KR20100024033A - Organic light emitting display and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20100024033A
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모성호
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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting display and a method for fabricating the same are provided to prevent the deterioration of an organic light-emitting layer by blocking out-gassing from a color unit. CONSTITUTION: An organic light emitting display comprises a substrate, an organic light-emitting layer(220), a first electrode(214), a second electrode(222), a color unit(206), and a barrier layer(212). The substrate comprises a red, a green, and a blue sub pixel region. The organic light-emitting layer implements the white. The organic light-emitting layer is interposed between the first electrode and the second electrode. The color unit is formed within the red, the green, and a blue sub pixel region. The color unit generates out-gassing. The barrier layer is formed with a thermosetting property or a photo curable material. The barrier layer isolates the out-gassing.

Description

유기발광 표시장치 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Organic light emitting display device and manufacturing method thereof {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 컬러 수단으로부터의 아웃-개싱을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can prevent out-gassing from color means.

최근 다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 다양한 표시 장치들 중 종이와 같이 박막화가 가능한 유기 전계발광(Electro-Luminescence) 표시장치가 주목받고 있다. 유기 전계발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 유기 발광층을 이용한 자발광 소자로 유기 EL 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode) 표시장치라고 부르며 이하에서는 OLED 표시장치를 사용한다. OLED 표시장치는 액정 표시장치와 비교하여 저소비전력, 박형, 자발광 등의 장점을 갖지만, 수명이 짧다는 단점을 갖는다. Recently, among electroluminescent display devices that can be made thin such as paper, various electroluminescent display devices that implement various information on a screen have attracted attention. The organic electroluminescent display device is a self-luminous device using a thin organic light emitting layer between electrodes, which is called an organic EL or organic light emitting diode (OLED) display device, and hereinafter, an OLED display device is used. OLED displays have advantages such as low power consumption, thinness, and self-luminous, compared to liquid crystal displays, but have shortcomings.

OLED 표시장치는 한 화소를 구성하는 3색(R, G, B) 서브 화소 각각을 독립적으로 구동하여 동영상을 표시하기에 적합한 액티브 매트릭스 타입을 중심으로 발전되고 있다. 액티브 매트릭스 OLED(이하, AMOLED) 표시장치의 각 서브 화소는 양극 및 음극 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED와, OLED를 독립적으로 구동하는 서브 화소 구동부를 구비한다. 서브 화소 구동부는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스 토리지 커패시터를 포함하여 데이터 신호에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 밝기를 제어한다. OLED는 양극과 음극 사이에 유기물로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함한다. 양극과 음극 사이에 순방향 전압이 인가되면 음극으로부터의 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하고, 양극으로부터의 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동한다. 발광층은 전자 수송층으로부터의 전자와 정공 수송층으로부터의 정공의 재결합으로 빛을 방출하고, 밝기는 양극과 음극 사이에 흐르는 전류량에 비례한다.OLED displays are being developed based on an active matrix type suitable for displaying moving images by independently driving each of three color (R, G, B) sub-pixels constituting one pixel. Each subpixel of an active matrix OLED (hereinafter, AMOLED) display device includes an OLED composed of an organic light emitting layer between an anode and a cathode, and a subpixel driver for driving the OLED independently. The sub-pixel driver includes at least two thin film transistors and a storage capacitor to control the brightness of the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the data signal. The OLED includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer laminated with an organic material between an anode and a cathode. When a forward voltage is applied between the anode and the cathode, electrons from the cathode move to the light emitting layer through the electron injection layer and the electron transport layer, and holes from the anode move to the light emitting layer through the hole injection layer and the hole transport layer. The light emitting layer emits light by recombination of electrons from the electron transport layer and holes from the hole transport layer, and brightness is proportional to the amount of current flowing between the anode and the cathode.

AMOLED 표시장치는 서브화소 구동부 어레이와 OLED 어레이가 형성된 기판에 패키징판이 합착된 인캡슐레이션(Encapsulation) 구조로 그 기판을 통해 빛을 방출한다. 패키징 판에는 수분 및 가스를 흡착하는 게터가 형성되어 유기 발광층의 열화를 방지한다. 그러나, 종래의 AMOLED 표시장치는 서브화소 구동부의 공정이 완료된 다음 OLED 어레이의 공정에서 불량이 발생하면 기판 전체를 모두 불량 처리해야 하므로 전체 공정 수율이 낮은 문제점이 있다. 또한, 패키징판은 개구율을 제한하고 고해상도 표시장치에 적용되기 어려운 문제점이 있다. The AMOLED display has an encapsulation structure in which a packaging plate is bonded to a substrate on which a subpixel driver array and an OLED array are formed to emit light through the substrate. A getter is formed on the packaging plate to adsorb moisture and gas to prevent deterioration of the organic light emitting layer. However, the conventional AMOLED display device has a problem in that the overall process yield is low because if the defect occurs in the process of the OLED array after the process of the sub-pixel driver is completed, the entire substrate must be treated badly. In addition, the packaging plate has a problem of limiting the aperture ratio and being difficult to apply to a high resolution display device.

이러한 문제점들을 해결하기 위한 방안으로 최근에는 서브 화소 구동부 어레이와 OLED 어레이가 서로 다른 기판에 분리 형성되어 합착된 듀얼 플레이트 타입(Dual Plate Type)의 AMOLED가 제안되었다. 듀얼 플레이트 타입의 AMOLED 표시장치는 상하판 합착시 스페이서에 의해 각 서브 화소의 서브 화소 구동부와 OLED가 단순하게 접촉되면서 전기적으로 연결된다. Recently, a dual plate type AMOLED has been proposed in which a sub-pixel driver array and an OLED array are separately formed and bonded to different substrates. The dual plate type AMOLED display device is electrically connected to each other by simply contacting the sub pixel driver of each sub pixel and the OLED by spacers when the upper and lower plates are bonded together.

