KR20100028800A - 반도체 테스트 소켓 - Google Patents

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KR20100028800A
KR20100028800A KR1020080087701A KR20080087701A KR20100028800A KR 20100028800 A KR20100028800 A KR 20100028800A KR 1020080087701 A KR1020080087701 A KR 1020080087701A KR 20080087701 A KR20080087701 A KR 20080087701A KR 20100028800 A KR20100028800 A KR 20100028800A
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conductive
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정익종
이병성
구자춘
김제오
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(주)리뉴젠
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Abstract

전도성 복합체를 적용하여 도전 경로를 형성하는 반도체 테스트 소켓이 개시된다. 반도체 테스트 소켓은 실리콘 고무와 같은 탄성체로 테스트 소켓의 몸체를 구성하고 소켓 몸체에 탄소나노튜브를 적용한 전도성 복합체 또는 탄소나노튜브가 포함되어 도금된 금속부재 또는 일반적인 선재나 판재 형태의 금속부재를 사용하여 도전 경로를 형성한다. 유연성을 가진 전도성 복합체에 의해 도전 경로를 형성하고 실리콘 고무로 만들어진 테스트 소켓 몸체의 탄성만으로 탄성력을 제공하게 된다. 또한, 저항 특성이 다른 전도성 복합체를 사용하거나 금속부재와 함께 사용하는 방식으로 테스트 단자별로 다른 저항값을 가지는 테스트 소켓을 제공할 수 있다. 또한, 소켓 몸체에 절연성 중간 매개판을 구비하여 다양한 높이의 테스트 소켓을 제공할 수 있다.
테스트 소켓, 반도체 소자, 실리콘 고무, 탄소나노튜브(CNT), 전도성 복합체

Description

반도체 테스트 소켓{TEST SOCKET FOR SEMICONDUCTOR IC TEST}
본 발명은 반도체 테스트 소켓에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자 패키지의 전기적 특성 검사에 사용되는 반도체 테스트 소켓에 관한 것이다.
일반적으로 가공이 완료된 반도체 소자 패키지는 사용자에게 제공되기 전에 전기 검사 공정을 거치게 된다. 전기 검사 공정에서는 테스트 소켓을 이용하여 반도체 소자 패키지의 전기적 특성을 검사하게 된다.
종래에 QFN, MLF, LGA, BGA 형태를 가진 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓에는 스프링 프로브(포고핀) 방식, 판재핀(Stamping Pin) 방식, 및 가압전도 실리콘 고무(Pressure Sensitive Conductive Rubber : PCR) 방식 등이 있었다. RF(Radio Frequency) 반도체 소자와 같이 고주파에서의 테스트가 요구되는 경우에는 전기적 경로를 최소화해야 할 필요가 있으므로 짧은 스프링 프로브를 사용하거나 다양한 형상의 판재핀을 사용한 테스트 소켓들이 개발되어져 왔다.
최근에는 짧은 도전 경로 구현 및 디바이스 볼에 데미지를 최소화 할 수 있다는 장점 때문에 실리콘 고무를 탄성체로 한 가압전도 실리콘 고무 방식의 사용이 점차 확산되어 가고 있다. 그러나, 테스트 단자별로 다양한 저항값을 가지는 도전 경로를 제공하기 어렵고, 테스트 소켓의 높이가 0.4 ~ 1.5mm 정도로 제한된다는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 테스트 단자별로 다른 저항값을 가지는 도전 경로를 제공하고, 테스트 소켓의 높이 형성에 제한을 받지 않는 반도체 테스트 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓은, 탄성 및 비도전성을 가지는 소켓 몸체, 상기 소켓 몸체에 삽입되며, 반도체 소자의 리드단자와 테스트 기판의 테스트단자 사이에 전기적 흐름이 가능하도록 전도성 복합부재에 의해 도전 경로를 형성하는 도전체를 포함한다.
