KR20090123539A - 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법 - Google Patents
광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090123539A KR20090123539A KR1020080049677A KR20080049677A KR20090123539A KR 20090123539 A KR20090123539 A KR 20090123539A KR 1020080049677 A KR1020080049677 A KR 1020080049677A KR 20080049677 A KR20080049677 A KR 20080049677A KR 20090123539 A KR20090123539 A KR 20090123539A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- variable resistance
- charge
- image sensor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 150000004032 porphyrins Chemical group 0.000 claims description 6
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZXAEJGHNXJTSE-UHFFFAOYSA-N 7-(ethylamino)-4,6-dimethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(C)C2=C1C=C(NCC)C(C)=C2 QZXAEJGHNXJTSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Courmarin 47 Chemical compound 0.000 description 2
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHXMPURWMSJENN-UHFFFAOYSA-N coumarin 480 Chemical compound C12=C3CCCN2CCCC1=CC1=C3OC(=O)C=C1C XHXMPURWMSJENN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 2
- 229920001485 poly(butyl acrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 2
- HTNRBNPBWAFIKA-UHFFFAOYSA-M rhodamine 700 perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.C1CCN2CCCC3=C2C1=C1OC2=C(CCC4)C5=[N+]4CCCC5=CC2=C(C(F)(F)F)C1=C3 HTNRBNPBWAFIKA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
- H10K30/211—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법에 관하여 개시된다. 개시된 광검출 분자를 이용한 이미지 센서는: 나란하게 배치된 복수의 제1전극과, 상기 제1전극의 상방에서 상기 제1전극에 대해서 직교하는 방향으로 나란하게 배치된 복수의 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극이 교차하는 영역에 형성된 서브픽셀;을 구비한다. 상기 서브픽셀은, 정해진 파장을 가진 광을 흡수하여 전하를 형성하는 감광분자층; 상기 감광분자층으로부터 상기 전하를 받아서, 상기 제1전극 및 제2전극에 인가된 전압에 의해서 복수의 광전자를 형성하는 전하생성층; 및 상기 전하생성층으로부터 생성된 상기 광전자에 의해 그 전기적 상태가 변하는 가변저항층;을 구비한다.
Description
본 발명은 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법에 관한 것이다.
컬러 이미지센서는 빛을 감지하여 전기적인 신호로 변환하는 광전 변환 소자이다. 일반적인 이미지센서는 반도체 기판 상에 행렬로 배열되는 복수개의 단위 픽셀을 구비한다. 각각의 단위 픽셀은 포토다이오드 및 트랜지스터들을 구비한다. 상기 포토다이오드는 외부로부터 빛을 감지하여 광전하를 생성하여 저장한다. 상기 트랜지스터들은 생성된 광전하의 전하량에 따른 전기적인 신호를 출력한다.
CMOS(상보성금속산화물반도체, Complimentary Metal Oxide Semiconductor) 이미지센서는 광 신호를 수신하여 저장할 수 있는 포토다이오드를 포함하고, 또한 광 신호를 제어 또는 처리할 수 있는 제어소자를 사용하여 이미지를 구현할 수 있다. 제어소자는 CMOS 제조 기술을 이용하여 제조할 수 있으므로, CMOS 이미지센서는 그 제조 공정이 단순하다는 장점을 갖고, 나아가 여러 신호 처리소자와 함께 하나의 칩(chip)으로 제조할 수 있다는 장점을 갖고 있다.
일반적인 CMOS 이미지 센서는 수광량을 전압으로 출력하며, 상기 출력전압은 어낼로그-디지털 컨버터에 의해서 디지털 데이터로 읽힌다. 또한, 광에 의해 생성된 전하를 측정하기 위해서 3개 또는 4개의 트랜지스터를 필요로 한다. 따라서, 하나의 단위픽셀을 서브 마이크론 크기로 형성하기가 어렵다.
기존 시모스 이미지 센서는 픽셀의 감소에 따라, 포토다이오드의 면적이 더욱 작아지고, 이로 인해 센서의 감도(sensitivity)와 다이내믹 레인지(dynamic range)가 감소하는 문제가 발생한다. 또한 광의 회절로, 입사 광을 단일 픽셀에 제한시키지 못하고 인접한 픽셀로 퍼져나가는 현상으로 인하여, 이미지 해상도가 감소될 수 있다.
