KR20100035971A - 광투과성 기판을 사용하여 봉지된 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법 - Google Patents

광투과성 기판을 사용하여 봉지된 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법을 제공한다. 발광다이오드 패키지를 제공한다. 상기 패키지는 패키지 기판, 및 상기 패키지 기판 상에 배치된 발광다이오드 칩을 구비한다. 상기 발광다이오드 칩 상에 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 광투과성 기판이 위치한다. 상기 패키지 기판 상에 본딩 패드가 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 소자 전극이 위치하고, 상기 광투과성 기판 상에 상기 본딩 패드와 상기 소자 전극을 전기적으로 연결하는 광투과성 전도성 패턴이 위치할 수 있다.

Description

광투과성 기판을 사용하여 봉지된 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법{Light emitting diode package encapsulated by light transmitting substrate and method for fabricating the same}
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 광투과성 기판을 사용하여 봉지된 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 소자로서, 디스플레이 소자의 광원으로 주로 이용되고 있다. 이러한 발광다이오드는 기존의 광원에 비해 극소형이며, 소비전력이 적고, 수명이 길며, 반응속도가 빠른 등 매우 우수한 특성을 나타낸다. 이와 더불어서, 자외선과 같은 유해파를 방출하지 않으며, 수은 및 기타 방전용 가스를 사용하지 않으므로 환경 친화적이다.
이러한 발광다이오드로부터의 광추출 효율을 증가시키기 위하여 상기 발광다이오드 상에 미리 성형된 돔형 렌즈를 설치할 수 있다. 이 때, 상기 발광다이오드와 상기 돔형 렌즈 사이에는 봉지재가 충전될 수 있다. 그러나, 봉지재의 열전도도가 낮아 열방출이 어렵고, 자외선 발광다이오드의 경우 봉지재가 변성될 위험이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 열방출 특성이 향상되고 봉지재의 변성이 제거된 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 발광다이오드 패키지를 제공한다. 상기 패키지는 패키지 기판, 및 상기 패키지 기판 상에 배치된 발광다이오드 칩을 구비한다. 상기 발광다이오드 칩 상에 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 광투과성 기판이 위치한다.
상기 패키지 기판 상에 본딩 패드가 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 소자 전극이 위치하고, 상기 광투과성 기판 상에 상기 본딩 패드와 상기 소자 전극을 전기적으로 연결하는 광투과성 전도성 패턴이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 발광다이오드 칩은 수직형 칩이고, 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 광투과성 기판의 일면 전체에 형성될 수 있다.
상기 패키지 기판 상에 제1 및 제2 본딩 패드들이 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 제1 및 제2 소자 전극들이 위치하고, 상기 광투과성 기판 상에 제1 및 제2 광투과성 전도성 패턴들이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 광투과성 전도성 패턴은 상기 제1 본딩 패드와 상기 제1 소자 전극을 전기적으로 연결하고, 제2 광투과성 전도성 패턴은 상기 제2 본딩 패드와 상기 제2 소자 전극을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 발광다이오드 패키지의 제조방법을 제공한다. 먼저, 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩을 배치한다. 상기 발광다이오드 칩 상에 광투과성 기판을 위치시켜, 상기 발광다이오드 칩을 봉지한다.
상기 패키지 기판 상에 본딩 패드가 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 소자 전극이 위치하고, 및 상기 광투과성 기판 상에 광투과성 전도성 패턴이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 광투과성 기판을 상기 발광다이오드 칩 상에 위치시킬 때, 상기 광투과성 전도성 패턴에 의해 상기 본딩 패드와 상기 소자 전극이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광다이오드 칩은 수직형 칩이고, 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 광투과성 기판의 일면 전체에 형성될 수 있다.
상기 패키지 기판 상에 제1 및 제2 본딩 패드들이 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 제1 및 제2 소자 전극들이 위치하고, 상기 광투과성 기판 상에 제1 및 제2 광투과성 전도성 패턴들이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 광투과성 기판을 상기 발광다이오드 칩 상에 위치시킬 때, 상기 제1 광투과성 전도성 패턴에 의해 상기 제1 본딩 패드와 상기 제1 소자 전극이 전기적으로 연결되고, 제2 광투과성 전도성 패턴에 의해 상기 제2 본딩 패드와 상기 제2 소자 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광다이오드 칩을 광투과성 기판을 사용하여 봉지함으로써, 기존의 봉지층을 형성하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 발광다이오드 칩이 자외선을 방출하는 경우에도 봉지층의 변성으로 인한 문제점을 피할 수 있다. 또한, 상기 칩과 상기 기판 사이에 공기층이 존재하지 않으므로 광 손실을 줄일 수 있다.