이와 같은 듀얼 플레이트 타입의 유기발광 표시장치에 있어서, 유기 발광층은 쉐도우 마스크를 사용하여 형성하게 되는데 대면적으로 갈수록 쉐도우 마스크의 휘어짐 등으로 인해 한계가 있으며, 색효율 향상을 위해 일측의 기판 상에 별도의 컬러 수단을 형성하게 된다. 그러나, 이러한 컬러 수단에서 아웃-개싱(Out-gassing)되어 배출된 수분에 의해 발광 특성 및 수명이 감소하는 문제점을 구비한다. In such a dual plate type organic light emitting display device, the organic light emitting layer is formed by using a shadow mask, which is limited due to the warpage of the shadow mask as the area becomes larger, and is separately disposed on one substrate to improve color efficiency. To form the color means. However, this color means has a problem in that the light emission characteristics and lifetime are reduced by the out-gassing and discharged water.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 컬러 수단으로부터의 아웃-개싱을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can prevent out-gassing from color means.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 한 특징에 따른 유기발광 표시장치는 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역을 가지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 백색을 구현하는 유기 발광층과, 상기 유기 발광층을 사이에 두고 대향하는 제 1 및 제 2 전극과, 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역 내에 형성되는 컬러 수단과, 상기 컬러 수단 상에 상기 컬러 수단으로부터 발생되는 아웃-개싱을 차단하기 위해 열경화성 또는 광경화성 물질로 이루어진 배리어층을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, an organic light emitting display device according to an aspect of the present invention, a substrate having red, green and blue sub-pixel region, an organic light emitting layer for implementing a white formed on the substrate, and the organic light emitting layer First and second electrodes opposing each other, color means formed in the red, green and blue sub-pixel regions, and thermosetting to block out-gassing from the color means on the color means. And a barrier layer made of a photocurable material.

본 발명의 다른 특징에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 적색, 녹색, 및 청색 서브 화소 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와, 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역 내에 컬러 수단을 형성하는 단계와, 상기 컬러 수단 상에 상기 컬러 수단으로부터 발생되는 아웃-개싱을 차단하기 위해 열경화성 또는 광경화성 물질로 이루어진 배리어층을 형성하는 단계와, 상기 배리어층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극 상에 백색을 구현하는 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으 로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, including: preparing a substrate having red, green, and blue sub-pixel regions; forming color means in the red, green, and blue sub-pixel regions; Forming a barrier layer of thermosetting or photocurable material on the color means to block out-gassing generated from the color means, forming a first electrode on the barrier layer, and Forming an organic light emitting layer that implements white on one electrode, and forming a second electrode on the organic light emitting layer.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. An organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to the present invention have the following effects.

열경화성 또는 광경화성 물질의 배리어층을 형성함으로써, 컬러필터층 또는 색변환층에서 잔존하는 용매 또는 수분 등의 침투로 인해 유기 발광층에 영향을 미쳐 흑점(dark spot)을 형성시키고, 이에 제 1 및 제 2 전극에 전계가 인가되면 흑점이 성장하게 되어 소자의 신뢰성 및 수명에 치명적인 영향을 미치게 되는 문제점을 방지할 수 있다. 그리고, 컬러 수단으로부터의 아웃-개싱(Out-gassing)을 완전히 차단하여 유기 발광층의 열화를 방지할 수 있다. By forming a barrier layer of a thermosetting or photocurable material, dark spots are formed by influencing the organic light emitting layer due to the penetration of a solvent or moisture remaining in the color filter layer or the color conversion layer, and thereby forming a dark spot. When an electric field is applied to the electrode, it is possible to prevent a problem that dark spots grow and have a fatal effect on the reliability and life of the device. In addition, the out-gassing from the color means may be completely blocked to prevent deterioration of the organic light emitting layer.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 기본 화소에 대한 등가 회로도이다. 1 is an equivalent circuit diagram of a basic pixel of an organic light emitting display according to the present invention.

도 1에 도시된 유기발광 표시장치 한 화소는 게이트 라인(GL)과 수직하게 교차하는 데이터 라인(DL)과, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(T1)와 전원 라인(PL) 사이에서 유기발광 다이오드(E)와 접속된 구동 박막 트랜지스터(T2)와, 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 전원 라인(PL) 사이에 접속된 스토리지 캐패시터(C)를 구비한다.One pixel of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 includes a data line DL crossing the gate line GL, a switching thin film transistor T1 connected to the gate line GL and the data line DL, The driving thin film transistor T2 connected to the organic light emitting diode E between the switching thin film transistor T1 and the power supply line PL, and the gate electrode of the driving thin film transistor T2 and the power supply line PL. The storage capacitor C is provided.

스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(GL)의 스캔 신호에 응답하여 데 이터 라인(DL)의 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(C)에 공급한다. 구동 박막 트랜지스터(T2)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 유기발광 다이오드(E)로 공급되는 전류를 조절하여 유기발광 다이오드(E)의 밝기를 제어한다. 스토리지 캐패시터(C)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터의 데이터 신호를 충전하고, 충전된 전압을 구동 박막 트랜지스터(T2)에 공급하여 스위칭 박막 트랜지스터(T1)가 오프(OFF)되더라도 구동 박막 트랜지스터(T2)가 일정한 전류를 공급할 수 있다.The switching thin film transistor T1 supplies the data signal of the data line DL to the gate electrode and the storage capacitor C of the driving thin film transistor T2 in response to the scan signal of the gate line GL. The driving thin film transistor T2 controls the brightness of the organic light emitting diode E by controlling a current supplied from the power line PL to the organic light emitting diode E in response to the data signal from the switching thin film transistor T1. The storage capacitor C charges the data signal from the switching thin film transistor T1 and supplies the charged voltage to the driving thin film transistor T2 so that the driving thin film transistor T2 is turned off even when the switching thin film transistor T1 is turned off. Can supply a constant current.

