KR20090107096A - High-performance group 3 nitride-based semiconductor light emitting diodes and methods to fabricate them - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A group 3 nitride based semiconductor light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to obtain high brightness characteristic by minimizing the light scattered to the light emitting structure for an LED. CONSTITUTION: A lower nitride based clad layer(20) is made of an n type conductive group 3 nitride based semiconductor material in an upper side of a growth substrate(10). The nitride based active layer is made of another group 3 nitride based semiconductor material. An upper nitride based clad layer(40) is made of a p type conductive group 3 nitride based semiconductor material. An ohmic contact current spreading layer is formed in the upper side of the upper nitride based clad layer. The p type electrode pad is formed in the upper side of the ohmic contact current spreading layer. The n type ohmic contact electrode and an electrode pad(70) are formed in the upper side of the lower nitride based clad layer. The ohmic contact current spreading layer is comprised of an electric conductive thin film structure(90).

Description

고성능의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조 방법{high-performance group 3 nitride-based semiconductor light emitting diodes and methods to fabricate them}High-performance group 3 nitride-based semiconductor light emitting diode devices and a method of manufacturing the same {high-performance group 3 nitride-based semiconductor light emitting diodes and methods to fabricate them}

본 발명은 구동 전압 및 외부 발광 효율을 비롯한 발광다이오드 소자의 전체적인 성능을 향상시킬 수 있는 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드(group 3 nitride-based semiconductor light emitting diode) 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a group 3 nitride-based semiconductor light emitting diode device capable of improving the overall performance of a light emitting diode device including a driving voltage and an external light emitting efficiency, and a method of manufacturing the same.

발광다이오드(light emitting diode; LED) 소자는 일정한 크기의 순방향 전류를 인가하면 고체 발광구조체 내의 활성층에서 전류가 광으로 변환되어 빛을 발생시킨다. 초창기 LED 소자 연구 개발은 인듐인(InP), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP)등의 화합물 반도체를 p-i-n 접합구조로 형성한다. 상기 LED는 녹색 빛의 파장보다 더 긴 파장의 가시광선 영역대의 빛을 발광하는 반면에, 최근 들어 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체의 연구 개발에 힘입어 청색 및 자외선 광을 발광하는 소자도 상용화됨으로서 표시장치, 광원용 장치, 환경 응용장치에 널리 이용되고 있으며, 더 나아가서는 적, 녹, 청색의 3개 LED 소자 칩을 조합하거나, 또는 단파장 의 펌핑 발광다이오드(pumping LED) 소자에 형광체(phosphor)를 접목하여 백색을 발광하는 백색광원용 LED가 개발되어 조명장치로도 그 응용범위가 넓어지고 있다. 특히, 고체 단결정 반도체를 이용한 LED 소자는 전기에너지를 빛에너지로 변환하는 효율이 높고 수명이 평균 5년 이상으로 길며 에너지 소모와 유지보수 비용을 크게 절감할 수 있는 장점이 있어서 차세대 조명용 백색광원 분야에서 주목받고 있다.A light emitting diode (LED) device generates light by applying a current of a predetermined magnitude to convert current into light in an active layer in a solid light emitting structure. Early research and development of LED devices formed compound semiconductors such as indium phosphorus (InP), gallium arsenide (GaAs), and gallium phosphorus (GaP) with p-i-n junction structure. While the LED emits light in a visible light region having a wavelength longer than that of green light, a device that emits blue and ultraviolet light has also been commercialized recently due to the research and development of group III nitride based single crystal semiconductors. It is widely used in devices, light source devices, and environmental applications, and furthermore, it is possible to combine red, green, and blue LED device chips, or to form a phosphor in a short wavelength pumping LED device. A white light source LED that emits white light by grafting has been developed, and its application range is widening as a lighting device. In particular, LED devices using solid single crystal semiconductors are highly efficient in converting electrical energy to light energy, have an average lifespan of more than 5 years, and can greatly reduce energy consumption and maintenance costs. It is attracting attention.

이와 같은 그룹 3족 질화물계 반도체로 제조된 발광다이오드(이하, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드) 소자는 일반적으로 절연성 성장기판(대표적으로, 사파이어) 상부에 성장되어 제조되기 때문에, 다른 그룹 3-5족 화합물계 반도체 발광다이오드 소자와 같이 성장기판의 서로 반대면에 대향 하는 두 전극을 설치할 수 없어, LED 소자의 두 전극을 결정 성장된 단결정 반도체 상부에 형성해야 한다. 이러한 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 종래 구조가 도 1에 개략적으로 예시되어 있다.Since a light emitting diode (hereinafter, referred to as a group III nitride semiconductor light emitting diode) device made of such a group III nitride semiconductor is generally grown on top of an insulating growth substrate (typically, sapphire), another group 3- Since two electrodes facing each other of the growth substrate cannot be provided like the Group 5 compound semiconductor light emitting diode device, two electrodes of the LED device must be formed on the crystal-grown single crystal semiconductor. A conventional structure of such a group III-nitride semiconductor light emitting diode device is schematically illustrated in FIG.

도 1을 참조하면, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자는 사파이어 성장기판(10)과 상기 성장기판(10) 상부에 순차적으로 성장 형성된 n형 도전성의 반도체 물질로 이루어진 하부 질화물계 클래드층(20), 질화물계 활성층(30) 및 p형 도전성의 반도체 물질로 이루어진 상부 질화물계 클래드층(40)을 포함한다. 상기 하부 질화물계 클래드층(20)은 n형 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)층(201)과 상기 n형 In x Al y Ga 1-x-y N층(201)과 다른 조성의 n형 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)층(202)으로 이루어질 수 있으며, 상기 질화물계 활성층(30)은 다중양자우물(multi-quantum well)구조의 다른 조성으로 구성된 언도 프(un-dope)된 질화물계 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)인 반도체 다층으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 p형 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)층(401)과 상기 p형 In x Al y Ga 1-x-y N층(401)과 다른 조성의 p형 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)층(402)으로 구성될 수 있다. 일반적으로, 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 단결정으로 형성된 하부 질화물계 클래드층/질화물계 활성층/상부 질화물계 클래드층(20, 30, 40)은 MOCVD 또는 MBE 등의 장치를 이용하여 성장될 수 있다. 이때, 상기 하부 질화물계 클래드층(20)의 n형 In x Al y Ga 1-x-y N층(201)을 성장하기 전에 사파이어 성장기판(10)과의 격자정합을 향상시키기 위해, AlN 또는 GaN와 같은 버퍼층(미도시)을 그 사이에 형성할 수도 있다.Referring to FIG. 1, the group III-nitride semiconductor light emitting diode device includes a lower nitride-based cladding layer 20 made of a sapphire growth substrate 10 and an n-type conductive semiconductor material sequentially grown on the growth substrate 10. ), A nitride-based active layer 30 and an upper nitride-based cladding layer 40 made of a p-type conductive semiconductor material. The lower nitride-based cladding layer 20 includes an n-type In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) layer 201 and the n-type In x Al y Ga 1 n-type In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) layer 202 having a composition different from that of -xy N layer 201, and the nitride based active layer (30) shows an undoped nitride-based In x Al y Ga 1-xy N (0≤x, 0≤y, x + y) composed of different compositions of multi-quantum well structure. It may be made of a semiconductor multilayer with ≤1). In addition, the upper nitride-based cladding layer 40 includes a p-type In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) layer 401 and the p-type In x Al y. The p-type In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) layer 402 having a different composition from the Ga 1-xy N layer 401 may be formed. In general, the lower nitride-based cladding layer / nitride-based active layer / upper nitride-based cladding layer 20, 30, or 40 formed of the group III-nitride semiconductor single crystal may be grown using an apparatus such as MOCVD or MBE. At this time, in order to improve lattice matching with the sapphire growth substrate 10 before growing the n-type In x Al y Ga 1-xy N layer 201 of the lower nitride-based cladding layer 20, AlN or GaN and The same buffer layer (not shown) may be formed therebetween.

상기한 바와 같이, 상기 사파이어 성장기판(10)은 전기절연성 물질이므로, LED 소자의 두 전극을 모두 단결정 반도체 성장방향인 동일한 상부에 형성해야 하며, 이를 위해서는 상부 질화물계 클래드층(40)과 질화물계 활성층(30)의 일부 영역을 에칭(즉, 식각)하여 하부 질화물계 클래드층(20)의 일부 상부 영역을 노출시키고, 상기 노출된 n형 In x Al y Ga 1-x-y N층(20) 상부에 n형 오믹접촉(ohmic contact interface) 전극 및 전극패드(70)를 형성한다.As described above, since the sapphire growth substrate 10 is an electrically insulating material, both electrodes of the LED device should be formed on the same upper portion of the single crystal semiconductor growth direction. For this purpose, the upper nitride-based cladding layer 40 and the nitride-based A portion of the active layer 30 is etched (ie, etched) to expose a portion of the lower nitride-based cladding layer 20, and an upper portion of the exposed n-type In x Al y Ga 1-xy N layer 20. An n-type ohmic contact interface electrode and electrode pad 70 are formed on the substrate.

특히 상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 낮은 캐리어 농도(carrier concentration) 및 이동도(mobility)로 인하여 상대적으로 높은 면저항을 갖고 있기 때문에, p형 전극(60)을 형성하기에 앞서, 양질의 오믹접촉 커런트스프레딩층을 형성할 수 있는 추가적인 물질이 요구된다. 이에 대하여, 미국특허 US5,563,422에 서는, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부에 위치한 p형 In x Al y Ga 1-x-y N층(402)의 상부에 p형 전극(60)을 형성하기 전에, 수직방향으로의 비접촉 저항이 낮은 오믹접촉 계면을 형성하는 오믹접촉 커런트스프레딩층(50)을 형성하기 위해 Ni/Au로 구성된 물질을 제안하였다.In particular, since the upper nitride-based cladding layer 40 has a relatively high sheet resistance due to low carrier concentration and mobility, prior to forming the p-type electrode 60, a high quality ohmic There is a need for additional materials that can form contact current spreading layers. In contrast, in US Pat. No. 5,563,422, the p-type electrode 60 is placed on top of the p-type In x Al y Ga 1-xy N layer 402 located at the top layer of the light emitting structure for the group III-nitride semiconductor light emitting diode device. Before the formation of), a material composed of Ni / Au was proposed to form an ohmic contact current spreading layer 50 which forms an ohmic contact interface with a low specific contact resistance in the vertical direction.

상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(50)은 p형 In x Al y Ga 1-x-y N층(402)에 대한 수평방향으로의 전류 퍼짐(current spreading)을 향상시키면서도 동시에 수직방향으로의 낮은 비접촉 저항을 갖는 오믹접촉 계면(ohmic interface)을 형성하여 효과적인 전류 주입(current injection)을 할 수 있어, 발광다이오드 소자의 전기적인 특성을 향상시킨다. 그러나 Ni/Au로 구성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(50)은 열처리를 거친 후에도 평균 70%의 낮은 투과율을 보이며, 이러한 낮은 빛 투과율은 해당 발광다이오드 소자에서 생성된 빛을 외부로 방출될 때, 많은 양의 빛을 흡수하여 전체 외부 발광 효율을 감소시키게 한다.The ohmic contact current spreading layer 50 improves current spreading in the horizontal direction with respect to the p-type In x Al y Ga 1-xy N layer 402 while simultaneously providing a low specific contact resistance in the vertical direction. By forming an ohmic contact interface having an effective current injection, an electrical characteristic of the light emitting diode device is improved. However, the ohmic contact current spreading layer 50 made of Ni / Au has a low transmittance of 70% on average even after the heat treatment, and this low light transmittance is large when the light emitted from the light emitting diode device is emitted to the outside. It absorbs a positive amount of light, reducing the overall external luminous efficiency.

상기한 바와 같이, 오믹접촉 커런트스프레딩층(50)의 높은 빛 투과율을 통한 고휘도의 발광다이오드 소자를 얻기 위한 방안으로, 최근 들어 상기 Ni/Au 물질을 비롯한 각종 불투명성 금속 또는 합금으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(50) 대신에 투과율이 평균 90% 이상인 것으로 알려진 ITO(indium tin oxide) 또는 ZnO(zinc oxide) 등의 투명성 전도성 물질로 형성하는 방안이 제안되었다. 그런데, 상기한 투명 전기전도성 물질은 p형 In x Al y Ga 1-x-y N 결정(7.5 eV 이상)에 비해 작은 일함수(4.7~6.1eV), 그리고 p형 In x Al y Ga 1-x-y N층(402)에 직접 증착하고 열처리를 비롯한 후속 공정을 행하는 후에 오믹접촉 계면(ohmic contact interface)이 아니라 비접촉 저항이 큰 쇼키접촉 계면(schottky contact interface)을 형성하고 있어, 새로운 투명성 전도성 물질 또는 제조 공정이 필요하다.As described above, in order to obtain a high brightness light emitting diode device through the high light transmittance of the ohmic contact current spreading layer 50, in recent years, ohmic contact current formed of various opaque metals or alloys including Ni / Au materials Instead of the spreading layer 50, a method of forming a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or zinc oxide (ZnO), which has a transmittance of 90% or more, has been proposed. However, the transparent electroconductive material has a small work function (4.7 to 6.1 eV) and a p-type In x Al y Ga 1-xy N as compared to the p-type In x Al y Ga 1-xy N crystal (7.5 eV or more). After direct deposition on the layer 402 and subsequent processing including heat treatment, a schottky contact interface with a high specific contact resistance, rather than an ohmic contact interface, is formed to form a new transparent conductive material or fabrication process. This is necessary.

