KR102065108B1 - Organic light emitting diode display - Google Patents

Organic light emitting diode display Download PDF

Info

Publication number
KR102065108B1
KR102065108B1 KR1020190128430A KR20190128430A KR102065108B1 KR 102065108 B1 KR102065108 B1 KR 102065108B1 KR 1020190128430 A KR1020190128430 A KR 1020190128430A KR 20190128430 A KR20190128430 A KR 20190128430A KR 102065108 B1 KR102065108 B1 KR 102065108B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
pixel
hole injection
emitting layer
Prior art date
Application number
KR1020190128430A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190120139A (en
Inventor
심중원
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190128430A priority Critical patent/KR102065108B1/en
Publication of KR20190120139A publication Critical patent/KR20190120139A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102065108B1 publication Critical patent/KR102065108B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H01L27/3248
    • H01L27/3246
    • H01L27/326
    • H01L51/5012
    • H01L51/5016
    • H01L51/5056
    • H01L51/5088
    • H01L51/5203
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Abstract

상호 이웃하는 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 각각에 대응하여 위치하며, 상호 이격된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 위치하는 정공 주입층, 상기 제1 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제1 발광층, 상기 제2 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제2 발광층, 상기 제3 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제3 발광층을 포함하는 주발광층, 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하며, P형 도핑된 P형 정공 수송층 및 상기 주발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다.The organic light emitting diode display including the first pixel, the second pixel, and the third pixel, which are adjacent to each other, is disposed to correspond to the first pixel, the second pixel, and the third pixel, respectively, and is spaced apart from each other. An electrode, a hole injection layer positioned on the plurality of first electrodes, a first emission layer positioned on the hole injection layer corresponding to the first pixel, and a hole injection layer positioned on the hole injection layer corresponding to the second pixel A second light emitting layer, a main light emitting layer including a third light emitting layer on the hole injection layer corresponding to the third pixel, a P-type doped P-type hole transport layer, positioned between the second light emitting layer and the hole injection layer And a second electrode on the main light emitting layer.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device including an organic light emitting layer.

표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.As a display device for displaying an image, an organic light emitting diode display has recently attracted attention.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.The organic light emitting diode display has a self-luminous property and, unlike a liquid crystal display device, does not require a separate light source, thereby reducing thickness and weight. In addition, the organic light emitting diode display exhibits high quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high response speed.

일반적으로 유기 발광 표시 장치는 이미지를 표시하는 최소 단위인 화소마다 위치하는 제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 주발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자를 포함한다.In general, an organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode in which a first electrode, a hole injection layer, a hole transport layer, a main light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a second electrode are sequentially stacked It includes.

그런데, 상술한 종래의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 구동하지 않는 블랙 이미지(black image) 표시 상태일 때, 의도치 않은 미세 전류가 제1 전극으로부터 주발광층으로 흘러 의도치 않게 주발광층이 발광하는 문제점이 있었다.However, in the above-described conventional organic light emitting display device, when the black image display state in which the organic light emitting diode is not driven, unintentional microcurrent flows from the first electrode to the main light emitting layer, and the main light emitting layer unintentionally emits light. There was a problem.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 의도치 않은 미세 전류에 의해 주발광층이 발광하는 것이 억제된 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.One embodiment of the present invention is to solve the above-described problem, and to provide an organic light emitting display device in which the main light emitting layer is suppressed from being emitted by an unintentional fine current.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면은 상호 이웃하는 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 각각에 대응하여 위치하며, 상호 이격된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 위치하는 정공 주입층, 상기 제1 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제1 발광층, 상기 제2 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제2 발광층, 상기 제3 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제3 발광층, 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하며, P형 도핑된 P형 정공 수송층, 및 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, an organic light emitting display device including a first pixel, a second pixel, and a third pixel, which are adjacent to each other, includes the first pixel, the second pixel, and the first pixel. A plurality of first electrodes spaced apart from each other, corresponding to each of the three pixels, a hole injection layer positioned on the plurality of first electrodes, and a first emission layer positioned on the hole injection layer corresponding to the first pixel; A second emission layer positioned on the hole injection layer corresponding to the second pixel, a third emission layer positioned on the hole injection layer corresponding to the third pixel, and between the second emission layer and the hole injection layer And a second electrode disposed on the P-type doped P-type hole transport layer and the first emission layer, the second emission layer, and the third emission layer.

상기 정공 주입층은 상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소에 대응하여 상기 복수의 제1 전극 각각의 상으로 연장된 형태를 가질 수 있다.The hole injection layer may have a form extending onto each of the plurality of first electrodes corresponding to the first pixel, the second pixel, and the third pixel.

상기 제1 발광층은 적색 형광 물질을 포함하며, 상기 제2 발광층은 녹색 인광 물질을 포함하며, 상기 제3 발광층은 청색 형광 물질을 포함할 수 있다.The first light emitting layer may include a red fluorescent material, the second light emitting layer may include a green phosphor, and the third light emitting layer may include a blue fluorescent material.

상기 제2 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제3 발광층 각각 대비 전기 저항이 클 수 있다.The second light emitting layer may have a higher electrical resistance than each of the first light emitting layer and the third light emitting layer.

상기 P형 정공 수송층은 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이에만 위치할 수 있다.The P-type hole transport layer may be located only between the second light emitting layer and the hole injection layer.

상기 P형 정공 수송층은 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이로부터 상기 제3 발광층과 상기 정공 주입층 사이까지만 연장될 수 있다.The P-type hole transport layer may extend only between the third light emitting layer and the hole injection layer from between the second light emitting layer and the hole injection layer.

상기 P형 정공 수송층은 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이로부터 상기 제1 발광층과 상기 정공 주입층 사이까지만 연장될 수 있다.The P-type hole transport layer may extend only between the first light emitting layer and the hole injection layer from between the second light emitting layer and the hole injection layer.

상기 정공 주입층은, 상기 제1 전극과 접촉하며 P형 도핑된 P형 정공 주입층을 포함할 수 있다.The hole injection layer may include a P-type doped P-type hole injection layer in contact with the first electrode.

상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.The display device may further include an electron transport layer positioned between the first emission layer, the second emission layer, and the third emission layer and the second electrode.

상기 제1 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하는 제1 두께를 가지는 제1 보조층, 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하며, 상기 제1 두께 대비 얇은 제2 두께를 가지는 제2 보조층, 및 상기 제3 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하며, 상기 제2 두께 대비 얇은 제3 두께를 가지는 제3 보조층을 더 포함할 수 있다.A second auxiliary layer having a first thickness positioned between the first light emitting layer and the hole injection layer, and a second thickness between the second light emitting layer and the hole injection layer and having a second thickness that is thinner than the first thickness The auxiliary layer may further include a third auxiliary layer positioned between the third light emitting layer and the hole injection layer and having a third thickness that is thinner than the second thickness.