본 발명은 서브 마이크론 크기로서 광의 조사 여부를 하나의 정보로 저장하는 서브픽셀들로 구성된 단위픽셀을 구비하는 광검출 분자를 이용한 이미지 센서를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 상기 이미지 센서의 구동방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 일 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서는:
나란하게 배치된 복수의 제1전극과, 상기 제1전극의 상방에서 상기 제1전극에 대해서 직교하는 방향으로 나란하게 배치된 복수의 제2전극; 및
상기 제1전극과 제2전극이 교차하는 영역에 형성된 서브픽셀;을 구비하며,
상기 서브픽셀은, 정해진 파장을 가진 광을 흡수하여 전하를 형성하는 감광분자층;
상기 감광분자층으로부터 상기 전하를 받아서, 상기 제1전극 및 제2전극에 인가된 전압에 의해서 복수의 2차전자를 형성하는 전하생성층; 및
상기 전하생성층으로부터 생성된 상기 2차전자에 의해 그 전기적 상태가 변하는 가변저항층;을 구비한다.
상기 제1전극 및 제2전극 중 적어도 하나의 전극은 투명전극으로 형성될 수 있다.
상기 가변저항층은 전하를 저장하는 포피린계 폴리머로 형성될 수 있다.
또한, 상기 가변저항층은 상기 2차전자에 의해 저항이 저저항으로 변하는 가재형(可再形: reconfigurable) 유기분자 또는 프로그래머블 메탈라이제이션 셀 물질로 형성될 수 있다.
상기 reconfigurable 유기분자는 catacene일 수 있다.
상기 프로그래머블 메탈라이제이션 셀 물질은 니켈 산화물, 바나듐 산화물, 철산화물 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 감광분자층, 상기 전하생성층 및 상기 가변저항층이 혼합된 복합체일 수 있다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 감광분자층, 상기 전하생성층 및 상기 가변저항층이 이 순서로 적층될 수 있다
본 발명에 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서는:
나란하게 배치된 복수의 제1전극부와, 상기 제1전극의 상방에서 상기 제1전극에 대해서 직교하는 방향으로 나란하게 배치된 복수의 제2전극부;
상기 제1전극부 상에서 상기 제2전극부 방향으로 수직으로 연장된 복수의 제1전극;
상기 제2전극부 상에서 상기 제1전극부 방향으로 연장된 제2전극; 및
상기 제2전극과 상기 제1전극 사이에 형성된 서브픽셀;을 구비하며,
상기 서브픽셀은, 정해진 파장을 가진 광을 흡수하여 전하를 형성하는 감광분자층;
상기 감광분자층으로부터 상기 전하를 받아서, 상기 제1전극 및 제2전극에 인가된 전압에 의해서 복수의 광전자를 형성하는 전하생성층; 및
상기 전하생성층으로부터 생성된 상기 광전자에 의해 그 전기적 상태가 변하는 가변저항층;을 구비한다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 서브픽셀은, 상기 제2전극과, 상기 제2전극을 마주보는 두 개의 제1전극으로 이루어진다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 제1전극은 각각 두 개의 전극으로 형성되며, 상기 서브픽셀은, 상기 제2전극과, 상기 제2전극을 마주보는 두 개의 제1전극으로 이루어진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 구동방법은:
제1전극 및 제2전극 사이에 감광분자층, 전하생성층, 가변저항층을 구비한 서브픽셀을 구비한 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 구동방법에 있어서,
상기 제1전극 및 제2전극 사이에 전압을 인가하는 단계;
상기 광검출분자에 광을 조사하여 상기 서브픽셀에 정보를 기록하는 단계;
상기 서브픽셀에 기록된 정보를 읽는 단계;
상기 서브픽셀에 기록된 정보를 소거하는 단계;를 구비한다.
상기 기록단계는, 상기 가변저항층에 전하를 축적하거나 또는 상기 가변저항층의 저항을 저저항 상태로 만드는 단계일 수 있다.
상기 읽기단계는, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 전류를 측정하여 상기 전류를 기준전류와 비교하는 단계일 수 있다.
상기 소거단계는, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 상기 전계형성단계와 반대되는 전압을 인가하여 상기 가변저항층의 전기적 상태를 원래의 상태로 만드는 단계일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법을 상세히 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 도면에서 동일한 참조번호는 동일한 구성요소이며, 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 단위 픽셀(100)을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 하부전극(110)은 스트라이프 형상이며, 서로 평행한 복수의 전극으로 배치되어 있다. 상부전극(120)은 스트라이프 형상이며, 서로 평행한 복수의 전극으로 배치된다. 하부전극(110)과 상부전극(120)은 소정의 갭으로 서로 이격되며, 상부전극(120)은 하부전극(110)에 대해서 직교하는 방향으로 배치된다. 하부전극(110) 및 상부전극(120)이 교차하는 영역에서 서브 픽셀(130)이 형성된다.