이에, 더 최근에는 미국특허 US20070001186 에서는 ZnO을 비롯한 두꺼운 투명 전기전도성 물질 웨이퍼를 웨이퍼 결합(wafer bonding) 공정으로 p형 In x Al y Ga 1-x-y N 반도체 상부에 접목하여 오믹접촉 커런트스프레딩층(50)을 형성한 기술이 도안되었다. 하지만, 이러한 두꺼운 웨이퍼 형태로 존재하는 투명 전기전도성 물질은 10-3 Ω㎝ 이하 수준의 우수한 전기전도성을 갖도록 만들기가 쉽지가 않을뿐더러, 열팽창 계수 차이(difference of thermal expansion coefficient) 등으로 인해 웨이퍼 결합이 어렵고 또한 웨이퍼 제작에 고비용이 들기 때문에 실용적인 측면에선 적합하지가 않다. Therefore, more recently, US patent US20070001186 uses a thick contact of an electrically conductive material wafer including ZnO on top of a p-type In x Al y Ga 1-xy N semiconductor by a wafer bonding process. The technique which formed 50) was designed. However, the transparent electroconductive material present in the form of such a thick wafer is not easy to make excellent electrical conductivity of 10 -3 Ωcm or less, and the wafer bonding is difficult due to the difference of thermal expansion coefficient. It is difficult and expensive to manufacture, making it unsuitable for practical purposes.

따라서 당 기술 분야에서는 높은 빛 투과율을 유지하는 것과 동시에, 상부 질화물계 클래드층(40)의 최상부층인 p형 In x Al y Ga 1-x-y N층(40)과 양호한 오믹접촉 계면을 형성하는 고품위 오믹접촉 커런트스프레딩층(50)을 갖춘 양질의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 그 제조방법이 요구되고 있는 실정이다.Therefore, the state of the art maintains a high light transmittance and at the same time a high quality to form a good ohmic contact interface with the p-type In x Al y Ga 1-xy N layer 40, the top layer of the upper nitride-based cladding layer 40 There is a demand for a high quality group III-nitride semiconductor light emitting diode device having an ohmic contact current spreading layer 50 and a method of manufacturing the same.

또한, LED 소자의 폭넓은 산업적 응용과 조명용 백생광원으로 사용하기 위해서는 무엇보다도 전기 및 열적으로 나쁜 전도성을 지닌 사파이어 성장기판(10) 상부에 성장 및 제조된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자에 순간적인 역 방향(reverse direction)으로의 전류가 인가될 경우에는 다량의 누설 전류(leaky current)가 발생하여 LED 소자가 완전히 손상되는 경우가 빈번하게 발생하고 있다(정전기 현상). 따라서 전기절연성 성장기판(10)인 사파이어 상부에 제조된 LED 소자의 신뢰성을 향상시키기 위해서는 반드시 상기 누설 전류와 정전기(electrostatic discharge : ESD) 현상을 개선시켜야 한다. 이와 더불어서, LED 소자 구동 시 발생하는 열을 최대한 감소시켜야 하며, 필연적으로 발생한 열을 외부로 원활하게 방출시킬 수 있는 기술 또한 요구된다.In addition, in order to be used as a white light source for a wide range of industrial applications and lighting for the LED device, the group III nitride-based semiconductor light emitting diode device grown and manufactured on the sapphire growth substrate 10 having electrical and thermally poor conductivity, among other things, is instantaneous. When a current is applied in a reverse direction, a large amount of leakage current occurs and the LED device is completely damaged (electrostatic phenomenon). Therefore, in order to improve the reliability of the LED device manufactured on the sapphire, which is the electrically insulating growth substrate 10, the leakage current and the electrostatic discharge (ESD) phenomenon must be improved. In addition, the heat generated when driving the LED device should be reduced as much as possible, and a technology for smoothly dissipating heat generated inevitably is also required.

일반적으로 사파이어 성장기판(10) 상부에 성장 형성, 그리고 제조된 그룹 3-5족 화합물계 반도체 발광다이오드 소자에서 심각하게 대두하고 있는 ESD 현상 방지 및 열 방출 문제는 전기 및 광학적인 특성과 밀접하게 연계되어 있다. 상기한 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자에서 대두하는 문제점을 해결하는 방안으로는 양질의 반도체 단결정 발광구조체(20, 30, 40) 성장 형성 이외에도, LED 소자 제조 공정에서 상기 상부 질화물계 클래드층(40)인 p형 In x Al y Ga 1-x-y N층 상부에 양질의 오믹접촉 커런트스프레딩층(50)을 형성하는 방법이 계속 대두되어 오고 있다.In general, the formation of growth on the sapphire growth substrate 10 and the ESD prevention and heat dissipation problems that are serious in the Group 3-5 compound-based semiconductor LED devices manufactured are closely related to electrical and optical characteristics. It is. In order to solve the problems arising in the group III-nitride semiconductor light emitting diode device, in addition to the formation of high-quality semiconductor single crystal light emitting structures 20, 30, and 40, the upper nitride-based cladding layer in the LED device manufacturing process ( A method of forming a high quality ohmic contact current spreading layer 50 on the p-type In x Al y Ga 1-xy N layer (40) has been on the rise.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 상부 질화물계 클래드층인 p형 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)층의 상부에 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도성 박막구조체를 포함하는 오믹접촉 커런트스프레딩층을 구비하고, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층 바로 위의 일부 영역에 쇼키접촉 계면의 p형 전극패드를 형성하여, LED 소자 구동 시에 수평방향으로의 원활한 전류 퍼짐(current spreading) 및 낮은 구동 전압, 그리고 누설 전류(leaky current)를 감소시킴으로써, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 전체적인 성능을 개선시키고자하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, the p-type In x Al y Ga 1-xy N (0≤x, 0≤y, which is the upper nitride-based cladding layer of the light emitting structure for group III nitride semiconductor light emitting diode device) an ohmic contact current spreading layer including an electrically conductive thin film structure having an electrical resistance of 10 −3 Ωcm or less on top of the x + y ≦ 1) layer, and a portion of the region immediately above the ohmic contact current spreading layer A group III-nitride system is formed by forming a p-type electrode pad at the Shoki contact interface to reduce smooth current spreading and low driving voltage and leakage current in the horizontal direction when driving an LED element. The purpose is to improve the overall performance of semiconductor light emitting diode devices.

본 발명의 또 다른 목적으로서 더 나아가, 상기 p형 질화물계 클래드층 상부에 형성된 전기전도성 박막구조체를 포함하는 오믹접촉 커런트스프레딩층 표면에 표면 요철(surface texture)을 비교적 용이하게 효과적으로 도입하여 광추출 효율을 비롯한 LED 소자의 전체적인 성능을 향상시키고자하는데 그 목적이 있다.As still another object of the present invention, light extraction by introducing surface texture into the surface of the ohmic contact current spreading layer including an electrically conductive thin film structure formed on the p-type nitride cladding layer is relatively easy and effective. The purpose is to improve the overall performance of LED devices, including efficiency.

본 발명의 또 다른 목적으로서 더 나아가, 상기 p형 질화물계 클래드층 상부에 형성된 투명성 전기전도체를 포함하는 오믹접촉 커런트스프레딩층 표면에 표면 요철 공정을 도입하기 전/후에 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층 상부에 기능성 박막층을 형성하여 광추출 효율을 비롯한 LED 소자의 전체적인 성능을 향상시키고자 하는데 그 목적이 있다.As still another object of the present invention, the ohmic contact current spreading layer before and after the surface uneven process is introduced to the surface of the ohmic contact current spreading layer including a transparent electric conductor formed on the p-type nitride cladding layer. The purpose is to improve the overall performance of the LED device, including light extraction efficiency by forming a functional thin film layer on top.

상기한 본 발명의 목적을 성공적으로 수행하기 위하여, 상기 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부에 존재하는 p형 질화물계 클래드층 상부에 전기전도성 박막구조체를 포함하는 오믹접촉 커런트스프레딩층 형성은 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding) 공정에 의해 수행하는 것이 바람직하다.In order to successfully carry out the above object of the present invention, forming an ohmic contact current spreading layer including an electrically conductive thin film structure on the p-type nitride cladding layer present on the top layer of the light emitting structure for the light emitting diode device is a direct wafer. It is preferable to carry out by a direct wafer bonding process.

상기한 본 발명의 목적을 성공적으로 수행하기 위하여, 또 다른 상기 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부에 존재하는 p형 질화물계 클래드층 상부에 전기전도성 박막구조체를 포함하는 오믹접촉 커런트스프레딩층 형성은 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding) 공정으로서, p형 질화물계 클래드층과 전기전도성 박막구조체 사이에 투명성 결합용 이종물질층을 개재한 것이다.In order to successfully perform the above object of the present invention, forming an ohmic contact current spreading layer including an electrically conductive thin film structure on the p-type nitride-based cladding layer existing on the uppermost layer of the light emitting structure for another LED device As an indirect wafer bonding process, a dissimilar material layer for transparent bonding is interposed between a p-type nitride cladding layer and an electrically conductive thin film structure.

본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위한 구성수단으로서, 화학식 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)으로 표기된 그룹 3족 질화물계 반도체를 이용한 수평구조의 발광다이오드(이하, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드) 소자 제조에 있어서,The present invention is a horizontal means using a group III nitride-based semiconductor represented by the formula In x Al y Ga 1-xy N (0≤x, 0≤y, x + y≤1) as a structural means for achieving the above object In the fabrication of a light emitting diode (hereinafter, referred to as a Group 3 nitride-based semiconductor light emitting diode) device having a structure,

그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체를 성장시키기 위한 성장기판을 준비하는 단계;Preparing a growth substrate for growing a light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device;

상기 성장기판 상부에 형성되며, n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 하부 질화물계 클래드층, 상기 하부 질화물계 클래드층의 일부 영역에 형성된 질화물계 활성층과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 상부 질화물계 클래드층을 성장하여 발광다이오드 소자용 발광구조체를 완성하는 단계;A lower nitride-based cladding layer formed on the growth substrate and formed of an n-type conductive group III-nitride semiconductor, a nitride-based active layer formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer, and a group-group nitride-based group of p-type conductivity Growing an upper nitride based cladding layer formed of a semiconductor to complete a light emitting structure for a light emitting diode device;

전기전도성 박막구조체를 성장시키기 위한 지지기판을 준비하는 단계;Preparing a support substrate for growing an electrically conductive thin film structure;

상기 지지기판 상부에 형성되며, 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도성 박막구조체를 적층 형성하는 단계;Forming an electroconductive thin film structure formed on the support substrate and having an electrical resistance of 10 −3 Ωcm or less;

상기 성장기판 상부의 상부 질화물계 클래드층과 상기 지지기판 상부의 전기전도성 박막구조체를 맞대어 소정의 압력과 온도에서 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding)으로 결합시켜 복합구조체를 형성하는 단계; Forming a composite structure by directly joining the upper nitride-based cladding layer on the growth substrate with the electrically conductive thin film structure on the support substrate by direct wafer bonding at a predetermined pressure and temperature;

상기 웨이퍼 결합된 복합구조체로부터 지지기판을 분리하는 단계;Separating the support substrate from the wafer bonded composite structure;

상기 대기에 노출된 전기전도성 박막구조체 상부의 일부 영역에 형성되는 쇼키접촉 계면의 p형 전극패드를 형성하는 단계; 및Forming a p-type electrode pad of a schottky contact interface formed in a portion of an upper portion of the electrically conductive thin film structure exposed to the atmosphere; And

상기 하부 질화물계 클래드층 상부의 일부 영역에 형성되는 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드를 형성하는 단계;를 포함한다.And forming an n-type ohmic contact electrode and an electrode pad formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer.

상기 상부 질화물계 클래드층 상부에 위치하는 전기전도성 박막구조체는 오믹접촉 계면을 형성하고 있어, 전류 주입 및 전류 퍼짐을 용이하게 하는 오믹접촉 커런트스프레딩층 역할을 한다. The electrically conductive thin film structure positioned on the upper nitride-based cladding layer forms an ohmic contact interface, and serves as an ohmic contact current spreading layer to facilitate current injection and current spreading.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체는 전자(electron)가 다수 캐리어로 작용하는 n형 반도성 또는 전도성으로 형성된 단층(single layer)이외에도, 슈퍼래티스(superlattice) 구조 등을 포함한 다층(multi-layer)으로 형성될 수 있다.Furthermore, the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer has a superlattice structure in addition to an n-type semiconducting or conductive single layer in which electrons act as a majority carrier. It may be formed into a multi-layer, including the like.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체는 정공(hole)이 다수 캐리어로 작용하는 p형 반도성 또는 전도성으로 형성된 단층(single layer)이외에도, 슈퍼래티스(superlattice) 구조 등을 포함한 다층(multi-layer)으로 형성될 수 있다.Furthermore, the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer has a superlattice structure in addition to a p-type semiconducting or conductive single layer in which holes act as a plurality of carriers. It may be formed into a multi-layer, including the like.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체 표면은 정방정계 결정(cubic crystal) 표면뿐만이 아니라, 금속성 표면(metallic surface)인 양성 극성을 갖는 육방정계 결정 표면(positive polarity hexagonal surface), 질소 표면(nitrogen surface)인 음성 극성을 갖는 육방정계 결정 표면(negative polarity hexagonal surface), 상기 두 극성이 혼합된 극성을 갖는 육방정계 결정 표면(mixed polarity hexagonal surface)으로 형성될 수 있다.Furthermore, the surface of the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer is not only a cubic crystal surface but also a positive polarity hexagonal having a positive polarity that is a metallic surface. surface, a negative polarity hexagonal surface having a negative polarity, which is a nitrogen surface, and a mixed polarity hexagonal surface having a mixed polarity of the two polarities.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체는 단결정(epitaxy) 구조 이외에도 다결정체(poly-crystal) 또는 비정질(amorphous) 구조도 가능하다.In addition, the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer may be a poly-crystal or an amorphous structure in addition to the epitaxial structure.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체 표면 상부에 투명 전기전도성(transparent conducting)인 이종물질, 형광성(luminescent) 물질, 비반사성(anti-reflective) 물질, 또는 광 필터링(light filtering) 물질 등의 기능성 박막층(functional thin film layer)이 더 적층 형성될 수 있다.Furthermore, a heterogeneous material, a fluorescent material, an anti-reflective material, or light filtering that is transparent conducting on the surface of the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer. A functional thin film layer such as a light filtering material may be further laminated.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체 표면에 표면 요철 공정을 도입시킬 수 있다.Furthermore, a surface uneven process may be introduced to the surface of the electrically conductive thin film structure that serves as the ohmic contact current spreading layer.

