KR20090110554A

KR20090110554A - Ｒｆｉｄ 장치

Info

Publication number: KR20090110554A
Application number: KR1020080036122A
Authority: KR
Inventors: 강희복; 홍석경
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2008-04-18
Filing date: 2008-04-18
Publication date: 2009-10-22
Also published as: CN101561887A; KR100983700B1; US20090261953A1; CN101561887B; JP2009259186A; US8217779B2

Abstract

본 발명은 RFID 장치에 관한 것으로서, RFID 태그 칩(Radio Frequency Identification Tag Chip)에서 체크 포인트 상에서의 온도를 검출 및 보정 함으로써 온도에 민감한 물류의 온도 변화 상태를 추적할 수 있도록 하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 무선 주파수 신호를 입력받아 동작 명령신호를 출력하는 아날로그 블록과, 아날로그 블록으로부터 인가되는 동작 명령신호에 따라 어드레스, 온도 어드레스, 동작 제어신호, 온도센서 활성화 신호 및 온도 보정신호를 출력하고, 해당하는 응답신호를 아날로그 블록에 출력하는 디지털 블록과, 어드레스, 온도 어드레스, 및 동작 제어신호를 입력받아 내부 동작을 제어하기 위한 내부 제어신호를 생성하고, 내부 제어신호에 따라 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록, 및 온도 보정신호에 따라 온도 보정을 위한 파라미터의 기본 값을 세팅하고, 온도센서 활성화 신호에 따라 RFID 태그 내의 온도 변화 상태를 검출하여 기본 값과 비교하고 그 결과에 따라 기본 값을 변경하며, 온도 변화 상태에 대응하는 디지털 코드값을 출력하는 온도 처리부를 포함한다.

Description

ＲＦＩＤ 장치{Radio Frequency Identification Device}

도 1은 본 발명에 따른 RFID 장치의 전체 구성도.

도 2는 도 1의 메모리 블록에 관한 상세 구성도.

도 3은 도 2의 온도 처리부에 관한 상세 구성도.

도 4 및 도 5는 도 3의 온도 감지부에 관한 상세 회로도 및 온도 특성 그래프.

도 6은 도 3의 온도 보정부에 관한 상세 구성도.

도 7은 도 6의 데이터 저장부에 관한 상세 회로도.

도 8 및 도 9는 도 6의 비휘발성 코드부에 관한 동작 타이밍도.

도 10은 도 3의 A/D 변환부에 관한 상세 구성도.

도 11은 도 10의 온도계 코드 처리부에 관한 상세 구성도.

도 12는 도 11의 각 선택부에 관한 상세 회로도.

도 13 및 도 14는 도 10의 온도계 코드 처리부를 설명하기 위한 도면.

도 15는 도 2의 온도 처리부에 관한 동작을 설명하기 위한 플로우 챠트.

본 발명은 RFID 장치에 관한 것으로서, RFID 태그 칩(Radio Frequency Identification Tag Chip)에서 체크 포인트 상에서의 온도를 검출 및 보정 함으로써 온도에 민감한 물류의 온도 변화 상태를 추적할 수 있도록 하는 기술이다.

일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이타가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다.

이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 기억소자로서 커패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 이용한 것이다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다.

한편, 일반적인 RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 크게 아날로그 블록, 디지털 블록 및 메모리 블록을 구비한다. 이러한 RFID 칩 수동 소자는 안테나에 전달된 전원을 이용하여 동작하게 된다. 그런데, 장거리 동작을 위한 RFID 칩의 경우 안테나에 전달되는 전원이 아주 미약하게 된다. 따라서, RFID 칩의 각 블록 회로들은 전력이 최소한으로 소모되도록 설계되어야 한다.

그리고, RFID 태그(Tag)의 경우 온도에 민감한 물류를 취급할 경우 물류 이동 과정에서 각 체크 포인트(Check Point) 상에서의 온도를 기록하여 온도 변화 상태를 추적할 필요성이 대두된다. 그런데, 종래의 RFID 태그는 그 자체에 온도를 검출하는 기능이 없기 때문에 별도의 온도계를 이용해야만 하는 문제점이 있다.

또한, 종래의 RFID 태그의 경우 각각의 칩이 서로 다른 공정에 의해 제조된다. 이에 따라, RFID 칩이 동일한 온도 조건에 있는 경우에도 서로 다른 회로 및 공정 조건을 갖기 때문에 그 출력 전압이 다르게 나타날 수 있다. 따라서, 서로 다른 회로 및 공정 조건을 갖는 모든 RFID 칩에서 칩에 특성에 대응하여 온도 측정 값을 보정 할 수 있도록 하는 본 발명의 필요성이 대두 되었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, RFID 태그 칩(Radio Frequency Identification Tag Chip) 상에서 직접 온도를 검출하여 전압으로 출력하고 이를 디지털 변화하여 데이터 버스에 출력하도록 함으로써 별도의 온도센서를 구비하지 않으면서 RFID의 레이아웃 면적을 줄일 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 RFID 태그 칩 상에서 검출된 온도 데이터를 셀 영역의 특정 영역에 할당된 온도 메모리에 저장함으로써 측정된 온도 정보를 용이하게 활용할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 RFID 태그 칩에서 온도 특성을 측정하고 비휘발성 레지스터를 이용하여 보정 함으로써 온도 변화에 따른 출력 전압의 변화 폭을 안정화시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 RFID 장치는, 무선 주파수 신호를 입력받아 동작 명령신호를 출력하는 아날로그 블록; 아날로그 블록으로부터 인가되 는 동작 명령신호에 따라 어드레스, 온도 어드레스, 동작 제어신호, 온도센서 활성화 신호 및 온도 보정신호를 출력하고, 해당하는 응답신호를 아날로그 블록에 출력하는 디지털 블록; 어드레스, 온도 어드레스, 및 동작 제어신호를 입력받아 내부 동작을 제어하기 위한 내부 제어신호를 생성하고, 내부 제어신호에 따라 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록; 및 온도 보정신호에 따라 온도 보정을 위한 파라미터의 기본 값을 세팅하고, 온도센서 활성화 신호에 따라 RFID 태그 내의 온도 변화 상태를 검출하여 기본 값과 비교하고 그 결과에 따라 기본 값을 변경하며, 온도 변화 상태에 대응하는 디지털 코드값을 출력하는 온도 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 아날로그 블록, 디지털 블록, 및 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하는 RFID 장치에 있어서, 온도 보정신호에 따라 온도 보정을 위한 파라미터의 기본 값을 세팅하고, 온도센서 활성화 신호에 따라 RFID 태그 내의 온도 변화 상태를 검출하여 기본 값과 비교하고 그 결과에 따라 기본 값을 변경하며, 온도 변화 상태에 대응하는 디지털 코드값을 출력하는 온도 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.