단위픽셀(100)은 레드 픽셀(R), 그린 픽셀(G), 블루 픽셀(B) 중 어느 하나를 형성한다. 단위픽셀(100)은 복수의 서브픽셀(130)을 구비한다.
상기 단위픽셀(100) 상에는 집광렌즈인 마이크로 렌즈가 더 설치될 수 있다. 도 1에서는 편의상 집광렌즈의 구성을 생략하였다.
도 1의 단위 픽셀(100)은 5x5 배열의 서브 픽셀(130)을 구비한다. 하나의 서브 픽셀(130)의 영역은 두 변은 각각 L1, L2일 수 있다. 단위 픽셀(100)의 두 변의 길이가 각각 2 ㎛인 경우, 서브 픽셀(130)의 L1, L2는 각각 400 nm 가 된다.
도 2는 도 1의 하나의 서브 픽셀(130)의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 하부전극(110) 및 상부전극(120) 사이에는, 가변저항층(131), 전하생성층(132), 감광분자층(133)이 적층되어 있다. 감광분자층(133)은 광이 수광되는 쪽에 형성된다.
상기 감광분자층(133)은 조성 물질에 따라 소정의 파장을 가진 광을 흡수하여 전자-정공을 형성한다. 감광분자층(133)은 유기 염료(organic dye) 또는 폴리머 염료(polymer die)를 포함하는 PMMA(polymethyl methacrylate: 폴리메틸 메타크릴레이) 또는 PVA(polyvinyl acrylate: 폴리비닐 아크릴레이트) 박막일 수 있다. 상 기 감광분자층(133)은 조성에 따라 특정 파장, 예컨대 레드, 그린, 블루 파장 중 어느 하나의 파장의 광을 흡수할 수 있다.
블루 파장을 흡수하는 염료로는 p-Terphenyl, QUI, Polyphenyl 1, Stilbene 1, Stilbene 3, Coumarin 2, Courmarin 47, Coumarin 102 등이 사용될 수 있다.
그린 파장을 흡수하는 염료로는 Coumarin 30, Rhodamine 6G가 사용될 수 있다.
레드 파장을 흡수하는 염료로는 Rhodamine B, DCM(4 dycyanomethylene-2 methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran), Rhodamine 700 등이 사용될 수 있다.
상기 전하생성층(132)은 밴드갭이 1.0 eV 이하인 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 작은 에너지로 많은 전자-정공 쌍을 형성하기 위한 것이다. 전하생성층(132)은 Polyisothionaphthene((Eg = 0.75 eV), 또는 quinonoid 와 benzoid 가 교번적으로 형성된 공중합체(copolymer) (Eg = 0.92 eV)로 형성될 수 있다.
가변저항층(131)은 전하생성층(132)에서 생성된 2차전자가 이동하여 그 전기적 상태가 변한다. 가변저항층(131)은 전하를 저장할 수 있는 포피린계 폴리머가 사용될 수 있다. 또한, 가재형(可再形, reconfigurable) 유기분자가 사용될 수 있다. 가재형 유기분자로는 catacene이 사용될 수 있다.
또한, 가변저항층(131)으로 전류에 따라 고저항 또는 저저항 상태를 갖는 프로그래머블 메탈라이제이션 셀(programmable metallization cell) 물질, 예컨대 니켈 산화물, 바나듐 산화물, 철산화물 등이 사용될 수 있다.
상기 상부전극(120)은 투명전극, 예컨대 ITO(indium tin oxide)로 형성되어 서, 광이 상부전극(120)을 통해서 감광분자층(133)으로 조사된다. 하부전극(110)은 통상적으로 사용되는 전극물질이 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 원리를 설명하는 밴드 다이어그램이다.
도 3을 참조하면, 상부전극(120) 및 하부전극(110) 사이에 소정의 전압, 예컨대 3-5 V 전압을 인가하되, 상기 하부전극(110)에 소정의 양전압을 인가하면 하부전극(110)의 전위가 상부전극(120)의 전위 보다 낮게 형성된다. 감광분자층(133)으로 광이 조사되면 감광분자층(133)은 전자-정공 쌍을 생성한다. 정공은 상부전극(120)을 통해서 외부로 배출되며, 전자는 전하생성층(132)으로 이동된다. 이때 전자는 전하생성층(132)에서 낮은 전위 위치로 이동하면서 에너지가 손실되면서 복수의 전자-정공 쌍을 형성한다. 이러한 현상은 임팩트 이온화(impact ionization)라 불린다. 전하생성층(132)에서 생성된 2차전자들은 가변저항층(131)으로 이동된다. 가변저항층(131)이 포피린계 폴리머와 같이 전하를 저장하는 경우, 상기 전자들은 상기 가변저항층(131)에 저장된다.
