KR101096719B1 - Organic Electroluminescence Display Device And Method For Fabricating The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 어레이부와 유기전계 발광부가 별도의 기판에 구성된 상부 발광식 듀얼플레이트 구조로 제작된 유기 전계발광소자(DUAL PLATE OLED : DPOLED)에 관한 것으로, 특히 상부기판의 유기발광층이 외부로 노출되어 수축(shrinkage)되는 것을 방지하기 위한 유기 전계발광소자에 관한 것으로, 본 발명의 유기 전계발광소자는, 제 1 기판 상에 형성되어 서브-픽셀을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전력 공급선; 상기 서브-픽셀 내부에 각각 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터; 상기 제 1 기판과 대향 합착되는 제 2 기판; 상기 제 2 기판의 내측에 형성되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되며, 상기 서브-픽셀의 양측 가장자리에 형성되어 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키는 절연막 패턴; 상기 절연막 패턴의 일부 영역 상에 형성되는 격벽; 노출된 상기 제 1 전극 상에 형성되며, 상기 격벽이 형성되지 않은 절연막 패턴의 일부 영역까지 연장 형성되는 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 형성되는 제 2 전극; 및 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 제 2 전극을 연결하는 연결전극을 포함하며, 상기 제 2 전극의 가장자리가 상기 절연막 패턴과 접촉함으로써, 상기 제 2 전극이 상기 유기발광층과 격벽이 접촉하지 않도록 상기 유기발광층을 완전커버한다.The present invention relates to an organic electroluminescent device (DUAL PLATE OLED) made of a top emission dual plate structure in which a thin film transistor array unit and an organic electroluminescent unit are formed on separate substrates. In particular, the organic light emitting layer of the upper substrate An organic electroluminescent device for preventing exposure and shrinkage, the organic electroluminescent device of the present invention comprising: a gate wiring, a data wiring and a power supply line formed on a first substrate to define a sub-pixel; A switching thin film transistor and a driving thin film transistor respectively formed in the sub-pixel; A second substrate opposed to the first substrate; A first electrode formed inside the second substrate; An insulating layer pattern formed on the first electrode and formed at both edges of the sub-pixel to expose a partial region of the first electrode; Barrier ribs formed on a portion of the insulating layer pattern; An organic light emitting layer formed on the exposed first electrode and extending to a portion of an insulating layer pattern on which the barrier rib is not formed; A second electrode formed on the organic light emitting layer; And a connecting electrode connecting the driving thin film transistor and the second electrode, wherein the edge of the second electrode contacts the insulating layer pattern, so that the second electrode does not come into contact with the organic light emitting layer and the partition wall. Cover it completely.

DPOLED, 유기발광층, 섀도우 마스크DPOLED, organic light emitting layer, shadow mask

Description

유기 전계발광소자 및 그 제조방법{Organic Electroluminescence Display Device And Method For Fabricating The Same} Organic electroluminescent device and manufacturing method therefor {Organic Electroluminescence Display Device And Method For Fabricating The Same}

도 1은 종래 기술에 의한 유기 전계발광소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 의한 문제점을 설명하기 위한 유기 전계발광소자의 단면도.2 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device for explaining a problem according to the prior art.

도 3은 본 발명에 의한 유기 전계발광소자의 단면도.3 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to the present invention.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 의한 유기 전계발광소자의 공정단면도.4A to 4E are cross-sectional views of an organic electroluminescent device according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings

111,120 : 기판 112 : 게이트 전극 111,120 substrate 112: gate electrode

114 : 액티브층 115a : 소스전극 114: active layer 115a: source electrode

115b : 드레인 전극 116 : 보호막 115b: drain electrode 116: protective film

121 : 제 1 전극 122 : 유기발광층 121: first electrode 122: organic light emitting layer

123 : 제 2 전극 131 : 절연층 패턴 123: second electrode 131: insulating layer pattern

132 : 격벽 141 : 연결전극 132: partition 141: connecting electrode

142 : 콘택 스페이서 170 : 섀도우 마스크142: contact spacer 170: shadow mask

본 발명은 전계발광소자(Electroluminescence Display Device ; 이하, ELD라 함)에 관한 것으로 특히, 박막트랜지스터 어레이부와 유기전계 발광부가 별도의 기판에 구성된 상부 발광식 듀얼플레이트 구조로 제작된 유기 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display device (hereinafter referred to as ELD), and more particularly, to an organic electroluminescent device manufactured by a top emission dual plate structure in which a thin film transistor array unit and an organic electroluminescent unit are formed on separate substrates; It relates to a manufacturing method.

최근들어, 평판표시장치에 대한 연구가 활발한데, 그 중에서 각광받고 있는 것으로 LCD(Liquid Crystal Displays), FED(Field Emission Displays), ELD(Electroluminescence Device), PDP(Plasma Display Panels) 등이 있다.In recent years, research on flat panel displays has been actively conducted. Among them, liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), electroluminescence devices (ELDs), and plasma display panels (PDPs) have been in the spotlight.

이 중, 현재 PCS(personal communication service)를 비롯한 개인 정보 단말기, 노트북, TV 등의 경우 액정표시소자가 널리 사용되고 있으나 시야각이 좁고 응답속도가 느리다는 문제 때문에, 자발광의 유기 전계발광소자가 주목받고 있다.Among them, liquid crystal display devices are widely used in personal information terminals, laptops, and TVs, including personal communication service (PCS). However, due to the problem that the viewing angle is narrow and the response speed is slow, self-luminous organic electroluminescent devices are attracting attention. have.