이와 같은 유기발광 표시장치는 한 화소를 구성하는 3색(R, G, B) 서브 화소 각각을 독립적으로 구동하여 동영상을 표시하기에 적합한 액티브 매트릭스 타입을 중심으로 발전되고 있다. 액티브 매트릭스 OLED(이하, AMOLED) 표시장치의 각 서브 화소는 양극 및 음극 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED와, OLED를 독립적으로 구동하는 서브 화소 구동부를 구비한다. 서브 화소 구동부는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터를 포함하여 데이터 신호에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 밝기를 제어한다. OLED는 양극과 음극 사이에 유기물로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함한다. 양극과 음극 사이에 순방향 전압이 인가되면 음극으로부터의 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하고, 양극으로부터의 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동한다. 발광층은 전자 수송층으로부터의 전자와 정공 수송층으로부터의 정공의 재결합으로 빛을 방출하고, 밝기는 양 극과 음극 사이에 흐르는 전류량에 비례한다.Such an organic light emitting diode display is being developed based on an active matrix type suitable for displaying moving images by independently driving each of the three sub-pixels (R, G, B) constituting one pixel. Each subpixel of an active matrix OLED (hereinafter, AMOLED) display device includes an OLED composed of an organic light emitting layer between an anode and a cathode, and a subpixel driver for driving the OLED independently. The sub-pixel driver includes at least two thin film transistors and a storage capacitor to control the brightness of the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the data signal. The OLED includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer laminated with an organic material between an anode and a cathode. When a forward voltage is applied between the anode and the cathode, electrons from the cathode move to the light emitting layer through the electron injection layer and the electron transport layer, and holes from the anode move to the light emitting layer through the hole injection layer and the hole transport layer. The light emitting layer emits light by recombination of electrons from the electron transport layer and holes from the hole transport layer, and the brightness is proportional to the amount of current flowing between the anode and the cathode.

유기 발광층은 쉐도우 마스크를 사용하여 형성하게 되는데 대면적으로 갈수록 쉐도우 마스크의 휘어짐 등으로 인해 한계가 있으며, 색효율 향상을 위해 일측의 기판 상에 별도의 컬러 수단을 형성하게 된다. 즉, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소 영역 내에 형성되는 컬러 수단을 구비하며, 컬러 수단은 적색(R) 서브 화소 영역에 형성되는 적색(R) 컬러 수단과, 녹색(G) 서브 화소 영역에 형성되는 녹색(G) 컬러 수단과, 청색(B) 서브 화소 영역에 형성되는 청색(B) 컬러 수단을 구비한다. 컬러 수단은 컬러필터층 또는 색변환(Color Change Medium; CCM)층으로 구성된다. The organic light emitting layer is formed by using a shadow mask, which is limited due to the warpage of the shadow mask as the area becomes larger, and a separate color means is formed on one substrate to improve color efficiency. That is, it includes a color means formed in the red (R), green (G), blue (B) sub-pixel region, the color means is a red (R) color means formed in the red (R) sub-pixel region, and green (G) green (G) color means formed in the sub pixel region, and blue (B) color means formed in the blue (B) sub pixel region. The color means consists of a color filter layer or a color change medium (CCM) layer.

도 2는 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 타입의 유기발광 표시장치를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device of a dual plate type according to the present invention.

도 2에 도시된 유기발광 표시장치는 서브 화소 구동부 어레이가 형성된 하부 기판(102)과, OLED 어레이가 형성된 상부 기판(202)이 실링재(도시하지 않음)에 의해 합착된 구조를 갖는다. The organic light emitting display shown in FIG. 2 has a structure in which a lower substrate 102 on which a sub pixel driver array is formed and an upper substrate 202 on which an OLED array is formed are bonded by a sealing material (not shown).

상부 기판(202)은 화소 영역 상에 하나의 화소를 다수의 서브 화소 영역으로 이루어져 있다. 즉, 적색(R) 서브 화소 영역에는 적색(R) 컬러 수단(206a), 녹색(G) 서브 화소 영역에는 녹색(G) 컬러 수단(206b), 청색(B) 서브 화소 영역에는 청색(B) 컬러 수단(206c)이 형성된다. 컬러 수단(206)은 컬러필터층 또는 CCM(Color Change Medium) 방식으로 컬러를 구현하는 색변환층으로 구성된다. 컬러 수단(206) 상에는 배리어층(Barrier Layer)(212)이 형성되는데, 이는 오버코트 층(210)과 함께 컬러필터층 또는 색변환층에서 잔존하는 용매 또는 수분 등이 유기 발광층(220)으로 침투되는 것을 방지한다.The upper substrate 202 includes one pixel on the pixel area and a plurality of sub pixel areas. That is, red (R) color means 206a in the red (R) sub pixel area, green (G) color means 206b in the green (G) sub pixel area, and blue (B) in the blue (B) sub pixel area. Color means 206c is formed. The color means 206 is composed of a color filter layer or a color conversion layer for implementing color in a CCM (Color Change Medium) method. A barrier layer 212 is formed on the color means 206, and the solvent or moisture remaining in the color filter layer or the color conversion layer together with the overcoat layer 210 is introduced into the organic light emitting layer 220. prevent.

배리어층(212)은 기존에는 무기 절연물질인 실리콘질화막(SiNx) 계열로 형성하였으나, 이와 같은 물질로 형성된 배리어층(212)은 컬러필터층 또는 색변환층에서 잔존하는 용매 또는 수분 등을 완전히 차단하지 못하는 문제점을 가지고 있었다. 따라서, 이를 해결하기 위해 본 발명에서는 배리어층(212)을 열경화성 또는 광경화성 물질인 에폭시(Epoxy)계, 아크릴(Acryl)계, 이미드계(Imide) 또는 실레인(Silane) 물질로 이루어진 방습성이 있는 투명한 실런트(Sealant)로 형성한다. 또한, 적하(Dropping) 또는 스크린 프린팅(Screen Printing)의 방식을 이용하여 0.5∼10㎛의 두께로 형성한다.The barrier layer 212 is conventionally formed of a silicon nitride layer (SiNx) based inorganic insulating material, but the barrier layer 212 formed of such a material does not completely block the solvent or moisture remaining in the color filter layer or the color conversion layer. Had problems. Therefore, in order to solve this problem, in the present invention, the barrier layer 212 may be moisture-proof, which is made of epoxy, acrylic, imide, or silane, which is a thermosetting or photocurable material. It is formed of a transparent sealant. In addition, it is formed to a thickness of 0.5 to 10㎛ using a dropping or screen printing method.