본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위한 또 다른 구성수단으로서, 화학식 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)으로 표기된 그룹 3족 질화물계 반도체를 이용한 수평구조의 발광다이오드(이하, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드) 소자 제조에 있어서,As another constitution means for achieving the above object, the present invention provides a group III nitride-based semiconductor represented by the formula In x Al y Ga 1-xy N (0≤x, 0≤y, x + y≤1) In the fabrication of a horizontal light emitting diode (hereinafter referred to as group III nitride-based semiconductor light emitting diode) device,

그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체를 성장시키기 위한 성장기판을 준비하는 단계;Preparing a growth substrate for growing a light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device;

상기 성장기판 상부에 형성되며, n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 하부 질화물계 클래드층, 상기 하부 질화물계 클래드층의 일부 영역에 형성된 질화물계 활성층과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 상부 질화물계 클래드층을 성장하여 발광다이오드 소자용 발광구조체를 완성하는 단계;A lower nitride-based cladding layer formed on the growth substrate and formed of an n-type conductive group III-nitride semiconductor, a nitride-based active layer formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer, and a group-group nitride-based group of p-type conductivity Growing an upper nitride based cladding layer formed of a semiconductor to complete a light emitting structure for a light emitting diode device;

전기전도성 박막구조체를 성장시키기 위한 지지기판을 준비하는 단계;Preparing a support substrate for growing an electrically conductive thin film structure;

상기 지지기판 상부에 형성되며, 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도성 박막구조체를 적층 형성하는 단계;Forming an electroconductive thin film structure formed on the support substrate and having an electrical resistance of 10 −3 Ωcm or less;

상기 성장기판 상부의 상부 질화물계 클래드층과 상기 지지기판 상부의 전기전도성 박막구조체 사이에 투명성 결합용 이종물질층을 개재하여 소정의 압력 및 온도에서 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding)으로 결합시켜 복합구조체를 형성하는 단계; By indirect wafer bonding at a predetermined pressure and temperature through a heterogeneous material layer for transparent bonding between the upper nitride-based cladding layer on the growth substrate and the electrically conductive thin film structure on the support substrate, the composite is bonded. Forming a structure;

상기 웨이퍼 결합된 복합구조체로부터 지지기판을 분리하는 단계;Separating the support substrate from the wafer bonded composite structure;

상기 대기에 노출된 전기전도성 박막구조체 상부의 일부 영역에 형성되는 쇼 키접촉 계면의 p형 전극패드를 형성하는 단계; 및Forming a p-type electrode pad of a show key contact interface formed in a portion of an upper portion of the electrically conductive thin film structure exposed to the atmosphere; And

상기 하부 질화물계 클래드층 상부의 일부 영역에 형성되는 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드를 형성하는 단계;를 포함한다.And forming an n-type ohmic contact electrode and an electrode pad formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer.

상기 투명성 결합용 이종물질층은 상기 상부 질화물계 클래드층과 오믹접촉 계면을 형성하고, 상기 전기전도성 박막구조체와 강하게 결합하고 있다.The heterogeneous material layer for transparent bonding forms an ohmic contact interface with the upper nitride-based cladding layer and is strongly bonded to the electrically conductive thin film structure.

상기 상부 질화물계 클래드층 상부에 위치하는 상기 투명성 결합용 이종물질층을 포함하는 상기 전기전도성 박막구조체는 전류 주입 및 전류 퍼짐을 용이하게 하는 오믹접촉 커런트스프레딩층 역할을 한다. The electrically conductive thin film structure including the transparent bonding heterogeneous material layer positioned on the upper nitride-based cladding layer serves as an ohmic contact current spreading layer to facilitate current injection and current spreading.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체는 전자(electron)가 다수 캐리어로 작용하는 n형 반도성 또는 전도성으로 형성된 단층(single layer)이외에도, 슈퍼래티스(superlattice) 구조 등을 포함한 다층(multi-layer)으로 형성될 수 있다.Furthermore, the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer has a superlattice structure in addition to an n-type semiconducting or conductive single layer in which electrons act as a majority carrier. It may be formed into a multi-layer, including the like.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체는 정공(hole)이 다수 캐리어로 작용하는 p형 반도성 또는 전도성으로 형성된 단층(single layer)이외에도, 슈퍼래티스(superlattice) 구조 등을 포함한 다층(multi-layer)으로 형성될 수 있다.Furthermore, the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer has a superlattice structure in addition to a p-type semiconducting or conductive single layer in which holes act as a plurality of carriers. It may be formed into a multi-layer, including the like.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체 표면은 정방정계 결정(cubic crystal) 표면뿐만이 아니라, 금속성 표면(metallic surface)인 양성 극성을 갖는 육방정계 결정 표면(positive polarity hexagonal surface), 질소 표면(nitrogen surface)인 음성 극성을 갖는 육방정계 결정 표면(negative polarity hexagonal surface), 상기 두 극성이 혼합된 극성을 갖는 육방정계 결정 표면(mixed polarity hexagonal surface)으로 형성될 수 있다.Furthermore, the surface of the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer is not only a cubic crystal surface but also a positive polarity hexagonal having a positive polarity that is a metallic surface. surface, a negative polarity hexagonal surface having a negative polarity, which is a nitrogen surface, and a mixed polarity hexagonal surface having a mixed polarity of the two polarities.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체는 단결정(epitaxy) 구조 이외에도 다결정체(poly-crystal) 또는 비정질(amorphous) 구조도 가능하다.In addition, the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer may be a poly-crystal or an amorphous structure in addition to the epitaxial structure.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체 표면 상부에 투명 전기전도성(transparent conducting)인 이종물질, 형광성(luminescent) 물질, 비반사성(anti-reflective) 물질, 또는 광 필터링(light filtering) 물질 등의 기능성 박막층(functional thin film layer)이 더 적층 형성될 수 있다.Furthermore, a heterogeneous material, a fluorescent material, an anti-reflective material, or light filtering that is transparent conducting on the surface of the electrically conductive thin film structure serving as the ohmic contact current spreading layer. A functional thin film layer such as a light filtering material may be further laminated.

더 나아가서, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층의 역할을 하는 전기전도성 박막구조체 표면에 표면 요철 공정을 도입시킬 수 있다.Furthermore, a surface uneven process may be introduced to the surface of the electrically conductive thin film structure that serves as the ohmic contact current spreading layer.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 그룹 3족 질화물계 반도체 광전자 소자(발광다이오드)에 있어서, p형 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1) 질화물계 반도체인 상부 질화물계 클래드층과 웨이퍼 결합 공정에 의해서 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층 간(間)의 양호한 오믹접촉 계면을 형성시켜 LED 소자 전체의 양호한 전기적 특성 이외에도, 빛의 투과율 특성이 개선된 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층 사용 결과로 LED 소자의 휘도를 향상시킬 수 있는 우수한 효과가 있다. As described above, the present invention provides a p-type In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) nitride in a group III nitride semiconductor optoelectronic device (light emitting diode). In addition to the good electrical characteristics of the entire LED device by forming a good ohmic contact interface between the upper nitride-based cladding layer, which is a semiconductor type, and the ohmic contact current spreading layer formed by the wafer bonding process, the light transmittance characteristics are improved. As a result of using the ohmic contact current spreading layer, there is an excellent effect of improving the brightness of the LED device.

더하여, 종래 기술들과는 달리 웨이퍼 대 웨이퍼 결합 공정에 의해 형성된 고성능의 오믹접촉 커런트스프레딩층을 갖는 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자에 있어서, 습식 또는 건식에칭에 의해 표면 요철을 용이하게 오믹접촉 커런트스프레딩층 표면에 형성시킬 수 있기 때문에 LED 소자용 발광구조체 구조 내부로 다시 산란되는 빛을 최소화시켜 LED 소자의 전체 휘도 특성을 한층 더 향상시킬 수 있는 우수한 효과가 있다.In addition, in the group III-nitride semiconductor light emitting diode device having a high performance ohmic contact spreading layer formed by a wafer-to-wafer bonding process, which is different from the prior arts, surface irregularities can be easily made by wet or dry etching. Since it can be formed on the surface of the spreading layer, there is an excellent effect of further improving the overall luminance characteristics of the LED device by minimizing light scattered back into the light emitting structure structure for the LED device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따라 제조된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자에 대해 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in more detail with respect to the Group III nitride semiconductor light emitting diode device manufactured according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 지지기판(supporting substrate) 상부에 형성된 웨이퍼 결합용 전기전도성 박막구조체가 형성된 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of an electrically conductive thin film structure for wafer bonding formed on a supporting substrate according to the present invention.

도 2A를 참조하면, 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도성 박막구조체(90)가 지지기판(80) 상부에 단층(single layer) 또는 다층(multi-layer) 구조로 형성된다.Referring to FIG. 2A, an electrically conductive thin film structure 90 having an electrical resistance of 10 −3 Ωcm or less is formed on the support substrate 80 in a single layer or multi-layer structure.

더 상세하게 말하자면, 지지기판 (80) 상부에 단결정의 무극성 표면 정방정계, 양성 극성 표면 육방정계, 음성 극성 표면 육방정계, 또는 혼합된 극성 표면 육방정계로 형성되는 것이 바람직하지만, 더 나아가서는 다결정(poly-crystal) 또는 비정질(amorphous)인 전기전도성 박막구조체(90)도 가능하다.More specifically, it is preferable to form a single crystal apolar surface tetragonal system, a positive polar surface hexagonal system, a negative polar surface hexagonal system, or a mixed polar surface hexagonal system on the support substrate 80. Electroconductive thin film structures 90 that are poly-crystal or amorphous are also possible.

또한 상기 전기전도성 박막구조체(90)는 다수 캐리어인 전자(electron) 또는 정공(hole) 전하에 무관하게 우수한 전기전도성(conducting) 또는 반도성(semi- conducting)을 갖는 것이 바람직하다.In addition, the electrically conductive thin film structure 90 preferably has excellent electrical conductivity or semi-conducting regardless of the electron or hole charge which is the majority carrier.

또한 도 2B에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도성 박막구조체(90)가 직접적으로 지지기판(80) 상부에 형성하기에 앞서, 상기 전기전도성 박막구조체(90)의 전기 및 광학적 특성 향상과 화학적 습식에칭(chemical lift-off; CLO) 또는 레이저 리프트 오프(laser lift-off; LLO) 후속 공정에 유리한 물질로 구성된 희생층(sacrificial layer; 100)이 도입된다. 무엇보다도, 상기 희생층(100)은 Al, Au, Ag, Ti, In, Sn, Zn, Cr, Pd, Pt, Ni, Mo, W, CrN, TiN, ZnO, In2O3, SnO2, ITO, NiO, SiO2, RuO2, IrO2, SiNx, 그룹 3-5족 화합물, 그룹 2-6족 화합물이 사용될 수 있다.In addition, as shown in Figure 2B, before the electrically conductive thin film structure 90 having an electrical resistance of less than 10 -3 Ωcm according to the present invention directly formed on the support substrate 80, the electrically conductive thin film A sacrificial layer (100) made of a material that is advantageous for improving the electrical and optical properties of the structure 90 and for subsequent chemical lift-off (CLO) or laser lift-off (LLO) processes Is introduced. First of all, the sacrificial layer 100 may include Al, Au, Ag, Ti, In, Sn, Zn, Cr, Pd, Pt, Ni, Mo, W, CrN, TiN, ZnO, In2O3, SnO2, ITO, NiO, SiO 2, RuO 2, IrO 2, SiN x, group 3-5 compounds, group 2-6 compounds may be used.

상기 지지기판(80)은 전기전도성 박막구조체(90)를 적층할 수 있는 기판 물질이면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 특히 사파이어(sapphire), 실리콘(Si), 저매니움(Ge), 실리콘저매니움(SiGe), 실리콘카바이드(SiC), 그룹 2-6족 화합물계(group 2-6 compounds), 유리(glass), 그룹 3-5족 화합물계(group 3-5 compounds), 금속(metal) 또는 합금(alloy) 등이 우선적으로 사용될 수 있다.The support substrate 80 may be used without limitation as long as it is a substrate material capable of stacking the electrically conductive thin film structure 90, and in particular, sapphire, silicon (Si), low manganese (Ge), and silicon low manifold. SiGe, Silicon Carbide, Group 2-6 compounds, Glass, Group 3-5 compounds, Metal Alternatively, an alloy or the like may be preferentially used.

도 3은 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체가 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electrically conductive thin film structure according to the present invention are bonded by a direct wafer bonding process.

일반적으로 널리 공지된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체인 도 3A를 참조하면, 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체의 성장을 위한 사 파이어 성장기판(10)과, 상기 성장기판(10) 상부에 순차적으로 형성된 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 하부 질화물계 클래드층(20)과, 그룹 3족 질화물계 활성층(30)과, p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 상부 질화물계 클래드층(40)을 포함한다. 상기 하부 질화물계 클래드층(20)은 n형 GaN층과 n형 AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, 상기 질화물계 활성층(30)은 다중양자우물구조(multi-quantum well)의 언도프(undope)된 InGaN층으로 이루어질 수 있다. 또한, 상부 질화물계 클래드층(40)은 p형 GaN층과 p형 AlGaN층으로 구성될 수 있다. 상술한 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체층으로 형성된 발광다이오드 소자용 발광구조체(20, 30, 40)를 성장하기에 앞서, 널리 공지된 MOCVD 또는 MBE 단결정 성장법 등의 공정을 이용하여 적층 형성한다. 이때, 하부 질화물계 클래드층(20)과 사파이어 성장기판(10)과의 격자정합(lattice match)을 향상시키기 위해, 상기 사파이어 성장기판(10)의 상부에 AlN 또는 GaN와 같은 버퍼층(110)을 더 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 3A, which is a light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device, which is generally well known, a sapphire growth substrate 10 for growing a group III nitride based single crystal semiconductor, and the growth substrate 10 A lower nitride-based cladding layer 20 made of an n-type conductive group III-nitride single crystal semiconductor material sequentially formed thereon, a group III-nitride active layer 30, and a p-type conductive group III-nitride single crystal An upper nitride-based cladding layer 40 made of a semiconductor material is included. The lower nitride-based clad layer 20 may be formed of an n-type GaN layer and an n-type AlGaN layer. The nitride-based active layer 30 may be a multi-quantum well undoped InGaN It can consist of layers. In addition, the upper nitride-based cladding layer 40 may be composed of a p-type GaN layer and a p-type AlGaN layer. Prior to growing the light emitting structures 20, 30, and 40 for the light emitting diode devices formed of the group III-nitride-based single crystal semiconductor layer described above, lamination is performed using a well-known MOCVD or MBE single crystal growth method. In this case, in order to improve a lattice match between the lower nitride-based cladding layer 20 and the sapphire growth substrate 10, a buffer layer 110 such as AlN or GaN is disposed on the sapphire growth substrate 10. It is preferable to form more.