유기 전계발광소자는 유기발광층 양단에 형성된 음극 및 양극에 전계를 가하여 유기발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 서로 결합하게 함으로써, 이때의 결합 에너지에 의해 발광되는 전계발광(EL;electroluminescence) 현상을 이용한 것이다. 즉, 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 여기상태(excite state)로부터 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광한다. The organic electroluminescent device applies an electric field to the cathode and the anode formed at both ends of the organic light emitting layer to inject and transfer electrons and holes in the organic light emitting layer to bond with each other, thereby preventing the electroluminescence (EL) phenomenon emitted by the binding energy at this time. It is used. That is, after electrons and holes are paired, light is emitted while falling from an excite state to a ground state.

이러한, 유기 전계발광소자는 응답속도가 빠르고 휘도가 우수하며 박막화로 인한 저전압 구동을 실현시킬 수 있을 뿐만 아니라, 가시영역의 모든 색상을 구현할 수 있어 현대인의 다양한 기호에 맞출 수 있는 장점이 있다. 또한, 플라스틱과 같이 휠 수 있는(flexble) 투명기판 위에도 소자를 형성할 수 있다. Such an organic electroluminescent device has an advantage of being able to adapt to various tastes of modern people because it can realize a low voltage driving due to thinning and fast response speed and excellent brightness. In addition, the device may be formed on a flexible transparent substrate such as plastic.                         

또한, 저전압에서 구동할 수 있고, 전력 소비가 비교적 적으며, 녹색, 적색, 청색의 3가지 색을 쉽게 구현할 수 있기 때문에 차세대 평판디스플레이에 적합한 소자이다.In addition, the device is suitable for the next-generation flat panel display because it can be driven at low voltage, has relatively low power consumption, and can easily realize three colors of green, red, and blue.

이러한 유기 전계발광소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다. The method of driving the organic electroluminescent device may be divided into a passive matrix type and an active matrix type.

상기 수동 매트릭스형 유기 전계발광소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할수록 개구율이 저하된다는 단점이 있다. The passive matrix type organic electroluminescent device has a simple structure and a simple manufacturing method. However, the passive matrix type organic electroluminescent device has a high power consumption and a large area of the display device, and the opening ratio decreases as the number of wires increases.

반면, 능동 매트릭스형 유기 전계발광소자는 높은 발광효율과 고화질을 제공할 수 있는 장점이 있다. On the other hand, an active matrix organic electroluminescent device has an advantage of providing high luminous efficiency and high image quality.

이하에서는, 도면을 참고하여 종래기술에 의한 능동 매트릭스형 유기전계발광소자 특히, 듀얼 플레이트 구조로 제작된 능동 매트릭스형 유기 전계발광소자에 대해 살펴보기로 한다.Hereinafter, an active matrix organic electroluminescent device according to the prior art, in particular, an active matrix organic electroluminescent device manufactured in a dual plate structure will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래 기술에 의한 유기 전계발광소자의 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 의한 문제점을 설명하기 위한 유기 전계발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to the prior art, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device for explaining a problem according to the prior art.

도 1, 도 2와 같이, 유기 전계발광소자는 투명한 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)을 실런트(sealant)(30)를 통해 합착하여 구성되는바, 상기 제 1 기판(10)의 상부에는 다수의 화소부(발광부)(P)가 정의되고, 각 화소부(P)의 일측마다 박막트랜지스터(T)와 어레이 배선(미도시)이 형성된다. 1 and 2, the organic electroluminescent device is formed by bonding the transparent first substrate 10 and the second substrate 20 through a sealant 30, the first substrate 10 A plurality of pixel portions (light emitting portions) P are defined at an upper portion thereof, and a thin film transistor T and an array wiring (not shown) are formed at one side of each pixel portion P.

즉, 상기 제 1 기판(10) 상에는 일렬로 배열된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에 교차되며 서로 일정간격으로 이격되는 데이터 배선 및 전력 공급선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 구비되는 스위칭 박막트랜지스터(도시하지 않음)와, 상기 게이트 배선 및 전력공급선의 교차 지점에 구비되는 구동 박막트랜지스터(도시하지 않음)가 형성되는데, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극이 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극(도시하지 않음)에 연결되고, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극(도시하지 않음)이 연결전극(41)과 일체형으로 형성된다. That is, the gate wiring arranged in a line on the first substrate 10, the data wiring and the power supply line crossing the gate wiring and spaced apart from each other at regular intervals, and the switching provided at the intersection of the gate wiring and the data wiring. A thin film transistor (not shown) and a driving thin film transistor (not shown) provided at the intersection of the gate wiring and the power supply line are formed. A drain electrode of the switching thin film transistor is a gate electrode of the driving thin film transistor (not shown). And a drain electrode (not shown) of the driving thin film transistor are integrally formed with the connection electrode 41.

상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 전력공급선 내부의 픽셀의 하나의 서브-픽셀이 되고, 이러한 서브-픽셀 내부에 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 하나씩 구비된다.One sub-pixel of a pixel in the gate line, data line, and power supply line is provided, and a switching thin film transistor and a driving thin film transistor are provided one by one inside the sub-pixel.

그리고, 제 2 기판(20) 상부에는 투명한 정공 주입전극인 제 1 전극(21)과, 서브 픽셀 경계부에 위치하는 절연막 패턴(31) 및 격벽(separator)(32)과, 상기 절연막 패턴 및 격벽 내 영역에서 상기 제 1 전극(21) 상부에 형성되는 유기발광층(22)과, 상기 유기발광층(22) 상에 형성되는 전자 주입전극인 제 2 전극(23)이 구비된다. In addition, a first electrode 21, which is a transparent hole injection electrode, an insulating layer pattern 31 and a separator 32 positioned at a subpixel boundary portion, is disposed on the second substrate 20, and in the insulating layer pattern and the partition wall. An organic light emitting layer 22 formed on the first electrode 21 in the region and a second electrode 23, which is an electron injection electrode formed on the organic light emitting layer 22, are provided.