상술한 본 발명의 과제 해결 수단의 일부 실시예 중 하나에 의하면, 의도치 않은 미세 전류에 의해 주발광층이 발광하는 것이 억제된 유기 발광 표시 장치가 제공된다.According to some embodiments of the above-described problem solving means of the present invention, an organic light emitting display device in which the main light emitting layer is prevented from emitting light by an unintended microcurrent is provided.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 주요 구성 요소를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 주요 구성 요소를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 주요 구성 요소를 나타낸 단면도이다.
1 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
2 is a layout view illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view illustrating main components of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating main components of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating main components of an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals designate like elements throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be representatively described in the first embodiment using the same reference numerals, and in other embodiments, only the configuration different from the first embodiment will be described. .

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where it is "on" another part but also another part in the middle.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.In addition, throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated. In addition, throughout the specification, "on" means to be located above or below the target portion, and does not necessarily mean to be located above the gravity direction.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 제1 기판(100), 배선부(200), 유기 발광 소자(300) 및 제2 기판(400)을 포함한다.As illustrated in FIG. 1, the organic light emitting diode display 1000 according to the first exemplary embodiment may include a first substrate 100, a wiring unit 200, an organic light emitting element 300, and a second substrate 400. ).

제1 기판(100) 및 제2 기판(400)은 유리 또는 폴리머 등을 포함하는 광 투과성 및 전기 절연성 기판이다. 제1 기판(100)과 제2 기판(400)은 상호 대향하고 있으며, 실런트(sealant)에 의해 합착되어 있다. 제1 기판(100)과 제2 기판(400) 사이에는 배선부(200) 및 유기 발광 소자(300)가 위치하고 있으며, 제1 기판(100) 및 제2 기판(400)은 배선부(200) 및 유기 발광 소자(300)를 외부의 간섭으로부터 보호한다.The first substrate 100 and the second substrate 400 are light transmissive and electrically insulating substrates including glass or polymer. The first substrate 100 and the second substrate 400 are opposed to each other and are bonded by a sealant. The wiring unit 200 and the organic light emitting device 300 are positioned between the first substrate 100 and the second substrate 400, and the first substrate 100 and the second substrate 400 are connected to the wiring unit 200. And protects the organic light emitting element 300 from external interference.

배선부(200)는 스위칭 및 구동 박막 트랜지스터(10, 20)(도 2에 도시)를 포함하며, 유기 발광 소자(300)에 신호를 전달하여 유기 발광 소자(300)를 구동한다. 유기 발광 소자(300)는 배선부(200)로부터 전달받은 신호에 따라 빛을 발광한다. The wiring unit 200 includes switching and driving thin film transistors 10 and 20 (shown in FIG. 2), and transmits a signal to the organic light emitting element 300 to drive the organic light emitting element 300. The organic light emitting device 300 emits light according to the signal received from the wiring unit 200.

배선부(200) 상에는 유기 발광 소자(300)가 위치하고 있다.The organic light emitting element 300 is positioned on the wiring unit 200.

유기 발광 소자(300)는 제1 기판(100) 상의 표시 영역에 위치하여 배선부(200)로부터 신호를 전달 받으며, 전달 받은 신호에 의해 이미지(image)를 표시한다.The organic light emitting device 300 is positioned in the display area on the first substrate 100 to receive a signal from the wiring unit 200, and displays an image according to the received signal.

이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)의 내부 구조에 대해 자세히 설명한다.Hereinafter, the internal structure of the organic light emitting diode display 1000 according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다. 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.2 is a layout view illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2.

이하에서, 배선부(200) 및 유기 발광 소자(300)의 구체적인 구조는 도 2 및 도 3에 나타나 있으나, 본 발명의 실시예가 도 2 및 도 3에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 배선부(200) 및 유기 발광 소자(300)는 해당 기술 분야의 전문가가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예컨대, 첨부 도면에서는, 표시 장치로서, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 표시 장치는 박막 트랜지스터의 개수, 축전 소자의 개수 및 배선의 개수가 한정되지 않는다. 한편, 화소는 이미지를 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 이미지를 표시한다.Hereinafter, specific structures of the wiring unit 200 and the organic light emitting diode 300 are shown in FIGS. 2 and 3, but embodiments of the present invention are not limited to the structures illustrated in FIGS. 2 and 3. The wiring unit 200 and the organic light emitting device 300 may be formed in various structures within a range that can be easily modified by those skilled in the art. For example, in the accompanying drawings, as a display device, an active matrix (AM) type of 2Tr-1Cap structure having two thin film transistors (TFTs) and one capacitor in one pixel type is provided. Although the OLED display is illustrated, the present invention is not limited thereto. Therefore, the number of thin film transistors, the number of power storage elements, and the number of wirings are not limited to the display device. The pixel refers to a minimum unit for displaying an image, and the display device displays the image through the plurality of pixels.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(1000)는 하나의 화소마다 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 유기 발광 소자(300) 및 굴절층(70)을 포함한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80) 및 굴절층(70)을 포함하는 구성을 배선부(200)라 한다. 그리고, 배선부(200)는 제1 기판(100)의 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151), 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. 여기서, 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the organic light emitting diode display 1000 includes a switching thin film transistor 10, a driving thin film transistor 20, a power storage device 80, and an organic light emitting device 300 which are formed for each pixel, respectively. ) And the refractive layer 70. Here, the configuration including the switching thin film transistor 10, the driving thin film transistor 20, the power storage element 80, and the refractive layer 70 is referred to as the wiring unit 200. The wiring unit 200 further includes a gate line 151 disposed along one direction of the first substrate 100, a data line 171 and an common power line 172 that are insulated from and cross the gate line 151. Include. Here, one pixel may be defined as a boundary between the gate line 151, the data line 171, and the common power line 172, but is not necessarily limited thereto.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.The switching thin film transistor 10 includes a switching semiconductor layer 131, a switching gate electrode 152, a switching source electrode 173, and a switching drain electrode 174. The driving thin film transistor 20 includes a driving semiconductor layer 132, a driving gate electrode 155, a driving source electrode 176, and a driving drain electrode 177.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로서 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된다.The switching thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting a pixel to emit light. The switching gate electrode 152 is connected to the gate line 151. The switching source electrode 173 is connected to the data line 171. The switching drain electrode 174 is spaced apart from the switching source electrode 173 and connected to one capacitor plate 158.