도 1은 본 발명에 따른 RFID(Radio Frequency Identification) 장치의 전체 구성도이다. 본 발명은 크게 아날로그 블럭(100)과, 디지털 블럭(200) 및 불휘발성 강유전체 메모리(FeRAM;non-volatile ferroelectric random access memory;300) 를 구비한다.

여기서, 아날로그 블럭(100)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;110), 전압 리미터(Voltage Limiter;120), 모듈레이터(Modulator;130), 디모듈레이터(Demodulator;140), 파워 온 리셋부(Power On Reset;150) 및 클록 발생부(160)를 구비한다.

그리고, 아날로그 블럭(100)의 안테나(10)는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 무선 주파수 신호 RF를 송수신한다. 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에 의해 RFID의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 전압 리미터(120)는 안테나(10)로부터 인가된 무선 주파수 신호 RF의 전송 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(140)와 클록 발생부(160)에 출력한다.

또한, 모듈레이터(130)는 디지털 블럭(200)으로부터 인가되는 응답 신호 RP를 모듈레이팅하여 안테나(10)에 전송한다. 디모듈레이터(140)는 전압 멀티플라이어(110)와 전압 리미터(120)의 출력전압에 따라 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호 CMD를 디지털 블럭(200)에 출력한다.

파워 온 리셋부(150)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR를 디지털 블럭(200)에 출력한다. 클록 발생부(160)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD에 따라 디지털 블럭(200)의 동작을 제어하기 위한 클록 CLK를 디지털 블럭(200)에 공급한다.

또한, 상술된 디지털 블럭(200)은 아날로그 블럭(100)으로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클록 CLK 및 명령신호 CMD를 인가받아 명령신호를 해석하고 제어신호 및 처리 신호들을 생성하여 아날로그 블럭(100)에 해당하는 응답신호 RP를 출력한다. 그리고, 디지털 블럭(200)은 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어신호 CTR, 온도센서를 구동하기 위한 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD 및온도 보정신호 CAL_CMD를 FeRAM(300)에 출력한다.

FeRAM(300)은 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 이용하여 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블럭이다. 여기서, FeRAM(300)은 온도 처리부(310)를 포함하여 디지털 블럭(200)으로부터 인가되는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD 및 온도 보정신호 CAL_CMD에 따라 RFID 태그 칩 상에서의 온도 변화 상태를 검출 및 보정 하여 전압으로 출력한다.

도 2는 도 1의 메모리 블록(300)에 관한 상세 구성도이다.

메모리 블록(300)은 온도 처리부(310)와, 주변 회로부(320)와, 셀 어레이(330), 워드라인/플레이트라인 드라이버(340), 온도 메모리(350), 센스앰프부 및 입/출력부(360)를 구비한다.

여기서, 온도 처리부(310)는 디지털 블럭(200)으로부터 인가되는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD와, 온도 보정신호 CAL_CMD에 따라 RFID 태그 칩 상에서의 온도 변화 상태를 검출 및 보정 하여 전압으로 변환한 후 검출된 디지털 값을 데이터 버스에 출력한다.

그리고, 주변 회로부(320)는 디지털 블록(200)으로부터 인가되는 어드레스 ADD[n:0]와, 온도 어드레스 TEMP_ADD와, 칩 인에이블 신호 CE와, 출력 인에이블 신호 OE 및 라이트 인에이블 신호 WE에 따라 셀 어레이(330)를 구동하기 위한 워드라인 WL 및 플레이트 라인 PL을 제어하고, 온도 처리부(310)를 제어한다.

또한, 주변 회로부(320)는 센스앰프의 활성화 여부를 조정하기 위한 센스앰프 인에이블 신호 SEN와, 센스앰프에서 센싱된 데이터를 데이터 버스에 출력하기 위한 출력 인에이블 신호 OEN 및 데이터 버스로부터 인가되는 데이터를 셀 어레이(330)에 라이트 하기 위한 라이트 인에이블 신호 WEN를 출력한다.

셀 어레이(330)는 불휘발성 강유전체 커패시터 소자와 스위칭 소자를 포함하는 단위 셀을 복수개 구비하여 불휘발성 강유전체 커패시터 소자에 데이터를 저장하고 저장된 데이터를 리드한다. 워드라인/플레이트라인 드라이버(340)는 워드라인 WL 및 플레이트 라인 PL을 구동한다.

온도 메모리(350)는 온도 처리부(310)에 의해 검출된 온도에 대응하는 데이터를 데이터 버스를 통해 인가받아 이를 저장한다. 여기서, 온도 메모리(350)는 복수개의 온도 어드레스 TEMP_ADD에 의해 할당되는 메모리 셀 어레이 영역을 나타낸다.

센스앰프부 및 입/출력부(360)는 주변회로부(320)로부터 인가되는 센스앰프 인에이블 신호 SEN, 출력 인에이블 신호 OEN 및 라이트 인에이블 신호 WEN에 따라 그 동작이 제어된다. 그리고, 센스앰프부 및 입/출력부(360)는 셀 어레이(330)로부터 인가되는 데이터를 센싱 증폭하여 데이터 버스에 출력하고, 데이터 버스로부터 인가되는 데이터를 셀 어레이(330)에 전달한다.

도 3은 도 2의 온도 처리부(310)에 관한 상세 회로도이다.

온도 처리부(310)는 온도 감지부(311)와, 온도 보정부(315) 및 A/D 변환부(316)를 포함한다.

여기서, 온도 감지부(311)는 디지털 블럭(200)으로부터 인가되는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD에 따라 RFID 태그 칩 내의 온도를 감지하여 기준전압 Vref과 온도 검출전압 Vtemp을 출력한다.