상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다.The upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer may be formed of a superlattice structure, n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements.

도 3B는 상기 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 형성되는 오믹접촉 커런트스프레딩층을 위한 웨이퍼 결합용 전기전도성 박막구조체(90)가 지지기판(80) 상부에 형성된 단면도로서, 도 2A에서 설명한 것과 동일한 물질 및 구조를 갖는다.3B is a cross-sectional view of the wafer-bonding electrically conductive thin film structure 90 formed on the support substrate 80 for the ohmic contact current spreading layer formed on the upper nitride-based cladding layer 40. Have the same material and structure as those of the

도 3C는 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부인 상부 질화물계 클래드층(40)과 지지기판(80) 상부에 형성된 전기전도성 박막구조체(90)가 소정의 압력(hydrostatic pressure)과 900℃ 이하의 온도(temperature)에서 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding)으로 형성된 복합구조체를 보인 단면도이다.FIG. 3C shows that the upper nitride-based cladding layer 40 and the electrically conductive thin film structure 90 formed on the support substrate 80, the uppermost part of the light emitting structure for the group III-nitride semiconductor light emitting diode device, have a predetermined hydrostatic pressure. And a cross-sectional view showing a composite structure formed by direct wafer bonding at a temperature of 900 ° C. or less.

무엇보다도, 상기 웨이퍼 결합 시에 상부 질화물계 클래드층(40)과 전기전도성 박막구조체(90) 간(間)의 강한 기계적 결합력 이외에도, 수직방향으로의 낮은 비접촉 저항을 갖는 오믹접촉 계면을 형성시키는 것이 바람직하다. 더 나아가서, 상기한 바와 같이 오믹접촉 계면을 형성하기 위해서 웨이퍼 결합 공정 전(fore-process)에 상부 질화물계 클래드층(40) 또는 전기전도성 박막구조체(90)를 적절한 온도 및 가스(gas) 분위기에서 어닐링(annealing)과 용액(solution), 또는 플라즈마(plasma)를 비롯한 표면처리(surface treatment)를 행할 수가 있으며, 동시에 웨이퍼 결합 후(post-process)에도 상기한 어닐링 또는 표면처리 공정을 도입할 수도 있다.First of all, in addition to the strong mechanical bonding force between the upper nitride-based cladding layer 40 and the electrically conductive thin film structure 90 at the time of wafer bonding, it is desirable to form an ohmic contact interface having a low specific contact resistance in the vertical direction. desirable. Furthermore, in order to form an ohmic contact interface as described above, the upper nitride-based cladding layer 40 or the electrically conductive thin film structure 90 is formed at a suitable temperature and gas atmosphere before the wafer bonding process. Annealing, solution, or surface treatment, including plasma, may be carried out, and at the same time, the annealing or surface treatment process may be introduced even after the post-process. .

도 4는 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체가 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electroconductive thin film structure according to the present invention are bonded by a direct wafer bonding process.

일반적으로 널리 공지된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체인 도 4A를 참조하면, 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체의 성장을 위한 사파이어 성장기판(10)과, 상기 성장기판(10) 상부에 순차적으로 형성된 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 하부 질화물계 클래드층(20)과, 그룹 3족 질화물계 활성층(30)과, p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 상부 질화물계 클래드층(40)을 포함한다. 상기 하부 질화물계 클래드층(20)은 n형 GaN층과 n형 AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, 상기 질화물계 활성층(30)은 다중양자우물구조(multi-quantum well)의 언도프(undope)된 InGaN층으로 이루어질 수 있다. 또한, 상부 질화물계 클래드층(40)은 p형 GaN층과 p형 AlGaN층으로 구성될 수 있다. 상술한 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체층으로 형성된 발광다이오드 소자용 발광구조체(20, 30, 40)를 성장하기에 앞서, 널리 공지된 MOCVD 또는 MBE 단결정 성장법 등의 공정을 이용하여 적층 형성한다. 이때, 하부 질화물계 클래드층(20)과 사파이어 성장기판(10)과의 격자정합(lattice match)을 향상시키기 위해, 상기 사파이어 성장기판(10)의 상부에 AlN 또는 GaN와 같은 버퍼층(110)을 더 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 4A, which is a well-known light emitting structure for group III-nitride semiconductor light emitting diode devices, a sapphire growth substrate 10 for growing a group III nitride single crystal semiconductor and an upper portion of the growth substrate 10 are described. A lower nitride-based cladding layer 20 made of an n-type conductive group III-nitride single crystal semiconductor material sequentially formed in the group III-nitride-based active layer 30, and a p-type conductive group III nitride single crystal semiconductor. An upper nitride-based cladding layer 40 made of material is included. The lower nitride-based clad layer 20 may be formed of an n-type GaN layer and an n-type AlGaN layer. The nitride-based active layer 30 may be a multi-quantum well undoped InGaN It can consist of layers. In addition, the upper nitride-based cladding layer 40 may be composed of a p-type GaN layer and a p-type AlGaN layer. Prior to growing the light emitting structures 20, 30, and 40 for the light emitting diode devices formed of the group III-nitride-based single crystal semiconductor layer described above, lamination is performed using a well-known MOCVD or MBE single crystal growth method. In this case, in order to improve a lattice match between the lower nitride-based cladding layer 20 and the sapphire growth substrate 10, a buffer layer 110 such as AlN or GaN is disposed on the sapphire growth substrate 10. It is preferable to form more.

상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질 층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다.The upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer may be formed of a superlattice structure, n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements.

도 4B는 상기 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 형성되는 오믹접촉 커런트스프레딩층을 위한 웨이퍼 결합용 전기전도성 박막구조체(90)가 지지기판(80) 상부에 형성된 단면도로서, 도 2B에서 설명한 것과 동일한 물질 및 구조를 갖는다.FIG. 4B is a cross-sectional view of the wafer-bonding electrically conductive thin film structure 90 formed on the support substrate 80 for the ohmic contact current spreading layer formed on the upper nitride-based cladding layer 40. FIG. Have the same material and structure as those of the

도 4C는 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 복합구조체의 최상층부인 상부 질화물계 클래드층(40)과 지지기판(80) 상부에 형성된 전기전도성 박막구조체(90)가 소정의 정역학 압력(hydrostatic pressure) 및 900℃ 이하의 온도(temperature)에서 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding)으로 형성된 복합구조체를 보인 단면도이다.4C shows that the upper nitride-based cladding layer 40 and the electrically conductive thin film structure 90 formed on the support substrate 80 are formed at a predetermined hydrostatic pressure. And a composite structure formed by direct wafer bonding at a temperature of 900 ° C. or less.

무엇보다도, 상기 웨이퍼 결합 시에 상부 질화물계 클래드층(40)과 전기전도성 박막구조체(90) 간(間)의 강한 기계적 결합력 이외에도, 수직방향으로의 낮은 비접촉 저항을 갖는 오믹접촉 계면을 형성시키는 것이 바람직하다. 더 나아가서, 상기한 바와 같이 오믹접촉 계면을 형성하기 위해서 웨이퍼 결합 공정 전(fore-process)에 상부 질화물계 클래드층(40) 또는 전기전도성 박막구조체(90)를 적절한 온도 및 가스(gas) 분위기에서 어닐링(annealing)과 용액(solution), 또는 플라즈마(plasma)를 비롯한 표면처리(surface treatment)를 행할 수가 있으며, 동시에 웨이퍼 결합 후(post-process)에도 상기한 어닐링 또는 표면처리 공정을 도입할 수도 있다.First of all, in addition to the strong mechanical bonding force between the upper nitride-based cladding layer 40 and the electrically conductive thin film structure 90 at the time of wafer bonding, it is desirable to form an ohmic contact interface having a low specific contact resistance in the vertical direction. desirable. Furthermore, in order to form an ohmic contact interface as described above, the upper nitride-based cladding layer 40 or the electrically conductive thin film structure 90 is formed at a suitable temperature and gas atmosphere before the wafer bonding process. Annealing, solution, or surface treatment, including plasma, may be carried out, and at the same time, the annealing or surface treatment process may be introduced even after the post-process. .

도 5는 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체 와 전기전도성 박막구조체가 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electrically conductive thin film structure according to the present invention are bonded by an indirect wafer bonding process.

일반적으로 널리 공지된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체인 도 5A를 참조하면, 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체의 성장을 위한 사파이어 성장기판(10)과, 상기 성장기판(10) 상부에 순차적으로 형성된 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 하부 질화물계 클래드층(20)과, 그룹 3족 질화물계 활성층(30)과, p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 상부 질화물계 클래드층(40)을 포함한다. 상기 하부 질화물계 클래드층(20)은 n형 GaN층과 n형 AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, 상기 질화물계 활성층(30)은 다중양자우물구조(multi-quantum well)의 언도프(undope)된 InGaN층으로 이루어질 수 있다. 또한, 상부 질화물계 클래드층(40)은 p형 GaN층과 p형 AlGaN층으로 구성될 수 있다. 상술한 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체층으로 형성된 발광다이오드 소자용 발광구조체(20, 30, 40)를 성장하기에 앞서, 널리 공지된 MOCVD 또는 MBE 단결정 성장법 등의 공정을 이용하여 적층 형성한다. 이때, 하부 질화물계 클래드층(20)과 사파이어 성장기판(10)과의 격자정합(lattice match)을 향상시키기 위해, 상기 사파이어 성장기판(10)의 상부에 AlN 또는 GaN와 같은 버퍼층(110)을 더 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 5A, which is a well-known light emitting structure for group III-nitride semiconductor light emitting diode devices, a sapphire growth substrate 10 for growing a group III nitride single crystal semiconductor and an upper portion of the growth substrate 10 are described. A lower nitride-based cladding layer 20 made of an n-type conductive group III-nitride single crystal semiconductor material sequentially formed in the group III-nitride-based active layer 30, and a p-type conductive group III nitride single crystal semiconductor. An upper nitride-based cladding layer 40 made of material is included. The lower nitride-based clad layer 20 may be formed of an n-type GaN layer and an n-type AlGaN layer. The nitride-based active layer 30 may be a multi-quantum well undoped InGaN It can consist of layers. In addition, the upper nitride-based cladding layer 40 may be composed of a p-type GaN layer and a p-type AlGaN layer. Prior to growing the light emitting structures 20, 30, and 40 for the light emitting diode devices formed of the group III-nitride-based single crystal semiconductor layer described above, lamination is performed using a well-known MOCVD or MBE single crystal growth method. In this case, in order to improve a lattice match between the lower nitride-based cladding layer 20 and the sapphire growth substrate 10, a buffer layer 110 such as AlN or GaN is disposed on the sapphire growth substrate 10. It is preferable to form more.

상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다.The upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer is a superlattice structure, a surface formed of n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, or nitrogen polarity (nitrogen- group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements.

도 5B는 상기 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 형성되는 오믹접촉 커런트스프레딩층을 위한 웨이퍼 결합용 전기전도성 박막구조체(90)가 지지기판(80) 상부에 형성된 단면도로서, 도 2A에서 설명한 것과 동일한 물질 및 구조를 갖는다.FIG. 5B is a cross-sectional view of the wafer-bonding electrically conductive thin film structure 90 formed on the support substrate 80 for the ohmic contact current spreading layer formed on the upper nitride-based cladding layer 40. FIG. Have the same material and structure as those of the

도 5C는 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층인 상부 질화물계 클래드층(40)과 전기전도성 박막구조체(90) 간(間)에 도입되는 투명성 결합용 이종물질층(120)이다. 더 나아가서, 상기 투명성 결합용 이종물질층(120)은 두 물질층(40, 90) 간에 기계적 결합력을 강화시켜주며, 동시에 상부 질화물계 클래드층(40)과의 비접촉 저항이 낮은 오믹접촉 계면 형성에 유리하며 높은 빛 투과율을 갖는 물질이 바람직하다.5C shows a transparent bonding heterogeneous material layer 120 introduced between an upper nitride-based cladding layer 40 and an electrically conductive thin film structure 90 that are uppermost layers of a light emitting structure for group III-nitride semiconductor light emitting diode devices. to be. Furthermore, the heterogeneous material layer 120 for the transparent bonding strengthens the mechanical bonding force between the two material layers 40 and 90, and at the same time forms an ohmic contact interface having a low specific contact resistance with the upper nitride-based cladding layer 40. Materials that are advantageous and have high light transmittance are preferred.

상기 투명성 결합용 이종물질층(120)은 투명 전기전도성 물질이면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 일예로, ITO, ZnO, IZO(indium zinc oxide), ZITO(zinc indium tin oxide), In2O3, SnO2, Sn, Zn, In, Ni, Au, Ru, Ir, NiO, Ag, Pt, Pd, PdO, IrO2, RuO2, Ti, TiN, Cr, CrN 등의 단층(single layer) 또는 다층(multi-layer) 구조로 사용될 수 있다. The transparent bonding heterogeneous material layer 120 may be used without limitation as long as it is a transparent electroconductive material. For example, ITO, ZnO, indium zinc oxide (IZO), zinc indium tin oxide (ZITO), In2O3, SnO2, Sn Single layer or multi-layer structure such as Zn, In, Ni, Au, Ru, Ir, NiO, Ag, Pt, Pd, PdO, IrO2, RuO2, Ti, TiN, Cr, CrN, etc. Can be used.

도 5D는 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부인 상부 질화물계 클래드층(40)과 전기전도성 박막구조체(90) 간(間)에 기 계적 결합력을 한층 강화시킬 수 있는 상기 투명성 결합용 이종물질층(120)을 도입하여 소정의 정역학 압력(hydrostatic pressure) 및 900℃ 이하의 온도(temperature)에서 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding)으로 형성한 복합구조체를 보인 단면도이다.FIG. 5D shows the mechanical bonding force between the upper nitride cladding layer 40, which is the uppermost layer of the light emitting structure for the group III-nitride semiconductor light emitting diode device, and the electrically conductive thin film structure 90. FIG. A cross-sectional view showing a composite structure formed by indirect wafer bonding at a predetermined hydrostatic pressure and a temperature of 900 ° C. or lower by introducing a heterogeneous material layer 120 for transparent bonding.