구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(300)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)으로부터 연장되어 유기 발광 소자(300)의 제1 전극(710)이 위치하며, 구동 드레인 전극(177)과 제1 전극(710)은 상호 연결된다.The driving thin film transistor 20 applies driving power to the first electrode 710 to emit the organic light emitting layer 720 of the organic light emitting element 300 in the selected pixel. The driving gate electrode 155 is connected to the capacitor plate 158 connected to the switching drain electrode 174. The driving source electrode 176 and the other capacitor plate 178 are connected to the common power line 172, respectively. The first electrode 710 of the organic light emitting device 300 is positioned to extend from the driving drain electrode 177, and the driving drain electrode 177 and the first electrode 710 are connected to each other.

축전 소자(80)는 층간 절연막(160)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(160)은 유전체가 되며, 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 소자(80)의 축전 용량이 결정된다.The power storage element 80 includes a pair of power storage plates 158 and 178 disposed with the interlayer insulating layer 160 therebetween. Here, the interlayer insulating layer 160 becomes a dielectric, and the storage capacity of the power storage device 80 is determined by the charges stored in the power storage device 80 and the voltage between the two storage plates 158 and 178.

이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(300)로 흘러 유기 발광 소자(300)가 발광하게 된다.By such a structure, the switching thin film transistor 10 operates by a gate voltage applied to the gate line 151 to transfer a data voltage applied to the data line 171 to the driving thin film transistor 20. . The voltage corresponding to the difference between the common voltage applied to the driving thin film transistor 20 from the common power supply line 172 and the data voltage transmitted from the switching thin film transistor 10 is stored in the power storage element 80, and the power storage element 80 The current corresponding to the voltage stored in the) flows through the driving thin film transistor 20 to the organic light emitting device 300 and the organic light emitting device 300 emits light.

유기 발광 소자(300)는 제1 전극(710), 제1 전극(710) 상에 위치하는 유기 발광층(720), 유기 발광층(720) 상에 위치하는 제2 전극(730)을 포함한다.The organic light emitting diode 300 includes a first electrode 710, an organic emission layer 720 positioned on the first electrode 710, and a second electrode 730 positioned on the organic emission layer 720.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 주요 구성 요소를 나타낸 단면도이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위해 상호 이웃하는 3개의 화소인 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소에 대응되는 주요 구성 요소를 나타내었다.4 is a cross-sectional view illustrating main components of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 4, for convenience of description, main components corresponding to three neighboring pixels, a first pixel, a second pixel, and a third pixel, are illustrated.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 전극(710)은 복수이며, 복수의 제1 전극(710) 각각은 상호 이웃하는 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3) 각각에 대응하여 상호 이격되어 있다. As illustrated in FIG. 4, a plurality of first electrodes 710 may be provided, and each of the plurality of first electrodes 710 may be adjacent to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3. ) Are spaced apart from each other.

제2 전극(730)은 유기 발광층(720)을 사이에 두고 제1 전극(710) 상에 위치하며, 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3)에 대응하여 위치하고 있다. 제2 전극(730)은 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3)에 대응하여 유기 발광층(720) 상으로 연장된 형태를 가지고 있다.The second electrode 730 is positioned on the first electrode 710 with the organic emission layer 720 interposed therebetween, and corresponds to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3. Is located. The second electrode 730 extends onto the organic emission layer 720 in correspondence with the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3.

제1 전극(710)은 정공 주입 전극인 양극(anode)이 되며, 제2 전극(730)은 전자 주입 전극인 음극(cathode)이 된다. The first electrode 710 becomes an anode which is a hole injection electrode, and the second electrode 730 becomes a cathode which is an electron injection electrode.

제1 전극(710) 및 제2 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입되며, 유기 발광층(720) 내부로 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 유기 발광층(720)의 발광이 이루어진다. 또한, 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide, ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide, IZO), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 등 중 하나 이상을 포함하는 단층 또는 복층의 광 투과성 도전 물질 또는 광 반사성 도전 물질을 포함할 수 있다.Holes and electrons are injected into the organic light emitting layer 720 from the first electrode 710 and the second electrode 730, respectively. An exciton in which holes and electrons are injected into the organic light emitting layer 720 is excited. When the organic light emitting layer 720 falls from the ground state to the ground state, light is emitted. In addition, each of the first electrode 710 and the second electrode 730 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum (Al), silver (Ag), or the like. It may comprise a single layer or multiple layers of a light transmissive conductive material or a light reflective conductive material comprising one or more.

유기 발광층(720)은 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3)에 대응하여 위치하고 있으며, 정공 주입층(HIL), 주발광층(EL), 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1), 제1 보조층(RO), 제2 보조층(GO), 제3 보조층(BO), 전자 수송층(ETL)을 포함한다.The organic emission layer 720 is positioned corresponding to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3, and includes the hole injection layer HIL, the main emission layer EL, and the first P-type hole. The transport layer P-HTL1, the first auxiliary layer RO, the second auxiliary layer GO, the third auxiliary layer BO, and the electron transport layer ETL are included.

정공 주입층(HIL)은 복수의 제1 전극(710) 상에 위치하며, 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3)에 대응하여 복수의 제1 전극(710) 각각의 상으로 연장된 형태를 가지고 있다. 정공 주입층(HIL)은 양극인 제1 전극(710)으로부터 주입된 정공이 주발광층(EL)으로 원활하게 주입되는 것을 도와주는 역할을 한다.The hole injection layer HIL is positioned on the plurality of first electrodes 710, and corresponds to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3. Each form has an extended form. The hole injection layer HIL helps to smoothly inject holes injected from the first electrode 710 as an anode into the main light emitting layer EL.

정공 주입층(HIL)은 P형 정공 주입층(HIL)을 포함한다.The hole injection layer HIL includes a P-type hole injection layer HIL.

P형 정공 주입층(HIL)은 제1 전극(710)과 접촉하며 P형 도핑(P-type dopping)되어 있다. P형 정공 주입층(HIL)이 P형 도핑되어 있음으로써, 제1 전극(710)으로부터 정공이 주발광층(EL)으로 용이하게 주입된다.The P-type hole injection layer HIL is in contact with the first electrode 710 and is P-type doped. Since the P-type hole injection layer HIL is doped with P-type, holes are easily injected from the first electrode 710 into the main light emitting layer EL.