온도 보정부(315)는 디지털 블럭(200)으로부터 인가되는 온도 보정신호 CAL_CMD와 기준전압 Vref에 따라 RFID 태그 칩 내의 온도를 보정 하여 보정 전압 Vref_cal을 출력한다.

A/D 변환부(316)는 보정 전압 Vref_cal과 온도 검출전압 Vtemp에 따라 온도계 코드를 발생하고, 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD에 따라 온도계 코드에 대응하는 디지털 신호를 데이터 버스에 출력한다.

도 4는 도 3의 온도 감지부(311)에 관한 상세 회로도이다.

온도 감지부(311)는 온도 검출전압 발생부(312)와, 기준전압 발생부(313)를 포함한다.

여기서, 온도 검출전압 발생부(312)는 복수개의 PMOS트랜지스터 P1~P15와, 복수개의 NMOS트랜지스터 N1~N9와, 바이폴라 트랜지스터 B1,B2와, 저항 R1,R3 및 모스 커패시터 MC1를 포함한다.

PMOS트랜지스터 P5~P8는 공통 게이트 단자를 통해 바이어스 전압 vbiasu1이 인가된다. 그리고, PMOS트랜지스터 P6,P8는 PMOS트랜지스터 P7의 보다 채널 폭이 2배 크게 설정되는 것이 바람직하다.

PMOS트랜지스터 P9~P13는 공통 게이트 단자를 통해 바이어스 전압 vbiasd1이 인가된다. 그리고, PMOS트랜지스터 P11,P13는 PMOS트랜지스터 P12의 보다 채널 폭이 2배 크게 설정되는 것이 바람직하다.

PMOS트랜지스터 P1~P4와 NMOS트랜지스터 N1~N3를 포함하는 비교기는 노드 va1와 노드 vb1의 출력 전압을 비교 및 증폭한다. 그리고, 바이폴라 트랜지스터 B2는 바이폴라 트랜지스터 B1 보다 사이즈가 10배 크게 설정되는 것이 바람직하다.

그리고, PMOS트랜지스터 P14는 바이어스 전압 vbiasu1에 따라 선택적으로 스위칭된다. 또한, PMOS트랜지스터 P15는 바이어스 전압 vbiasd1에 따라 선택적으로 스위칭된다.

이러한 구성을 갖는 온도 검출전압 발생부(312)는 도 5에 도시된 바와 같이 온도가 상승함에 따라 온도 검출전압 Vtemp이 증가하게 되는 특성을 갖는다. 즉, 온도의 상승에 비례하여 전압이 증가하게 된다.

온도의 변화에 대응하는 온도 검출전압 Vtemp의 특성을 수식으로 표현하면 다음의 [수학식 1]과 같다.

온도 검출전압 Vtemp = (2VTln20/R1)×R3

여기서, 온도 검출전압 Vtemp은 온도 변화에 따라 변화하는 출력 전압이 된다. 그리고, 전압 VT는 온도 전압(thermometer voltage)이 된다.

한편, 기준전압 발생부(313)는 복수개의 PMOS트랜지스터 P16~P33와, 복수개 의 NMOS트랜지스터 N10~N18와, 바이폴라 트랜지스터 B3와, 저항 R2,R4 및 모스 커패시터 MC2를 포함한다.

PMOS트랜지스터 P17~P20는 공통 게이트 단자를 통해 바이어스 전압 vbiasu2이 인가된다. 그리고, PMOS트랜지스터 P16~P24는 채널 폭이 모두 동일하게 설정되는 것이 바람직하다. PMOS트랜지스터 P22~P26,P29,P30는 공통 게이트 단자를 통해 바이어스 전압 vbiasd2이 인가된다. PMOS트랜지스터 P27~P30와 NMOS트랜지스터 N10,N11,N14를 포함하는 비교기는 노드 vb2와 노드 va2의 출력 전압을 비교 및 증폭한다.

그리고, PMOS트랜지스터 P31는 바이어스 전압 vbiasu2에 따라 선택적으로 스위칭된다. 또한, PMOS트랜지스터 P32는 바이어스 전압 vbiasd2에 따라 선택적으로 스위칭된다.

이러한 구성을 갖는 기준전압 발생부(313)는 온도의 변화와 무관하게 항상 일정한 전압 값을 갖는다. 이러한 기준전압 Vref의 특성을 수식으로 표현하면 다음의 [수학식 2]와 같다.

기준전압 Vref = R4×((2VTln20/R1)+(VBE3/R2))

여기서, 전압 VT는 온도 전압(thermometer voltage)이 되고, 전압 VBE3는 바이폴라 트랜지스터 B3의 베이스 단자로부터 이미터 단자로 흐르는 전압을 나타낸다. 이때, 전압 VT는 온도 값을 나타내는 전압으로 통상적으로 KT/q 값을 갖는다.

도 6은 도 3의 온도 보정부(315)에 관한 상세 회로도이다.

온도 보정부(315)는 온도 보정 처리부(400)와, 복수개의 저항 Rp1~Rpn과, 복수개의 스위칭 소자 SW1~SWn 및 복수개의 비휘발성 코드부(410_1~410_n)를 포함한다. 여기서, 복수개의 비휘발성 코드부(410_1~410_n) 각각은 데이터 저장부(411)와, 래치부(412)를 포함한다.

온도 보정 처리부(400)는 온도 보정신호 CAL_CMD에 온도 보정을 수행하기 위한 각종 세트신호 SET_1~SET_n을 비휘발성 코드부(410_1~410_n)에 출력한다. 이때, 세트신호 SET_1~SET_n는 데이터 D/DB와, 풀업 인에이블 신호 ENP와, 셀 플레이트 신호 CPL 및 풀다운 인에이블 신호 ENN를 포함한다.

그리고, 저항 Rp1은 기준전압 Vref 인가단과 스위칭 소자 SW1 사이에 연결된다. 그리고, 스위칭 소자 SW1는 저항 Rp1과 보정 전압 Vref_cal의 출력단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 래치 출력신호 LOUT_1가 인가된다.

또한, 저항 Rpn은 기준전압 Vref 인가단과 스위칭 소자 SWn 사이에 연결된다. 그리고, 스위칭 소자 SWn는 저항 Rpn과 측정 전압 Vref_cal의 출력단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 래치 출력신호 LOUT_n가 인가된다.

