된 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 과제는 광 추출효율이 높으면서 소자의 전기적 특성 열화가 억제된 질화물 반도체 발광 소자를 용이하게 제조할 수 있는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 측면은, 성장용 기판; 및 상기 성장용 기판 상에 순차 적층된 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 구비하는 발광 구조물을 포함하되, 상기 발광 구조물의 테두리를 따라 상기 발광 구조물과 상기 성장용 기판이 분리되어 있고, 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향 면에 표면 거칠기를 제공하는 요철이 형성된 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

상기 요철이 형성된 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면(기판쪽을 향하는 면)은 N-극성(N-polar)를 가질 수 있다. 또한, 상기 요철이 형성된 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면은 상기 발광 구조물의 반대면보다 표면 거칠기가 더 클 수 있다. 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면에 형성된 요철 영역은 상기 테두리부의 엣지로부터 30 ~ 50㎛만큼 발광 구조물 안쪽으로 형성될 수 있다. 상기 성장용 기판은 사파이어 기판일 수 있다.

본 발명의 다른 측면은, 소자 분리 영역과 복수의 소자 영역을 갖는 성장용 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 성장용 기판 하면에 마스크를 형성한 후 레이저 리프트-오프 공정용 레이저를 조사하여, 상기 복수의 소자 영역의 테두리부에서 상기 발광 구조물을 상기 성장용 기판으로부터 국부적으로 분리시키는 단계; 상기 소자 분리 영역에서 상기 발광 구조물을 식각하여 상기 발광 구조물에 소자 분리용 트렌치를 형성하는 단계; 상기 성장용 기판으로부터 국부적으로 분리되고 상기 소자 분리용 트렌치가 형성된 결과물을 습식식각 처리하여, 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향 면에 표면 거칠기를 제공하는 요철을 형성하는 단계; 상기 요철이 형성된 결과물에 대하여, 상기 소자 분리 영역에서 상기 성장용 기판을 절단하여 개별 칩들로 칩 분리하는 단계;를 포함하는, 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

상기 레이저 조사에 의해 상기 성장용 기판으로부터 국부적으로 분리된 상기 발광 구조물 부분의 기판 방향면은 N-극성(N-polar)를 가질 수 있다. 상기 요철 형성 단계에서, 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면은 상기 발광 구조물의 반대면보다 더 큰 표면 거칠기를 가질 수 있다.

국부적인 레이저 리프트-오프 공정을 위해 상기 성장용 기판 하면에 형성되는 마스크는, 상기 복수의 소자 영역의 테두리부와 상기 소자 분리 영역을 노출시키도록 형성될 수 있다. 상기 마스크에 의해 노출되는 영역(오픈 영역)의 사이즈는, 상기 칩 분리된 발광 구조물의 테두리부의 엣지로부터 30 ~ 50㎛만큼 발광 구조물 안쪽까지 요철 영역이 형성되도록 조절될 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 발광 구조물의 국부적 분리 단계는 상기 소자 분리용 트렌치 형성 단계보다 먼저 실시될 수 있다. 다른 실시형태에 따르면, 상기 발광 구조물의 국부적 분리 단계는 상기 소자 분리용 트렌치 형성 단계보다 나중에 실시될 수 있다.

본 발명에 따르면, 칩 테두리부에서 질화물 반도체를 사파이어 등의 성장용 기판으로부터 국부적으로 분리시키고, 그 분리된 질화물 반도체의 기판 방향면에 요철 패턴을 형성함으로써, N-극성의 질화물 반도체 결정면에 손쉽고 효과적으로 표면 거칠기를 제공할 수 있게 된다. 이로써, 발광소자의 전기적 특성에 악영향을 미치지 않으면서도 높은 광 추출 효율을 얻을 수 있게 된다. 또한, 칩 분리전에 칩 테두리 영역을 따라 사파이어 기판과 발광 구조물을 국부적으로 분리시킴으로써 스크라이빙이나 브레이킹 등 칩 분리공정 진행시 칩 외관 수율을 크게 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지의 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로만 한정되는 것은 아니다. 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 단면도를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 질화물 반도체 발광소자(100)는 사파이어 등의 성장용 기판(101) 상에 형성된 질화물 반도체의 발광 구조물(105)을 포함한다. 이 발광 구조물(105)은 순차적으로 적층된 n형 질화물 반도체층(105a), 활성층(105b) 및 p형 질화물 반도체층(105c)을 갖는다. n형 질화물 반도체층(105a)과 사파이어 기판(101) 사이에는 격자 불일치를 완화하기 위한 버퍼층 등 다른 층들이 형성될 수도 있다. 발광 구조물(105) 상에는 p측 전극(110) 및 n측 전극(140)이 배치되어 있다.