또한, 상기 기판 상에 형성된 광투과성 전도성 패턴을 사용하여 상기 소자 전극과 상기 본딩 패드를 전기적으로 연결하므로 와이어의 형성을 생략할 수 있다. 따라서, 와이어의 단락으로 인한 문제점을 미연에 방지할 수 있다. 상기 광투과성 전도성 패턴은 열전도성 또한 뛰어나므로 패키지의 열방출 특성 또한 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 상면도이다. 도 2는 도 1의 절단선 I-I를 따라 취해진 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 소자 영역 및 상기 소자 영역을 둘러싸는 주변 영역을 구비하는 패키지 기판(11)을 제공한다. 상기 패키지 기판(11)은 실리콘 기 판, 금속 기판, 세라믹 기판 또는 수지기판일 수 있다. 상기 소자 영역은 후술하는 발광다이오드 반도체 칩이 실장되는 영역이고, 상기 주변영역은 그 외의 영역일 수 있다.
상기 패키지 기판(11)의 소자 영역 상에 서로 이격하는 제1 본딩 패드(21) 및 제2 본딩 패드(22)를 형성할 수 있다. 상기 패키지 기판(11)의 외측부에는 상기 본딩 패드들(21, 22)에 각각 연결된 외부 연결단자들(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드들(21, 22) 및 상기 외부 연결단자들은 리드 프레임에 구비된 것들일 수 있다. 상기 본딩 패드들(21, 22)은 구리, 니켈, 또는 철을 함유할 수 있다.
상기 패키지 기판(11)의 하부면 상에 히트 싱크(30)가 배치될 수 있다. 상기 히트 싱크(30)는 금속막일 수 있다.
상기 패키지 기판(11)의 주변 영역 상에 캐버티(12a)를 갖는 하우징(12)을 배치할 수 있다. 상기 캐버티(12a) 내에 상기 본딩 패드들(21, 22)의 일부들이 노출될 수 있다. 상기 하우징(12)은 실리콘, 금속, 세라믹 또는 수지로 형성될 수 있다. 또한, 상기 하우징(12)은 몰딩법에 의해 형성되거나, 상기 패키지 기판(11) 상에 하우징층을 형성한 후 패터닝하는 방법에 의해 형성될 수도 있다.
상기 패키지 기판(11)과 상기 하우징(12)은 서로 분리되지 않은 일체형일 수 있다. 이 경우에, 상기 패키지 기판(11)과 상기 하우징(12)은 상기 본딩 패드들(21, 22)을 사이에 두고 일체로 사출성형된 것일 수 있다.
상기 하우징(12)의 캐버티(12a)의 측벽 중 상기 제1 본딩 패드(21)에 접하는 부분 상에는 연결전극(15)이 배치될 수 있다. 상기 연결전극(15)은 전도성 고분자 수지 복합체 또는 전도성 고분자일 수 있다. 상기 도전성 고분자 수지 복합체는 고분자 바인더 내에 전도성 입자가 포함된 것으로, 고분자 바인더는 에폭시 수지, 폴리에스터 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등일 수 있으며, 전도성 입자는 은, 구리, 금, 팔라듐, 탄소, 니켈 등일 수 있다. 상기 연결전극(15)은 디스펜싱법 또는 잉크젯 프린트법을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 캐버티(12a) 내에 노출된 제2 본딩 패드(22) 상에 발광다이오드 칩(40)를 배치한다. 상기 발광다이오드 칩(40)은 제1 반도체층, 제2 반도체층, 상기 반도체층들 사이에 개재된 활성층, 상기 제1 반도체층에 전기적으로 접속하는 제1 소자 전극, 및 상기 제2 반도체층에 전기적으로 접속하는 제2 소자 전극을 구비한다. 