또한, 데이터 저장부(411)는 측정 인에이블 신호 CAL_EN에 따라 활성화 상태가 제어된다. 그리고, 세트 신호 SET에 따라 비휘발성 레지스터에 데이터 D를 저장하고, 측정 데이터 CAL_D를 래치부(412)에 출력한다. 여기서, 측정 인에이블 신호 CAL_EN는 비휘발성 레지스터에 데이터 D를 라이트 하기 위한 신호이다.

그리고, 래치부(412)는 래치 인에이블 신호 LEN에 따라 측정 데이터 CAL_D를 래치하여 래치 출력신호 LOUT를 출력한다. 여기서, 래치 인에이블 신호 LEN는 측 정 인에이블 신호 CAL_EN와 후술하는 파워 천이 검출신호 PTD를 오아 연산한 신호이다. 즉, 래치 인에이블 신호 LEN는 측정 인에이블 신호 CAL_EN와 파워 천이 검출신호 PTD 중 어느 하나가 활성화되면 인에이블 되는 신호이다.

이러한 구성을 갖는 온도 보정부(315)는 스위칭 소자 SW1~SWn가 턴 온 되는 개수에 따라 기준전압 Vref으로부터 측정 전압 Vref_cal의 출력단까지 서로 다른 전압 강하가 발생하게 된다. 즉, 측정 전압 Vref_cal은 기준전압 Vref에서 전압 강하된 전압 값(IR drop)을 뺀 값이 된다.

예를 들어, 비휘발성 코드부(410_1~410_n)의 출력에 따라 스위칭 소자 SW1~SWn가 모두 턴 온 된 경우, 저항값이 작아지게 되어 기준전압 Vref과의 전압 차이가 많이 발생하지 않게 된다. 즉, 측정 전압 Vref_cal이 기준전압 Vref과 유사한 값을 갖게 된다.

반면에, 비휘발성 코드부(410_1~410_n)의 출력에 따라 스위칭 소자 SW1~SWn 중 하나의 스위칭 소자 SW1가 턴 온 된 경우 전압 강하가 커지게 된다. 이에 따라, 측정 전압 Vref_cal 출력단에 걸리는 저항값이 커지게 되어 기준전압 Vref과의 차이가 많이 발생하게 된다. 즉, 측정 전압 Vref_cal과 기준전압 Vref이 큰 전압 차를 갖게 된다.

도 7은 도 6의 데이터 저장부(411)에 관한 상세 회로도이다.

데이터 저장부(411)는 풀업부(420)와, 풀업 래치부(421)와, 입/출력부(422)와, 비휘발성 저장 커패시터부(423)와, 풀다운 래치부(424) 및 풀다운부(425)를 포함한다.

여기서, 풀업부(420)는 전원전압 VCC 인가단과 풀업 래치부(421) 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 풀업 인에이블 신호 ENP가 인가되는 PMOS트랜지스터 P34를 포함한다.

풀업 래치부(421)는 PMOS트랜지스터 P35,P36를 포함한다. PMOS트랜지스터 P35,P36는 PMOS트랜지스터 P34와 입/출력부(422) 사이에 연결되어 게이트 단자가 크로스 커플드 연결된다.

입/출력부(422)는 NMOS트랜지스터 N19,N20를 포함한다. 여기서, NMOS트랜지스터 N19는 측정 데이터 CAL_D의 출력단과 데이터 D 입력단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 측정 인에이블 신호 CAL_EN가 인가된다. 그리고, NMOS트랜지스터 N20는 측정 데이터 CAL_DB의 출력단과 데이터 DB 입력단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 측정 인에이블 신호 CAL_EN가 인가된다.

그리고, 비휘발성 저장 커패시터부(423)는 복수개의 비휘발성 강유전체 커패시터 FC1~FC4를 구비한다. 여기서, 비휘발성 강유전체 커패시터 FC1,FC2는 셀 플레이트 신호 CPL 인가단과 측정 데이터 CAL_D,CAL_DB의 출력단 사이에 각각 연결되고, 비휘발성 강유전체 커패시터 FC3,FC4는 측정 데이터 CAL_D,CAL_DB의 출력단과 접지전압단 사이에 각각 연결된다.

풀다운 래치부(424)는 NMOS트랜지스터 N21,N22를 포함한다. 여기서, NMOS트랜지스터 N21,N22는 비휘발성 저장 커패시터부(423)와 NMOS트랜지스터 N23 사이에 연결되어 게이트 단자가 크로스 커플드 연결된다. 풀다운부(425)는 풀다운 래치부(424)와 접지전압단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 풀다운 인에이블 신호 ENN가 인가되는 NMOS트랜지스터 N23를 포함한다.

이러한 구성을 갖는 데이터 저장부(411)의 동작을 도 8 및 도 9의 동작 타이밍도를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도 8은 처음 전원이 켜졌을 경우 데이터 복구를 위한 데이터 저장부(411)의 동작을 나타낸다. 그리고, 도 9는 측정 데이터 CAL_D의 천이시에 비휘발성 코드부(410)에 데이터를 세팅하는 과정을 나타낸다.

먼저, 도 8에서와 같이, 파워-온 리셋신호 POR의 전압 레벨이 서서히 상승하다가 로우 전압 레벨로 천이하게 된다. 이러한 경우, 파워 천이 검출신호 PTD가 하이 레벨로 천이하여 일정 지연시간만큼 지연된 후 로우 레벨로 천이하게 된다.

이때, 셀 플레이트 신호 CPL는 파워 온 리셋신호 POR가 로우 레벨로 천이하는 시점에서 하이 레벨로 천이하게 되고, 파워 천이 검출신호 PTD가 로우 레벨로 천이하는 시점에서 로우 레벨로 천이하게 된다.

또한, 파워-온 리셋신호 POR의 전압 레벨이 상승할 경우 풀업 인에이블 신호 ENP가 서서히 상승하게 되어, 파워-온 리셋신호 POR가 로우 레벨로 천이하는 시점에서 풀업 인에이블 신호 ENP가 하이 레벨을 유지하게 된다.

