KR20090126622A - Uneri measurement device and measurement method - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A uneri measurement device distinguishing where the uneri is generated and a measuring method thereof are provided to improve production yield according to the decrease of failure rate. CONSTITUTION: A uneri measurement device comprises a chamber(205), a light source(220), a detector(250) and a measurement glass substrate(240). The chamber blocks the external light. The light source is in one inner side of the chamber and generates the laser(L). The detector is separated from the light source. The measurement glass substrate is located between the light source and the detector. The measurement glass substrate is settled in a stage in which the substrate rotates 360°. The detector detects where the uneri is generated.

Description

우네리 측정 장비 및 측정 방법{Uneri Measurement Device and Measurement Method}Uneri Measurement Device and Measurement Method

본 발명은 우네리 측정 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 글래스 기판의 표면에 미세란 굴곡으로 나타나는 우네리의 종류를 사전에 판별할 수 있는 우네리 측정 장비 및 측정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a uneori measuring equipment, and more particularly, to a uneori measuring equipment and measuring method that can determine in advance the kind of uneori that appears as a fine egg bent on the surface of the glass substrate.

일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하는 바, 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.In general, the driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization property of the liquid crystal. The liquid crystal has a long and thin structure, and thus has a directivity in the arrangement of molecules. Can be controlled.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.Accordingly, when the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular arrangement direction of the liquid crystal due to optical anisotropy to express image information.

현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.Currently, active matrix LCDs (AM-LCDs) in which thin film transistors and pixel electrodes connected to the thin film transistors are arranged in a matrix manner have attracted the most attention because of their excellent resolution and video performance.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래에 따른 액정표시장치에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to the related art.

도시한 바와 같이, 종래에 따른 액정표시장치(95)는 일정한 셀 갭(d)을 갖고 대향 합착된 제 1 기판(5) 및 제 2 기판(10)과, 상기 제 1 기판(5) 및 제 2 기판(10)의 이격된 사이 공간에 개재된 액정층(15)과, 상기 제 2 기판(10)과 이격된 배면에 위치하는 백라이트 유닛(90)을 포함한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 기판(5, 10)과 액정층(15)을 포함하여 액정 패널(30)이라 한다.As shown in the drawing, the liquid crystal display 95 according to the related art has a first cell 5 and a second substrate 10 which have a predetermined cell gap d and are opposed to each other, and the first substrate 5 and the first substrate. The liquid crystal layer 15 is disposed in the spaced apart space of the second substrate 10, and the backlight unit 90 is disposed on the back surface spaced apart from the second substrate 10. In this case, the first and second substrates 5 and 10 and the liquid crystal layer 15 may be referred to as a liquid crystal panel 30.

상기 제 1 기판(5)은 화상을 구현하는 액티브 영역(AA)과, 이를 제외한 비액티브 영역(NAA)으로 구분된 제 1 글래스 기판(1)과, 상기 제 1 글래스 기판(1) 하부 면의 비액티브 영역(NAA)에 대응된 블랙 매트릭스(12)와, 상기 블랙 매트릭스(12)를 경계로 순차적으로 패턴된 적(R), 녹(G), 청(B) 서브 컬러필터(16a, 16b, 미도시)를 포함하는 컬러필터층(16)과, 상기 컬러필터층(16)의 하부 전면에 구성된 공통 전극(80)을 포함한다.The first substrate 5 may include a first glass substrate 1 divided into an active region AA that implements an image, an inactive region NAA, and a lower surface of the first glass substrate 1. Red (R), green (G), and blue (B) sub color filters 16a and 16b sequentially patterned on the black matrix 12 corresponding to the inactive region NAA and the black matrix 12 is bounded. And a color filter layer 16 including a common electrode 80 formed on the entire lower surface of the color filter layer 16.

도면으로 제시하지는 않았지만, 상기 컬러필터층(16)과 공통 전극(80)의 사이 공간에는 컬러 안료의 혼색 및 평탄화를 위한 목적으로 오버 코트층(미도시)이 더욱 구성될 수 있다.Although not shown in the drawings, an overcoat layer (not shown) may be further configured in the space between the color filter layer 16 and the common electrode 80 for the purpose of mixing and planarizing color pigments.

한편, 상기 제 2 기판(10)은 화소 영역(P)과 스위칭 영역(S)을 포함하는 액 티브 영역(AA)과, 이를 제외한 비액티브 영역(NAA)으로 구분된 제 2 글래스 기판(2)과, 상기 제 2 글래스 기판(2) 상부 면의 일 방향으로 구성된 게이트 배선(미도시)과, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극(25)과, 상기 게이트 배선과 게이트 전극(25)의 상부 전면을 덮는 게이트 절연막(45)과, 상기 게이트 절연막(45) 상의 게이트 전극(25)과 중첩된 반도체층(40)과, 상기 반도체층(40) 상부에 위치하고 상기 게이트 배선과 수직 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(미도시)과, 상기 데이터 배선에서 연장되고 반도체층(40)과 접촉된 소스 전극(32)과, 상기 소스 전극(32)과 이격된 드레인 전극(34)과, 상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극(32, 34)을 덮으며 상기 드레인 전극(34)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(CH1)을 포함하는 보호막(55)과, 상기 드레인 콘택홀(CH1)을 통해 드레인 전극(34)과 연결된 화소 전극(70)을 포함한다.Meanwhile, the second substrate 10 may include an active region AA including a pixel region P and a switching region S, and a second glass substrate 2 divided into an inactive region NAA. A gate wiring (not shown) configured in one direction of the upper surface of the second glass substrate 2, a gate electrode 25 extending from the gate wiring, and an upper front surface of the gate wiring and the gate electrode 25. A gate insulating layer 45 covering the semiconductor layer 45, a semiconductor layer 40 overlapping the gate electrode 25 on the gate insulating layer 45, and a pixel region disposed on the semiconductor layer 40 and vertically intersecting with the gate wiring. A data line (not shown) defining P), a source electrode 32 extending from the data line and in contact with the semiconductor layer 40, a drain electrode 34 spaced apart from the source electrode 32, One of the drain electrodes 34 covering the data line and the source and drain electrodes 32 and 34. To include a pixel electrode 70 connected to the drain electrode 34 via the protective film 55 and the drain contact hole (CH1) containing the drain contact hole (CH1) of exposure.

전술한 구성을 갖는 액정표시장치(95)를 제작하기 위해서는 두 장의 글래스 기판, 즉 제 1 및 제 2 글래스 기판(1, 2)을 반드시 필요로 하고 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 글래스 기판(1, 2)은 1.1mm의 두께가 주로 사용되어 왔으나, 최근에는 박형화 및 경량화로 0.7mm의 두께가 대세를 이루고 있다. 이러한 제 1 및 제 2 글래스 기판(1, 2)은 플로팅법이나 퓨전공법을 통해 제작되는 것이 보편화되어 있다.In order to manufacture the liquid crystal display device 95 having the above-described configuration, two glass substrates, that is, first and second glass substrates 1 and 2, are necessarily required. In this case, the first and second glass substrates 1 and 2 have been mainly used with a thickness of 1.1 mm, but in recent years, the thickness of 0.7 mm has become popular due to thinning and weight reduction. The first and second glass substrates 1 and 2 are generally manufactured by a floating method or a fusion method.

그러나, 제 1 및 제 2 글래스 기판(1, 2)의 제조 공정 상의 문제로 제 1 및 제 2 글래스 기판(1, 2)의 표면에 미세한 굴곡이 띠를 이루며 나타나는 우네리(굴곡을 이룸, 물결 침 등을 의미)가 종종 발생하고 있다.However, due to problems in the manufacturing process of the first and second glass substrates (1, 2), unevenness appears in the form of bands on the surface of the first and second glass substrates (1, 2) Saliva, etc.) often occurs.