이와 같이 열경화성 또는 광경화성 물질의 배리어층(212)을 형성함으로써, 컬러필터층 또는 색변환층에서 잔존하는 용매 또는 수분 등의 침투로 인해 유기 발광층에 영향을 미쳐 흑점(dark spot)을 형성시키고, 이에 제 1 및 제 2 전극(214, 222)에 전계가 인가되면 흑점이 성장하게 되어 소자의 신뢰성 및 수명에 치명적인 영향을 미치게 되는 문제점을 방지할 수 있다. 그리고, 컬러 수단(206)으로부터의 아웃-개싱(Out-gassing)을 완전히 차단하여 유기 발광층(220)의 열화를 방지할 수 있다. As such, by forming the barrier layer 212 of the thermosetting or photocurable material, dark spots are formed by influencing the organic light emitting layer due to the penetration of the solvent or moisture remaining in the color filter layer or the color conversion layer. When an electric field is applied to the first and second electrodes 214 and 222, black spots may grow to prevent a problem that may have a fatal effect on the reliability and lifespan of the device. In addition, the out-gassing from the color means 206 may be completely blocked to prevent deterioration of the organic emission layer 220.

또한, 상부 기판(202)은 빛샘 방지 및 각 컬러 수단(206) 사이에 컬러 간 혼색영역을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(204)와, 컬러 수단(206) 및 블랙 매트릭스(204)를 포함하는 제 2 절연 기판(200) 전면에 형성된 평탄화를 위한 오버코트 층(210)과, 하부 기판(102)의 서브 화소 구동부와 접속된 제 2 전극(222)과, 제 2 전극(222)과 유기 발광층(220)을 사이에 두고 형성된 제 1 전극(214)과, 각 서브 화소 단위로 분리시키는 격벽(181)과, 제 2 전극(222)을 하부 기판(102)과 접속시키기 위한 콘택 스페이서(184)가 형성되며 제 2 전극(222)은 콘택 스페이서(184)를 감싸도록 유기 발광층(220) 상에 형성된다.In addition, the upper substrate 202 includes a black matrix 204 for preventing light leakage and blocking inter-color mixed region between each color means 206, and a second including a color means 206 and a black matrix 204. The overcoat layer 210 for planarization formed on the entire surface of the insulating substrate 200, the second electrode 222 connected to the sub pixel driver of the lower substrate 102, the second electrode 222 and the organic emission layer 220. A first electrode 214 formed therebetween, a partition wall 181 separating each sub pixel unit, and a contact spacer 184 for connecting the second electrode 222 to the lower substrate 102. The second electrode 222 is formed on the organic light emitting layer 220 to surround the contact spacer 184.

여기서, 격벽(181) 및 콘택 스페이서(184) 하부에는 격벽(181) 및 콘택 스페이서(184)의 면적보다 큰 면적의 절연막 패턴(218)을 형성하게 되는데, 이는 제 2 전극(222)을 증착하는 공정 중 제 1 전극(214)과 제 2 전극(222)의 접촉 불량을 방지하기 위한 목적으로 형성한다. Here, an insulating layer pattern 218 having an area larger than that of the barrier rib 181 and the contact spacer 184 is formed under the barrier rib 181 and the contact spacer 184, which deposits the second electrode 222. It is formed for the purpose of preventing poor contact between the first electrode 214 and the second electrode 222 during the process.

제 1 전극(214)은 유기 발광층(220)으로부터의 빛을 투과시키기 위하여 투명 도전층으로 형성되며, 제 1 전극(214) 상에 격벽(181) 하부에 제 1 전극(214)의 전기 전도도를 높여주기 위한 보조 전극(216)이 형성된다. 예를 들어, 제 1 전극(214)을 형성하는 물질이 ITO 물질일 경우, 보조 전극(216)은 저항이 낮은 저 저항 금속물질로 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 은(Ag), 구리 합금 중 적어도 하나의 금속물질로 형성된다. The first electrode 214 is formed of a transparent conductive layer in order to transmit light from the organic light emitting layer 220. The first electrode 214 has an electrical conductivity of the first electrode 214 under the partition 181 on the first electrode 214. An auxiliary electrode 216 for raising is formed. For example, when the material forming the first electrode 214 is an ITO material, the auxiliary electrode 216 is a low resistance metal material having low resistance, and includes molybdenum (Mo), aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), It is formed of at least one metal material of copper (Cu), silver (Ag), and a copper alloy.

여기서, 유기 발광층(220)은 정공 주입층(hole injection layer : HIL), 정공 수송층(hole transporting layer : HTL), 발광층(emission layer : EML), 전자 수송층(electron transporting layer : ETL), 전자 주입층(electron injection layer : EIL)을 포함하며, 발광층은 백색광을 생성한다. 또한, 격벽(181)에 의해 각 서브 화소 단위로 분리된다.The organic light emitting layer 220 may include a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transporting layer (ETL), and an electron injection layer. (electron injection layer: EIL), and the light emitting layer generates white light. In addition, the partition wall 181 is separated into units of each sub pixel.

격벽(181)은 절연막 패턴(218) 상에서 각 서브 화소 내에서 각 서브 화소를 감싸도록 형성된다.The partition wall 181 is formed to surround each sub pixel in each sub pixel on the insulating layer pattern 218.

콘택 스페이서(184)는 상부 및 하부 기판(202, 102)의 셀갭높이로 격벽(181)보다 상대적으로 높게 형성되며 상부 및 하부 기판(202, 102)에서 전기적인 접속이 필요한 부분, 즉 각 서브 화소 구동부와 OLED의 접속 부분에만 정렬되어 기둥형태로 형성된다. 이때, 콘택 스페이서(184)의 높이는 경우에 따라 각 서브 화소별로 다르게 형성할 수도 있다. The contact spacer 184 is formed to be relatively higher than the barrier rib 181 at the cell gap height of the upper and lower substrates 202 and 102, and the portions of the upper and lower substrates 202 and 102 that require electrical connection, that is, each sub-pixel. Aligned only with the connecting part of the driving unit and OLED, it is formed in a columnar shape. In this case, the height of the contact spacer 184 may be formed differently for each sub pixel in some cases.