더 나아가서, 상기한 바와 같이 수직방향으로의 오믹접촉 계면을 형성하기 위해서 상기 웨이퍼 결합 공정 전(fore-process)에 상부 질화물계 클래드층(40) 또는 전기전도성 박막구조체(90)을 적절한 온도 및 가스(gas) 분위기에서 어닐링(annealing)과 용액(solution), 또는 플라즈마(plasma)를 비롯한 표면처리(surface treatment)를 행할 수가 있으며, 동시에 웨이퍼 결합 후(post-process)에도 상기한 어닐링 또는 표면처리 공정을 도입할 수도 있다.Furthermore, the upper nitride-based cladding layer 40 or the electrically conductive thin film structure 90 may be subjected to an appropriate temperature and gas before the wafer bonding process to form an ohmic contact interface in the vertical direction as described above. Annealing, solution, or surface treatment, including plasma, may be performed in a gas atmosphere, and at the same time, the annealing or surface treatment process may be performed even after the post-process. May be introduced.

도 6은 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체가 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electrically conductive thin film structure according to the present invention are bonded by an indirect wafer bonding process.

일반적으로 널리 공지된 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체인 도 6A를 참조하면, 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체의 성장을 위한 사파이어 성장기판(10)과, 상기 성장기판(10) 상부에 순차적으로 형성된 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 하부 질화물계 클래드층(20)과, 그룹 3족 질화물계 활성층(30)과, p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 물질로 이루어진 상부 질화물계 클래드층(40)을 포함한다. 상기 하부 질화물계 클래드층(20)은 n형 GaN층과 n형 AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, 상기 질화물 계 활성층(30)은 다중양자우물구조(multi-quantum well)의 언도프(undope)된 InGaN층으로 이루어질 수 있다. 또한, 상부 질화물계 클래드층(40)은 p형 GaN층과 p형 AlGaN층으로 구성될 수 있다. 상술한 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체층으로 형성된 발광다이오드 소자용 발광구조체(20, 30, 40)를 성장하기에 앞서, 널리 공지된 MOCVD 또는 MBE 단결정 성장법 등의 공정을 이용하여 적층 형성한다. 이때, 하부 질화물계 클래드층(20)과 사파이어 성장기판(10)과의 격자정합(lattice match)을 향상시키기 위해, 상기 사파이어 성장기판(10)의 상부에 AlN 또는 GaN와 같은 버퍼층(110)을 더 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 6A, which is a well-known light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device, a sapphire growth substrate 10 for growing a group III nitride based single crystal semiconductor and an upper portion of the growth substrate 10 are described. A lower nitride-based cladding layer 20 made of an n-type conductive group III-nitride single crystal semiconductor material sequentially formed in the group III-nitride-based active layer 30, and a p-type conductive group III nitride single crystal semiconductor. An upper nitride-based cladding layer 40 made of material is included. The lower nitride-based cladding layer 20 may be formed of an n-type GaN layer and an n-type AlGaN layer, and the nitride-based active layer 30 may be an undoped InGaN of a multi-quantum well structure. It may consist of layers. In addition, the upper nitride-based cladding layer 40 may be composed of a p-type GaN layer and a p-type AlGaN layer. Prior to growing the light emitting structures 20, 30, and 40 for the light emitting diode devices formed of the group III-nitride-based single crystal semiconductor layer described above, lamination is performed using a well-known MOCVD or MBE single crystal growth method. In this case, in order to improve a lattice match between the lower nitride-based cladding layer 20 and the sapphire growth substrate 10, a buffer layer 110 such as AlN or GaN is disposed on the sapphire growth substrate 10. It is preferable to form more.

상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다.The upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer may be formed of a superlattice structure, n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements.

도 6B는 상기 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 형성되는 오믹접촉 커런트스프레딩층을 위한 웨이퍼 결합용 전기전도성 박막구조체(90)가 지지기판(80) 상부에 형성된 단면도로서, 도 2B에서 설명한 것과 동일한 물질 및 구조를 갖는다.FIG. 6B is a cross-sectional view of the wafer-bonding electrically conductive thin film structure 90 formed on the support substrate 80 for the ohmic contact current spreading layer formed on the upper nitride-based cladding layer 40. FIG. Have the same material and structure as those of the

도 6C는 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층인 상부 질화물계 클래드층(40)과 전기전도성 박막구조체(90) 간(間)에 도입되는 투명성 결합용 이종물질층(120)이다. 더 나아가서, 상기 투명성 결합용 이종물질층(120)은 두 물질층(40, 90) 간에 기계적 결합력을 강화시켜주며, 동시에 상부 질화물계 클래드층(40)과의 비접촉 저항이 낮은 오믹접촉 계면 형성에 유리하며 높은 빛 투과율을 갖는 물질이 바람직하다.FIG. 6C is a transparent bonding heterogeneous material layer 120 introduced between an upper nitride cladding layer 40 and an electrically conductive thin film structure 90 which are the uppermost layers of the light emitting structure for group III nitride semiconductor light emitting diode devices. to be. Furthermore, the heterogeneous material layer 120 for the transparent bonding strengthens the mechanical bonding force between the two material layers 40 and 90, and at the same time forms an ohmic contact interface having a low specific contact resistance with the upper nitride-based cladding layer 40. Materials that are advantageous and have high light transmittance are preferred.

상기 투명성 결합용 이종물질층(120)은 투명 전기전도성 물질이면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 일예로, ITO, ZnO, IZO(indium zinc oxide), ZITO(zinc indium tin oxide), In2O3, SnO2, Sn, Zn, In, Ni, Au, Ru, Ir, NiO, Ag, Pt, Pd, PdO, IrO2, RuO2, Ti, TiN, Cr, CrN 등의 단층(single layer) 또는 다층(multi-layer) 구조로 사용될 수 있다. The transparent bonding heterogeneous material layer 120 may be used without limitation as long as it is a transparent electroconductive material. For example, ITO, ZnO, indium zinc oxide (IZO), zinc indium tin oxide (ZITO), In2O3, SnO2, Sn Single layer or multi-layer structure such as Zn, In, Ni, Au, Ru, Ir, NiO, Ag, Pt, Pd, PdO, IrO2, RuO2, Ti, TiN, Cr, CrN, etc. Can be used.

도 6D는 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부인 상부 질화물계 클래드층(40)과 전기전도성 박막구조체(90) 간(間)에 기계적 결합력을 한층 강화시킬 수 있는 상기 투명성 결합용 이종물질층(120)을 도입하여 소정의 정역학 압력(hydrostatic pressure) 및 900℃ 이하의 온도(temperature)에서 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding)으로 형성한 복합구조체를 보인 단면도이다.FIG. 6D shows the transparency capable of further strengthening the mechanical bonding force between the upper nitride-based cladding layer 40 and the electrically conductive thin film structure 90 which are the uppermost layers of the light emitting structure for the group III-nitride semiconductor light emitting diode device. A cross-sectional view showing a composite structure formed by indirect wafer bonding at a predetermined hydrostatic pressure and a temperature of 900 ° C. or lower by introducing a heterogeneous material layer 120 for bonding.

더 나아가서, 상기한 바와 같이 수직방향으로의 오믹접촉 계면을 형성하기 위해서 상기 웨이퍼 결합 공정 전(fore-process)에 상부 질화물계 클래드층(40) 또는 전기전도성 박막구조체(90)을 적절한 온도 및 가스(gas) 분위기에서 어닐링(annealing)과 용액(solution), 또는 플라즈마(plasma)를 비롯한 표면처리(surface treatment)를 행할 수가 있으며, 동시에 웨이퍼 결합 후(post-process) 에도 상기한 어닐링 또는 표면처리 공정을 도입할 수도 있다.Furthermore, the upper nitride-based cladding layer 40 or the electrically conductive thin film structure 90 may be subjected to an appropriate temperature and gas before the wafer bonding process to form an ohmic contact interface in the vertical direction as described above. Annealing, solution, or surface treatment, including plasma, may be performed in a gas atmosphere, and at the same time, the annealing or surface treatment process may be performed even after the post-process. May be introduced.

도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 결합된 복합구조체에서 지지기판(supporting substrate)을 전기전도성 박막구조체로부터 분리(lift-off)시키는 공정을 보인 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process of lifting a supporting substrate from an electrically conductive thin film structure in a wafer bonded composite structure according to the present invention.

도 7A는 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체와 그룹 3족 질화물계 전도성 박막구조체(90)가 직접적으로 웨이퍼 결합된 복합구조체의 일예로서, 도 3C에서 도시 설명한 바와 동일한 구조 및 물질로 형성된다.FIG. 7A is an example of a composite structure in which the light emitting structure for the group III nitride semiconductor light emitting diode device and the group III nitride conductive thin film structure 90 are directly wafer-bonded, and the same structure and material as illustrated in FIG. 3C. Is formed.

도 7B는 상기 웨이퍼 결합된 복합구조체에서 화학적 습식에칭(chemical lift-off; CLO), 화학-기계적인 에칭 또는 연마(chemical-mechanical polishing; CMP) 공정을 이용하여 지지기판(80)이 분리된 복합구조체의 단면도이다.FIG. 7B shows a composite in which the support substrate 80 is separated using chemical lift-off (CLO), chemical-mechanical etching or polishing (CMP) processes in the wafer bonded composite structure. Sectional view of the structure.

도 7C는 상기 웨이퍼 결합된 복합구조체에서 레이저 리프트 오프(laser lift-off; LLO) 공정을 이용하여 지지기판(80)이 분리된 복합구조체의 단면도이다.7C is a cross-sectional view of the composite structure in which the support substrate 80 is separated using a laser lift-off (LLO) process in the wafer-bonded composite structure.

상기 웨이퍼 결합된 복합구조체로부터 지지기판(80)을 분리하는 공정은 지지기판 특성에 따라, 상기 CLO, CMP, 또는 LLO 공정 중에서 적어도 하나를 선택할 수 있다.The process of separating the support substrate 80 from the wafer-bonded composite structure may select at least one of the CLO, CMP, or LLO process according to the support substrate characteristics.

도 8은 본 발명에 따른 전기전도성 박막구조체가 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부에 웨이퍼 결합으로 형성된 상태를 보인 평면도이다.8 is a plan view showing a state in which an electrically conductive thin film structure according to the present invention is formed by wafer bonding on a top layer of a light emitting structure for a light emitting diode device.

도 8A를 참조하면, 전기전도성 박막구조체(90)가 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부인 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 웨이퍼 전면(total area)으로 웨이퍼 결합 되어 있다.Referring to FIG. 8A, an electrically conductive thin film structure 90 is wafer-bonded over the upper nitride-based cladding layer 40, which is the uppermost layer of the light emitting structure for group III-nitride semiconductor light emitting diode devices. .

도 8B를 참조하면, 전기전도성 박막구조체(90)가 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부인 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 소정의 모양(shape)과 치수로 식각(etching)된 후에 결합된다. 바람직하게는 상기 식각된 소정의 모양과 치수는 LED 소자 단일 칩에서 발광면과 동일한 것이다.Referring to FIG. 8B, the electrically conductive thin film structure 90 is etched in a predetermined shape and dimension on the upper nitride cladding layer 40, which is the uppermost part of the light emitting structure for the group III nitride semiconductor light emitting diode device. after etching). Preferably the etched predetermined shape and dimensions are the same as the light emitting surface in the LED element single chip.

더 나아가서, 본 발명에서는 미도시되었지만, 용이한 후속 공정을 위하여 웨이퍼 결합에 앞서 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체(90)를 동시에 일반적인 포토리쏘그래피(photolithography) 공정을 이용하여 에칭(즉, 식각)을 행한 후, 얼라인(align)된 웨이퍼 결합을 할 수도 있다. 특히, 이때 전기전도성 박막구조체(90)의 식각 치수에 비해서, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체의 식각 치수를 더 크게 하는 것이 바람직하다.Furthermore, although not shown in the present invention, a conventional photolithography process is performed simultaneously with a light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device and an electrically conductive thin film structure 90 prior to wafer bonding for easy subsequent processing. After etching (i.e., etching) is performed, the aligned wafer bonding may be performed. In particular, the etching dimension of the group III nitride-based semiconductor light emitting diode device is larger than the etching dimension of the electrically conductive thin film structure 90.

도 9는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자 제조 공정을 보여주는 흐름도이다.9 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a group III nitride-based light emitting diode device according to an embodiment of the present invention.

본 공정 흐름도를 참조하면, 널리 공지된 MOCVD 또는 MBE 성장 공정에 의해서 성장기판 상부에 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체를 단결정으로 성장시키는 공정 단계(141), 지지기판 상부에 오믹접촉 커런트스프레딩층을 위한 웨이퍼 결합용 전기전도성 박막구조체를 적층 형성시키는 공정 단계(142), 웨이퍼 대 웨이퍼(wafer to wafer)를 결합시키는 웨이퍼 결합 공정 단계(143), 웨이퍼 결합된 복합구조체에서 지지기판을 분리시키는 공정 단계(144), 식각 또는 증착 공정 등을 이용한 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 제 조 공정 단계(145), 최종적으로 성장기판 상에서 제조된 LED 소자 칩을 단일화하고 팩키징(packaging)하는 공정 단계(146)를 끝으로 완성한다.Referring to the process flow chart, a process step 141 of growing a light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device on a growth substrate as a single crystal by a well-known MOCVD or MBE growth process, an ohmic contact on a support substrate A process step 142 of stacking an electrically conductive thin film structure for wafer bonding for a current spreading layer, a wafer bonding process step 143 of bonding wafer to wafer, and a support substrate in a wafer bonded composite structure A process of manufacturing a group III-nitride-based semiconductor light emitting diode device using the process step 144 for separating the process, an etching process or a deposition process 145, and finally unifying and packaging the LED device chip manufactured on the growth substrate. The process step 146 is completed at the end.