도 2a는 우네리가 발생된 글래스 기판을 나타낸 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도로, 이를 참조하여 상세히 설명하도록 한다.FIG. 2A is a plan view illustrating a glass substrate on which a unary is generated, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 2A, and will be described in detail with reference to the drawing.

도 2a와 도 2b에 도시한 바와 같이, 액정표시장치(도 1의 95)의 제 1 또는 제 2 글래스 기판(도 1의 1 또는 2)의 모태가 되는 대형의 글래스 기판(100)을 나타내고 있다. 상기 글래스 기판(100) 상의 점선으로 표시된 부분(F)은 글래스 기판(100) 상에 증착, 노광, 현상 및 식각 공정을 포함하는 사진식각 공정으로 어레이 소자 또는 컬러필터 소자를 제작하고 나서 스크라이브 및 커팅 공정으로 절단하여 개개의 제 1 또는 제 2 글래스 기판으로 분리될 영역이다.As shown in FIG. 2A and FIG. 2B, the large glass substrate 100 used as the base of the 1st or 2nd glass substrate (1 or 2 of FIG. 1) of a liquid crystal display device (95 of FIG. 1) is shown. . The portion F indicated by the dotted line on the glass substrate 100 is a photolithography process including a deposition, exposure, development, and etching process on the glass substrate 100 to produce an array element or a color filter element, and then scribe and cut The area to be cut by the process and separated into individual first or second glass substrates.

이때, 제조 공정 상의 불량으로 글래스 기판(100)의 표면에 미세한 굴곡인 우네리(uneri, 110)가 발생된 상태를 나타내고 있다. 상기 우네리(110)는 글래스 기판(100)의 제조 공정에서 발생하는 불량 중 하나로서 글래스 기판(100)의 표면으로 부터의 일정한 높이(H)로 스트라이프 모양(stripe pattern)의 굴곡이 발생된 것을 말한다.In this case, a fine curvature unery (uneri) 110 is generated on the surface of the glass substrate 100 due to a defect in the manufacturing process. The unery 110 is one of the defects generated in the manufacturing process of the glass substrate 100, the stripe of the stripe pattern (stripe pattern) is generated at a constant height (H) from the surface of the glass substrate 100 Say.

즉, 도 2b에 도시한 바와 같이, 우레리(110)는 글래스 기판(100)의 노출된 표면을 따라 규칙 또는 불규칙적으로 돌출된 패턴이 반복적으로 나타나는 것을 말한다. 이러한 우네리(110)는 글래스 기판(100)의 노출된 어느 한쪽 표면에 발생되는 스트릭과 글래스 기판(100)의 양쪽 표면에 발생되는 코드 불량으로 구분될 수 있다.That is, as shown in FIG. 2B, the uriri 110 refers to a pattern in which a regular or irregularly protruding pattern repeatedly appears along the exposed surface of the glass substrate 100. The unery 110 may be classified into streaks generated on one exposed surface of the glass substrate 100 and code defects generated on both surfaces of the glass substrate 100.

이때, 상기 우레리(110)는 그 단면에 있어서, 글래스 기판(100)의 표면으로 부터 삼각형 형상, 반원 형상 등 다양한 형태로 발생되고 있다.At this time, the uriri 110 is generated in various forms such as a triangular shape, a semi-circular shape from the surface of the glass substrate 100 in the cross section.

상기 우네리(110)는 글래스 기판(100)의 제조 공정 특성 상 띠 형상으로 글래스 기판(100)의 가로 또는 세로 방향을 따라 전 표면에 발생된다. 이러한 우네리(110)는 글래스 기판(100)의 표면에 극히 미세하게 발생함에도 불구하고 액정표시장치를 제작 완성하고 검사 공정을 진행할 경우, 선형의 얼룩으로 발현되어 휘도 불균일에 따른 화질 저하 문제를 발생시키고 있다.The unery 110 is formed on the entire surface of the glass substrate 100 along the horizontal or vertical direction of the glass substrate 100 in the form of a band due to the manufacturing process characteristics of the glass substrate 100. Although the unery 110 is extremely finely generated on the surface of the glass substrate 100, when the fabrication of the liquid crystal display device is completed and the inspection process is performed, the unery 110 is expressed as a linear unevenness, causing a problem of deterioration in image quality due to uneven brightness. I'm making it.

특히, 상기 우네리(110)는 액정표시장치 제조 공정의 시작 단계일 뿐만 아니라 제조 단가의 큰 비중을 차지하는 글래스 기판(100)에 발생한다는 점을 고려해 볼 때, 사전에 우네리(110)의 발생 유무를 검출할 수 있는 시스템을 마련하는 것이 시급한 상황이다. 하지만, 상기 우네리(110)는 극히 미세한 스케일에서 발생된다는 점에서 문제 해결이 쉽지 않아 생산 수율에 큰 타격을 입히고 있다.In particular, in consideration of the fact that the unery 110 is generated at the glass substrate 100 which occupies a large portion of the manufacturing cost as well as at the beginning of the manufacturing process of the liquid crystal display device, the unery 110 is generated in advance. It is urgent to provide a system that can detect the presence or absence. However, since the unery 110 is generated at an extremely fine scale, it is not easy to solve the problem, thus causing a great impact on the production yield.

이러한 우네리(110)의 불량 유무를 측정하는 방식에는 접촉식 방식과 비접촉식 방식이 있다. 접촉식 방식은 하이트(height) 방식과 웨이비(waviness) 방식이 있는데, 이러한 접촉식 방식은 측정 신뢰성이 우수한 반면 글래스 기판(100)의 표면을 마모시키는 공정으로 글래스 기판(100) 자체에 손상을 입힐 수 있다는 단점을 갖고 있다.There is a contact method and a non-contact method for measuring the presence or absence of such defects of the uneri (110). The contact method has a height method and a wavyness method. The contact method has excellent measurement reliability while damaging the surface of the glass substrate 100 by damaging the surface of the glass substrate 100. It has the disadvantage of being coated.

이에 반해, 비접촉식 방식으로는 광학식 방식이 있다. 이러한 광학식 방식은 제논 램프(Xe-Lamp)를 사용하는 것이 보편화되어 있으며, 이러한 제논 램프를 이용한 광학식 방식은 비파괴 방식으로 손쉽게 우네리(110)의 발생 유무를 측정할 수 있는 장점이 있다.In contrast, there is an optical system as a non-contact system. Such an optical method is generally used to use a xenon lamp (Xe-Lamp), the optical method using such a xenon lamp has an advantage that can easily measure the presence or absence of the Uneri 110 in a non-destructive manner.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래에 따른 제논 램프를 이용한 광학식 방식에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, an optical method using a xenon lamp according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 종래에 따른 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비를 개략적으로 나타낸 도면이다.3 is a view schematically showing a uniori measuring equipment using a xenon lamp according to the prior art.

도시한 바와 같이, 종래에 따른 우네리 측정 장비(150)는 제논 램프(155)와, 상기 제논 램프(155)와 이격된 스크린(170)과, 상기 제논 램프(155)와 스크린(170)의 사이 공간에 위치하고 360도 회전이 가능한 스테이지(165)와, 상기 스테이지(165) 상부 면에 고정된 측정 글래스 기판(160)을 포함한다.As shown in the drawing, the conventional unary measuring apparatus 150 may include a xenon lamp 155, a screen 170 spaced apart from the xenon lamp 155, and the xenon lamp 155 and the screen 170. And a stage 165 positioned in an interspace and capable of rotating 360 degrees, and a measurement glass substrate 160 fixed to an upper surface of the stage 165.