이러한 발광다이오드는 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 전계를 인가할 때, 전자와 정공이 재결합하면서 발광한다. 상기 발광다이오드는 GaAlAs계, AlGaIn계, AlGaInP계, AlGaInPAs계, GaN계 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드은 가시광, 자외선광 또는 적외선광을 방출하는 소자일 수 있다. 상기 가시광은 청색, 녹색, 황색 또는 적색일 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(40)은 소자 전극들 중 어느 하나 예를 들어, 제2 소자 전극(41b)이 하부면에 위치하고, 나머지 하나 예를 들어 제1 소자 전극(41a)이 상부면에 위치하는 수직형 발광다이오드 칩일 수 있다. 이 경우에, 상기 발광다이오드 칩(40)의 상기 제2 소자 전극(41b)은 하부 전도성 접착제(미도시) 등을 사용하여 상기 제2 본딩 패드(22) 상에 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(40) 상에 광투과성 기판(60)을 위치시키고, 상기 광투과성 기판(60)이 상기 캐버티(12a)의 측벽 즉, 하우징(12)과 만나는 부분 상에 실링제(65)를 도포하여, 상기 광투과성 기판(60)을 사용하여 상기 발광다이오드 칩(40)을 봉지한다. 이러한 봉지과정은 진공상태에서 진행할 수 있다. 이 경우에, 상기 발광다이오드 칩(40)과 상기 광투과성 기판(60) 사이에는 공기층이 존재하지 않을 수 있다. 상기 광투과성 기판(60)은 유리기판 또는 석영기판일 수 있다.
상기 광투과성 기판(60)은 상기 발광다이오드 칩(40)을 바라보는 면 상에 형성된 광투과성 전도성 패턴(45)을 포함한다. 상기 광투과성 전도성 패턴(45)은 상기 광투과성 기판(60)의 전체면 상에 형성될 수 있다. 상기 광투과성 전도성 패턴(45)은 ITO(Indium Tin Oxide)막, ZnO(Zinc oxide)막, InO(Indium oxide)막, 카본나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT)막일 수 있다.
상기 광투과성 전도성 패턴(45)은 상기 제1 소자 전극(41a) 및 상기 연결전극(15)에 각각 전기적으로 접속될 수 있다. 이를 위해, 상기 광투과성 전도성 패턴(45)과 상기 제1 소자 전극(41a)의 사이, 및 상기 광투과성 전도성 패턴(45)과 상기 연결 전극(15)의 사이에 상부 전도성 접착제(50)가 배치될 수 있다.
상기 상부 전도성 접착제(50)는 전기전도성 및 접착성을 나타내는 고분자 물질 또는 졸-겔 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 상부 전도성 접착제(50)는 전도성 입자로서 은, 동, 니켈 등의 입자를 포함하는 에폭시계 전도성 접착제, 실리콘계(silicone type) 전도성 접착제, 아크릴계 전도성 접착제, 폴 리이미드계 전도성 접착제일 수 있다.
이와 같이, 상기 발광다이오드 칩(40)을 광투과성 기판(60)을 사용하여 봉지함으로써, 기존의 봉지층을 형성하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 발광다이오드 칩(40)이 자외선을 방출하는 경우에도 봉지층의 변성으로 인한 문제점을 피할 수 있다. 또한, 상기 칩(40)과 상기 기판(60) 사이에 공기층이 존재하지 않으므로 광 손실을 줄일 수 있다.