또한, 상기 도전체는 상단부에 상기 리드단자와 전기적으로 접촉하는 제 1 접촉부가 구비되고, 하단부에 상기 테스트단자와 전기적으로 접촉하는 제 2 접촉부가 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 소켓 몸체에는 상기 전도성 복합부재가 적어도 하나 삽입되는 관통홀이 다수 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 관통홀과 상기 전도성 복합부재 사이에는 탄성을 가지며 전기적으로 부도체의 성질을 가진 탄성체가 충진되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체는 다각형, 원형 또는 타원형의 횡단면을 가지며, 중공의 봉 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체는 비도전성 부재의 외주면에 상기 전도성 복합부재가 감기는 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체는 가운데 부분이 외측으로 만곡되게 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체의 내부에 탄성을 가지며 전기적으로 부도체의 성질을 가지는 탄성체가 충진되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체의 내부에 상기 전도성 복합부재가 적어도 하나 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체는 박막의 필름을 족자 말듯이 말아서 봉 형태로 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체는 '', 'S', '∑', 'II', '아래 위가 뚫린 ㅁ', '8' 또는 'ㄷ' 자 형상의 종단면을 가지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전체는 탄소나노튜브가 적용된 전도성 복합부재 또는 탄소나노튜브가 포함되어 도금된 금속부재 또는 일반 선재나 판재 형태의 금속부재인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 반도체 테스트 소켓은, 상기 도전체의 외곽을 감싸는 형태로 상기 소켓 몸체에 삽입되는 절연성의 중간판을 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있 다.
상기한 바와 같은 본 발명의 반도체 테스트 소켓에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
첫째, 금속부재 또는 탄소나노튜브를 적용한 전도성 복합체를 도전 경로로 사용함으로써, 테스트단자별로 다른 저항값을 가지는 도전 경로를 제공할 수 있다.
둘째, 반도체 소자와 소켓 기판 간의 전기적 경로를 최소화할 수 있다.
셋째, 절연성 중간판을 소켓 몸체에 구비하여 소켓 몸체의 높이를 적절히 조절함으로써, 반도체 테스트 소켓의 높이 형성에 제한을 받지 않는다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 상세히 설명하기로 한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2 및 3은 반도체 테스트 소켓의 평면도이며, 도 4 내지 도 7은 도 1에 나타낸 도전체의 사시도이다.
도 1 내지 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100)은 소켓 몸체(110), 도전체(120) 및 중간판(130) 등을 포함한다.
소켓 몸체(110)는 탄성 및 비도전성을 가지는 실리콘 고무로 구성될 수 있다.
소켓 몸체(110)에는 후술할 도전체(120)가 삽입되는 관통홀(111)이 상하방향으로 적어도 하나 형성된다. 예를 들어, 관통홀(111)은 사각형(도 2 참조), 원형(도 3 참조), 타원형 또는 다각형 형상의 단면을 가지며, 반도체 소자(10)의 리드단자(11)들과 대응되도록 소켓 몸체(110)의 가장자리를 따라 대향면에 대하여 서로 대칭되게 다수 개로 형성될 수 있다.
소켓 몸체(110)의 상부면에는 후술할 제 1 접촉부(121)가 형성되지 않은 영역에 제 1 절연체(141)가 균일하게 피복되고, 소켓 몸체(110)의 하부면에는 후술할 제 2 접촉부(122)가 형성되지 않은 영역에 제 2 절연체(142)가 균일하게 피복되어 형성된다. 제 1 절연체(141) 및 제 2 절연체(142)는 테프론 필름 또는 폴리이미드 필름 등과 같은 절연성 필름 형태로 구성될 수 있다. 도면에 도시된 바 없지만, 제 1 절연체(141)에 홀이 형성되고, 상기 홀의 내주면과 홀의 주위 상부 표면에 제 1 접촉부(121)가 형성될 수 있다. 또한, 제 2 절연체(142)에 홀이 형성되고, 상기 홀의 내주면과 홀의 주위 하부 표면에 제 2 접촉부(122)가 형성되는 기술적 구성이 가능하다.
도전체(120)는 소켓 몸체(110)의 관통홀(111)에 삽입되며, 반도체 소자(10)의 리드단자(11)와 테스트 기판(20)의 테스트단자(21) 사이에 전기적 흐름이 가능하도록 전도성 복합부재(120a)에 의해 도전 경로를 형성한다. 보다 상세하게는, 도전체(120)는 관통홀(111)에 삽입되어 상하방향으로 배치되며, 제 1 접촉부(121)와 제 2 접촉부(122)를 전기적으로 연결한다.
제 1 접촉부(121)는 도전체(120)의 상단부에 형성되며, 반도체 소자(10)의 전기적 특성 검사시 리드단자(11)와 전기적으로 접촉된다.