이때, 상기 측정 글래스 기판(160)은 스크린(170)과 수직을 이루는 방향, 즉 제논 램프(155)의 조사 방향이 측정 글래스 기판(160)의 두께면(T)과 평행한 방향으로 조사될 수 있도록 제논 램프(155)와 측정 글래스 기판(160)과 스크린(170)을 정렬하게 된다.In this case, the measurement glass substrate 160 may be irradiated in a direction perpendicular to the screen 170, that is, the irradiation direction of the xenon lamp 155 is parallel to the thickness plane T of the measurement glass substrate 160. The xenon lamp 155, the measuring glass substrate 160, and the screen 170 are aligned.

이러한 구성을 갖는 우네리 측정 장비(150)는 제논 램프(155)를 작동시켜 측정 글래스 기판(160)에 빛을 조사하고, 측정 글래스 기판(160)을 통과한 빛이 스크린(170)에 상이 맺히도록 하는 원리를 이용한 것이다.The unery measuring device 150 having such a configuration operates the xenon lamp 155 to irradiate light onto the measuring glass substrate 160, and the light passing through the measuring glass substrate 160 forms a difference on the screen 170. The principle is to use it.

즉, 종래에 따른 우네리 측정 장비(150)에 있어서, 제논 램프(155)와 측정 글래스 기판(160)의 두께면(T)을 일렬로 배치한 상태에서는 제논 램프(155)로부터 조사된 빛이 측정 글래스 기판(160)의 두께면(T)에 의해 빛이 투과되지 못해 스크린(170)에 상이 맺히지 않게 되나, 스테이지(165)를 시계 또는 반시계 방향으로 서서히 틀어 각도 변화를 주게 되면, 제논 램프(155)로부터 조사된 빛이 측정 글래스 기판(160)의 평탄한 표면을 통과하여 스크린(170)에 상이 맺히게 된다.That is, in the conventional uneri measuring equipment 150, in the state where the thickness plane T of the xenon lamp 155 and the measurement glass substrate 160 are arranged in a line, the light irradiated from the xenon lamp 155 is When light is not transmitted by the thickness T of the measuring glass substrate 160 to prevent image formation on the screen 170, the stage 165 is gradually turned clockwise or counterclockwise to change the angle of the xenon lamp. Light irradiated from 155 passes through the flat surface of the measuring glass substrate 160 to form an image on the screen 170.

이때, 상기 스테이지(165)에 의한 측정 글래스 기판(160)의 각도 변화와 스크린(170)에 맺힌 상의 상관관계를 통해 우네리의 발생 여부를 검출할 수 있게 된다. 즉, 상기 스테이지(165)의 각도 변화에 따라 측정 글래스 기판(160)으로 조사되는 빛의 투과율 차이를 이용한 방법이라 할 수 있다.At this time, it is possible to detect whether the unori is generated through the correlation between the angle change of the measurement glass substrate 160 by the stage 165 and the image formed on the screen 170. That is, it may be referred to as a method using a difference in transmittance of light irradiated onto the measurement glass substrate 160 according to the angle change of the stage 165.

그러나, 종래의 우네리 측정 장비(150)는 육안에 의해 측정이 진행되므로 측정자에 의존적일 수 밖에 없기 때문에 우네리가 측정 글래스 기판(160)의 어느 위치에 발생된 것인 가에 대해서만 탐지할 수 있을 뿐 우네리가 측정 글래스 기판(160)의 어느 면에 발생된 것인지에 대한 판별이 불가능하다는 문제가 있다.However, since the conventional Uneri measuring equipment 150 is measured by the naked eye, it can only detect the position of the Uneri generated in the measuring glass substrate 160 because it is dependent on the measurer. In addition, there is a problem in that it is impossible to determine which side of the unery is generated on the measurement glass substrate 160.

즉, 측정 글래스 기판(160)의 어느 한쪽 표면에 우네리가 발생되는 스트릭(streak)과, 측정 글래스 기판(160)의 양쪽 표면에 발생되는 코드(cord)는 구조 및 스케일에 있어서 그 차이가 발생되는 바, 이러한 차이로 인해 액정표시장치의 양산 적용시 문제를 유발하는 경향성이 다르게 나타난다.That is, a streak in which a uni-ri occurs on one surface of the measurement glass substrate 160 and a cord generated on both surfaces of the measurement glass substrate 160 are different in structure and scale. Due to such a difference, the tendency to cause problems in mass production of the liquid crystal display device is different.

일 예로, 측정 글래스 기판(160)에 스트릭이 발생하였다고 가정했을 때, 액정표시장치의 제조 공정시 스트릭이 발생된 면을 액정층 외부에 배치시킬 경우에는 화질에 영향을 미치지 않고 있으나, 액정층의 내부에 배치시킬 경우에 액정층 내부의 굴절율에 기인하여 화질 불량 문제를 유발하고 있다.For example, assuming that streaks are generated in the measurement glass substrate 160, when the side where streaks are generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device is disposed outside the liquid crystal layer, the image quality is not affected. In the case of being disposed inside, a problem of poor image quality is caused due to the refractive index inside the liquid crystal layer.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 글래스 기판의 어느 면에 우네리가 발생된 것인가의 유무를 판별할 수 있는 우네리 측정 장비를 제공하는 것을 통해 생산 수율을 향상하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object thereof is to improve production yield by providing a uneori measuring device capable of determining whether or not unieri is generated on a glass substrate. .

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 우네리 측정 장비는 외부의 빛을 차단하는 챔버와; 상기 챔버의 내부에서 레이저를 생성하는 광원과; 상기 광원과 평행하게 이격하여 360도 회전이 가능한 스테이지에 안착된 측정 글래스 기판과; 상기 측정 글래스 기판과 평행하게 이격되고, 상기 광원으로부터 조사된 레이저를 이용하여 상기 측정 글래스 기판의 어느 표면에 미세한 굴곡으로 나타나는 우네리가 발생된 것인가를 탐지하는 광 검출기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the uneori measuring equipment includes a chamber for blocking external light; A light source for generating a laser inside the chamber; A measurement glass substrate mounted on a stage spaced in parallel with the light source and capable of rotating 360 degrees; And a photo detector spaced in parallel with the measurement glass substrate and detecting which surface of the measurement glass substrate has unevenness generated by using a laser irradiated from the light source.

상기 레이저는 300nm ~ 수mm의 파장대를 가지는 것을 특징으로 한다.The laser is characterized in that it has a wavelength range of 300nm ~ several mm.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 우네리 측정 방법은 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비를 통해 상기 측정 글래스 기판에 발생된 우네리의 위치를 확인하는 단계와; 상기 우네리가 발생된 상기 측정 글래스 기판을 스테이지를 이용하여 일정 각도로 회전시켜 가면서 상기 광원으로부터의 레이저를 상기 측정 글래스 기판에 조사하는 단계와; 상기 측정 글래스 기판을 관통한 상기 레이저를 광 검출기로 탐지하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a method for measuring the uniori generated by the uniori measuring equipment using a xenon lamp; Irradiating a laser beam from the light source onto the measurement glass substrate while rotating the measurement glass substrate on which the unery is generated at a predetermined angle using a stage; Detecting the laser beam penetrating the measurement glass substrate with a photo detector.