또한 무엇보다도, 142 공정 단계에서는 높은 캐리어 농도 및 이동도(mobility)로 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도체의 투명한 결정질(transparent crystalline)로 형성시키는 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 전기저항이 낮은 비정질(amorphous)도 가능하다.First of all, in the 142 process step, it is preferable to form transparent crystalline of an electric conductor having an electrical resistance of 10 −3 Ωcm or less with high carrier concentration and mobility, but in some cases, Amorphous low resistance is also possible.

또한 143 공정 단계에서는 강한 기계적 결합력을 갖는 동시에, LED 소자용 발광구조체의 최상부에 존재하는 상부 질화물계 클래드층(40)과 전기전도성 박막구조체(90) 간(間), 또는 상부 질화물계 클래드층(40)과 결합용 이종물질층(120) 간(間)의 오믹접촉 계면 형성이 선행되어야 한다.In addition, in step 143, the upper nitride-based cladding layer 40 and the electrically conductive thin film structure 90 or the upper nitride-based cladding layer (90) having a strong mechanical bonding force and present at the top of the light emitting structure for the LED device. 40) and the formation of the ohmic contact interface between the bonding heterogeneous material layer 120 should be preceded.

또한 144 공정 단계에서는 LED 소자용 발광구조체 및 결합된 전기전도성 박막구조체(90)에 기계, 전기, 및 광학적인 손상 없이 지지기판(80)을 분리시키는 것이 중요하다.In addition, in the step 144, it is important to separate the support substrate 80 from the light emitting structure for the LED device and the combined electrically conductive thin film structure 90 without mechanical, electrical, and optical damage.

또한 145 공정 단계에서는 LED 소자용 발광구조체의 질화물계 활성층 내에서 생성된 빛을 최대한 외부로 많이 방출시키기 위한 전기전도성 박막구조체(90)의 표면 요철 공정, 기능성 박막층 형성, 건식에칭(dry-etching), n형 오믹접촉 전극 및 전극패드 형성, 그리고 쇼키접촉 계면의 p형 전극패드를 형성한다.In addition, in step 145, the surface unevenness process of the conductive thin film structure 90 for releasing as much of the light generated in the nitride-based active layer of the LED light emitting structure as possible to the outside, the formation of a functional thin film layer, and dry etching , n-type ohmic contact electrodes and electrode pads are formed, and p-type electrode pads at the Shoki contact interface are formed.

또한 146 공정 단계에서는 웨이퍼 상에서 완성된 LED 소자 칩을 팩키징된 단일화 칩을 완성한다.In step 146, the unified chip packaged with the completed LED device chip on the wafer is completed.

상기한 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 제조 공정은 전체적인 LED 소자 성능 향상을 위해서 공정 순서는 변형 될 수 있으며, 특히 본 발명에 기술에 의한 LED 제조 공정 과정에서 각종 공지 또는 기술상 보호된 어닐링 및 표면처리 공정들이 도입될 수 있다.The above-described group III-nitride semiconductor light emitting diode device manufacturing process may be modified in order to improve overall LED device performance, and in particular, various known or technically protected annealing and surfaces during the LED manufacturing process according to the present invention. Treatment processes can be introduced.

도 10은 본 발명에 의해 제조된 제1 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a first embodiment manufactured by the present invention.

도 10을 참조하면, 기본적으로 성장기판(10) 상부에 완충층(buffering layer)을 포함한 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 하부 질화물계 클래드층(20)이 형성되어 있고, 상기 하부 질화물계 클래드층(20) 상부의 일부 영역에 질화물계 활성층(30)과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 상부 질화물계 클래드층(40)을 순차적으로 형성되어 있다. 또한 도 10에 미도시되었지만, 상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다. 상기 발광다이오드 소자용 발광구조체는 MOCVD 또는 MBE 공정으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 10, a lower nitride-based cladding layer 20 composed of an n-type conductive group III nitride-based semiconductor including a buffer layer is formed on the growth substrate 10, and the lower nitride is formed. An upper nitride cladding layer 40 composed of a nitride-based active layer 30 and a p-type conductive group III nitride semiconductor is sequentially formed in a portion of the upper part of the cladding layer 20. In addition, although not shown in FIG. 10, the upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer may be formed of a superlattice structure, n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements. The light emitting structure for the light emitting diode device may be formed by a MOCVD or MBE process.

도 10A는 직접적인 웨이퍼 결합 공정에 의해 상기 상부 질화물계 클래드 층(40) 상부에 전기전도성 박막구조체 단독으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90)을 보인 반면, 도 10B는 투명성 결합용 이종물질층(120)과 함께 간접적인 웨이퍼 결합으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90)을 보이고 있다.FIG. 10A shows an ohmic contact current spreading layer 90 formed on the upper nitride-based cladding layer 40 by an electrically conductive thin film structure alone by a direct wafer bonding process, while FIG. 10B shows a heterogeneous material layer for transparent bonding. 120 shows an ohmic contact current spreading layer 90 formed by indirect wafer bonding.

상기 대기에 노출된 하부 질화물계 클래드층(20)의 일부 영역 상부에 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드(70)가 형성되어 있고, 상기 전기전도성 박막구조체으로 구성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 상부의 일부 영역에 쇼키접촉 계면을 형성하고 있는 p형 전극패드(60)가 형성된다.An n-type ohmic contact electrode and an electrode pad 70 are formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer 20 exposed to the air, and the ohmic contact current spreading layer 90 formed of the electrically conductive thin film structure. A p-type electrode pad 60 is formed in a portion of the upper portion to form a schottky contact interface.

본 상기 일부 영역 제거공정에 따른 구조물의 형상은 전극을 형성하고자 하는 위치, 전극 형상 및 크기에 따라 다양한 형태로 변경될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서와 같이 한 모서리에 접하는 영역의 상부 질화물계 클래드층(40) 및 질화물계 활성층(30)을 제거하는 방식으로 구현될 수도 있으며, 전류밀도를 분산시키기 위하여 전극의 길이가 연장되는 경우, 상기 제거된 영역은 해당 전극과 대응하여 연장될 수 있다.The shape of the structure according to the partial region removing process may be changed in various forms according to the position, electrode shape and size to form the electrode. For example, as in the present embodiment, it may be implemented by removing the upper nitride-based cladding layer 40 and the nitride-based active layer 30 in the area in contact with one corner, the length of the electrode to disperse the current density When is extended, the removed region may extend corresponding to the corresponding electrode.

도 11은 본 발명에 의해 제조된 제2 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이다.Fig. 11 is a sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a second embodiment produced by the present invention.

도 11을 참조하면, 기본적으로 성장기판(10) 상부에 완충층(buffering layer)을 포함한 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 하부 질화물계 클래드층(20)이 형성되어 있고, 상기 하부 질화물계 클래드층(20) 상부의 일부 영역에 질화물계 활성층(30)과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 상부 질화물계 클래드층(40)을 순차적으로 형성되어 있다. 또한 도 11에 미도시되었 지만, 상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다. 상기 발광다이오드 소자용 발광구조체는 MOCVD 또는 MBE 공정으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11, a lower nitride-based cladding layer 20 composed of an n-type conductive group III nitride-based semiconductor including a buffer layer is formed on the growth substrate 10, and the lower nitride is formed. An upper nitride cladding layer 40 composed of a nitride-based active layer 30 and a p-type conductive group III nitride semiconductor is sequentially formed in a portion of the upper part of the cladding layer 20. Although not shown in FIG. 11, the upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer may be formed of a superlattice structure, n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements. The light emitting structure for the light emitting diode device may be formed by a MOCVD or MBE process.

도 11A는 직접적인 웨이퍼 결합 공정에 의해 상기 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 전기전도성 박막구조체 단독으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90)과 기능성 박막층(130)을 보인 반면, 도 11B는 투명성 결합용 이종물질층(120)과 함께 간접적인 웨이퍼 결합으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90)과 기능성 박막층(130)을 보이고 있다. 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 상부에 위치하는 기능성 박막층(130)은 투명성 전기전도체, 형광체, 비반사체(anti-reflector), 또는 광 필터 역할을 수행할 수 있는 물질로 구성한다.FIG. 11A shows the ohmic contact current spreading layer 90 and the functional thin film layer 130 formed solely on the upper nitride-based cladding layer 40 by the direct wafer bonding process, while FIG. 11B shows transparency. The ohmic contact current spreading layer 90 and the functional thin film layer 130 formed by indirect wafer bonding together with the heterogeneous material layer 120 for bonding are shown. The functional thin film layer 130 positioned on the ohmic contact current spreading layer 90 is formed of a transparent electrical conductor, a phosphor, an anti-reflector, or a material capable of acting as an optical filter.

상기 대기에 노출된 하부 질화물계 클래드층(20)의 일부 영역 상부에 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드(70)가 형성되어 있고, 상기 전기전도성 박막구조체으로 구성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 상부 또는 기능성 박막층(130)의 일부 영역에 쇼키접촉 계면을 형성하고 있는 p형 전극패드(60)가 형성된다.An n-type ohmic contact electrode and an electrode pad 70 are formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer 20 exposed to the air, and the ohmic contact current spreading layer 90 formed of the electrically conductive thin film structure. A p-type electrode pad 60 having a schottky contact interface is formed in a portion of the upper or functional thin film layer 130.

본 상기 일부 영역 제거공정에 따른 구조물의 형상은 전극을 형성하고자 하 는 위치, 전극 형상 및 크기에 따라 다양한 형태로 변경될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서와 같이 한 모서리에 접하는 영역의 상부 질화물계 클래드층(40) 및 질화물계 활성층(30)을 제거하는 방식으로 구현될 수도 있으며, 전류밀도를 분산시키기 위하여 전극의 길이가 연장되는 경우, 상기 제거된 영역은 해당 전극과 대응하여 연장될 수 있다.The shape of the structure according to the partial region removing process may be changed in various forms according to the position, electrode shape and size to form the electrode. For example, as in the present embodiment, it may be implemented by removing the upper nitride-based cladding layer 40 and the nitride-based active layer 30 in the area in contact with one corner, the length of the electrode to disperse the current density When is extended, the removed region may extend corresponding to the corresponding electrode.

도 12는 본 발명에 의해 제조된 제3 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a third embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 기본적으로 성장기판(10) 상부에 완충층(buffering layer)을 포함한 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 하부 질화물계 클래드층(20)이 형성되어 있고, 상기 하부 질화물계 클래드층(20) 상부의 일부 영역에 질화물계 활성층(30)과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 상부 질화물계 클래드층(40)을 순차적으로 형성되어 있다. 또한 도 12에 미도시되었지만, 상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다. 상기 발광다이오드 소자용 발광구조체는 MOCVD 또는 MBE 공정으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 12, a lower nitride-based cladding layer 20 composed of an n-type conductive group III-nitride semiconductor including a buffer layer is formed on the growth substrate 10. An upper nitride cladding layer 40 composed of a nitride-based active layer 30 and a p-type conductive group III nitride semiconductor is sequentially formed in a portion of the upper part of the cladding layer 20. In addition, although not shown in FIG. 12, the upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer may be formed of a superlattice structure, n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements. The light emitting structure for the light emitting diode device may be formed by a MOCVD or MBE process.

도 12A는 직접적인 웨이퍼 결합 공정에 의해 상기 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 전기전도성 박막구조체 단독으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90)과 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 표면에 도입된 표면 요철을 보인 반면, 도 12B는 투명성 결합용 이종물질층(120)과 함께 간접적인 웨이퍼 결합으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90)와 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 표면에 도입된 표면 요철을 보이고 있다. 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 표면에 도입된 표면 요철은 상기 질화물계 활성층(30)에서 생성된 빛의 입사각을 변화시켜서 외부로 방출되어 나오는 빛의 양을 증가시켜 준다.12A is introduced to the surface of the ohmic contact current spreading layer 90 and the ohmic contact current spreading layer 90 formed by an electrically conductive thin film structure alone on the upper nitride-based cladding layer 40 by a direct wafer bonding process. 12B shows the surface of the ohmic contact current spreading layer 90 and the ohmic contact current spreading layer 90 formed by indirect wafer bonding together with the transparent material dissimilar material layer 120. Surface is showing irregularities. Surface irregularities introduced on the surface of the ohmic contact current spreading layer 90 change the incident angle of light generated by the nitride based active layer 30 to increase the amount of light emitted to the outside.

상기 대기에 노출된 하부 질화물계 클래드층(20)의 일부 영역 상부에 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드(70)가 형성되어 있고, 상기 전기전도성 박막구조체으로 구성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 상부의 일부 영역에 쇼키접촉 계면을 형성하고 있는 p형 전극패드(60)가 형성된다.An n-type ohmic contact electrode and an electrode pad 70 are formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer 20 exposed to the air, and the ohmic contact current spreading layer 90 formed of the electrically conductive thin film structure. A p-type electrode pad 60 is formed in a portion of the upper portion to form a schottky contact interface.

본 상기 일부 영역 제거공정에 따른 구조물의 형상은 전극을 형성하고자 하는 위치, 전극 형상 및 크기에 따라 다양한 형태로 변경될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서와 같이 한 모서리에 접하는 영역의 상부 질화물계 클래드층(40) 및 질화물계 활성층(30)을 제거하는 방식으로 구현될 수도 있으며, 전류밀도를 분산시키기 위하여 전극의 길이가 연장되는 경우, 상기 제거된 영역은 해당 전극과 대응하여 연장될 수 있다.The shape of the structure according to the partial region removing process may be changed in various forms according to the position, electrode shape and size to form the electrode. For example, as in the present embodiment, it may be implemented by removing the upper nitride-based cladding layer 40 and the nitride-based active layer 30 in the area in contact with one corner, the length of the electrode to disperse the current density When is extended, the removed region may extend corresponding to the corresponding electrode.

도 13은 본 발명에 의해 제조된 제4 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이다.Fig. 13 is a sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a fourth embodiment manufactured by the present invention.

