KR20100045877A - Ｄｌｃ 박막이 형성된 열교환기 및 그의 제조방법 - Google Patents

Ｄｌｃ 박막이 형성된 열교환기 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 냉매의 이동 통로인 배관, 상기 배관의 주변에 부설되어 상기 냉매와 외부 공기와의 열교환을 가능하게 하는 냉각핀을 포함하는 열교환기에 있어서, 상기 배관 및 냉각핀 중 하나 이상에 DLC(Diamond like carbon) 박막이 코팅된 것을 특징으로 하는 열교환기 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 열교환기는 열교환기를 구성하는 배관 및/또는 냉각핀에 열전도성과 친수성이 매우 우수하고, 마찰계수가 매우 작은 DLC박막이 코팅되기 때문에, 열교환 효율이 우수할 뿐만 아니라, 응축수의 배출 기능이 매우 뛰어나다. 따라서, 응축수로 인한 미생물의 증식, 이물질의 부패가 없어 매우 위생적이며, 위생상태를 유지하기 위한 노력을 크게 절감시킨다.
열교환기, 냉각핀, DLC, 플라즈마, 친수성

Description

ＤＬＣ 박막이 형성된 열교환기 및 그의 제조방법 {DLC-COATED HEAT EXCHANGER AND METHOD OF PROCESSING THE SAME}
본 발명은 열교환기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 표면에 DLC(Diamond like carbon) 박막이 형성된 열교환기 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
주변의 공기를 냉각하기 위한 열교환기는 도 1에 도시된 바와 같이, 냉매가 흐르는 배관(11), 상기 배관의 주변에 부설되어 상기 냉매와 외부 공기와의 열교환을 가능하게 하는 냉각핀(12)을 포함하는 구성을 갖는다. 상기 열교환기를 구성하는 배관, 냉각핀 등의 재료들은 기본적으로 열전도성이 우수해야 한다. 따라서, 일반적으로 상기 배관이나 냉각핀은 구리, 알루미늄 등 열전도성이 우수한 금속으로 제조되고 있다.
그러나, 상기와 같은 금속재료를 선택하여 배관이나 냉각핀을 제조하는 것 외에, 이러한 재료들의 열전도성을 더 향상시키기 위한 연구는 찾아보기 힘들다. 그 이유는 상기 열교환기의 작동시에 필연적으로 생성되는 응축수와 이의 신속한 배출에 관심이 집중되어 있기 때문인 것으로 생각된다. 그러나, 상기 배관이나 냉 각핀 등의 열전도성은 에너지 효율 및 열교환기의 성능 즉, 주변 공기 냉각 속도 등에 큰 영향을 미치므로 그러한 배관, 냉각핀 등의 열전도성 향상은 이 분야에 있어서 매우 중요한 과제 중의 하나라고 할 수 있다.
상기에서도 언급한 바와 같이, 주변의 공기를 냉각하기 위한 열교환기에 있어서 가장 크게 부각되는 기술적 과제로는 열교환기의 작동시 열교환기와 대기 중의 공기의 온도차이에 의해 생성되는 응축수의 처리방법을 들 수 있다. 이러한 응축수는 열교환을 방해하여 열교환기의 성능 저하를 유발시킬 뿐 아니라, 열교환기의 외부 또는 내부로부터 유입되는 곰팡이, 세균 등의 미생물을 포함하는 이물질을 부패시켜 악취 발생의 원인을 제공한다.
따라서, 이러한 응축수의 원활한 배출을 위하여, 열교환기의 배관, 냉각핀 등에 대한 친수코팅이 많이 활용되고 있다. 그러나, 친수코팅에 의한 친수성 향상 정도, 친수코팅의 내구력 등에 있어서 개선해야 할 점이 많이 부각되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술들의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열교환기를 구성하는 배관 및/또는 냉각핀에 열전도성과 친수성이 매우 우수하며, 마찰계수가 매우 작은 박막을 코팅함으로써, 열교환 효율이 우수하고, 응축수로 인한 위생 문제로부터 자유로우며, 상기 박막의 코팅에 의해 내구성이 향상되는 열교환기 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 냉매의 이동 통로인 배관, 상기 배관의 주변에 부설되어 상기 냉매와 외부 공기와의 열교환을 가능하게 하는 냉각핀을 포함하는 열교환기에 있어서,
상기 배관 및 냉각핀 중 하나 이상에 DLC(Diamond like carbon) 박막이 코팅된 것을 특징으로 하는 열교환기를 제공한다.
