KR20090113180A - High density wiring board - Google Patents

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KR20090113180A
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도모하루 와타나베
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스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A higher density wiring substrate is provided to decrease the failure rate and remove the metal seed layer by improving the strip-ability of the photoresist layer. CONSTITUTION: Two wirings(7,7) are formed with very narrow interval side by side. One end of the bent portion which has the teardrop shape groove is connected to one end of the wiring. The teardrop shape groove which has the maximum width diameter, which is two times of the interval d, is formed in the bent portion(11) inner side of two wirings. The teardrop angle is selected according to the interval of two wirings between 30 to 60 degrees. The dry film register was peeled off using the sodium hydroxide aqueous solution of the concentration 5%.

Description

고밀도 배선 기판{HIGH DENSITY WIRING BOARD}High Density Wiring Board {HIGH DENSITY WIRING BOARD}

본 발명은 반도체 소자 실장용 배선 부품에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 절곡(折曲) 배선 패턴을 갖는 배선 구조를 형성한 고밀도 배선 기판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to wiring components for semiconductor element mounting, and more particularly to a high density wiring board having a wiring structure having a bent wiring pattern.

TAB 테이프, 플렉시블 배선 기판 등의 반도체 소자 실장용 배선 기판에 대한 배선 밀도의 고밀도화가 요구된지 오래이다. 이러한 요구에 따르기 위해 많은 개선이 이루어지고 있다. 현재는 배선폭이 10 ㎛이고 배선 피치가 20 ㎛ 이하인 고밀도 배선 기판이 검토되고 제안되어 있다. 이러한 배선폭과 배선 피치의 것을 제작하기에는, 세미 애디티브법이 가장 적합하다(예컨대, 특허문헌 1 참조).It has long been required to increase the density of wirings for wiring boards for semiconductor element mounting such as TAB tapes and flexible wiring boards. Many improvements are being made to meet these needs. At present, a high-density wiring board having a wiring width of 10 mu m and a wiring pitch of 20 mu m or less has been studied and proposed. In order to produce such a wiring width and wiring pitch, the semiadditive method is most suitable (for example, refer patent document 1).

세미 애디티브법은, 절연 필름상에 형성된 금속 시드층 위에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 포토레지스트 패턴의 개구부에서 노출된 금속 시드층의 표면에 도체 금속의 도금을 실시함으로써 금속 회로 배선을 형성하며, 그 후 포토레지스트를 박리하고 제거하여 새롭게 노출된 금속 시드층을 에칭 제거하고 회로 배선을 형성하는 방법이다.In the semi-additive process, a photoresist pattern is formed on a metal seed layer formed on an insulating film, and metal circuit wiring is formed by plating a conductive metal on the surface of the metal seed layer exposed through the opening of the photoresist pattern, Thereafter, the photoresist is stripped and removed to etch away the newly exposed metal seed layer and to form circuit wiring.

이하에서는 종래의 세미 애디티브법에 관해 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1은 세미 애디티브법의 개략적인 흐름을 나타낸 도면이다.Hereinafter, the conventional semiadditive method is demonstrated using FIG. 1 is a view showing a schematic flow of a semiadditive process.

우선, 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같이, 폴리이미드 필름 등으로 이루어지는 절연체(2)상에 금속층(1)을 형성한 기판 재료를 사용한다. 이 금속층(1)으로서, 예컨대 니켈/크롬 합금층을 제1 금속층으로 하고, 구리 스퍼터층을 제2 금속층으로 하여 이층 구조로 한 2층 CCL(Copper Clad Laminate) 기재(基材)를 사용해도 되고, 절연 필름 표면에 무전해 도금을 실시하며, 그 위에 전해 구리 도금을 실시한 것을 사용해도 된다.First, as shown to Fig.1 (a), the board | substrate material which formed the metal layer 1 on the insulator 2 which consists of polyimide films etc. is used. As the metal layer 1, for example, a two-layer CCL (Copper Clad Laminate) substrate having a nickel / chromium alloy layer as the first metal layer and a copper sputtered layer as the second metal layer may be used. Electrolytic plating may be performed on the surface of the insulating film, and electrolytic copper plating may be used thereon.