가변저항층(131)이 catacene 또는 programmable metallization cel 물질일 경우, 상기 전자들에 의해 가변저항층(131)은 저저항 상태로 된다.
따라서, 가변저항층(131)은 상기 전자들의 이동으로 저항이 낮은 상태로 되며, 따라서 상부전극(120) 및 하부전극(110) 사이의 저항은 낮게 나타난다. 이 때의 상태를 데이터 "1"로 하고, 가변저항층(131)에 전자들이 없는 상태, 즉 저항이 높은 상태를 데이터 "0"으로 하면, 서브픽셀(130)에는 이진정보가 저장된다.
따라서, 단위픽셀(100)이 25개의 서브픽셀(130)으로 이루어진 경우, 0~25의 광의 세기를 나타낼 수 있다. 만일, 단위 픽셀(100)의 두 변의 길이가 각각 2 ㎛인 경우, L1, L2가 각각 100 nm 이면, 단위 픽셀(100)은 400 개의 서브 픽셀(130)을 구비한다. 레드 픽셀(R)에서의 레드 광의 세기는 0~400으로 표현될 수 있다. 즉, 다이내믹 레인지가 향상될 수 있으며, 감도도 향상될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 어레이를 보여주는 도면이다. 도 1 및 도 2의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 하나의 픽셀 영역(PX)에는 4개의 단위픽셀(100)이 배치되어 있다. 즉, 하나의 레드 픽셀(R)과, 하나의 블루 픽셀(B)과 두 개의 그린 픽셀(G)이 배치된다. 각 단위 픽셀(100)은 도 2와 같이 복수의 서브 픽셀(130)을 구비한다. 하나의 픽셀 영역(PX) 포함되는 컬러 픽셀들의 배치는 다른 형태일 수도 있다. 예컨대 세 개의 컬러 픽셀로 형성될 수도 있다.
하부전극(110)들과 상부전극(120)들은 서로 직교하는 방향으로 배치된다. 어레이에서 보면, 하부전극(110)들은 로우 라인들이며, 상부전극(120)들은 컬럼 라인들일 수 있다. 하부전극(110)들의 일단은 로우 제어부(140)에 연결되며, 상부전극(120)들의 일단은 컬럼 제어부(150)에 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 구동방법을 도면들을 참조하여 설명한다.
먼저, 기록 방법을 설명한다.
로우 제어부(140) 및 컬럼 제어부(150)를 통해서 상부전극들(120) 및 하부전극들(110) 사이에 전계를 형성한다. 상부전극(120) 및 하부전극(110) 사이에 대략 3 V 의 전압을 인가하며, 하부전극(110)에 양전압이 인가된다.
이어서, 상부전극(120) 상으로 광을 조사한다. 각 컬러 필터(미도시)에는 해당 파장의 광만 흡수된다. 광전자가 조사된 서브픽셀(130)의 감광 분자층(133)에서 전자-정공 쌍이 형성된다. 그리고 전자는 전하생성층(132)으로 이동하며, 전하생성층(132)에서 복수의 전자-정공을 형성한다. 이어서, 전자들은 하부전극(110) 쪽으로 이동하며, 가변저항층(131)에 저장되거나 또는 가변저항층(131)의 저항을 저저항 상태로 만든다. 따라서, 데이터 "1"이 기록된다. 광이 조사되지 않은 영역의 가변저항층(131)은 고저항 상태로 데이터 "0"이 유지된다.
이하에서는 각 서브픽셀영역에서의 이진 정보를 읽는 방법을 설명한다. 로우제어부(140)로부터 하나의 로우 라인(하부전극)을 선택하여 읽기 전압을 인가한다. 읽기전압은 음전압일 수 있다. 그리고, 컬럼 제어부(150)에서 순차적으로 상부 라인(상분전극)들을 스캐닝하면서, 각 서브 픽셀(130)로부터의 전류를 측정한다. 컬럼에서의 전류가 소정 기준 전류값 보다 큰 경우는 해당 서브 픽셀(130) 영역에 이진 정보 "1"이 기록된 것으로 읽힌다. 컬럼라인에서의 전류가 소정 기준 전류값 보다 작은 경우는 해당 서브픽셀영역은 이진정보 "0"으로 읽는다. 따라서, 하나의 컬러픽셀의 서브픽셀수가 100개인 경우, 해당 컬러픽셀에서의 광의 검출 세기는 이진 정보들의 합으로 계산될 수 있다. 이에 따라 픽셀영역에서의 컬러의 세기가 측정된다.