상기 유기발광층(22)과 제 2 전극(23)은 상기 절연막(31) 및 격벽(32)에 의해서, 서브 픽셀 단위로 분리된 패턴으로 형성된다. The organic light emitting layer 22 and the second electrode 23 are formed in a pattern separated by sub-pixel units by the insulating layer 31 and the partition wall 32.

이 때, 상기 제 2 전극(23)과 구동 박막트랜지스터는 별도의 연결전극(41)을 통해 간접적으로 연결된다. 상기 연결전극(41)은 상기 제 1 기판(10)에 형성되며, 상기 제 1 ,제 2 기판(10,20)의 합착에 의해 연결전극(41)이 제 2 전극(23)과 접촉하게 된다. At this time, the second electrode 23 and the driving thin film transistor are indirectly connected through a separate connection electrode 41. The connection electrode 41 is formed on the first substrate 10, and the connection electrode 41 comes into contact with the second electrode 23 by bonding the first and second substrates 10 and 20. .                         

상기 연결전극(41)은 콘택 스페이서(도시하지 않음)에 의해 제 2 전극(23)에 접촉되며, 상기 콘택 스페이서(도시하지 않음)는 두 기판 사이에서 일정높이의 기둥형상으로 형성되어 셀갭 유지의 기능도 수행한다. The connection electrode 41 is in contact with the second electrode 23 by a contact spacer (not shown), and the contact spacer (not shown) is formed in a column shape having a predetermined height between the two substrates to maintain the cell gap. It also functions.

상기 유기발광층(22)은 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 상기 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다. 그리고, 상기 유기발광층(22)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 다층으로 구성할 경우에는 상기 제 1 전극(21)과 근접하여 정공 수송층을 더 구비하고, 상기 제 2 전극(23)과 근접하여 전자 수송층을 더 구비한다. The organic light emitting layer 22 expresses the colors of red (R), green (G), and blue (B). In a general method, a separate organic material emitting red, green, and blue light is patterned for each pixel. Use it. In addition, the organic light emitting layer 22 may be configured as a single layer or a multi-layer, and in the case of the multilayer, the organic light emitting layer 22 may further include a hole transport layer in proximity to the first electrode 21, and in proximity to the second electrode 23. It further comprises an electron transport layer.

이러한 소자의 제 1 전극(21) 및 제 2 전극(23)에 전계를 인가하면 제 2 전극(23)으로부터 전자가 유기발광층(22)으로 주입되고, 제 1 전극(21)으로부터 정공이 유기발광층(22)으로 주입된다.When an electric field is applied to the first electrode 21 and the second electrode 23 of the device, electrons are injected into the organic light emitting layer 22 from the second electrode 23, and holes are injected from the first electrode 21 into the organic light emitting layer. Is injected into (22).

유기 발광층(22)에 주입된 전자와 정공은 전계하에서 유기 발광층으로 이동하다가 서로 결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 엑시톤의 여기상태에 있던 전자가 기저상태로 천이되면서 가시광 영역의 빛을 내게 된다.The electrons and holes injected into the organic light emitting layer 22 move to the organic light emitting layer under an electric field, combine with each other to form an exciton, and the electrons in the exciton excited state transition to the ground state to emit light in the visible region. .

그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의한 유기 전계발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다. However, the organic electroluminescent device according to the prior art as described above has the following problems.

제 2 기판 상의 패턴을 서브-픽셀 단위로 픽셀레이션(pixellation)하기 위해서, 서브-픽셀 가장자리에 형성되는 절연막 패턴 및 격벽을 이용하여 유기발광층 및 제 2 전극을 분리하는데, 격벽을 사용하여 제 2 전극 형성을 형성하면 제 2 전극으로 유기발광층 에지 부분을 커버할 수 없게 되는 문제점이 발생한다. In order to pixelate the pattern on the second substrate in sub-pixel units, the organic light emitting layer and the second electrode are separated by using an insulating layer pattern and a partition formed at the edge of the sub-pixel, and the second electrode is separated using the partition. Forming the formation causes a problem that the edge portion of the organic light emitting layer cannot be covered by the second electrode.