주발광층(EL)은 정공 주입층(HIL) 상에 위치하며, 적색(red)의 빛을 발광하는 제1 발광층(RE), 녹색(green)의 빛을 발광하는 제2 발광층(GE) 및 청색(blue)의 빛을 발광하는 제3 발광층(BE)을 포함한다. 제1 발광층(RE), 제2 발광층(GE) 및 제3 발광층(BE) 각각은 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로부터 주입된 정공과 전자가 결합하여 각각의 빛이 발광되는 층이다.The main light emitting layer EL is disposed on the hole injection layer HIL, and includes a first light emitting layer RE that emits red light, a second light emitting layer GE that emits green light, and a blue light. and a third light emitting layer BE that emits blue light. Each of the first light emitting layer RE, the second light emitting layer GE, and the third light emitting layer BE combines holes and electrons injected from each of the first electrode 710 and the second electrode 730 to emit light. It is a layer.

제1 발광층(RE)은 제1 화소(PA1)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 이격되어 있으며, 정공 주입층(HIL) 상에 위치하고 있다. 제1 발광층(RE)은 적색 형광 물질을 포함하며, 제2 발광층(GE) 대비 전기 저항이 작은 유기 재료를 포함한다. 제1 발광층(RE)은 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로부터 전류가 흐름으로써, 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로 정공 및 전자를 공급받아 적색의 빛을 발광한다.The first light emitting layer RE is spaced apart from the second light emitting layer GE corresponding to the first pixel PA1 and is positioned on the hole injection layer HIL. The first emission layer RE includes a red fluorescent material and includes an organic material having a lower electrical resistance than the second emission layer GE. As the current flows from each of the first electrode 710 and the second electrode 730, the first light emitting layer RE receives holes and electrons from the first electrode 710 and the second electrode 730, respectively, Emits light.

제2 발광층(GE)은 제2 화소(PA2)에 대응하여 제1 발광층(RE)과 이격되어 있으며, 정공 주입층(HIL) 상에 위치하고 있다. 제2 발광층(GE)은 녹색 인광 물질을 포함하며, 제1 발광층(RE) 및 제3 발광층(BE) 각각 대비 전기 저항이 큰 유기 재료를 포함한다. 제2 발광층(GE)은 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로부터 전류가 흐름으로써, 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로 정공 및 전자를 공급받아 녹색의 빛을 발광한다.The second light emitting layer GE is spaced apart from the first light emitting layer RE corresponding to the second pixel PA2, and is disposed on the hole injection layer HIL. The second light emitting layer GE includes a green phosphor material and includes an organic material having a higher electrical resistance than each of the first light emitting layer RE and the third light emitting layer BE. As the current flows from each of the first electrode 710 and the second electrode 730, the second light emitting layer GE receives holes and electrons from the first electrode 710 and the second electrode 730, respectively, Emits light.

제3 발광층(BE)은 제3 화소(PA3)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 이격되어 있으며, 정공 주입층(HIL) 상에 위치하고 있다. 제3 발광층(BE)은 청색 형광 물질을 포함하며, 제2 발광층(GE) 대비 전기 저항이 작은 유기 재료를 포함한다. 제3 발광층(BE)은 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로부터 전류가 흐름으로써, 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로 정공 및 전자를 공급받아 청색의 빛을 발광한다.The third light emitting layer BE is spaced apart from the second light emitting layer GE corresponding to the third pixel PA3 and is positioned on the hole injection layer HIL. The third light emitting layer BE includes a blue fluorescent material and includes an organic material having a lower electrical resistance than the second light emitting layer GE. As the current flows from each of the first electrode 710 and the second electrode 730, the third light emitting layer BE receives holes and electrons from the first electrode 710 and the second electrode 730, respectively, Emits light.

제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)은 제2 화소(PA2)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하며, 제1 전극(710)으로부터 정공 주입층(HIL)을 통해 제2 발광층(GE)으로 주입되는 정공을 용이하게 수송하는 역할을 한다. 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)은 P형 도핑되어 있다. 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)이 P형 도핑되어 있음으로써, 제1 전극(710)으로부터 정공 주입층(HIL)을 통한 전류가 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)을 통해 제2 발광층(GE)으로 용이하게 흘러 정공이 원활하게 제2 발광층(GE)으로 수송된다.The first P-type hole transport layer P-HTL1 is positioned between the second light emitting layer GE and the hole injection layer HIL corresponding to the second pixel PA2, and may be disposed from the first electrode 710. HIL) serves to easily transport holes injected into the second light emitting layer GE. The first P-type hole transport layer P-HTL1 is doped with P-type. Since the first P-type hole transport layer P-HTL1 is doped with P-type, current through the hole injection layer HIL from the first electrode 710 is formed through the first P-type hole transport layer P-HTL1. 2 flows easily into the light emitting layer GE, and holes are smoothly transported to the second light emitting layer GE.

제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)은 제2 화소(PA2)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이에만 위치하고 있다.The first P-type hole transport layer P-HTL1 is positioned only between the second emission layer GE and the hole injection layer HIL corresponding to the second pixel PA2.

P형 도핑된 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)이 제2 화소(PA2)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이에만 위치함으로써, 유기 발광 소자(300)를 배선부(200)를 이용해 구동하지 않는 블랙 이미지(black image) 표시 상태일 때, 배선부(200)를 통한 의도치 않은 미세 전류가 제1 전극(710)으로부터 제1 화소(PA1) 및 제3 화소(PA3) 각각에 대응하여 위치하는 제1 발광층(RE) 및 제3 발광층(BE) 각각으로 흐르지 않고 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)으로 흐르게 되어 제1 화소(PA1) 및 제3 화소(PA3)가 미세 전류에 의해 발광되는 것이 억제된다.The P-doped first P-type hole transport layer P-HTL1 is positioned only between the second emission layer GE and the hole injection layer HIL in correspondence with the second pixel PA2 to thereby form the organic light emitting device 300. When the black image is not driven by using the wiring unit 200, an unintended microcurrent through the wiring unit 200 may cause the first pixel PA1 and the third pixel from the first electrode 710. The first P-type hole transport layer P-HTL1 flows to the first P-type hole transport layer P-HTL1 without flowing to each of the first emission layer RE and the third emission layer BE positioned corresponding to each of the pixels PA3. The light emission of the pixel PA3 by the fine current is suppressed.

제1 보조층(RO)은 제1 발광층(RE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하며, 제1 두께를 가지고 있다. 제2 보조층(GO)은 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하며, 제1 두께 대비 얇은 제2 두께를 가지고 있다. 제3 보조층(BO)은 제3 발광층(BE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하며, 제2 두께 대비 얇은 제3 두께를 가지고 있다.The first auxiliary layer RO is positioned between the first light emitting layer RE and the hole injection layer HIL and has a first thickness. The second auxiliary layer GO is positioned between the second light emitting layer GE and the hole injection layer HIL, and has a second thickness that is thinner than the first thickness. The third auxiliary layer BO is positioned between the third light emitting layer BE and the hole injection layer HIL and has a third thickness that is thinner than the second thickness.