본 실시형태에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(101)과 발광 구조물(105)이 접합하고 있는 계면이 칩 테두리 영역(또는 발광 구조물의 테두리부)을 따라 국부적으로 분리되어 있다. 이 테두리부에서 질화물 반도체의 기판을 향한 면(즉, 사파이어 기판(101)으로부터 분리된 부분에서 발광 구조물의 기판 방향면)(50')이 거칠기를 제공하는 요철 패턴이 형성되어 있다. 사파이어 기판(101) 으로부터 분리된 기판 방향면(50')의 거칠기는 발광 구조물(105)의 기판 방향면(50')의 반대면(80)보다 거칠기 정도가 더 크며, 반대면(80)에서는 요철이 거의 없을 수도 있다.

일반적으로 사파이어 기판(101) 상에서 질화물 반도체의 성장 방향의 표면은 Ga-극성 방향이므로 p형 반도체층(105c)의 상면(80)은 Ga-극성(Ga-polar)이지만, 사파이어 기판과 접하는 n형 반도체층(105a)의 하면은 N-극성(N-polar)이고, 이에 따라, 질화물 반도체의 기판 방향면(50')도 N-극성이다. 따라서, 사파이어 기판(101)과 분리되어 외부로 노출된 기판 방향면(50')은 G-극성 면과 달리 습식식각을 통해 원뿔 형태등의 표면 요철 패턴을 충분한 크기와 밀도로 쉽게 형성할 수 있다. 발광 구조물(105)의 이러한 기판 방향면 요철 패턴에 의해 표면 거칠기를 증가시킴으로써 계면에서의 광의 임계각이 커져서 광 추출효율을 용이하게 높일 수 있다.

종전에는 질화물 반도체의 N-극성 면이 사파이어 기판과 접합하고 있어서 습식식각이 N-극성면에 거의 침투할 수 없기 때문에, N-극성 면의 습식식각을 통한 표면 거칠기 형성이 어려웠으나, 후술하는 바와 같이 국부적인 레이저 리프트 오프 공정을 통해 N-극성 면을 외부로 노출시킴으로써, 질화물 반도체의 N-극성 면의 습식식각 공정과 이를 통한 N-극성 면의 요철 패턴 형성이 쉽게 실행될 수 있다(도 17 참조).

상술한 바와 같이, 발광 구조물(105)의 테두리를 따라 질화물 반도체의 기판 방향면(50')에 형성된 요철 패턴을 통해 광 추출 효율을 쉽게 높일 수 있을 뿐만 아니라, Ga-극성의 반대면(p형 질화물 반도체층의 상면)(80)에 요철 패턴을 형성할 필요가 없어서 Ga-극성 면의 표면 거칠기 형성으로 인한 전기적 특성의 열화를 방지할 수 있다.

기판 방향면(50')에 형성된 요철 패턴은 발광 구조물(105)의 엣지로부터 3~100㎛ 만큼까지 안쪽으로 형성될 수 있으며, 요철 패턴이 형성된 테두리 폭(도 1에서 발광 구조물 엣지로부터 안쪽으로 들어간 거리(d))의 크기는 발광 구조물의 직사각형 형상에 따라 최적화될 수 있다. 바람직하게는, 3~50㎛의 테두리 폭(d)만큼 요철 패턴을 형성하여 광 추출효율을 극대화시키면서도 공정 신뢰성을 유지시킬 수 있다.

이하, 도 2 내지 도 17을 참조하여, 본 발명의 실시형태들에 따른 질화물 반도체 발광소자(예컨대, 도 1의 발광소자(100))의 제조 공정을 설명한다. 본 실시형태들에서는 질화물 발광소자를 제조하기 위해 성장용 기판으로서 사파이어 기판을 사용하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 SiC 등의 전도성 또는 절연성 기판이 사용될 수도 있다.

먼저, 도 2를 참조하면, 사파이어 기판(101) 상에 n형 질화물 반도체 층(105a), 활성층(105b), p형 질화물 반도체층(105c)을 순차적으로 성장시켜 발광 구조물(105)을 형성한다. 이 발광 구조물이 형성된 사파이어 기판(101)은 복수의 소자 영역(A)과 적어도 하나의 소자 분리 영역(B)을 갖는다. 소자 영역(A)은 후속 공정들에 의해서 발광소자 칩이 형성될 영역에 해당하고, 소자 분리 영역(B)은 이러한 칩들 간의 경계 부분에 해당한다.

다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(101) 하면에 레이저 조사에 대한 마스크(130) 패턴을 형성하고 레이저를 조사하여 국부적인 레이저 리프트-오프 공정을 실시한다. 이 때, 마스크(130)는, 소자 영역(A)의 엣지로부터 소정 폭만큼 안쪽으로 들어간 테두리부와 소자 분리 영역(B)을 오픈시키도록(즉, 소자 영역(A)의 소정폭의 테두리부와 소자 분리 영역(B)을 노출시키도록) 사파이어 기판(101) 하면에 형성한다.