다음으로, 도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이, 상기 기판 재료의 금속층(1)의 표면에, 드라이 필름 레지스트나 액형 레지스트 등을 사용하여 포토레지스트층(3)을 형성한다. 사용하는 포토레지스트로는 포지티브형과 네거티브형 중 어느 것이어도 좋다.Next, as shown in Fig. 1B, the photoresist layer 3 is formed on the surface of the metal layer 1 of the substrate material by using a dry film resist, a liquid resist, or the like. The photoresist used may be either a positive type or a negative type.

다음으로, 도 1의 (c)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트층(3)에 원하는 회로 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 노광ㆍ현상하고 도금용 개구부(4)를 형성한다. 이때의 노광 조건, 현상 조건 등은 사용하는 포토레지스트 재료에 대해 최적으로 추천되는 것이면 되고, 특수한 조건을 이용할 필요는 없다.Next, as shown in Fig. 1C, the photoresist layer 3 is exposed and developed by using a mask having a desired circuit pattern to form the plating openings 4. Exposure conditions, development conditions, and the like at this time may be those that are optimally recommended for the photoresist material to be used, and there is no need to use special conditions.

다음으로, 도 1의 (d)에 나타낸 바와 같이, 개구부(4)의 바닥부에서 노출된 금속층(1)의 표면을 음극으로 하여 전기 구리 도금을 실시하고, 개구부(4)의 내부에 구리층(5)을 석출시킨다. 이때 사용하는 도금액으로는, 시판하는 황산구리 도금욕 등이면 되고, 도금 조건도 이용하는 구리 도금욕에 대해 추천되는 것이면 된다.Next, as shown in FIG. 1D, the surface of the metal layer 1 exposed at the bottom of the opening part 4 is subjected to electrocopper plating, and the copper layer is formed inside the opening part 4. Precipitate (5). What is necessary is just a copper sulfate plating bath etc. which are commercially available as a plating liquid used at this time, and what is recommended about the copper plating bath which also uses plating conditions.

다음으로, 도 1의 (e)에 나타낸 바와 같이, 잔존하는 포토레지스트층을 제거한다. 제거시에 채용되는 조건은, 사용한 포토레지스트 재료에 대해 추천되는 조건이면 된다.Next, as shown in Fig. 1E, the remaining photoresist layer is removed. The conditions employ | adopted at the time of removal may be conditions recommended with respect to the used photoresist material.

다음으로, 도 1의 (f)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트층 제거에 따라 새롭게 노출된 금속층(1)을 에칭하여 제거하고, 배선부(6)를 완성시킨다.Next, as shown in FIG. 1F, the newly exposed metal layer 1 is etched and removed as the photoresist layer is removed to complete the wiring portion 6.

이와 같이 하여 얻어진 플렉시블 배선 기판(20)은, 금속층과 절연체 필름의 경계면에 접착제를 개재시키지 않기 때문에, 회로 접착 강도의 열적 신뢰성과 회로간 전기 절연성이 우수한 것이 되는 이점이 있다.Since the flexible wiring board 20 obtained in this way does not interpose an adhesive agent in the interface between a metal layer and an insulator film, there exists an advantage that it is excellent in the thermal reliability of circuit adhesive strength and the electrical insulation between circuits.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-24902호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-24902

상기와 같이 현재 검토되고 제안되어 있는 배선폭이 10 ㎛, 배선폭과 배선 사이의 스페이스의 폭을 합한 배선 피치가 20 ㎛ 이하인 고밀도 배선 기판을 얻기 위해서는, 분명히 세미 애디티브법이 유효하다고 할 수 있다. 그러나, 이와 같이 배선 간격이 좁아지면 예기치 못한 문제가 발생한다.In order to obtain a high-density wiring board having a wiring width of 10 µm and a wiring pitch of 20 µm or less, which is the sum of the wiring width and the space between the wiring width and the wiring, the semi-additive method is clearly effective as described above. . However, when the wiring spacing is narrowed like this, an unexpected problem occurs.