제1 보조층(RO), 제2 보조층(GO) 및 제3 보조층(BO) 각각이 순차적으로 얇은 두께를 가짐으로써, 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3) 각각에 대응하는 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 사이 공간 각각이 순차적으로 짧은 거리를 가지기 때문에, 제1 발광층(RE)에서 발광하는 적색의 빛, 제2 발광층(GE)에서 발광하는 녹색의 빛, 제3 발광층(BE)에서 발광하는 청색의 빛 각각이 각각의 파장에 따라 보강간섭이 발생되어 주발광층(EL)에서 발광하는 빛의 발광 효율 및 색 재현율이 향상된다. 즉, 유기 발광 소자(300)로부터 표시되는 이미지의 발광 효율 및 색 재현율이 향상된다.Each of the first auxiliary layer RO, the second auxiliary layer GO, and the third auxiliary layer BO has a thin thickness in sequence, so that the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel Since each of the spaces between the first electrode 710 and the second electrode 730 corresponding to each of PA3 has a short distance in sequence, the red light and the second light emitting layer GE which emit light from the first light emitting layer RE Reinforcement interference occurs for each of the green light emitted from the light emitting device and the blue light emitting from the third light emitting layer BE according to each wavelength, thereby improving the light emission efficiency and color reproduction rate of the light emitted from the main light emitting layer EL. . That is, the luminous efficiency and color reproduction rate of the image displayed from the organic light emitting element 300 are improved.

전자 수송층(ETL)은 주발광층(EL)과 제2 전극(730) 사이에 위치하고 있다. 전자 수송층(ETL)은 음극인 제2 전극(730)으로부터 주입된 전자가 제1 발광층(RE), 제2 발광층(GE) 및 제3 발광층(BE) 각각으로 원활하게 주입되는 것을 도와주는 역할을 한다.The electron transport layer ETL is positioned between the main light emitting layer EL and the second electrode 730. The electron transport layer ETL helps to smoothly inject electrons injected from the second electrode 730, which is a cathode, into the first light emitting layer RE, the second light emitting layer GE, and the third light emitting layer BE. do.

한편, 전자 수송층(ETL)과 제2 전극(730) 사이에는 전자 주입층이 위치할 수 있다.The electron injection layer may be positioned between the electron transport layer ETL and the second electrode 730.

이상과 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 P형 도핑된 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)이 제2 화소(PA2)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이에만 위치함으로써, 유기 발광 소자(300)를 배선부(200)를 이용해 구동하지 않는 블랙 이미지(black image) 표시 상태일 때, 배선부(200)를 통한 의도치 않은 미세 전류가 제1 전극(710)으로부터 제1 화소(PA1) 및 제3 화소(PA3) 각각에 대응하여 위치하는 제1 발광층(RE) 및 제3 발광층(BE) 각각으로 흐르지 않고 정공 주입층(HIL)을 통해 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)으로 흐르게 되어 제1 발광층(RE) 및 제3 발광층(BE) 각각이 미세 전류에 의해 의도치 않게 발광되는 것이 억제된다.As described above, in the organic light emitting diode display 1000 according to the first exemplary embodiment of the present invention, the P-type doped P-type hole transport layer P-HTL1 corresponds to the second pixel PA2 to form the second emission layer ( By only between GE) and the hole injection layer HIL, the intention through the wiring unit 200 when the organic light emitting device 300 is in a black image display state in which the organic light emitting element 300 is not driven using the wiring unit 200 is intended. Minute current does not flow from the first electrode 710 to each of the first light emitting layer RE and the third light emitting layer BE positioned corresponding to each of the first pixel PA1 and the third pixel PA3. Through the layer HIL, the first P-type hole transport layer P-HTL1 flows to prevent the first light emitting layer RE and the third light emitting layer BE from being unintentionally emitted by the micro current.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)으로 미세 전류가 흐르더라도, 제2 발광층(GE)이 제1 발광층(RE) 및 제3 발광층(BE) 각각 대비 큰 전기 저항을 가짐으로써, 제1 P형 정공 수송층(P-HTL1)으로 흐른 미세 전류에 의해 제2 발광층(GE)이 발광되는 것이 최소화된다.In addition, in the organic light emitting diode display 1000 according to the first exemplary embodiment, even when a minute current flows through the first P-type hole transport layer P-HTL1, the second emission layer GE may be formed of the first emission layer RE. And by having a greater electrical resistance than each of the third light emitting layer (BE), it is minimized that the second light emitting layer (GE) is emitted by the minute current flowing through the first P-type hole transport layer (P-HTL1).

즉, 배선부(200)를 통한 의도치 않은 미세 전류에 의해 주발광층(EL)이 발광하는 것이 억제된 유기 발광 표시 장치(1000)가 제공된다.That is, the organic light emitting diode display 1000 in which the main light emitting layer EL is prevented from emitting light due to an unintended fine current through the wiring unit 200 is provided.

이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5.

이하, 제1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제2 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 본 발명의 제1 실시예와 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.Hereinafter, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and the descriptions thereof will be omitted according to the first embodiment. In addition, in the second embodiment of the present invention, for the convenience of description, the same components will be described using the same reference numerals as in the first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 주요 구성 요소를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating main components of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)의 유기 발광층(720)은 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3)에 대응하여 위치하고 있으며, 정공 주입층(HIL), 주발광층(EL), 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2), 제1 보조층(RO), 제2 보조층(GO), 제3 보조층(BO), 전자 수송층(ETL)을 포함한다.As illustrated in FIG. 5, the organic light emitting layer 720 of the organic light emitting diode display 1002 according to the second exemplary embodiment of the present invention includes the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3. ), The hole injection layer (HIL), the main light emitting layer (EL), the second P-type hole transport layer (P-HTL2), the first auxiliary layer (RO), the second auxiliary layer (GO), the third An auxiliary layer (BO) and an electron transport layer (ETL).

제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)은 제2 화소(PA2) 및 제3 화소(PA3)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이로부터 제3 발광층(BE)과 정공 주입층(HIL) 사이까지 연장되어 있다. 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)이 P형 도핑되어 있음으로써, 제1 전극(710)으로부터 정공 주입층(HIL)을 통한 전류가 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)을 통해 제2 발광층(GE) 및 제3 발광층(BE) 각각으로 용이하게 흘러 정공이 원활하게 제2 발광층(GE) 및 제3 발광층(BE) 각각으로 수송된다.The second P-type hole transport layer P-HTL2 may be disposed between the second emission layer GE and the hole injection layer HIL in correspondence with the second pixel PA2 and the third pixel PA3. It extends between the hole injection layers HIL. Since the second P-type hole transport layer (P-HTL2) is doped with P-type, current through the hole injection layer (HIL) from the first electrode 710 is formed through the second P-type hole transport layer (P-HTL2). It easily flows into each of the second light emitting layer GE and the third light emitting layer BE, and holes are smoothly transported to each of the second light emitting layer GE and the third light emitting layer BE.