다음은 서브픽셀영역의 데이터를 소거하는 방법을 설명한다.
상부전극(120) 및 하부전극(111)에 상기 기록단게와 반대되는 전압을 인가한다. 예컨대, 상부전극(120)에 소정의 양전압을 인가하면, 가변저항층(131)에 저장된 전자가 상부전극(120)을 통해서 빠져나가며, 따라서 서브픽셀영역은 고저항 상태로 되어서 데이터 "1"이 소거된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 하나의 서브 픽셀(230)의 구조를 보여주는 단면도이다. 상기 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 서브픽셀(230)은 하부전극(110) 및 상부전극(120) 사이에감광분자물질, 전하생성물질, 및 가변저항물질이 혼합된 복합체(231)가 형성된다.
상기 감광분자물질은 조성 물질에 따라 소정의 파장을 가진 광을 흡수하여 전자-정공을 형성한다. 감광분자물질은 유기 염료(organic dye) 또는 폴리머 염료(polymer die)를 포함하는 PMMA(polymethyl methacrylate: 폴리메틸 메타크릴레이) 또는 PBA(polybutyl acrylate: 폴리부틸 아크릴레이트) 박막일 수 있다. 상기 감광분자물질은 조성에 따라 특정 파장, 예컨대 레드, 그린, 블루 파장 중 어느 하나의 파장의 광을 흡수할 수 있다.
블루 파장을 흡수하는 염료로는 p-Terphenyl, QUI, Polyphenyl 1, Stilbene 1, Stilbene 3, Coumarin 2, Courmarin 47, Coumarin 102 등이 사용될 수 있다.
그린 파장을 흡수하는 염료로는 Coumarin 30, Rhodamine 6G가 사용될 수 있 다.
레드 파장을 흡수하는 염료로는 Rhodamine B, DCM(4 dycyanomethylene-2 methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran), Rhodamine 700 등이 사용될 수 있다.
상기 전하생성물질은 밴드갭이 1.0 eV 이하인 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 작은 에너지로 많은 전자-정공 쌍을 형성하기 위한 것이다. 전하생성물질은 Polyisothionaphthene((Eg = 0.75 eV), 또는 quinonoid 와 benzoid 가 교번적으로 형성된 공중합체(copolymer) (Eg = 0.92 eV)로 형성될 수 있다.
가변저항물질은 전하생성물질에서 생성된 2차전자가 이동하여 그 전기적 상태가 변한다. 가변저항물질은 전하를 저장할 수 있는 포피린계 폴리머가 사용될 수 있다. 또한, reconfigurable 유기분자이 사용될 수 있다. reconfigurable 유기분자로는 catacene이 사용될 수 있다.
또한, 가변저항물질로 전류에 따라 고저항 또는 저저항 상태를 갖는 programmable metallization cel 물질, 예컨대 니켈 산화물, 바나듐 산화물, 철산화물 등으로 형성될 수 있다.
도 5의 이미지 센서의 원리 및 구동방법은 상기 실시예의 원리 및 구동방법과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 단위픽셀의 일부를 보여주는 평면도이며, 도 7은 도 6의 사시도이다. 상기 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 명칭을 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 이미지 센서의 단위픽셀(300)은 기판(미도시) 상에 나란하게 배치된 제1전극부(310)와, 제1전극부(310)의 상방에서 제1전극부(310)와 직교하는 방향으로 배치된 제2전극부(320)를 구비한다. 제1전극부(310)는 상기 제2전극부(320) 방향으로 수직으로 연장된 복수의 제1전극(311)을 구비한다. 제2전극부(320)는 상기 제1전극부(310) 방향으로 수직으로 연장된 복수의 제2전극(321)을 구비한다. 제2전극(321)은 대응되는 상기 한쌍의 제1전극(311)의 중앙에 배치된다. 상기 제1전극(311)과 제2전극(321)은 서로 평행하며, 서로 전기적으로 절연된다.
서브픽셀(330)은 하나의 제2전극(321)과 상기 제2전극(321)을 마주보는 두 개의 제1전극(311)으로 구성된다. 제2전극(321) 및 제1전극(311) 사이에는 상기 제2전극(321)으로부터 제1전극(311) 방향쪽으로 가변저항층(331), 전하생성층(332) 및 감광분자층(333)이 순차적으로 적층된다.