또한, 상기 기판(60) 상에 형성된 광투과성 전도성 패턴(45) 및 상기 연결전극(15)을 사용하여 상기 소자 전극(41a)과 상기 본딩 패드(21)를 전기적으로 연결하므로 와이어의 형성을 생략할 수 있다. 따라서, 와이어의 단락으로 인한 문제점을 미연에 방지할 수 있다. 상기 광투과성 전도성 패턴(45)은 열전도성 또한 뛰어나므로 패키지의 열방출 특성 또한 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 상면도이다. 도 4는 도 3의 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 취해진 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 후술하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 발광다이오드 패키지와 유사하다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 하우징(12)의 캐버티(12a)의 측벽 중 제1 본딩 패드(21)에 접하는 부분 및 제2 본딩 패드(22)에 접하는 부분 상에는 제1 연결전극(15a) 및 제2 연결전극(15b)이 각각 배치될 수 있다. 상기 연결전극들(15a, 15b)은 전도성 고분자 수지 복합체 또는 전도성 고분자일 수 있다. 상기 도전성 고분자 수지 복합체는 고분자 바인더 내에 전도성 입자가 포함된 것으로, 고분자 바인더는 에폭시 수지, 폴리에스터 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등일 수 있으며, 전도성 입자는 은, 구리, 금, 팔라듐, 탄소, 니켈 등일 수 있다. 상기 연결전극들(15a, 15b)은 디스펜싱법 또는 잉크젯 프린트법을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 캐버티(12a) 내에 노출된 제2 본딩 패드(22) 상에 발광다이오드 칩(40)를 배치한다. 상기 발광다이오드 칩(40)는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 상기 반도체층들 사이에 개재된 활성층, 상기 제1 반도체층에 전기적으로 접속하는 제1 소자 전극(41a), 및 상기 제2 반도체층에 전기적으로 접속하는 제2 소자 전극(41b)을 구비한다. 이러한 발광다이오드는 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 전계를 인가할 때, 전자와 정공이 재결합하면서 발광한다. 상기 발광다이오드는 GaAlAs계, AlGaIn계, AlGaInP계, AlGaInPAs계, GaN계 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드은 가시광, 자외선광 또는 적외선광을 방출하는 소자일 수 있다. 상기 가시광은 청색, 녹색, 황색 또는 적색일 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(40)은 소자 전극들(41a, 41b) 모두가 칩(40)의 상부면에 위치하는 수평형 발광다이오드 칩일 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(40) 상에 광투과성 기판(60)을 위치시키고, 상기 광투과성 기판(60)이 상기 캐버티(12a)의 측벽 즉, 하우징(12)과 만나는 부분 상에 실링제(65)를 도포하여, 상기 광투과성 기판(60)을 사용하여 상기 발광다이오드 칩(40)을 봉지한다. 이러한 봉지과정은 진공상태에서 진행할 수 있다. 이 경우 에, 상기 발광다이오드 칩(40)과 상기 광투과성 기판(60) 사이에는 공기층이 존재하지 않을 수 있다. 상기 광투과성 기판(60)은 유리기판 또는 석영기판일 수 있다.
상기 광투과성 기판(60)은 상기 발광다이오드 칩(40)을 바라보는 면 상에 형성된 제1 및 제2 광투과성 전도성 패턴들(45a, 45b)을 포함한다. 상기 광투과성 전도성 패턴들(45a, 45b)은 ITO(Indium Tin Oxide)막, ZnO(Zinc oxide)막, InO(Indium oxide)막, 카본나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT)막일 수 있다.
상기 제1 광투과성 전도성 패턴(45a)은 상기 제1 소자 전극(41a) 및 상기 제1 연결전극(15a)에 전기적으로 접속되고, 상기 제2 광투과성 전도성 패턴(45b)은 상기 제2 소자 전극(41b) 및 상기 제2 연결전극(15b)에 전기적으로 접속될 수 있다. 이를 위해, 상기 제1 광투과성 전도성 패턴(45a)과 상기 제1 소자 전극(41a) 사이, 상기 제1 광투과성 전도성 패턴(45a)과 상기 제1 연결 전극(15a) 사이, 상기 제2 광투과성 전도성 패턴(45b)과 상기 제2 소자 전극(41b) 사이, 상기 제2 광투과성 전도성 패턴(45b)과 상기 제2 연결 전극(15b) 사이에 전도성 접착제(50)가 배치될 수 있다.
상기 전도성 접착제(50)는 전기전도성 및 접착성을 나타내는 고분자 물질 또는 졸-겔 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 접착제(50)는 전도성 입자로서 은, 동, 니켈 등의 입자를 포함하는 에폭시계 전도성 접착제, 실리콘계(silicone type) 전도성 접착제, 아크릴계 전도성 접착제, 폴리이미드계 전도성 접착제일 수 있다.
이와 같이, 상기 발광다이오드 칩(40)을 광투과성 기판(60)을 사용하여 봉지함으로써, 기존의 봉지층을 형성하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 발광다이오드 칩(40)이 자외선을 방출하는 경우에도 봉지층의 변성으로 인한 문제점을 피할 수 있다. 또한, 상기 칩(40)과 상기 기판(60) 사이에 공기층이 존재하지 않으므로 광 손실을 줄일 수 있다.