제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)은 제2 화소(PA2) 및 제3 화소(PA3)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이로부터 제3 발광층(BE)과 정공 주입층(HIL) 사이까지만 연장되어 있으며, 제1 화소(PA1)에는 위치하지 않는다.The second P-type hole transport layer P-HTL2 may be disposed between the second emission layer GE and the hole injection layer HIL in correspondence with the second pixel PA2 and the third pixel PA3. It extends only between the hole injection layers HIL and is not positioned in the first pixel PA1.

이상과 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)는 P형 도핑된 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)이 제2 화소(PA2) 및 제3 화소(PA3)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이로부터 제3 발광층(BE)과 정공 주입층(HIL) 사이까지만 연장되어 있음으로써, 유기 발광 소자(300)를 배선부(200)를 이용해 구동하지 않는 블랙 이미지(black image) 표시 상태일 때, 배선부(200)를 통한 의도치 않은 미세 전류가 제1 전극(710)으로부터 제1 화소(PA1)에 대응하여 위치하는 제1 발광층(RE)으로 흐르지 않고 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)으로 흐르게 되어 제1 발광층(RE)이 미세 전류에 의해 발광되는 것이 억제된다.As described above, in the organic light emitting diode display 1002 according to the second exemplary embodiment, the P-type doped second P-type hole transport layer P-HTL2 includes the second pixel PA2 and the third pixel PA3. In response, the organic light emitting element 300 is connected to the wiring unit 200 by extending only between the second light emitting layer GE and the hole injection layer HIL to between the third light emitting layer BE and the hole injection layer HIL. When the black image is not driven by using a black image, the first light emitting layer in which an unintentional microcurrent through the wiring unit 200 is located in correspondence with the first pixel PA1 from the first electrode 710. It does not flow to (RE), but flows to the second P-type hole transport layer (P-HTL2), so that the light emission of the first light emitting layer (RE) by the fine current is suppressed.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)는 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)으로 미세 전류가 흐르더라도, 제3 발광층(BE)이 제2 발광층(GE) 대비 작은 전기 저항을 가짐으로써, 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)을 통해 미세 전류가 제2 화소(PA2)와 대응하는 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)의 일 부분으로부터 제3 화소(PA3)와 대응하는 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)의 타 부분으로 이동하게 된다. 이로 인해, 미세 전류가 제3 발광층(BE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하는 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)의 타 부분으로 이동함으로써, 제2 화소(PA2)에 대응하는 제2 발광층(GE)이 미세 전류에 의해 발광되는 것이 억제된다.Further, in the organic light emitting diode display 1002 according to the second exemplary embodiment of the present invention, even when a minute current flows through the second P-type hole transport layer P-HTL2, the third emission layer BE is the second emission layer GE. By having a relatively small electrical resistance, a third current from the portion of the second P-type hole transport layer P-HTL2 corresponding to the second pixel PA2 through the second P-type hole transport layer P-HTL2 The other portion of the second P-type hole transport layer P-HTL2 corresponding to the pixel PA3 is moved. As a result, the fine current moves to the other portion of the second P-type hole transport layer P-HTL2 positioned between the third emission layer BE and the hole injection layer HIL, thereby corresponding to the second pixel PA2. The emission of the second light emitting layer GE by the microcurrent is suppressed.

나아가, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)는 미세 전류가 제3 화소(PA3)에 대응하는 제3 발광층(BE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하는 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)의 타 부분으로 이동하더라도, 제3 발광층(BE)이 녹색 인광 물질 대비 발광 효율이 낮은 청색 형광 물질을 포함하기 때문에, 제3 화소(PA3)에 대응하는 제3 발광층(BE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하는 제2 P형 정공 수송층(P-HTL2)의 타 부분으로 이동된 미세 전류에 의해 제3 발광층(BE)이 발광되는 것이 최소화된다.Furthermore, the organic light emitting diode display 1002 according to the second exemplary embodiment of the present invention has a second current in which a minute current is located between the third light emitting layer BE and the hole injection layer HIL corresponding to the third pixel PA3. Even if the third light emitting layer BE includes a blue fluorescent material having a lower luminous efficiency compared to a green phosphor, even when moved to another portion of the P-type hole transport layer P-HTL2, the third pixel corresponding to the third pixel PA3 may be used. The light emission of the third emission layer BE is minimized by the minute current moved to the other portion of the second P-type hole transport layer P-HTL2 positioned between the emission layer BE and the hole injection layer HIL.

즉, 배선부(200)를 통한 의도치 않은 미세 전류에 의해 주발광층(EL)이 발광하는 것이 억제된 유기 발광 표시 장치(1002)가 제공된다.That is, the organic light emitting diode display 1002 in which the main light emitting layer EL is prevented from emitting light due to an unintended fine current through the wiring unit 200 is provided.

이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6.

이하, 제1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제3 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 본 발명의 제1 실시예와 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.Hereinafter, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and the descriptions thereof will be omitted according to the first embodiment. In the third embodiment of the present invention, for the convenience of description, the same components will be described with the same reference numerals as in the first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 주요 구성 요소를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating main components of an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1003)의 유기 발광층(720)은 제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3)에 대응하여 위치하고 있으며, 정공 주입층(HIL), 주발광층(EL), 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3), 제1 보조층(RO), 제2 보조층(GO), 제3 보조층(BO), 전자 수송층(ETL)을 포함한다.As illustrated in FIG. 6, the organic light emitting layer 720 of the organic light emitting diode display 1003 according to the third exemplary embodiment of the present invention may include the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3. ), The hole injection layer (HIL), the main light emitting layer (EL), the third P-type hole transport layer (P-HTL3), the first auxiliary layer (RO), the second auxiliary layer (GO), the third An auxiliary layer (BO) and an electron transport layer (ETL).

제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)은 제2 화소(PA2) 및 제1 화소(PA1)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이로부터 제1 발광층(RE)과 정공 주입층(HIL) 사이까지 연장되어 있다. 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)이 P형 도핑되어 있음으로써, 제1 전극(710)으로부터 정공 주입층(HIL)을 통한 전류가 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)을 통해 제2 발광층(GE) 및 제1 발광층(RE) 각각으로 용이하게 흘러 정공이 원활하게 제2 발광층(GE) 및 제1 발광층(RE) 각각으로 수송된다.The third P-type hole transport layer P-HTL3 may be disposed between the first emission layer RE and the second emission layer GE and the hole injection layer HIL in correspondence with the second pixel PA2 and the first pixel PA1. It extends between the hole injection layers HIL. Since the third P-type hole transport layer P-HTL3 is doped with P-type, current through the hole injection layer HIL from the first electrode 710 is formed through the third P-type hole transport layer P-HTL3. It easily flows into each of the second light emitting layer GE and the first light emitting layer RE, and holes are smoothly transported to each of the second light emitting layer GE and the first light emitting layer RE.