구체적으로는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 회로 배선(7)의 일단에 ㄷ자형 절곡 배선 패턴(8)이 존재하면, ㄷ자형 절곡 배선 패턴(8)의 굴곡부(9) 내측에서 포토레지스트층의 박리가 불충분해지는 경우가 있다. ㄷ자형 절곡 배선 패턴(8)의 굴곡부(9) 내측에 포토레지스트가 잔존하는 경우에는, 이 포토레지스트는 이물 불량의 원인이 되어, 금속층(1)의 제거가 불완전해지고, 회로 배선(7)의 형상 불량을 야기한다.Specifically, as shown in FIG. 2, when the c-shaped bent wiring pattern 8 is present at one end of the circuit wiring 7, the photoresist layer is formed inside the bent portion 9 of the c-shaped bent wiring pattern 8. Peeling may become inadequate. In the case where the photoresist remains inside the bent portion 9 of the U-shaped bent wiring pattern 8, the photoresist may cause foreign material defects, resulting in incomplete removal of the metal layer 1, Cause poor shape.

본 발명은, 이러한 새로운 문제를 해소할 수 있는 배선 구조를 갖는 고밀도 배선 기판의 제공을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a high-density wiring board having a wiring structure that can solve such a new problem.

상기 과제를 해결하는 본 발명의 고밀도 배선 기판은, 절곡 배선 패턴을 갖는 고밀도 배선 기판에 있어서, 상기 절곡 배선 패턴의 굴곡부 내측에, 이 절곡 배선 패턴의 굴곡부 근방의 배선 간격보다 큰 최대 폭직경을 갖는 티어드롭 형상 홈을 마련한 고밀도 배선 기판이다.The high-density wiring board of this invention which solves the said subject is a high-density wiring board which has a bending wiring pattern WHEREIN: The inside of the bending part of the said bending wiring pattern has the largest width diameter larger than the wiring space | interval of the bending part vicinity of this bending wiring pattern. It is a high-density wiring board provided with teardrop-shaped grooves.

본 발명에서는, 예컨대 상기 티어드롭 형상 홈의 최대 폭직경이, 상기 절곡 배선 패턴의 굴곡부 근방의 배선 간격의 2배 이내이고, 또한 상기 티어드롭 형상 홈의 티어드롭 각도가 30°∼60°의 범위에 있는 고밀도 배선 기판으로 할 수 있다.In the present invention, for example, the maximum width diameter of the teardrop-shaped groove is within twice the wiring interval near the bent portion of the bent wiring pattern, and the teardrop angle of the teardrop-shaped groove is in the range of 30 ° to 60 °. It can be made into a high-density wiring board.

또한, 상기 티어드롭 형상 홈의 최대 세로직경은, 상기 절곡 배선 패턴의 굴곡부의 세로길이의 1/2 이내인 것을 특징으로 한다.The maximum longitudinal diameter of the teardrop-shaped groove may be within 1/2 of the longitudinal length of the bent portion of the bent wiring pattern.

본 발명에 의하면, 고밀도 배선 기판의 절곡 배선 패턴의 굴곡부에 있어서, 배선 사이에 존재하는 포토레지스트층의 박리성이 향상되어, 금속 시드층 제거의 불완전에 기인하는 불량률이 저감한다.According to this invention, the peelability of the photoresist layer which exists between wiring in the bending part of the bending wiring pattern of a high density wiring board improves, and the defect rate resulting from incompleteness of metal seed layer removal is reduced.