이 경우, 유기발광층의 에지 부분이 외부의 O2, H2O에 노출되거나 격벽에서 발생하는 아웃개싱(outgassing) 등에 노출되어 열화가 진행됨으로써, 빛이 발하지 않게 되는 부분이 생기게 된다. 이러한 열화현상은 시간이 지남에 따라 점점 더 진행하게 되며, 소자의 수명에 매우 큰 영향을 주어 패널의 수명단축에 가장 큰 원인으로 작용하게 된다. In this case, the edge portion of the organic light emitting layer is exposed to the external O 2 , H 2 O or outgassing generated in the partition wall, etc., so that deterioration proceeds, thereby causing a portion that does not emit light. This deterioration progresses more and more over time, and has a great influence on the lifespan of the device, which is the biggest cause of shortening the lifespan of the panel.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 박막트랜지스터 어레이부와 유기전계 발광부가 별도의 기판에 구성된 상부 발광식 듀얼플레이트 구조로 제작된 유기 전계발광소자에 있어서, 상부기판의 유기발광층의 면적을 작게 형성하고 그 위에 형성되는 제 2 전극으로 상기 유기발광층을 완전커버함으로써 유기발광층이 외부로 노출되어 수축(shrinkage)되는 것을 방지하고자 하는 유기 전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, in the organic electroluminescent device made of a top-emitting dual plate structure consisting of a thin film transistor array unit and an organic electroluminescent light emitting unit on a separate substrate, the organic light emitting layer of the upper substrate The present invention provides an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which are intended to prevent the organic light emitting layer from being exposed to the outside by shrinking by forming a small area of the electrode and completely covering the organic light emitting layer with a second electrode formed thereon. There is this.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 유기 전계발광소자는 제 1 기판 상에 형성되어 서브-픽셀을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전력 공급선과, 상기 서브-픽셀 내부에 각각 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와, 상기 제 1 기판에 이격되어 대향합착되는 제 2 기판 내측부에 형성되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부의 서브-픽셀 가장자리에 적층되는 절연 막 패턴 및 격벽과, 상기 절연막 패턴 및 격벽 내부에 서브-픽셀 단위로 형성되는 유기발광층과, 상기 유기발광층 상부에 형성되어 유기발광층이 외부로 노출되지 않도록 상기 유기발광층을 완전커버하는 제 2 전극과, 상기 구동 박막트랜지스터와 제 2 전극을 연결하는 연결전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. An organic electroluminescent device according to the present invention for achieving the above object is a gate wiring, a data wiring and a power supply line formed on a first substrate to define a sub-pixel, and switching formed in the sub-pixel, respectively A thin film transistor and a driving thin film transistor, a first electrode formed on an inner side of a second substrate spaced apart from and bonded to the first substrate, an insulating film pattern and a barrier layer stacked on a sub-pixel edge on the first electrode, An organic light emitting layer formed in sub-pixel units within the insulating layer pattern and the partition wall, a second electrode formed on the organic light emitting layer to completely cover the organic light emitting layer so that the organic light emitting layer is not exposed to the outside, the driving thin film transistor and It characterized in that it comprises a connecting electrode for connecting the second electrode.

그리고, 또다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 유기 전계발광소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 게이트 배선을 형성하고 이에 수직교차하는 데이터 배선 및 전력공급선을 형성하여 서브-픽셀을 정의하는 단계와, 상기 서브-픽셀 내부에 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되도록 연결전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판 내측에 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극 상부의 서브-픽셀 경계부에 절연막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 절연막 패턴 상부에 격벽을 형성하는 단계와, 상기 절연막 패턴 및 격벽 사이로 유기발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기발광층 상에 상기 유기발광층이 완전 커버되도록 제 2 전극을 형성하는 단계와, 상기 연결전극이 제 2 전극에 접촉되도록 제 1 ,제 2 기판을 대향합착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. In addition, according to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device. And forming a switching thin film transistor and a driving thin film transistor inside the sub-pixel, forming a connecting electrode to be connected to the driving thin film transistor, and forming a first substrate inside a second substrate facing the first substrate. Forming an electrode, forming an insulating film pattern at a sub-pixel boundary on the first electrode, forming a partition on the insulating film pattern, and forming an organic light emitting layer between the insulating film pattern and the partition wall And forming a second electrode on the organic light emitting layer so as to completely cover the organic light emitting layer. So as to contact to the second electrode, including the step of laminating the opposite first and second substrates is characterized in that formed.

즉, 본 발명은 유기발광층이 외부로 노출되어 수축(shrinkage)되는 것을 방지하기 위해 유기발광층의 면적을 작게 형성하고 그 위에 형성되는 제 2 전극으로 상기 유기발광층을 완전커버하는 것을 특징으로 한다. That is, the present invention is characterized in that the area of the organic light emitting layer is made small in order to prevent the organic light emitting layer from being exposed to the outside, and the organic light emitting layer is completely covered by the second electrode formed thereon.

이 때, 상기 유기발광층을 작게 형성하기 위해 섀도우 마스크를 사용하여 형성하며, 상기 유기발광층의 줄어든 면적만큼 절연막 패턴을 크게 형성하여 제 1 전 극과 제 2 전극의 접촉을 방지한다. In this case, a shadow mask is used to form the organic light emitting layer to be small, and an insulating film pattern is formed as large as the reduced area of the organic light emitting layer to prevent contact between the first electrode and the second electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 유기 전계발광소자 및 그 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 유기 전계발광소자의 단면도이고, 도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 의한 유기 전계발광소자의 공정단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to the present invention, and FIGS. 4a to 4e are process cross-sectional views of the organic electroluminescent device according to the present invention.

본 발명에 의한 유기 전계발광소자는, 도 3에 도시된 바와 같이, 스위칭 박막트랜지스터(도시하지 않음) 및 구동 박막트랜지스터(Tp)가 구비된 박막트랜지스터 어레이부와, 제 1 전극(121), 유기발광층(122) 및 제 2 전극(123)이 적층 형성된 유기전계 발광부가 각각 제 1 ,제 2 기판(111,120) 상에 형성되는 듀얼플레이트 구조로 제작되는 것을 특징으로 하는바, 상기 제 1 ,제 2 기판(111,120)은 연결전극(141)에 의해 전기적으로 연결된다. As shown in FIG. 3, the organic electroluminescent device according to the present invention includes a thin film transistor array unit including a switching thin film transistor (not shown) and a driving thin film transistor Tp, a first electrode 121, and an organic light emitting diode. The light emitting layer 122 and the second electrode 123, the organic electroluminescent light emitting part is formed in a dual plate structure formed on the first and second substrates 111 and 120, respectively, the first and second The substrates 111 and 120 are electrically connected by the connection electrodes 141.