제1전극부(310) 및 제2전극부(320) 사이에 상기 제2전극부(320)에 소정의 양전압을 인가하면 제2전극(321)의 전위가 제1전극(311)의 전위 보다 낮게 형성된다. 감광분자층(333)으로 광이 조사되면 감광분자층(333)은 전자-정공 쌍을 생성한다. 정공은 제1전극(311)을 통해서 외부로 배출되며, 전자는 제2전극(321) 방향으로 이동한다. 이때 전자는 전하생성층(332)에서 상기 제1전극(311) 및 제2전극(321)에 인가된 전압에 의해 전계가 형성된 상태에서, 복수의 전자-정공 쌍을 형성한다. 이러한 현상은 임팩트 이온화(impact ionization)라 불린다. 전하생성층(332)에서 생성된 2차전자들은 가변저항층(331)으로 이동된다. 상기 가변저항층(331)은 상기 2 차전자들을 저장하거나 또는 그 전기적 저항이 낮아진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 원리 및 구동방법은 상술한 실시예에 따른 이미지 센서의 원리 및 구동방법과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 6 및 도 7의 이미지 센서에서도 감광분자층(333), 전하생성층(332), 및 가변저항층(331)이 혼합된 복합체로 형성될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 단위픽셀의 일부를 보여주는 평면도이다. 도 6 및 도 7에 도시된 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 이미지 센서의 단위픽셀(400)은 기판(미도시) 상에 나란하게 배치된 제1전극부(410)와, 제1전극부(410)의 상방에서 제1전극부(410)와 직교하는 방향으로 배치된 제2전극부(320)를 구비한다. 제1전극부(410)는 상기 제2전극부(320) 방향으로 수직으로 연장된 복수의 제1전극(411, 412)을 구비한다. 제2전극부(320)는 상기 제1전극부(410) 방향으로 수직으로 연장된 복수의 제2전극(321)을 구비한다. 제2전극(321)은 마주보는 한 쌍의 제1전극(411, 321)의 중앙에 배치된다. 상기 제1전극(411, 412)과 제2전극(321)은 서로 평행하며, 서로 전기적으로 절연된다.
서브픽셀(430)은 하나의 제2전극(321)과 상기 제2전극(321)을 마주보는 두 개의 제1전극(411, 412)으로 구성된다. 제2전극(321) 및 제1전극(411, 412) 사이에 는 상기 제2전극(321)으로부터 제1전극(411) 방향쪽으로 가변저항층(331), 전하생성층(332) 및 감광분자층(333)이 순차적으로 적층된다.
즉, 본 실시예에 따른 제2전극(321)과 대응되는 제1전극(411, 412)이 서브 픽셀(430) 마다 구별되므로, 도 6의 서브 픽셀(330)과 비교하여 근접한 서브 픽셀 간의 크로스토크가 감소될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 단위 픽셀을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 하나의 서브 픽셀의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 원리를 설명하는 밴드 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 어레이를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 하나의 서브 픽셀(230)의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 단위픽셀의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 일부 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 단위픽셀의 일부를 보여주는 평면도이다.
Claims (22)
- 나란하게 배치된 복수의 제1전극과, 상기 제1전극의 상방에서 상기 제1전극에 대해서 직교하는 방향으로 나란하게 배치된 복수의 제2전극; 및상기 제1전극과 제2전극이 교차하는 영역에 형성된 서브픽셀;을 구비하며,상기 서브픽셀은, 정해진 파장을 가진 광을 흡수하여 전하를 형성하는 감광분자층;상기 감광분자층으로부터 상기 전하를 받아서, 상기 제1전극 및 제2전극에 인가된 전압에 의해서 복수의 2차전자를 형성하는 전하생성층; 및상기 전하생성층으로부터 생성된 상기 2차전자에 의해 그 전기적 상태가 변하는 가변저항층;을 구비하는 광검출 분자를 이용한 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극 중 적어도 하나의 전극은 투명전극인 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 가변저항층은 전하를 저장하는 포피린계 폴리머인 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 가변저항층은 상기 2차전자에 의해 저항이 저저항으로 변하는 가재 형(reconfigurable) 유기분자 또는 프로그래머블 메탈라이제이션 셀 물질인 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 가재형 유기분자는 catacene인 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 프로그래머블 메탈라이제이션 셀 물질은 니켈 산화물, 바나듐 산화물, 철산화물 중 어느 하나인 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 감광분자층, 상기 전하생성층 및 상기 가변저항층이 혼합된 복합체인 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 감광분자층, 상기 전하생성층 및 상기 가변저항층이 이 순서로 적층된 이미지 센서.