도 13을 참조하면, 기본적으로 성장기판(10) 상부에 완충층(buffering layer)을 포함한 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 하부 질화물계 클래드층(20)이 형성되어 있고, 상기 하부 질화물계 클래드층(20) 상부의 일부 영역에 질화물계 활성층(30)과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 구성된 상부 질화물계 클래드층(40)을 순차적으로 형성되어 있다. 또한 도 13에 미도시되었지만, 상기 상부 질화물계 클래드층(40)은 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함할 있다. 상기 표면 개질층은 슈퍼래티스 구조(superlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물계이다. 특히, 상기 슈퍼래티스 구조의 표면 개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된다. 상기 발광다이오드 소자용 발광구조체는 MOCVD 또는 MBE 공정으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13, a lower nitride-based cladding layer 20 composed of an n-type conductive group III nitride-based semiconductor including a buffer layer is formed on the growth substrate 10, and the lower nitride is formed. An upper nitride cladding layer 40 composed of a nitride-based active layer 30 and a p-type conductive group III nitride semiconductor is sequentially formed in a portion of the upper part of the cladding layer 20. In addition, although not shown in FIG. 13, the upper nitride-based cladding layer 40 may separately include an interface modification layer. The surface modification layer may be formed of a superlattice structure, n-type conductive InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type conductive InGaN, AlInN, InN, AlGaN, group III nitride system having a polar surface. In particular, the surface modification layer of the superlattice structure is composed of nitride or carbon nitride containing group 2, 3, or 4 element elements. The light emitting structure for the light emitting diode device may be formed by a MOCVD or MBE process.

도 13A는 직접적인 웨이퍼 결합 공정에 의해 상기 상부 질화물계 클래드층(40) 상부에 전기전도성 박막구조체 단독으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90), 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 표면에 도입된 표면 요철, 및 기능성 박막층(130)을 보인 반면, 도 13B는 투명성 결합용 이종물질층(120)과 함께 간접적인 웨이퍼 결합으로 형성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90), 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 표면에 도입된 표면 요철, 및 기능성 박막층(130)을 보이고 있다. 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 표면에 도입된 표면 요철은 상기 질화물계 활 성층(30)에서 생성된 빛의 입사각을 변화시켜서 외부로 방출되어 나오는 빛의 양을 증가시켜 준다. 또한 상기 기능성 박막층(130)은 투명성 전기전도체, 형광체, 비반사체(anti-reflector), 또는 광 필터 역할을 수행할 수 있는 물질로 구성한다.FIG. 13A illustrates an ohmic contact current spreading layer 90 and an ohmic contact current spreading layer 90 formed on the upper nitride-based cladding layer 40 by a direct wafer bonding process. 13B shows an ohmic contact current spreading layer 90 formed by indirect wafer bonding together with a heterogeneous material layer 120 for transparent bonding, and the ohmic contact current spreading. The surface irregularities introduced to the surface of the layer 90, and the functional thin film layer 130 are shown. Surface irregularities introduced on the surface of the ohmic contact current spreading layer 90 change the incident angle of the light generated in the nitride based active layer 30 to increase the amount of light emitted to the outside. In addition, the functional thin film layer 130 is made of a transparent electrical conductor, a phosphor, an anti-reflector, or a material that can serve as an optical filter.

상기 대기에 노출된 하부 질화물계 클래드층(20)의 일부 영역 상부에 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드(70)가 형성되어 있고, 상기 전기전도성 박막구조체으로 구성된 오믹접촉 커런트스프레딩층(90) 상부의 일부 영역에 쇼키접촉 계면을 형성하고 있는 p형 전극패드(60)가 형성된다.An n-type ohmic contact electrode and an electrode pad 70 are formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer 20 exposed to the air, and the ohmic contact current spreading layer 90 formed of the electrically conductive thin film structure. A p-type electrode pad 60 is formed in a portion of the upper portion to form a schottky contact interface.

본 상기 일부 영역 제거공정에 따른 구조물의 형상은 전극을 형성하고자 하는 위치, 전극 형상 및 크기에 따라 다양한 형태로 변경될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서와 같이 한 모서리에 접하는 영역의 상부 질화물계 클래드층(40) 및 질화물계 활성층(30)을 제거하는 방식으로 구현될 수도 있으며, 전류밀도를 분산시키기 위하여 전극의 길이가 연장되는 경우, 상기 제거된 영역은 해당 전극과 대응하여 연장될 수 있다.The shape of the structure according to the partial region removing process may be changed in various forms according to the position, electrode shape and size to form the electrode. For example, as in the present embodiment, it may be implemented by removing the upper nitride-based cladding layer 40 and the nitride-based active layer 30 in the area in contact with one corner, the length of the electrode to disperse the current density When is extended, the removed region may extend corresponding to the corresponding electrode.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also fall within the scope of the present invention.

도 1은 종래 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 대표적인 예를 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view showing a representative example of a conventional Group 3 nitride-based semiconductor light emitting diode device,

도 2는 본 발명에 따른 지지기판(supporting substrate) 상부에 형성된 웨이퍼 결합용 전기전도성 박막구조체가 형성된 단면도이고,2 is a cross-sectional view in which an electrically conductive thin film structure for wafer bonding is formed on a supporting substrate according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체가 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이고,3 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electroconductive thin film structure according to the present invention are bonded by a direct wafer bonding process,

도 4는 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체가 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이고,4 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electrically conductive thin film structure according to the present invention are bonded by a direct wafer bonding process,

도 5는 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체가 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이고,5 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electrically conductive thin film structure according to the present invention are bonded by an indirect wafer bonding process,

도 6은 본 발명에 따른 그룹 3족 질화물계 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체가 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding) 공정으로 결합된 복합구조체의 단면도이고,6 is a cross-sectional view of a composite structure in which a light emitting structure for a group III nitride-based light emitting diode device and an electrically conductive thin film structure according to the present invention are bonded by an indirect wafer bonding process,

도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 결합된 복합구조체에서 지지기판(supporting substrate)을 전기전도성 박막구조체로부터 분리(lift-off)시키는 공정을 보인 단면도이고,FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process of lifting a supporting substrate from an electrically conductive thin film structure in a wafer bonded composite structure according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 전기전도성 박막구조체가 발광다이오드 소자용 발광구조체의 최상층부에 웨이퍼 결합으로 형성된 상태를 보인 평면도이고, 8 is a plan view showing a state in which an electrically conductive thin film structure according to the present invention is formed by wafer bonding to a top layer of a light emitting structure for a light emitting diode device,

도 9는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 제조 공정을 보여주는 흐름도이고,9 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting diode device as an embodiment according to the present invention.

도 10은 본 발명에 의해 제조된 제1 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이고,10 is a cross-sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a first embodiment manufactured by the present invention;

도 11은 본 발명에 의해 제조된 제2 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이고,11 is a cross-sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a second embodiment produced by the present invention;

도 12는 본 발명에 의해 제조된 제3 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이고,12 is a cross-sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a third embodiment of the present invention,

도 13은 본 발명에 의해 제조된 제4 실시예로서 보인 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자의 단면도이다.Fig. 13 is a sectional view of a group III-nitride semiconductor light emitting diode device shown as a fourth embodiment manufactured by the present invention.

Claims (29)

