KR20100019253A - 상압 플라즈마 장치 - Google Patents

상압 플라즈마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100019253A
KR20100019253A KR1020080078185A KR20080078185A KR20100019253A KR 20100019253 A KR20100019253 A KR 20100019253A KR 1020080078185 A KR1020080078185 A KR 1020080078185A KR 20080078185 A KR20080078185 A KR 20080078185A KR 20100019253 A KR20100019253 A KR 20100019253A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
plasma
outside
hole
source gas
Prior art date
Application number
KR1020080078185A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100974566B1 (ko
Inventor
최범호
이종호
배정찬
박종운
박용석
박춘성
김우삼
이길식
존 오버젯 로렌스
이병준
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020080078185A priority Critical patent/KR100974566B1/ko
Priority to US12/314,358 priority patent/US8110990B2/en
Publication of KR20100019253A publication Critical patent/KR20100019253A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100974566B1 publication Critical patent/KR100974566B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/32Plasma torches using an arc
    • H05H1/34Details, e.g. electrodes, nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32541Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816Pressure
    • H01J37/32825Working under atmospheric pressure or higher
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2240/00Testing
    • H05H2240/10Testing at atmospheric pressure
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2245/00Applications of plasma devices
    • H05H2245/30Medical applications
    • H05H2245/36Sterilisation of objects, liquids, volumes or surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2245/00Applications of plasma devices
    • H05H2245/40Surface treatments
    • H05H2245/42Coating or etching of large items

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 상압 상태에서 소오스 가스를 플라즈마 상태로 만들고, 이차 가스를 상기 플라즈마가 발생된 영역을 통과시키되, 상기 플라즈마 발생 영역과 격리된 통로로 통과시킴으로써 이차 가스의 분해 능력은 높인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 관한 것이다.
소오스 가스, 이차 가스, 상압 플라즈마

Description

상압 플라즈마 장치{Atmospheric Plasma Apparatus}
본 발명은 상압 플라즈마 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상압 상태에서 소오스 가스를 플라즈마 상태로 변화시키고, 이차 가스가 플라즈마 영역을 통과하도록 하되, 상기 플라즈마 영역과는 격리되어 통과하도록 하는 상압 플라즈마 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마(Plasma)란 제4의 물질상태로 외부에서 가해진 전기장 등에 의해 생성된 이온, 전자, 라디칼(Radicals) 등과 중성입자로 구성되어 거시적으로 전기적 중성을 이루고 있는 물질상태이며, 이러한 플라즈마 내의 이온, 전자, 라디칼 등을 이용하여 재료의 표면 개질, 에칭, 코팅, 살균, 소독, 오존 생성, 염색, 폐수, 수돗물 정화, 공기 정화 및 고 휘도 램프 등의 분야에 널리 쓰이고 있다.
이러한 상기 플라즈마는 발생 압력에 따라 저압(수 mmTorr 내지 수 Torr) 플라즈마와 상압(수 Torr 내지 760 Torr) 플라즈마로 구분할 수 있다.
이중 상기 저압 플라즈마는 플라즈마의 생성이 용이하나 저압의 상태를 유지하기 위한 진공 챔버, 배기 장치 등의 비용이 고가이며, 배치 타입(batch type)의 제품 투입 방식으로 인해 대량 처리에 한계가 있다.
반면에 상기 상압 플라즈마는 대기압 (760 Torr) 상태에서 플라즈마를 생성시키므로 고비용의 진공 시스템이 필요하지 않고, 연속 공정이 가능하여 대량 생산에 많은 이점이 있다.
한편, 상기 상압 플라즈마는 분리된 두 개의 전극에 높은 전압을 인가하고, 두 개의 전극 사이에 소오스 가스(source gas)를 공급하게 되면, 상기 소오스가 이온화되고 분해되어 플라즈마를 형성하게 된다.
그리고, 상기 소오스 가스가 분해되어 플라즈마를 형성하는 영역에 이차 가스(Secondary gas)를 공급하면, 상기 이차 가스는 상기 플라즈마 영역에서 상기 소오스 가스가 분해되어 존재하는 이온, 전자 및 라디칼 등의 입자와 충돌하여 이차 가스의 분자 결합 연결을 끊어 분자들을 이온화시킨다.
따라서, 상기 상압 플라즈마 장치는 상기 이온화된 소오스 가스를 이용하여 표면 개질, 에칭, 증착 및 나노튜브 성장 등 다양한 형태의 처리 공정에 사용될 수 있다.
그러나 종래의 상압 플라즈마 장치는 두 개의 전극 사이에 존재하는 플라즈마 발생 영역에서 상기 소오스 가스가 플라즈마로 변화되고, 상기 이차 가스는 상기 플라즈마 발생 영역에서 이온화된 후, 어느 하나의 전극을 통과하여 외부로 분사됨으로써, 분해된 상기 이차 가스가 상기 어느 하나의 전극을 통과하도록 구비된 통로 등에 부딪치게 되고, 이러한 이유 등으로 인해 상기 분해된 이차 가스의 반응력이 상실이 되는 등의 문제가 발생하였다.
따라서, 종래의 상압 플라즈마 장치는 상기 소오스 가스가 플라즈마로 변화되는 플라즈마 발생 영역에 공급되어 분해된 후, 외부로 분사됨으로서 상기 분해된 이차가스의 분사 과정에서 분해된 이차 가스의 반응력이 상실되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 소오스 가스가 플라즈마 상태로 변화되는 플라즈마 발생 영역을 이차 가스가 격리된 상태로 통과하도록 하여 상기 이차 가스가 분해된 후에 처리 대상물 또는 처리 대상 영역으로 분사될 때 반응력의 손실을 최소화할 수 있도록 하는 상압 플라즈마 장치를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 복 수개의 제1관통홀을 구비하며, 다공성인 제1전극; 상기 제1전극과 일정 간격으로 이격되어 이격 공간을 형성하며, 상기 제1관통홀과 대응되는 제2관통홀 및 상기 이격 공간과 외부를 연결하는 복 수개의 제1연결홀을 구비한 제2전극; 및 상기 제1관통홀 및 제2관통홀을 관통하여 외부로 연결하는 세라믹 노즐;을 포함하며, 상기 다공성인 제1전극을 통해 상기 이격 공간에 소오스 가스를 공급하고, 상기 세라믹 노즐을 통해 상기 이격 공간을 통과하면서 외부로 이차 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 제1전극 및 제2전극에 전원을 인가하면, 상기 이격 공간에서 상기 제1전극을 통해 공급된 상기 소오스 가스가 플라즈마로 상변화된 후 상기 제1연결홀들을 통해 외부로 분사되고, 상기 세라믹 노즐을 통해 상기 플라즈마가 발생된 이격 공간을 통과한 이차 가스가 외부로 분사되면, 상기 플라즈마와 이차 가스는 외부에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 제2전극 상에 구비되되, 적어도 하나의 혼합 홈을 구비하고, 상기 혼합 홈과 외부를 연결하는 제2연결홀을 구비한 커버;를 더 포함하되, 상기 혼합 홈들 각각에는 적어도 하나의 제1연결홀과 적어도 하나의 세라믹 노즐이 연결되어 있어 상기 이차 가스와 플라즈마가 공급되며, 상기 제2연결홀을 통해 플라즈마가 혼합된 이차 가스가 외부로 분사되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 각각의 세라믹 노즐의 끝단부는 상기 각각의 혼합 홈 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 가스 공급부와 기구 안착부를 구비한 내부 공간을 갖고, 상기 가스 공급부의 내부 공간에는 이차 가스 챔버를 구비하고, 상기 가스 공급부의 벽 내부에는 소오스 가스 공급관을 구비한 하우징; 상기 하우징의 기구 안착부에 안착되되, 샬레 형태로 이루고 있어 바닥부와 측벽부에 의해 정의되는 소오스 가스 챔버를 구비하며, 상기 안착부의 내부 직경보다 작은 외부 직경을 가져 상기 소오스 가스 공급관에서 공급되는 소오스 가스가 상기 하우징과의 소오스 가스 가이드 영역에 공급될 수 있도록 하며, 바닥에는 복 수개의 제3관통홀을 구비하고, 측벽에는 상기 소오스 가스 가이드 영역과 소오스 가스 챔버를 연결하는 적어도 하나의 소오스 가스 공급홀을 구비한 노즐 홀더; 상기 노즐 홀더 상에 안착 되되, 상기 노즐 홀더의 외부 직경과 동일한 외부 직경을 가지며 중앙의 일정 영역이 비어있는 디스크 형태의 보조 전극; 상기 보조 전극 상에 안착되되, 상기 노즐 홀더의 제3관통홀들과 대응되는 복 수개의 제1관통홀을 구비하며 다공성 물질로 이루어진 다스크 형태의 제1전극; 내부 직경이 상기 보조 전극과 제1전극의 외부 직경과 동일하거나 큰 샬레 형태로 이루고 있고, 적어도 상기 보조 전극 및 제1전극의 측면을 덮는 형태로 상기 제1전극 상에 안착되되, 바닥부의 중앙의 일정 영역이 비어 있는 전극 절연체; 상기 전극 절연체 상에 안착되되, 상기 전극 절연체의 외부 직경과 동일한 직경을 가지며, 상기 전극 절연체에 의해 상기 제1전극과 일정 간격으로 이격되는 이격 공간을 형성하며, 상기 이격 공간과 외부를 연결하는 제1연결홀 및 상기 제1관통홀과 대응되는 제2관통홀을 구비한 디스크 형태의 제2전극; 상기 노즐 홀더의 제3관통홀, 제1전극의 제1관통홀 및 제2챔버의 제2관통홀을 관통하도록 구비된 세라믹 노즐; 및 상기 제2전극의 중앙 영역은 노출시키고, 상기 제2전극의 가장자리 영역과 상기 하우징의 일정 영역을 동시에 덮어 상기 하우징의 내부 공간을 밀폐시키는 캡;을 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 제1전극 및 제2전극에 전원을 인가하면, 상기 이격 공간에서 상기 제1전극을 통해 공급된 상기 소오스 가스가 플라즈마로 상변화된 후 상기 제1연결홀들을 통해 외부로 분사되고, 상기 세라믹 노즐을 통해 상기 플라즈마가 발생된 이격 공간을 통과한 이차 가스가 외부로 분사되면, 상기 플라즈마와 이차 가스는 외부에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장 치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 제2전극을 관통하는 세라믹 노즐 및 제1연결홀은 하나의 세라믹 노즐을 중심으로 적어도 하나의 제2연결홀이 감싸고 있는 형태인 단위 셀로 상기 제2전극 상에 구비되며, 상기 단위 셀은 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 제2전극과 하우징 사이에 구비되며, 상기 제2전극의 외부 직경과 동일한 외부 직경을 가지며, 적어도 하나의 혼합 홈을 구비하고, 상기 혼합 홈과 외부를 연결하는 제2연결홀을 구비한 커버;를 더 포함하되, 상기 혼합 홈들 각각에는 적어도 하나의 제1연결홀과 적어도 하나의 세라믹 노즐이 연결되어 있어 상기 이차 가스와 플라즈마가 공급되며, 상기 제2연결홀을 통해 플라즈마가 혼합된 이차 가스가 외부로 분사되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 각각의 세라믹 노즐의 끝단부는 상기 각각의 혼합 홈 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 보조 전극의 하부면에는 외부의 전원과 연결하기 위한 전극 연결봉;을 더 구비하며, 상기 전극 연결봉은 상기 노즐 홀더를 관통하여 상기 가스 공급부까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 하우징의 가스 공급부에 대응되는 벽 상 에는 상기 하우징과 이차 가스를 절연시키는 하우징 절연체;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상압 플라즈마 장치는 분해되는 이차 가스의 반응력의 손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 상압 플라즈마 장치는 공간적으로 균일한 플라즈마를 생성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 상압 플라즈마 장치는 플라즈마와 이차 가스를 균일하게 혼합하여 이차 가스의 분해능력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치의 개념을 도시한 개념도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장 치(100)는 크게 제1전극(110), 제2전극(120) 및 세라믹 노즐(130)을 포함하고 있다. 또한, 상기 제2전극(120) 상에 커버(140)를 더 포함할 수 있다.
우선, 상기 제1전극(110)은 복 수개의 제1관통홀(112)을 구비하고 있으며, 수소와 헬륨과 같은 소오스 가스가 쉽게 통과할 수 있는 다공성 물질로 이루어져 있다.
이때, 상기 제1관통홀(112)은 이후 설명될 세라믹 노즐(130)이 관통할 수 있는 크기의 직경으로 이루어져 있고, 규칙적으로 배열되어 있다.
상기 제2전극(120)은 상기 제1전극(110)의 제1관통홀(112)에 대응되는 위치에 복 수개의 제2관통홀(122)을 구비하고 있다. 상기 제1관통홀(112) 및 제2관통홀(122)은 이후 설명될 세라믹 노즐(130)이 관통하게 된다.
이때, 상기 제1전극(110) 및 제2전극(120)은 일정 간격으로 이격되어 있어 이격 공간(150)을 구비하고 있는데, 상기 이격 공간(150)은 상기 제1전극(110) 및 제2전극(120)과 더불어, 도 1에서는 자세히 도시되어 있지 않지만 하우징에 의해 차단된 공간이다. 상기 이격 공간(150)에서 플라즈마가 발생함으로, 상기 이격 공간(150)은 플라즈마 발생 영역이라 할 수 있다.
또한, 상기 제2전극(120)에는 복 수개의 제1연결홀(124)을 구비하고 있다. 상기 제1연결홀(124)은 상기 이격 공간(150)과 외부를 연결하는 통로가 되며, 상기 이격 공간(150)에서 발생된 플라즈마가 외부로 분사되도록 하는 역할을 한다.
상기 세라믹 노즐(130)은 상기 제1전극(110) 및 제2전극(120)을 관통하여 구비된다. 즉, 상기 제1전극(110)에 구비된 제1관통홀(112) 및 제2전극(120)에 구비 된 제2관통홀(122)을 통해 상기 제1전극(110) 및 제2전극(120)을 관통하여 구비되며, 도 1에서 도시하고 있는 바와 같이 일측 끝단은 이차 가스가 상기 세라믹 노즐(130)을 통해 공급될 수 있도록 구비되고, 타측 끝단은 상기 제2전극(120)에서 일정 길이만큼 돌출된 상태로 구비되며 일차 가스를 분사하게 된다.
이때, 상기 세라믹 노즐(130)은 상기 이격 공간(150), 즉, 플라즈마 발생 영역을 가로지르도록 구비되는데, 이는 상기 세라믹 노즐(130)을 통해 이차 가스를 공급하되, 상기 플라즈마 발생 영역에서의 플라즈마와는 격리된 상태로 공급하기 위해서이다.
한편, 상기 커버(140)는 상기 제2전극(120) 상에 구비될 수 있는데, 상기 제1연결홀(124)을 통해 분사되는 플라즈마와 상기 세라믹 노즐(130)을 통해 분사되는 이차 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성한 후 분사하는 역할을 한다.
이때, 상기 커버(140)는 상기 제2전극(120)과 접착하는 면에 적어도 하나 이상의 혼합 홈(142)(도에서는 하나만 있는 것으로 도시)을 구비하게 되는데, 상기 혼합 홈(142)은 상기 제1연결홀(124)에서 분사된 플라즈마와 상기 세라믹 노즐(130)에서 분사된 이차 가스를 균일하게 혼합하도록 한 후 외부로 분사하는 역할을 한다.
한편, 상기 각각의 세라믹 노즐(130)의 끝단부는 상기 각각의 혼합 홈(142) 내에 위치한다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치(100)의 작동을 간략히 소개하면 다음과 같다.
우선, 상기 제1전극(110) 및 제2전극(120)에 연결된 전원(160)에 의해 상기 제1전극(110) 및 제2전극(120)에 전원이 연결된다.
이때, 상기 상압 플라즈마 장치(100)에는 소오스 가스(170)가 공급되는데, 상기 소오스 가스(170)는 다공성 물질로 이루어진 제1전극(110)을 관통하여 상기 제1전극(110)과 제2전극(120) 사이의 이격 공간(150)으로 공급된다.
상기 이격 공간(150)에 공급된 소오스 가스(170)는 상기 이격 공간(150)의 일측 및 타측에 구비된 제1전극(110) 및 제2전극(120)에 인가된 전원에 의해 플라즈마(175)로 상변화하게 된다.
그리고 상기 플라즈마(175)는 상기 제2전극(120)의 제1연결홀(124)을 통해 외부로 분사되게 된다.
한편, 이차 가스(180)는 상기 소오스 가스(170)와 분리된 공간에서 상기 세라믹 노즐(130)을 통해 상기 제1전극(110), 이격 공간(150) 및 제2전극(120)을 관통하여 외부로 분사된다.
한편, 상기 제2전극(120) 상에 상기 커버(140)를 구비하고 있다면, 상기 제1연결홀(124)을 통해 분사된 플라즈마(175)와 상기 세라믹 노즐(130)에서 분사된 이차 가스(180)는 상기 혼합 홈(142)에서 균일하게 혼합된 후, 균일하게 배치된 상기 제2연결홀(144)을 통해 외부로 혼합 가스(190)로 분사된다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치(100)는 상기 소오스 가스(170)의 경우에는 상기 다공성 물질로 이루어진 제1전극(110)을 통과하여 상기 플라즈마 발생 영역인 이격 공간(150)에 공급되고, 상기 이격 공간(150)에 공급된 소오스 가스(170)는 플라즈마로 상변화된 후, 상기 제2전극(120)에 구비된 제1연결홀(124)을 통해 외부로 분사되되 균일하게 분사되고, 상기 이차 가스(180)의 경우에는 상기 세라믹 노즐(130)을 통해 상기 플라즈마 발생 영역인 이격 공간(150)을 통과하되, 상기 플라즈마 발생 영역과는 격리되어 통과한 후, 상기 제2전극(120)에서 일정 길이로 돌출된 세라믹 노즐(130)을 통해 분사되고, 상기 제1연결홀(124)을 통해 분사된 플라즈마와 혼합됨으로써 균일하게 분해되어 이차 가스의 반응력이 향상된다.
이때, 상기 플라즈마 발생 영역에서 이차 가스가 분해되어 외부로 분사되는 것이 아니라 외부에서 플라즈마와 반응하여 분해됨으로써 분해된 이차 가스의 이동 경로가 단축되어 이차 가스의 반응력의 손실이 최소화되는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치(100)는 상기 제1연결홀(124) 및 세라믹 노즐(130)이 상기 제2전극(120)에 균일하게 배치되어 있음으로써 공간적으로 균일한 플라즈마를 생성할 수 있을 뿐만 아니라 상기 플라즈마에 의해 분해되는 이차 가스 역시 균일하게 생성할 수 있어, 상기 이차 가스의 분해능력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치(100)는 상기에서 상술한 바와 같은 구조 및 효과를 이용하여 표면 개질, 에칭, 코팅, 살균, 소독, 오존 생성, 염색, 폐수, 수돗물 정화, 공기 정화, 고 휘도 램프 및 나노 튜브 성장 등에 사용될 수 있다.
<실시 예 1>
도 2 및 도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치의 부분 단면 사시도이다. 이때 상기 도 3a 내지 도 3h는 상기 도 2의 각 부분을 도시한 도이다.
도 2 및 도 3a 내지 도 3h를 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치(200)는 크게 하우징(210), 노즐 홀더(220), 보조 전극(230), 제1전극(240), 전극 절연체(250), 제2전극(260) 및 캡(280)을 포함하고 있다. 또한, 상기 상압 플라즈마 장치(200)는 상기 제2전극(260)과 캡(180) 사이에 커버(270)를 더 포함할 수도 있다.
우선, 도 2 및 도 3a을 참조하여 상기 하우징(210)에 대하여 설명하면, 상기 하우징(210)은 이후 설명될 캡(280)과 더불어 상압 플라즈마 장치(200)의 본체를 형성하며, 내부를 보호하는 역할을 한다.
상기 하우징(210)은 크게 가스 공급부(210a) 및 기구 안착부(210b)로 나눌 수 있다.
이때, 상기 하우징(210) 내부 중 상기 가스 공급부(210a)에 해당하는 내부 공간은 이차 가스(201)를 이후 설명될 세라믹 노즐에 공급하기 위한 이차 가스 챔버(211)를 구비하고 있다. 또한 상기 이차 가스 챔버(211)의 내부 벽에는 상기 이차 가스 챔버(211)에 채워지는 이차 가스(201)와 하우징(210)을 절연시키는 하우징 절연체(212)를 포함하고 있다.
또한, 상기 하우징(210) 중 상기 가스 공급부(210a)의 벽 내부에는 소오스 가스(202)를 공급하기 위한 소오스 가스 공급관(213)을 구비하고 있다.
이때, 상기 하우징(210)을 이루는 벽은 상기 가스 공급부(210a) 및 기구 압착부(210b)에서의 벽의 두께가 서로 다르게 형성되어 있다. 즉, 상기 가스 공급부(210a)에 해당하는 벽의 두께가 상기 기구 압착부(210b)에 해당하는 벽의 두께가 더 두껍게 형성되어 있어 이후 설명될 노즐 홀더(220) 등과 같은 기구가 상기 기구 안착부(210b)에 안착될 수 있다.
또한 상기 하우징(210)에는 오링을 삽입할 수 있는 적어도 둘 이상의 오링 홈들이 구비될 수 있는데, 본 실시 예에서는 제1오링 홈(214), 제2오링 홈(215) 및 제3오링 홈(216)을 구비하고 있는 것을 보여주고 있다.
상기 제1오링 홈(214)은 노즐 홀더(220)와 하우징(210) 사이를 밀폐하기 위한 오링이 삽입되기 위한 홈으로 상기 이차 가스 챔버(211) 내에 채워지는 이차 가스(201)가 외부로 유출되지 않도록 하기 위함이다.
상기 제2오링 홈(215) 및 제3오링홈(216)은 상기 하우징(210)과 이후 설명될 캡(280) 사이를 밀폐하기 위한 오링들이 삽입되기 위한 홈으로 내부의 가스들이 외부로 세거나 외부의 가스가 하우징(210) 내부로 유입되는 것을 방지하기 위함이다.
도 2 및 도 3b를 참조하여 상기 노즐 홀더(220)를 설명하면, 상기 노즐 홀더(220)는 상기 하우징(210)의 기구 안착부(210b)에 안착되어 있다.
또한 상기 노즐 홀더(220)는 바닥부(221)와 측벽부(222)를 구비한 샬레 형태를 이루고 있으며, 외부 직경이 상기 하우징(210)의 기구 안착부(210b)의 내부 직 경보다 작아 상기 노즐 홀더(220)의 측벽부(222)와 상기 하우징(210) 사이에는 소오스 가스 가이드 영역(223)이 정의되도록 한다.
이때, 상기 노즐 홀더(220)의 안착으로 인해 상기 하우징(210)의 가스 공급부(210a)와 상기 노즐 홀더(220)의 바닥부(221)에 의해 이차 가스 챔버(211)가 정의된다.
한편, 상기 노즐 홀더(220)의 바닥부(221)에는 복 수개의 제3관통홀(224)을 구비하고 있다. 또한, 상기 바닥부(221)에는 이후 설명될 보조 전극(230)에서 연장된 전극봉(231)을 위한 전극봉 관통홀(225)을 구비하고 있다. 도 3b에서는 하나의 전극봉 관통홀(225)을 구비하고 있는 것으로 도시하고 있으나 다수 개를 구비할 수 있다.
한편, 상기 노즐 홀더(220)의 측면부(222)에는 적어도 하나 이상의 소오스 가스 공급홀(226)를 구비하며, 상기 소오스 가스 공급홀(226)은 상기 소오스 가스 가이드 영역(223)과 이후 설명될 소오스 가스 챔버(225)를 연결하는 역할을 하여 상기 소오스 가스 공급관(213)을 통해 공급된 소오스 가스(202)가 상기 소오스 가스 가이드 영역(223)을 통해 상기 소오스 가스 챔버(225)로 균일하게 공급되도록 한다.
상기 소오스 가스 챔버(225)는 이후 설명될 보조 전극(230) 및 제1전극(240)과 노즐 홀더(220)에 의해 정의된다.
이때, 상기 노즐 홀더(220)는 테프론과 같은 절연물질로 이루어지는 것이 바람직한데, 이는 상기 노즐 홀더(220) 상에 안착되는 보조 전극(230) 및 제1전 극(240)과의 절연을 위해서이다.
도 2 및 도 3c를 참조하여 상기 보조 전극(230)을 설명하면, 상기 보조 전극(230)은 상기 노즐 홀더(220) 상에 안착되며, 상기 노즐 홀더(220)의 외부 직경과 동일한 외부 직경을 가지고 있다.
또한, 상기 보조 전극(230)은 중앙의 일정 영역(적어도 상기 노즐 홀더(220)의 바닥부(221)에 구비된 제3관통홀(224)들과 대응되는 영역)이 비어 있는 디스크 형태인 것이 바람직하다.
상기 보조 전극(230)은 하부면에 적어도 하나 이상의 전극봉(231)을 구비하고 있는데, 상기 전극봉(231)은 상기 노즐 홀더(220)의 바닥부(221)에 구비된 전극봉 관통홀(225)을 관통하여 연장되어 있다.
상기 보조 전극(230)은 이후 설명될 제1전극(240)에 전체적으로 균일하게 전원을 공급하는 역할을 한다.
도 2 및 도 3d를 참조하여 상기 제1전극(240)을 설명하면, 상기 제1전극(240)은 상기 보조 전극(230) 상에 안착되며, 상기 제1전극(240) 및 노즐 홀더(220)에 의해 소오스 가스 챔버(242)가 정의되며, 상기 소오스 가스 챔버(242)에는 상기 소오스 가스 공급관(213), 소오스 가스 가이드 영역(223) 및 소오스 가스 공급홀(226)을 통해 공급된 소오스 가스(202)가 채워지는 영역이다.
이때, 상기 제1전극(240)의 외부 직경은 상기 보조 전극(230)의 외부 직경과 동일하며, 디스크 형태를 띠고 있다.
또한, 상기 제1전극(240)은 상기 노즐 홀더(220)의 제3관통홀(224)들과 대응 되는 위치에 복 수개의 제1관통홀(241)을 구비한다.
또한, 상기 제1전극(240)은 다공성으로 이루어진 물질을 사용함으로써 상기 소오스 가스 챔버(242)에 채워진 소오스 가스(202)가 쉽게 통과할 수 있도록 한다.
이때, 상기 제1전극(240)을 통과한 소오스 가스(202)는 상기 제1전극(240)과 이후 설명될 전극 절연체(250) 및 제2전극(260)에 의해 정의되는 이격 공간(251)으로 공급된다. 상기 이격 공간(251)에서는 상기 소오스 가스(202)가 플라즈마 상태로 상변화되는 영역임으로 플라즈마 발생 영역이라 할 수 있다.
따라서, 상기 제1전극(240)은 다공성 물질로 이루어져 있어 플라즈마 발생 영역인 이격 공간(251)에 소오스 가스(202)를 균일하게 공급하고, 이로 인해 균일한 플라즈마가 발생할 수 있도록 하는 역할을 한다.
도 2 및 도 3e를 참조하여 상기 전극 절연체(250)를 설명하면, 상기 전극 절연체(250)는 내부 직경이 상기 보조 전극(230) 및 제1전극(240)의 외부 직경과 동일하거나 큰 샬레 형태로 이루어져 있다.
그러나 상기 노즐 홀더(220)와는 다르게 뒤집어진 형태로 상기 보조 전극(230) 및 제1전극(240)의 측면을 덮는 상태로 상기 제1전극(240) 상에 안착된다.
또한, 상기 전극 절연체(250)는 상기 보조 전극(230)과 유사하게 중앙의 일정 영역(적어도 상기 노즐 홀더(220)의 바닥부(221)에 구비된 제3관통홀(224)들 및 제1전극(240)의 제1관통홀(241)들과 대응되는 영역)이 비어 있다.
또한, 상기 전극 절연체(250)는 상기 제1전극(240)과 이후 설명될 제2전극(250)을 절연하는 역할을 함으로 테프론과 같은 절연 물질로 이루어진 것이 바람 직하다.
또한, 상기 전극 절연체(250)의 바닥부에 해당하는 영역의 두께(252)는 이후 설명될 이격 공간(251)의 이격 거리(즉, 상기 제1전극(240)과 제2전극(250)의 간격)를 정의한다.
도 2 및 도 3f를 참조하여 상기 제2전극(260)을 설명하면, 상기 제2전극(260)은 상기 전극 절연체(250) 상에 안착된다.
또한, 상기 제2전극(260)의 외부 직경은 상기 전극 절연체(250)의 외부 직경과 동일한 직경을 가지며, 디스크 형태인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2전극(260)은 상기 제1전극(250)과 일정 간격으로 이격된 이격 공간(251)을 구비하게 된다. 상기 이격 공간(251)은 상기 전극 절연체(250)에 의해 이격되는데, 상기에서도 상술한 바와 같이 상기 전극 절연체(250)의 바닥부에 해당하는 영역의 두께(252)에 대응하여 이격된다.
이때, 상기 이격 공간(251)에서는 상기 제1전극(240)을 통과하여 공급되는 소오스 가스(202)가 플라즈마 상태로 상변화되는 영역임으로 플라즈마 발생 영역이라 할 수 있다.
한편, 상기 제2전극(260)은 상기 제3관통홀(224) 및 제1관통홀(241)과 대응하는 위치에 복수 개의 제2관통홀(261)을 구비하고, 상기 이격 공간(251)과 외부를 연결하는 제1연결홀(262)을 구비하고 있다.
상기 제1연결홀(262)은 상기 이격 공간(251)에서 발생된 플라즈마를 외부로 분사되는 통로로써의 역할을 한다.
한편, 상기 제2전극(260)에는 복 수개의 제2관통홀(261)과 제1연결홀(262)을 구비하고 있는데, 상기 제2관통홀(261)을 중심으로 상기 제1연결홀(262)이 감싸는 형태로 배치되는 것이 바람하며, 도 3f에서는 하나의 제2관통홀(261)을 중심으로 네 개의 제1연결홀(262)이 규칙적으로 배치되어 있다.
이때, 본 발명의 상압 플라즈마 장치(200)는 도 2의 A 영역을 확대한 확대도인 도 4에서 도시하고 있는 바와 같이 일측 끝단은 상기 이차 가스 챔버(211)에 위치하고, 타측 끝단은 상기 제2전극(260)에서 외부 방향으로 일정 길이만큼 돌출된 상태로 구비되어 있어, 상기 이차 가스 챔버(211)로부터 공급된 이차 가스(201)를 외부로 연결하는 역할을 한다. 이때, 상기 세라믹 노즐(290)은 상기 제3관통홀(224), 제1관통홀(241) 및 제2관통홀(261)을 순차적으로 관통하여 구비되어 있다.
따라서 상기 제2전극(260) 상에는 상기 세라믹 노즐(290)을 중심으로 적어도 네 개의 제1연결홀(262)이 감싸고 있는 형태로 단위 셀을 이루고 상기 단위 셀들이 상기 제2전극(260) 상에 규칙적으로 배열되어 있다. 이러한 단위 셀들의 배열로 인해 상기 세라믹 노즐(290)에서 분사되는 이차 가스(201)는 상기 제1연결홀(262)에서 분사되는 플라즈마와 균일하게 섞이게 된다.
도 2 및 도 3g을 참조하여 상기 커버(270)를 설명하면, 상기 커버(270)는 상기 제2전극(260) 상에 안착될 수 있다.
이때, 상기 커버(270)는 생략될 수 있으며, 필요에 따라 구비될 수도 있다.
상기 커버(270)는 상기 제2전극(260)의 외부 직경과 동일한 외부 직경을 가 지며 디스크 형태를 이루고 있다.
또한, 상기 커버(270)는 상기 제2전극(260)과 접촉하는 표면에 적어도 하나 이상의 혼합 홈(271)(도 4 참조)을 구비하고 있으며, 상기 혼합 홈(271)에는 상기 혼합 홈(271)과 외부를 연결하는 제2연결홀(272)을 적어도 하나 이상 구비하고 있다. 한편, 상기 각각의 세라믹 노즐(290)의 끝단부는 상기 각각의 혼합 홈(271) 내에 위치한다.
상기 혼합 홈(271)은 상기 제2전극(260) 상에서 상기 세라믹 노즐(290)에서 분사되는 이차 가스와 상기 제1연결홀(262)에서 분사되는 플라즈마가 혼합되어 혼합 가스가 형성되는 영역이다. 따라서, 상기 혼합 가스(즉, 상기 플라즈마와 혼합된 이차 가스(201)는 상기 제2연결홀(272)을 통해 외부로 분사된다.
도 2 및 도 3h를 참조하여 상기 캡(280)을 설명하면, 상기 캡(280)은 상기 하우징(210)의 기구 안착부(210b)에 안착된 여러 기구들을 고정하는 동시에 밀폐하는 역할을 한다.
이때, 상기 캡(280)은 바닥부(281) 및 측면부(282)로 구분될 수 있는데, 상기 바닥부(281) 중 상기 제2전극(260) 또는 커버(270)의 제2관통홀(261), 제1연결홀(262) 및 제2연결홀(272)에 대응되는 영역을 비어 있고, 상기 측면부(282)는 상기 하우징(210) 측면의 일정 영역을 동시에 덮게 된다.
이때, 상기 캡(280)과 하우징(210) 사이에는 상기 제2오링 홈(215) 및 제3오링 홈(216)을 구비하고 있어, 상기 캡(280)과 하우징(210) 사이의 밀폐를 돕는다.
따라서 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치(200)는 상기 제1전극(240) 및 제2전극(260) 사이에 전원을 인가하면, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제1전극(240)과 제2전극(260)의 이격 공간(251)에서 소오스 가스(202)가 상변화되어 플라즈마 상태로 변화된다.
이때, 상기 소오스 가스(202)는 상기에서 상술한 바와 같이 외부에서 상기 소오스 가스 공급관(213) 및 소오스 가스 가이드 영역(223)을 통해 상기 소오스 가스 챔버(242)로 공급되고, 상기 소오스 가스 챔버(242)로부터 상기 제1전극(240)을 통해 이격 공간(251)으로 공급된다.
그리고 상기 플라즈마는 상기에서 상술한 바와 같이 상기 제2전극(260)에 구비된 제1연결홀(262)을 통해 상기 이격 공간(251)으로부터 외부로 분사되는데, 도 1 및 도 4에서는 커버(270)를 구비하고 있음으로 상기 커버(270)에 구비된 혼합 홈(271)으로 분사된다.
한편, 상기 이차 가스(201)는 외부로부터 공급되어 상기 이차 가스 챔버(211)를 채우고, 상기 이차 가스 챔버(211)에서 상기 세라믹 노즐(290)을 통해 상기 제2전극(260) 상에서 외부 또는 상기 혼합 홈(271)으로 분사된다.
따라서, 상기 외부 또는 혼합 홈(271)으로 분사된 이차 가스(201) 및 플라즈마로 변화된 소오스 가스(202)는 균일하게 혼합된 혼합 가스(203)로 변화되어 처리 대상물 또는 처리 대상 영역으로 분사된다.
이때, 상기 이차 가스(201)는 상기 플라즈마에 의해 분해되어 반응력이 높아지게 된다.
따라서, 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치(200)는 상기 소오스 가스(202)의 경우에는 상기 다공성 물질로 이루어진 제1전극(240)을 통과하여 상기 플라즈마 발생 영역인 이격 공간(251)에서 플라즈마로 상변화된 후 상기 제2전극(260)에 구비된 제1연결홀(262)을 통해 외부로 분사되되 균일하게 분사되고, 상기 이차 가스(201)의 경우에는 상기 세라믹 노즐(290)을 통해 상기 플라즈마 발생 영역인 이격 공간(251)을 통과하되, 상기 플라즈마 발생 영역과는 격리되어 통과한 후, 상기 제2전극(260)에서 일정 길이로 돌출된 세라믹 노즐(290)을 통해 분사되고, 상기 제1연결홀(262)을 통해 분사된 플라즈마와 혼합됨으로써 균일하게 분해되어 이차 가스의 반응력이 향상된다.
이때, 상기 플라즈마 발생 영역에서 이차 가스가 분해되어 외부로 분사되는 것이 아니라 외부에서 플라즈마와 반응하여 분해됨으로써 분해된 이차 가스의 이동 경로가 단축되어 이차 가스의 반응력의 손실이 최소화되는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치(200)는 상기 제1연결홀(262) 및 세라믹 노즐(290)이 상기 제2전극(260)에 균일하게 배치되어 있음으로써 공간적으로 균일한 플라즈마를 생성할 수 있을 뿐만 아니라 상기 플라즈마에 의해 분해되는 이차 가스 역시 균일하게 생성할 수 있어, 상기 이차 가스의 분해능력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치(200)는 상기에서 상술한 바와 같은 구조 및 효과를 이용하여 표면 개질, 에칭, 코팅, 살균, 소독, 오 존 생성, 염색, 폐수, 수돗물 정화, 공기 정화, 고 휘도 램프 및 나노 튜브 성장 등에 사용될 수 있다.
<실시 예 2>
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예 2에 따른 상압 플라즈마 장치의 부분 단면 사시도이다. 이때 상기 도 5b는 도 5a의 영역 B를 확대한 확대도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하여 본 발명의 실시 예 2에 따른 상압 플라즈마 장치(300)를 설명하면, 본 발명의 실시 예 2에 따른 상압 플라즈마 장치(300)는 상기 실시 예 1의 노즐 홀더(220), 제1전극(240) 및 세라믹 노즐(290)에 대응되는 부분만 상이하고, 다른 부분은 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치(200)와 유사하다.
따라서 실시 예 1과 실시 예 2에서 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.
상기 하우징(210)의 기구 안착부(210b)에 노즐 절연체(320a)가 안착된다. 이때, 상기 노즐 절연체(320a)는 상기 실시 예 1의 노즐 홀더(220)의 유사하게 샬레 형태로 이루어져 있으나, 바닥부(221)의 중앙이 비어 있는 형태로 구비된다.
그리고, 상기 노즐 홀더(220) 상에 디스크 형태의 노즐 홀더(320b)가 안착되는데 본 실시 예의 노즐 홀더(320b)는 상기 실시 예 1의 노즐 홀더(220)의 제3관통홀(224)을 구비된 바닥부(221)의 중앙 영역만 분리한 형태를 이루고 있다.
또한, 본 실시 예에서의 제3관통홀(324)에는 도 5a 및 도 5b에 도시하고 있는 바와 같이 베이스 튜브(391)의 일측 끝단이 장착되어 있고, 상기 실시 예 1의 제1전극(240)과 대응되는 제1전극(340)에 상기 베이스 튜브(391)의 타측 끝단이 장 착되어, 상기 노즐 홀더(320b)로부터 상기 제1전극(340)까지 연결되어 있다.
이때, 상기 베이스 튜브(391)는 상기 노즐 홀더(320b) 및 제1전극(340)을 관통하여 장착되는 것이 아니라 일정 깊이까지만 장착되어 있다.
그리고, 상기 베이스 튜브(391)의 타측 끝단에는 상기 베이스 튜브(391)의 내부로 상기 세라믹 노즐(390)이 일정 깊이로 삽입되어 체결되면서 실시 예 1에 도시된 바와 같이 상기 제2전극(260)에서 일정 길이로 돌출되도록 구비된다.
따라서, 본 실시 예는 상기에서 상술한 노즐 절연체(320a), 노즐 홀더(320b), 베이스 튜브(391) 세라믹 노즐(390) 및 제2전극(360) 만이 상기에서 상술한 실시 예 1과 상이하고 다른 부분은 동일하다.
즉, 실시 예 1에서는 상기 노즐 홀더(220)이 일체형으로 이루어져 있으나, 실시 예 2에서는 노즐 절연체(320a) 및 노즐 홀더(320b)로 분리되어 있고, 실시 예 1에서는 상기 세라믹 노즐(290)이 상기 노즐 홀더(220)로부터 제2전극(260)까지 일체형으로 구비되어 있으나, 실시 예 2에서는 상기 노즐 홀더(320b)로부터 제1전극(340)의 중간까지는 베이스 튜브(391)로 이루어져 있고, 상기 베이스 튜브(391)로부터 상기 제2전극(360)까지 세라믹 노즐(390)로 이루어져 있어 이러한 점에서 상기 실시 예 1 및 실시 예2가 서로 차이가 있을 뿐이고 다른 부분은 동일하고 그 효과 또한 유사하다.
도 6은 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치의 소오스 가스의 흐름을 보여주는 도이다.
도 6을 참조하여 설명하면, 도 6은 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치(200)의 소오스 가스 챔버(225) 내에서의 소오스 가스(202)의 유속을 측정하여 보여주는 도로, 도 6에서 보는 바와 같이 소오스 가스 가이드 영역(223)에서 소오스 가스 공급관(213)을 통해 공급되는 소오스 가스(202)의 흐름이 전체적으로 균일하다는 것을 알 수 있다.