- 나란하게 배치된 복수의 제1전극부와, 상기 제1전극의 상방에서 상기 제1전극에 대해서 직교하는 방향으로 나란하게 배치된 복수의 제2전극부;상기 제1전극부 상에서 상기 제2전극부 방향으로 수직으로 연장된 복수의 제1전극;상기 제2전극부 상에서 상기 제1전극부 방향으로 연장된 제2전극;상기 제2전극과 상기 제1전극 사이에 형성된 서브픽셀;을 구비하며,상기 서브픽셀은, 정해진 파장을 가진 광을 흡수하여 전하를 형성하는 감광분자층;상기 감광분자층으로부터 상기 전하를 받아서, 상기 제1전극 및 제2전극에 인가된 전압에 의해서 복수의 2차전자를 형성하는 전하생성층; 및상기 전하생성층으로부터 생성된 상기 2차전자에 의해 그 전기적 상태가 변하는 가변저항층;을 구비하는 광검출 분자를 이용한 이미지 센서.
- 제 9 항에 있어서,상기 제1전극부 및 제2전극부 중 적어도 하나의 전극부는 투명전극인 이미지 센서.
- 제 9 항에 있어서,상기 가변저항층은 전하를 저장하는 포피린계 폴리머인 이미지 센서.
- 제 9 항에 있어서,상기 가변저항층은 상기 전하에 의해 저항이 저저항으로 변하는 가재형 유기 분자 또는 프로그래머블 메탈라이제이션 셀 물질인 이미지 센서.
- 제 12 항에 있어서,상기 가재형 유기분자는 catacene인 이미지 센서.
- 제 12 항에 있어서,상기 프로그래머블 메탈라이제이션 셀 물질은 니켈 산화물, 바나듐 산화물, 철산화물 중 어느 하나인 이미지 센서.
- 제 9 항에 있어서,상기 감광분자층, 상기 전하생성층 및 상기 가변저항층이 혼합된 복합체인 이미지 센서.
- 제 9 항에 있어서,상기 광은 상기 제2전극 쪽으로 입사되며, 상기 제1전극으로부터 상기 제2전극 방향으로 상기 감광분자층, 상기 전하생성층 및 상기 가변저항층이 이 순서로 적층된 이미지 센서.
- 제 16 항에 있어서,상기 서브픽셀은, 상기 제2전극과, 상기 제2전극을 마주보는 두 개의 제1전 극으로 이루어진 이미지 센서.
- 제 16 항에 있어서,상기 제1전극은 각각 두 개의 전극으로 형성되며,상기 서브픽셀은, 상기 제2전극과, 상기 제2전극을 마주보는 두 개의 제1전극으로 이루어진 이미지 센서.
- 제1전극 및 제2전극 사이에 감광분자층, 전하생성층, 가변저항층을 구비한 서브픽셀을 구비한 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 구동방법에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극 사이에 전압을 인가하는 단계;상기 광검출분자에 광을 조사하여 상기 서브픽셀에 정보를 기록하는 단계;상기 서브픽셀에 기록된 정보를 읽는 단계;상기 서브픽셀에 기록된 정보를 소거하는 단계;를 구비하는 광검출 분자를 이용한 이미지 센서의 구동방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 기록단계는, 상기 가변저항층에 전하를 축적하거나 또는 상기 가변저항층의 저항을 저저항 상태로 만드는 이미지 센서의 구동방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 읽기단계는, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 전류를 측정하여 상기 전류를 기준전류와 비교하는 단계인 이미지 센서의 구동방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 소거단계는, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 상기 전계형성단계와 반대되는 전압을 인가하여 상기 가변저항층의 전기적 상태를 원래의 상태로 만드는 이미지 센서의 구동방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080049677A KR101435517B1 (ko) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법 |
| US12/385,122 US8053719B2 (en) | 2008-05-28 | 2009-03-31 | Image sensor using photo-detecting molecule and method of operating the same |
| CN2009102031018A CN101593763B (zh) | 2008-05-28 | 2009-05-27 | 使用光检测分子的图像传感器及其操作方法 |
| JP2009129059A JP5430230B2 (ja) | 2008-05-28 | 2009-05-28 | 光検出分子を利用したイメージセンサ及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080049677A KR101435517B1 (ko) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090123539A true KR20090123539A (ko) | 2009-12-02 |
| KR101435517B1 KR101435517B1 (ko) | 2014-08-29 |
Family
ID=41378598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080049677A KR101435517B1 (ko) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8053719B2 (ko) |
| JP (1) | JP5430230B2 (ko) |
| KR (1) | KR101435517B1 (ko) |
| CN (1) | CN101593763B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200046004A (ko) * | 2012-10-12 | 2020-05-06 | 삼성전자주식회사 | 이진 cmos 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6879340B1 (en) * | 1998-08-19 | 2005-04-12 | Micron Technology Inc. | CMOS imager with integrated non-volatile memory |
| US9177987B2 (en) * | 2012-10-12 | 2015-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Binary CMOS image sensors, methods of operating same, and image processing systems including same |
| US9966224B2 (en) * | 2014-10-22 | 2018-05-08 | Sciencetomorrow Llc | Quantitative secondary electron detection |
