KR20090120770A - 가스 공급 어셈블리 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열팽창 계수가 다른 구성 요소 사이에 미끄러짐을 유발하는 슬립부재를 구비하여 서로 다른 부피의 열팽창이 일어나더라도 구성 요소의 파손 및 손상을 방지할 수 있는 가스 공급 어셈블리에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리는 챔버 내부에 배치되어 반응 가스를 분사하는 제 1 전극부와; 상기 제 1 전극부의 하면 가장자리에 밀착배치되는 절연체를 포함하고, 상기 절연체와 제 1 전극부의 계면에는 적어도 하나의 슬립부재가 구비되는 것을 특징으로 한다.
기판, 증착, 식각, 플라즈마, 슬립, 가스 공급, 샤워헤드, 절연체

Description

가스 공급 어셈블리{GAS SUPPLY ASSEMBLY}
본 발명은 가스 공급 어셈블리에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열팽창 계수가 다른 구성 요소 사이에 미끄러짐을 유발하는 슬립부재를 구비하여 서로 다른 부피의 열팽창이 일어나더라도 구성 요소의 파손 및 손상을 방지할 수 있는 가스 공급 어셈블리에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판 표시 장치는 기판 상에 다수의 박막 증착과 식각을 통해 형성된다. 즉, 기판의 소정 영역, 주로 중심부에 박막을 증착하고, 식각 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 기판 중심부의 박막의 일부를 제거하여 소정의 박막 패턴을 갖는 소자를 제조하게 된다.
이러한 박막 증착 공정 및 식각 공정을 진행하는 기판 처리 장치는 처리가스 공정을 위하여 챔버 내부에 샤워헤드가 배치되고, 상기 샤워헤드의 주변에는 절연체를 배치하며, 이들과 대향하여 기판지지대가 배치되어 샤워헤드와 기판지지대 사이에 플라즈마를 형성한다.
이때 샤워헤드와 절연체 사이의 갭이 너무 넓게 형성되는 경우, 챔버 내에 형성되는 플라즈마 형성이 불안하여 플라즈마 노이즈가 발생되게 되고, 이에 따라 균일한 박막의 형성이 어렵게 된다. 따라서, 샤워헤드와 절연체 사이의 갭은 균일한 플라즈마의 형성을 위하여 가능한 좁게 배치하는 것이 바람직하다.
하지만, 샤워헤드와 절연체 사이의 갭이 너무 좁은 경우, 샤워헤드는 열팽창 계수가 큰 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지고, 절연체는 열팽창 계수가 작은 세라믹으로 이루어지기 때문에 플라즈마 형성시 상승되는 온도에 의해 샤워헤드가 절연체보다 상대적으로 많은 부피의 팽창이 일어나서 샤워헤드가 절연체을 압박함에 따라 절연체가 손상 또는 파손되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 열팽창 계수가 다른 구성 요소 사이에 미끄럼을 유발하는 슬립부재를 배치함에 따라 플라즈마 형성시 구성 요소 간에 서로 다른 부피 팽창이 이루어지더라도 서로 간에 미끄러짐이 유발되어 구성 요소의 파손 및 손상을 방지할 수 있는 가스 공급 어셈블리를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리는 챔버 내부에 배치되어 반응 가스를 분사하는 제 1 전극부와; 상기 제 1 전극부의 하면 가장자리에 밀착배치되는 절연체를 포함하고, 상기 절연체와 제 1 전극부의 계면에는 적어도 하나의 슬립부재가 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 슬립부재는 상기 절연체의 상면과 제 1 전극부의 하면 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 절연체에는 상하로 연통되고, 상기 체결공을 통하여 상기 절연체를 상기 제 1 전극부의 하면에 체결하는 볼트가 구비되며, 상기 체결공의 내경은 그 지점과 대응되는 상기 볼트의 직경보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 절연체의 체결공은 하부의 내경이 상부의 내경보다 크도록 단차부를 갖고, 상기 볼트는 상기 체결공의 단차부와 대응되는 단턱이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 볼트의 단턱과 상기 체결공의 단차부 사이에는 와셔가 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 절연체의 상면와 챔버 상부 내벽 사이의 계면에는 적어도 하나의 슬립부재가 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 슬립부재는 볼 또는 봉 형상의 세라믹인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 열팽창 계수가 다른 샤워헤드판과 절연체에 미끄럼을 유발하는 슬립부재를 구비함에 따라 플라즈마 형성시 샤워헤드판과 절연체가 서로 다르게 열팽창 되더라도 그 계면에서 슬립부재에 의한 미끄러짐이 발생되어 마찰이 방지되고, 이에 따라 절연체의 파손 및 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 절연체와 챔버 내벽 사이에도 슬립부재를 구비하여 미끄러짐을 유도함에 따라 샤워헤드의 부피 팽창이 일정량을 초과하더라도 절연체의 파손 및 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 샤워헤드판와 절연체 사이의 간격을 좁게 형성할 수 있어 플라즈마 노이즈 발생을 방지하여 균일한 기판의 처리가 가능한 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리가 적용된 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리의 요부를 나타내는 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리가 적용된 기판 처리 장치는 처리공간을 구비하는 챔버(10)와; 상기 챔버(10) 내부의 상측에 배치되어 반응 가스를 분사하는 제 1 전극부(20)와; 상기 챔버(10) 내부의 하측에 배치되어 기판이 안착되는 제 2 전극부(30)와; 상기 제 1 전극부(20)의 주변에 밀착배치되는 절연체(40)를 포함하고, 상기 절연체(40)와 제 1 전극부(20)의 계면에는 상기 절연체(40)와 제 1 전극부(20) 사이의 미끄러짐을 유도하는 적어도 하나의 슬립부재(60a)가 구비된다.