구체적으로, 상기 제 1 기판(111) 상에는 일렬로 배열된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에 수직교차하며 서로 일정간격으로 이격되는 데이터 배선 및 전력 공급선에 의해서 서브-픽셀이 정의되는데, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 스위칭 박막트랜지스터가 배치되고, 상기 게이트 배선과 전력 공급선의 교차 지점에 구동 박막트랜지스터(Tp)가 배치된다. Specifically, sub-pixels are defined by gate lines arranged in a row on the first substrate 111 and data lines and power supply lines perpendicularly intersecting the gate lines and spaced apart from each other at regular intervals. A switching thin film transistor is disposed at an intersection point of the data line, and a driving thin film transistor Tp is disposed at an intersection point of the gate line and the power supply line.

상기 구동 박막트랜지스터는 각각 게이트 전극(112a), 액티브층(114), 소스전극(115a) 및 드레인 전극(115b)으로 구성된다.The driving thin film transistor includes a gate electrode 112a, an active layer 114, a source electrode 115a, and a drain electrode 115b, respectively.

여기서, 상기 액티브층(114)이 다결정실리콘인 경우, 상기 구동 박막트랜지스터는 게이트 전극이 상부에 배치되는 탑-게이트형 박막트랜지스터가 되며, 소스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)은 액티브층의 소스 영역(114a) 및 드레인 영역(114b)에 각각 접속되고, 상기 소스영역과 드레인 영역 사이의 액티브층은 채널층(114c)이 된다. 이와같은 구성은 스위칭 박막트랜지스터의 경우도 동일하다. Here, when the active layer 114 is polycrystalline silicon, the driving thin film transistor is a top-gate thin film transistor having a gate electrode disposed thereon, and the source electrode 115a and the drain electrode 115b are formed of the active layer. It is connected to the source region 114a and the drain region 114b, respectively, and the active layer between the source region and the drain region becomes the channel layer 114c. This configuration is the same in the case of a switching thin film transistor.

다만, 상기 액티브층을 비정질실리콘으로 형성할 수도 있는데, 이 경우엔 게이트 전극이 하부에 배치되는 버텀-게이트형 박막트랜지스터로 구성된다.However, the active layer may be formed of amorphous silicon. In this case, the active layer may include a bottom-gate thin film transistor having a gate electrode disposed under the gate electrode.

상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극(112b)은 상기 게이트 배선(112)과 동일층에 구비되어 상기 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 소스 전극(115c)은 상기 전력 공급선(161)과 연결되고, 드레인 전극(115d)은 상기 연결전극(141)과 연결되며, 상기 연결전극(141)은 제 2 전극(123)과 접촉되도록 구성된다. The gate electrode 112b of the driving thin film transistor is provided on the same layer as the gate line 112 and connected to the drain electrode of the switching thin film transistor, and the source electrode 115c is connected to the power supply line 161. The drain electrode 115d is connected to the connection electrode 141, and the connection electrode 141 is configured to be in contact with the second electrode 123.

상기 연결전극(141)은 보호막(116) 상에 형성되는 콘택 스페이서(142)의 표면을 따라 형성되는데, 상기 콘택 스페이서(142)는 기둥 형상의 유기막 패턴으로서, 포토레지스트를 이용한 사진식각공정에 의해 형성되며, 포토 아크릴(photoacryl), 폴리이미드(polyimide) 등의 유기절연물질을 재료로 사용한다. 이 때, 상기 콘택 스페이서(142)는 제 1 ,제 2 기판(111,120) 사이의 셀갭 높이로 형성된다. The connection electrode 141 is formed along the surface of the contact spacer 142 formed on the passivation layer 116. The contact spacer 142 is a columnar organic layer pattern, and is used in a photolithography process using a photoresist. It is formed by using an organic insulating material such as photoacryl, polyimide, and the like. In this case, the contact spacer 142 is formed to have a cell gap height between the first and second substrates 111 and 120.

한편, 제 2 기판(120) 상에는 투명한 정공주입층인 제 1 전극(121)이 형성되고, 그 위에는 각 서브-픽셀마다 독립적으로 구성된 유기발광층(122)이 형성되며, 그 위에는 상기 유기발광층(122)의 에지부분이 외부로 노출되지 않도록 유기발광층을 완전커버하는 전자주입층인 제 2 전극(123)이 적층된다. Meanwhile, a first electrode 121, which is a transparent hole injection layer, is formed on the second substrate 120, and an organic light emitting layer 122 is formed on each sub-pixel, and an organic light emitting layer 122 is formed thereon. The second electrode 123, which is an electron injection layer that completely covers the organic light emitting layer, is stacked so that the edge portion of the bottom portion is not exposed to the outside.                     

이때, 제 1 전극(121) 상에는 서브-픽셀 경계부에 절연층(131) 및 사다리꼴 형상의 격벽(132)이 차례대로 형성되어 있는데, 상기 격벽(132)에 의해 별도의 패터닝 공정없이 격벽 내부에 유기발광층(122) 및 제 2 전극(123)을 서브-픽셀 단위로 형성한다. 상기 격벽(132)의 평면적 구조는 서브-픽셀의 경계부에 형성되어 프레임 구조를 가진다. At this time, the insulating layer 131 and the trapezoid-shaped partition wall 132 are sequentially formed on the sub-pixel boundary on the first electrode 121, and the organic layer is organically formed inside the partition wall without a separate patterning process by the partition wall 132. The emission layer 122 and the second electrode 123 are formed in sub-pixel units. The planar structure of the partition wall 132 is formed at the boundary of the sub-pixel to have a frame structure.