또한, 격벽(181)의 측면은 그 위에 형성되는 유기 발광층(220)과 제 2 전극(222)의 분리를 위하여 역테이퍼 형상을 갖는다. 다시 말하여, 콘택 스페이서(184)는 절연막 패턴(218)과 접촉하는 밑면으로부터 위로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하여 순방향의 경사면을 갖지만, 격벽(181)은 절연막 패턴(218)과 접촉하는 밑면으로부터 위로 갈수록 폭이 점진적으로 증가하여 역방향의 경사면을 갖는다. 따라서, 격벽(181)의 측면에는 유기 발광층(220) 및 제 2 전극(222)이 증착되지 않게 된다. In addition, a side surface of the partition wall 181 has an inverse taper shape for separation of the organic light emitting layer 220 and the second electrode 222 formed thereon. In other words, the contact spacer 184 gradually decreases in width from the bottom contacting the insulating film pattern 218 to have a forward inclined surface, while the partition wall 181 is upward from the bottom contacting the insulating film pattern 218. Increasingly, the width gradually increases to have a reverse slope. Therefore, the organic emission layer 220 and the second electrode 222 are not deposited on the side surfaces of the barrier rib 181.

여기서, OLED의 제 1 전극(214)은 양극 및 음극 중 어느 하나의 전극으로 이용되고, 제 2 전극(222)은 나머지 전극으로 이용된다. Here, the first electrode 214 of the OLED is used as one of the anode and the cathode, and the second electrode 222 is used as the remaining electrode.

하부 기판(102)은 제 1 절연 기판(100)에 형성된 다수의 신호 라인과 박막 트랜지스터를 포함하는 서브 화소 구동부 어레이를 포함한다. The lower substrate 102 includes an array of sub pixel drivers including a plurality of signal lines and thin film transistors formed on the first insulating substrate 100.

각 서브 화소에 형성된 서브 화소 구동부는 주로 2개의 박막 트랜지스터와 하나의 커패시터를 포함한다. 예를 들면, 게이트 라인의 스캔 신호에 응답하여 데 이터 라인으로부터의 데이터 신호를 공급하는 스위칭 박막 트랜지스터와, 스위칭 박막 트랜지스터로부터의 데이터 신호에 응답하여 OLED를 흐르는 전류량을 제어하는 구동 박막 트랜지스터와, 스위칭 박막 트랜지스터가 턴-오프되더라도 구동 박막 트랜지스터를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 스토리지 커패시터를 포함한다.The sub pixel driver formed in each sub pixel mainly includes two thin film transistors and one capacitor. For example, a switching thin film transistor that supplies a data signal from a data line in response to a scan signal of a gate line, a driving thin film transistor that controls an amount of current flowing through an OLED in response to a data signal from the switching thin film transistor, and a switching; It includes a storage capacitor that allows a constant current to flow through the driving thin film transistor even when the thin film transistor is turned off.

스토리지 캐패시터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터의 데이터 신호를 충전하고, 충전된 전압을 구동 박막 트랜지스터에 공급하여 스위칭 박막 트랜지스터가 오프(OFF)되더라도 구동 박막 트랜지스터가 일정한 전류를 공급할 수 있도록 한다. The storage capacitor charges the data signal from the switching thin film transistor and supplies the charged voltage to the driving thin film transistor so that the driving thin film transistor can supply a constant current even when the switching thin film transistor is turned off.

스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인의 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터에 공급한다. The switching thin film transistor supplies the data signal of the data line to the gate electrode and the storage capacitor of the driving thin film transistor in response to the scan signal of the gate line.

도 2에서는 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였다. In FIG. 2, only the driving thin film transistor is illustrated.

구동 박막 트랜지스터(TFT)는 스위칭 박막 트랜지스터와 접속된 게이트 전극(104), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(104)과 중첩되게 형성된 반도체층(108)과, 반도체층(108)을 채널로 이용하며, 반도체층(108) 상에 형성된 소스 전극(110a), 소스 전극(110a)과 채널을 사이에 두고 마주하며 콘택홀(170)을 통해 화소 전극(133)과 접속된 드레인 전극(110b)으로 구성된다.The driving thin film transistor TFT includes a semiconductor layer 108 and a semiconductor layer 108 formed to overlap the gate electrode 104 with the gate electrode 104 and the gate insulating layer 112 connected therebetween. A drain electrode connected to the pixel electrode 133 through the contact hole 170 and facing the source electrode 110a, the source electrode 110a formed on the semiconductor layer 108, and having a channel therebetween. 110b).

화소 전극(133)은 투명 도전층으로 형성된다. 투명 도전층으로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO) 등으로 형성된다.The pixel electrode 133 is formed of a transparent conductive layer. The transparent conductive layer may be formed of indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). Is formed.

반도체층(108)은 오믹 콘택층(108a) 및 활성층(108b)으로 구성된다.The semiconductor layer 108 is composed of an ohmic contact layer 108a and an active layer 108b.

이러한 구동 박막 트랜지스터(TFT)는 스위칭 박막 트랜지스터(도시하지 않음)로부터 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(도시하지 않음)으로부터 유기발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류를 조절한다.The driving thin film transistor TFT regulates a current supplied from a power line (not shown) to the organic light emitting diode OLED in response to a data signal from a switching thin film transistor (not shown).

이와 같이, OLED 어레이가 형성된 상부 기판(202)과, 서브화소 구동부 어레이가 형성된 하부 기판(102)은 실링재(도시하지 않음)를 통해 합착되고, 이에 따라 상부 기판(202)의 콘택 스페이서(184) 상의 제 2 전극(222)이 하부 기판(102)의 구동 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된다. As such, the upper substrate 202 on which the OLED array is formed and the lower substrate 102 on which the subpixel driver array is formed are bonded through a sealing material (not shown), and thus, the contact spacer 184 of the upper substrate 202 is formed. The second electrode 222 on the top is electrically connected to the driving thin film transistor TFT of the lower substrate 102.

도 3은 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 타입의 유기발광 표시장치의 상부 기판을 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating an upper substrate of a dual plate type organic light emitting display device according to the present invention.

상부 기판(202)의 구성 요소에 대한 설명은 도 2에서의 설명과 중복됨으로 생략하기로 한다. The description of the components of the upper substrate 202 will be omitted because it overlaps with the description of FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상부 기판에 대한 공정 흐름도이고, 도 5a 내지 도 5f는 도 3에 도시된 상부 기판의 제조 공정을 나타낸 단면도들이다. 4 is a flowchart illustrating an upper substrate of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 5A to 5F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the upper substrate illustrated in FIG. 3.