제 1 접촉부(121)는 상부가 제 1 절연체(141)의 표면 보다 0.01~0.2 mm 정도 돌출되게 형성되는 것이 바람직하다.
도면에는 도시된 바 없지만, 제 1 접촉부(121)는 관통홀(111)의 상부 내주면에 도포되는 동박층과, 상기 동박층을 감싸는 형태로 도포되는 도금층과, 상기 도금층의 상부면에 돌출되게 도포되며 금속(니켈)을 주성분으로 하는 다수의 미세 볼을 함유하는 금속(니켈)층(121a)을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 금속(니켈)층(121a)은 상기 도금층의 상부면에 니켈을 주성분으로 하는 다수의 미세 볼을 도포하고 그 표면을 코팅처리하여 형성할 수 있다.
제 2 접촉부(122)는 제 1 접촉부(121)와 상호 대응되도록 도전체(120)의 하단부에 형성되며, 반도체 소자(10)의 전기적 특성 검사시 테스트 기판(20)의 테스트단자(21)와 전기적으로 접촉된다.
제 2 접촉부(122)는 하부가 제 2 절연체(142)의 표면 보다 5 ~ 100 mm 정도 돌출되게 형성될 수 있다. 예컨대, 제 2 접촉부(122)는 제 1 접촉부(121)와 동일한 기술적 구성을 가질 수도 있다. 다만, 제 2 접촉부(122)에서 각각의 부재들이 돌출되는 방향은 테스트단자(21)와 접촉이 용이하도록 구성됨이 바람직하다.
본 실시예에서는 도 4에 도시된 바와 같이, 도전체(120)가 사각형의 균일한 횡단면을 갖는 중공(120a)의 봉 형태로 형성되는 구성을 예시하였으나, 이에 한정되지 않고 다각형, 원형 또는 타원형의 횡단면을 가지는 중공(120a)의 봉 형태를 모두 포함할 수 있다. 금속부재를 도전체(120)로 사용할 경우에는 중공을 가진 봉 형태가 아닌 도 6에 도시된 바와 같은 가운데가 비어있는 사각면을 가진 링 형태로 도전 경로를 형성할 수 있다.
도전체(120)는 비도전성 부재, 예컨대 실리콘 고무 등으로 봉을 성형한 후 그 외부면에 전도성 복합부재(120b)를 수 회 감아 접착하는 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 전도성 복합부재(120b)는 탄소나노튜브(Carbon Nanotube : CNT)를 포함할 수 있다. 탄소나노튜브를 적용한 전도성 복합체가 박막의 필름일 경우에는 필요한 크기로 절단하고 도 7과 같이 족자를 말듯이 말아서 사용할 수 있다. 이때, 말아 놓은 필름 위에 실리콘 고무를 도포하고 경화하면 봉형태의 도전 경로를 형성할 수 있다. 탄소나노튜브를 적용한 전도성 복합체를 사용하면 다양한 저항값을 가 지는 도전 경로를 제공할 수 있다. 금속부재는 우수한 전기적 특성을 제공할 수 있도록 Cu, BeCu, Ag 또는 Au 등과 같이 연성 및 인장이 우수한 어떠한 금속재질 또는 합금재질 등으로 구성되며, 금속선 또는 금속판재 형태로 제공될 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 도전체(120)는 가운데 부분(120c)이 외측으로 약간 만곡되게 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 도전체(120)의 중공(120a) 부위를 소정의 탄성을 가지며, 전기적으로 부도체의 성질을 가진 탄성체로 매립할 수 있다. 다만, 실시의 형태에 따라서, 도전체(120)를 중공이 없는 봉 형태로 구성할 수도 있다.
도면에는 중간판(130)이 도전체(120)의 외곽을 감싸는 형상으로 소켓 몸체(110) 내에 구비되는 구성을 예시하였으나, 이에 한정되지 않고 실시의 형태에 따라서, 중간판(130)을 생략하는 구성이 선택될 수 있다.
중간판(130)은 도전체(120)에 대하여 수직하게 배치되도록 소켓 몸체(110)의 대략 중간부위에 수평방향으로 삽입하여 구성될 수 있다.