그리고, 상기 유기발광층(122)은 상기 제 1 전극(121)과 근접한 정공 수송층과, 각 서브-픽셀마다 특유의 빛을 발광하는 주 발광층과, 제 2 전극(123)과 근접한 전자 수송층으로 이루어지며, 각 서브-픽셀마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴함으로써 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러를 표현한다.The organic light emitting layer 122 may include a hole transporting layer adjacent to the first electrode 121, a main light emitting layer emitting specific light for each sub-pixel, and an electron transporting layer adjacent to the second electrode 123. The color of red (R), green (G), and blue (B) is expressed by patterning separate organic materials emitting red, green, and blue for each sub-pixel.

또한, 상기 제 2 전극(123)이 유기발광층(122)을 완전커버할 수 있기 위해서, 유기발광층(122)의 면적을 작게 형성하는데, 상기 격벽 내부에 형성되는 유기발광층과 상기 격벽이 5㎛ 이상 이격되도록 형성한다. 이와같이, 유기발광층을 격벽에 의해 정의되는 서브-픽셀보다 작게 형성하기 위해서는 섀도우 마스크를 사용하여 형성한다. In addition, in order for the second electrode 123 to completely cover the organic light emitting layer 122, the area of the organic light emitting layer 122 is formed to be small, and the organic light emitting layer and the partition wall formed inside the partition wall are 5 μm or more. It is formed to be spaced apart. As such, the organic light emitting layer is formed using a shadow mask to form smaller than the sub-pixel defined by the partition wall.

이경우, 유기발광층(122)의 면적이 줄어든만큼 절연막 패턴(131)의 면적을 크게 형성하여, 상기 유기발광층(122)이 절연막 패턴의 에지에 오버랩되도록 한다. In this case, the area of the insulating layer pattern 131 is made larger so that the area of the organic light emitting layer 122 is reduced, so that the organic light emitting layer 122 overlaps the edge of the insulating layer pattern.

이로써, 상기 절연막 패턴 및 유기발광층에 의해서, 상기 제 1 전극(121)과 제 2 전극(123)이 전기적으로 접촉되지 않게 되며, 상기 유기발광층이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다. As a result, the first electrode 121 and the second electrode 123 are not electrically contacted by the insulating layer pattern and the organic light emitting layer, and the organic light emitting layer may be prevented from being exposed to the outside.

이하, 첨부된 도 4a 내지 도 4e를 참고로 하여 유기 전계발광소자의 제조방 법을 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a manufacturing method of the organic electroluminescent device will be described with reference to FIGS. 4A to 4E.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(121) 상에 ITO(Indium Tin Oxide)와 같이 일함수(work function)가 큰 투명도전성 금속을 증착하여 양극전극(anode electrode)인 제 1 전극(121)을 형성한다. First, as shown in FIG. 4A, a transparent conductive metal having a large work function, such as indium tin oxide (ITO), is deposited on the second substrate 121 to form a first electrode, which is an anode electrode. (121) is formed.

그리고, 상기 제 1 전극(121) 상에 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물과 같은 무기절연물질을 증착하여 절연막(131)을 형성한다. The insulating layer 131 is formed by depositing an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide on the first electrode 121.

이어서, 상기 절연막(131) 상에 포토레지스트(Photo Resist)(151)를 증착한 후 상부에 마스크(150)를 위치시켜, 마스크 상부에서 빛을 조사하여 하부의 포토레지스트(151)를 노광한다. Subsequently, after the photoresist 151 is deposited on the insulating layer 131, the mask 150 is positioned on the upper portion of the insulating layer 131 to expose the lower photoresist 151 by irradiating light from the upper portion of the mask.

다음, 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상하여 패터닝한 후, 패턴된 포토레지스트(151) 사이로 노출된 하부의 절연막(131)을 식각하고 상기 포토레지스트를 제거하면, 도 4b에 도시된 바와 같이, 서로 이격하여 일방향으로 형성된 절연막 패턴(131)이 완성된다. Next, after the exposed photoresist is developed and patterned with a developer, the lower insulating film 131 exposed between the patterned photoresist 151 is etched and the photoresist is removed, as shown in FIG. 4B. The insulating layer pattern 131 formed to be spaced apart in one direction is completed.

이 때, 상기 절연막 패턴(131)은 이후 형성될 격벽의 상부 면적보다 큰 면적으로 형성하는데, 이것은 제 2 전극(123)을 증착하는 공정 중 제 1 전극(121)과 제 2 전극(123)이 서로 접촉하는 불량을 방지하기 위한 것이다. 특히, 본 발명에 의한 절연막 패턴(131)의 면적은 기존의 면적보다 더 넓게 형성하는데, 유기발광층의 면적을 축소시키므로 그 만큼 제 1 전극(121)의 노출 위험이 커지기 때문이다. In this case, the insulating layer pattern 131 is formed to have a larger area than the upper area of the barrier rib to be formed later. This is because the first electrode 121 and the second electrode 123 are formed during the deposition of the second electrode 123. This is to prevent defects in contact with each other. In particular, the area of the insulating film pattern 131 according to the present invention is formed to be larger than the existing area, because the area of the organic light emitting layer is reduced so that the risk of exposure of the first electrode 121 increases.

계속하여, 도 4c에 도시된 바와 같이, 절연막 패턴(131)이 형성된 제 2 기판(120) 전면에 포토 아크릴(photoacryl), 폴리이미드(polyimide) 등의 유기절연물질 을 도포한 후, 상기 절연막 패턴(131)을 형성한 공정과 동일한 사진식각공정을 진행하여 상기 절연막 패턴(131) 상에 역 테이퍼 형상으로 격벽(132)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 4C, an organic insulating material such as photoacryl or polyimide is coated on the entire surface of the second substrate 120 on which the insulating film pattern 131 is formed. The same photolithography process as the process of forming 131 is performed to form the partition wall 132 on the insulating layer pattern 131 in a reverse tapered shape.