상술한 국부적 레이저 리프트-오프 공정에 의해, 도 4에 도시된 바와 같이, 마스크(130)에 의해 오픈된 영역에서 사파이어 기판(101)과 질화물 반도체 발광 구조물(105) 간의 계면이 국부적으로 분리된다. 이것은, 마스크(130)에 의해 오픈된 영역을 통해 조사된 레이저를 질호물 반도체가 흡수하여 녹아버리기 때문이다. 이로써, 소자 영역(A)의 소정폭의 테두리와 소자 분리 영역(B)에 이르는 분리 영역(S)이 형성된다. 이 분리 영역(S)은 후술하는 바와 같이, 제조된 칩의 테두리부를 사파이어 기판(101)으로부터 분리시켜주어 기판(101)을 향하는 질화물 반도체면 으로의 식각액의 침투에 의한 습식식각 공정을 가능하게 해줄 뿐만 아니라, 스크라이빙(scribing)과 브레이킹(breaking) 등 칩 분리 공정을 수월하게 해주고 칩 분리 공정시 외관 수율을 크게 향상시킬 수 있다.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 소자 분리 영역(B)을 노출시키는 마스크(160)를 발광 구조물(105) 상에 형성한 후, 건식식각으로 발광 구조물(105)을 선택적으로 식각함으로써 소자 분리용 트렌치(120)를 형성한다. 이로써, 도 6에 도시된 바와 같이, 발광 구조물(105)은 개별 소자 영역 별로 분리된다. 또한, 트렌치(120)와 분리 영역(도 4의 도면부호 S 참조)은 서로 연결되어, 식각액이 분리 영역의 상면(즉, 사파이어 기판으로부터 분리된 질화물 반도체의 기판 방향면(50))에 용이하게 침투할 수 있는 경로가 제공된다.

다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 결과물을 식각액(20)에 담근다. 이 때, 사파이어나 Ga-극성의 상면(80)보다 N-극성의 기판 방향면(50)이 훨씬 식각이 잘되고, 이러한 습식식각에 의해서 기판 방향면(50)에는 원뿔 형태 등의 거친 표면 모폴로지가 쉽게 형성된다. 또한, 건식이 아닌 습식식각 공정을 사용함으로써, p형 반도체나 활성층에 대한 손상이 거의 발생하지 않게 된다. 이러한 습식식각 처리에 의해, 도 8에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(101)으로부터 분리된 발광 구조물(105)의 테두리부의 하면(기판 방향면)(50')에는 표면 거칠기를 제공하는 요철이 형성된다.

도 17은 상술한 습식식각 공정에 의해 N-극성의 질화물 반도체 결정면에 형성된 표면 모폴로지를 보여주는 전자현미경 사진이다. 도 17에서 보여지는 바와 같이, 원뿔 형상의 불규칙적인 요철 패턴들이 높은 밀도로 명확히 형성되어 있다.

다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 일반적인 칩 분리 공정, 예컨대, 폴리싱(polishing), 스크라이빙(scribing), 브레이킹(breaking) 등을 실시하여 개별 칩으로 칩 분리를 한다. 사파이어 기판(101)으로부터 분리된 발광 구조물(105)의 기판 방향면(50')의 폭, 즉 요철 영역의 폭(d)은 레이저 조사에 의한 분리 영역(S)의 폭에 의해 주로 결정된다(도 3 및 도 4 참조). 따라서, 요철 영역의 폭(d)은 분리 영역(S) 형성을 위한 마스크(130)의 오픈 영역 사이즈에 의해 조절될 수 있다. 특히, 요철 영역의 폭(d)이 30~100㎛, 바람직하게는 30~50㎛가 되도록 마스크(130)의 오픈 영역 사이즈를 조절 또는 선택할 수 있다.

기타 p측 전극 및 n측 전극 형성(도 1의 도면부호 110, 140 참조)과 발광 구조물의 메사 식각 공정과 같은 일반적인 LED 칩 공정은 도 4의 단계 후(국부적 레이저 리프트-오프 공정 후)에 실시될 수도 있고, 도 8의 단계 후에 실시할 수도 있다.

다음으로, 도 10 내지 도 16을 참조하여 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법을 설명한다. 도 10~16의 실시형태는 소자 분리용 트렌치 형 성 공정(발광 구조물의 분리 공정) 후에 레이저 조사에 의한 사파이어 기판의 국부적 레이저 리프트-오프 공정을 수행한다는 점에서 전술한 실시형태(도 2~9)와 다르다. 전술한 실시형태와 마찬가지로, 먼저 도 10에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(101) 상에 발광 구조물(105)을 형성한다.