본 발명은, 세미 애디티브법으로 고밀도 배선 기판을 형성할 때, 고밀도 배선의 절곡 굴곡부를 갖는 배선에 있어서, 절곡 배선 패턴의 굴곡부 내측에 티어드롭 형상(눈물방울 형상) 홈을 마련함으로써, 이 절곡 배선 패턴부의 배선 사이에 존재하는 포토레지스트층의 유동 용이성을 확보하고, 또한 박리성을 개선하여 건전한 회로 배선을 형성하는 것이다.When forming a high-density wiring board by the semiadditive method, in this wiring which has the bending bend of a high density wiring, this bending is provided by providing a teardrop-shaped (teardrop-shaped) groove in the inside of the bending part of a bending wiring pattern. The ease of flow of the photoresist layer existing between the wirings of the wiring pattern portion is ensured, and the peelability is improved to form sound circuit wiring.

이하, 본 발명을 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 배선 구조의 일례를 나타낸 도면이고, 2개의 배선(7, 7)이 매우 좁은 간격 d을 유지하면서 병행하게 형성되어 있고, 이 배선의 일단은 티어드롭(눈물방울) 형상 홈을 갖는 굴곡부의 일단과 연결되어 있다. 그 결과, 2개의 배선(7, 7)의 굴곡부(11) 내측에는, 간격 d의 2배인 최대 폭직경 w을 갖는 티어드롭 (눈물방울) 형상 홈이 형성되게 된다. 여기서, w는 이 티어드롭 형상 홈의 일부 또는 전부를 구성하는 원, 또는 타원, 대략 타원의 최대 폭직경이며, 도 3에서는3 is a view showing an example of the wiring structure of the present invention, in which two wirings 7 and 7 are formed in parallel while maintaining a very narrow gap d, and one end of the wiring has a teardrop-shaped groove. It is connected to one end of the bent portion having a. As a result, a teardrop (teardrop) shaped groove having a maximum width diameter w that is twice the interval d is formed inside the bent portion 11 of the two wirings 7, 7. Here, w is a maximum width diameter of a circle, an ellipse, or an ellipse constituting part or all of the teardrop-shaped groove, and in FIG.

w=2d … (1)w = 2d... (One)

의 관계로 되어 있다.Has become a relationship.

또한, 본 명세서에서는, 상기 배선(7)의 일단과 티어드롭(눈물방울) 형상의 일단의 불연속점 m과, 이 티어드롭 형상 홈의 최대 폭직경과의 교점 n을 연결하는 직선 L1(m1-n1), L2(m2-n2)가 이루는 각도 θ를 티어드롭 각도로 정의한다.The present in disclosure, the wiring (7) once the Teardrop (teardrop) one end of the discontinuity m and a line L1 connecting the point of intersection n of the teardrop shaped grooves maximum width diameter of the (m 1 of the shape of The angle θ formed by -n 1 ) and L2 (m 2 -n 2 ) is defined as a teardrop angle.

그리고, 티어드롭 각도 θ는 2개의 배선(7, 7)의 간격 d에 따라 30도 내지 60도 정도의 사이에서 적절하게 선택하면 된다.The teardrop angle θ may be appropriately selected between about 30 degrees and about 60 degrees depending on the distance d between the two wirings 7, 7.

여기서, 티어드롭 각도 θ를 30도 내지 60도의 범위로 한 것은, 티어드롭 각도 θ가 30도 미만이면, 티어드롭의 최대 폭직경을 충분히 유지할 수 없고, 포토레지스트의 박리성을 충분히 유지할 수 없어 바람직하지 않으며, 또한 티어드롭 각도 θ가 60도를 넘으면, 2개의 배선(7, 7)으로부터 티어드롭 홈으로 연결되는 형상이 현저하게 변하기 때문에, 포토레지스트가 티어드롭 근방에서 절단되고, 오히려 박리성이 나빠지므로 바람직하지 않기 때문이다.Here, it is preferable that the teardrop angle θ be in the range of 30 degrees to 60 degrees, if the teardrop angle θ is less than 30 degrees, the maximum width diameter of the teardrop cannot be sufficiently maintained, and the peelability of the photoresist cannot be sufficiently maintained. If the teardrop angle θ exceeds 60 degrees, the shape connected to the teardrop groove from the two wirings 7 and 7 changes significantly, so that the photoresist is cut in the vicinity of the teardrop, and the peelability It is because it becomes bad and is not preferable.