챔버(10)는 내부에 반응공간이 마련되는 통 형상으로 제작된다. 이때, 상기 챔버(10)의 내부 형상은 그 수평 단면 형상이 일정한 형태에 한정되지 않고, 공정이 진행되는 기판(W)의 형상에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 본 실시예의 챔버(10)는 측벽면과 바닥면을 구성하는 하부 몸체부(10b)와, 상측면을 구성하는 상부 몸체부(10a)로 구성된다. 그리고, 챔버(10)의 측벽면의 일측에는 기판(W)의 인 입 및 인출을 위한 게이트(11)가 마련된다. 그리고, 상기 게이트(11)는 개폐부(13)에 의해 개폐된다. 이때, 상기 개폐부(13)로 게이트 벨브 또는 슬릿 밸브를 사용하는 것이 가능하다. 물론 이에 한정되지 않고, 개폐부(13)로 기판(W) 인입후 챔버(10) 내부를 진공으로 유지할 수 있는 다양한 형태의 개폐 수단이 사용될 수 있다.
또한, 챔버(10)의 바닥면 또는 측면의 일측에는 챔버(10) 내부의 압력을 일정하게 유지하거나, 챔버(10) 내부의 미반응 가스 및 불순물을 배기하기 위한 진공 배기부(미도시)가 연결된다. 그리고, 챔버(10)는 접지 연결되어 챔버(10)를 통하여 전류가 흐르지 않도록 구성된다.
제 1 전극부(20)는 플라즈마 형성시 캐소드 또는 애노드 역할 및 반응 가스를 공급하는 수단으로서, 예를 들어 종래의 샤워헤드 구조가 적용될 수 있다. 보다 구체적으로는 챔버(10)의 상부 몸체부(10a)에 설치되고, 접지 연결되는 상부 전극판(20a)과, 상기 상부 전극판(20a)의 하부에 구비되는 샤워헤드판(20b)을 포함한다. 상기 샤워헤드판(20b)에는 반응 가스를 분사하는 복수의 분사공(21)이 형성된다. 이때 상기 상부 전극판(20a) 및 샤워헤드판(20b)은 열팽창 계수가 후술되는 절연체(40)보다 상대적으로 큰 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성된다.
상기 상부 전극판(20a)은 제 1 지지로드(20c)에 의해 상기 상부 몸체부(10a)에 설치되고, 상기 제 1 지지로드(20c)의 내부에는 상기 분사공(21)으로 연통되는 공급유로(22)가 형성된다. 그리고, 상기 공급유로(22)의 단부에는 반응 가스를 균일하게 분기하기 위한 배플(22a)이 구비된다. 이때 상기 상부 전극판(20a)은 상기 제 1 지지로드(20c)의 구비없이 상기 상부 몸체부(10a)에 부착될 수 있을 것이다.
상기 분사공(21)은 상기 공급유로(22)를 통하여 챔버(10)의 외부에 구비되어 반응 가스를 제공하는 위한 반응 가스 공급부(23)에 연결된다. 그래서, 반응 가스를 분사공(21)을 통하여 토출시켜 기판(W)의 전면에 분사시킴에 따라 반응 가스들이 플라즈마에 의해 활성화되어 박막의 증착 또는 식각과 같은 작업이 수행된다.