도 8은 도 1에 나타낸 중간판의 평면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 중간판(130)은 소켓 몸체(110)의 내부에 삽입되도록 구성된다. 중간판(130)에는 관통홀(111)과 대응하는 위치에 적어도 하나의 접지홀(133)이 형성된다. 중간판(130)이 접지 기능으로 사용되는 경우에는 SUS(Steel Use stainless) 또는 BeCu 등과 같은 금속재질로 이루어지며, 중간 매개판 기능으로 사용되는 경우에는 톨론(Torlon) 또는 울템(Ultem) 등과 같은 엔지니어링 플라스틱으로 구성되는 것이 바람직하다. 도면에는 도시된 바 없지만, 중간판(130)을 다층 구조로 구성하여 테스트 소켓의 높이를 조절할 수 있다.
이하, 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓의 작동 상태를 구체적으로 설명한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓의 작동 상태를 도시한 단면도이다.
본 발명의 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 제조 공정이 끝난 후 반도체 소자의 전기적 특성을 검사하는데 사용하게 된다
보다 상세하게는, 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 테스트 소켓(100) 위에 반도체 소자(10)를 안착시키고 하방으로 약간 압력을 가하면 반도체 소자(10)의 리드단자(11)들이 소켓 몸체(110)의 상부에 형성된 제 1 접촉부(121)들과 각각 접촉하게 된다. 이때, 실리콘 고무로 구성된 소켓 몸체(110)는 반도체 소자(10)와 접촉시 상대에 대하여 소정의 탄성을 부여하게 된다.
제 1 접촉부(121)와 제 2 접촉부(122)는 소켓 몸체(110)의 관통홀(111)에 삽입된 도전체(120)에 의해 전기적으로 연결된다. 이때, 탄소나노튜브가 적용된 전도성 복합부재(120b)에 의해 도전 경로를 형성하는 도전체(120)를 통해 반도체 소자(10)의 리드단자(11)와 소켓 기판(20)의 테스트단자(21) 사이에 전기적 흐름이 가능하게 되어 고주파수용 반도체 소자의 전기적 특성을 검사할 수 있다.
본 발명은 전도성 복합부재(120b), 예컨대 탄소나노튜브가 포함된 고전도성 필름 또는 탄소나노튜브가 포함되어 도금되어 탄성이 강화된 금속부재 또는 일반적인 선재 또는 판재 형태의 금속부재를 도전 경로로 사용함으로써, 각각의 테스트단 자별로 다양한 저항값을 가지는 도전 경로를 제공할 수 있다.
또한, 다양한 두께의 중간판(130)을 소켓 몸체(110)에 구비하여 반도체 테스트 소켓의 높이를 적절히 조절할 수 있다. 예를 들어, 20㎛ ~ 8mm 두께를 가진 금속판 또는 톨론이나 울템과 같은 플라스틱을 중간판(130)으로 사용하여 1.5~10mm 높이의 테스트 소켓을 제공할 수 있다.
또한, 도면에 도시된 바 없지만, 테스트 소켓의 높이가 10mm 정도로 매우 높을 경우에는 수 장의 중간판을 사용하여 다층 구조로 구성하는 것이 바람직하다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(200)은 소켓 몸체(110), 도전체(120), 중간판(130), 제 1 절연체(141) 및 제 2 절연체(142) 등을 구비한다.
본 실시예에서는, 도전체(120)의 내부에 적어도 하나의 전도성 복합부재 또는 금속 선재(210)를 더 구비하는 구성을 제외하고는 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예와 동일하다. 따라서, 상기 일 실시 예와 동일한 구성 및 작용에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
도전체(120)는 소켓 몸체(110)의 관통홀(111)에 삽입되며, 반도체 소자(10)의 리드단자(11)와 테스트 기판(20)의 테스트단자(21) 사이에 전기적 흐름이 가능하도록 전도성 복합부재 또는 금속 선재(210)에 의해 도전 경로를 형성한다.
도전체(120)는 비도전성 부재, 예컨대 실리콘 고무 등으로 봉을 성형한 후 그 외부면에 전도성 복합부재(120b, 도 4 참조)를 수 회 감아 접착하는 형태로 형성된다. 전도성 복합체가 탄소나노튜브를 적용한 필름 형태일 경우에는 필요한 크기로 절단하여 여러겹을 함께 사용할 수 있다. 또한 도전체(120)로 적어도 하나 이상의 금속선 또는 금속편을 사용할 수 있다.