또한, 상기 기판(60) 상에 형성된 제1 광투과성 전도성 패턴(45a) 및 상기 제1 연결전극(15a)을 사용하여 상기 제1 소자 전극(41a)과 상기 제1 본딩 패드(21)를 전기적으로 연결하고, 제2 광투과성 전도성 패턴(45b) 및 상기 제2 연결전극(15b)을 사용하여 상기 제2 소자 전극(41b)과 상기 제2 본딩 패드(22)를 전기적으로 연결함으로써, 와이어의 형성을 생략할 수 있다. 따라서, 와이어의 단락으로 인한 문제점을 미연에 방지할 수 있다. 상기 광투과성 전도성 패턴들(45a, 45b)은 열전도성 또한 뛰어나므로 패키지의 열방출 특성 또한 향상시킬 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다디오드 패키지의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 도 2를 참조하여 설명한 발광다이오드 패키지의 광투과성 기판(60)의 상부면 상에 졸-겔 용액(70)을 도포한다. 그러나, 상기 발광다이오드 패키지는 도 2를 참조하여 설명한 것에 한정되지 않고 도 1을 참조하여 설명한 패키지를 사용할 수 있다. 상기 졸-겔 용액(70)을 도포하는 것은 디스펜싱법 또는 잉크젯 프린팅법을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 졸-겔 용액은 졸-겔 반응을 통해 박막을 형성할 수 있는 물질로서 예를 들어, 금속 알콕사이드 용액일 수 있다. 상기 금속 알콕사이드의 금속은 Si일 수 있다. 일 예로서, 상기 금속 알콕사이드는 알콕시 실란인 TEOS(tetraethylorthosilicate) 또는 TMOS(tetramethylorthosilicate)일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 상기 금속은 Na, Ba, Cu, Al, Ti, Ge, V, W, Y, Sn, In, Sb일 수도 있다. 또한, 상기 금속 알콕사이드 용액의 용매는 물과 알코올의 공용매일 수 있다.
도 5b를 참조하면, 졸-겔 용액(70)이 도포된 기판(60) 상에 형광체(80)를 도포한다. 상기 형광체(80)는 적색, 녹색, 청색 또는 황색 형광체일 수 있고 건성 형광체일 수 있다. 상기 형광체는 YAG(Yttrium Aluminum Garnet)계, TAG(Terbium Aluminum Garnet)계 또는 실리케이트계일 수 있다. 상기 실리케이트계 물질은 메틸실리케이트, 에틸 실리케이트, 마그네슘알루미늄 실리케이트 또는 알루미늄 실리케이트일 수 있으며, YAG계 물질은 YAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYAG:Ce 또는 GdTbYAG:Ce일 수 있다. 또한, TAG계 물질은 TAG:Ce일 수 있다. 이러한 형광체(80)는 상기 졸-겔 용액(70)과 만나면 산 또는 알칼리 성분을 방출할 수 있다. 이는 상기 형광체(80) 내에 함유된 원소의 종류에 따라 다를 수 있다.
상기 형광체(80)에서 방출된 산 또는 알칼리 성분은 상기 졸-겔 용액(70)이 졸-겔 반응을 일으키게 하는 촉매로서 작용될 수 있다. 그 결과, 상기 졸-겔 용액(70)은 겔화되면서 망목구조를 갖는 코팅막(71)을 형성한다. 이 때, 상기 형광체(80)는 상기 코팅막(71)의 망목구조 내에 고정되어, 상기 코팅막(71) 내에 함유 될 수 있다. 이러한 방법을 사용하는 경우에 상기 광투과 기판(60)의 상부면 상에 얇고 균일한 형광체층을 형성할 수 있어 형광체의 소모량을 감소시킬 수 있으며, 광변화 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 형광체(80)는 발광다이오드 칩(40)에서 발생되는 광에 의해 여기되어 고유의 파장영역의 광을 방출하는 물질이다. 백색광을 구현하고자 할 경우의 일 예로서, 상기 발광다이오드 칩(40)은 청색 발광다이오드 칩이고 상기 형광체(80)는 황색 형광체일 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광다이오드 칩(40)은 UV 발광다이오드 칩이고 상기 형광체(80)는 적색, 녹색 황색 형광체들일 수 있다.
이상, 본 발명을 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 상면도이다.
도 2는 도 1의 절단선 I-I를 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 상면도이다.
도 4는 도 3의 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 취해진 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다디오드 패키지의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.