그리고, 상기 상부 전극판(20a)에는 플라즈마 형성시 상승되는 온도와 제 1 전극부(20)의 온도차를 줄이기 위하여 히팅수단(25)이 구비될 수 있다. 상기 히팅수단(25)은 제 1 전극부(20)의 온도를 상승시킬 수 있다면 어떠한 수단이라도 사용될 수 있다. 예를 들어 전원의 공급에 의해 가열되는 열선과 같은 코어히터 또는 램프히터 등이 사용될 수 있다.
제 2 전극부(30)는 챔버(10) 내부로 인입되는 기판(W)이 안착되도록 상기 제 1 전극부(20)의 하부에 대향되도록 배치되고, 플라즈마 형성시 캐소드 또는 애노드 역할을 하는 수단으로서, 플라즈마 전원을 인가받는 하부 전극판(30a)과; 상기 하부 전극판(30a)을 지지하는 전극 지지부(30b)를 포함한다. 그리고, 상기 전극 지지부(30b)의 하면을 지지하는 제 2 지지로드(30c)가 챔버(10)의 하부 몸체부(10b)를 관통하여 설치되다.
그리고, 상기 하부 전극판(30a)에는 플라즈마 형성시 상승되는 온도에 의한 기판(W)의 열손상을 줄이기 위한 히팅수단(31)이 구비된다. 상기 히팅수단(31)은 제 1 전극부(20)에 구비되는 히팅수단(25)과 마찬가지로 기판(W)의 온도를 상승시킬 수 있다면 어떠한 수단이라도 사용될 수 있다. 예를 들어 전원의 공급에 의해 가열되는 열선과 같은 코어히터 또는 램프히터 등이 사용될 수 있다.
그리고, 상기 하부 전극판(30a)에는 플라즈마 전원을 제공하기 위한 별도의 플라즈마 전원부(33)가 연결된다. 플라즈마 전원부(33)는 플라즈마 전원으로 고주파 전원을 제공한다. 이때 플라즈마 전원부(33)를 통해 제공되는 전원의 전력은 100W 내지 100KW이고, 전원의 주파수는 2MHz 내지 100MHz인 것이 효과적이다.
또한, 상기 제 2 전극부(30)는 승하강을 위하여 상기 제 2 지지로드(30c)에 구동수단(35)이 구비된다. 상기 구동수단(35)은 상기 제 2 전극부(30)를 승하강시킬 수 있다면 어떠한 방식이 사용되어도 무방하고, 예를 들어 LM가이드식, 실린더식, 래크앤피니언식 등이 사용될 수 있을 것이다.
또한, 상기 제 2 전극부(30)에는 기판(W) 인입 및 인출시 일시적으로 기판(W)을 안착하고 승하강시키는 통상의 리프트핀 수단(미도시)이 구비될 수 있다.
절연체(40)는 상기 제 1 전극부(20)의 주변을 둘러싸서 플라즈마 형성이 제 1 전극부의 하부로 집중되어 플라즈마가 형성되도록 하는 수단으로서, 세라믹 재료로 형성된다.
절연체(40)의 구체적인 형상은 도면에 도시된 바와 같이 몸체의 상면 일측이 제 1 전극부(20)의 하면 가장자리에 체결되고, 몸체의 상면 타측이 챔버(10)의 상부 몸체부(10a)의 하면에 밀착 배치되는 플레이트 형상이다. 이때 상기 절연체(40)는 상기 제 1 전극부(20)의 하면 가장자리를 둘러싸도록 다수의 조각으로 분할될 수 있다.
이때 상기 각각의 절연체(40)에는 상기 제 1 전극부(20)와 체결되는 부위에 상하로 연통되고, 하부의 내경이 상부의 내경보다 크도록 단차부(41a)를 갖는 체결공(41)이 형성된다. 그래서 상기 체결공(41)을 통하여 볼트(50)가 체결되어 상기 절연체(40)를 상기 제 1 전극부(20)의 하면에 체결시킨다.