제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)은 제2 화소(PA2) 및 제1 화소(PA1)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이로부터 제1 발광층(RE)과 정공 주입층(HIL) 사이까지만 연장되어 있으며, 제3 화소(PA3)에는 위치하지 않는다.The third P-type hole transport layer P-HTL3 may be disposed between the first emission layer RE and the second emission layer GE and the hole injection layer HIL in correspondence with the second pixel PA2 and the first pixel PA1. It extends only between the hole injection layers HIL and is not positioned in the third pixel PA3.

이상과 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1003)는 P형 도핑된 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)이 제2 화소(PA2) 및 제1 화소(PA1)에 대응하여 제2 발광층(GE)과 정공 주입층(HIL) 사이로부터 제1 발광층(RE)과 정공 주입층(HIL) 사이까지만 연장되어 있음으로써, 유기 발광 소자(300)를 배선부(200)를 이용해 구동하지 않는 블랙 이미지(black image) 표시 상태일 때, 배선부(200)를 통한 의도치 않은 미세 전류가 제1 전극(710)으로부터 제3 화소(PA3)에 대응하여 위치하는 제3 발광층(BE)으로 흐르지 않고 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)으로 흐르게 되어 제3 발광층(BE)이 미세 전류에 의해 발광되는 것이 억제된다.As described above, in the organic light emitting diode display 1003, the P-type doped third P-type hole transport layer P-HTL3 includes the second pixel PA2 and the first pixel PA1. In response, the organic light emitting element 300 is connected to the wiring unit 200 by extending only between the second light emitting layer GE and the hole injection layer HIL and between the first light emitting layer RE and the hole injection layer HIL. The third light emitting layer in which an unintended microcurrent through the wiring unit 200 is positioned from the first electrode 710 to correspond to the third pixel PA3 when the black image is not driven using It does not flow to (BE) but flows to the third P-type hole transport layer (P-HTL3), so that the third light emitting layer (BE) is prevented from being emitted by the fine current.

또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1003)는 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)으로 미세 전류가 흐르더라도, 제1 발광층(RE)이 제2 발광층(GE) 대비 작은 전기 저항을 가짐으로써, 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)을 통해 미세 전류가 제2 화소(PA2)와 대응하는 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)의 일 부분으로부터 제1 화소(PA1)와 대응하는 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)의 타 부분으로 이동하게 된다. 이로 인해, 미세 전류가 제1 발광층(RE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하는 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)의 타 부분으로 이동함으로써, 제2 화소(PA2)에 대응하는 제2 발광층(GE)이 미세 전류에 의해 발광되는 것이 억제된다.Further, in the organic light emitting diode display 1003 according to the third exemplary embodiment of the present invention, even when a minute current flows through the third P-type hole transport layer P-HTL3, the first emission layer RE is the second emission layer GE. By having a relatively small electrical resistance, the first through the third P-type hole transport layer (P-HTL3) from the portion of the third P-type hole transport layer (P-HTL3) that the microcurrent corresponds to the second pixel (PA2) The other portion of the third P-type hole transport layer P-HTL3 corresponding to the pixel PA1 is moved. As a result, the fine current moves to the other portion of the third P-type hole transport layer P-HTL3 positioned between the first emission layer RE and the hole injection layer HIL, thereby corresponding to the second pixel PA2. The emission of the second light emitting layer GE by the microcurrent is suppressed.

나아가, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1003)는 미세 전류가 제1 화소(PA1)에 대응하는 제1 발광층(RE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하는 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)의 타 부분으로 이동하더라도, 제1 발광층(RE)이 녹색 인광 물질 대비 발광 효율이 낮은 적색 형광 물질을 포함하기 때문에, 제1 화소(PA1)에 대응하는 제1 발광층(RE)과 정공 주입층(HIL) 사이에 위치하는 제3 P형 정공 수송층(P-HTL3)의 타 부분으로 이동된 미세 전류에 의해 제1 발광층(RE)이 발광되는 것이 최소화된다.In addition, the organic light emitting diode display 1003 according to the third exemplary embodiment of the present invention has a third current in which a microcurrent is positioned between the first emission layer RE and the hole injection layer HIL corresponding to the first pixel PA1. Even though the first light emitting layer RE includes a red fluorescent material having a lower luminous efficiency compared to a green phosphor, even if it moves to another portion of the P-type hole transport layer P-HTL3, the first pixel corresponding to the first pixel PA1 may be formed. The light emission of the first light emitting layer RE is minimized by the micro current moved to the other portion of the third P-type hole transport layer P-HTL3 positioned between the light emitting layer RE and the hole injection layer HIL.

즉, 배선부(200)를 통한 의도치 않은 미세 전류에 의해 주발광층(EL)이 발광하는 것이 억제된 유기 발광 표시 장치(1003)가 제공된다.That is, the organic light emitting diode display 1003 in which the main light emitting layer EL is prevented from emitting light due to an unintended fine current through the wiring unit 200 is provided.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.Although the present invention has been described through the preferred embodiments as described above, the present invention is not limited thereto and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the claims set out below. Those in the technical field to which they belong will easily understand.

제1 화소(PA1), 제2 화소(PA2), 제3 화소(PA3), 제1 전극(710), 정공 주입층(HIL), 주발광층(EL), P형 정공 수송층(P-HTL1, P-HTL2, P-HTL3), 제2 전극(730)The first pixel PA1, the second pixel PA2, the third pixel PA3, the first electrode 710, the hole injection layer HIL, the main light emitting layer EL, and the P-type hole transport layer P-HTL1, P-HTL2, P-HTL3), second electrode 730

Claims (10)