또한, 도전체(120) 내부의 전도성 복합부재(210) 주위를 소정의 탄성을 가지며 전기적으로 부도체의 성질을 가진 탄성체로 매립하거나, 빈공간으로 남겨둘 수도 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 12는 도 11에 나타낸 도전체의 사시도이며, 도 13a 내지 13d는 도 11에 나타낸 도전체의 다양한 실시예들에 따른 단면도이다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(300)은 소켓 몸체(110), 도전체(310), 중간판(130), 제 1 절연체(141) 및 제 2 절연체(142) 등을 구비한다.
본 실시예에서는, 도전체(310)의 형상 구조를 다양하게 변형하는 구성을 제외하고는 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예와 동일하다. 따라서, 상기 일 실시 예와 동일한 구성 및 작용에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
도전체(310)는 소켓 몸체(110)의 내부에 구비되며, 반도체 소자(10)의 리드단자(11)와 테스트 기판(20)의 테스트단자(21) 사이에 전기적 흐름이 가능하도록 전도성 복합부재 또는 금속부재(310a)에 의해 도전 경로를 형성한다.
도전체(310)는 영문자 'S' 형상의 종단면을 가지는 탄소나노튜브가 적용된 전도성 복합체 또는 금속판재 형태로 구성될 수 있다. 이때 'S' 자형의 도전체는 양단부가 내측으로 절곡되는 것이 바람직하다.
또한, 도 13a 내지 도 13e에 도시된 바와 같이, 도전체(310)는 상술한 'S'자 형상의 종단면 이외에도 '', '∑', 'II', '아래 위가 뚫린 ㅁ', '8' 또는 'ㄷ' 자 형상의 종단면을 가질 수 있으며, 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 구성될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 및 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓의 평면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 1에 나타낸 도전체의 사시도이다.
도 8은 도 1에 나타낸 중간판의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓의 작동 상태를 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 12는 도 11에 나타낸 도전체의 사시도이다.
도 13a 내지 13e는 도 11에 나타낸 도전체의 다양한 실시예들에 따른 단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100,200,300 : 반도체 테스트 소켓 110 : 소켓 몸체
120,310 : 도전체 121 : 제 1 접촉부
122 : 제 2 접촉부 130 : 중간판
141 : 제 1 절연체 142 : 제 2 절연체

Claims (13)

  1. 탄성 및 비도전성을 가지는 소켓 몸체; 및
    상기 소켓 몸체에 삽입되며, 반도체 소자의 리드단자와 테스트 기판의 테스트단자 사이에 전기적 흐름이 가능하도록 전도성 복합부재에 의해 도전 경로를 형성하는 도전체를 포함하는 반도체 테스트 소켓.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체는 상단부에 상기 리드단자와 전기적으로 접촉하는 제 1 접촉부가 구비되고, 하단부에 상기 테스트단자와 전기적으로 접촉하는 제 2 접촉부가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 소켓 몸체에는 상기 전도성 복합부재가 적어도 하나 삽입되는 관통홀이 다수 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 관통홀과 상기 전도성 복합부재 사이에는 탄성을 가지며 전기적으로 부도체의 성질을 가진 탄성체가 충진되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체는 다각형, 원형 또는 타원형의 횡단면을 가지며, 중공의 봉 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 도전체는 비도전성 부재의 외주면에 상기 전도성 복합부재가 감기는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 도전체는 가운데 부분이 외측으로 만곡되게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 도전체의 내부에 탄성을 가지며 전기적으로 부도체의 성질을 가지는 탄성체가 충진되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 도전체의 내부에 상기 전도성 복합부재가 적어도 하나 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체는 박막의 필름을 족자 말듯이 말아서 봉 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체는 '', 'S', '∑', 'II', '아래 위가 뚫린 ㅁ', '8' 또는 'ㄷ' 자 형상의 종단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체는 탄소나노튜브가 적용된 전도성 복합부재 또는 탄소나노튜브가 포함되어 도금된 금속부재 또는 일반 선재나 판재 형태의 금속부재인 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전체의 외곽을 감싸는 형태로 상기 소켓 몸체에 삽입되는 중간판을 더 포함하는 반도체 테스트 소켓.
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