상기에서 DLC 박막은 냉각핀의 표면에 증착된 Si 화합물 하지막 위에 형성될 수 있다.
상기에서 DLC 박막은 Si 원자를 포함하여 접착력을 향상시킨 형태로 코팅될 수 있다.
상기에서 DLC 박막의 표면은 O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6의 플라즈마 에칭에 의하여 친수성을 갖도록 개질될 수 있다.
또한, 본 발명은, DLC(Diamond like carbon) 박막이 코팅된 배관 및 냉각핀 중 하나 이상을 포함하여 열교환기를 제조하는 방법으로서,
상기 DLC(Diamond like carbon) 박막이,
코팅 대상물인 배관 또는 냉각핀을 챔버 내부에 장입하는 준비단계; 챔버의 내부에 아르곤가스를 주입하고, 일정압력 하에서 플라즈마를 생성시켜 챔버 내부와 상기 코팅 대상물을 세정하는 세정단계; 및 챔버의 내부에 탄화수소계 화합물 가스를 주입하고, 일정압력하에서 플라즈마를 생성시켜 상기 코팅 대상물의 표면에 탄소성분을 증착시켜 DLC 박막을 형성하는 코팅단계를 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법을 제공한다.
상기 세정단계와 코팅단계 사이에는 챔버의 내부에 HMDS(Hexamethyldisilazane, Si2NH(CH3)6) 및 Ar 가스를 주입하여 하지막으로써 Si 화합물 박막을 형성하는 하지막 형성단계가 더 포함될 수 있다.
또한, 상기 DLC 박막의 코팅이 완료된 후에 O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6 의 플라즈마로 상기 DLC 박막 표면을 에칭하여 DLC 박막에 친수성을 부여하는 공정이 더 포함될 수 있다.
상기 코팅단계에 있어서, 상기 탄화수소계 화합물 가스와 함께 HMDS 및 Ar 가스를 혼합 주입하여 Si 원자가 포함된 DCL 박막을 형성하는 것도 가능하다.
본 발명에 의한 열교환기는 열교환기를 구성하는 배관 및/또는 냉각핀에 열전도성과 친수성이 매우 우수하고, 마찰계수가 매우 작은 DLC박막이 코팅되기 때문에, 열교환 효율이 우수할 뿐만 아니라, 응축수의 배출 기능이 매우 우수하다. 따라서, 응축수로 인한 미생물의 증식, 이물질의 부패가 없어 매우 위생적이며, 위생상태를 유지하기 위한 노력을 크게 절감시킨다. 또한, 상기 DLC박막은 접착력이 우수하며, 열교환기의 내마모성, 내부식성, 내화학성 및 내산화성을 향상시키기 때문에 본 발명의 열교환기는 내구성이 매우 뛰어나다.
본 발명은, 냉매의 이동 통로인 배관, 상기 배관의 주변에 부설되어 상기 냉매와 외부 공기와의 열교환을 가능하게 하는 냉각핀을 포함하는 열교환기에 있어서,
상기 배관 및 냉각핀 중 하나 이상에 DLC(Diamond like carbon) 박막이 코팅된 것을 특징으로 하는 열교환기에 관한 것이다.
DLC는 1970년경 미국의 한 과학자에 의해 처음으로 발견되었다. 이 때, 흑연을 원료로 이온 빔(Ion-beam) 증착법에 의해 카본(carbon)막이 생성 되었는데 그 성질이 다이아몬드와 매우 유사하여 DLC(Diamond Like Carbon)라고 명명하게 되었다. DLC는 비결정성(Amorphous) 구조로서 구조적으로는 다이아몬드 결정과는 다르 지만 특성적으로는 다이아몬드와 매우 가까운 물질이다. DLC는 열전도율, 내부식성, 내마모성, 내화학성, 및 내산화성이 우수하고, 마찰계수가 매우 작으며 경도가 높아 오늘날은 다양한 분야에서 사용되고 있다.
본 발명에서 열교환기를 구성하는 배관 및 냉각핀의 재질로는 이 분야에서 통상적으로 사용되고 있는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 알루미늄, 구리 등을 들 수 있다.