또한, 티어드롭 형상 홈의 최대 폭직경이 절곡 배선 패턴의 굴곡부 근방의 배선 간격의 2배 이내라고 한 것은, 2배를 넘으면, 최종적으로 형성되는 배선은 폭이 좁아지고, 배선의 단선 불량으로 이어지므로, 바람직하지 않기 때문이다.In addition, the fact that the maximum width diameter of the teardrop-shaped groove is less than twice the wiring interval near the bent portion of the bent wiring pattern, if it exceeds 2 times, the wiring finally formed becomes narrower, leading to poor wiring disconnection. It is because it is not preferable.

이와 같이, 2개의 배선(7, 7)의 굴곡부 내측을 이 정도의 둥글기를 가지는 티어드롭 형상 홈으로 형성해 두면, 애디티브법으로 회로 배선을 형성하는 경우에도, 배선 사이에 존재하는 포토레지스트층의 박리성이 향상되며, 금속 시드층의 불완전한 제거를 막을 수 있어, 금속 시드층에 기인하는 회로의 불량률이 저감한다.Thus, if the inside of the bent part of the two wirings 7 and 7 is formed by the teardrop-shaped groove | channel which has this round degree, even if a circuit wiring is formed by the additive method, the photoresist layer which exists between wirings Peelability improves, the incomplete removal of a metal seed layer can be prevented, and the defective rate of the circuit resulting from a metal seed layer reduces.

도 4는 본 발명의 고밀도 배선 기판의 다른 일례를 나타낸 도면이고, 도 3과 마찬가지로 2개의 배선(7, 7)이 매우 좁은 간격 d를 유지하여 병행하게 형성되어 있고, 티어드롭 각도 θ가 30도인 티어드롭 형상 홈이 형성되어 있다.4 is a view showing another example of the high-density wiring board of the present invention. Similarly to FIG. 3, two wirings 7 and 7 are formed in parallel with a very narrow distance d, and the teardrop angle θ is 30 degrees. A teardrop shaped groove is formed.

이러한 배선 구조를 취함으로써, 고밀도 배선 기판의 절곡 패턴부를 구성하는 배선 사이에 있는 포토레지스트의 박리성이 향상되고, 금속 시드층의 제거도 용이해지며, 금속 시드층 잔사에 의한 회로의 불량률이 저감한다.By taking such a wiring structure, the peelability of the photoresist between the wirings constituting the bent pattern portion of the high-density wiring board is improved, the metal seed layer is easily removed, and the defect rate of the circuit due to the metal seed layer residue is reduced. do.

[실시예 1]Example 1

본 실시예에서는, 도 1에 나타내는 공정에 따라 애디티브법으로 고밀도 배선을 작성했다.In the present Example, the high density wiring was created by the additive method according to the process shown in FIG.

본 실시예에서는, 두께 38 ㎛의 폴리이미드 필름으로 이루어진 절연체상에, 스퍼터링법으로 두께 170 Å의 니켈/크롬 금속층을 형성하고, 그 위에 두께 0.1 ㎛의 구리 스퍼터층을 형성한 2층 CCL 기재를 사용했다.In this embodiment, a two-layer CCL substrate having a nickel / chromium metal layer having a thickness of 170 mm 3 was formed on a insulator made of a polyimide film having a thickness of 38 μm by sputtering, and a copper sputter layer having a thickness of 0.1 μm formed thereon. Used.

우선, 상기 기재의 구리 스퍼터층의 표면에 드라이 필름 레지스트[품명 RY-3215 : 히타치카세이(주) 제조]를 라미네이트했다.First, a dry film resist (trade name RY-3215: manufactured by Hitachikasei Co., Ltd.) was laminated on the surface of the copper sputtering layer described above.