이때, 상기 광 검출기는 상기 측정 글래스 기판의 상부 표면에 대응된 우네리에 의한 제 1 굴절 패턴의 발생 유무와, 상기 측정 글래스 기판의 하부 표면에 대응된 우네리에 의한 제 2 굴절 패턴의 발생 유무를 검출하는 것을 통해, 상기 우네리의 종류뿐만 아니라 상기 측정 글래스 기판의 양쪽 표면 중 어느 한쪽 표면에만 발생된 것인가를 판별할 수 있는 것을 특징으로 한다.In this case, the photo detector detects whether a first refractive pattern is generated by a uni-corresponding to an upper surface of the measuring glass substrate, and whether a second refractive pattern is generated by a uni-ri corresponding to a lower surface of the measuring glass substrate. By doing so, it is possible to discriminate not only the kind of the anneal but also any one of both surfaces of the measurement glass substrate.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 예에 따른 우네리 측정 장비는 외부의 빛을 차단하는 챔버와; 상기 챔버의 내부에서 레이저를 생성하는 광원과; 상기 광원과 평행하게 이격되고, 고정식의 스테이지에 안착된 측정 글래스 기판과; 상기 측정 글래스 기판과 평행하게 이격되고, 상기 광원으로부터 조사되는 방향이 달라지는 레이저를 따라 이동하면서 상기 측정 글래스 기판의 어느 표면에 미세한 굴곡으로 나타나는 우네리가 발생된 것인가를 탐지하는 광 검출기를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a uneori measuring apparatus comprising: a chamber for blocking external light; A light source for generating a laser inside the chamber; A measurement glass substrate spaced parallel to the light source and seated on a fixed stage; And a photo detector spaced parallel to the measurement glass substrate and detecting which surface of the measurement glass substrate has unevenness generated on the surface of the measurement glass substrate while moving along a laser in which a direction irradiated from the light source is changed.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 예에 따른 우네리 측정 방법은 우네리가 발생된 측정 글래스 기판을 정렬하는 단계와; 상기 측정 글래스 기판의 우네리 발생 지점에, 레이저를 생성하는 광원을 밀착시키는 단계와; 상기 측정 글래스 기판의 우네리 발생 지점에 레이저를 조사하여, 상기 우네리에 의한 반사로 산란되는 광량과, 상기 측정 글래스 기판을 투과하는 광량을 광 검출기로 측정하는 단계를 포함한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method for measuring a uniori, comprising: arranging a measurement glass substrate on which a uniri is generated; Bringing a light source generating a laser into close contact with the unary generation point of the measurement glass substrate; Irradiating a laser to the unery generation point of the measurement glass substrate, and measuring the amount of light scattered by the reflection by the unery and the amount of light passing through the measurement glass substrate with a light detector.

본 발명에서는 첫째, 글래스 기판에 발생되는 우네리의 종류를 손쉽게 판별할 수 있어 액정표시장치의 양산 시 불량 감소에 따른 생산 수율을 개선할 수 있다.In the present invention, first, it is possible to easily determine the type of unori generated on the glass substrate, thereby improving the production yield due to the reduction of defects during mass production of the liquid crystal display device.

둘째, 비파괴 및 광학식 방식으로 측정 글래스 기판에 손상이 가해질 염려없이 우네리의 종류를 손쉽게 판별할 수 있다.Second, the non-destructive and optical method can easily determine the type of unery without fear of damage to the measurement glass substrate.

--- 제 1 실시예 ------ First Embodiment ---

본 발명의 제 1 실시예는 레이저와 광 검출기를 이용하여 우네리의 종류를 손쉽게 구별할 수 있는 우네리 측정 장비를 제공하는 것을 특징으로 한다.The first embodiment of the present invention is characterized by providing a uneori measuring equipment that can easily distinguish the type of uneori using a laser and a light detector.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 우네리 측정 장비에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings it will be described with respect to the unery measuring equipment according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 우네리 측정 장비를 개략적으로 나타낸 도면으로, 보다 상세하게는 우네리의 종류를 판별할 수 있는 우네리 측정 장비에 관한 것이고, 도 5a와 도 5b는 스트릭과 코드를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view schematically illustrating the unori measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention, and more particularly, relates to the uneri measuring apparatus capable of determining the type of uneri, and FIGS. 5A and 5B A diagram for explaining the trick and code.

도 4, 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 우네리 측정 장비(200)는 외부의 빛을 차단하는 챔버(205)와, 상기 챔버(205) 내부의 일 측에서 레이저(L)를 생성하는 광원(220)과, 상기 광원(220)과 이격된 광 검출기(250)와, 상기 광원(220) 및 광 검출기(250)와 평행하게 이격된 사이 공간에 위치하는 측정 글래스 기판(240)을 포함한다.As shown in FIGS. 4, 5A, and 5B, the unary measuring apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention includes a chamber 205 for blocking external light and an inside of the chamber 205. In the space between the light source 220 for generating a laser (L) on one side, the light detector 250 spaced apart from the light source 220, and the light source 220 and the light detector 250 spaced in parallel The measuring glass substrate 240 is located.

상기 챔버(205)는 외부의 빛을 차단하여 외부의 빛에 의한 간섭 효과에 의한 노이즈(noise)의 발생을 방지하는 역할을 한다.The chamber 205 blocks external light to prevent generation of noise due to an interference effect by external light.

상기 광원(220)은 단일 파장의 레이저가 이용되는 데, 이러한 레이저(L)는 기체 레이저, 고체 레이저, 액체 레이저 및 반도체 레이저를 포함한다. 즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 우네리 측정 장비(200)는 레이저(L)를 이용한 광학식 및 비촉식 방식이다.The light source 220 uses a single wavelength laser, which includes a gas laser, a solid laser, a liquid laser, and a semiconductor laser. That is, the unary measuring apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention is an optical and non-tactile method using the laser (L).

상기 레이저(L)는 유도방출에 의해 빛을 증폭시키는 원리를 이용한 것으로, 매우 깨끗한 컬러의 단색광을 띠고, 파동이 평행하게 진행하며 다른 방향으로는 분기되지 않는 직진성을 나타낼 뿐만 아니라, 같은 방향에 있으면서 같은 형태의 파동을 갖는 것과는 서로 간섭성을 나타내는 특성이 있다.The laser (L) uses a principle of amplifying light by induced emission, and has a monochromatic light of a very clean color, the waves proceed in parallel and show a straightness that does not branch in the other direction, while being in the same direction. Those having the same type of wave have the characteristic of exhibiting interference with each other.

이때, 300nm 이하의 초 단파장의 레이저(L)는 측정 글래스 기판(240)에 모두 흡수될 수 있으므로, 300nm ~ 수mm의 파장대를 가지는 레이저(L)를 광원(220)으로 이용하는 것이 바람직하다.At this time, since the laser L having an ultra short wavelength of 300 nm or less can be absorbed by the measurement glass substrate 240, it is preferable to use the laser L having a wavelength band of 300 nm to several mm as the light source 220.

이와 같이, 단일 파장으로 구성된 레이저(L)를 광원(220)으로 사용할 경우, 상기 레이저(L)가 측정 글래스 기판(240)의 통과시 측정 글래스 기판(240)의 미세한 굴곡으로 발생되는 우네리(210)에 의해 빛의 경로가 민감해지는 것을 이용하여 측정 글래스 기판(240)의 어느 한쪽 면에 우네리(210)가 발생되는 스트릭(streak)과 측정 글래스 기판(240)의 양쪽 면에 우네리(210)가 발생되는 코드(cord)를 손쉽게 구별할 수 있게 되고, 나아가 스트릭이 측정 글래스 기판(240)의 어느 면에 발생된 것인가에 대한 정보까지 판별할 수 있게 된다.As such, when the laser L configured as a single wavelength is used as the light source 220, the laser L is generated by minute bending of the measurement glass substrate 240 when passing through the measurement glass substrate 240. By using the sensitivity of the light path by the light source 210, the streaks are generated on either side of the measurement glass substrate 240 and the uniaries on both sides of the measurement glass substrate 240. Codes 210 generated can be easily distinguished, and information on which side of the measurement glass substrate 240 is generated can be discriminated.

즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 우네리 측정 장비(200)는 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비(도 3의 150)를 통해 측정 글래스 기판(240)의 어느 위치에 우네리(210)가 존재하는지 파악한 후, 측정 글래스 기판(240)의 어느 면에 우네 리(210)가 발생된 것인가에 대한 판단과 스트릭과 코드를 판별하기 위한 목적으로 사용하게 된다.That is, the unery measuring device 200 according to the first exemplary embodiment of the present invention may have the unery 210 at any position of the measurement glass substrate 240 through the unery measuring device 150 of FIG. 3. After determining whether there is a, it is used for the purpose of determining the streaks and codes as well as the determination of which side 210 is generated on which side of the measurement glass substrate 240.

이러한 우네리(210)는 통상 0.7mm의 두께(t)를 갖는 측정 글래스 기판(240)의 표면에서 20nm이하의 높이(H)를 가지며 띠 형태로 발생된다. 이때, 도 5a는 측정 글래스 기판(240)의 노출된 어느 한 표면에서 규칙 또는 불규칙적으로 돌출된 형태의 우네리(210)가 발생된 스트릭(streak)을 나타낸 것이고, 도 5b는 측정 글래스 기판(240)의 노출된 양쪽 표면에서 규칙 또는 불규칙적으로 돌출된 형태의 우네리(210)가 발생된 코드(cord)를 나타낸 것이다.The unery 210 has a height H of 20 nm or less on the surface of the measurement glass substrate 240 having a thickness t of 0.7 mm and is generated in the form of a band. In this case, FIG. 5A illustrates a streak in which the unery 210 having a regular or irregular shape is protruded from one exposed surface of the measurement glass substrate 240, and FIG. 5B is a measurement glass substrate 240. ) Shows a cord in which the unery 210 of a regular or irregularly protruding shape is generated on both exposed surfaces of the < RTI ID = 0.0 >

이러한 스트릭은 10~20nm의 높이(H), 10~20nm의 폭(W)으로 발생되고, 코드는 10nm 이하의 높이(H), 5nm 이하의 폭(W)으로 발생되고 있다.Such streaks are generated with a height H of 10 to 20 nm and a width W of 10 to 20 nm, and a cord is generated with a height H of 10 nm or less and a width W of 5 nm or less.

도 6과 도 7은 스트릭과 코드의 검출 예시를 설명하기 위한 각각의 도면으로, 이를 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다.6 and 7 are diagrams for describing examples of detecting a streak and a code, which will be described in more detail with reference to the drawings.

우선 도 6에 도시한 바와 같이, 측정 글래스 기판(240)의 두께(t)는 0.7mm, 챔버(도 4의 205) 내의 굴절율(n1)은 1, 측정 글래스 기판(240) 내의 굴절율(n2)은 1.5라고 가정했을 때, 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비를 통해 우네리(210)가 존재하는 위치를 확인한 후, 광원(도 4의 220)과 측정 글래스 기판(240)과 광 검출기(도 4의 250)를 각각 평행하게 고정된 상태로 배치한 상태에서, 광원으로부터의 레이저(L)를 측정 글래스 기판(240)으로 조사하게 된다.First, as shown in FIG. 6, the thickness t of the measuring glass substrate 240 is 0.7 mm, the refractive index n 1 in the chamber 205 of FIG. 4 is 1, and the refractive index n in the measuring glass substrate 240 is shown. 2 ) is assumed to be 1.5, and after confirming the location of the unery 210 through the unery measuring equipment using the xenon lamp, the light source (220 of FIG. 4), the measuring glass substrate 240 and the light detector ( In the state where 250 of FIG. 4 is arranged in parallel and fixed to each other, the laser L from the light source is irradiated onto the measuring glass substrate 240.

이때, 상기 측정 글래스 기판(240) 내부의 굴절율에 의한 굴절 효과는 무시 하기로 하고, 상기 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에 우네리(210)가 존재한다고 가정했을 때, 상기 레이저(L) 중 우네리(210)에 대응하여 조사되는 레이저(L)는 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에 위치하는 우네리(210)에 의해 측정 글래스 기판(240)의 내부와 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면을 통과하면서 제 1 굴절 패턴(R1)으로 굴절될 것이고, 이를 제외한 레이저(L)는 굴절 변화 없이 측정 글래스 기판(240)을 그대로 통과할 것이다.In this case, the refractive effect due to the refractive index inside the measurement glass substrate 240 will be ignored, and it is assumed that the uneori 210 is present on the upper surface of the measurement glass substrate 240. The laser L irradiated corresponding to the unery 210 is inside the measurement glass substrate 240 and the measurement glass substrate 240 by the unery 210 positioned on the upper surface of the measurement glass substrate 240. The laser will be refracted by the first refraction pattern R 1 while passing through the lower surface of the laser beam. The laser L will pass through the measurement glass substrate 240 without changing the refraction.

또한, 상기 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면에 우네리(240)가 존재할 경우, 상기 레이저(L)는 측정 글래스 기판(240)의 내부를 그대로 통과한 상태에서 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면에 위치하는 우네리(210)에 의해 제 2 굴절 패턴(R2)으로 굴절될 것인 바, 전술한 제 1 굴절 패턴(R1)과 제 2 굴절 패턴(R2)을 광 검출기(도 4의 250)로 탐지하는 것을 통해 측정 글래스 기판(240)의 어느 면에 우네리(210)가 발생된 것인지를 판별할 수 있게 된다.In addition, when the unery 240 is present on the lower surface of the measurement glass substrate 240, the laser L passes through the inside of the measurement glass substrate 240 as it is, and the lower portion of the measurement glass substrate 240 is present. The first refraction pattern R 1 and the second refraction pattern R 2 will be refracted by the second refraction pattern R 2 by the unery 210 positioned on the surface. By detecting the 250 of 4, it is possible to determine which side of the measuring glass substrate 240 has the unery 210 generated.

즉, 측정 글래스 기판(240)의 어느 한쪽 표면에 발생되는 스트릭과 측정 글래스 기판(240)의 양쪽 표면에 발생되는 코드는 제 1 및 제 2 굴절 패턴(R1, R2) 간의 뚜렷한 광 경로 차이를 나타내는 바, 이러한 광 경로 차이를 광 검출기로 탐지하여 우네리(210)의 종류를 파악할 수 있게 되고, 나아가 측정 글래스 기판(240)의 어느 면에 우네리(210)가 발생된 것인가를 판별할 수 있게 된다.That is, the streaks generated on one surface of the measurement glass substrate 240 and the codes generated on both surfaces of the measurement glass substrate 240 are the first and second refractive patterns R 1 ,. R 2 ) shows a distinct optical path difference, and the optical path difference can be detected by a light detector to determine the type of the unori 210. Furthermore, the unil 210 is formed on either side of the measurement glass substrate 240. ) Can be determined.

그러나, 이러한 우네리(210)의 높이는 대략 10 ~ 20nm의 미세한 스케일에서 발생된다는 것을 감안해 볼 때, 우네리(210)의 높이에 비해 레이저(L)의 파장대가 더 길어 측정 글래스 기판(240)을 통과하는 레이저(L)의 강도 변화가 크지 않다는 문제로 미세한 강도 변화를 광 검출기로 탐지하는 데 한계가 있다.However, considering that the height of the unery 210 is generated at a fine scale of approximately 10 to 20 nm, the wavelength range of the laser L is longer than that of the unery 210, so that the measurement glass substrate 240 is closed. Due to the problem that the intensity change of the laser L passing through is not large, there is a limit in detecting the minute intensity change with the light detector.

따라서, 본 발명의 제 1 실시예에서는 스캔 방식을 도입하여 우네리의 종류를 손쉽게 탐지할 수 있는 것을 특징으로 하는 바, 이에 대해서는 도 7을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다.Therefore, the first embodiment of the present invention is characterized by being able to easily detect the type of unery by introducing a scanning method, which will be described in more detail with reference to FIG. 7.