그 후, 도 11에 도시된 바와 같이, 발광 구조물(105) 상에 마스크(160)를 형성한 후 건식식각을 실시하여 소자 분리 영역(B)에 소자 분리용 트렌치(120)를 형성한다. 그리고 나서, 도 12에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(101) 하면에 마스크를 형성한 후, 레이저 조사에 의한 국부적 레이저 리프트-오프 공정을 실시하여, 도 13에 도시된 바와 같이 서로 분리된 개별 발광 구조물(105)의 테두리부에서 발광 구조물(105)을 사파이어 기판(101)으로부터 분리시킨다. 이로써, 발광 구조물(105)의 테두리부에는 외부로 노출된 N-극성의 기판 방향면(50)이 형성된다.

다음으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 결과물을 식각액(20)에 침지시켜서 N-극성의 기판 방향면(50)을 습식식각 처리한다. 이로써, 도 15에 도시된 바와 같이, N-극성의 노출된 기판 방향면(50')에는 표면 거칠기를 제공하는 요철 패턴이 용이하게 형성된다. 그 후, 도 16에 도시된 바와 같이 칩 분리 공정을 통해 개별 칩으로 분리시킨다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되지 아니한다. 첨부 된 청구범위에 의해 권리범위를 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 단면도이다.

도 2 내지 도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 10 내지 도 16은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 17은 본 발명의 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 공정에 있어서 질화물 반도체의 노출된 N-극성 면의 습식식각 공정 후 표면 형상을 나타내는 전자현미경 사진이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100: 질화물 반도체 발광소자 101: 사파이어 기판

105: 발광 구조물 105a: n형 질화물 반도체층

105b: 활성층 105c: p형 질화물 반도체층

110: p측 전극 120: 소자 분리용 트렌치

130, 160: 마스크 140: n측 전극

Claims

성장용 기판; 및

상기 성장용 기판 상에 순차 적층된 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 구비하는 발광 구조물을 포함하되,

상기 발광 구조물의 테두리를 따라 상기 발광 구조물과 상기 성장용 기판이 분리되어 있고, 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향 면에 표면 거칠기를 제공하는 요철이 형성된 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 요철이 형성된 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면은 N-극성을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 요철이 형성된 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면은 상기 발광 구조물의 반대면보다 표면 거칠기가 더 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면에 형성된 요철 영역은 상기 테 두리부의 엣지로부터 30 ~ 50㎛만큼 발광 구조물 안쪽까지 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 성장용 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
소자 분리 영역과 복수의 소자 영역을 갖는 성장용 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계;

상기 성장용 기판 하면에 마스크를 형성한 후 레이저 리프트-오프 공정용 레이저를 조사하여, 상기 복수의 소자 영역의 테두리부에서 상기 발광 구조물을 상기 성장용 기판으로부터 국부적으로 분리시키는 단계;

상기 소자 분리 영역에서 상기 발광 구조물을 식각하여 상기 발광 구조물에 소자 분리용 트렌치를 형성하는 단계;

상기 성장용 기판으로부터 국부적으로 분리되고 상기 소자 분리용 트렌치가 형성된 결과물을 습식식각 처리하여, 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향 면에 표면 거칠기를 제공하는 요철을 형성하는 단계; 및

상기 요철이 형성된 결과물에 대하여, 상기 소자 분리 영역에서 상기 성장용 기판을 절단하여 개별 칩들로 칩 분리하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 발광소 자의 제조방법.
제6항에 있어서,

상기 레이저 조사에 의해 상기 성장용 기판으로부터 국부적으로 분리된 상기 발광 구조물 부분의 기판 방향면은 N-극성을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
제6항에 있어서,

상기 요철 형성 단계에서, 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조물의 테두리부의 기판 방향면은 상기 발광 구조물의 반대면보다 더 큰 표면 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
제6항에 있어서,

국부적인 레이저 리프트-오프 공정을 위해 상기 성장용 기판 하면에 형성되는 마스크는, 상기 복수의 소자 영역의 테두리부와 상기 소자 분리 영역을 노출시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 마스크에 의해 노출되는 영역의 사이즈는, 상기 칩 분리된 발광 구조물의 테두리부의 엣지로부터 30 ~ 50㎛만큼 발광 구조물 안쪽까지 요철 영역이 형 성되도록 조절되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
제6항에 있어서,

상기 발광 구조물의 국부적 분리 단계는 상기 소자 분리용 트렌치 형성 단계전에 실시되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
제6항에 있어서,

상기 발광 구조물의 국부적 분리 단계는 상기 소자 분리용 트렌치 형성 단계후에 실시되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
제6항에 있어서,

상기 성장용 기판으로서 사파이어 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.