상기 배관, 냉각핀 등에 DLC 박막이 코팅되면 열전도성이 향상되고, 표면 거칠기가 낮아져서 응축수의 배출에도 유리하다. 또한, 내부식성이 부여되어 열교환기의 내구성이 향상되는 효과도 얻을 수 있다.
일반적으로 알루미늄의 열전도율은 0.53(cal/cm2 sec℃) 혹은 237(W/m?k)인데 반하여 DLC 및 다이아몬드는 약 1,100(W/m?k)을 나타낸다.
상기에서 DLC 박막은 냉각핀의 표면에 증착된 Si 화합물 하지막 위에 형성될 수 있다. 상기 DLC 박막은 열교환기를 구성하는 금속재료에 대한 접착력이 우수하지만, 상기와 같이 Si 화합물 하지막을 먼저 증착하고, 그 위에 DLC 박막을 코팅(Si-DCL)함으로써, 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기에서 DLC 박막은 Si 원자를 포함하는 형태로 코팅될 수 있다. 이 경우에 DLC 박막의 접착력이 더욱 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
상기에서 DLC(Si 원자를 포함하는 DLC 포함) 박막의 표면은 O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6의 플라즈마 에칭에 의하여 친수성을 갖도록 개질될 수 있는데, 이 경우에 열교환기 표면이 친수화되어 응축수 발생시 접촉각이 현저히 감소한다. 따라서, 응축수의 발생으로 인한 문제점, 즉, 열교활 효율 저하 및 미생물 증식 등 위생 문제가 현저하게 감소한다. 상기 플라즈마 에칭 중 O2 의 플라즈마에 의한 에칭이 더욱 바람직한 결과를 나타내며, CF4 또는 SF6의 플라즈마에 의한 에칭을 하는 경우 가장 바람직한 결과를 나타낸다. 또한, 상기 에칭은 RF-플라즈마 에칭에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
상기 DLC박막은 0.5~1.5㎛ 두께로 형성되며, 2000 ~ 4000kgf/㎟의 경도를 갖는다.
또한, 본 발명은, DLC(Diamond like carbon) 박막이 코팅된 배관 및 냉각핀 중 하나 이상을 포함하여 열교환기를 제조하는 방법으로서,
상기 DLC(Diamond like carbon) 박막이,
코팅 대상물인 배관 또는 냉각핀을 챔버 내부에 장입하는 준비단계; 챔버의 내부에 아르곤가스를 주입하고, 일정압력 하에서 플라즈마를 생성시켜 챔버 내부와 상기 코팅 대상물을 세정하는 세정단계; 및 챔버의 내부에 탄화수소계 화합물 가스를 주입하고, 일정압력하에서 플라즈마를 생성시켜 상기 코팅 대상물의 표면에 탄소성분을 증착시켜 DLC 박막을 형성하는 코팅단계를 포함하는 공정에 의하여 형성 되는 것을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법에 관한 것이다.
상기 준비단계에서 상기 코팅 대상물은 증류수로 깨끗하게 세척한 후 상기 챔버의 내부에 장입되는 것이 바람직하다.
상기 세정단계와 코팅단계 사이에는 챔버의 내부에 HMDS(Hexamethyldisilazane, Si 2NH(CH3)6) 및 Ar 가스를 주입하여 하지막으로서 Si 화합물 박막을 형성하는 하지막 형성단계가 더 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기에서 HMDS는 5~15sccm, Ar은 15~20sccm의 유량으로 주입하여 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 200~300W로 공급하여 플라즈마를 생성시켜 1~10분 동안 Si 화합물 박막을 증착시킬 수 있다.
상기 코팅단계에 있어서, 상기 탄화수소계 화합물 가스와 함께 HMDS(Hexamethyldisilazane, Si2NH(CH3)6) 및 Ar 가스를 혼합 주입하여 Si 원자를 포함하는 DLC 박막을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 상기 DLC 박막의 코팅이 완료된 후에, O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6의 플라즈마로 상기 DLC 박막 표면을 에칭하여 DLC 박막에 친수성을 부여하는 공정이 더 포함될 수 있다. 상기에서 DLC 박막 표면 에칭은 RF-플라즈마에 의해 수행하는 것이 바람직하다.
상기 세정단계는,
상기 챔버의 내측으로 아르곤 가스를 20~40sccm 유량으로 주입시켜 진공도를 조절하고 전력(RF Power)을 200~300W로 공급하여, 아르곤 플라즈마를 생성시켜 세정하는 것이 바람직하며, 세정은 5~20분 동안 실시할 수 있다.