도 7에 도시한 바와 같이, 측정 글래스 기판(240)의 두께(t)는 0.7mm, 챔버(205) 내의 굴절율(n1)은 1, 측정 글래스 기판(240) 내의 굴절율(n2)은 1.5라고 가정했을 때, 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비를 통해 우네리(210)가 존재하는 위치를 확인한 후, 스테이지(도 4의 230)를 일정 각도로 회전시켜 측정 글래스 기판(240)을 스캔 방식으로 탐지하는 것을 특징으로 한다. 이때, 도면 좌측 상단에 위치하는 화살표는 스캔 방향을 나타낸다.As shown in FIG. 7, the thickness t of the measuring glass substrate 240 is 0.7 mm, the refractive index n 1 in the chamber 205 is 1, and the refractive index n 2 in the measuring glass substrate 240 is 1.5. Assume that, after confirming the position where the uneri 210 is present through the uneri measuring equipment using a xenon lamp, by rotating the stage (230 of FIG. 4) at a predetermined angle to scan the measurement glass substrate 240 It is characterized by detecting. At this time, the arrow located in the upper left of the figure indicates the scanning direction.

이와 같이 스캔 방식으로 탐지할 경우, 상기 측정 글래스 기판(240)의 양쪽 표면에 우네리(210)가 발생되는 코드에서는 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에 대응된 우네리(210)에 의한 제 1 굴절 패턴(R1)과, 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면에 대응된 우네리(210)에 의한 제 2 굴절 패턴(R2)이 각각 검출될 것이고, 이와 달리 측정 글래스 기판(240)의 어느 한 표면에 우네리(210)가 발생되는 스트릭에서는 측정 글래스 기판(240)의 상부와 하부 중 어느 한 표면에 위치하는 우네리에 의한 굴절 패턴으로 레이저(L)의 강도 변화가 1번 발생할 것인바, 이러한 레이저(L)의 굴절 패턴에 의한 광 경로 차이를 광 검출기(도 4의 250)를 통해 판별할 수 있 게 된다.When the detection is performed by the scanning method as described above, in the code in which the uneries 210 are generated on both surfaces of the measurement glass substrate 240, the first and second surfaces of the measurement glass substrate 240 are formed by the uneries 210 corresponding to the upper surface of the measurement glass substrate 240. The first refraction pattern R 1 and the second refraction pattern R 2 by the unery 210 corresponding to the lower surface of the measurement glass substrate 240 will be respectively detected, whereas the measurement glass substrate 240 is different. In the streaks in which the unery 210 is generated on one surface of the surface, the intensity change of the laser L is generated once by a refractive pattern caused by the unery located on one of the upper and lower surfaces of the measurement glass substrate 240. Invar, the optical path difference due to the refraction pattern of the laser L can be determined through the photo detector 250 (see FIG. 4).

이때, 상기 코드의 경우, 제 1 굴절 패턴(R1)과 제 2 굴절 패턴(R2) 간에는 일정한 이격 거리(D, 대략 0.374mm)를 두고 각각 검출될 것인바, 이러한 이격 거리(D)를 고려하여 광 검출기로 탐지하게 된다.In this case, the code may be detected between the first refraction pattern R 1 and the second refraction pattern R 2 with a predetermined distance D (about 0.374 mm), and thus the distance D is determined. In consideration of the detection by the light detector.

이를 상세히 설명하면, 만약 측정 글래스 기판(240)에 우네리(210)가 존재하지 않는다고 가정했을 때, 광원(도 4의 220)으로부터의 제 1, 제 2, 제 3 레이저(L1, L2, L3)가 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에 입사될 때 제 1, 제 2, 제 3 레이저(L1, L2, L3)와 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면은 모두 동일한 제 1 각도(θ1)를 이루게 되고, 제 1, 제 2, 제 3 레이저(L1, L2, L3)는 굴절율이 다른 측정 글래스 기판(240)의 내부를 통과하면서 측정 글래스 기판(240)과 수직한 제 1, 제 2 법선(VL1, VL2)과 모두 동일한 제 2 각도(θ2)를 이루게 되며, 상기 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면을 완전히 통과하면서 제 1, 제 2, 제 3 레이저(L1, L2, L3)는 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면과 제 3 각도(θ3)를 이루게 된다. 이때, 제 1, 제 2, 제 3 레이저(L1, L2, L3)는 굴절율이 다른 매질, 즉 측정 글래스 기판(240)을 관통하기 때문에 제 1 각도(θ1), 제 2 각도(θ2), 제 3 각도(θ3)는 서로 다른 값을 가지게 된다.In detail, the first, second, and third lasers L1, L2, and L3 from the light source 220 of FIG. 4, assuming that the unerie 210 is not present in the measurement glass substrate 240, may be described. Is incident on the upper surface of the measuring glass substrate 240, the first, second and third lasers L1, L2, L3 and the upper surface of the measuring glass substrate 240 are all the same first angle θ 1. And the first, second, and third lasers L1, L2, and L3 pass through the inside of the measurement glass substrate 240 having different refractive indices, and are perpendicular to the measurement glass substrate 240. The first angles θ 2 are the same as those of the normal lines VL1 and VL2, and the first, second, and third lasers L1, L2, and L3 pass through the lower surface of the measurement glass substrate 240. Is a third angle θ 3 with the lower surface of the measurement glass substrate 240. In this case, since the first, second, and third lasers L1, L2, and L3 pass through a medium having different refractive indices, that is, the measurement glass substrate 240, the first angle θ 1 and the second angle θ 2 . , The third angle θ 3 has different values.

이때, 상기 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에 미세한 굴곡으로 나타나는 우네리(210)가 존재한다면, 제 1 각도(θ1)로 입사되는 제 1, 제 2 레이저(L1, L2) 는 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면을 통과하면서 제 2 각도(θ2)로 굴절될 것이나, 제 3 레이저(L3)는 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에 위치하는 우네리(210)의 굴곡에 의해 제 2 각도(θ2)가 아닌 제 2a 각도(θ2a)로 굴절될 것이고, 이러한 제 2a 각도(θ2a)는 측정 글래스 기판(240)을 빠져 나오면서 제 3 각도(θ3)가 아닌 제 3a 각도(θ3a)로 굴절될 것인 바, 이러한 각도 변화에 따른 제 3 레이저(L3)의 강도 변화를 광 검출기로 탐지하게 된다. 즉, 상기 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에 위치하는 우네리(210)에 의한 제 3 레이저(L3)의 제 1 굴절 패턴(R1)을 광 검출기로 탐지하게 된다.At this time, if there is the unery 210 represented by minute bending on the upper surface of the measurement glass substrate 240, the first and second lasers L1 and L2 incident at the first angle θ 1 may be measured glass. While passing through the upper surface of the substrate 240 will be refracted at the second angle θ 2 , but the third laser L3 is bent by the bending of the anneal 210 located on the upper surface of the measurement glass substrate 240. second angle will be refracted at the 2a angle (θ 2a) instead of (θ 2), this first 2a angle (θ 2a) is naohmyeonseo through the measuring glass substrate 240, the third angle (θ 3) is the 3a, not As the angle θ 3a is refracted, the intensity change of the third laser L3 according to the angle change is detected by the light detector. That is, the first refraction pattern R 1 of the third laser L3 is detected by the photodetector by the unary 210 positioned on the upper surface of the measurement glass substrate 240.