이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 격벽(132) 사이의 제 1 전극(121) 상부에 유기발광층(122)을 형성한다. 이 때, 섀도우 마스크(170)를 사용하여 유기발광층(122)을 형성함으로써, 상기 유기발광층이 격벽(132)에서 5㎛ 이상 안측으로 성막되게 한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 4D, the organic light emitting layer 122 is formed on the first electrode 121 between the partition walls 132. At this time, the organic light emitting layer 122 is formed by using the shadow mask 170, so that the organic light emitting layer is formed into the inner side of the partition 132 by 5 μm or more.

기존에는 오픈 마스크를 사용하여 유기발광층을 형성하고 상기 격벽에 의해 서브-픽셀 단위로 유기발광층 패턴을 분리하였는데, 본 발명에서는 유기발광층을 격벽으로부터 5㎛ 이상 이격되도록 형성하기 위해서, 격벽을 중심으로 5㎛ 이상의 지점까지 차광영역(170a)이 구비된 섀도우 마스크(170)를 사용하는 것이다. Conventionally, an organic light emitting layer was formed by using an open mask, and the organic light emitting layer pattern was separated by sub-pixel units by the partition wall. In the present invention, in order to form the organic light emitting layer spaced at least 5 μm from the partition wall, The shadow mask 170 provided with the light shielding area 170a to a point greater than or equal to μm is used.

이와같이, 유기발광층(122)의 면적을 축소시킴으로써 제 2 전극(123) 에지부분으로 유기발광층이 노출되는 것을 방지한다. 유기발광층(122)의 면적이 넓어짐에 따라 제 1 전극(121)이 원하지 않게 노출될 염려가 있는데, 이를 방지하기 위해 절연막 패턴(131)의 면적을 기존보다 크게 형성한다. As such, the area of the organic light emitting layer 122 is reduced to prevent the organic light emitting layer from being exposed to the edge portion of the second electrode 123. As the area of the organic light emitting layer 122 increases, there is a concern that the first electrode 121 may be undesirably exposed. In order to prevent this, the area of the insulating layer pattern 131 is larger than the conventional one.

마지막으로, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광층(122) 상부에 유기발광층을 완전커버하는 제 2 전극(123)을 형성한다. 상기 제 2 전극은 오픈 마스크를 사용하여 형성하는데, 격벽(132)에 의해 서브-픽셀 단위로 패턴이 분리된다. Finally, as shown in FIG. 4E, a second electrode 123 is formed on the organic light emitting layer 122 to completely cover the organic light emitting layer. The second electrode is formed using an open mask, and patterns are separated in sub-pixel units by the partition wall 132.

따라서, 격벽(132)과 유기발광층(122) 사이의 5㎛ 이상에 해당되는 영역에는, 제 2 전극(123)이 형성되어 유기발광층(122)의 에지를 커버하함으로써 유기발광층의 수축(shrinkage)을 방지할 수 있다. 그리고, 유기발광층이 오버랩되는 절연 막 패턴에 의해 제 1 전극(121)과 제 2 전극(123)의 전기적 접촉이 차단된다. Therefore, the second electrode 123 is formed in a region corresponding to 5 μm or more between the partition wall 132 and the organic light emitting layer 122 to cover the edge of the organic light emitting layer 122, thereby shrinking the organic light emitting layer. Can be prevented. In addition, electrical contact between the first electrode 121 and the second electrode 123 is blocked by the insulating film pattern in which the organic light emitting layer overlaps.

여기서, 상기 제 2 전극(123)은 음극전극(cathode electrode)으로서, 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al) 등으로 구성된 금속 중 하나를 선택하여 형성한다. Here, the second electrode 123 is formed by selecting one of metals composed of calcium (Ca), magnesium (Mg), aluminum (Al), and the like as a cathode electrode.

이러한, 제 2 기판은 제 1 기판의 연결전극이 제 2 전극에 접촉되도록 제 1 기판에 대향합착한다. The second substrate opposes the first substrate so that the connection electrode of the first substrate contacts the second electrode.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.  On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in Esau.

상기와 같은 본 발명의 유기 전계발광소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.The organic electroluminescent device of the present invention as described above and a method of manufacturing the same have the following effects.

즉, 섀도우 마스크를 사용하여 유기발광층의 면적을 작게 형성하고 그 위에 형성되는 제 2 전극으로 유기발광층을 완전커버하도록 형성함으로써, 유기발광층이 외부로 노출되어 수축(shrinkage)되는 문제점을 방지한다. That is, by forming a small area of the organic light emitting layer by using a shadow mask and forming a complete cover of the organic light emitting layer with the second electrode formed thereon, the organic light emitting layer is exposed to the outside to prevent the problem (shrinkage).

따라서, 유기발광층의 에지 부분이 외부의 O2, H2O에 노출되거나 격벽에서 발생하는 아웃개싱(outgassing) 등에 노출되어 열화가 진행될 염려가 없으므로 유기 전계발광소자의 수명 단축을 극복할 수 있다. Therefore, since the edge portion of the organic light emitting layer is exposed to external O 2 , H 2 O or outgassing generated in the partition wall, there is no fear of deterioration, thereby overcoming the shortening of the life of the organic EL device.