도 5a를 참조하면, 서브 화소 영역의 경계에 대응하는 제 2 절연 기판(200) 상에 일정한 간격을 두고 형성된 블랙 매트릭스(204)와, 각 서브 화소 영역에 블랙 매트릭스(204)와 중첩되도록 색을 구현하기 위한 컬러 수단(206)이 형성된다.(S2) Referring to FIG. 5A, the black matrix 204 is formed on the second insulating substrate 200 corresponding to the boundary of the sub pixel region at regular intervals, and the color is overlapped with the black matrix 204 in each sub pixel region. Color means 206 is formed to implement (S2).

즉, 적색(R) 서브 화소 영역에는 적색(R) 컬러 수단(206a), 녹색(G) 서브 화소 영역에는 녹색(G) 컬러 수단(206b), 청색(B) 서브 화소 영역에는 청색(B) 컬러 수단(206c)이 형성된다. That is, red (R) color means 206a in the red (R) sub pixel area, green (G) color means 206b in the green (G) sub pixel area, and blue (B) in the blue (B) sub pixel area. Color means 206c is formed.

컬러 수단(206)은 컬러필터층 또는 CCM(Color Change Medium) 방식으로 컬러를 구현하는 색변환층으로 구성된다. 컬러필터층 또는 색변환층은 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating, 분출 코팅(extrusion coating) 등의 방식으로 형성된다. The color means 206 is composed of a color filter layer or a color conversion layer for implementing color in a CCM (Color Change Medium) method. The color filter layer or the color conversion layer is formed by spin coating, slit coating, extrusion coating, or the like.

이어서, 컬러 수단(206) 상에 평탄화를 위한 오버코트층(210)이 형성된다.(S4)Subsequently, an overcoat layer 210 for planarization is formed on the color means 206. (S4)

오버코트층(210)은 투명한 유기 물질인 아크릴 계열의 물질이 스핀 또는 스핀리스 등의 코팅 방법으로 코팅되어 형성된다. The overcoat layer 210 is formed by coating an acrylic-based material, which is a transparent organic material, by a coating method such as spin or spinless.

도 5b를 참조하면, 오버코트층(210) 상에 배리어층(Barrier Layer)(212)이 형성된다.(S6)Referring to FIG. 5B, a barrier layer 212 is formed on the overcoat layer 210 (S6).

구체적으로, 오버코트층(210) 상에 방습성있는 투명한 실런트(Sealant) 물질을 적하(Dropping) 또는 스크린 프린팅(Screen Printing)의 방식을 이용하여 배리어층(212)을 형성한다. 투명한 실런트 물질로는 열경화성 또는 광경화성 물질인 에폭시(Epoxy)계, 아크릴(Acryl)계, 이미드계(Imide) 또는 실레인(Silane) 물질로 이루어지며, 0.5∼10㎛의 두께로 형성한다.In detail, the barrier layer 212 is formed on the overcoat layer 210 by using a dropping or screen printing method of a moisture-proof transparent sealant material. The transparent sealant material is made of epoxy, acrylic, imide, or silane, which is a thermosetting or photocurable material, and is formed to a thickness of 0.5 to 10 μm.

이와 같이 열경화성 또는 광경화성 물질의 배리어층(212)을 형성함으로써, 배리어층(212)이 무기 절연물질인 실리콘질화막(SiNx) 계열로 형성될 경우에서의 컬러필터층 또는 색변환층에서 잔존하는 용매 또는 수분 등을 완전히 차단하지 못하는 문제점을 해결할 수 있다.By forming the barrier layer 212 of the thermosetting or photocurable material as described above, the solvent remaining in the color filter layer or the color conversion layer when the barrier layer 212 is formed of a silicon nitride film (SiNx) series, which is an inorganic insulating material, or It can solve the problem of not blocking the water completely.

또한, 컬러필터층 또는 색변환층에서 잔존하는 용매 또는 수분 등의 침투로 인해 유기 발광층(220)에 영향을 미쳐 흑점(dark spot)을 형성시키고, 이에 제 1 및 제 2 전극(214, 222)에 전계가 인가되면 흑점이 성장하게 되어 소자의 신뢰성 및 수명에 치명적인 영향을 미치게 되는 문제점을 방지할 수 있다. 그리고, 컬러 수단(206)으로부터의 아웃-개싱(Out-gassing)을 완전히 차단하여 유기 발광층(220)의 열화를 방지할 수 있다. In addition, due to penetration of the solvent or moisture remaining in the color filter layer or the color conversion layer, the organic light emitting layer 220 may be affected to form dark spots, and thus, the first and second electrodes 214 and 222 may have dark spots. When the electric field is applied, it is possible to prevent the problem that dark spots grow and have a fatal effect on the reliability and life of the device. In addition, the out-gassing from the color means 206 may be completely blocked to prevent deterioration of the organic emission layer 220.

도 5c를 참조하면, 배리어층(212) 상에 제 1 전극(214), 보조 전극(216) 및 절연막 패턴(218)을 순차적으로 형성한다. Referring to FIG. 5C, the first electrode 214, the auxiliary electrode 216, and the insulating layer pattern 218 are sequentially formed on the barrier layer 212.

구체적으로, 배리어층(212) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 투명 도전층을 증착한 후 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 통해 제 1 전극(214)을 형성한다.(S8)Specifically, after depositing a transparent conductive layer on the barrier layer 212 through a deposition method such as sputtering, the first electrode 214 is formed through a photolithography process and an etching process using a mask (S8).

제 1 전극(214)은 투명 도전층으로 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO), 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO) 또는 이들의 조합으로 형성된다. The first electrode 214 is a transparent conductive layer, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc (Indium Tin Zinc) Oxide: ITZO) or a combination thereof.

이어서, 제 1 전극(214) 상에 스퍼터링, 열증착 등의 증착 방법을 통해 저 저항 금속 물질을 증착한 후 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 통해 비 발광 영역에 제 1 전극(214)의 저항 성분을 보상하기 위한 보조 전극(216)을 형성한다. Subsequently, the low-resistance metal material is deposited on the first electrode 214 through a deposition method such as sputtering or thermal deposition, and then the first electrode 214 in the non-light emitting region through a photolithography process and an etching process using a mask. An auxiliary electrode 216 is formed to compensate for the resistive component of.