또한, 상기 측정 글래스 기판(240)의 하부 면에도 우네리(210)가 존재한다면, 제 1 각도(θ1)로 입사되는 제 1, 제 2, 제 3 레이저(L1, L2, L3)는 측정 글래스 기판(240)의 내부를 통과하면서 제 2 각도(θ2)로 굴절될 것이고, 상기 제 2, 제 3 레이저(L2, L3)는 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면을 통과하면서 제 3 각도(θ3)로 굴절될 것이나, 상기 제 1 레이저(L1)는 제 2 법선(VL2)에 대응된 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면에 위치하는 우네리(210)에 의해 제 3 각도(θ3)가 아닌 제 3b 각도(θ3b)로 굴절될 것이다. 즉, 상기 측정 글래스 기판(240)의 하부 표면에 위치하는 우네리(210)에 의한 제 1 레이저(L1)의 제 2 굴절 패턴(R2)을 광 검출기로 탐지하게 된다.In addition, if the anneal 210 is present on the lower surface of the measurement glass substrate 240, the first, second, and third lasers L1, L2, and L3 incident at the first angle θ 1 may be measured. while passing through the inside of the glass substrate 240 will be refracted by the second angle (θ 2), the second, the third laser (L2, L3), the angle 3 while passing through the lower surface of the measuring glass substrate 240 The first laser L1 may be refracted by (θ 3 ), but the first laser L1 may be refracted by the anneal 210 positioned on the lower surface of the measurement glass substrate 240 corresponding to the second normal VL2. Will be refracted at a third angle θ 3b rather than 3 ). That is, the second refraction pattern R 2 of the first laser L1 is detected by the photodetector by the anneal 210 positioned on the lower surface of the measurement glass substrate 240.

따라서, 전술한 스캔 방식에 따르면, 우네리(210)가 측정 글래스 기판(240)의 상부 표면에만 존재할 때, 하부 표면에만 존재할 때, 상부 표면과 하부 표면에 모두 존재할 때의 각 레이저의 강도 변화가 각각 다르게 나타날 것인 바, 이러한 강도 변화를 광 검출기로 탐지하는 것을 통해 측정 글래스 기판(240)의 어느 면에 우네리(210)가 발생된 것인지의 판단뿐만 아니라 우네리(210)의 종류까지 판별하는 것이 가능해진다.Therefore, according to the above-described scanning method, when the unery 210 is present only on the upper surface of the measurement glass substrate 240, when it exists only on the lower surface, there is a change in intensity of each laser when it exists on both the upper surface and the lower surface. As it will be different from each other, by detecting the intensity change with a light detector, not only the determination of which side of the unery 210 is generated on the measurement glass substrate 240 but also the type of the unery 210 is determined. It becomes possible.

전술한 스캔 타입으로 스트릭과 코드를 구별할 수 있는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 우네리 측정 장비는 두 가지 방식 중 어느 하나가 이용될 수 있다.In the unary measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention, which can distinguish a streak and a code by the above-described scan type, any one of two methods may be used.

도 8은 스캔 방식으로 진행되는 우네리 측정 장비의 제 1 방식과 제 2 방식을 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating a first method and a second method of the unori measurement equipment performed by a scan method.

도면 좌측에 도시한 바와 같이, 제 1 방식은 챔버(205) 내부의 광원(220)과 광 검출기(250)를 고정된 상태로 유지하고, 360도 회전이 가능한 스테이지(230) 상부에 위치하는 측정 글래스 기판(240)을 스캔 방식으로 이동시켜 가면서 광원(220)으로부터의 레이저(L)를 측정 글래스 기판(240)에 조사하여 우네리(210)의 종류를 탐지하게 된다.As shown in the left side of the figure, the first method is to measure the light source 220 and the light detector 250 inside the chamber 205 fixed state, and is located on the stage 230 that can be rotated 360 degrees While moving the glass substrate 240 in a scanning manner, the laser L from the light source 220 is irradiated onto the measuring glass substrate 240 to detect the type of the unery 210.

또한, 도면 우측에 도시한 바와 같이, 제 2 방식은 챔버(205) 내부에 측정 글래스 기판(240)이 안착되는 스테이지(230)를 고정된 상태로 유지하고, 광원(220)과 광 검출기(250)를 각각 이동시켜 가면서 광원(220)으로부터의 레이저(L)를 측정 글래스 기판(240)에 스캔 방식으로 조사하여 우네리(240)의 종류를 탐지하게 된다.In addition, as shown in the right side of the drawing, the second method maintains the stage 230 in which the measurement glass substrate 240 is seated in the chamber 205 in a fixed state, and the light source 220 and the photo detector 250. The laser light from the light source 220 is irradiated to the measurement glass substrate 240 in a scanning manner to move the respective light waves 220 to detect the type of the unori 240.

따라서, 본 발명의 제 1 실시예에서는 간단한 장비 도입으로 우네리의 종류 를 손쉽게 판별할 수 있게 되는 바, 사전에 양산 적용 여부의 판단이 가능해지므로 생산 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.Therefore, in the first embodiment of the present invention, it is possible to easily determine the type of unori by the introduction of simple equipment, and thus it is possible to determine whether the mass production is applied in advance, thereby improving the production yield.

--- 제 2 실시예 ------ Second Embodiment ---

본 발명의 제 2 실시예는 섈로우 리플렉션법을 이용하여 측정 글래스 기판에 발생되는 우네리의 종류를 손쉽게 파악할 수 있는 것을 특징으로 한다.The second embodiment of the present invention is characterized in that it is possible to easily grasp the kind of unori generated on the measuring glass substrate by using the fellow reflection method.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 섈로우 리플렉션법을 이용한 우네리 측정 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 10a와 도 10b는 우네리 측정 방법의 일 예를 설명하기 위한 각각의 도면으로, 이를 참조하여 상세히 설명하도록 한다.FIG. 9 is a view for explaining a method of measuring uneori using the fellow reflection method according to the second embodiment of the present invention, and FIGS. 10A and 10B are respective views for explaining an example of the method of measuring uneori. This will be described in detail with reference to this.

우선, 도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 섈로우 리플렉션법은 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비(도 3의 150)로 우네리(310)의 위치를 확인한 후, 우네리(310)가 위치하는 측정 글래스 기판(340)에 광원(320)을 밀착시키고, 광원(320)으로부터의 레이저(L)를 측정 글래스 기판(340)에 직접 조사하게 된다.First, as shown in FIG. 9, in the Fellow Reflection Method according to the second embodiment of the present invention, after confirming the position of the unery 310 by using the unery measuring apparatus 150 of FIG. 3 using a xenon lamp, The light source 320 is in close contact with the measurement glass substrate 340 on which the unery 310 is located, and the laser L from the light source 320 is directly irradiated on the measurement glass substrate 340.

이때, 측정 글래스 기판(340)의 어느 한 표면이나 양 표면에 우네리(310)가 존재할 것이므로, 이러한 우네리(310)에 의한 반사 효과로 산란되는 광량과 측정 글래스 기판(340)을 투과하는 광량 간의 차이를 광 검출기(미도시)를 이용하여 탐지하는 것을 통해 우네리(310)의 종류를 구별할 수 있게 된다.In this case, since the unery 310 may exist on one or both surfaces of the measurement glass substrate 340, the amount of light scattered by the reflection effect by the unery 310 and the amount of light passing through the measurement glass substrate 340. By detecting the difference using a light detector (not shown), it is possible to distinguish the type of unery 310.

도 10a와 도 10b에 각각 도시한 바와 같이, 측정 글래스 기판(340)의 상부 표면에만 우네리(310)가 존재할 때, 측정 글래스 기판(340)의 하부 표면에만 우네 리(340)가 존재할 때, 도면으로 제시하는 않았지만, 측정 글래스 기판(340)의 상부 면과 하부 표면에 우네리(310)가 모두 존재할 때, 광원(320)으로부터 조사된 레이저(L)의 산란광(SL)과 투과광(TL)의 광량은 서로 상이할 것인 바, 이러한 산란광(SL)과 투과광(TL)의 광량을 광 검출기를 이용하여 각각 검출하는 것을 통해 측정 글래스 기판(340)의 어느 면에 우네리(310)가 발생된 것인가에 대한 판단과 우네리(310)의 종류를 손쉽게 판별할 수 있게 된다.As shown in FIGS. 10A and 10B, when the unery 310 exists only on the upper surface of the measurement glass substrate 340, and when the unery 340 exists only on the lower surface of the measurement glass substrate 340, Although not shown in the drawings, when both the unery 310 is present on the upper and lower surfaces of the measurement glass substrate 340, the scattered light SL and the transmitted light TL of the laser L irradiated from the light source 320 are present. Since the amount of light may be different from each other, the unery 310 is generated on either side of the measurement glass substrate 340 by detecting the light amount of the scattered light SL and the transmitted light TL using a light detector. It is possible to easily determine whether the determination and the type of unery 310.