그리고, 파워 천이 검출신호 PTD가 하이 전압 레벨로 천이한 후 일정 시간이 지나게 되면, 풀다운 인에이블 신호 ENN가 하이 레벨로 천이하게 된다. 그리고, 풀다운 인에이블 신호 ENN가 하이 레벨로 천이할 경우 풀업 인에이블 신호 ENP가 로우 레벨로 천이하게 된다.

그리고, 파워 천이 검출신호 PTD가 하이 레벨을 유지하는 구간 동안 래치 인 에이블 신호 LEN가 하이 레벨을 유지하게 된다. 이때, 측정 인에이블 신호 CAL_EN는 로우 레벨을 유지하게 된다. 또한, 풀다운 인에이블 신호 ENN가 활성화될 경우 래치 출력신호 LOUT가 활성화되어 출력된다.

반면에, 도 9에서와 같이 입력 데이터 D/DB가 유효한 구간에서는 측정 인에이블 신호 CAL_EN의 활성화에 따라 측정 데이터 CAL_D의 데이터 레벨이 천이하게 된다. 이때, 측정 인에이블 신호 CAL_EN가 하이 레벨로 활성화되는 구간 동안 셀 플레이트 신호 CPL가 하이 레벨을 유지하게 된다. 그리고, 측정 인에이블 신호 CAL_EN가 로우 레벨로 천이하게 되면, 셀 플레이트 신호 CPL가 로우 레벨로 천이하게 된다.

이때, 측정 인에이블 신호 CAL_EN가 하이 전압 레벨로 천이한 후 일정 시간이 지나게 되면, 풀다운 인에이블 신호 ENN가 하이 레벨로 천이하게 된다. 그리고, 풀다운 인에이블 신호 ENN가 하이 레벨로 천이할 경우 풀업 인에이블 신호 ENP가 로우 레벨로 천이하게 된다.

그리고, 측정 인에이블 신호 CAL_EN가 하이 레벨로 활성화되는 구간 동안 래치 인에이블 신호 LEN가 활성화 상태를 유지하게 된다. 이에 따라, 측정 데이터 CAL_D가 래치되어 래치 출력신호 LOUT로 출력된다.

도 10는 도 3의 A/D 변환부(316)에 관한 상세 회로도이다.

A/D 변환부(316)는 온도계 코드 발생부(317)와, 온도계 코드 처리부(318)를 포함한다.

여기서, 온도계 코드 발생부(317)는 복수개의 저항 R5~R11과, 복수개의 비교 기 A1~A7를 구비한다. 복수개의 저항 R5~R11은 측정 전압 Vref_cal 인가단과 접지전압단 사이에 직렬 연결된다. 여기서, V70~V10은 검출된 온도 값에 대응하는 전압 값을 나타낸다.

그리고, 복수개의 비교기 A1~A7는 포지티브(+) 입력단을 통해 온도 검출전압 Vtemp이 인가되고, 네가티브(-) 입력단을 통해 복수개의 저항 R5~R11의 각각의 연결노드의 전압 V70~V10이 인가되어 코드신호 W7~W1를 출력한다.

또한, 온도계 코드 처리부(318)는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD에 따라 온도계 코드 발생부(317)로부터 인가되는 코드신호 W7~W1를 처리하여 디지털 신호를 출력하게 된다.

도 11은 도 10의 온도계 코드 처리부(318)에 관한 상세 구성도이다.

온도계 코드 처리부(318)는 복수개의 선택수단 M1~M4을 포함한다. 여기서, 복수개의 선택수단 M1~M4은 멀티플렉서로 이루어지는 것이 바람직하다.

선택수단 M1은 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD와 코드신호 W4를 앤드 조합한 신호에 따라 코드신호 W7,W3 중 하나를 선택하여 코드신호 WA3를 출력한다. 즉, 코드신호 W4는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD가 활성화될 경우에만 활성화되는 신호이다.

그리고, 선택수단 M2는 코드신호 W4에 따라 코드신호 W6,W2 중 하나를 선택하여 코드신호 WA2를 출력한다. 또한, 선택수단 M3는 코드신호 W4에 따라 코드신호 W5,W1 중 하나를 선택하여 코드신호 WA1를 출력한다. 또한, 선택수단 M4는 코드신호 WA2에 따라 코드신호 WA3,WA1 중 하나를 선택하여 코드 출력신호 WB1를 출 력한다.

이러한 온도계 코드 처리부(318)에서 코드신호 W7~W1에 따라 하나의 디지털 코드 출력신호 WB1를 출력하는 동작은 다음의 [표 1]에서와 같이 이루어진다.

INPUT	W7	00000001
	W6	00000011
	W5	00000111
	W4	00001111
	W3	00011111
	W2	00111111
	W1	01111111
	WA3	00010001
	WA2	00110011
	WA1	01110111
	WB1	01010101
OUTPUT	D2	00001111
	D1	00110011
	D0	01010101

예를 들어, 입력신호인 코드신호 W7~W1가 순차적으로 '0000111'인 경우, 선택수단 M1~M3의 출력인 코드신호 WA3~WA1가 '111'이 된다. 즉, 코드신호 W4가 '0'인 경우 선택수단 M1은 코드신호 W3을 선택하여 코드신호 WA3로 출력하고, 코드신호 W2를 선택하여 코드신호 WA2로 출력하며, 코드신호 W1를 선택하여 코드신호 WA1로 출력하게 된다.

그리고, 코드 신호 WA2가 '1'인 경우, 선택수단 M4의 코드 출력신호 WB1가 '1'이 된다. 이에 따라, 최종 출력신호인 D0~D2는 '110'의 디지털 코드값으로 출력된다.

도 12는 도 11의 선택수단 M1~M4에 관한 상세 회로도이다. 여기서, 선택수단 M에 입력되는 입력신호를 'A','B'라 하고, 입력신호 'A','B' 중 하나를 선택하기 위한 신호를 제어신호 'C'라 하며, 선택수단 M의 출력신호를 'D'이라 한다.

선택수단 M은 전송게이트 T1,T2와 인버터 IV1~IV3를 포함한다. 여기서, 전송게이트 T1는 제어신호 C에 따라 입력신호 A를 선택적으로 출력한다. 그리고, 전송게이트 T2는 제어신호 C에 따라 입력신호 B를 선택적으로 출력한다.