Claims (11)

제 1 기판 상에 형성되어 서브-픽셀을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전력 공급선;Gate wiring, data wiring and power supply lines formed on the first substrate to define sub-pixels; 상기 서브-픽셀 내부에 각각 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터;A switching thin film transistor and a driving thin film transistor respectively formed in the sub-pixel; 상기 제 1 기판과 대향 합착되는 제 2 기판;A second substrate opposed to the first substrate; 상기 제 2 기판의 내측에 형성되는 제 1 전극;A first electrode formed inside the second substrate; 상기 제 1 전극 상에 형성되며, 상기 서브-픽셀의 양측 가장자리에 형성되어 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키는 절연막 패턴;An insulating layer pattern formed on the first electrode and formed at both edges of the sub-pixel to expose a partial region of the first electrode; 상기 절연막 패턴의 일부 영역 상에 형성되는 격벽;Barrier ribs formed on a portion of the insulating layer pattern; 노출된 상기 제 1 전극 상에 형성되며, 상기 격벽이 형성되지 않은 절연막 패턴의 일부 영역까지 연장 형성되는 유기발광층;An organic light emitting layer formed on the exposed first electrode and extending to a portion of an insulating layer pattern on which the barrier rib is not formed; 상기 유기발광층 상에 형성되는 제 2 전극; 및A second electrode formed on the organic light emitting layer; And 상기 구동 박막 트랜지스터와 상기 제 2 전극을 연결하는 연결전극을 포함하며,A connection electrode connecting the driving thin film transistor and the second electrode; 상기 제 2 전극의 가장자리가 상기 절연막 패턴과 접촉함으로써, 상기 제 2 전극이 상기 유기발광층과 격벽이 접촉하지 않도록 상기 유기발광층을 완전커버하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.And the second electrode completely covers the organic light emitting layer so that the second electrode does not contact the organic light emitting layer and the partition wall by the edge of the second electrode contacting the insulating layer pattern. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 격벽 내부에 형성되는 유기발광층과 상기 격벽이 5㎛ 이상 이격되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.The organic light emitting device, characterized in that spaced apart from the organic light emitting layer formed in the partition and the partition 5㎛ or more. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유기발광층은 상기 절연막 패턴의 에지에 오버랩되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.And the organic light emitting layer overlaps an edge of the insulating layer pattern. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 절연막 패턴 및 유기발광층에 의해 상기 제 1 전극과 제 2 전극이 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.And the first electrode and the second electrode are not in contact with each other by the insulating layer pattern and the organic light emitting layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 전극은 상기 절연막 패턴 및 격벽 내부에 서브-픽셀 단위로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.And the second electrode is formed in a sub-pixel unit in the insulating layer pattern and the partition wall. 제 1 기판 상에 게이트 배선을 형성하고, 이에 수직교차하는 데이터 배선 및 전력공급선을 형성하여 서브-픽셀을 정의하는 단계;Forming a sub-pixel by forming a gate line on the first substrate, and forming a data line and a power supply line perpendicular to the first line; 상기 서브-픽셀 내부에 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계;Forming a switching thin film transistor and a driving thin film transistor inside the sub-pixel; 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되도록 연결전극을 형성하는 단계;Forming a connection electrode to be connected to the driving thin film transistor; 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판 내측에 제 1 전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode inside a second substrate opposite the first substrate; 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키도록 상기 제 1 전극 상부의 서브-픽셀의 양측 가장자리에 절연막 패턴을 형성하는 단계;Forming an insulating layer pattern at both edges of the sub-pixel above the first electrode to expose the partial region of the first electrode; 상기 절연막 패턴의 일부 영역 상에 격벽을 형성하는 단계;Forming a partition on a portion of the insulating layer pattern; 노출된 상기 제 1 전극 상에 유기발광층을 형성하며, 상기 격벽이 형성되지 않은 상기 절연막 패턴의 일부 영역까지 상기 유기발광층을 연장 형성하는 단계;Forming an organic light emitting layer on the exposed first electrode, and extending the organic light emitting layer to a portion of the insulating layer pattern on which the barrier rib is not formed; 상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;Forming a second electrode on the organic light emitting layer; 상기 연결전극이 제 2 전극에 접촉되도록 상기 제 1, 제 2 기판을 대향 합착하는 단계를 포함하며,Opposingly bonding the first and second substrates so that the connection electrode is in contact with a second electrode; 상기 제 2 전극을 형성하는 단계는, 상기 제 2 전극의 가장자리가 상기 절연막 패턴과 접촉하여 상기 제 2 전극이 상기 유기발광층과 격벽이 접촉하지 않도록 상기 유기발광층을 완전커버하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.The forming of the second electrode may include an organic electric field covering the organic light emitting layer so that the edge of the second electrode contacts the insulating layer pattern so that the second electrode does not contact the organic light emitting layer and the partition wall. Method of manufacturing a light emitting device. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 유기발광층은 상기 격벽으로부터 5㎛ 이상 이격되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.The organic light emitting layer is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that formed to be spaced apart from the partition by 5㎛ or more. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 유기발광층이 상기 절연막 패턴의 에지에 오버랩되도록 절연막 패턴의 면적을 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.And forming an area of the insulating layer pattern large so that the organic light emitting layer overlaps the edge of the insulating layer pattern. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 유기발광층 형성시, 섀도우 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.When forming the organic light emitting layer, a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that using a shadow mask. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 2 전극 형성시, 오픈 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein an open mask is used to form the second electrode. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 연결전극 하부에 콘택 스페이서를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.The manufacturing method of the organic electroluminescent device, characterized in that further forming a contact spacer under the connection electrode.
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