보조 전극(216)은 저 저항 금속 물질로 형성되며, 저 저항 금속 물질로는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 은(Ag), 구리 합금 중 적어도 하나의 금속물질로 형성된다. The auxiliary electrode 216 is formed of a low resistance metal material, and the low resistance metal material includes at least one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), silver (Ag), and a copper alloy. It is formed of one metal material.

또한, 보조 전극(216)은 프린팅 방식으로도 형성 가능하다. In addition, the auxiliary electrode 216 may be formed by a printing method.

이어서, 보조 전극(216)을 포함하는 제 1 전극(214) 상에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)등의 증착 방법으로 절연 물질을 증착한 후, 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 통해 보조 전극(216)과 중첩되도록 절연막 패턴(218)을 형성한다. Subsequently, an insulating material is deposited on the first electrode 214 including the auxiliary electrode 216 by a deposition method such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and then a photolithography process and an etching process using a mask. The insulating layer pattern 218 is formed to overlap the auxiliary electrode 216.

절연막 패턴(218)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연물질로 형성되며, 추후 형성될 제 2 전극(222)을 증착하는 공정 중 제 1 전극(214)과 제 2 전극(222)의 접촉 불량을 방지하기 위한 목적으로 형성한다.The insulating layer pattern 218 is formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), and the first electrode 214 and the second electrode during the process of depositing a second electrode 222 to be formed later. It is formed for the purpose of preventing the poor contact of 222.

도 5d를 참조하면, 절연막 패턴(218) 상에 콘택 스페이서(184)를 형성한다. Referring to FIG. 5D, a contact spacer 184 is formed on the insulating layer pattern 218.

구체적으로, 절연막 패턴(218)을 포함하는 제 1 전극(214) 상에 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 스핀리스 코팅(Spinless Coating) 등의 코팅 방법으로 절연 물질을 증착한 후, 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 통해 패터닝됨으로써 절연막 패턴(218)의 면적보다 작은 면적으로 기둥 형상의 콘택 스페이서(184)가 형성된다. 콘택 스페이서(184)는 포토 아크릴(Photoacryl), 폴리이미드(Polyimde) 등의 유기 절연 물질로 형성되며, 상부 및 하부 기판(102, 202)의 셀갭 높이로 형성된다. Specifically, after depositing an insulating material on the first electrode 214 including the insulating film pattern 218 by a coating method such as spin coating or spinless coating, a photolithography using a mask By patterning through a etching process and an etching process, a columnar contact spacer 184 is formed with an area smaller than that of the insulating layer pattern 218. The contact spacer 184 is formed of an organic insulating material such as photoacryl or polyimide, and is formed to have cell gap heights of the upper and lower substrates 102 and 202.

또한, 콘택 스페이서(184)는 절연막 패턴(218)과 접촉하는 밑면으로부터 위로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하여 순방향의 경사면을 갖는다. In addition, the contact spacer 184 gradually decreases in width from the bottom in contact with the insulating layer pattern 218 to have a forward inclined surface.

도 5e를 참조하면, 절연막 패턴(218) 상에 격벽(181)이 형성된다. Referring to FIG. 5E, the partition wall 181 is formed on the insulating film pattern 218.

구체적으로, 콘택 스페이서(184) 및 절연막 패턴(218)을 포함한 제 1 전극(214) 상에 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 스핀리스 코팅(Spinless Coating) 등의 코팅 방법으로 절연 물질을 증착한 후, 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 통해 패터닝됨으로써 격벽(181)이 형성된다. Specifically, after depositing an insulating material on the first electrode 214 including the contact spacer 184 and the insulating film pattern 218 by a coating method such as spin coating or spinless coating, The partition wall 181 is formed by patterning through a photolithography process and an etching process using a mask.

격벽(181)은 포토 아크릴(Photoacryl), 폴리이미드(Polyimde) 등의 유기 절연 물질로 형성되어 각 서브 화소 내에서 각 서브 화소를 감싸도록 형성된다. 또한, 콘택 스페이서(184)보다 낮은 높이를 갖으며 절연막 패턴(218)과 접촉하는 밑면으로부터 위로 갈수록 폭이 점진적으로 증가하여 추후 형성될 유기 발광층(220)과 제 2 전극(222)의 분리를 위해 역방향의 경사면을 갖는 역테이퍼 형상을 갖는다.The partition wall 181 is formed of an organic insulating material such as photoacryl or polyimide to surround each sub pixel in each sub pixel. In addition, the width of the contact spacer 184 is lower than that of the contact spacer 184 and gradually increases from the bottom contacting the insulating film pattern 218 to separate the organic light emitting layer 220 and the second electrode 222 to be formed later. It has a reverse taper shape with an inclined surface in the reverse direction.

여기서, 격벽(181)은 콘택 스페이서(184)보다 먼저 형성할 수도 있다. Here, the partition wall 181 may be formed before the contact spacer 184.

도 5f를 참조하면, 격벽(181) 및 콘택 스페이서(184)가 형성된 제 1 전극(214) 상에 유기 발광층(220) 및 제 2 전극(222)이 형성된다. Referring to FIG. 5F, an organic emission layer 220 and a second electrode 222 are formed on the first electrode 214 on which the barrier rib 181 and the contact spacer 184 are formed.

구체적으로, 격벽(181) 및 콘택 스페이서(184)가 형성된 제 2 절연 기판(200)의 제 1 전극(214) 상에 열증착 등의 증착 방법을 통해 유기물로 적층된 정공 주입층(hole injection layer : HIL), 정공 수송층(hole transporting layer : HTL), 발광층(emission layer : EML), 전자 수송층(electron transporting layer : ETL), 전자 주입층(electron injection layer : EIL)을 포함하는 유기 발광층(220)이 형성된다. 여기서, 발광층은 백색광을 생성하는 백색 발광층으로 형성된다.(S10)Specifically, a hole injection layer laminated with an organic material on the first electrode 214 of the second insulating substrate 200 on which the barrier rib 181 and the contact spacer 184 are formed through a deposition method such as thermal deposition. : Organic light emitting layer 220 including a HIL, a hole transporting layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transporting layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) Is formed. Here, the light emitting layer is formed of a white light emitting layer that generates white light (S10).

이어서, 유기 발광층(220)이 형성된 제 2 절연 기판(200) 상에 제 2 전극(222)이 형성된다.(S14)Subsequently, a second electrode 222 is formed on the second insulating substrate 200 on which the organic light emitting layer 220 is formed.