이때, 제어신호 C가 하이 레벨일 경우 전송게이트 T1가 턴 온 되어 입력신호 A가 출력되며, 제어신호 C가 로우 레벨일 경우 전송게이트 T2가 턴 온 되어 입력신호 B가 출력된다. 인버터 IV2,IV3는 전송게이트 T1 또는 전송게이트 T2의 출력신호를 비반전 지연하여 출력신호 D를 출력한다.

이러한 구성을 갖는 A/D 변환부(316)는 도 13에서와 같이 온도 검출전압 Vtemp과 측정 전압 Vref_cal을 비교하여 이를 전압으로 출력하게 된다. 즉, 측정 전압 Vref_cal을 기준전압 Vref와 비교하여 그 변화된 값을 보정하여 출력하게 된다.

예를 들어, 온도 검출전압 Vtemp은 각 RFID 태그의 실제 공정에서 그 값이 고정되는 것이 아니라 변화될 수 있다. 이에 따라, 기 설정된 온도에 해당하는 전압이 되도록 측정 전압 Vref_cal의 변경하여 기준 값에서 벗어난 온도 검출전압 Vtemp의 오차 범위를 보정 하게 된다. 그리고, 도 14에서와 같이 이를 온도에 따른 디지털 코드값으로 변환하여 데이터 버스에 출력하게 된다.

도 15는 도 3의 온도 처리부(310)에 관한 동작을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.

먼저, 온도 보정신호 CAL_CMD가 활성화되면(단계 S1), 온도 보정을 위한 파라미터(Parameter)의 기본(Default) 값을 비휘발성 코드부(410_1~410_n)에 세팅하게 된다.(단계 S2)

이후에, 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD가 활성화되면(단계 S3), 온도 감지부(311)에서 감지된 온도 값을 기준전압 Vref과, 온도 검출전압 Vtemp으로 출력하게 된다.(단계 S4)

이어서, 온도 보정부(315)는 비휘발성 코드부(410_1~410_n)에 기 세팅된 기준 온도 값과 기준전압 Vref을 비교하여 측정 전압 Vref_cal을 출력하게 된다.(단계 S5) 그리고, 기준전압 Vref이 기 세팅된 온도 값 이내일 경우인지의 여부를 판단하게 된다.(단계 S6)

그 결과, 기준전압 Vref이 기 세팅된 온도 값 이내가 아닐 경우 비휘발성 코드부(410_1~410_n)에 저장된 데이터를 변경하여 온도 측정 파라미터의 값을 변경하게 된다.(단계 S7) 반면에, 기준전압 Vref이 기 세팅된 온도 값 이내일 경우 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD를 비활성화시키게 된다.(단계 S8)

다음에, 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD가 비활성화되면, 온도 보정신호 CAL_CMD를 비활성화시키게 된다.(단계 S9)

이러한 구성을 갖는 본 발명의 동작 과정을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 디지털 블럭(200)은 RFID 태그 칩 상에서의 온도 변화 상태를 검출하기 위해 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD와, 온도 보정신호 CAL_CMD를 온도 처리부(310)에 출력한다. 그리고, 디지털 블럭(200)은 셀 어레이(330)에 일정 영역을 할당하기 위해 메모리 블록(300)의 주변회로부(320)에 온도 어드레스 TEMP_ADD를 출력한다.

이후에, 온도 처리부(310)는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD와 온도 보정신호 CAL_CMD에 따라 RFID 태그 칩 상에서의 온도 변화 상태를 검출하여 전압으로 변환한 후 검출된 디지털 출력을 데이터 버스에 출력한다.

그리고, 주변 회로부(320)는 디지털 블록(200)으로부터 인가되는 온도 어드레스 TEMP_ADD에 따라 온도 메모리(350)를 구동하기 위한 워드라인 WL 및 플레이트 라인 PL을 제어하고, 온도 처리부(310)를 제어한다. 여기서, 온도 메모리(350)는 온도 처리부(310)에 의해 검출된 온도에 대응하는 데이터를 데이터 버스와 입/출력부(360)를 통해 인가받아 이를 저장한다.

이때, 온도 감지부(311)는 디지털 블럭(200)으로부터 인가되는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD에 따라 RFID 태그 칩 내의 온도를 감지하여 기준전압 Vref을 온도 보정부(315)에 출력하고 온도 검출전압 Vtemp을 A/D 변환부(316)에 출력한다.

이후에, A/D 변환부(316)의 온도계 코드 발생부(317)는 측정 전압 Vref_cal을 기준으로 하여 온도 코드 구간을 저항 R5~R11을 통해 n등분으로 저항 분할한다. 그리고, n등분으로 분할된 온도 코드 구간 V70~V10을 검출된 온도 검출전압 Vtemp과 비교하여 N개의 온도계 코드신호 W7~W1를 발생한다.

온도계 코드 처리부(318)는 온도센서 활성화 신호 TEMP_CMD에 따라 온도계 코드신호 W7~W1를 디코딩(Decoding)하여 이에 대응하는 디지털 출력신호를 데이터 버스에 출력한다.

이상에서와 같이, 본 발명은 복수개의 온도 어드레스 TEMP_ADD를 할당하여 복수개의 온도 메모리(350) 영역을 별도로 할당하게 된다. 각각의 할당된 온도 어드레스는 RFID의 리더기(Reader)에 의해 선택적으로 읽거나 쓸 수 있게 된다. 따라서, 물류 이동 과정에서 각 체크 포인트(Check Point) 상에서의 온도 이력 관계를 분석하는데 유용하게 사용할 수 있게 된다.

RFID 태그의 기능이 고급화 고성능화되면서 이러한 온도 센서의 채용 요구도 날로 증가하는 방향으로 진행되고 있다. 본 발명은 이러한 온도 센서를 구성하는 RFID 칩의 구조적 특성을 개선하도록 한다. 특히, 온도 변화에 따른 출력 전압의 변화 폭을 안정화하여 보다 정확한 온도 정보를 출력하는 것이 용이하도록 한다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 효과를 갖는다.

첫째, RFID 태그 칩 상에서 직접 온도를 검출하여 전압으로 출력함으로써 별도의 온도계 회로가 불필요하므로 온도 검출 기능을 추가하면서도 비교적 간단한 회로의 구현으로 RFID의 레이아웃 면적을 줄일 수 있도록 한다.