| JP6607262B2 (ja) | 2016-01-08 | 2019-11-20 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
| JP2018074077A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | ソニー株式会社 | 撮像素子、固体撮像装置及び電子デバイス |
| CN110047860B (zh) * | 2019-04-26 | 2021-06-25 | 锐芯微电子股份有限公司 | 射线影像传感器 |
| CN112083470B (zh) * | 2020-09-02 | 2023-11-24 | 重庆中易智芯科技有限责任公司 | 一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839511A (en) * | 1988-01-29 | 1989-06-13 | Board Of Regents, The U. Of Texas System | Enhanced sensitivity photodetector having a multi-layered, sandwich-type construction |
| JPH05335615A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| CA2319536A1 (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-05 | Uniax Corporation | Organic diodes with switchable photosensitivity |
| GB0024804D0 (en) | 2000-10-10 | 2000-11-22 | Microemissive Displays Ltd | An optoelectronic device |
| JP3426211B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2003-07-14 | 科学技術振興事業団 | 高速応答光電流増倍装置 |
| KR100860134B1 (ko) * | 2001-08-13 | 2008-09-25 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 메모리 셀 |
| JP2004186604A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録媒体 |
| KR100544497B1 (ko) * | 2003-01-27 | 2006-01-23 | 학교법인 인제학원 | 가스 전하증폭층을 구비한 엑스-레이 이미지 디텍터 |
| JP2005175202A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 記録素子 |
| JP2005250351A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出器及び放射線画像検出器の残留電荷除去方法 |
| JP2006261172A (ja) | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機フォトダイオード及びそれを用いたイメージセンサ |
-
2008
- 2008-05-28 KR KR1020080049677A patent/KR101435517B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-03-31 US US12/385,122 patent/US8053719B2/en active Active
- 2009-05-27 CN CN2009102031018A patent/CN101593763B/zh active Active
- 2009-05-28 JP JP2009129059A patent/JP5430230B2/ja active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200046004A (ko) * | 2012-10-12 | 2020-05-06 | 삼성전자주식회사 | 이진 cmos 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009290215A (ja) | 2009-12-10 |
| US20090294633A1 (en) | 2009-12-03 |
| JP5430230B2 (ja) | 2014-02-26 |
| CN101593763A (zh) | 2009-12-02 |
| US8053719B2 (en) | 2011-11-08 |
| CN101593763B (zh) | 2013-01-02 |
| KR101435517B1 (ko) | 2014-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101435517B1 (ko) | 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법 | |
| US11272131B2 (en) | Backside illumination image sensor, manufacturing method thereof and image-capturing device | |
| KR101435519B1 (ko) | 광 포커싱 구조를 가진 이미지 센서 | |
| JP5441438B2 (ja) | ２進光信号を利用したイメージセンサー及び駆動方法 | |
| CN102738187A (zh) | 固体摄像器件和电子装置 | |
| US10812738B2 (en) | Electronic device configured to reduce light loss of possible light image and obtain distance information of an object | |
| KR20110097047A (ko) | 적층형 이미지 센서 | |
| CN101350893A (zh) | 影像传感器及相机模组 | |
| US11728359B2 (en) | Image sensor having two-colored color filters sharing one photodiode | |
| Ihama et al. | Organic CMOS image sensor with thin panchromatic organic photoelectric conversion layer: Durability and performance | |
| CN211404506U (zh) | 半导体器件 | |
| CN113206112A (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
| JPS63300574A (ja) | 有機長尺薄膜カラ−読取素子 | |
| US20240162261A1 (en) | Light detection element | |
| JPH0555542A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180731 Year of fee payment: 5 |