상호 이웃하는 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 각각에 대응하여 위치하며, 상호 이격된 복수의 제1 전극;
상기 복수의 제1 전극 상에 위치하는 정공 주입층;
상기 제1 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제1 발광층;
상기 제2 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제2 발광층;
상기 제3 화소에 대응하여 상기 정공 주입층 상에 위치하는 제3 발광층;
상기 제1 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하는 제1 보조층;
상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하는 제2 보조층;
상기 제3 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하는 제3 보조층;
상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이에 위치하며, P형 도핑된 P형 정공 수송층; 및
상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 상에 위치하는 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 발광층은 적색의 빛을 발광하고, 상기 제2 발광층은 녹색의 빛을 발광하고, 상기 제3 발광층은 청색의 빛을 발광하는 유기 발광 표시 장치.
An organic light emitting display device including a first pixel, a second pixel, and a third pixel that are adjacent to each other,
A plurality of first electrodes positioned corresponding to each of the first pixel, the second pixel, and the third pixel, and spaced apart from each other;
A hole injection layer on the plurality of first electrodes;
A first light emitting layer on the hole injection layer corresponding to the first pixel;
A second light emitting layer on the hole injection layer corresponding to the second pixel;
A third light emitting layer on the hole injection layer corresponding to the third pixel;
A first auxiliary layer positioned between the first light emitting layer and the hole injection layer;
A second auxiliary layer positioned between the second light emitting layer and the hole injection layer;
A third auxiliary layer positioned between the third light emitting layer and the hole injection layer;
A P-type doped P-type hole transport layer between the second light emitting layer and the hole injection layer; And
A second electrode on the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the third light emitting layer
Including,
The first light emitting layer emits red light, the second light emitting layer emits green light, and the third light emitting layer emits blue light.
제1항에서,
상기 정공 주입층은 상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소에 대응하여 상기 복수의 제1 전극 각각의 상으로 연장된 형태를 가지는 유기 발광 표시 장치.
In claim 1,
The hole injection layer has a form extending to each of the plurality of first electrodes corresponding to the first pixel, the second pixel, and the third pixel.
제2항에서,
상기 제1 발광층은 적색 형광 물질을 포함하며,
상기 제2 발광층은 녹색 인광 물질을 포함하며,
상기 제3 발광층은 청색 형광 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
In claim 2,
The first light emitting layer includes a red fluorescent material,
The second light emitting layer includes a green phosphorescent material,
The third light emitting layer includes a blue fluorescent material.
제3항에서,
상기 제2 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제3 발광층 각각 대비 전기 저항이 큰 유기 발광 표시 장치.
In claim 3,
The second light emitting layer has a higher electrical resistance than each of the first light emitting layer and the third light emitting layer.
제4항에서,
상기 P형 정공 수송층은 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이에만 위치하는 유기 발광 표시 장치.
In claim 4,
The P-type hole transport layer is positioned only between the second light emitting layer and the hole injection layer.
제4항에서,
상기 P형 정공 수송층은 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이로부터 상기 제3 발광층과 상기 정공 주입층 사이까지만 연장된 유기 발광 표시 장치.
In claim 4,
The P-type hole transport layer extends only between the second light emitting layer and the hole injection layer and between the third light emitting layer and the hole injection layer.
제4항에서,
상기 P형 정공 수송층은 상기 제2 발광층과 상기 정공 주입층 사이로부터 상기 제1 발광층과 상기 정공 주입층 사이까지만 연장된 유기 발광 표시 장치.
In claim 4,
The P-type hole transport layer extends only between the second light emitting layer and the hole injection layer and between the first light emitting layer and the hole injection layer.
제1항에서,
상기 정공 주입층은,
상기 제1 전극과 접촉하며 P형 도핑된 P형 정공 주입층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
In claim 1,
The hole injection layer,
And a P-type doped P-hole injection layer in contact with the first electrode.
제1항에서,
상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 전자 수송층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
In claim 1,
And an electron transport layer disposed between the first emission layer, the second emission layer, and the third emission layer and the second electrode.
제1항에서,
상기 제1 보조층은 제1 두께를 가지고,
상기 제2 보조층은 상기 제1 두께 대비 얇은 제2 두께를 가지며,
상기 제3 보조층은 상기 제2 두께 대비 얇은 제3 두께를 가지는 유기 발광 표시 장치.
In claim 1,
The first auxiliary layer has a first thickness,
The second auxiliary layer has a second thickness thinner than the first thickness,
The third auxiliary layer has a third thickness that is thinner than the second thickness.
KR1020190128430A 2019-10-16 2019-10-16 Organic light emitting diode display KR102065108B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190128430A KR102065108B1 (en) 2019-10-16 2019-10-16 Organic light emitting diode display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190128430A KR102065108B1 (en) 2019-10-16 2019-10-16 Organic light emitting diode display

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130026248A Division KR102035251B1 (en) 2013-03-12 2013-03-12 Organic light emitting diode display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190120139A KR20190120139A (en) 2019-10-23
KR102065108B1 true KR102065108B1 (en) 2020-01-13

Family

ID=68460811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190128430A KR102065108B1 (en) 2019-10-16 2019-10-16 Organic light emitting diode display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102065108B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685847B1 (en) 2005-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 Full color organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
KR100787452B1 (en) 2006-07-13 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device
KR100795817B1 (en) * 2007-02-20 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 An organic light emitting device, a method for preparing the same and a method for preparing organic layer

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101084243B1 (en) * 2009-12-14 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display
KR101213498B1 (en) * 2010-10-25 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR101771581B1 (en) * 2011-05-23 2017-08-28 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685847B1 (en) 2005-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 Full color organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
KR100787452B1 (en) 2006-07-13 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device
KR100795817B1 (en) * 2007-02-20 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 An organic light emitting device, a method for preparing the same and a method for preparing organic layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190120139A (en) 2019-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11778869B2 (en) Display unit and electronic apparatus including functional layer with light-emitting layer and hole injection layer
KR102035251B1 (en) Organic light emitting diode display
KR101548304B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
CN109585672B (en) Organic light emitting display device
US8436376B2 (en) Organic light emitting diode display
KR102092924B1 (en) Organic light emitting diode display
US7812527B2 (en) Organic electro-luminescent display device
KR101994816B1 (en) Transparent organic light emitting diodes
JP4507611B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
KR100608403B1 (en) Organic Electro luminescence Device and fabrication method thereof
KR101736929B1 (en) White organic light emitting diode display device
US20160013251A1 (en) El display device
KR100453635B1 (en) an active matrix organic electroluminescence display device
KR20080006304A (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing thereof
KR101084243B1 (en) Organic light emitting diode display
KR20100081772A (en) Organic light emitting diode display
KR20110111746A (en) Organic light emitting diode display
KR20130093187A (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing thereof
KR101182268B1 (en) Organic light emitting device
KR20110023996A (en) Organic light emitting display device
KR20120138306A (en) Organic light emitting diode display
KR102065108B1 (en) Organic light emitting diode display
KR100490536B1 (en) Top emission type organic electro luminescence display device
KR101717075B1 (en) organic electroluminescent display device
KR20100024033A (en) Organic light emitting display and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant