KR20100018141A

KR20100018141A - 필름형 광분해성 전사재료

Info

Publication number: KR20100018141A
Application number: KR1020080076770A
Authority: KR
Inventors: 문희완; 이병일
Original assignee: 주식회사 코오롱
Priority date: 2008-08-06
Filing date: 2008-08-06
Publication date: 2010-02-17
Also published as: KR101291935B1

Abstract

본 발명은 지지체 필름과; 알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물 및 폴리알킬렌글리콜을 함유하는 포토레지스트층을 포함하는 필름형 광분해성 전사재료에 관한 것으로, 광분해성 조성물을 포토레지스트층으로 하여 필름형 전사재료로 제조함에 있어서 막의 부스러짐이 없는 필름형 광분해성 전사재료를 제공한다.

Description

필름형 광분해성 전사재료{Film type transfer material}

본 발명은 필름형 광분해성 전사재료, 일명 포지티브형 드라이 필름 포토레지스트에 관한 것이다.

포토레지스트(photoresist) 및 포토레지스트 필름은 집적회로(IC), 인쇄회로기판(PCB) 및 전자표시 장치인 브라운관(Cathode Ray Tubes: CRT)과 액정 디스플레이(LCD) 및 유기 전계발광 디스플레이(EL 또는 ELD) 등의 고집적 반도체 제조에 이용된다. 이들 소자의 제조 방법에서는 포토리소그라피(photolithography) 및 광가공(photo-fabrication) 기술이 사용된다. 포토레지스트 필름은 매우 가는 선과 7㎛ 이하의 작은 공간 넓이를 가지는 패턴을 형성할 수 있을 정도의 해상도가 요구된다.

최근, 액상 포토레지스트 조성물을 사용하는 TFT-LCD 제조 방법은 기판이 대면적화 되면서 액상 포토레지스트 조성물에 관련된 문제들이 더욱 부각되어 공정이 더욱 복잡하고 까다로워지고 있다. 포지티브형 액상 포토레지스트는 보관시 침전 현상으로 인해 해상도 및 감도가 저하되고 코팅 면에 찌꺼기가 남아 패턴의 형태가 좋지 않은 등의 문제점이 있다.

일예로 일본특허 공개 평 3-249654호에 게재되어 있는 바와 같이 알칼리 가용성 노볼락 수지 및 광산발생제로서 1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산 에스테르 및 산분해성 기를 함유한 물질을 포함하는 조성물, 일본특허 공개 평6-202320호에 게재되어 있는 바와 같이 알칼리 가용성 노볼락 수지 및 1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산 폴리히드록시벤조페논 에스테르, 산분해성 기를 함유한 조성물의 경우 보관할 때 불용성 물질이 생성되어 해상도 및 감도가 저하되는 것은 물론 코팅 면에 찌꺼기가 남아 패턴의 형태가 좋지 않은 등의 문제점이 있다.

관련 기술의 또다른 예로서 미국특허 제3,666,473호에는 두 개의 페놀포름알데히드 노볼락 수지의 혼합물과 전형적인 감광성 화합물의 사용이 개시되어 있다. 미국특허 제 4,115,128호에는 감광속도를 향상시키기 위해 페놀성 수지와 나프토퀴논 디아지드 감광제에 유기산 사이클릭 무수물을 첨가하는 기술이 개시되어 있으며, 미국특허 제4,550,069호에는 감광속도를 증가시키고 인체 안전성을 향상시키기 위하여 노볼락 수지와 o-퀴논디지아드 감광성 화합물과 용매로서 PGMEA의 사용이 개시되어 있다. 또한 일본특허 제 189,739호에는 해상도 및 내열성을 증가시키기 위해 노볼락 수지를 분급(Fractionation)처리하는 방법의 사용이 개시되어 있으며 상기의 내용들은 당분야 종사자들에게는 널리 알려져 있다.

또한 액상의 포토레지스트를 반도체 기판 상에 스핀 코팅할 경우 고가의 포토레지스트 재료가 손실된다. 레지스트 스핀 코팅 기계는 상당히 큰 비용을 요구하며 스핀 코팅 시간 및 관리에도 추가로 비용이 든다. 포토레지스트 사용시의 여과 처리 역시 고비용의 공정이다. 스핀 코팅 공정의 어느 시점에서나 발생하는 포토레지스트의 손실도 포토레지스트 비용 중에서 큰 비중을 차지한다.

이러한 종래의 포지티브형 액상 포토레지스트가 가진 단점들 때문에 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 개발이 필요하게 되었다.

한편 종래의 드라이 필름 포토레지스트 기술은 액상의 네가티브 포토레지스트를, 인쇄회로기판(PCB) 패턴 같은 대형 및 저해상도 소자의 제조를 위한 드라이 필름 기술에 적합하게 개조했던 1960년대에 처음 개발되었다. 그러나 이들 네가티브 드라이 필름 레지스트의 낮은 해상도는 IC, LCD 등의 고해상도 분야에 드라이 필름 기술을 응용하는데 장애가 되었다.

결국, 종래 액상의 포지티브형 포토레지스트 조성물을 LCD, 유기 ELD 등의 미세패턴 형성에 사용시 스핀 코팅 등의 공정을 필수적으로 거침에 따른 코팅층의 두께편차, 평활도, 쏠림, 엉김, 기포발생, 코팅 손실 등의 여러 문제점을 극복하고, 또한 고해상도, 우수한 선폭조절 특성, 고내열성, 고감도, 고잔막률, 고내건식에칭성, 고현상성 등을 겸비하며, LCD, 유기 ELD 등의 미세가공에 적용할 수 있는 새로운 감광성 수지 제품의 개발이 절실히 요구되는 것이다.

본 발명의 일 구현예에서는 고해상도와 밀착력을 발현할 수 있는 광분해성 조성물을 보다 효율적으로 활용할 수 있도록 필름형으로 제공하고자 한다.

본 발명의 일 구현예에서는 광분해성 조성물을 포토레지스트층으로 하여 필름형 전사재료로 제조함에 있어서 막의 부스러짐이 없는 필름형 광분해성 전사재료를 제공하고자 한다.

본 발명의 일 구현예에서는 지지체 필름; 및 알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물 및 폴리알킬렌글리콜을 포함하는 포토레지스트층;을 포함하는 필름형 광분해성 전사재료를 제공한다.

바람직한 일 구현예에 의하면 폴리알킬렌글리콜은 중량평균분자량 100 내지 100,000인 것일 수 있다.

또 다른 바람직한 일 구현예에 의하면 폴리알킬렌글리콜은 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 의한 필름형 광분해성 전사재료에 있어서, 폴리알킬렌글리콜은 포토레지스트층의 유리전이온도가 -20 내지 10℃ 되도록 포함될 수 있다.

본 발명의 다른 일 구현예에 의한 필름형 광분해성 전사재료는 포토레지스트층에 현상성 아크릴계 고분자를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 의한 필름형 광분해성 전사재료에 있어서, 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 의한 필름형 광분해성 전사재료에 있어서, 알칼리 가용성 수지는 크레졸 노볼락 수지일 수 있다.

이때 크레졸 노볼락 수지는 중량평균분자량(GPC에 의해 측정할 때)이 2,000 내지 30,000인 것일 수 있다.

이때 크레졸 노볼락 수지는 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4비율로 혼합된 것일 수 있다.

또한 크레졸 노볼락 수지는 중량평균분자량(GPC에 의해 측정할 때)이 8,000 내지 30,000인 크레졸 노볼락 수지와, 중량평균분자량(GPC에 의해 측정할 때)이 2,000 내지 8,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3 내지 9:1의 중량비율로 혼합된 수지일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 의한 필름형 광분해성 전사재료에 있어서, 디아지드계 감광성 화합물은 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 (1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 의한 필름형 광분해성 전사재료에 있어서, 포토레지스트층은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠 중에서 선택된 1종 이상의 감도증진제를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 의한 필름형 광분해성 전사재료는 포토레지스트층 상에 형성된 보호층을 포함할 수 있다. 이때 보호층은 두께가 15 내지 30㎛인 것일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면 고해상도와 밀착력을 발현할 수 있는 광분해성 조성물을 보다 용이하게 필름 형태로 제공할 수 있다. 또한 막의 부스러짐이나 에지 퓨전(edge fusion)이 없어서 롤 상으로 유통하기 용이한 광분해성 필름형 전사재료를 제공할 수 있다.

이와 같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

상술한 것과 같이 일반적으로 포지티브형 액상 포토레지스트 조성물은 여러 이유로 필름화가 요구되는데, 공통적으로 포지티브형 액상 포토레지스트 조성물은 광분해반응을 일으키는 성분, 보통은 디아지드계 감광성 화합물을 포함하며 이는 막을 부스러지기 쉬운 성질을 갖게 하는 성분이다.

이러한 점에서 포지티브형 액상 포토레지스트 조성물을 이용한 필름형 광분해성 전사재료로의 제조가 활발하게 이루어지지 못해왔다.

이에 본 발명의 일 구현예는 지지체 필름; 및 알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물 및 폴리알킬렌글리콜을 포함하는 포토레지스트층;을 포함하는 필름형 광분해성 전사재료를 제공한다

폴리알킬렌글리콜을 포토레지스트층에 포함하는 경우, 지지체 필름 상에 포토레지스트층 조액을 도포한 후 막에 유연함을 부여할 수 있다. 이로써 필름화를 용이하게 하고 또한 롤 상으로의 가공을 용이하게 할 수 있다.

좋기로는 폴리알킬렌글리콜은 중량평균분자량이 100 내지 100,000인 것일 수 있는데, 중량평균분자량이 지나치게 작으면 포토레지스트층 내에 폴리알킬렌글리콜의 잔류가 어려울 수 있고 중량평균분자량이 너무 큰 것일 경우 현상성을 저해하고 용해성이 떨어질 수 있다.

이러한 폴리알킬렌글리콜의 구체적인 일예로는 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜을 들 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다.

폴리알킬렌글리콜의 함량은 각별히 한정이 있는 것은 아니나, 중량평균분자량 등을 고려하여서 포토레지스층의 유리전이온도가 -40℃ 내지 40℃ 되는 함량으로 포함하는 것이 유리하다.

더욱 좋기로는 포토레지스트층의 유리전이온도가 -20 내지 10℃, 가장 좋기로는 -10 내지 0℃ 되는 함량으로 폴리알킬렌글리콜을 포함하는 것이다.

상기 및 이하의 기재에 있어서 포토레지스트층의 유리전이온도는 SHIMADZU사의 DSC(Differential Scanning Calorimeter)인 DSC-60에 의해 측정된 값으로 정의될 수 있다.

한편 폴리알킬렌글리콜 함량을 늘릴 경우라면 현상성 아크릴계 고분자를 혼용하여 유리전이온도를 제어할 수도 있다. 여기서 '현상성 아크릴계 고분자'라 함은 아크릴산을 가지는 아크릴산 고분자로로 이해될 수 있으며, 구체적인 일예로는 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 혹은 이의 공중합체등을 들 수 있다.

본 발명의 필름형 광분해성 전사재료에 있어서 포토레지스트층은 알칼리 가용성 수지로서 노볼락 수지를 사용할 수 있으며, 더욱 좋기로는 크레졸 노볼락 수지를 포함할 수 있다.

노볼락 수지는 페놀 단독 또는 알데히드 및 산성 촉매와의 조합물을 중축합 반응시켜 얻을 수 있다.

이때 페놀류로는 특별히 한정되는 것은 아니며, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀-크실레놀, 4-t-부틸페놀, 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 4-메틸-2-t-부틸페놀 등 1가 페놀류; 및 2-나프톨, 1,3-디하이드록시 나프탈렌, 1,7-디하이드록시 나프탈렌, 1,5-디하이드록시 나프탈렌, 레조르시놀, 피로카테콜, 히드로퀴논, 비스페놀 A, 플루오로글루시놀, 피로갈롤 등 다가 페놀류 등을 들 수 있으며, 이들 중 선택하여 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 특히 m-크레졸, p-크레졸의 조합이 바람직하다.

알데히드류로는 특별히 한정되는 것은 아니나, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, 알파 또는 베타-페닐 프로필알데히드, o-, m- 또는 p-하이드록시벤즈알데히드, 글루타르알데히드, 테레프탈알데히드 등을 들 수 있으며, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.

크레졸 노볼락 수지는 중량평균분자량(GPC 측정법에 기준할 때)이 2,000 내지 30,000인 것이 바람직하며, 크레졸 노볼락 수지는 메타/파라 크레졸의 함량비에 따라 감광속도와 잔막률 등의 물성이 달라질 수 있으므로, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량기준으로 4:6 내지 6:4 비율로 혼합된 것이 바람직할 수 있다.

크레졸 노볼락 수지 중의 메타 크레졸의 함량이 상기 범위를 초과하면 감광속도가 빨라지면서 잔막율이 급격히 낮아지며, 파라 크레졸의 함량이 상기 범위를 초과하면 감광속도가 느려지는 단점이 있다.

크레졸 노볼락 수지는 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4인 크레졸 노볼락 수지를 단독으로 사용할 수 있으나, 더욱 바람직하게는 서로 다른 수지를 혼합사용할 수 있다. 이 경우, 크레졸 노볼락 수지를 중량평균분자량이 8,000 내지 30,000인 크레졸 노볼락 수지와, 중량평균분자량이 2,000 내지 8,000인 노볼락 수지르 7:3 내지 9:1의 비율로 혼합사용하는 것이 바람직하다.

상기 및 이하에서 "중량평균분자량"은 겔투과크로마토크래피(GPC)에 의해 결정되는, 폴리스티렌 당량의 환산치로 정의된다.

한편 포토레지스트층 조성 중 디아지드계 감광성 화합물은 알칼리 가용성 수지의 알칼리에 대한 용해도를 감소시키는 용해억제제로서 작용하며, 광이 조사되면 알칼리 가용성 물질로 바뀌어 알칼리 가용성 수지의 알칼리 용해도를 증가시키는 역할을 하게 된다. 이와 같이 광조사로 인한 용해도의 변화로 인하여 본 발명의 필름형 광분해성 전사재료는 노광 부위가 현상된다.

디아지드계 감광성 화합물은 폴리하이드록시 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합물과의 에스테르화 반응에 의해 합성할 수 있다. 디아지드계 감광성 화합물을 얻기 위한 에스테르화 반응은 폴리하이드록시 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합 물을 디옥산, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, N-메틸피롤리돈, 클로로포름, 트리에틸아민, N-메틸몰포린, N-메틸피페라진 또는 4-디메틸아미노피리딘과 같은 염기성 촉매를 적하하여 축합시킨 후, 얻어진 생성물을 세정, 정제, 건조시켜 얻을 수 있다.

이때 퀴논디아지드 술폰산 화합물로는 일예로 1,2-벤조퀴논 디아지드-4-술폰산, 1,2-나프토퀴논 디아지드-4-술폰산, 1,2-벤조퀴논 디아지드-5-술폰산 및 1,2-나프토퀴논 디아지드-5-술폰상 등의 o-퀴논 디아지드 술폰산화합물 및 그 외의 퀴논 디아지드 술폰산 유도체 등을 들 수 있다.

퀴논디아지드 술폰산 화합물은 스스로 알칼리 중에서 알칼리 가용성 수지의 용해도를 낮게 하는 용해 저지제로서의 기능을 가진다. 그러나 노광시 알칼리 가용성이기 위해 분해하고 그로 인해 오히려 알칼리에서 알칼리 가용성 수지의 용해를 촉진시키는 특성을 갖는다.

폴리하이드록시 화합물로서는 2,3,4-트리하이드록시 벤조페논, 2,2',3-트리하이드록시 벤조페논, 2,3,4'-트리하이드록시 벤조페논 등의 트리하이드록시 벤조페논류; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시 벤조페논, 2,3,4,5-테트라하이드록시벤조페논 등 테트라하이드록시 벤조페논류; 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시 벤조페논, 2,2',3,4,5-펜타하이드록시 벤조페논 ed 펜타하이드록시 벤조페논류; 2,3,3',4,4',5'-헥사하이드록시벤조페논, 2,2',3,3',4,5'-헥사하이드록시 벤조페논 등 헥사하이드록시 벤조페논류; 갈산알킬에스테르류; 옥시플라본류 등을 들 수 있다.

이들로부터 얻어진 디아지드계 감광성 화합물의 구체적인 일예로는 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 (1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 중에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.

이러한 디아지드계 감광성 화합물은 포토레지스트층 조성 중 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대해 30 내지 80중량부인 것이 현상성이나 용해성 측면에서 유리할 수 있다.

한편 본 발명의 일 구현예에 따른 필름형 광분해성 전사재료에 있어서 포토레지스층은 감도증진제를 포함할 수 있는데, 이는 감도를 향상시키기 위한 것이다. 이의 일예로는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.

감도증진제를 포함할 때 그 함량은 알칼리 가용성 수지 100중량부를 기준으로 3 내지 15중량부인 것이 감광 효과 향상 및 윈도우 공정 마진 측면에서 유리할 수 있다.

그밖에 포토레지스트층은 레벨링제, 충진제, 산화방지제 등의 기타 성분이나 첨가제를 포함할 수 있다.

이와 같은 알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물 및 폴리알킬렌글 리콜 등을 포함하는 조성물을 일정량의 용제에 분산시켜 조액한 후 지지체 필름 상에 도포한 후 건조하면 본 발명의 일 구현예에 따른 필름형 광분해성 전사재료를 얻을 수 있다.

이때 용매의 일예로는 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 아세톤, 메틸에틸 케톤, 에틸 알코올, 메틸 알코올, 프로필 알코올, 이소프로필 알코올, 벤젠, 톨루엔, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 에틸렌글리콜, 크실렌, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 및 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 들 수 있다.

본 발명의 지지체 필름은 포지티브형 드라이 필름 포토레지스트에 적합한 물성을 가져야 한다. 적절한 지지체 필름 재료의 비제한적인 예를 들면, 폴리카보네이트 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 연신 폴리프로필렌(OPP) 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 필름, 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 필름, 폴리비닐 필름, 기타 적절한 폴리올레핀 필름, 에폭시 필름 등을 포함한다. 특히 바람직한 폴리올레핀 필름은 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름, 에틸렌비닐 아세테이트(EVA) 필름 등이다. 바람직한 폴리비닐 필름은 폴리 염화비닐(PVC) 필름, 폴리 아세트산비닐(PVA) 필름, 폴리비닐 알코올(PVOH) 필름 등이다. 특히 바람직한 폴리스티렌 필름은 폴리스티렌(PS) 필름, 아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌(ABS) 필름 등이다. 특히, 지지체 필름은 빛이 지지체 필름을 통과하여 포토레지스트층을 조사할 수 있을 정도로 투명한 것일 수 있다. 지지체 필름은 바람직하게는 포지티브형 포토레지스트 수지 필름의 형상 지지를 위한 골격 역할을 하기 위해 약 10 내지 50㎛ 범위의 두께를 가지며 바람직하게는 약 15 내지 50㎛, 더욱 바람직하게는 약 15 내지 25㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.

본 발명에서는 상술한 바와 같은 알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물, 폴리알킬렌글리콜 및 감도 증진제 등을 포함하는 조성물을 일정량의 용제와 혼합하여 포토레지스트층을 제조한다. 상기 혼합물은 상기 지지체 필름에 5 내지 100㎛의 두께로 도포된다. 상기 지지체 필름 상에 포토레지스트층을 형성시키는 방법은 일반적으로 사용되고 있는 롤러, 롤코터, 메이어 로드(meyer rod), 그라비어, 스프레이 등의 도장법에 의하여 상기 용제와 혼합된 조성물을 상기 지지체 필름 상에 도장하고 건조를 행해 조성물 중의 용제를 휘발시킴으로써 행해진다. 필요에 따라서는 도포된 조성물을 가열 경화해도 좋다.

본 발명의 일 구현예에 의한 포지티브형 포토레지스트 필름은 통상 기판 표면에 라미네이션 등의 방법으로 부착시킨 후 지지체 필름을 박리하지 않은 상태에서 광조사하고 이어서 지지체 필름을 박리하거나 또는 라미네이션 후 지지체 필름을 박리시킨 뒤에 광조사하는 방법을 선택하여 사용할 수 있다. 그러나 조사는 지지체 필름을 박리하기 전이나 후에 할 수 있다.

더욱이, 상기 제조된 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 필름은 포토레지스트층의 상부에 추가로 보호층을 더 포함하는 것이 가능한 바, 이러한 보호층은 공 기 차단 및 이물 등으로부터 포토레지스트층을 보호하는 역할을 수행하는 것으로서, 폴리에틸렌 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 등으로 형성된 것이 바람직하며, 그 두께는 15 내지 30㎛인 것이 더욱 바람직하다.

한편, 본 발명의 포토레지스트 수지 필름을 사용하여 패턴을 형성하는 방법은, (Ⅰ) 유리 기판 상에 본 발명에 따라 제조된 드라이 필름 포토레지스트의 포토레지스트층이 접하도록 드라이 필름 포토레지스트를 형성시키는 바, 필요에 따라서 상기 포토레지스트 수지 필름으로부터 지지체 필름을 박리하는 단계; (Ⅱ) 상기 피막 상에 원하는 패턴을 얻을 수 있도록 자외선을 마스크를 통하거나 또는 통하지 않고 직접 조사하는 단계; 및 (Ⅲ) 상기 포토레지스트 수지 필름으로부터 지지체 필름을 박리하지 않은 경우는 이것을 박리한 후 조사부의 포토레지스트층을 현상 처리에 의하여 제거함으로써 레지스트 패턴 피막을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 단계 (I)은, 기판 상에, 포지티브형 드라이 필름 포토레지스트의 포토레지스트층이 접하도록 부착시킴으로써 포지티브형 포토레지스트 수지 피막을 형성하는 단계이다. 이때 드라이 필름 포토레지스트의 지지체 필름은 박리하지 않아도 좋다. 또한 기판 상에 형성된 포토레지스트 수지 피막을 건조할 필요는 없다.

필요에 따라, (Ⅲ)단계에서 현상할 때 레지스트 패턴 피막이 씻겨 나가지 않도록 기재와의 결착력 강화를 위해 필요에 따라 (Ⅱ)단계의 전 또는 후 단계에 열처리(Baking)공정이 필요하다. 좀 더 자세히 설명하면 만약 (Ⅱ) 단계를 하기 전에 기재에 포지티브형 포토레지스트 수지 피막을 형성한 후 포토레지스트 수지 필름으 로부터 지지체 필름을 박리한 뒤 기재와의 결착력 강화를 위해 이어서 열처리(Baking)를 할 수 있고 또는 (Ⅱ)단계를 한 후에 포토레지스트 수지 필름의 지지체 필름을 박리 한 후, 기재와의 결착력 강화를 위해 열처리(Baking)를 할 수 있다. 또는, (II)단계를 수행한 후에, 지지체 필름을 상기 포토레지스트 수지로부터 박리하고 이 박리된 필름을 열처리 하여 기재에 대한 접착성을 강화시킬 수도 있다. 즉, 포토레지스트 필름의 요구사항, 용매계의 복잡성 및 비점 차이 등에 따라 열처리 단계를 다양하게 반복할 수 있다.

이렇게 해서 단계 (Ⅰ), (II) 및 (Ⅲ)에 의하여 원하는 레지스트 패턴 피막이 형성된다.

본 발명의 포지티브 포토레지스트 수지 필름을 현상처리하기 위한 현상액은 2.38% 테트라메틸 암모늄 히드록시드(TMAH: tetramethylammonium hydroxide)가 바람직하다.

이렇게 제조된 본 발명에 따른 지지체 필름 상에 포토레지스트층을 포함하는 포지티브형 포토레지스트 필름은 종래의 액상 포토레지스트 수지 조성물을 사용하였을 때 발생하는 문제점인 액상 조성물의 보관시 해상도, 감도 등이 저하되는 문제나, 유리 기판에 도포할 때 반드시 필요한 스핀 코팅 및 건조 공정 등을 생략할 수 있게 됨으로써 두께 편차 문제, 건조시의 기포 발생 문제 등을 없애고 수율 향상을 기할 수 있도록 해주며, 특히, 공정 비용을 상당히 줄일 수 있도록 해준다.

또한, 본 발명에 따른 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 이용한 미세회로 패턴은 종래의 액상 포지티브형 포토레지스트 수지 조성물과 유사한 2 내지 7㎛ 수준의 고해상도의 패턴을 형성할 수 있어 LCD, 유기 ELD 등의 미세회로 형성에 사용할 수 있는 것이다.

이하 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명의 일 구현예들을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

상기 및 이하의 기재에 있어서 포토레지스트층의 유리전이온도는 SHIMADZU사의 DSC(Differential Scanning Calorimeter)인 DSC-60에 의해 측정된 값이다.

실시예 1

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 50중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw=100인 폴리에틸렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프 탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = -19℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

실시예 2

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 40 중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw= 1300인 폴리프로필렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = 3℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

실시예 3

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수 지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 40중량부의 현상성 아크릴계 고분자(부틸아크릴레이트:아크릴산:메틸아크릴레이트:스타이렌을 중량비 3:1:1:1로 공중합하여 중량평균분자량이 60000인 아크릴계 고분자), 50 중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw= 400)인 폴리에틸렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = -11℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

실시예 4

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감 광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 40중량부의 현상성 아크릴계 고분자(부틸아크릴레이트:아크릴산:메틸아크릴레이트:스타이렌을 중량비 3:1:1:1로 공중합하여 중량평균분자량이 60000인 아크릴계 고분자), 50 중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw= 800)인 폴리에틸렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = -7℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

실시예 5

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 40중량부의 현상성 아크릴계 고분자 (부틸아크릴레이트:아크릴산:메틸아크릴레이트:스타이렌을 중량비 3:1:1:1로 공중합하여 중량평균분자량이 60000인 아크릴계 고분자), 50 중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw= 2000)인 폴리에틸렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = 5℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

실시예 6

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 40 중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw= 425인 폴리프로필렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레 프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = -8℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

실시예 7

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 40 중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw= 725인 폴리프로필렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = -2℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

실시예 8

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 저비점 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤; 40 중량부의 폴리알킬렌글리콜(Mw= 3500인 폴리프로필렌글리콜); 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포토레지스트층을 형성하였다(포토레지스트층 Tg = 8℃). 폴리에틸렌 필름 보호층을 두께 23㎛ 의 상기 포토레지스트층에 도포하여 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 제조하였다.

		실시예
		1	2	3	4	5	6	7	8
폴리알킬렌글리콜	PEG	○	-	○	○	○
	PPG	-	○				○	○	○
	Mw	100	1300	400	800	2000	425	725	3500
	함량 (알칼리가용성 고분자 100중량부에 대한 중량부)	50	40	50	50	50	40	40	40
현상성 아크릴계 고분자 함량 (알칼리가용성 고분자 100중량부에 대한 중량부)		-	-	40	40	40	-	-	-
포토레지스트층 Tg (℃)		-19	3	-11	-7	5	-8	-2	8

비교예 1

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지(크레졸 포름알데히드 노볼락수지, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6이고, 중량평균분자량이 8,000인 크레졸 노볼락 수지와 중량평균분자량이 2,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3의 비율로 혼합된 크레졸 노볼락 수지); 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대해 감광성 화합물로서 33.8중량부의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술폰산 폴리히드록시벤조페논 에스테르; 용매로서 407.0중량부의 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트; 및 감도 증진제로서 5.5중량부의 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논을 혼합하고, 여기에 2.2중량부의 염료를 첨가한 뒤 이 혼합물을 2시간 동안 교반함으로써 포토레지스트 수지층 형성용 용액을 제조하였다.

제조된 포토레지스트 수지 조성물을 10cm × 10cm 크기의 유리 기판에 스핀 코팅법으로 도포하여 두께 1.5㎛ 로 만들었다(포토레지스트층 Tg= 105C). 피복된 기판을 포토마스크를 이용하여 자외선에 노광하고, 2.38% TMAH 알칼리 현상액에 60초간 현상한 뒤 세척 및 30초간 건조함으로써 미세패턴을 형성시켰다.

한편 다음과 같은 항목에 대하여 평가하였다.

[필름 이형성 평가]

실시예에 의해 제조된 포지티브형 필름형 전사재료를, ITO로 깊이 2000Å과 넓이 100×100㎟로 코팅된 유리기판 위에 속도 2.0m/min, 온도 110℃, 가열롤 압력 10∼90psi의 조건으로 라미네이션한 후 포지티브형 포토레지스트층으로부터 지지체 필름을 분리시켰다. 이때 UTM(Unversal Test Maccine; Instron사)으로 이형성을 평가하였는바, 이형시 UTM에 측정되는 박리강도(peel strength)를 측정하였다.

그 결과 박리강도가 0.001 내지 0.01kg/100×100㎟ 범위이면 O로, 0.01kg/100×100㎟ 이상이면 X로 나타내었다.

[감도 평가]

제조된 각각의 필름형 전사재료를 ITO로 두께 2000Å과 넓이 100×100㎟로 코팅된 유리기판 위에 속도 2.0m/min, 온도 110℃, 가열롤 압력 10∼90psi의 조건으로 라미네이션한 후 지지체 필름을 박리하고 100℃에서 프리베이크하였다.

그 다음 콘텍트 타입 노광기로 노광량별 노광한 후, 상온에서 2.38중량% TMAH 수용액에 60초간 현상(단, 실시예 1-3의 경우는 64초간 현상)하고 30초간 수세하여 건조시킨 후 Line/Space 1/1인 미세패턴을 형성하는 데 필요로 하는 노광량을 측정하였다. 이때 미세패턴의 크기는 광학현미경을 통해 관찰하면서 수행하였다.

[해상도 평가]

그리고 미노광 부분은 남게 되어 회로를 형성되는데 이때의 해상도를 전자현미경으로 관찰하였다.

[필름 형성성 평가]

지지체 필름에 수지 조성물을 도포한 후 필름 형성 여부를 육안으로 관찰 및 평가하였다

이상의 평가결과를 다음 표 2에 나타내었다.

구분	감도(mJ/cm³)	해상도(㎛)	필름 형성성	필름 이형성 (kg/100×100㎟)
실시예 1	65.1	5.1	○	○
실시예 2	63.2	4.2	○	○
실시예 3	61.5	4.3	○	○
실시예 4	64.0	4.9	○	○
실시예 5	72.7	6.2	○	○
실시예 6	65.1	5.5	○	○
실시예 7	63.2	4.5	○	○
실시예 8	71.5	6.8	○	○
비교예 1	45.5	4.1	×	×

상기 표 2의 결과로부터, 실시예의 경우 필름 형성성이 우수하고, 기판 상에 이와 같은 필름형 전사재료를 적층한 후에는 포토레지스트층으로부터 지지체 필름을 이형하는 것이 용이함을 알 수 있다. 또한 실시예의 필름형 전사재료를 이용하여 패턴을 형성하는 경우 감도와 해상도에 있어서는 액상의 포토레지스트 조성물을 이용하여 기판 상에 스핀 코팅법을 이용하여 도포한 후 패턴을 형성하는 경우(비교예 1)에 비하여 동등하거나 실질적으로 더욱 우수한 물성을 나타낸다는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 1의 포토레지스트 수지 조성물은 지지체 필름 상에 필름을 형성하지 않는다.

상기의 상세한 설명과 구체예는 단지 본 발명의 이상적인 방법 및 원리를 예시하기 위한 것으로 당해 분야의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는 한도에서 변형과 추가 수정이 가능하고 따라서 첨부된 특허청구의 범위에 의해서만 한정된다는 것을 쉽게 이해할 수 있다.

Claims

지지체 필름; 및

알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물 및 폴리알킬렌글리콜을 포함하는 포토레지스트층;

을 포함하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항에 있어서, 폴리알킬렌글리콜은 중량평균분자량 100 내지 100,000인 것임을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 폴리알킬렌글리콜은 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜인 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 폴리알킬렌글리콜은 포토레지스트층의 유리전이온도가 -20 내지 10℃ 되도록 포함되는 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 4 항에 있어서, 포토레지스트층은 현상성 아크릴계 고분자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항에 있어서, 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항에 있어서, 알칼리 가용성 수지는 크레졸 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 7 항에 있어서, 크레졸 노볼락 수지는 중량평균분자량(GPC에 의해 측정할 때)이 2,000 내지 30,000인 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 7 항에 있어서, 크레졸 노볼락 수지는 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4비율로 혼합된 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 9 항에 있어서, 크레졸 노볼락 수지는 중량평균분자량(GPC에 의해 측정할 때)이 8,000 내지 30,000인 크레졸 노볼락 수지와, 중량평균분자량(GPC에 의해 측정할 때)이 2,000 내지 8,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3 내지 9:1의 중량비율로 혼합된 수지인 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항에 있어서, 디아지드계 감광성 화합물은 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논- 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 (1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항에 있어서, 포토레지스트층은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠 중에서 선택된 1종 이상의 감도증진제를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 1 항에 있어서, 포토레지스트층 상에 형성된 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 13 항에 있어서, 보호층은 폴리에틸렌 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 및 폴리프로필렌 필름으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.
제 13 항에 있어서, 보호층은 두께가 15 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는 필름형 광분해성 전사재료.