따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 섈로우 리플렉션법을 이용하여 우네리의 종류를 손쉽게 탐지할 수 있는 장점이 있다.Therefore, in the second embodiment of the present invention, there is an advantage in that the type of unori can be easily detected by using the fellow reflection method.

그러나, 본 발명은 상기 제 1 및 제 2 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변형 및 변경할 수 있다는 것은 자명한 사실일 것이다.However, the present invention is not limited to the first and second embodiments, and it will be apparent that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and the spirit of the present invention.

도 1은 종래에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to the related art.

도 2a는 우네리가 발생된 글래스 기판을 나타낸 평면도.FIG. 2A is a plan view illustrating a glass substrate on which unery is generated. FIG.

도 2b는 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도.FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 2A;

도 3은 종래에 따른 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비를 개략적으로 나타낸 도면.Figure 3 is a schematic view showing the uneori measuring equipment using a xenon lamp according to the prior art.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 우네리 측정 장비를 개략적으로 나타낸 도면.4 is a schematic view of the unori measuring equipment according to the first embodiment of the present invention.

도 5a와 도 5b는 스트릭과 코드를 설명하기 위한 도면.5A and 5B are diagrams for explaining streaks and codes.

도 6과 도 7은 스트릭과 코드의 검출 예시를 설명하기 위한 각각의 도면.6 and 7 are diagrams for explaining examples of detecting a streak and a code.

도 8은 스캔 방식으로 진행되는 우네리 측정 장비의 제 1 방식과 제 2 방식을 나타낸 도면.FIG. 8 is a diagram illustrating a first method and a second method of the unori measuring equipment performed by a scan method. FIG.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 섈로우 리플렉션법을 이용한 우네리 측정방법을 설명하기 위한 도면.9 is a view for explaining a method of measuring unori using the fellow reflection method according to the second embodiment of the present invention.

도 10a와 도 10b는 우네리 측정방법의 일 예를 설명하기 위한 각각의 도면.10A and 10B are diagrams for explaining an example of the method for measuring unori;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *

200 : 우네리 측정 장비 205 : 챔버200: Woori measurement equipment 205: chamber

210 : 우네리 220 : 광원210: Uneri 220: light source

230 : 스테이지 240 : 측정 글래스 기판230: stage 240: measuring glass substrate

250 : 광 검출기 L : 레이저250: light detector L: laser

Claims (6)

외부의 빛을 차단하는 챔버와;A chamber for blocking external light; 상기 챔버의 내부에서 레이저를 생성하는 광원과;A light source for generating a laser inside the chamber; 상기 광원과 평행하게 이격하여 360도 회전이 가능한 스테이지에 안착된 측정 글래스 기판과;A measurement glass substrate mounted on a stage spaced in parallel with the light source and capable of rotating 360 degrees; 상기 측정 글래스 기판과 평행하게 이격되고, 상기 광원으로부터 조사된 레이저를 이용하여 상기 측정 글래스 기판의 어느 표면에 미세한 굴곡으로 나타나는 우네리가 발생된 것인가를 탐지하는 광 검출기A photodetector spaced parallel to the measurement glass substrate and detecting which surface of the measurement glass substrate has unevenness generated on the surface of the measurement glass substrate using a laser irradiated from the light source 를 포함하는 우네리 측정 장비.Uneri measuring equipment comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저는 300nm ~ 수mm의 파장대를 가지는 것을 특징으로 하는 우네리 측정 장비.The laser measuring equipment has a wavelength range of 300nm ~ several mm. 광원과 측정 글래스 기판과 광 검출기를 포함하는 우네리 측정 장비에 있어서,In the Uneri measuring equipment comprising a light source, a measuring glass substrate and a photo detector, 제논 램프를 이용한 우네리 측정 장비를 통해 상기 측정 글래스 기판에 발생된 우네리의 위치를 확인하는 단계와;Confirming the position of the unery generated on the measuring glass substrate through the unery measuring apparatus using a xenon lamp; 상기 우네리가 발생된 상기 측정 글래스 기판을 스테이지를 이용하여 일정 각도로 회전시켜 가면서 상기 광원으로부터의 레이저를 상기 측정 글래스 기판에 조사하는 단계와;Irradiating a laser beam from the light source onto the measurement glass substrate while rotating the measurement glass substrate on which the unery is generated at a predetermined angle using a stage; 상기 측정 글래스 기판을 관통한 상기 레이저를 광 검출기로 탐지하는 단계Detecting the laser penetrating the measuring glass substrate with a photo detector 를 포함하는 우네리 측정 방법.Unori measuring method comprising a. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 광 검출기는 상기 측정 글래스 기판의 상부 표면에 대응된 우네리에 의한 제 1 굴절 패턴의 발생 유무와, 상기 측정 글래스 기판의 하부 표면에 대응된 우네리에 의한 제 2 굴절 패턴의 발생 유무를 검출하는 것을 통해, 상기 우네리의 종류뿐만 아니라 상기 측정 글래스 기판의 양쪽 표면 중 어느 한쪽 표면에만 발생된 것인가를 판별할 수 있는 것을 특징으로 하는 우네리 측정 방법.The photo detector detects whether a first refractive pattern is generated by a uni-corresponding to an upper surface of the measuring glass substrate, and detects whether a second refractive pattern is generated by a uni-corridor corresponding to a lower surface of the measuring glass substrate. Through this, it is possible to discriminate not only the type of the unary but also any one of both surfaces of the measurement glass substrate. 외부의 빛을 차단하는 챔버와;A chamber for blocking external light; 상기 챔버의 내부에서 레이저를 생성하는 광원과;A light source for generating a laser inside the chamber; 상기 광원과 평행하게 이격되고, 고정식의 스테이지에 안착된 측정 글래스 기판과;A measurement glass substrate spaced parallel to the light source and seated on a fixed stage; 상기 측정 글래스 기판과 평행하게 이격되고, 상기 광원으로부터 조사되는 방향이 달라지는 레이저를 따라 이동하면서 상기 측정 글래스 기판의 어느 표면에 미세한 굴곡으로 나타나는 우네리가 발생된 것인가를 탐지하는 광 검출기A photodetector spaced parallel to the measurement glass substrate and detecting along which surface of the measurement glass substrate a fine curve occurs while moving along a laser in which the direction irradiated from the light source changes; 를 포함하는 우네리 측정 장비.Uneri measuring equipment comprising a. 우네리가 발생된 측정 글래스 기판을 정렬하는 단계와;Aligning the measurement glass substrate on which the uneri is generated; 상기 측정 글래스 기판의 우네리 발생 지점에, 레이저를 생성하는 광원을 밀 착시키는 단계와;Bringing a light source generating a laser into close contact with the unary generation point of the measurement glass substrate; 상기 측정 글래스 기판의 우네리 발생 지점에 레이저를 조사하여, 상기 우네리에 의한 반사로 산란되는 광량과, 상기 측정 글래스 기판을 투과하는 광량을 광 검출기로 측정하는 단계Irradiating a laser spot to the unery generation point of the measurement glass substrate, and measuring the amount of light scattered by the reflection by the unery and the amount of light passing through the measurement glass substrate with a light detector. 를 포함하는 우네리 측정 방법.Unori measuring method comprising a.
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