Claims (17)

  1. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판 상에 배치된 발광다이오드 칩; 및
    상기 발광다이오드 칩 상에 위치하여 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 광투과성 기판을 포함하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 위치하는 본딩 패드;
    상기 발광다이오드 칩 상에 위치하는 소자 전극; 및
    상기 광투과성 기판 상에 위치하고 상기 본딩 패드와 상기 소자 전극을 전기적으로 연결하는 광투과성 전도성 패턴을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 수직형 칩이고, 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 광투과성 기판의 일면 전체에 형성된 발광다이오드 패키지.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 위치하는 제1 및 제2 본딩 패드들;
    상기 발광다이오드 칩 상에 위치하는 제1 및 제2 소자 전극들; 및
    상기 광투과성 기판 상에 위치하는 제1 및 제2 광투과성 전도성 패턴들을 구비하되, 상기 제1 광투과성 전도성 패턴은 상기 제1 본딩 패드와 상기 제1 소자 전극을 전기적으로 연결하고, 제2 광투과성 전도성 패턴은 상기 제2 본딩 패드와 상기 제2 소자 전극을 전기적으로 연결하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 광투과성 전도성 패턴은 ITO막, IO막, ZO막 또는 CNT막인 발광다이오드 패키지.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 소자 전극과 상기 광투과성 전도성 패턴 사이에 위치하는 광투과성 전도성 접착제를 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 위치하고, 상기 발광다이오드 칩을 노출시키는 캐비티를 구비하는 하우징을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 위치하는 본딩 패드;
    상기 발광다이오드 칩 상에 위치하는 소자 전극;
    상기 캐버티의 측벽 상에 위치하고 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결된 연결 전극; 및
    상기 광투과성 기판 상에 위치하고 상기 본딩 패드와 상기 연결 전극을 전기적으로 연결하는 광투과성 전도성 패턴을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광투과성 기판의 상부면 상에 위치하고 형광체를 고정하는 코팅막을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  10. 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩을 배치하는 단계; 및
    상기 발광다이오드 칩 상에 광투과성 기판을 위치시켜, 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 본딩 패드가 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 소자 전극이 위치하고, 및 상기 광투과성 기판 상에 광투과성 전도성 패턴이 위치하며,
    상기 광투과성 기판을 상기 발광다이오드 칩 상에 위치시킬 때, 상기 광투과성 전도성 패턴에 의해 상기 본딩 패드와 상기 소자 전극이 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 수직형 칩이고, 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 광투과성 기판의 일면 전체에 형성된 발광다이오드 패키지 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 제1 및 제2 본딩 패드들이 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 제1 및 제2 소자 전극들이 위치하고, 상기 광투과성 기판 상에 제1 및 제2 광투과성 전도성 패턴들이 위치하고,
    상기 광투과성 기판을 상기 발광다이오드 칩 상에 위치시킬 때, 상기 제1 광투과성 전도성 패턴에 의해 상기 제1 본딩 패드와 상기 제1 소자 전극이 전기적으로 연결되고, 제2 광투과성 전도성 패턴에 의해 상기 제2 본딩 패드와 상기 제2 소자 전극이 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 소자 전극과 상기 광투과성 전도성 패턴 사이에 위치하는 광투과성 전도성 접착제를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 상기 발광다이오드 칩을 배치하기 전에, 상기 패키지 기판 상에 캐비티를 구비하는 하우징을 설치하는 단계를 더 포함하고,
    상기 발광다이오드 칩은 상기 캐비티 내에 배치하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 본딩 패드가 위치하고, 상기 발광다이오드 칩 상에 소자 전극이 위치하고, 상기 광투과성 기판 상에 광투과성 전도성 패턴이 위치하고, 상기 하우징은 상기 캐비티의 측벽에 형성된 연결전극을 구비하고,
    상기 하우징을 설치할 때 상기 연결전극은 상기 본딩 패드와 전기적으로 접속하도록 배치되고, 상기 광투과성 기판을 설치할 때 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 연결전극과 상기 소자 전극에 전기적으로 접속하도록 배치하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 광투과성 기판의 상부면 상에 졸-겔 용액을 도포하는 단계; 및
    상기 졸-겔 용액이 도포된 광투과성 기판의 상부면 상에 형광체를 도포하여 상기 졸-겔 용액의 졸-겔 반응에 의해 상기 형광체가 고정된 코팅막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
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