다음으로 조도 40mJ로 노광하며, 온도 30℃의 1% 탄산나트륨 수용액에 포토레지스트 필름을 접촉시켜 현상하고, 포토레지스트 회로 패턴을 형성했다. 이때 노광 패턴 마스크는, 라인 스페이스폭이 14 ㎛이며, 절곡 배선 패턴의 굴곡부 내측 에, 도 3에 나타낸 바와 같이 최대 폭직경이 28 ㎛이고 티어드롭 각도가 60°인 티어드롭 형상을 갖는 것을 사용했다.Next, it was exposed at a roughness of 40 mJ, developed by contacting a photoresist film with an aqueous 1% sodium carbonate solution at a temperature of 30 ° C. to form a photoresist circuit pattern. At this time, the exposure pattern mask had a line space width of 14 µm and a teardrop shape having a maximum width diameter of 28 µm and a teardrop angle of 60 ° inside the bent portion of the bent wiring pattern, as shown in FIG. 3. .

다음으로 시판하는 황산구리 도금욕을 사용하여 두께 약 13 ㎛의 구리 도금을 하였다. 그 후, 드라이 필름 레지스트를 농도 5%의 수산화나트륨 수용액을 사용하여 박리 제거했다.Next, about 13 micrometers thick copper plating was performed using the commercially available copper sulfate plating bath. Thereafter, the dry film resist was peeled off using a 5% aqueous sodium hydroxide solution.

다음으로 각 배선 사이에 드라이 필름 레지스트가 잔존하지 않는지 어떤지를 현미경 관찰에 의해 확인했다. 그 결과, 각 배선 사이에 드라이 필름 레지스트는 잔존하지 않았다.Next, microscopic observation confirmed whether dry film resist remained between each wiring. As a result, no dry film resist remained between the wirings.

다음으로 주성분이 황산 및 과산화수소로 이루어지는 소프트 에칭액[품명 CPE800 : 료코화학(주) 제조]을 사용하여, 온도 30℃, 압력 0.1MPa의 조건으로 약 30초간 스프레이 처리를 했다.Next, using the soft etching liquid (product name CPE800: Ryoko Chemical Co., Ltd.) which a main component consists of sulfuric acid and hydrogen peroxide, it sprayed for about 30 second on conditions of the temperature of 30 degreeC, and the pressure of 0.1 MPa.

이어서, 노출된 니켈/크롬 합금층을 시판하는 니켈/크롬 선택 에칭액[품명 CH1920 : 메크(주) 제조]을 사용하여 온도 40℃에서 2초간 침지하여, 니켈/크롬 합금층을 제거했다.Subsequently, the nickel / chromium alloy layer exposed was immersed at a temperature of 40 ° C. for 2 seconds using a commercially available nickel / chromium selective etching solution (trade name CH1920: manufactured by Mech Co., Ltd.) to remove the nickel / chromium alloy layer.

얻어진 플렉시블 배선 기판의 배선부에 드라이 필름 레지스트 박리 불량에 유래하는 이상은 보이지 않았고, 회로 특성도 양호한 것이었다.The abnormality resulting from the dry film resist peeling defect was not seen in the wiring part of the obtained flexible wiring board, and the circuit characteristic was also favorable.

[실시예 2]Example 2

절곡 패턴부가 도 4와 같은 구조, 즉 라인 스페이스폭이 14 ㎛이고, 절곡 패턴의 굴곡부 내측에 최대 폭직경이 28 ㎛이며 티어드롭 각도가 30°인 티어드롭 형상을 갖는 마스크를 사용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 플렉시블 배선 기판을 제조했다.The bending pattern portion is implemented except that a mask having a structure similar to that of Fig. 4, i.e., a line space width of 14 mu m, a tear drop shape having a maximum width diameter of 28 mu m and a tear drop angle of 30 DEG inside the bent portion of the bending pattern is implemented. A flexible wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1.