이때 상기 볼트(50)는 몸체의 상부에 상기 제 1 전극부(20)의 하면으로 체결되는 체결나사부(51)가 형성되고, 몸체의 하부는 상기 체결공(41)의 단차부(41a)와 대응되는 단턱(57)이 형성되어, 상기 단턱(57)을 기준으로 직경이 상대적으로 작은 상측 몸체(53)와 직경이 상대적으로 큰 하부 몸체(55)로 구분된다. 그래서, 볼트(50)의 체결나사부(51)가 제 1 전극부(20)의 샤워헤드판(20b)과 상부 전극판(20a)을 고정시키며 샤워헤드판(20b)의 하면에 고정되고, 상기 단턱(57)이 상기 단차부(41a)를 지지함에 따라 절연체(40)가 제 1 전극부(20)에 고정되는 것이다. 이때 상기 체결공(41)의 상부 및 하부 내경(d1)은 그 지점과 대응되는 상기 볼트(50)의 상측 몸체(53) 및 하측 몸체(55)의 직경(d2)보다 크게 형성되어 상기 제 1 전극부(20)의 열팽창 시 미끄러질 수 있는 공간을 확보하는 것이 바람직하다. 상기 체결공(41)의 내경과 볼트(50)의 직경 차이(d2-d1)에 의해 제 1 전극부(20)가 절연체(40)에서 미끄러지는 범위의 한도가 설정된다.
또한, 상기 제 1 전극부(20)의 열팽창 시 미끄러지면서 제 1 전극부(20)와 절연체(40) 사이에 발생되는 마찰력을 최소화하기 위하여 상기 제 1 전극부(20)와 절연체(40) 사이, 정확하게는 단차부(41a)와 단턱(57) 사이에는 볼록 형상의 와셔(59)가 구비된다.
그리고, 상기 절연체(40)의 상면과 챔버(10)의 상부 몸체부(10a) 계면에는 상기 절연체(40)와 챔버(10) 사이의 미끄러짐을 위한 적어도 하나의 슬립부재(60b)가 더 구비될 수 있다.
상기 슬립부재(60)는 절연체(40)와 제 1 전극부(20) 사이 및 절연체(10)와 챔버(10)의 상부 몸체부(10a) 사이에 구비되어 제 1 전극부(20)의 열팽창시 발생되는 제 1 전극부(20)의 부피 팽창에 의한 제 1 전극부(20)의 미끄러짐 및 절연체(40)의 미끄러짐을 유도하는 수단으로, 상기 절연체(40)의 상면에 설치홈(43)을 형성하고, 상기 설치홈(43)에 내삽된다.
상기 슬립부재(60)는 볼 또는 봉 형상의 세라믹으로서, 상기 설치홈(43)의 높이와 같거나 조금 큰 직경을 갖는 것이 바람직하고, 이에 따라 제 1 전극부(20)가 열팽창되어 부피가 커지더라도 부피가 커지는 만큼 절연체(40)의 상면에서 미끄러짐이 일어난다.
그리고, 제 1 전극부(20)의 열팽창이 과도하여 제 1 전극부(20)의 부피 팽창이 절연체(40)와 제 1 전극부(20) 사이의 미끄러짐 한도를 초과하더라도 볼트(50)에 의해 제 1 전극부(20)와 체결된 절연체(40)가 함께 미끄러지는 현상이 발생되며, 이때는 절연체(40)와 챔버(10)의 상부 몸체부(10a) 사이에 내삽된 슬립부재(60b)에 의해 절연체(40)의 미끄러짐이 발생된다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사용 상태를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리의 작용상태를 나타내는 작용상태도이다.
기판(W)이 챔버(10)의 내부로 인입되어 제 2 전극부(30)의 상면에 안착된 다음, 제 2 전극부(30)를 제 1 전극부(20)의 하부까지 상승시켜서 기판(W)의 전면과 제 1 전극부(20) 사이에서 플라즈마가 바람직하게 형성될 정도의 간격까지 근접시킨다.
그리고, 분사공(21)에서는 반응 가스를 분사하여 기판(W)의 전면과 제 1 전극부(20) 사이로 반응 가스가 균일하게 공급되도록 한다. 그런 다음 제 2 전극부(30)에 고주파 전원을 인가한다. 그러면 제 1 전극부(20)가 캐소드의 역할을 하게 되고, 제 2 전극부(30) 및 기판(W)이 애노드의 역할을 하게 되며, 캐소드 및 애노드 사이의 반응가스에 예를 들어 13.56 ㎒의 고주파가 부여되여 플라즈마가 생성된다. 이렇게 생성된 플라즈마를 이용하여 기판(W)의 전면에 박막의 증착 또는 식각 공정을 수행하게 된다.
박막의 증착 또는 식각 공정이 진행되는 동안 플라즈마의 형성에 의한 가열에 의해 제 1 전극부(20) 및 절연체(40)가 열팽창된다. 이때 상대적으로 열팽창 계수가 큰 제 1 전극부(20)는 많은 부피 팽창이 이루어지고, 상대적으로 열팽창 계수가 작은 절연체(40)는 부피 팽창이 거의 일어나지 않게 된다. 그러면 도 3a와 같이 배치되어 있던 제 1 전극부(20)의 부피 팽창에 의해 도 3b와 같이 제 1 전극부(20)가 절연체(40)의 상면에서 미끄러지면서 부피 팽창이 진행된다. 이때 제 1 전극부(20)와 절연체(40) 사이에 내삽된 슬립부재(60)에 의해 절연체(40)의 손상 또는 파손 없이 제 1 전극부(20)의 부피 팽창 즉, 수평으로 미끄러짐이 진행된다.