둘째, 낮은 전원전압을 사용하는 회로에서 온도 변화에 따른 출력 전압의 변화 폭을 안정화하여 보다 정확한 온도 정보를 출력할 수 있도록 한다.

셋째, 본 발명은 RFID 태그 칩 상에서 검출된 온도 데이터를 셀 영역의 특정 영역에 할당된 온도 메모리에 저장하여 축적함으로써 측정된 온도 정보를 용이하게 활용할 수 있도록 한다.

넷째, 온도 특성을 측정하고 비휘발성 레지스터를 이용하여 목표 값에 대응하도록 보정 함으로써 온도 변화에 따른 출력 전압의 변화 폭을 안정화시킬 수 있 도록 하는 효과를 제공한다.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims

무선 주파수 신호를 입력받아 동작 명령신호를 출력하는 아날로그 블록;

상기 아날로그 블록으로부터 인가되는 상기 동작 명령신호에 따라 어드레스, 온도 어드레스, 동작 제어신호, 온도센서 활성화 신호 및 온도 보정신호를 출력하고, 해당하는 응답신호를 상기 아날로그 블록에 출력하는 디지털 블록;

상기 어드레스, 상기 온도 어드레스, 및 상기 동작 제어신호를 입력받아 내부 동작을 제어하기 위한 내부 제어신호를 생성하고, 상기 내부 제어신호에 따라 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록; 및

상기 온도 보정신호에 따라 온도 보정을 위한 파라미터의 기본 값을 세팅하고, 상기 온도센서 활성화 신호에 따라 RFID 태그 내의 온도 변화 상태를 검출하여 상기 기본 값과 비교하고 그 결과에 따라 상기 기본 값을 변경하며, 상기 온도 변화 상태에 대응하는 디지털 코드값을 출력하는 온도 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 1항에 있어서, 상기 온도 어드레스에 의해 할당된 상기 셀 어레이의 특정 영역에 상기 온도 처리부로부터 검출된 온도 데이터를 저장하는 온도 메모리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 온도 처리부는 상기 메모리 블록 내의 특정 영역에 구비되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메모리 블록은

상기 어드레스, 상기 온도 어드레스, 상기 동작 제어신호를 입력받아 상기 내부 제어신호를 생성하는 주변 회로부;

상기 내부 제어신호에 따라 상기 불휘발성 강유전체 커패시터 소자에 상기 데이터를 리드/라이트 하는 상기 셀 어레이; 및

상기 셀 어레이에 저장된 데이터를 센싱 및 증폭하고, 데이터 버스로부터 인가되는 입력 데이터를 상기 셀 어레이에 출력하는 센스앰프부 및 입/출력부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 1항에 있어서, 상기 온도 처리부는 상기 기본 값을 비휘발성 코드부에 저장하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 온도 처리부는

상기 온도센서 활성화 신호에 따라 상기 RFID 태그 내의 온도 변화 상태를 검출하여 기준전압과 온도 검출전압을 출력하는 온도 감지부;

상기 온도 보정신호에 따라 온도 보정을 위한 파라미터의 기본 값을 세팅하고 상기 기본 값과 상기 기준전압을 비교하여 측정 전압을 출력하는 온도 보정부; 및

상기 온도센서 활성화 신호의 활성화시 상기 측정 전압과 상기 온도 검출전압을 A/D 변환하여 상기 디지털 코드값을 데이터 버스에 출력하는 A/D 변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 6항에 있어서, 상기 온도 검출전압은 온도가 높아질수록 전압 레벨이 높아지는 양의 온도 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 6항에 있어서, 상기 온도 감지부는

온도에 비례하는 상기 온도 검출전압을 생성하는 온도 검출전압 발생부; 및

상기 온도에 무관하게 일정한 상기 기준전압을 생성하는 기준전압 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 6항에 있어서, 상기 A/D 변환부는

상기 측정 전압과 상기 온도 검출전압을 비교하여 복수개의 온도계 코드신호를 생성하는 온도계 코드 발생부; 및

상기 온도센서 활성화 신호의 활성화시 상기 복수개의 온도계 코드신호를 디코딩하여 상기 디지털 코드값을 상기 데이터 버스에 출력하는 온도계 코드 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 9항에 있어서, 상기 온도계 코드 발생부는

상기 측정 전압을 저항 분할하여 복수개의 온도 코드 구간을 N 등분하고 이에 대응하는 복수개의 전압 값을 출력하는 복수개의 저항; 및

상기 복수개의 전압 값과 상기 온도 검출전압을 비교하여 상기 복수개의 온도계 코드신호를 생성하는 복수개의 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 10항에 있어서, 상기 온도계 코드 처리부는 상기 복수개의 온도계 코드신호를 디코딩하여 상기 데이터 버스에 출력하는 디코딩 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 11항에 있어서, 상기 디코딩 수단은

상기 복수개의 온도계 코드신호 중 제 1코드신호에 따라 제 2코드신호 및 제 3코드신호를 디코딩하는 제 1선택수단;

상기 제 1코드신호에 따라 상기 복수개의 온도계 코드신호 중 제 4코드신호 및 제 5코드신호를 디코딩하는 제 2선택수단;

상기 제 1코드신호에 따라 상기 복수개의 온도계 코드신호 중 제 6코드신호 및 제 7코드신호를 디코딩하는 제 3선택수단; 및

상기 제 2선택수단의 출력에 따라 상기 제 1선택수단의 출력 또는 상기 제 3선택수단의 출력 중 어느 하나를 선택하는 제 4선택수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 12항에 있어서, 상기 제 1코드신호는 상기 온도센서 활성화 신호가 활성화 된 경우 활성화되는 신호인 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 6항에 있어서, 상기 온도 보정부는 상기 기본 값을 비휘발성 코드부에 저장하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 14항에 있어서, 상기 비휘발성 코드부는 비휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 6항에 있어서, 상기 온도 보정부는

상기 온도 보정신호에 따라 상기 기본 값을 세팅하기 위한 세트신호를 출력하는 온도 보정 처리부;

상기 세트 신호에 따라 데이터를 저장하고, 측정 인에이블 신호와 래치 인에이블 신호에 따라 측정 데이터를 래치하여 출력하는 비휘발성 코드부;