얻어진 플렉시블 배선 기판의 배선부에 드라이 필름 레지스트 박리 불량에 유래하는 이상은 보이지 않았고, 회로 특성도 양호한 것이었다.The abnormality resulting from the dry film resist peeling defect was not seen in the wiring part of the obtained flexible wiring board, and the circuit characteristic was also favorable.

[비교예][Comparative Example]

절곡 패턴부가 도 2와 같은 종래의 ㄷ자형 절곡 패턴을 갖는 마스크를 사용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 플렉시블 배선 기판을 제조했다.A flexible wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the bending pattern portion used a mask having a conventional U-shaped bending pattern as shown in FIG. 2.

얻어진 플렉시블 배선 기판의 배선부에 드라이 필름 레지스트 박리 불량에 유래하는 이상이 복수 곳에서 보였으며, 회로 특성은 양호한 것이 되지 않았다.The abnormality resulting from the dry film resist peeling defect was seen in several places in the wiring part of the obtained flexible wiring board, and the circuit characteristic did not become favorable.

도 1은 세미 애디티브법의 개략적인 흐름을 나타내는 도면이다.1 is a diagram showing a schematic flow of a semiadditive process.

도 2는 종래의 ㄷ자형 절곡 패턴의 일례를 나타내는 도면이다. 2 is a view showing an example of a conventional U-shaped bending pattern.

도 3은 본 발명의 배선의 절곡 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows an example of the bending pattern of the wiring of this invention.

도 4는 본 발명의 배선의 절곡 패턴의 다른 예를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the other example of the bending pattern of the wiring of this invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 금속층1: metal layer

2 : 절연체2: insulator

3 : 포토레지스트층3: photoresist layer

4 : 개구부4: opening

5 : 구리층5: copper layer

6 : 배선부6: wiring section

7 : 회로 배선7: circuit wiring

8 : ㄷ자형 절곡 패턴8: U-shaped bending pattern

9 : ㄷ자형 절곡 패턴의 굴곡부9: bend of the U-shaped bending pattern

10 : 티어드롭 형상 패턴10: teardrop shape pattern

11 : 티어드롭 형상 패턴의 굴곡부 11: bend of the teardrop shape pattern

d : 배선 간격 d: wiring spacing

w : 티어드롭 형상 홈의 최대 폭직경w: maximum width of the teardrop shaped groove

Claims (3)

절곡 배선 패턴을 갖는 고밀도 배선 기판에 있어서, 상기 절곡 배선 패턴의 굴곡부 내측에, 이 절곡 배선 패턴의 굴곡부 근방의 배선 간격보다 큰 최대 폭직경을 갖는 티어드롭(눈물방울) 형상 홈을 마련한 것을 특징으로 하는 고밀도 배선 기판.A high-density wiring board having a bent wiring pattern, wherein a teardrop-shaped groove having a maximum width diameter larger than the wiring interval near the bent portion of the bent wiring pattern is provided inside the bent portion of the bent wiring pattern. High density wiring board. 제1항에 있어서, 상기 티어드롭 형상 홈의 최대 폭직경이, 상기 절곡 배선 패턴의 굴곡부 근방의 배선 간격의 2배 이내이고, 상기 티어드롭 형상 홈의 티어드롭 각도가 30°∼60°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 고밀도 배선 기판.2. The range of claim 1, wherein a maximum width diameter of the teardrop-shaped groove is within two times the wiring interval near the bent portion of the bent wiring pattern, and a teardrop angle of the teardrop-shaped groove is in a range of 30 ° to 60 °. High density wiring board characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 티어드롭 형상 홈의 최대 세로직경이, 상기 절곡 배선 패턴의 굴곡부의 세로길이의 1/2 이내인 것을 특징으로 하는 고밀도 배선 기판.The high-density wiring board according to claim 1, wherein the maximum longitudinal diameter of the teardrop-shaped groove is within 1/2 of the longitudinal length of the bent portion of the bent wiring pattern.
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