그리고, 제 1 전극부(20)의 부피 팽창이 제 1 전극부(20)가 절연체(40)에서 미끄러지는 범위의 한도를 초과하게 되면, 즉 제 1 전극부(20)의 부피가 과도하게 팽창되어 절연체(40)에 형성된 체결공의 여유분, 즉 상기 체결공(41)의 내경과 볼트(50)의 직경 차이(d2-d1)보다 많이 팽창되는 경우, 도 3c에 도시된 바와 같이 제 1 전극부(20)의 미끄러짐과 동시에 절연체(40)가 함께 이동되며, 챔버(10)의 상부 몸체부(10a) 하면에서 미끄러짐이 발생된다. 그러면, 상기 절연체(40)와 챔버(10)의 상부 몸체부(10a) 사이에 내삽된 슬립부재(60)에 의해 절연체(40)가 미끄러지면서 마찰이 방지되어 절연체(40)의 손상 또는 파손을 방지하게 된다.
공정이 완료되어 플라즈마의 생성이 마무리되면 열팽창 계수가 큰 제 1 전극부(20)가 수축하게 되는데, 수축과정은 상기 팽창과정이 반대로 진행된다. 따라서, 이때도 상기 제 1 전극부(20)와 절연체(40) 사이 및 절연체(40)와 챔버(10)의 상부 몸체부(10a) 사이에 내삽된 슬립부재(60)에 의해 절연체(40)가 미끄러지면서 마찰이 방지되어 절연체(40)의 손상 또는 파손을 방지하게 된다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리가 적용된 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리의 요부를 나타내는 단면도이며,
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리의 작용상태를 나타내는 작용상태도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W: 기판 10: 챔버
20: 제 1 전극부 30: 제 2 전극부
40: 절연체 41: 체결공
50: 볼트 60: 슬립부재

Claims (7)

  1. 챔버 내부에 배치되어 반응 가스를 분사하는 제 1 전극부와;
    상기 제 1 전극부의 하면 가장자리에 밀착배치되는 절연체를 포함하고,
    상기 절연체와 제 1 전극부의 계면에는 적어도 하나의 슬립부재가 구비되는 가스 공급 어셈블리.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 슬립부재는 상기 절연체의 상면과 제 1 전극부의 하면 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 어셈블리.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 절연체에는 상하로 연통되고, 상기 체결공을 상기 절연체를 상기 제 1 전극부의 하면에 체결하는 볼트가 구비되며,
    상기 체결공의 내경은 그 지점과 대응되는 상기 볼트의 직경보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 어셈블리.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 절연체의 체결공은 하부의 내경이 상부의 내경보다 크도록 단차부를 갖고, 상기 볼트는 상기 체결공의 단차부와 대응되는 단턱이 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 어셈블리.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 볼트의 단턱과 상기 체결공의 단차부 사이에는 와셔가 구비되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 어셈블리.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 절연체의 상면와 챔버 상부 내벽 사이의 계면에는 적어도 하나의 슬립부재가 구비되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 어셈블리.
  7. 청구항 1, 청구항 2 또는 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 슬립부재는 볼 또는 봉 형상의 세라믹인 것을 특징으로 하는 가스 공급 어셈블리.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101128267B1 (ko) * 2009-11-26 2012-03-26 주식회사 테스 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버
KR20160107687A (ko) * 2015-03-05 2016-09-19 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 샤워헤드
KR20200032318A (ko) * 2018-09-18 2020-03-26 주식회사 테스 기판지지유닛

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100965758B1 (ko) * 2003-05-22 2010-06-24 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101128267B1 (ko) * 2009-11-26 2012-03-26 주식회사 테스 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버
KR20160107687A (ko) * 2015-03-05 2016-09-19 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 샤워헤드
KR20200032318A (ko) * 2018-09-18 2020-03-26 주식회사 테스 기판지지유닛
CN112703591A (zh) * 2018-09-18 2021-04-23 Tes股份有限公司 基板支承单元
CN112703591B (zh) * 2018-09-18 2024-04-12 Tes股份有限公司 基板支承单元

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