성장기판과, 상기 성장기판 상부의 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체 물질계로 이루어진 하부 질화물계 클래드층과, 또 다른 그룹 3족 질화물계 반도체 물질계로 이루어진 질화물계 활성층과, p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체 물질계로 이루어진 상부 질화물계 클래드층과, 상기 상부 질화물계 클래드층 상부의 오믹접촉 커런트스프레딩과, 상기 오믹접촉 커런트 스프레딩층 상부의 p형 전극패드와, 상기 하부 질화물계 클래드층 상부의 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드를 포함하는 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자에 있어서,A nitride-based active layer made of a growth substrate, an n-type conductive group III-nitride-based semiconductor material system on the growth substrate, a nitride-based active layer made of another group-group nitride-based semiconductor material system, and a p-type conductive group An upper nitride cladding layer made of a group III nitride semiconductor material system, an ohmic contact current spreading on the upper nitride cladding layer, a p-type electrode pad on the ohmic contact current spreading layer, and the lower nitride cladding In a group III-nitride semiconductor light emitting diode device comprising an n-type ohmic contact electrode and an electrode pad on a layer, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층은 전기전도성 박막구조체로 구성된 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The ohmic contact current spreading layer is a light emitting diode device of a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure, characterized in that consisting of an electrically conductive thin film structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 질화물계 클래드층은 슈퍼래티스 구조(spuerlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물인 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The upper nitride-based cladding layer has a superlattice structure, n-type InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type InGaN, AlInN, InN, AlGaN, or a surface formed of nitrogen polarity ( A light emitting diode device having a group III nitride-based semiconductor horizontal structure including a surface modification layer which is a group III nitride having a nitrogen-polar surface. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 슈퍼래티스 구조는 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.Wherein the superlattice structure comprises a nitride or carbon nitride group containing Group 2, Group 3, or Group 4 elements, and the group III nitride-based semiconductor horizontal structure has a horizontal lattice structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전기전도성 박막구조체는 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 단층(single layer) 또는 다층(multi-layer) 박막 구조로 형성된 것을 특징으로 한 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The electrically conductive thin film structure is a light emitting diode device having a group III nitride semiconductor horizontal structure, characterized in that formed of a single layer or a multi-layer thin film structure having an electrical resistance of 10 -3 Ωcm or less. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전기전도성 박막구조체는 단결정의 무극성 표면 정방정계, 양성 극성 표면 육방정계, 음성 극성 표면 육방정계, 또는 혼합된 극성 표면 육방정계로 형성된 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The electroconductive thin film structure is a light emitting diode device of a group III nitride semiconductor horizontal structure, characterized in that formed of a single crystal nonpolar tetragonal, positive polar surface hexagonal, negative polar surface hexagonal, or mixed polar surface hexagonal . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전기전도성 박막구조체는 다결정(poly-crystal) 또는 비정질(amorphous)인 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The electroconductive thin film structure is a light emitting diode device of a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure, characterized in that the polycrystalline (crystalline) or amorphous (amorphous). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층을 구성하고 있는 전기전도성 박막구조체의 표면에 표면 요철을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.A light emitting diode device having a group III nitride semiconductor horizontal structure, wherein surface irregularities are formed on a surface of the electrically conductive thin film structure constituting the ohmic contact current spreading layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 p형 전극패드는 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층 상부에서 쇼키접촉 계면을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.And the p-type electrode pad has a schottky contact interface formed on the ohmic contact current spreading layer. 성장기판과, 상기 성장기판 상부의 n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체 물질계로 이루어진 하부 질화물계 클래드층과, 또 다른 그룹 3족 질화물계 반도체 물질계로 이루어진 질화물계 활성층과, p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체 물질계로 이루어진 상부 질화물계 클래드층과, 상기 상부 질화물계 클래드층 상부의 투명성 결합용 이종물질층과, 상기 투명성 결합용 이종물질층 상부의 오믹접촉 커런트스프레딩과, 상기 오믹접촉 커런트 스프레딩층 상부의 p형 전극패드와, 상기 하부 질화물계 클래드층 상부의 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드를 포함하는 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자에 있어서,A nitride-based active layer made of a growth substrate, an n-type conductive group III-nitride-based semiconductor material system on the growth substrate, a nitride-based active layer made of another group-group nitride-based semiconductor material system, and a p-type conductive group An upper nitride cladding layer made of a group III nitride semiconductor material system, a dissimilar material layer for transparent bonding on the upper nitride cladding layer, an ohmic contact current spreading on the dissimilar material layer for transparent bonding, and the ohmic contact In a group III-nitride semiconductor light emitting diode device comprising a p-type electrode pad over a current spreading layer, an n-type ohmic contact electrode and an electrode pad over the lower nitride-based cladding layer, 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층은 전기전도성 박막구조체로 구성된 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The ohmic contact current spreading layer is a light emitting diode device of a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure, characterized in that consisting of an electrically conductive thin film structure. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 상부 질화물계 클래드층은 슈퍼래티스 구조(spuerlattice structure), n형 도전성의 InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p형 도전성의 InGaN, AlInN, InN, AlGaN, 또는 질소 극성으로 형성된 표면(nitrogen-polar surface)을 갖는 그룹 3족 질화물인 표면 개질층(interface modification layer)을 별도로 포함하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The upper nitride-based cladding layer has a superlattice structure, n-type InGaN, GaN, AlInN, AlN, InN, AlGaN, p-type InGaN, AlInN, InN, AlGaN, or a surface formed of nitrogen polarity ( A light emitting diode device having a group III nitride-based semiconductor horizontal structure including a surface modification layer which is a group III nitride having a nitrogen-polar surface. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 슈퍼래티스 구조는 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물(carbon nitride)로 구성된 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.Wherein the superlattice structure comprises a nitride or carbon nitride group containing Group 2, Group 3, or Group 4 elements, and the group III nitride-based semiconductor horizontal structure has a horizontal lattice structure. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전기전도성 박막구조체는 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 단층(single layer) 또는 다층(multi-layer) 박막 구조로 형성된 것을 특징으로 한 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The electrically conductive thin film structure is a light emitting diode device having a group III nitride semiconductor horizontal structure, characterized in that formed of a single layer or a multi-layer thin film structure having an electrical resistance of 10 -3 Ωcm or less. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전기전도성 박막구조체는 단결정의 무극성 표면 정방정계, 양성 극성 표면 육방정계, 음성 극성 표면 육방정계, 또는 혼합된 극성 표면 육방정계로 형성된 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The electroconductive thin film structure is a light emitting diode device of a group III nitride semiconductor horizontal structure, characterized in that formed of a single crystal nonpolar tetragonal, positive polar surface hexagonal, negative polar surface hexagonal, or mixed polar surface hexagonal . 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전기전도성 박막구조체는 다결정(poly-crystal) 또는 비정질(amorphous)인 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자. The electroconductive thin film structure is a light emitting diode device of a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure, characterized in that the polycrystalline (crystalline) or amorphous (amorphous). 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 투명성 결합용 이종물질층은 광학적으로 투명하고 전기전도체이면 제한되지 않고 사용될 수 있는 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.The transparent material bonding layer is a light emitting diode device of the group III nitride semiconductor horizontal structure, characterized in that the optically transparent and an electric conductor can be used without limitation. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 투명성 결합용 이종물질층은 ITO, ZnO, IZO(indium zinc oxide), ZITO(zinc indium tin oxide), In2O3, SnO2, Sn, Zn, In, Ni, Au, Ru, Ir, NiO, Ag, Pt, Pd, PdO, IrO2, RuO2, Ti, TiN, Cr, CrN로 구성된 단층(single layer) 또는 다층(multi-layer) 구조를 갖는 것을 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자. The heterogeneous material layer for the transparent bonding may include ITO, ZnO, indium zinc oxide (IZO), zinc indium tin oxide (ZITO), In2O3, SnO2, Sn, Zn, In, Ni, Au, Ru, Ir, NiO, Ag, Pt Light emitting diode device of group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure characterized in that it has a single layer or multi-layer structure composed of Pd, PdO, IrO 2, RuO 2, Ti, TiN, Cr, CrN . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 p형 전극패드는 상기 오믹접촉 커런트스프레딩층 상부에서 쇼키접촉 계면을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자.And the p-type electrode pad has a schottky contact interface formed on the ohmic contact current spreading layer. 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체를 성장시키기 위한 성장기판을 준비하는 단계;Preparing a growth substrate for growing a light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device; 상기 성장기판 상부에 형성되며, n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 하부 질화물계 클래드층, 상기 하부 질화물계 클래드층의 일부 영역에 형성된 질화물계 활성층과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 상부 질화물계 클래드층을 성장하여 발광다이오드 소자용 발광구조체를 완성하는 단계;A lower nitride-based cladding layer formed on the growth substrate and formed of an n-type conductive group III-nitride semiconductor, a nitride-based active layer formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer, and a group-group nitride-based group of p-type conductivity Growing an upper nitride based cladding layer formed of a semiconductor to complete a light emitting structure for a light emitting diode device; 전기전도성 박막구조체를 성장시키기 위한 지지기판을 준비하는 단계;Preparing a support substrate for growing an electrically conductive thin film structure; 상기 지지기판 상부에 형성되며, 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도성 박막구조체를 적층 형성하는 단계;Forming an electroconductive thin film structure formed on the support substrate and having an electrical resistance of 10 −3 Ωcm or less; 상기 성장기판 상부의 상부 질화물계 클래드층과 상기 지지기판 상부의 전기전도성 박막구조체를 맞대어 소정의 압력과 온도에서 직접적인 웨이퍼 결합(direct wafer bonding)으로 결합시켜 복합구조체를 형성하는 단계; Forming a composite structure by directly joining the upper nitride-based cladding layer on the growth substrate with the electrically conductive thin film structure on the support substrate by direct wafer bonding at a predetermined pressure and temperature; 상기 웨이퍼 결합된 복합구조체로부터 지지기판을 분리하는 단계;Separating the support substrate from the wafer bonded composite structure; 상기 대기에 노출된 전기전도성 박막구조체 상부의 일부 영역에 형성되는 쇼키접촉 계면의 p형 전극패드를 형성하는 단계; 및Forming a p-type electrode pad of a schottky contact interface formed in a portion of an upper portion of the electrically conductive thin film structure exposed to the atmosphere; And 상기 하부 질화물계 클래드층 상부의 일부 영역에 형성되는 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드를 형성하는 단계;를 포함하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.And forming an n-type ohmic contact electrode and an electrode pad formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer, the group III-nitride-based semiconductor horizontal structure. 제18항에 있어서, The method of claim 18, 상기 지지기판은 사파이어(sapphire), 실리콘(Si), 저매니움(Ge), 실리콘저매니움(SiGe), 실리콘카바이드(SiC), 그룹 2-6족 화합물계(group 2-6 compounds), 유리(glass), 그룹 3-5족 화합물계(group 3-5 compounds), 금속(metal) 또는 합금(alloy)이 사용되는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.The support substrate is sapphire (sapphire), silicon (Si), low manganese (Ge), silicon low manganese (SiGe), silicon carbide (SiC), group 2-6 compounds (group 2-6 compounds), A method of manufacturing a light emitting diode device having a group III nitride semiconductor horizontal structure using glass, group 3-5 compounds, metal, or alloy. 제18항에 있어서, The method of claim 18, 상기 전기전도성 박막구조체를 상기 지지기판에 직접 형성하기에 앞서, 상기 전기전도성 박막구조체의 전기 및 광학적 특성 향상, 그리고 화학적 습식에칭(CLO) 또는 레이저 리프트 오프(LLO) 등의 후속 공정에 유리한 물질인 Al, Au, Ag, Ti, In, Sn, Zn, Cr, Pd, Pt, Ni, Mo, W, CrN, TiN, ZnO, In2O3, SnO2, ITO, NiO, SiO2, RuO2, IrO2, SiNx 등을 비롯한 금속, 금속산화물, 또는 금속질화물로 구성된 희생층(sacrificial layer)을 구비한 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다 이오드 소자 제조 방법.Prior to forming the electrically conductive thin film structure directly on the support substrate, the material is advantageous for improving the electrical and optical properties of the electrically conductive thin film structure, and for subsequent processes such as chemical wet etching (CLO) or laser lift off (LLO). Al, Au, Ag, Ti, In, Sn, Zn, Cr, Pd, Pt, Ni, Mo, W, CrN, TiN, ZnO, In2O3, SnO2, ITO, NiO, SiO2, RuO2, IrO2, SiNx, etc. A method of manufacturing a light emitting diode device having a group III-nitride-based semiconductor horizontal structure having a sacrificial layer composed of metal, metal oxide, or metal nitride. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 웨이퍼 대 웨이퍼 결합 공정은 소정의 정역학 압력(hydrostatic pressure) 및 900℃ 이하의 온도(temperature)에서 직접적인 웨이퍼 결합으로 형성되고, 웨이퍼 결합 공정 전/후에 상부 질화물계 클래드층 또는 전기전도성 박막구조체를 적절한 온도 및 가스(gas) 분위기에서 어닐링(annealing)과 용액(solution), 또는 플라즈마(plasma)를 비롯한 표면처리(surface treatment)를 수행하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.The wafer-to-wafer bonding process is formed by direct wafer bonding at a given hydrostatic pressure and a temperature of 900 ° C. or lower, and the top nitride-based cladding layer or electroconductive thin film structure is appropriately formed before and after the wafer bonding process. A method of manufacturing a light emitting diode device having a group III-nitride-based semiconductor horizontal structure which performs surface treatment including annealing, solution, or plasma in a temperature and gas atmosphere. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 웨이퍼 대 웨이퍼 결합 공정을 수행하기에 앞서, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체를 다양한 모양과 소정의 치수(dimension)로 각각 성장기판 및 지지기판 표면까지 에칭(즉, 식각) 공정을 수행하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법. Prior to performing the wafer-to-wafer bonding process, the light emitting structure and the electroconductive thin film structure for the group III nitride semiconductor light emitting diode device are etched to the growth substrate and the support substrate surface in various shapes and predetermined dimensions, respectively. That is, a method of manufacturing a light emitting diode device having a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure performing an etching process. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 지지기판 분리 공정은 기판 물질 또는 희생층의 유무에 따라서 선택되어지는데, 적어도 화학적 습식에칭(CLO), 화학-기계적인 연마(CMP), 또는 레이저 리프트 오프(LLO) 공정 중 한 가지 이상을 사용하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.The support substrate separation process is selected depending on the presence of substrate material or sacrificial layer, using at least one of chemical wet etching (CLO), chemical-mechanical polishing (CMP), or laser lift off (LLO) processes. A method of manufacturing a light emitting diode device having a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure. 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체를 성장시키기 위한 성장기판을 준비하는 단계;Preparing a growth substrate for growing a light emitting structure for a group III nitride semiconductor light emitting diode device; 상기 성장기판 상부에 형성되며, n형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 하부 질화물계 클래드층, 상기 하부 질화물계 클래드층의 일부 영역에 형성된 질화물계 활성층과 p형 도전성의 그룹 3족 질화물계 반도체로 이루어진 상부 질화물계 클래드층을 성장하여 발광다이오드 소자용 발광구조체를 완성하는 단계;A lower nitride-based cladding layer formed on the growth substrate and formed of an n-type conductive group III-nitride semiconductor, a nitride-based active layer formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer, and a group-group nitride-based group of p-type conductivity Growing an upper nitride based cladding layer formed of a semiconductor to complete a light emitting structure for a light emitting diode device; 전기전도성 박막구조체를 성장시키기 위한 지지기판을 준비하는 단계;Preparing a support substrate for growing an electrically conductive thin film structure; 상기 지지기판 상부에 형성되며, 10-3 Ω㎝ 이하의 전기저항을 갖는 전기전도성 박막구조체를 적층 형성하는 단계;Forming an electroconductive thin film structure formed on the support substrate and having an electrical resistance of 10 −3 Ωcm or less; 상기 성장기판 상부의 상부 질화물계 클래드층과 상기 지지기판 상부의 전기전도성 박막구조체 사이에 투명성 결합용 이종물질층을 개재하여 소정의 압력 및 온도에서 간접적인 웨이퍼 결합(indirect wafer bonding)으로 결합시켜 복합구조체를 형성하는 단계; By indirect wafer bonding at a predetermined pressure and temperature through a heterogeneous material layer for transparent bonding between the upper nitride-based cladding layer on the growth substrate and the electrically conductive thin film structure on the support substrate, the composite is bonded. Forming a structure; 상기 웨이퍼 결합된 복합구조체로부터 지지기판을 분리하는 단계;Separating the support substrate from the wafer bonded composite structure; 상기 대기에 노출된 전기전도성 박막구조체 상부의 일부 영역에 형성되는 쇼키접촉 계면의 p형 전극패드를 형성하는 단계; 및Forming a p-type electrode pad of a schottky contact interface formed in a portion of an upper portion of the electrically conductive thin film structure exposed to the atmosphere; And 상기 하부 질화물계 클래드층 상부의 일부 영역에 형성되는 n형 오믹접촉 전극 및 전극패드를 형성하는 단계;를 포함한 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.And forming an n-type ohmic contact electrode and an electrode pad formed on a portion of the lower nitride-based cladding layer, the group III-nitride-based semiconductor light emitting device having a horizontal structure. 제24항에 있어서, The method of claim 24, 상기 지지기판은 사파이어(sapphire), 실리콘(Si), 저매니움(Ge), 실리콘저매니움(SiGe), 실리콘카바이드(SiC), 그룹 2-6족 화합물계(group 2-6 compounds), 유리(glass), 그룹 3-5족 화합물계(group 3-5 compounds), 금속(metal) 또는 합금(alloy)이 사용되는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.The support substrate is sapphire (sapphire), silicon (Si), low manganese (Ge), silicon low manganese (SiGe), silicon carbide (SiC), group 2-6 compounds (group 2-6 compounds), A method of manufacturing a light emitting diode device having a group III nitride semiconductor horizontal structure using glass, group 3-5 compounds, metal, or alloy. 제24항에 있어서, The method of claim 24, 상기 전기전도성 박막구조체를 상기 지지기판에 직접 형성하기에 앞서, 상기 전기전도성 박막구조체의 전기 및 광학적 특성 향상, 그리고 화학적 습식에칭(CLO) 또는 레이저 리프트 오프(LLO) 등의 후속 공정에 유리한 물질인 Al, Au, Ag, Ti, In, Sn, Zn, Cr, Pd, Pt, Ni, Mo, W, CrN, TiN, ZnO, In2O3, SnO2, ITO, NiO, SiO2, RuO2, IrO2, SiNx, 그룹 3-5족 화합물, 그룹 2-6족 화합물로 구성된 희생층(sacrificial layer)을 구비한 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.Prior to forming the electrically conductive thin film structure directly on the support substrate, the material is advantageous for improving the electrical and optical properties of the electrically conductive thin film structure, and for subsequent processes such as chemical wet etching (CLO) or laser lift off (LLO). Al, Au, Ag, Ti, In, Sn, Zn, Cr, Pd, Pt, Ni, Mo, W, CrN, TiN, ZnO, In2O3, SnO2, ITO, NiO, SiO2, RuO2, IrO2, SiNx, Group 3 A method for manufacturing a light emitting diode device having a group III nitride-based semiconductor horizontal structure having a sacrificial layer composed of a Group 5 compound and a Group 2-6 compound. 제24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 웨이퍼 대 웨이퍼 결합 공정은 소정의 정역학 압력(hydrostatic pressure) 및 900℃ 이하의 온도(temperature)에서 직접적인 웨이퍼 결합으로 형성되고, 웨이퍼 결합 공정 전/후에 상부 질화물계 클래드층 또는 전기전도성 박막구조체를 적절한 온도 및 가스(gas) 분위기에서 어닐링(annealing)과 용액(solution), 또는 플라즈마(plasma)를 비롯한 표면처리(surface treatment)를 수행하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.The wafer-to-wafer bonding process is formed by direct wafer bonding at a given hydrostatic pressure and a temperature of 900 ° C. or lower, and the top nitride-based cladding layer or electroconductive thin film structure is appropriately formed before and after the wafer bonding process. A method of manufacturing a light emitting diode device having a group III-nitride-based semiconductor horizontal structure which performs surface treatment including annealing, solution, or plasma in a temperature and gas atmosphere. 제24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 웨이퍼 대 웨이퍼 결합 공정을 수행하기에 앞서, 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자용 발광구조체와 전기전도성 박막구조체를 다양한 모양과 소정의 치수(dimension)로 각각 성장기판 및 지지기판 표면까지 에칭(즉, 식각) 공정을 수행하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법. Prior to performing the wafer-to-wafer bonding process, the light emitting structure and the electroconductive thin film structure for the group III nitride semiconductor light emitting diode device are etched to the growth substrate and the support substrate surface in various shapes and predetermined dimensions, respectively. That is, a method of manufacturing a light emitting diode device having a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure performing an etching process. 제24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 지지기판 분리 공정은 기판 물질 또는 희생층의 유무에 따라서 선택되어지는데, 적어도 화학적 습식에칭(CLO), 화학-기계적인 연마(CMP), 또는 레이저 리프트 오프(LLO) 공정 중 한 가지 이상을 사용하는 그룹 3족 질화물계 반도체 수평구조의 발광다이오드 소자 제조 방법.The support substrate separation process is selected depending on the presence of substrate material or sacrificial layer, using at least one of chemical wet etching (CLO), chemical-mechanical polishing (CMP), or laser lift off (LLO) processes. A method of manufacturing a light emitting diode device having a group 3 nitride-based semiconductor horizontal structure.
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JP3720341B2 (en) * 2003-02-12 2005-11-24 ローム株式会社 Semiconductor light emitting device
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