이는 상기 소오스 가스 챔버(225) 내에서 상기 소오스 가스(202)가 균일하게 분포되는 것을 의미하며, 이러한 균일한 분포는 상기 제1전극(240)에 접촉하는 소오스 가스(202)가 균일하며, 상기 제1전극(240)을 통과하는 소오스 가스(202)가 균일하다는 것을 의미한다.
따라서, 상기 제1전극(240)을 통과하는 소오스 가스(202)가 균일하고 이로 인해 플라즈마 발생 영역인 이격 공간(251)에 공급되는 소오스 가스(202) 또한 균일하게 공급되는 것을 의미함으로 플라즈마 역시 균일하게 발생됨을 알 수 있다.
따라서 도 6에서 보여주는 소오스 가스 챔버(225) 내에서의 소오스 가스(202)의 균일한 유속은 본 발명의 상압 플라즈마 장치(200)에서 발생되는 플라즈마가 균일하게 발생된다는 것을 보여주고 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 상압 플라즈마 장치의 개념을 도시한 개념도이다.
도 2 및 도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치의 부분 단면 사시도이다.
도 4는 도 1의 A 영역을 확대한 확대도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예 2에 따른 상압 플라즈마 장치의 부분 단면 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예 1에 따른 상압 플라즈마 장치의 소오스 가스의 흐름을 보여주는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 상압 플라즈마 장치 110 : 제1전극
120 : 제2전극 130 : 세라믹 노즐
140 : 커버 150 : 이격 공간
160 : 전원 170 : 소오스 가스
180 : 이차 가스 190 : 혼합 가스

Claims (11)

  1. 복 수개의 제1관통홀을 구비하며, 다공성인 제1전극;
    상기 제1전극과 일정 간격으로 이격되어 이격 공간을 형성하며, 상기 제1관통홀과 대응되는 제2관통홀 및 상기 이격 공간과 외부를 연결하는 복 수개의 제1연결홀을 구비한 제2전극; 및
    상기 제1관통홀 및 제2관통홀을 관통하여 외부로 연결하는 세라믹 노즐;을 포함하며,
    상기 다공성인 제1전극을 통해 상기 이격 공간에 소오스 가스를 공급하고, 상기 세라믹 노즐을 통해 상기 이격 공간을 통과하면서 외부로 이차 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극 및 제2전극에 전원을 인가하면, 상기 이격 공간에서 상기 제1전극을 통해 공급된 상기 소오스 가스가 플라즈마로 상변화된 후 상기 제1연결홀들을 통해 외부로 분사되고, 상기 세라믹 노즐을 통해 상기 플라즈마가 발생된 이격 공간을 통과한 이차 가스가 외부로 분사되면, 상기 플라즈마와 이차 가스는 외부에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2전극 상에 구비되되, 적어도 하나의 혼합 홈을 구비하고, 상기 혼합 홈과 외부를 연결하는 제2연결홀을 구비한 커버;를 더 포함하되,
    상기 혼합 홈들 각각에는 적어도 하나의 제1연결홀과 적어도 하나의 세라믹 노즐이 연결되어 있어 상기 이차 가스와 플라즈마가 공급되며, 상기 제2연결홀을 통해 플라즈마가 혼합된 이차 가스가 외부로 분사되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 각각의 세라믹 노즐의 끝단부는 상기 각각의 혼합 홈 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  5. 가스 공급부와 기구 안착부를 구비한 내부 공간을 갖고, 상기 가스 공급부의 내부 공간에는 이차 가스 챔버를 구비하고, 상기 가스 공급부의 벽 내부에는 소오스 가스 공급관을 구비한 하우징;
    상기 하우징의 기구 안착부에 안착되되, 샬레 형태로 이루고 있어 바닥부와 측벽부에 의해 정의되는 소오스 가스 챔버를 구비하며, 상기 안착부의 내부 직경보 다 작은 외부 직경을 가져 상기 소오스 가스 공급관에서 공급되는 소오스 가스가 상기 하우징과의 소오스 가스 가이드 영역에 공급될 수 있도록 하며, 바닥에는 복 수개의 제3관통홀을 구비하고, 측벽에는 상기 소오스 가스 가이드 영역과 소오스 가스 챔버를 연결하는 적어도 하나의 소오스 가스 공급홀을 구비한 노즐 홀더;
    상기 노즐 홀더 상에 안착되되, 상기 노즐 홀더의 외부 직경과 동일한 외부 직경을 가지며 중앙의 일정 영역이 비어있는 디스크 형태의 보조 전극;
    상기 보조 전극 상에 안착되되, 상기 노즐 홀더의 제3관통홀들과 대응되는 복 수개의 제1관통홀을 구비하며 다공성 물질로 이루어진 다스크 형태의 제1전극;
    내부 직경이 상기 보조 전극과 제1전극의 외부 직경과 동일하거나 큰 샬레 형태로 이루고 있고, 적어도 상기 보조 전극 및 제1전극의 측면을 덮는 형태로 상기 제1전극 상에 안착되되, 바닥부의 중앙의 일정 영역이 비어 있는 전극 절연체;
    상기 전극 절연체 상에 안착되되, 상기 전극 절연체의 외부 직경과 동일한 직경을 가지며, 상기 전극 절연체에 의해 상기 제1전극과 일정 간격으로 이격되는 이격 공간을 형성하며, 상기 이격 공간과 외부를 연결하는 제1연결홀 및 상기 제1관통홀과 대응되는 제2관통홀을 구비한 디스크 형태의 제2전극;
    상기 노즐 홀더의 제3관통홀, 제1전극의 제1관통홀 및 제2챔버의 제2관통홀을 관통하도록 구비된 세라믹 노즐; 및
    상기 제2전극의 중앙 영역은 노출시키고, 상기 제2전극의 가장자리 영역과 상기 하우징의 일정 영역을 동시에 덮어 상기 하우징의 내부 공간을 밀폐시키는 캡;을 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1전극 및 제2전극에 전원을 인가하면, 상기 이격 공간에서 상기 제1전극을 통해 공급된 상기 소오스 가스가 플라즈마로 상변화된 후 상기 제1연결홀들을 통해 외부로 분사되고, 상기 세라믹 노즐을 통해 상기 플라즈마가 발생된 이격 공간을 통과한 이차 가스가 외부로 분사되면, 상기 플라즈마와 이차 가스는 외부에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제2전극을 관통하는 세라믹 노즐 및 제1연결홀은 하나의 세라믹 노즐을 중심으로 적어도 하나의 제2연결홀이 감싸고 있는 형태인 단위 셀로 상기 제2전극 상에 구비되며, 상기 단위 셀은 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2전극과 하우징 사이에 구비되며, 상기 제2전극의 외부 직경과 동일한 외부 직경을 가지며, 적어도 하나의 혼합 홈을 구비하고, 상기 혼합 홈과 외부 를 연결하는 제2연결홀을 구비한 커버;를 더 포함하되,
    상기 혼합 홈들 각각에는 적어도 하나의 제1연결홀과 적어도 하나의 세라믹 노즐이 연결되어 있어 상기 이차 가스와 플라즈마가 공급되며, 상기 제2연결홀을 통해 플라즈마가 혼합된 이차 가스가 외부로 분사되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 각각의 세라믹 노즐의 끝단부는 상기 각각의 혼합 홈에 위치하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조 전극의 하부면에는 외부의 전원과 연결하기 위한 전극 연결봉;을 더 구비하며, 상기 전극 연결봉은 상기 노즐 홀더를 관통하여 상기 가스 공급부까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 하우징의 가스 공급부에 대응되는 벽 상에는 상기 하우징과 이차 가스 를 절연시키는 하우징 절연체;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 장치.