본 발명에서 진공의 형성은 챔버내를 청정공간으로 형성하기 위해서 실시된다. 따라서, 챔버내에 불필요한 입자가 없도록 최대한 진공상태를 만드는 것이 필요하다. 진공상태는 진공펌프를 이용하여 저진공 상태를 만든 후 디퓨전펌프를 이용하여 고진공을 만들어 챔버내 최대한의 청정공간을 형성함과 더불어 표면의 청정화를 이룬다.
상기 세정단계, 하지막 형성단계 및 코팅단계는 상기 챔버의 내부온도를 75~200℃로 유지한 상태에서 실시되는 것이 바람직하다. 상기와 같은 온도조건에서 DLC박막을 형성함으로써 알루미늄 등의 소재로 제조되는 열교환기의 구성요소가 열에 의해 손상되지 않으며, 최적의 DLC박막 형성도 가능하다.
상기 코팅단계는 상기 챔버의 내측으로 탄화수소계 화합물 가스를 20~40sccm유량으로 주입하면서 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 200~300W로 공급하여 메탄 플라즈마를 생성시키고, 30~60분 동안 DLC 박막을 증착시키는 것이 바람직하다.
본 발명에서 탄화수소계 화합물 가스로는 C2H2, CH4, C6H6 등이 사용될 수 있으며, CH4 가 바람직하게 사용된다.
본 발명의 열교환기는 에어컨, 공기조화기, 냉장고 등에 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1: 열교환기 냉각핀의 DLC 코팅
알루미늄 소재의 냉각핀을 증류수로 깨끗하게 세척한 후 RF-CVD(Radio Frequency Chemical Vapor Deposition) 장치의 챔버 내부에 장입시켰다. 챔버의 내부온도를 75~200℃로 유지하면서 챔버 내측으로 아르곤 가스를 30sccm유량으로 주입시켜 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 250W로 공급하여 아르곤 플라즈마를 생성시켜 10분 동안 세정을 실시하였다. 그 후, 챔버의 내부온도를 75~200℃로 유지하면서 챔버의 내측으로 HMDS 가스 10sccm 및 Ar 가스 20sccm을 주입하면서 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 250W로 공급하여 플라즈마 생성시켜 3분 동안 Si화합물 하지막을 증착하였다. 그 후, 챔버의 내부온도를 75~200℃로 유지하면서 챔버의 내측으로 CH4 가스 30sccm 및 Ar 가스 10sccm을 혼합 주입하면서 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 250W로 공급하여 플라즈마를 생성시켜 냉각핀 표면에 40 분 동안 DLC박막을 증착시켰다. 상기의 방법에 두께 약 1㎛의 DLC 박막 코팅 냉각핀을 얻었다.
실시예 2: 열교환기 냉각핀에 대한 Si 원자를 포함하는 DLC 코팅
알루미늄 소재의 냉각핀을 증류수로 깨끗하게 세척한 후 RF-CVD(Radio Frequency Chemical Vapor Deposition) 장치의 챔버 내부에 장입시켰다. 챔버의 내부온도를 75~200℃로 유지하면서 챔버 내측으로 아르곤 가스를 30sccm유량으로 주입시켜 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 250W로 공급하여 아르곤 플라즈마를 생성시켜 10분 동안 세정을 실시하였다. 그 후, 챔버의 내부온도를 75~200℃로 유지하면서 챔버의 내측으로 HMDS 가스 10sccm 및 Ar 가스 20sccm을 주입하면서 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 250W로 공급하여 플라즈마 생성시켜 3분 동안 Si화합물 하지막을 증착하였다. 그 후, 챔버의 내부온도를 75~200℃로 유지하면서 챔버의 내측으로 CH4 가스 30sccm, HMDS 가스 10sccm 및 Ar 가스 10sccm을 혼합 주입하면서 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 250W로 공급하여 플라즈마를 생성시켜 냉각핀 표면에 40분 동안 Si 원자를 포함하는 DLC박막을 증착시켰다. 상기의 방법에 두께 약 1㎛의 Si 원자를 포함하는 DLC 박막 코팅 냉각핀을 얻었다.
실시예 3: DLC 박막이 코팅된 냉각핀 표면에 대한 O 2 , H 2, Ar, CF 4 또는 SF 6 의 RF-플라즈마 에칭
상기 실시예 2에서 얻어진 Si 원자를 포함하는 DLC 박막이 코팅된 냉각핀을 RF-CVD(Radio Frequency Chemical Vapor Deposition) 장치의 챔버 내부에 장입시키고, O2 가스 30sccm을 주입하면서 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 500W로 공급하여 플라즈마 생성시켜 5분 동안 냉각핀 표면을 에칭하였다.
상기 실시예 2에서 얻어진 DLC 박막이 코팅된 냉각핀을 사용하여 상기와 동일한 방법으로 각각 H2, Ar, CF4 및 SF6 가스에 의한 에칭도 수행하였다.
시험예 1: 냉각핀 표면의 친수화에 따른 물 접촉각 측정
일반적으로 사용되고 있는 Al 냉각핀, 상기 실시예 2에서 제조된 Si 원자를 포함하는 DLC 코팅 냉각핀 및 실시예 3에서 제조된 O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6의 플라즈마로 에칭된 Si 원자를 포함하는 DLC 코팅 냉각핀의 물 접촉각을 접촉각 측정기를 사용하여 측정하였다. 결과는 하기 표 1 및 도 10에 나타내었다.
냉각핀의 종류 접촉각
Left Right
Al 냉각핀 96.7 93.3
Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC이 코팅된 냉각핀 64.6 65.6
Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC을 코팅하고, O2 플라즈마로 에칭한 냉각핀 13.7 13.7
Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC을 코팅하고, H2 플라즈마로 에칭한 냉각핀 47.8 47.8
Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC을 코팅하고, Ar 플라즈마로 에칭한 냉각핀 55.9 56.3
Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC을 코팅하고, SF6 플라즈마로 에칭한 냉각핀 12.9 12.9
Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC을 코팅하고, CF4 플라즈마로 에칭한 냉각핀 16.8 16.8
상기 표 1에서도 나타낸 것처럼, Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC이 코팅된 냉각핀은 Si 원자를 포함하는 DLC 코팅에 의해 표면 거칠기가 감소하는 결과, 코팅하지 않은 Al 냉각핀과 비교하여 현저히 작은 접촉각을 나타냈으며, Al기판 상에 Si 원자를 포함하는 DLC을 코팅하고, O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6 플라즈마로 에칭한 냉각핀의 경우는 에칭에 의해 친수화가 이루어져 상기 Si 원자를 포함하는 DLC 코팅 냉각핀보다도 훨씬 작은 접촉각을 나타냈다. 특히, CF4 또는 SF6 플라즈마로 에칭한 냉각핀의 경우는 이러한 접촉각을 더 오랜시간 유지하는 것으로 확인되었다.
시험예 2: 냉각핀에 코팅된 Si 원자를 포함하는 DLC 박막의 접착력 시험
반도체 기판 위에 증착된 경질막, 도금막 등의 표면 특성을 평가하는데 일반적으로 사용되는 스크레치 테스터를 사용하여, 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 제조된 Si 원자를 포함하는 DLC 박막이 코팅된 냉각핀을 테이블 위에 고정시키고, 다이아몬드 팁에 하중을 가하여 시료의 표면을 스크레치함으로써 냉각핀과 Si 원자를 포함하는 DLC 박막 사이의 접착력(adhesive strength)을 평가하였다. 상기 평가결과는 도 7에 나타내었다. 상기 도 7의 (a)에서 확인되는 바와 같이, HMDS(sccm)의 농도가 증가됨에 따라 박막의 Critical Load(N)도 증가됨을 알 수 있다. 이러한 결과는 DLC에 Si 원자가 포함됨에 따라, 접착력이 증가함을 의미한다. 도 7의 (b)는 32 N에서 스크레치 테스트된 Si 원자를 포함하는 DLC 박막의 표면 상태를 나타내는 이미지이다.
도 1은 일반적으로 사용되고 있는 열교환기 사진이다.
도 2는 일반적으로 사용되고 있는 냉각핀(a)과 DLC 박막이 코팅된 냉각핀(b)의 사진이다.
도 3은 본 발명에 있어서, DLC 박막 코팅에 사용되는 RFCVD 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개요도이다.
도 4는 본 발명에 있어서, DLC 박막 코팅에 사용되는HMDS 주입장치의 개략적인 구성을 나타내는 개요도이다.
도 5는 열교환기에 사용되는 냉각핀에 대한 Si 원자를 포함하는 DLC 박막의 코팅 전(b), 후(a)의 사진이다.
도 6은 Si 원자를 포함하는 DLC 박막이 코팅된 냉각핀의 Raman 성분분석 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7 은 냉각핀에 코팅된Si 원자를 포함하는 DLC 박막의 접착력을 스크레치 테스터를 사용하여 분석한 결과를 나타내는 그래프(a)와 32 N에서 스크레치 테스트된 상기 Si 원자를 포함하는 DLC 박막의 표면 상태를 나타내는 이미지(b)를 나타낸다.
도 8 은 Si 원자를 포함하는 DLC 박막이 코팅된 냉각핀의 Nanoindentation 장치에 의한 경도 분석 결과를 나타내는 그래프이다.
도 9는 AFM 장치로 측정한 Si 원자를 포함하는 DLC 박막이 코팅된 냉각핀에 대한 표면거칠기 분석결과를 나타내는 그래프이다.
도 10은 냉각핀 표면의 물 접촉각 측정 결과를 비교하여 나타낸 사진이다.

Claims (12)

  1. 냉매의 이동 통로인 배관, 상기 배관의 주변에 부설되어 상기 냉매와 외부 공기와의 열교환을 가능하게 하는 냉각핀을 포함하는 열교환기에 있어서,
    상기 배관 및 냉각핀 중 하나 이상에 DLC(Diamond like carbon) 박막이 코팅된 것을 특징으로 하는 열교환기.
  2. 청구항 1항에 있어서, 상기 DLC 박막이 Si 하지막 위에 코팅된 것임을 특징으로 하는 열교환기.
  3. 청구항 1항에 있어서, 상기 DLC 박막이 Si 원자를 포함하는 것임을 특징으로 하는 열교환기.
  4. 청구항 1항 내지 청구항 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 DLC 박막의 표면이 O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6의 플라즈마로 에칭된 것임을 특징으로 하는 열교환기.
  5. 청구항 4항에 있어서, 상기 DLC 박막의 표면 에칭이 CF4 또는 SF6의 플라즈마로 수행된 것임을 특징으로 하는 열교환기.
  6. DLC(Diamond like carbon) 박막이 코팅된 배관 및 냉각핀 중 하나 이상을 포함하여 열교환기를 제조하는 방법으로서,
    상기 DLC(Diamond like carbon) 박막이,
    코팅 대상물인 배관 또는 냉각핀을 챔버 내부에 장입하는 준비단계; 챔버의 내부에 아르곤가스를 주입하고, 일정압력 하에서 플라즈마를 생성시켜 챔버 내부와 상기 코팅 대상물을 세정하는 세정단계; 및 챔버의 내부에 탄화수소계 화합물 가스를 주입하고, 일정압력하에서 플라즈마를 생성시켜 상기 코팅 대상물의 표면에 탄소성분을 증착시켜 DLC 박막을 형성하는 코팅단계를 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법.
  7. 청구항 6항에 있어서, 상기 세정단계와 코팅단계 사이에 챔버의 내부에 HMDS(Hexamethyldisilazane, Si2NH(CH3)6) 및 Ar 가스를 주입하여 하지막으로서 Si 화합물 박막을 형성하는 하지막 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법.
  8. 청구항 6항에 있어서, 상기 코팅단계는 상기 탄화수소계 화합물 가스와 함께 HMDS 및 Ar 가스를 혼합 주입하여 Si 원자를 포함하는 DLC 박막을 형성하는 것임을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법.
  9. 청구항 6항 내지 청구항 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 DLC 박막의 코팅이 완료된 후에, O2, H2, Ar, CF4 또는 SF6의 플라즈마로 상기 DLC 박막 표면을 에칭하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법.
  10. 청구항 9항에 있어서, 상기 DLC 박막 표면을 에칭하는 공정이 CF4 또는 SF6의 플라즈마에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법.
  11. 청구항 6에 있어서, 상기 세정단계 및 코팅단계는 상기 챔버의 내부온도를 75 ~ 200℃로 유지한 상태에서 실시되는 것임을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법.
  12. 청구항 6에 있어서, 상기 코팅단계는 상기 챔버의 내측으로 탄화수소계 화합물 가스를 20~40sccm유량으로 주입하면서 진공도를 조절하고, 전력(RF Power)을 200~300W로 공급하여 플라즈마를 생성시키고, 30~60분 동안 DLC 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 열교환기의 제조방법.
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