상기 비휘발성 코드부의 출력에 따라 상기 측정 전압을 선택적으로 출력하는 복수개의 스위칭 소자; 및

상기 기준전압의 인가단과 상기 복수개의 스위칭 소자 사이에 병렬 연결된 복수개의 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 16항에 있어서, 상기 온도 보정부는

상기 복수개의 스위칭 소자가 턴 온 되는 개수에 따라 상기 측정 전압의 전압 레벨이 상이하게 조정되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 16항에 있어서, 상기 비휘발성 코드부는

상기 세트 신호에 따라 비휘발성 강유전체 커패시터 소자에 상기 데이터를 저장하고, 상기 측정 인에이블 신호에 따라 상기 데이터를 상기 측정 데이터로 출력하는 데이터 저장부; 및

상기 래치 인에이블 신호에 따라 상기 측정 데이터를 래치하여 출력하는 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 18항에 있어서, 상기 데이터 저장부는

풀업 인에이블 신호에 따라 출력단을 풀업시키는 풀업부;

상기 출력단의 데이터를 래치하는 풀업 래치부;

상기 온도 보정신호에 따라 상기 출력단의 데이터를 입/출력 제어하는 입/출력부;

셀 플레이터 신호에 따라 상기 입력 데이터를 저장하는 비휘발성 저장 커패시터부;

풀다운 인에이블 신호에 따라 상기 출력단을 풀다운시키는 풀다운부; 및

상기 출력단의 데이터를 래치하는 풀다운 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 1항에 있어서, 상기 온도 처리부는

상기 기본 값과 감지된 온도를 비교하여 기 설정된 기준 값 이내일 경우 상기 온도 보정신호와 상기 온도센서 활성화 신호가 비활성화되고, 상기 기준 값 이내가 아닐 경우 상기 기본 값을 변경하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
아날로그 블록, 디지털 블록, 및 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하는 RFID 장치에 있어서,

온도 보정신호에 따라 온도 보정을 위한 파라미터의 기본 값을 세팅하고, 온도센서 활성화 신호에 따라 RFID 태그 내의 온도 변화 상태를 검출하여 상기 기본 값과 비교하고 그 결과에 따라 상기 기본 값을 변경하며, 상기 온도 변화 상태에 대응하는 디지털 코드값을 출력하는 온도 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 21항에 있어서, 온도 어드레스에 의해 할당된 상기 셀 어레이의 특정 영역에 상기 온도 처리부로부터 검출된 온도 데이터를 저장하는 온도 메모리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 온도 처리부는 상기 메모리 블록 내의 특정 영역에 구비되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 21항에 있어서, 상기 온도 처리부는 상기 기본 값을 비휘발성 코드부에 저장하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 21항에 있어서, 상기 온도 처리부는

상기 온도센서 활성화 신호에 따라 상기 RFID 태그 내의 온도 변화 상태를 검출하여 기준전압과 온도 검출전압을 출력하는 온도 감지부;

상기 온도 보정신호에 따라 온도 보정을 위한 파라미터의 기본 값을 세팅하고 상기 기본 값과 상기 기준전압을 비교하여 측정 전압을 출력하는 온도 보정부; 및

상기 온도센서 활성화 신호의 활성화시 상기 측정 전압과 상기 온도 검출전압을 A/D 변환하여 상기 디지털 코드값을 데이터 버스에 출력하는 A/D 변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 25항에 있어서, 상기 온도 검출전압은 온도가 높아질수록 전압 레벨이 높아지는 양의 온도 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 25항에 있어서, 상기 A/D 변환부는

상기 측정 전압과 상기 온도 검출전압을 비교하여 복수개의 온도계 코드신호를 생성하는 온도계 코드 발생부; 및

상기 온도센서 활성화 신호의 활성화시 상기 복수개의 온도계 코드신호를 디코딩하여 상기 디지털 코드값을 상기 데이터 버스에 출력하는 온도계 코드 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 27항에 있어서, 상기 온도계 코드 발생부는

상기 측정 전압을 저항 분할하여 복수개의 온도 코드 구간을 N 등분하고 이에 대응하는 복수개의 전압 값을 출력하는 복수개의 저항; 및

상기 복수개의 전압 값과 상기 온도 검출전압을 비교하여 상기 복수개의 온도계 코드신호를 생성하는 복수개의 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 27항에 있어서, 상기 온도계 코드 처리부는 상기 복수개의 온도계 코드신호를 디코딩하여 상기 데이터 버스에 출력하는 디코딩 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 25항에 있어서, 상기 온도 보정부는

상기 온도 보정신호에 따라 상기 기본 값을 세팅하기 위한 세트신호를 출력 하는 온도 보정 처리부;

상기 세트 신호에 따라 데이터를 저장하고, 측정 인에이블 신호와 래치 인에이블 신호에 따라 측정 데이터를 래치하여 출력하는 비휘발성 코드부;

상기 비휘발성 코드부의 출력에 따라 상기 측정 전압을 선택적으로 출력하는 복수개의 스위칭 소자; 및

상기 기준전압의 인가단과 상기 복수개의 스위칭 소자 사이에 병렬 연결된 복수개의 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 30항에 있어서, 상기 온도 보정부는

상기 복수개의 스위칭 소자가 턴 온 되는 개수에 따라 상기 측정 전압의 전압 레벨이 상이하게 조정되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 30항에 있어서, 상기 비휘발성 코드부는

상기 세트 신호에 따라 비휘발성 강유전체 커패시터 소자에 상기 데이터를 저장하고, 상기 측정 인에이블 신호에 따라 상기 데이터를 상기 측정 데이터로 출력하는 데이터 저장부; 및

상기 래치 인에이블 신호에 따라 상기 측정 데이터를 래치하여 출력하는 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
제 32항에 있어서, 상기 데이터 저장부는

풀업 인에이블 신호에 따라 출력단을 풀업시키는 풀업부;

상기 출력단의 데이터를 래치하는 풀업 래치부;

상기 온도 보정신호에 따라 상기 출력단의 데이터를 입/출력 제어하는 입/출력부;

셀 플레이터 신호에 따라 상기 입력 데이터를 저장하는 비휘발성 저장 커패시터부;

풀다운 인에이블 신호에 따라 상기 출력단을 풀다운시키는 풀다운부; 및

상기 출력단의 데이터를 래치하는 풀다운 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.