제 2 전극(222)은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 리튬(Li) 등의 금속과 이들의 합금이 어느 하나의 물질로 단층으로 형성되거나 복수층 구조로 형성된다. The second electrode 222 is formed of a single layer or a plurality of layers of a metal such as calcium (Ca), aluminum (Al), magnesium (Mg), silver (Ag), lithium (Li), and an alloy thereof. It is formed into a structure.

여기서, 격벽(181)의 측면에는 유기 발광층(220) 및 제 2 전극(222)이 증착되지 않게 된다. Here, the organic light emitting layer 220 and the second electrode 222 are not deposited on the side surfaces of the barrier rib 181.

이와 같이 형성된 상부 기판(202)은 도 2와 같이, 서브 화소 구동부 어레이가 형성된 하부 기판(102)과 실패턴(도시하지 않음)을 통해 합착되도록 인캡슐레이션(Encapsulation)을 이룬다. 이에 따라 상부 기판(202)의 콘택 스페이서(184) 상의 제 2 전극(222)이 하부 기판(102)의 화소 전극(133)과 접속되어 전기적으로 연결된다. The upper substrate 202 formed as described above is encapsulated such that the upper substrate 202 is bonded to the lower substrate 102 on which the sub pixel driver array is formed through a failure turn (not shown). Accordingly, the second electrode 222 on the contact spacer 184 of the upper substrate 202 is connected to and electrically connected to the pixel electrode 133 of the lower substrate 102.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have knowledge.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 기본 화소에 대한 등가 회로도이다. 1 is an equivalent circuit diagram of a basic pixel of an organic light emitting display according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 타입의 유기발광 표시장치를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device of a dual plate type according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 타입의 유기발광 표시장치의 상부 기판을 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating an upper substrate of a dual plate type organic light emitting display device according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상부 기판에 대한 공정 흐름도이다. 4 is a process flowchart of an upper substrate of an organic light emitting diode display according to the present invention.

도 5a 내지 도 5f는 도 3에 도시된 상부 기판의 제조 공정을 나타낸 단면도들이다. 5A through 5F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the upper substrate illustrated in FIG. 3.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100, 200 : 절연 기판 104 : 게이트 전극100, 200: insulating substrate 104: gate electrode

108 : 반도체층 110a, 110b : 소스 및 드레인 전극108: semiconductor layers 110a and 110b: source and drain electrodes

133 : 화소 전극 181 : 격벽133: pixel electrode 181: partition wall

184 : 콘택 스페이서 204 : 블랙 매트릭스184: contact spacer 204: black matrix

206 : 컬러 수단 210 : 오버코트층206: color means 210: overcoat layer

212 : 배리어층 214 : 제 1 전극212 barrier layer 214 first electrode

216 : 보조 전극 218 : 절연막 패턴216: auxiliary electrode 218: insulating film pattern

220 : 유기 발광층 222 : 제 2 전극220: organic light emitting layer 222: second electrode

Claims (10)

적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역을 가지는 기판과;A substrate having red, green and blue sub pixel regions; 상기 기판 상에 형성되는 백색을 구현하는 유기 발광층과;An organic light emitting layer that implements white formed on the substrate; 상기 유기 발광층을 사이에 두고 대향하는 제 1 및 제 2 전극과;First and second electrodes facing each other with the organic light emitting layer therebetween; 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역 내에 형성되는 컬러 수단과;Color means formed in said red, green and blue sub-pixel regions; 상기 컬러 수단 상에 상기 컬러 수단으로부터 발생되는 아웃-개싱을 차단하기 위해 열경화성 또는 광경화성 물질로 이루어진 배리어층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.And a barrier layer formed of a thermosetting or photocurable material to block out-gassing generated from the color means on the color means. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배리어층은 0.5∼10㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.And the barrier layer has a thickness of 0.5 to 10 μm. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 배리어층은 에폭시(Epoxy)계, 아크릴(Acryl)계, 이미드계(Imide) 또는 실레인(Silane) 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.And the barrier layer is formed of epoxy, acryl, imide, or silane material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컬러 수단은 컬러필터층 또는 색변환층으로 구성되는 것을 특징으로 하 는 유기발광 표시장치.And the color means comprises a color filter layer or a color conversion layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 컬러 수단 및 배리어층 사이에서 상기 배리어층과 함께 상기 컬러 수단으로부터 발생되는 아웃-개싱을 차단하는 오버코트층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.And an overcoat layer between the color means and the barrier layer to block out-gassing generated from the color means together with the barrier layer. 적색, 녹색, 및 청색 서브 화소 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와;Providing a substrate having red, green, and blue sub pixel regions; 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역 내에 컬러 수단을 형성하는 단계와;Forming color means in the red, green, and blue sub-pixel regions; 상기 컬러 수단 상에 상기 컬러 수단으로부터 발생되는 아웃-개싱을 차단하기 위해 열경화성 또는 광경화성 물질로 이루어진 배리어층을 형성하는 단계와;Forming a barrier layer of thermosetting or photocurable material on the color means to block out-gassing from the color means; 상기 배리어층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode on the barrier layer; 상기 제 1 전극 상에 백색을 구현하는 유기 발광층을 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting layer on the first electrode to implement white color; 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.And forming a second electrode on the organic light emitting layer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 배리어층은 0.5∼10㎛의 두께로 형성되며, The barrier layer is formed to a thickness of 0.5 to 10㎛, 에폭시(Epoxy)계, 아크릴(Acryl)계, 이미드계(Imide) 또는 실레인(Silane) 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. A method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that formed of epoxy, acryl, imide, or silane material. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 배리어층은 적하(Dropping) 또는 스크린 프린팅(Screen Printing)의 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.The barrier layer may be formed by dropping or screen printing. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 컬러 수단은 컬러필터층 또는 색변환층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.And the color means comprises a color filter layer or a color conversion layer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 컬러 수단 및 배리어층 사이에서 상기 배리어층과 함께 상기 컬러 수단으로부터 발생되는 아웃-개싱을 차단하는 오버코트층을 형성하는 단계를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.And forming an overcoat layer between the color means and the barrier layer to block out-gassing generated from the color means together with the barrier layer.
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