KR1020080078185A 2008-08-08 2008-08-08 상압 플라즈마 장치 KR100974566B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080078185A KR100974566B1 (ko) 2008-08-08 2008-08-08 상압 플라즈마 장치
US12/314,358 US8110990B2 (en) 2008-08-08 2008-12-09 Atmospheric pressure plasma apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080078185A KR100974566B1 (ko) 2008-08-08 2008-08-08 상압 플라즈마 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100019253A true KR20100019253A (ko) 2010-02-18
KR100974566B1 KR100974566B1 (ko) 2010-08-06

Family

ID=41652269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080078185A KR100974566B1 (ko) 2008-08-08 2008-08-08 상압 플라즈마 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8110990B2 (ko)
KR (1) KR100974566B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015050376A1 (ko) * 2013-10-02 2015-04-09 아주대학교산학협력단 마이크로 플라즈마 분사 소자, 적층형 마이크로 플라즈마 분사 모듈 및 마이크로 플라즈마 분사 소자의 제작 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102802336A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 株式会社Biemt 工程气体分离供给型大气压等离子装置及其使用方法
CN102811545A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 株式会社Biemt 大气压等离子发生装置
MX2015003569A (es) * 2012-09-19 2016-06-21 Apjet Inc Aparato y metodo para procesar plasma bajo presion atmosferica.
US10440531B2 (en) * 2014-12-23 2019-10-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Service delivery in a communication network
JP6605598B2 (ja) 2015-06-02 2019-11-13 株式会社Fuji プラズマ発生装置
JP6542053B2 (ja) * 2015-07-15 2019-07-10 株式会社東芝 プラズマ電極構造、およびプラズマ誘起流発生装置
KR101830187B1 (ko) * 2016-09-05 2018-02-21 아주대학교 산학협력단 저온 대기압 플라즈마 분사 장치
US11201035B2 (en) * 2018-05-04 2021-12-14 Tokyo Electron Limited Radical source with contained plasma
CA3128262A1 (en) * 2019-08-06 2021-02-11 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Convertible plasma source and method
US20210346565A1 (en) * 2020-05-08 2021-11-11 airPHX Method and system for generating non-thermal plasma
US11569062B2 (en) * 2020-05-22 2023-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas delivery system for ion implanter

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02234419A (ja) * 1989-03-07 1990-09-17 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk プラズマ電極
EP0634778A1 (en) * 1993-07-12 1995-01-18 The Boc Group, Inc. Hollow cathode array
US6132552A (en) 1998-02-19 2000-10-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling the temperature of a gas distribution plate in a process reactor
US6441553B1 (en) * 1999-02-01 2002-08-27 Sigma Technologies International, Inc. Electrode for glow-discharge atmospheric-pressure plasma treatment
US6331754B1 (en) * 1999-05-13 2001-12-18 Tokyo Electron Limited Inductively-coupled-plasma-processing apparatus
WO2004107825A1 (ja) * 2003-05-30 2004-12-09 Tokyo Electron Limited プラズマ源及びプラズマ処理装置
US7510624B2 (en) * 2004-12-17 2009-03-31 Applied Materials, Inc. Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications
KR100685809B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 화학 기상 증착 장치
KR100683110B1 (ko) 2005-06-13 2007-02-15 삼성전자주식회사 플라즈마 형성 방법 및 이를 이용한 막 형성 방법
TWI440405B (zh) * 2007-10-22 2014-06-01 New Power Plasma Co Ltd 電容式耦合電漿反應器
TW200927983A (en) * 2007-12-21 2009-07-01 Ind Tech Res Inst Atmospheric pressure plasma processing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015050376A1 (ko) * 2013-10-02 2015-04-09 아주대학교산학협력단 마이크로 플라즈마 분사 소자, 적층형 마이크로 플라즈마 분사 모듈 및 마이크로 플라즈마 분사 소자의 제작 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8110990B2 (en) 2012-02-07
US20100033096A1 (en) 2010-02-11
KR100974566B1 (ko) 2010-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100974566B1 (ko) 상압 플라즈마 장치
KR100782369B1 (ko) 반도체 제조장치
US20100021340A1 (en) Method and device for the disinfection of objects
US20130209704A1 (en) Power lance and plasma-enhanced coating with high frequency coupling
US11267729B2 (en) In-liquid plasma generation device and liquid treatment apparatus
WO2009036579A1 (en) Apparatus for plasma supported coating of the inner surface of tube-like packaging containers made of plastics with the assistance of a non-thermal reactive ambient pressure beam plasma
KR20150105250A (ko) 홀 효과 강화 용량성 결합된 플라즈마 소스, 저감 시스템, 및 진공 프로세싱 시스템
US9406487B2 (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source
WO2015037565A1 (ja) 有機物合成方法および液中プラズマ装置
CN103249240A (zh) 用于容器内部涂覆的空心阴极气体喷枪
JP2011124153A (ja) プラズマ発生装置
US10010854B2 (en) Plasma reactor for liquid and gas
JP5449166B2 (ja) 高電圧絶縁装置および、当該高電圧絶縁装置を備えたイオン加速装置
US10882021B2 (en) Plasma reactor for liquid and gas and method of use
WO2007105330A1 (ja) グロープラズマ発生装置及びグロープラズマ発生方法
KR101610074B1 (ko) 기생 플라즈마 방지가 가능한 반도체 증착 장비용 샤워헤드 장치 및 그의 기생 플라즈마 발생 방지 방법
JP2000144421A5 (ja) 成膜装置
KR20020010465A (ko) 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치
JP5264938B2 (ja) 中性粒子照射型cvd装置
EP3474635B1 (en) Modular plasma jet treatment system
KR101830187B1 (ko) 저온 대기압 플라즈마 분사 장치
KR102163939B1 (ko) 플라즈마 살균수 제조장치
WO2005035825A1 (ja) Cvd成膜装置及びcvd膜コーティングプラスチック容器の製造方法
CN1489426A (zh) 常压射频冷等离子体系统及其喷枪
JPH05506836A (ja) オゾン発生装置用誘電体と誘電体への成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee