KR20090099557A - 유연한 시트와 기판을 접촉시키기 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

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미스차 메겐스
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 측면 정렬이 향상된 제 1 요소와 유연한 시트를 접촉시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 유연한 시트와, 제 1 요소나 제 1 스테이지에서 앵커라고 부르는 시트 파킹 표면 중 하나 사이의 제 1 접촉을 확립한 후 제 1 측면 오정렬을 측정하는 단계를 포함한다. 5개의 오정렬이 미리 결정된 임계값을 넘게 되면, 유연한 시트가 제 1 요소와 접촉하지 않도록 앵커에서 파킹되고, 제 1 요소와 앵커의 상대적인 위치가 이러한 방법의 다음 단계 내에서 확립될 제 1 요소와 유연한 시트 사이의 접촉시 오정렬을 정정하기 위한 제 2 스테이지 동안 바뀐다. 제 2 스테이지(10)를 얻기 위해 접촉점을 이동시키는 단계 동안, 접촉하는 프로세스는 초기 접촉을 확립하기 위한 프로세스보다 더 정확하고 재현 가능하다. 본 발명은 또한 그러한 방법을 실행하기 위한 장치, 그러한 방법의 사용, 및 디바이스들을 제작하기 위한 장치에 관한 것이다.

Description

유연한 시트와 기판을 접촉시키기 위한 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR CONTACTING OF A FLEXIBLE SHEET AND A SUBSTRATE}
본 발명은 유연한 시트의 시트 표면을 제 1 요소의 제 1 접촉 표면과 접촉시키기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 또한 복수의 층을 포함하는 디바이스를 제작하는 방법에 관한 것으로, 이 경우 복수의 층 중 적어도 2개의 층이 서로 측면으로 정렬된다. 본 발명은 또한 시스템이 본 발명에 따른 방법을 실행시킬 수 있게 하기 위한 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다.
EP0794016A1호에는, 미리 결정된 패턴을 포함하는 스탬핑(stamping) 표면을 가지는, 유연한 스탬프를 지닌 기판의 표면을 스탬핑하기 위한 장치와 방법이 개시되어 있다. 이 방법은 지지 구조 상에 기판을 놓는 단계, 자가 조립된 단층-형성 분자 종류(molecular species)를 포함하는 용액으로 스탬핑 표면을 적시는 단계, 유연한 스탬프의 중심에서 접촉을 개시하고, 유연한 스탬프의 전역에서 압력차를 변경시킴으로써 제어된 방식으로 바깥으로 진행하도록 기판 표면과 적셔진 스탬핑 표면을 제어 가능하게 접촉시키기 전에 기판의 표면 위의 정렬 패턴들과 유연한 스 탬프 상에 정렬 패턴들을 정렬하는 단계를 포함한다. 적셔진 스탬핑 표면을 제어 가능하게 접촉하는 프로세스는, 표면과 유연한 스탬프의 중심 사이의 초기 접촉을 확립한 다음, 초기 접촉으로부터 제어된 방식으로 접촉부의 형성을 외부로 진행시키는 것을 포함한다. 이 방법은 스탬프를 기판에 접촉시키기 전에, 기판에 유연한 스탬프를 측면으로 정렬시키는 방법을 설명한다.
이 방법은 유연한 스탬프와 기판 표면의 측면 정렬이, 특히 정렬이 마이크로미터 또는 그보다 작은 스케일로 요구될 때 부정확하다는 단점을 가진다.
본 발명의 목적은 물리적인 접촉시 생기는 2개의 표면 사이의 향상된 측면 정렬이 달성되는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 독립 청구항들에 의해 한정된다. 종속 청구항들은 유리한 실시예들을 한정한다.
본 발명의 제 1 양상에서는, 제1항에 따라 유연한 시트의 시트 표면과 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉시키기 위한 방법이 제공된다.
시트(sheet)라는 용어는 그러한 부분이 측면 치수보다 작은 두께를 가짐을 표시하고, 유연하다라는 것은 그러한 시트의 측면 크기에서의 변형에 대한 시트의 강성(stiffness)이 측면 치수에 수직인 방향, 즉 두께 방향으로의 변형에 대한 시트의 강성보다 높음을 의미한다. 유연한 시트들은 금속, 세라믹(유리), 유기 물질과 같은 모든 종류의 물질 또는 특히 어느 정도까지 변형 가능한 적층물을 포함하는 복합 물질을 포함하는 시트들을 포함한다. 변형 정도는 특히 시트의 두께와 같은 치수에 관련하여 그것의 물질 구성에 의해 결정된 것처럼 시트의 기계적 특성에 의존한다. 예컨대, 탄성 물질의 시트는 비탄성 물질을 포함하는 비교 가능한 두께의 시트들보다 큰 시트 두께에서의 변형을 견딘다.
'제 1 요소'라는 용어는 단단하거나 유연한 임의의 종류의 기판과, 실시예들의 설명시 명료하게 되는 것처럼, 적합하다면 장치의 부분들을 포함하는 것을 의미한다.
이러한 방법은 시트 표면과, 제 1 스테이지에서의 앵커 표면 또는 제 1 접촉 표면 중 적어도 하나 사이의 초기 접촉을 확립한 후 얻어진 측면 오정렬을 정정하기 위해 단계들과 스테이지들의 시퀀스를 사용함으로써, 정확하고/정확하거나 재현 가능한 측면 정렬로 시트 표면과 제 1 접촉 표면 사이의 접촉 확립을 가능하게 한다. 본 발명에 따르면, 시트 표면과, 접촉하는 표면 중 임의의 표면 사이의 측면 오정렬은 이러한 제 1 스테이지에서 결정된다. 제 2 스테이지에서는, 시트 표면이 제 1 접촉 표면으로부터 일시적으로 떼어지지만, 제 1 접촉 표면과 앵커 표면의 상대적인 위치가 자유롭게 바뀔 수 있도록 앵커 표면과 접촉을 유지한다. 시트 표면과 앵커 표면 사이의 이러한 접촉은 필수적인데, 이는 그것이 제 1 접촉 표면에 관한 시트 표면의 측면 위치를 고정시키기 때문이다. 게다가, 접촉은 또한 시트 표면과 제 1 접촉 표면의 상대적인 위치를 변경하는 효과를 가지기 위해 상대적인 위치의 조정을 초래한다. 따라서, 상대적인 위치의 조정은 오정렬은 선택된 임계값 아래로 균형을 맞추도록 행해질 수 있다. 제 3 스테이지에서는, 초기 접촉이 재확립된다.
제 3 스테이지에서의 향상된 측면 정렬이 얻어지는데, 왜냐하면 일단 부정합(mismatch)이 결정되면, 접촉을 (재)확립하기 위해 사용된 임의의 방법 단계들이 초기 접촉, 즉 제 1 스테이지를 확립하기 위한 제 1 접촉 프로세스의 것보다 일정한 측면 치수 내에서 더 정확하거나 재현 가능하기 때문이다. 이를 달성하는 여러 방식들이 실시예들의 설명시 명료하게 된다.
그러므로, 본 발명에 따르면 제 3 스테이지를 확립하기 위해 제 1 접촉 프로세스보다 더 정확한 제 2 접촉 프로세스로 제 2 스테이지를 확립하기 위해 필수적인 앵커 표면의 결합이고, 이는 이러한 방법이 측면 정렬 향상을 초래할 수 있게 한다. 시트와 앵커 표면 사이의 전체 접촉 영역에 걸친 프로세스들 동안 일어나는 스트레스들을 분할하기 위해 앵커 표면과 접촉하는 시트의 유연한 접촉 표면을 유지하는 것이 중요하다. 또한 시트 표면과의 이러한 방식의 접촉이 항상 접촉 전면 가까이에서 이루어져, 상대적으로 스트레스가 적은 상태를 제공한다.
이러한 방법의 제 1 스테이지는 유연한 시트가 앵커 또는 제 1 요소 또는 둘 다에 부착되는 여러 상황 중 임의의 상황을 포함할 수 있다. 이들 개시 상황 중 하나는 향상된 측면 정렬을 유도하고, 개시 상황 중 일부는 본 명세서 아래와 실시예들의 설명부에 설명되는 것과 같은 특정 장점들을 가진다.
일 실시예에서, 제 2 접촉 프로세스는 접촉의 점진적인 확립을 포함한다. 이 실시예는 제 1 접촉 프로세스보다 더 정확한 접촉 프로세스를 제공한다. 이는 이 실시예의 제 2 접촉 프로세스 동안 임의 새로운 접촉이 접촉 전면의 부분인 점에 매우 가깝게 항상 확립되고, 이 경우 그러한 접촉은 이미 존재한다는 사실에 기인한다. 접촉점과, 접촉이 확립될 점 사이에서의 시트의 변형은 그리하여 상대적으로 적어 접촉을 형성하는 정확도와 재현성을 상당히 증가시킨다.
이전 실시예의 바람직한 변형예에서는, 접촉 전면이 외부의 힘이 가해지지 않고 옮겨진다. 외부의 힘은 시트나 제 1 요소 중 하나로부터 유래되지 않은 중력, 또는 (전기)기계력이다. 내부의 힘에는 접촉 전면이 나아가도록 시트와 제 1 요소 사이의 인력을 초래하는 모든 타입의 분자 힘들이 포함된다. 이 실시예는 앞서 본 명세서에서 언급된 시트의 변형이, 그러한 시트 변형이 최소이고 반복된 접촉 확립의 재현성 및 정확도가 증가되도록, 바로 가까이 있는 물질 시스템으로부터 유래되고 접촉 전면 가까이에서 작용하는 작은 힘들에 의해서만 결정된다는 장점을 가진다.
일 실시예에서는 앵커 표면과 그것들의 가장 가까운 에지들에서의 제 1 접촉 표면이 제 2 접촉 프로세스들을 형성하는 동안 동일한 가상 평면에 존재한다. 이는 앵커 표면과 제 1 접촉 표면 사이의 간극(gap) 위에서 접촉부를 연장하는 동안, 이들 표면 사이의 스텝(step) 높이 차이가 감소되거나 제거되어, 제 2 접촉 프로세스 동안 접촉부의 더 정확하고 재현 가능한 형성(간극 위의 접촉부의 연장)을 제공한다는 장점을 가진다.
이전 실시예의 유리한 변형예에서, 앵커 표면과 제 1 접촉 표면의 에지들은 적어도 부분적으로 디지털화되고, 디지털화된 부분들의 디지트들은 서로 사이에 적어도 부분적으로 위치된다. 이 실시예는 제 2 접촉 프로세스를 사용하여 앵커 표면과 제 1 접촉 표면 사이의 간극 위에서 연장하는 접촉부를 확립하는 프로세스 동안 그 간극이 전체 접촉 전면을 따라 동시에 확대될 필요가 없다는 점에서 유리하다. 제 2 장점은 내부 힘에만 의존하는 접촉 프로세스가 사용되고 그러한 힘들이 간극 위에서 접촉 전면의 전진이 연장하게 하기에 적절하지 않다면, 간극을 가로지르는 동안의 그러한 디지트들이 시트 표면의 부분과, 앵커 표면이나 제 1 접촉 표면 중 어느 하나 사이에 항상 접촉이 존재하는 것을 보장한다. 그러한 디지트들은 앵커 표면과 제 1 접촉 표면의 상대적인 위치의 조정이 모든 측면 방향으로 및/또는 평면에서 상대적인 회전시 가능하게 되도록 설계된다.
일 실시예에서, 간극 폭인 거리는 1㎜보다 작다. 유연한 시트의 강성에 따라, 간극 거리는 제 2 접촉 프로세스를 사용하여 접촉부를 형성하는 정확도 또는 재현 가능성에 영향을 미치게 된다. 그 거리가 1㎜보다 작다면, 간극을 가로지르는 동안 정확도가 상당히 향상된다.
일 실시예에서는, 유연한 시트가 제 1 측면 열 팽창 계수를 가지고, 제 1 요소가 제 2 열 팽창 계수를 가지며, 제 1 열 팽창 계수와 제 2 열 팽창 계수의 차이는 5%보다 작다. 열 팽창 계수들 사이의 차이가 작을수록, 접촉부 형성의 재현성이 더 좋아지는데, 이는 시간에 따른 온도 변동이 덜 영향을 미치기 때문이다. 따라서 고가이고 복잡한 온도 조절이 회피될 수 있다.
일 실시예에서는, 단계(c 내지 f)의 시퀀스가 적어도 한번 반복된다. 이 방법에 따른 단계들의 제 1 시퀀스 후의 측면 정렬의 향상이, 결정된 부정합과 상대적인 위치의 조정에 기초한 전체적인 예상되거나 바라는 향상을 주지 않는다면, 이 방법의 단계들의 제 2 사이클(cycle)이 그러한 부정합을 보상 또는 정정하기 위해 또한 사용될 수 있다. 이 방법은 수십 나노미터 스케일 또는 그 미만의 스케일에서의 정렬과 같이 매우 정확한 정렬이 요구되는 상황들에서 유리한 측면 부정합을 감소시키기 위한 반복적인 절차를 제공한다. 또한, 제 1 접촉 프로세스에서 앵커 표면과 제 1 요소 표면 사이의 간극을 확대시키기 위해 덜 정확한 접촉 방법을 사용하여 도입된 정렬 에러들을 해결할 수 있다.
일 실시예에서, 제 3 스테이지 앞에 오는 모든 스테이지에서 시트 표면은 오직 앵커 표면과 접촉한다. 이 실시예에서, 측면 부정합은 제 1 스테이지 동안 접촉하고 있을 때 시트 표면과 앵커 표면 사이에서 결정된다. 정렬될 필요가 있는 시트 표면 및 제 1 접촉 표면 형상들의 위치 값들, 및 상대적인 위치 값들 및 측면 치수의 선험적인 정보와 조정된 이러한 값에 선험으로 알려진 상대적인 위치를 사용하여, 시트 표면과 제 1 접촉 표면 사이에 접촉부를 확립하지 않고 가능한 오정렬(misalignment)을 정정하기 위해 결정된 부정합이 사용될 수 있다. 이는 제 1 접촉 표면과 접촉할 필요가 없고, 시트 표면의 오염 및/또는 그러한 단계들을 형성하는 제 1 접촉 표면과 같은 문제점들 및/또는 기술적인 어려움뿐만 아니라, 연관된 시간 및 비용이 방지된다는 점에서 유리하다.
일 실시예에서, 제 1 스테이지에서는 시트 표면의 제 1 부분이 적어도 제 1 접촉 표면과 접촉하고, 측면 오정렬이 시트 표면과 제 1 접촉 표면 사이에 결정된다. 이 경우, 제 1 접촉 표면과, 앵커 표면에 관한 간극을 가로지르는 시트의 부분 사이에서 오정렬이 결정된다. 따라서, 제 2 접촉 프로세스 동안 시트 표면에 의한 간극의 가로지름 또는 확대에 의해 야기된 부정확성은 실제로 이 실시예 내에서 결정되고, 이와 함께 이 방법의 정밀도를 향상시킨다.
바람직한 일 실시예에서, 시트 표면과, 앵커 표면 및/또는 제 1 접촉 표면 중 임의의 것의 측면 오정렬은, 시트 표면의 측면 방향들로 이격된 복수의 위치로부터 결정된다. 다수의 위치들에서의 부정합의 결정은 결정의 정확성을 증가시킨다. 또한, 이는 상이한 방향들로 측정하는 가능성 및/또는 접촉중이거나 접촉하게 될 표면들의 측면 회전 가능성을 제공한다.
바람직한 일 실시예에서, 측면 오정렬은 앵커 표면이나 제 1 접촉 표면과 접촉하고 있는 시트 표면의 한 부분에서 결정된다. 그것은 외부 영향 하에 시간 상으로 서로를 향해 실질적으로 안정한 상대적인 위치를 가지는 접촉하고 있는 표면들의 부분들이다. 이와 함께, 측면 오정렬의 결정을 위한 상태가 향상되어 비교적 정확하고 재현 가능한 오정렬 값들을 초래한다.
이전 실시예의 변형예에서는, 측면 오정렬이 유연한 시트 내에 존재하는 제 1 정렬 마커(marker)와, 제 1 요소와 앵커 중 적어도 하나 내에 존재하는 제 2 정렬 마커에 의해 형성된 광학 강도 패턴의 검출로부터 결정되고, 제 2 정렬 마커는 적어도 부분적으로 제 1 정렬 마커와 측면으로 중복된다. 격자들에서의 회절로 인한 것과 같은 광학 강도 패턴들을 지닌 정렬 마커들을 사용하는 오정렬 검출은 수행하기가 비교적 간단하고 쉬우며, 정확하다. 그 사이의 오정렬이 결정되는 부분들이 접촉하고 있으므로, 부분적으로 중복하는 정렬 마커들의 형상 사이의 상호 거리는 고정된다. 이와 함께, 격자 또는 회절로부터 정렬 마커들의 상호 측면 오정렬의 결정은 중복하는 정렬 마커들 사이의 일정하지 않은 거리에 의한 방해로부터 자유롭고, 따라서 비교적 정밀하다. 정렬 마커들로서의 부분적으로 중복하는 격자들로부터의 무아레(Moire) 패턴 검출은, 그로부터 오정렬을 결정하기 위해 유리하게 사용될 수 있다.
제 1 요소가 홀더의 부분인 일 실시예에서는, 그 방법이
또 다른 접촉 표면을 가지는 제 2 요소를 제공하는 추가 단계를 포함하고, 이 제 2 요소는 제 1 요소에 의해 유지되며, 제 1 요소에 관한 제 2의 측면 상대 위치를 가지고, 이 방법에서는 제 1 상대 위치가 제 2 측면 상대 위치를 고려하여 조정되며, 제 1 접촉 표면이 또 다른 접촉 표면과 적어도 부분적으로 접촉하도록 제 3 스테이지가 확립된다. 이 실시예에서, 측면 정렬 절차가 홀더의 부분인 제 1 접촉 표면과 시트 표면 사이에서 수행되는데 반해, 실제 접촉은 또 다른 접촉 표면을 가지는 기판과 같은 제 2 요소와 시트 표면 사이에 확립될 필요가 있다. 제 2 요소와 홀더는, 예컨대 실시예들의 설명부에서 설명된 것과 같은 적절한 기계적 측정을 사용하여 정확하게 정렬된다. 이 실시예는 기판 표면인 또 다른 접촉 표면이 정렬 과정 중에 오염되지 않는다는 장점을 가진다. 게다가, 다수의 제 2 요소들이 이 방법을 사용하여 연속적으로 처리되어야 하는 경우, 수행될 수 있는 정렬은 매번 제 2 요소들을 처리한 만큼 수행되는 하나의 시험 실행(test run)이어야 한다. 제 2 요소들과 그것들의 홀더 내의 배치가 오정렬 임계값 내에서 재현 가능하다면, 결정된 정렬은 시험 결정 후 보존된다. 이 방법으로 얻어진 처리량은 증가된다.
이전 실시예의 바람직한 일 변형예에서는, 방법이
- 제 1의 상대적인 위치를 조정하기 전에 제 2의 상대적인 위치를 결정하는 추가 단계를 포함한다.
이 실시예에서, 홀더로의 연속적인 제 2 요소들의 삽입시 도입된 측면 정렬에서의 가능한 차이들이 실제로 결정되고, 바라는 측면 정렬을 향상시키기 위해 고려된다.
이전 실시예의 일 변형예에서, 제 2의 상대적인 위치는 추가 접촉 표면의 부분이 아닌 제 2 요소의 한 부분으로부터 결정된다. 이 실시예는 제 2 요소의 추가 접촉 표면 위에 있지 않은 위치에서 홀더와 제 2 요소 사이의 상대적인 오정렬의 결정이 수행됨을 명시한다. 이것의 장점은 이러한 결정이 이제 위치에 도달하는 어려움에 대한 측정을 요구하지 않는다는 점이다. 그러므로, 광학 결정이 사용된다면, (부분적으로) 투명한 제 2 요소가 필수적이지 않고, 그러한 경우 사용될 수 있는 제 2 요소들의 타입의 개수가 증가한다.
일 실시예에서, 임의의 이전 실시예의 방법은 유연한 시트로부터의 템플릿 패턴을 제 1 요소 또는 적절하다면 제 2 요소로 전사하기 위해 유리하게 사용되고, 제 1 요소와 제 2 요소는 예컨대 기판이다. 이 방법은 형상들을 가지는 템플릿 패턴들의 기판들로의 정확한 전사를 허용하여, 그 형상들이 기판의 이전에 제공된 층들의 특정 형상들과 측면으로 정렬된다. 그러한 전사는 모든 종류의 (광학)(전자) 디바이스들의 물질 층들의 제작시 사용된다. 디바이스들 내의 형상들의 향상된 측면 정렬은 그것들의 형상 정렬시 향상된 오차 허용도(tolerance)로 새로운 디바이스를 제작하는 것을 허용한다. 이 방법은 예컨대 리소그라피시 에칭을 위한 마스크 층들을 제공할 수 있다.
이전 실시예에 따른 일 변형예에서는, 템플릿 패턴이 엠보싱(embossing), 임프린팅(imprinting) 또는 마이크로-접촉 인쇄 프로세스를 사용하여 전사되는 릴리프(relief) 패턴이다.
이들 프로세스에서, 유연한 시트는 템플릿 패턴이 제공될 필요가 있는 기판과 접촉하는 물리적 스탬프로서 동작하고, 유연한 시트 표면들은 변형되기 쉬운 릴리프 형상들을 포함한다. 따라서, 그러한 변형은 본 발명에 따른 방법을 사용하여 방지된다.
본 발명은 또한 복수의 층을 포함하는 디바이스를 제작하는 방법을 제공하고, 이러한 복수의 층 중 적어도 2개 층은 서로 측면으로 정렬되고, 그 제작 방법은 정렬을 일으키기 위해 이전 실시예에 따라 시트 표면을 접촉하기 위한 방법들 중 임의의 방법을 사용한다. 이 실시예에서, 유연한 시트는 적층 또는 웨이퍼 결합 프로세스에서처럼 제작될 디바이스의 부분이 되기 위해, 기판에 전체적으로 전사될 수 있다. 대안적으로, 유연한 시트는 마스킹된(masked) 층이 공지된 반도체 제작 공정들에서처럼 제공된 패턴에 따라 뒤에 에칭될 수 있도록, 마이크로-접촉 인쇄 또는 엠보싱 기술에서와 같이 기판의 한 층에 마스크 패턴들을 제공하기 위해 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 이전 실시예들 중 임의의 실시예의 방법이 복수의 층을 포함하는 디바이스의 제작을 위해 사용되고, 이 경우 복수의 층 중 적어도 2개의 층이 서로 측면으로 정렬된다. 이 방법은 반도체 업계 내에서 보통 사용되는 포토리소그라피 기술들보다 사용하기 훨씬 더 쉽다. 따라서, 그 결과 디바이스는 더 저렴하다. 게다가, 엠보싱으로 패터닝하는 것은 더 나은 품질의 패턴 형상들을 주고, 따라서 기능성, 신뢰성 오버헤드(overhead) 제작 관점에서 향상된 디바이스들을 줄 수 있다.
제 2 양상에서 본 발명은 이전 청구항들 중 임의의 청구항에 따른 방법을 실행하기 위해 적응된 시스템을 제공하고, 이 시스템은 적어도 제 2 접촉 프로세스를 수행하기 위해 유연한 시트를 조작하기 위한 조작기(manipulator), 제 1 요소를 유지하기 위한 홀더, 또는 제 1 요소가 홀더의 부분이라면 제 2 요소를 포함하고, 이러한 조작기와 홀더는 서로에 관해 그것들을 적당한 장소에 두기 위한 기계적인 구조에 부착되며,
이 시스템은 또한
- 홀더에 관한 상대적인 위치가 조정 수단을 통해 조정 가능한 앵커와,
- 제 1 측면 오정렬을 결정하기 위한 측정 수단을
포함하는 것을 특징으로 한다.
시스템에 본 발명에 따른 앵커를 제공하고, 제 1 측정 오정렬을 결정하기 위한 측정 수단을 제공함으로써, 바라는 오버레이(overlay) 정렬을 가지는 다수의 층들을 기판에 제공하기 위해, 본 발명에 따른 방법을 실행할 수 있다. 따라서, 비교적 저렴하고, 효율적이며 정확하거나 재현 가능한 방식으로, 복잡한 디바이스들의 제작을 위해 저렴하고 상대적으로 간단한 장치가 제공된다.
일 실시예에서, 앵커와 유연한 시트는 시스템으로부터 제거 가능하다. 제 1 접촉 프로세스는 이제 시스템 외부에서 수행될 수 있고, 앵커에 부착된 유연한 시트의 앙상블(ensemble)이 동작 전에 시스템 내에 삽입될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 요소는 홀더의 부분이다. 이 시스템은 기판과 같은 제 2 요소들이 앞서 설명한 것처럼 사용된 정렬 프로세스에 의해 오염되지 않는다는 장점들로부터 이점이 있다.
바람직한 일 실시예에서, 제 1 요소는 홀더의 부분이고 그 홀더는 제 2의 상대적인 위치를 결정하기 위한 수단을 포함한다. 이 시스템은, 제 2 요소의 홀더 측으로부터의 제 2의 상대적인 위치의 결정을 허용한다. 따라서, 기판은 투명할 필요가 없다. 또한, 제 2 요소의 추가 접촉 표면은 정렬 결정을 위해 전혀 액세스될 필요가 없다. 그 수단은, 예컨대 투명한 창일 수 있다.
본 발명의 또 다른 양상은 이전 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 방법을 시스템이 실행할 수 있게 하는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공한다. 가능하게는 정렬을 정정하기 위한 조정뿐만 아니라 정렬의 자동화된 결정과 공동으로, 다수의 제 1 요소 또는 적절하다면 제 2 요소를 처리하는 동안의 시스템의 자동화가 바람직하고, 비용 및 처리량 관점에서 유리하다.
WO 03/099463A2에서는 스탬프의 스탬핑 표면으로부터 기판의 수신 표면으로 패턴을 전사하는 방법이 개시되어 있다. 패턴이 스탬핑 표면으로부터 수신 표면으로 국부적으로 전사되는 수신 표면의 범위 내로 패턴의 부분들을 연속적으로 가져감으로써 수신 표면에 전사된다. 이 장치를 사용하는 방법을 적용함으로써, 패턴의 전사가 예컨대 수신 표면의 면으로부터 수신 표면의 반대 면까지 움직이는 파(wave)에 따라 수행될 수 있다. 이 WO 03/099463A2에서는 어떠한 정렬 절차도 설명되어 있지 않다.
US 2004/0011231A1은, 유연한 스탬프가 기계적인 접촉에 의해 수신 표면으로 "잉크로 쓰여진(inked)" 패턴을 전사하는 인쇄 장치와 인쇄 방법을 개시한다. 더 구체적으로, 이 발명은 2개의 표면을 접촉하게 하고, 그 후 그 2개의 표면을 분리시키는 정밀하고 제어된 방식에 관한 것이다. 유연한 시트와 기판은 접촉하지 않을 때 서로에 관해 측면으로 위치가 다시 정해질 수 있다. 어떠한 정렬 조정 방법도 설명되지 않는다.
본 발명의 이들 및 다른 양상들은 도면을 참조하여 설명된다.
도 1a와 도 1b는 엠보싱 프로세스의 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 따른 오버레이로 쌓여진 층들을 엠보싱하기 위한 방법의 상이한 스테이지들과 장치의 단면도.
도 3a 내지 도 3d는 또 다른 접촉부를 확립하는 방법 및 장치의 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 기판 표면-템플릿 스탬프 정렬을 사용하는 본 발명에 따른 방법의 장치 및 다수의 스테이지의 단면도.
도 5a와 도 5b는 제 2 홀더와 기판의 정렬을 사용하는 본 발명에 따른 방법의 장치 및 다수의 스테이지들의 단면도.
도 6a와 도 6b는 제 2 홀더와 템플릿 스탬프의 정렬을 사용하는 본 발명에 따른 방법의 장치 및 다수의 스테이지들의 단면도.
도 7은 다수의 정렬 마커를 가지는 도 5에 따른 장치의 평면도.
도 8은 제 2 홀더와 앵커의 정렬을 예시하는 본 발명에 따른 장치의 한 부분의 측면도.
도 9는 본 발명에 따른 장치의 부분의 측면도.
도 10a 내지 도 10d와, 도 11a 내지 도 11c는 각각 본 발명에 따른 방법과 장치의 2가지 대안적인 실시예를 도시하는 도면.
도면에서, 도면들은 실제 스케일대로 그려지지 않았고, 순수하게 도식적이며 동일한 부분은 동일한 번호를 가진다.
본 발명은, 예컨대 (광)전자 마이크로 또는 나노 디바이스들을 대규모로 제작하기 위한 프로세스에서 사용될 수 있는 임프린트(imprint) 또는 엠보싱 방법 및 장치에 관하여 설명된다. 그러한 디바이스는, 예컨대 마이크로칩들에서 반도체 디바이스들을 포함한다. 또한 큰 면적의 광학 구조물이 제작 주체일 수 있다.
마이크로디바이스의 제작을 위한 종래 기술에서 공지된 예시적이고 통상적인 프로세스는 기판으로의 디바이스 층들의 연속적인 도포를 포함한다. 그러한 디바이스 층을 도포하기 위한 통상적인 프로세스 사이클은, 절연체 또는 (반)도체와 같은 원하는 물질의 층을 증착한 다음, 도포된 층의 패터닝이라고 부르는 구조화 작업(structuring)을 포함한다. 이러한 예의 프로세스에서는, 물질 층의 구조화 작업 이 임프린팅이나 엠보싱 방법을 사용하여 행해진다. 이 프로세스는 단계들의 사이클 동안 기판(100)의 표면(101)에, 예컨대 잉크젯 인쇄를 사용하여, 또는 기판 표면(101) 위에 스핀코팅이나 닥터 블레이드를 사용하여 균일하게 분산된 작은 방울로 물질 층(102)이 도포되는 것을 포함한다. 도포된 물질 층은 형성 가능하다. 이 물질 층(102)은 물질 층(102)(도 1a)으로 복제되거나 이미지화될 필요가 있는 템플릿 패턴(106')을 나타내는 릴리프 표면(106)을 가지는 템플릿 스탬프(104)와 접촉하게 된다. 템플릿 스탬프(104)가 물질 층(102)과 접촉하는 시간 동안, 물질 층은 먼저 템플릿 패턴(106')의 릴리프 표면(106)의 모양을 채용하고, 그 다음 일부 경화(curing) 프로세스를 사용하는 성형(formability)을 통해 딱딱해진다. 예증하는 경화 프로세스는 열이나 복사선을 적용하여 또는 사전 공개되지 않은 유럽 특허 출원 06123325.0(대리인 관리 번호 PH007324EP1)과 06125296.1(대리인 관리 번호 PH005814EP1) 및 본 명세서에 인용된 참고자료에 설명된 것과 같이 층으로부터 용제를 제거함으로써 층들을 응고시키기 위한 화학 반응들을 사용한다. 물질 층(102)으로부터 템플릿 스탬프(104)를 제거한 후, 템플릿 패턴(106')(도 1b)의 상보 패턴(108')을 나타내는 릴리프 표면(108)을 가지는 형성된 릴리프 물질 층이 남아 있다. 이러한 형성된 물질 층은 일부 에칭 프로세스를 사용하는 기판 층을 패터닝하기 위한 마스크로서의 역할을 할 수 있거나, 추가 수정 또는 처리가 있거나 없이 직접 패터닝된 디바이스 층으로서의 역할을 할 수 있다.
일반적으로, 다수의 쌓여진 디바이스 층을 가지는 디바이스에서는 한 디바이스 층의 패턴이 하나 이상의 다른 그러한 층들의 패턴과 측면으로 정렬될 필요가 있다. 따라서, 새로운 디바이스 층을 도포하는 동안, 정렬 단계가 또한 수행된다. 위에서 설명된 것과 같은 예시적인 프로세스에서, 이는 템플릿 스탬프(104)가 물질 층(102)과 접촉하기 전에 정렬 단계가 수행되어야 한다는 것을 의미하는데, 이는 접촉중일 때에는 기판(100)과 템플릿 스탬프(104)의 측면 재위치설정이 어렵거나 불가능하기 때문이다. 성형 가능한 층과 접촉시 기판에 관한 템플릿 스탬프의 측면 위치 이동은, 템플릿 스탬프 스케일들의 기계적 특성과 비교할 때 비교적 높은 힘들을 요구한다. 따라서 이들 스케일은 변형되기 쉽고, 심지어 그러한 이동 중에 파괴되기 쉽다. 그러므로, 위치 이동은 오직 접촉 전 또는 기판으로부터 스탬프를 떼어냄으로써 일어날 수 있다. 하지만, 템플릿 스탬프와 기판(100)의 물질 층(102) 사이에 접촉부를 (재)확립하기 위한 프로세스는 일반적으로 부정확하고/부정확하거나 재현 가능하지 않다. 게다가, 임의의 종류의 임프린트 패터닝 기술들을 사용하는 상이한 디바이스 층들의 패턴들의 정렬은 어렵게 된다.
정렬 부정합은 상이한 적용 스테이지들과, 서로 상부에서 오버레이 정렬이 요구되는 2개의 동일한 디바이스 층의 패터닝을 개략적으로 보여주는 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 설명되고, 이러한 프로세스는 WO/099463A2에서 설명된 것과 같은 알려진 장치를 사용하는 예시적인 절차에 따라 수행된다. 본 발명에 의해 제공된 개선점은 이후 알려진 방법 및 장치에 본 발명을 구현하는 것을 설명함으로써 상세히 설명된다. 하지만, 당업자라면 문제점이 이러한 장치에 제한되지 않지만, 예컨대 US5669303 또는 US2004/0197712A1에서 개시된 것과 같은 연관된 방법들과 다른 임프린트 장치들에 동등하게 적용된다는 것을 알게 된다는 점이 주목된다. 이들 다 른 알려진 장치 및 방법으로의 구현예가 또한 설명된다.
WO/099463A2에 따른 도 2a 내지 도 2d에서의 장치(210)는 복수의 이격된 노즐(214)을 가지는 제 1 홀더(212)를 포함한다. 각 노즐(214)에서는 기체(예컨대 공기나 비활성 질소) 압력이 대기압에 관해 초과되지 않은 압력(under-pressure)(V)과 초과압력(overpressure)(V) 사이에서 개별적으로 변화될 수 있다. 이를 위해, 장치(210)는 명확성을 위해 도시되지 않은, 종래 기술에 따른 기체 취급 장비를 더 포함한다.
템플릿 스탬프(제 1 요소라고도 하는)(204)는 초과되지 않은 압력(V)을 노즐(214)에 제공함으로써, 제 1 홀더(212)에 의해 유지된다. 템플릿 스탬프는 노출되는 스탬프 표면(제 1 요소 표면이라고도 하는)(216)을 가진다. 비록 명확성을 위해 도시되지 않았지만, 스탬프 표면은 도 1을 참조하여 설명된 템플릿 스탬프(104)의 릴리프 패턴(106)과 유사한 릴리프 패턴(206)을 포함한다.
제 1 홀더(212)로부터 어느 정도 떨어져서, 이 경우 제 1 홀더가 템플릿 스탬프를 유지하는 것과 동일한 공기식 원리(pneumatic principle)를 사용하는 기판(제 2 요소라고도 하는)(220)을 유지하는 제 2 홀더(218)가 위치한다. 하지만 이들 수단은 본 발명에 필수적이지 않은 관계로 도시되어 있지 않고, 전자기 부착물(attachment), 또는 기계적인 클램핑(clamping)을 포함하는 많은 대안이 당업자에게 알려진 것과 같이 사용될 수 있다. 기판(220)은 노출되는 표면(224)(제 2 요소 표면이라고도 하는)을 가지는 성형 가능한 물질 층(222)을 포함하고, 또한 노출된 템플릿 스탬프 표면(216)을 향한다. 물질 층(222)은 단독으로 도시되어 있지 않 다.
제 1 홀더와 제 2 홀더 모두 기계적인 구조의 부분인 기계적인 스테이지들에 부착되고, 이 스테이지들은 홀더(212,218), 스탬프 표면(216), 및 기판 표면(224)이 직교 좌표 시스템 좌표들의 X,Y,Z축을 따라 회전 및/또는 변위(displacement)를 통해 서로에 관해 위치가 정해지고 일정한 방향으로 향하게 하는 것을 허용한다. 이 예에서, 제 2 홀더(218)는 정적인 제 1 홀더(212)에 관해 이동 가능하다. 기계적인 스테이지들과 구조는 당업자라면 알려진 기술에 따라 그것들을 어떻게 구성하는지 알기 때문에, 명확성을 위해 도시되지 않는다.
도 2b에 의해 나타난 제 2 스테이지에서는, 템플릿 스탬프 표면(216)이 다수의 노즐(214)에 압력을 가함으로써, Z-방향으로 템플릿 스탬프(204)의 제 1 부분을 변위시킴으로써 기판 표면(224)과 국부적으로 접촉하게 된다. 그것들 내에서 우세한 초과되지 않은 압력을 가지는 노즐들은 문자 V로 표시되고, 초과압력이 우세한 노즐들은 문자 P로 표시되어 있다는 점을 주목한다. 이제 알려진 방법은 노즐들(214')이 템플릿 스탬프(204)와 기판 표면(224) 사이의 접촉 영역이 일부 원하는 값(도 2에는 도시되어 있지 않지만, 도 3a와 도 3b와 비교한다)까지 점진적으로 증가하도록 가장 좌측의 것으로부터 시작하여 순차적으로 압력이 가해지는 것을 수반한다. 이후 '또 다른 접촉의 확립'이라고 하게 되는 이 프로세스에서, 제 1 홀더(212)와 기판 물질 층(222) 사이의 간극에 걸치는 물결 모양의 템플릿 스탬프 부분(204')은, 제어 가능한 진행 속도(미도시)로 흔들리지 않게 우측으로 나아간다. 일단 바라는 접촉 영역이 확립되면, 예컨대 도 1을 참조하여 설명된 것과 같은 프 로세스에 따라 물질 층이 경화된다. 이후 그 결과 릴리프 표면(미도시)은 이 예에서는 X-위치(226)에서 템플릿 스탬프에 존재하는 정렬 마커(X1)가 복사되는 릴리프 패턴(미도시)을 포함한다.
그 후, 전체 템플릿 스탬프(204)가 딱딱해진 기판 표면(224)으로부터 떼어지거나 제거되고, 노출된 표면(224')을 가지는 추가 물질 층(228)이 제 3 스테이지(도 2c)를 얻기 위해 딱딱해진 패터닝된 물질 층(222)의 상부에 도포된다. 층(228)의 도포는 스핀코팅이나 (잉크)젯 인쇄와 같은 종래의 물질 증착 기술을 사용하여 행해질 수 있다.
도 2d의 제 4 스테이지에서는, 이제 제 2 스테이지에 관해 위에서 설명된 프로세스를 사용하여 새로운 기판 표면(224')에 있는 X-위치(226)에서 다시 복사되도록 하기 위해, 정렬 마커(X1)가 기판 표면(224) 내의 복사된 정렬 마커(미도시)의 반대쪽에 위치하도록 템플릿 스탬프(204)가 측면으로 정렬된다. 하지만, 노즐 가압을 사용하여 접촉을 확립하기 위한 프로세스는 유한한 스케일로 정확하고, 그 스케일을 넘어서는 제 2 정렬 마커가 X-위치(226')에서 복사되도록 오정렬을 일으킨다. 오정렬은 허용 가능한 임계 오정렬보다 크다면 디바이스 구조를 방해한다. 이는 형상 크기가 마이크로미터 크기 아래, 특히 광학 지향 산업뿐만 아니라 반도체가 오늘날 가고 있는 스케일인 수십 나노미터 크기 아래로 줄어드는 경우 점점 더 그러할 것이다.
그러한 오정렬은 일반적으로 지금 예시된 원리에 따른 프로세스와 방법이나 앞서 본 명세서에서 참조된 종래 기술에서 개시된 것과 같은 다른 프로세스들로 인 한 마이크로미터 스케일의 것인 점이 발견되었다. 나노미터 오버레이 정밀도로 접촉부를 확립하는 것은 특히 어려운데, 이러한 나노미터 오버레이 정밀도는 오늘날의 (광)전자 마이크로 디바이스와 (광)전자 나노 디바이스에서 종종 존재하는 것과 같은 마이크로미터 규모 이하의 형상들을 가지는 패턴들에 요구된 보기 드문 정밀도가 아니다. 그러므로 허용 가능한 임계 오정렬을 넘어(beyond) 오정렬이 감소되는 것을 허용하는 방법 및 장치를 가지는 것이 필요하다.
하지만 전술한 것과 같은 장치를 사용하여 설명된 바와 같이 추가 접촉부를 확립하는 방법이 전술한 초기 접촉 프로세스보다 더 정확하고/정확하거나 재현 가능하다는 점도 발견되었다. 재현성과 정확도는 도 3a 내지 도 3d에서의 프로세스로 개략적으로 도시되어 있다. 도시되었지만 명백히 설명되지 않은 숫자들은 도 2a 내지 도 2d에서 설명된 것과 대응하는 부분을 나타낸다. 도 3a의 스테이지에서 초기 접촉부를 확립한 후, 템플릿 스탬프의 물결 모양 부분(304')은 도 3b의 스테이지에 최종적으로 도달하기 위해 노즐들(314')을 순차적으로 가압함으로써 나아간다. 층(322)을 단단하게 하기 위한 경화 후, 정렬 마커(X1)가 X-위치(326)에서 복제된다. 그 후, 템플릿 스탬프의 물결 모양 부분(304')이 역 시퀀스로 노즐들(314')을 감압함으로써 도 3c의 스테이지로 물러간다. 그러므로, 시트는 기판으로부터 떼어지지 않는다. 이후, 템플릿 스탬프의 물결 모양 부분이 다시 도 3d의 스테이지로 나아간다. 정렬 마커(X1)는 다시 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 설명된 것과 같이 초기 접촉부를 확립하는 프로세스에 의해 얻어지는 것보다 상당히 작은 오정렬로 위치(226)에 있다는 점이 발견된다.
예컨대, 조기 공개되지 않은 유럽 특허 출원 06125296.1(대리인 관리 번호 PH005814EP1)호에서 설명된 것과 같은 방법 및 장치를 사용하면, 오버레이나 선 격자들을 중복함으로써 형성된 측정된 폼 무아레(form moire) 패턴들과 같은 측면 오정렬이 1㎚ 아래로 감소된다. 격자들은 580㎚의 피치(pitch)를 가졌다. 패턴들은 410㎚의 광을 주는 발광 다이오드 광원과, 평면의 수직으로부터 45°의 각도 아래로 중복되는 정렬 마커들로부터 반사된 광을 측정하는 CCD 검출 카메라를 사용하여 측정되었다. 시트는 건조한 기판에 부착되었고, 5㎝의 거리에 걸쳐 추가 접촉부가 확립되었으며, 무아레 패턴이 측정되었다. 접촉부는 추가 접촉부를 확립하기 위해 동일한 프로세스를 사용하여 시트와 재접촉하기 전의 상태에서 대략 30초 동안 시트로부터 5㎝만큼 이탈하게 추가 접촉 프로세스를 거꾸로 함으로써 접촉 해제된다. 무아레 패턴이 다시 확립되었다. 2가지 패턴을 비교하게 되면, 격자들의 오버레이 정렬이 대략 0.5㎚ 내지 1㎚보다 크지 않게 상이하다는 점이 발견되었다. 유사한 실험 및 결과가 졸-겔 복제 프로세스(sol-gel replication process)를 사용하여 얻어진다.
추가 접촉부를 확립하고 특히 초기 접촉부를 확립하기 위한 프로세스에 관한 정확성 및/또는 재현성을 증가시키기 위한 프로세스가 본 발명에서 유리하게 사용된다. 이를 위해 제 1 실시예에서는, 도 4a 내지 도 4e를 참조하여 설명된 것과 같은 장치(410)가 본 발명에 따른 방법을 수행하기 위해 제공된다 장치(410)는 제 1 홀더(412)와 제 2 홀더(418)를 포함하고, 제 1 홀더(412)와 제 2 홀더(418) 모두 도 2와 도 3을 참조하여 설명된 장치의 대응하는 부분들과 실질적으로 동일하게 설 계되고 동작한다.
스탬핑 표면(416)을 포함하는 템플릿 스탬프(404)가 제 1 홀더(412)에 제공되고, 템플릿 스탬프 표면(416)으로부터 거리(425)에서 연장하는 노출된 표면(424)을 가지는 기판(420)이 제 2 홀더(418)에 제공된다. 이 실시예에서, 표면(424,416)은 실질적으로 편평하고, 서로에 실질적으로 평행하게 연장하고 있다.
도 1을 참조하여 설명된 프로세스에서처럼, 템플릿 스탬프 패턴으로 엠보싱될 층인, 기판(420)의 형성 가능한 물질 층은 명확성을 위해 도시되어 있지 않다.
장치(410)는 템플릿 스탬프 표면(416)으로부터 제 2 거리(425')에서 연장하는 앵커 표면(432)을 가지는 앵커(430)를 더 포함한다. 앵커(430)는 제 2 홀더(418) 측면에 위치하고, 제 2 홀더(418)와의 사이에 간극(433)을 형성한다. 간극은 폭(431)을 가진다. 제 2 홀더(418), 기판(420), 및 기판(420)의 표면(424)과의 상대적인 위치는, 관련 분야에 공지된 것과 같은 기계적인 구조물과 이들 구조물을 움직이기 위한 전자기계적 수단을 포함하는 장치를 통해, 앵커(430)와 그것의 표면(432)의 상대적인 위치에 관해 조정 가능하다.
조정 수단을 사용하여, 기판 표면(424)과 앵커 표면(432)은, 그것들이 템플릿 스탬프 표면(416)으로부터 실질적으로 동일한 거리에서 동일한 가상 평면에서 연장하도록 일정한 방향을 향하도록 된다.
본 발명에 따른 방법의 제 1 임의 단계에서는, 템플릿 스탬프 표면(416)과 기판 표면(424)이, 예컨대 X-방향으로 그것들이 접촉하지 않을 때에는 거친 방식으로 X-방향으로 측면으로 정렬된다. 이러한 실시예의 거친 정렬은 광학 정렬 시스템 을 사용하여, 템플릿 스탬프 표면(416) 위에 존재하는 제 1 정렬 마커(435)를 기판 표면(424) 상에 존재하는 제 2 정렬 마커(434)와 정렬시킴으로써 수행된다. 이를 위해, 제 1 홀더(412)와 템플릿 스탬프(404)가 정렬 결정을 허용하기 위해 부분적으로 광학적으로 투명하다.
그 후, 템플릿 스탬프 표면(416) 부분(436)과 앵커 표면(432) 사이의 초기 접촉부는 도 4b에 도시된 것과 같이, 문자 V로 표시된 초과되지 않은 압력으로부터 문자 P로 표시된 초과압력까지 관련된 노즐(414)들 내에서 기체 압력을 변경함으로써 확립된다. 이러한 초기 접촉부는 앵커(430)에 관해 측면으로 템플릿 스탬프(404)를 효과적으로 고정시킨다. 게다가 앵커(430)는 템플릿 스탬프(404)의 고정된 측면 기준 위치로서의 역할을 한다.
다음 단계에서는, 도 3을 참조하여 설명된 것과 같은 점진적인 접촉부를 생성하기 위한 프로세스를 사용하여, 템플릿 스탬프 표면(416)의 추가 부분(438)과 기판 표면(424) 사이에 추가 접촉부가 확립된다. 그러므로, 그 다음 이웃하는 노즐(414')들을 순차적으로 가압함으로써, 템플릿 스탬프(404)의 부분(404')이 이 실시예에서는 X-방향을 따라 나아가도록 허용되어, 템플릿 스탬프(404)의 부분(404')의 표면이 먼저 초기 접촉부 영역(436)이 증가하도록 앵커 표면(423)과 점차 증가하도록 접촉한 다음, 간극(433)을 늘린 후 기판 표면(424)과 접촉하여, 추가 접촉부 영역(438)을 형성한다. 이 실시예에서 접촉부 영역은 전체 템플릿 스탬프 표면(416)을 포함하지 않는다. 이는 표면(416)과 표면(424) 사이의 측면 오정렬의 경우에 유리하다.
추가 접촉 영역(438)에서는, 기판(420)의 부분인 어떠한 엠보싱 물질 층도 제 1 오정렬 마커(435)와 제 2 오정렬 마커(434)의 들러붙음(sticking) 및/또는 오염(contamination)을 고려하여 존재하지 않는다. 대안적으로, 그러한 물질은 이 영역에 존재한다.
도 4b에 도시된 실시예의 현재 스테이지에서는, 제 1 정렬 마커(435)와 제 2 정렬 마커(434)가 완전히 중복되거나 완전히 정렬하지 않고, 이는 기판 표면(424)과 템플릿 스탬프 표면(416)의 측면 오정렬을 나타낸다.
이러한 오정렬을 제거하기 위해서, 본 발명에 따른 방법은 먼저 정렬 마커(435,434)와 광학 정렬 측정 시스템을 사용하여, 오정렬을 결정한다. 이 실시예에서, 제 1 정렬 마커와 제 2 정렬 마커는 광원으로 조명되고 광학 시스템을 사용하여 관찰될 때 그것들의 중복으로 인해 무아레 패턴을 일으키는 격자들을 포함한다. 이들 패턴으로부터 측면 방향들, 즉 이 실시예에서는 X 및/또는 Y 방향으로 격자 중복 부정합 거리들에 관해 관련 분야에 알려진 형식에 따라 오정렬이 결정되고 정량화된다.
결정된 정량화된 오정렬이 임계 오정렬을 초과하면, 즉 제 1 정렬 마커와 제 2 정렬 마커의 측면 위치에서의 부정합이 미리 결정된 허용된 부정합보다 크다면, 템플릿 스탬프 표면(416)을 기판 표면(424)으로부터 분리시키거나 떼어놓음으로써 접촉 영역(438) 내의 추가 접촉부가 접촉해제된다. 하지만 영역(436) 내의 앵커 표면(432)과의 템플릿 스탬프 표면(416)의 초기 접촉부는 항상 보존된다. 이 실시예에서는, 추가 접촉부의 확립을 위해 사용된 프로세스의 역인 프로세스를 사용하여 추가 접촉부의 접촉해제가 수행된다. 유사한 추가 접촉 프로세스 반전(reversal)이 도 3을 참조하여 설명된다.
도 4b와 많이 닮은 도 4d의 결과 스테이지에 존재하면서, 기판 표면(424)의 상대적인 위치는 결정된 오정렬이 그것이 임계 오정렬보다 적어도 작게 되도록 하는 값에 관해 정정되게 하는 정도까지 앵커(430)에 관해 제 2 홀더(418)를 옮김으로써 변경된다. 이 실시예에서, 제 2 홀더는 정량화된 결정된 오정렬에 의해 발견된 정도까지 음의 X 방향으로 옮겨진다. 이 경우 간극(433)은 감소된다는 점을 주목하라.
조정 후, 본 방법의 다음 단계에서는 템플릿 스탬프 표면(416)과 기판 표면(424)의 추가 접촉부가, 처음으로 추가 접촉부를 확립할 때 또한 사용되는 추가 접촉부의 확립을 위한 프로세스를 사용하여 최종적으로 완전히 확립된다. 그 결과는 도 4e에 도시되어 있다. 초기 접촉부를 확립하는 프로세스에 비해 추가 접촉부를 확립하기 위한 프로세스의 향상된 정확성 및/또는 재현성은, 접촉될 필요가 있는 전체 기판 영역(438) 위의 템플릿 스탬프 표면(416)과 기판 표면(424) 사이의 접촉(438)이 이제 도 3을 참조하여 설명된 프로세스에 관해 설명된 접촉에 필적하는 정렬로 달성되는 것을 보장한다. 게다가, 본 발명에 따른 장치 및 방법은 그것들의 디바이스 층의 향상된 오버레이 정렬을 가지는 다수 층으로 된 디바이스의 준비를 가능하게 한다.
제 1 실시예의 변형 및 확장예인 제 2 실시예에서는, 오정렬의 제 1 정정을 수행한 후, 또 다른 시간 동안 접촉 영역(438)이 정렬 마커(434,435)를 포함할 정 도로 충분히 큰 접촉 영역(438) 위에서만 추가 접촉부가 확립된다. 이는 정렬 마커들의 정렬이 상이할 수 있는 차이가 있는, 도 4c에 도시된 것과 유사한 스테이지를 만든다.
그 후 오정렬이 다시 결정되고, 여전히 임계값을 초과할 때 기판 표면(242)으로부터{앵커 표면(432)으로부터는 아님} 추가 접촉 부분(438)을 떼어 놓는 것, 상대적인 위치를 조정하는 것, 및 추가 부분(438)에 관한 추가 접촉부를 재확립하는 것을 포함하는 제 1 정정 사이클에 관해 설명된 것과 동일한 시퀀스의 단계들을 사용하여 다시 오정렬이 정정된다. 만족스러운 측면 정렬을 달성하는 것이 필수적이라면, 이러한 시퀀스의 단계들은, 오정렬이 임계 오정렬 아래로 감소될 때까지 반복된다. 일단 만족스러운 측면 정렬이 달성되면, 도 4e에 도시된 것과 같은 상황을 완전히 초래하는 추가 접촉부가 확립된다.
제 2 실시예의 이러한 반복적인 정정은 나노미터 스케일 또는 그것보다 작은 스케일과 같은 매우 정밀한 측면 정렬이 달성될 수 있다는 점에서 유리하다.
도 5를 참조하여 제 3의 바람직한 실시예가 설명된다. 이 실시예에서는 기판 표면(524)과 템플릿 스탬프 표면(516)의 정렬이 제 1 실시예에 관해 설명된 것과 동일한 방식으로 수행되고, 그 차이는 정렬 마커들의 추가 세트가 제 2 홀더(518)와 측면으로 기판(520)을 정렬하도록 이 방법에서 사용되게끔 만들어진다. 이러한 방법과 장치는, 다수의 기판이 증가된 처리량과 정확도로, 하지만 추가 접촉부의 확립을 위해 단계들의 개수가 감소된 채로, 계속해서 다루어질 필요가 있을 때 유리하다.
정렬 마커들의 추가 세트는 기판(520)의 부분인 제 2 기판 정렬 마커(542)와, 제 2 홀더(518)의 부분인 제 1 홀더 정렬 마커(544)를 포함한다. 바람직하게, 이 실시예에서처럼, 하지만 반드시 그렇지는 않게 이들 정렬 마커들은 기판(520)의 배면(back-surface)(546) 위의 마커(542)와, 제 1 홀더 표면(548) 위의 마커(544)인데 서로 가깝게 위치하고 있다.
이 방법은 제 1 실시예의 방법과 크게 동일하다. 그러므로, 기판(520)이 홀더(518)에 제공된다. 제 1 실시예와는 다르게, 제 1 기판을 제공한 후에는 측면 기판 오정렬이 기판(520)과 제 2 홀더(518) 사이에서 결정된다. 이 실시예에서, 이는 비록 상이한 정렬 마커들이 사용될지라도 위에서 설명된 템플릿 스탬프 오정렬에 관해 사용된 것과 동일한 광학 측정 시스템 및 방법을 사용하여 행해진다. 이는 추가 광학 시스템에 관한 필요성을 절감한다. 그러므로, 정렬 마커들은 격자들을 포함하고, 이 격자들로부터 광학 측정 시스템으로 관찰된 무아레 패턴 형성을 통해 측면(이 실시예에서는 X 방향 및/또는 Y 방향) 위치 부정합이 결정되고, 양자화되며 저장된다. 이렇게 되면, 이 방법은 제 1 실시예에서 설명된 방법에 따라 진행한다. 그러므로, 초기 접촉부가 확립되면 정렬 마커(534,535)를 사용하여 템플릿 스탬프 표면(516)과 기판 표면(524) 사이의 오정렬이 결정되고, 임계값을 초과하는 가능한 오정렬이 제 1 실시예에서 설명된 것처럼 추가 접촉부의 확립 및 해제를 위한 방법을 사용함으로써 정정된다. 올바른 정렬로 최종 접촉부를 확립한 후의 제 1 기판에 관한 결과가 도 5a에 도시된 것과 같은 상황에 의해 예증된다.
실제(공장) 디바이스 제작 프로세스에서는, 장치(510) 내에서 수행될 모든 필수적인 단계들이 수행되었을 때 제 1 기판이 제 2 홀더(518)로부터 제거된다. 그 후 다음 기판(520')이 제 2 홀더(518)로 도입된다. 이 기판(520')은 일반적으로 예컨대 이전 기판(520)보다 약간 상이한 측면 정렬을 가지게 된다. 편리한 방식으로 이러한 변형예를 다루기 위해서는, 측면 기판 오정렬이 결정되고 다시 정량화된다. 적절한 값들이 이전 기판(520)(또는 임의의 다른 기준 기판)에 관해 결정된 값들과 비교되고, 그 비교 결과가 허용 가능한 임계 오정렬을 초과하는 차이를 드러낸다면, 제 2 홀더의 상대적인 위치가 그 차이를 정정하도록 그에 따라 변경되어, 기판(520)(또는 임의의 다른 기준 기판)이 장치에 존재하였을 때, 기판 표면(524')과의 템플릿 스탬프 표면(516)의 정렬이 대응하는 표면들의 정렬에 관해 실질적으로 변경되지 않게 된다. 다음 기판에 관한 전체적인 접촉 프로세스 후의 예시적인 결과가 도 5b에 도시되어 있다. 도 5a의 상황과 도 5b의 상황을 비교시, 앵커(530)에 관한 제 2 홀더(518)의 X 방향으로의 이동에 의해 제 3 정렬 마커와 제 4 정렬 마커의 측면 부정합이 정정되어, 앵커(530)와 제 2 홀더(518) 사이에 더 작은, 하지만 유사한 기판-템플릿 스탬프 정렬에 관해 요구된 것과 같은, 기판(520')과 앵커(530) 사이의 거리(531)와 실질적으로 동일한 거리(531')를 준다는 점을 주목하라.
이 방법의 테스트 실행(test run)시, 테스트 기판을 사용하여 정렬이 조정될 수 있다. 이러한 조정은 예컨대 온도 변동을 통해 파라미터들이 시간에 따라 변하게 되면 일정한 레벨의 재현성 또는 재현성의 정확도를 유지하기 위해 바라는 바대로 반복될 수 있다. 당업자라면 정렬 파라미터들에 관련된 그러한 처리 상태들을 어떻게 감시하는지를 알 것이다.
도 6을 참조하여 설명된 제 4 실시예는 그것이 오정렬을 측정하기 위해 기판에 템플릿 스탬프 표면을 접촉하는 것을 요구하지 않는다는 점에서 유리하다. 이는 시간을 절약하고 기판과 스탬프 표면들을 깨끗하게 유지시킨다. 이를 위해, 이전 실시예들 중 임의의 실시예의 장치와 크게 동일한 장치(610)가 노출되는 홀더 표면(650)을 포함하고, 템플릿 스탬프 표면(616)을 향한다. 이 홀더 표면(650)은 제 2 홀더 정렬 마커(652)를 포함한다. 이 실시예의 제 1 변형예가 도 6a에 도시되어 있다. 이 방법은 이제 템플릿 스탬프 표면(616)과 기판(620) 표면 대신 제 2 홀더 표면(650) 사이에서 측면 오정렬이 결정되고 정정된다는 차이를 제외하고는 제 1 실시예 또는 제 2 실시예의 방법과 실질적으로 유사하다. 당업자라면 이 실시예의 방법을 사용하기 전에, 조정이 수행될 필요가 있다는 것을 알게 될 것인데, 이는 기판 표면과 제 2 홀더의 상대적인 측면 위치가 초기에 알려져 있지 않기 때문이다. 그러한 조정은 위에서 본 명세서에서 전술한 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 이 변형예는 측면 정렬과 재현 가능하게 접촉하는 것을 허용하기 위해 기판들이 재현 가능하게 대체될 수 있을 것을 요구한다. 이는, 예컨대 기판(620)의 에지(660)를 제 2 홀더의 에지(662)에 놓음으로써 달성될 수 있고, 물론 기판(620)은 동일하다.
이 실시예의 또 다른 변형예에서는, 제 3 실시예(도 6b)에서 설명된 것처럼, 장치에서 처리될 모든 기판에 관해 기판(620)과 제 2 홀더(618) 사이에 오정렬(정렬)을 측정하기 위해 정렬 마커들의 추가 세트를 사용하게 된다. 이러한 식으로 기 판마다의 정렬이 체크되고, 이는 이 실시예의 이전 변형예의 에지 정렬이 사용될 때보다 정확성 및/또는 재현성의 측면에서 더 정밀하다. 또한 이러한 변형예에서는 조정이 바람직하게 수행된다.
본 발명의 방법 및 장치가 1차원 단면도와 정렬, 즉 X-방향으로의 측면 정렬에 관해 설명되었다. 두 번째의 독립적인 측면 차원(도면들에서의 그림의 평면에 수직인)인 Y-방향으로 본 발명에서와 같은 또 다른 방향으로의 측면 정렬에 모든 원리들이 동등하게 적용 가능하다는 것이 분명해진다. 일반적으로, 측면 정렬은 2개의 독립적인 차원, 즉 X-방향과 Y-방향 모두에서 생길 수 있거나 생겨야 한다. 이를 위해, 정렬 마커들이 이러한 목적을 위해 설계된다. 도 7을 참조한 한 예가 설명된다. 이 예와, 동일한 효과를 달성하기 위한 임의의 다른 적합한 실시예가 본 응용예에서 설명되지 않은 본 발명에 따른 다른 실시예들과 함께, 이전에 설명된 실시예 중 임의의 실시예에서 사용될 수 있고, 적절하다면 기판-템플릿 스탬프 정렬뿐만 아니라, 기판-홀더 정렬 모두에서 사용될 수 있다.
도 7에서는, 본 발명에 따른 장치(710)는 Z-방향을 따라, 제 1 홀더(명확하게 하기 위해 도시되지 않음)로부터 제 2 홀더(718)로의 방향으로 본 발명에 따른 장치(710)가 도시되어 있고, 이는 제 1 홀더 표면(755)을 보여주고 있다. 제 2 홀더(718)는 그것의 표면(724)을 노출시키고 제 1 홀더 표면(755)의 부분을 덮는 기판(720)을 잡고 있다. 홀더는 또한, 예컨대 정렬 마커(752,752',752")를 포함하는 제 2 홀더 표면(750)을 포함한다. 장치는 앵커 표면(732)을 가지는 앵커(730)를 더 포함한다. 앵커(730)의 에지(764)는 제 2 홀더(718)의 에지(766)로부터 거리(731) 를 두고 위치하고 있다.
기판(720)은 제 2 홀더(718)와의 기판(720)의 정렬을 위한 정렬 마커(742)를 포함한다. 제 2 홀더(718) 상의 상보 정렬 마커(744)가 명확하게 하기 위해 생략되었다. 게다가, 기판(720)은 필요하다면 템플릿 표면과 기판 표면(724)을 정렬하기 위한 정렬 마커(735)를 포함한다. 그리고, 도 7의 장치도 도 6b에 관해 설명된 장치와 매우 닮아있다. 그러므로, 도 7을 참조하여 설명된 것과 동일한 방식으로 동작한다. 동작하는 동안, 템플릿 스탬프 표면(미도시)에 관한 홀더 표면(750,755)의 변환(translational) 부정합 및/또는 상대적인(relative) 회전(도면의 평면에서의)의 결과로서 X 방향으로의 오정렬의 결정 및 정정을 위해 정렬 마커(752,752")가 사용된다. 정렬 마커(752')는 Y-방향으로의 변환 부정합을 위해 사용될 수 있다.
이러한 식으로 달성된 정렬이 정렬 마커(735)를 사용하여 체크될 수 있다는 점을 알게 된다. 이들 마커는 또한 일정한 기판 타입을 위한 방법의 조정을 위해 사용될 수 있다. 게다가, 또한 제 2 홀더(718)에 관해 기판(720)을 측면으로 정렬하기 위해, 마커(752 내지 752")에 관해 설명된 것과 유사한 방식으로 정렬 마커(742)가 사용될 수 있다는 점이 분명하게 된다.
본 응용예에서, 정렬 결정은 격자 정렬 마커들을 사용하는 광학 측정에 기초한다. 일반적으로 정렬 결정과, 기판들에 정렬 마커들을 제공하는 것은, 예컨대 반도체 업계 내에서 일상적으로 행해진다. 그것은 우선 첫째로 본 발명에 필수적이지 않고, 많은 상이한 정렬 기술들이 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않으면서 사용될 수 있다. 이러한 점에서, 예컨대 마커들의 용량성 결합을 사용하는 전기 정렬 측정 이 유리하게 사용될 수 있다는 점이 언급되는데, 이는 정렬 또는 오정렬 측정이 이들 접촉 위치들에서 일어날 때 접촉 동안 이들 마커를 포함하는 부분들이 매우 근접하게 위치하고 있기 때문이다. 그러한 배치는 임의로 및 바람직하게 본 발명에 따른 시스템 또는 장치의 부분인 방법 내에서 적합한 전기적 시스템이 사용되는 것을 요구하게 된다.
위 실시예들을 참조하여 설명된 것과 같은 광학 정렬 측정은, 광 경로가 측정을 위해 존재할 것을 요구한다. 이는 도 4를 참조하여 예증된다. 그러므로, 예컨대 기판 표면(424)에서, 하지만 기판의 뒷면(back)으로부터 배면(back side) 기판 정렬은 제 2 홀더(418)와 기판(420)의 적어도 한 부분이 적어도 측정 광을 위해 투명할 것을 요구한다. 전술한 실시예들에서, 이는 적절한 측정 창들(windows)과, 예컨대 유리나 석영 기판과 같은 (부분적으로) 투명한 기판을 제공함에 따라 실현될 수 있다. 대안적으로, 정렬 측정은 기판 표면(424)의 전면으로부터 수행될 수 있다. 이는 템플릿 스탬프(404)와 제 1 홀더(412)가 적어도 부분적으로 투명할 것을 요구한다. 이는 전술한 변형예에 관해 바람직한데, 이는 후자의 변형예 정렬이 또한 투명하지 않은 기판들이 사용될 때 가능하기 때문이다. 당업자라면 제 1 홀더에 공지 기술에 따른 광학 창들을 제공하는 방법을 알게 된다. 템플릿 스탬프는, 예컨대 그것의 표면 위에 배치된 폴리디메톡시시로산(polydimethoxysiloxane)과 같은 스탬핑 물질을 포함하는 얇은 유리 시트로 만들어질 수 있다. 대안적으로, 템플릿 스탬프는 정렬 위치에서 적어도 하나의 컷-어웨이(cut-away)를 가지는 투명하지 않은 물질 시트(예컨대 플라스틱이거나 금속인)의 라미네이트(laminate)를 포함하고, 이러한 적어도 하나의 컷-어웨이는 투명한 물질의 시트로 덮인다.
도 6을 참조하여 설명된 실시예에 따른 장치의 경우, 광학 창들은 기판에 존재할 필요가 없거나, 배면 정렬이 수행될 때 기판이 투명할 필요가 없다.
도 6b를 참조하여 설명된 것과 같은 정렬 마커들의 추가 세트를 사용하는 기판 홀더에 기판을 정렬하기 위해서는, 광학 정렬을 허용하는 유사한 설비가 제공되어야 한다는 점이 분명해진다. 이는 공지 기술에 따라 행해질 수 있다.
설명된 모든 실시예들에서, 추가 접촉을 확립하기 위한 프로세스의 정확성 및/또는 재현성은, 앵커와, 제 2 홀더 또는 기판 표면 사이의 간극 폭을 확대해야 하는 템플릿 스탬프에 의해 영향을 받을 수 있다. 앵커(830), 앵커 표면(832), 앵커 에지(864), 제 2 홀더(818), 제 2 홀더 표면(850), 및 폭(831)을 지닌 간극(833)을 한정하는 제 2 홀더 에지(866)를 포함하는 본 발명에 따른 장치의 한 부분을 보여주는 도 8을 참조하면, 폭(831)과 함께 템플릿 스탬프(804)의 유연성은, 템플릿 스탬프(804)를 통한 가능한 구부러짐을 통해 정확성 및/또는 재현성에 영향을 미친다는 점이 분명하다.
정확성은 템플릿 스탬프(804)가 뻣뻣하고 폭(831)이 더 작을수록 증가할 수 있다. 그러므로, 특정 강성을 지닌 템플릿 스탬프의 경우, 일반적으로 더 높은 정확성 및/또는 재현성이 요구될수록 폭(831)은 더 적어야 한다. 설명된 엠보싱 프로세스에 관한 실제 값에 대한 정확성 및 재현성을 증가시키기 위해서는, 폭(831)이 5㎜보다 적어야 한다. 하지만, 바람직하게는 1㎜보다 적고, 더 바람직하게는 0.5㎜ 또는 0.1㎜보다 적다.
처리하는 동안 확대되어야 하는 폭(831)은 초기 접촉이 이루어지는 방식에 의해 부분적으로 결정된다는 점이 주목된다. 초기 접촉부의 측면으로의 이동은 폭을 직접 결정한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 템플릿 스탬프(804)는 앵커 표면(832)과 접촉할 때, 영역(836)에서 정렬 마커들을 포함한다. 이는 실험들의 새로운 사이클을 시작할 때 또는 장치 내에서 템플릿 스탬프를 변경한 후, 앵커 표면에 대한 템플릿 스탬프의 위치에 관한 초기 체크를 제공한다.
이 방법을 실행하는 동안 간극을 줄이기 위한 선택적인 단계는, 기판 표면과의 템플릿 스탬프의 예비적인 거친 측면 정렬(기판 표면의 평면에서 변환 및 회전성인)이다. 거친 측면 정렬은 또한 상대적인 위치의 조정, 즉 제 2 홀더 및/또는 앵커 및/또는 제 1 홀더의 변환을 위해 필수적인 범위를 제한하는 데 있어서 유용하다. 그것은 마이크로미터 스케일이나 나노미터 스케일에서와 같은 매우 미세한 정렬이 요구될 때도 더 바람직하다. 보통, 앵커 및/또는 제 1 홀더와 제 2 홀더를 압전 구동 디바이스들과 같은 매우 작은 스케일로 이동시키기 위한 디바이스들은, 작은 변환 범위 또는 회전 범위를 가진다. 그러므로, 매우 정확한 정렬을 제공하기 위한 목적을 위한 본 발명에 따른 장치에는, 작은 스케일 조정(㎜보다 작고 ㎚ 또는 그 아래까지의)을 허용하는 본(present) 제 2 (전자)기계적 시스템과는 독립적으로 동작하는 거친 (㎝부터 ㎜까지의) 측면 정렬을 허용하는 (전자)기계적 시스템이 제공된다. 거친 시스템이 공지 기술에 따른 공기식(pneumatic) 수단이나 마이크로-스핀들(micro-spindle)과 협력하는 전자모터들을 포함할 수 있는데 반해, 더 정밀한 시스템은 예컨대 공지 기술에서 설명된 것과 같은 로렌츠(Lorentz) 액추에이 터나 압전 디바이스들을 가질 수 있다.
간극(833)의 확대에 관해서는, 에지(864)의 위치에서 앵커 표면의 탄젠트(tangent) 평면이 에지(866)의 위치에서 홀더 표면(850)의 탄젠트 평면과 동일한 가장 평면에 있는 것이 바람직하다. 이는 예컨대 Z-방향으로의 어떠한 단계들도 확대될 필요가 없기 때문에, 템플릿 스탬프(804)에서 최소의 스트레스(stress)를 준다. 이러한 목적을 위한 장치는 필수적인 (전자)기계적 시스템을 포함하는 것이 분명해진다. 그러한 시스템은 공지 기술을 사용하여 구성될 수 있다. 앵커 표면과 제 2 홀더 표면이 편평한 것이 필수적이지 않다는 것이 주목된다. 대부분의 실제 상황에서는 앵커 표면과 제 2 홀더 표면이 편평한데, 이는 예컨대 반도체 제작 프로세스들 동안 실리콘 웨이퍼들에서와 같은 기판 표면 변형을 제외하고는, 기판들과 기판 표면들이 바람직하게는 편평하기 때문이고, 이러한 실리콘 웨이퍼들은 열 처리 동안 비틀어진다. 전술한 실시예에서, 템플릿 스탬프 표면은 오직 작은 크기의 형상을 지닌 릴리프 패턴을 포함하고, 그렇지 않으면 기판 표면처럼 더 큰 스케일로 실질적으로 편평하다.
추가 접촉부 확립의 정확성 및/또는 재현성을 증가시키기 위해, 앵커(930)의 에지(964)와 제 2 홀더(918)의 에지(966)는, 앵커 표면(932)과 제 2 홀더 표면(950)이 적어도 부분적으로 서로 디지털화(interdigitate)도록 디지트들을 가지거나 주름이 잡힌 모양이 특별히 주어질 수 있다. 그 모양은 상보적일 수 있다. 일 예가 도 9에 도시되어 있다. 간극(933)의 폭(931)을 증가시킬 때, X 방향으로의 간극 폭은 예컨대 화살표(931')로 표시된 Y 구역들에서는 증가하지 않는다. 이와 함 께 서로 디지털화되는 것은 더 큰 X 구역 위에서의 간극 확대를 퍼뜨리는 것을 돕는다. 이 경우 Y 방향으로의 조정 범위가 Y 방향으로의 간극 폭{역시 화살표(931')로 표시됨}의 2배로 주어짐을 주목하라. 대안적으로, 이 방법은 추가 접촉부를 확립하는 동안 접촉 전면의 전진이 측면 차원으로 간극이 연장하는 방향과 평행하지 않게 진행하도록 허용되는 것을 포함한다. 이러한 식으로, 유연한 시트나 스탬프가 한 번에 소수의 위치들에서만 간극을 가로지른다. 이는 접촉 전면 전진에 관해 간극을 적절히 향하게 하거나 가까이 있는 장치가 접촉 전면의 진전을 조종하는 것을 허용할 때 구현될 수 있다. 이는, 예컨대 전술한 장치를 사용하여 행해질 수 있다.
측면 정렬이 작은 스케일(예컨대, ㎛보다 작은)로, 그리고 큰 영역(예컨대 ㎠와 같은) 위에서 요구될 때, 본 발명에 따른 장치는 템플릿 스탬프와 기판이 측면 평면에서 실질적으로 필적하는 열 팽창 계수들을 가지도록 설계된다. 바람직하게, 열 팽창 계수들은 실질적으로 같다. 이는 기판의 열 팽창 계수와 동일하거나 유사한 템플릿 스탬프에 관한 물질을 사용함으로써 달성될 수 있다. 그러므로, 예컨대 기판이 강철로 만들어질 때, 템플릿 스탬프는 예컨대 폴리디메톡시시로산이나 다른 탄성 물질과 같은 물질을 포함하는 스탬핑 층을 그것의 표면 중 하나 위에 배치한 백-플레이트(back-plate)(또한 그러한 백-플레이트를 가지는 복합 유연성 시트/스탬프의 구조에 대한 세부 내용에 관해서는 WO 03/099463호를 참조하라)라고도 하는 얇은 강철 시트로 구성될 수 있다. 이후 열 팽창 계수는 강철 플레이트의 열 팽창 계수에 의해 지배를 받게 되는데 반해, 스탬핑 또는 엠보싱 또는 다른 특성들은 탄성 층에 의해 결정된다. 대안적으로, 기판이 또한 유리로 만들어질 때에는 유 리 백 플레이트가 사용될 수 있다. 그렇게 설계되고 사용된 장치와 방법은, 특히 매우 작은 스케일로 측면 정렬을 촉진하는 온도 변화로 인한 부정합을 겪지 않고 측면 정렬을 가능하게 한다.
바람직한 일 실시예에서, 본 발명에 따른 방법은 본 발명에 따른 장치에 의해 자동으로 수행된다. 이를 위해, 본 발명에 따른 장치 또는 시스템은 하나 이상의 전기 기계식 시스템 및/또는 모두 마이크로컴퓨터들에 의해 조종되는 하나 이상의 제어기 유닛을 사용하여 바람직하게 제어 가능한 하나 이상의 전기로 동작 가능한 광학 시스템을 포함한다. 게다가, 예컨대 임계 오정렬 값들이나 다른 파라미터들의 선택을 주기 위해 바람직하게 사용자 인터페이스와 입력 디바이스가 제공된다. 이 장치는 또한 바람직하게 본 발명에 따른 장치에 의해 본 발명의 방법을 실행하는 것을 제어하기에 적합한 소프트웨어뿐만 아니라, 데이터를 운반하는 디바이스들을 포함한다.
소프트웨어는 임계값과 같은 방법 내에서 사용된 파라미터들의 입력을 포함한다.
본 발명은 엠보싱 프로세스나 임프린트 리소그라피의 상황에서 설명되었다. 하지만 본 발명은 관련 분야에 공지된 마이크로 접촉(microcontact) 인쇄와 같은 상이한 기술 영역들에서 동등하게 잘 적용 가능하다는 점이 주목된다.
이들 프로세스에서는 유연한 시트가 템플릿 스탬프의 형태로 되어 있었다. 하지만, 층들 중 어느 한 층 위의 패턴을 다른 층으로 전사할 필요 없이, 한 층을 또 다른 층으로 적층하기 위해서도 사용될 수 있다. 그러한 적층 프로세스의 일 예 는 웨이퍼 결합(bonding) 프로세스이다. 이 경우, 또 다른 실리콘 웨이퍼에 적층할 실리콘 웨이퍼는, 예컨대 본 발명에 따른 방법과 장치를 사용하여 유연한 시트로서 적층되기 위해 적합하게 유연한 두께까지, 에칭하거나 닦음으로써 얇아진다. 그렇게 접촉되고 정렬된 웨이퍼들은 표준 웨이퍼 결합 조건에 따라 처리될 수 있다. 본 발명의 방법은 또한 정확하고/정확하거나 재현 가능한 정렬로 상호 연결되는 작은 형상을 지닌 디바이스들을 웨이퍼 2개가 포함하는 것을 허용한다. 따라서, 이 방법은 더 간단해진 방식으로 그리고 하나의 프로세스 실행 또는 사이클에서 큰 영역에 걸쳐 향상되고 더 복잡한 디바이스 제조를 제공한다.
대안적으로, 유연한 시트는 기판에 적층될 필요가 있는 물질 층을 포함하는 백-플레이트 타입일 수 있다. 물질 층의 접촉 표면을 기판과 접촉하게 한 후, 가능하게는 접착 프로세스(접착층의 가열 경화)를 사용하는 접착 단계를 수행한 후, 물질 층이 백-플레이트로부터 방출된다. 이러한 방출은, 예컨대 먼저 소위 UV 방출 접착제를 사용하여 백-플레이트에 물질 층을 접착시키고, 백-플레이트로부터 물질을 방출시키게 하기 위해 이 접착제를 활성화하도록 UV 복사선으로 이 층을 조사함으로써 행해질 수 있다. 이러한 방법은 물질 층이 매우 유연하거나 물질 층을 기판까지 전사하기 위한 지지 구조물을 필요하게끔 변형 가능할 때 유리하다. 유기 포일들은 웨이퍼 결합 프로세스에 관해 설명된 유리한 점을 잃지 않으면서 이러한 절차로부터 이익을 얻을 수 있다.
어떤 경우든 본 발명은 마이크로미터 스케일보다 종종 더 나은 정밀한 정렬이 요구되는 프로세스들에 관해 특히 적합하다.
게다가, 본 발명은 WO 03/099463에서 설명된 것과 같이 추가 접촉부를 확립하기 위해 특별히 설계된 장치와 방법에 관해 설명되었다. 사용된 원리는 '웨이브 인쇄(wave printing)'라고 부른다. 하지만 본 발명은 동일한 목적을 위해 설계된 대응하는 장치들과 상이한 방법들에서 동등하게 적용 가능하다. 이 실시예는 또한 본 발명이 유연한 시트와 기판 사이에 접촉부를 확립하기 위한 기존의 장치와 방법을 향상시키기 위해 유리하게 사용된다는 것을 보여준다. 2가지 실시예가 아래에 설명된다.
도 10을 참조하여 예시된 일 실시예에서는, 구부러진 표면(1082)을 가지는 회전하는 부재(member)(1080)가 그것의 구부러진 표면(1082)이 유연한 시트(1004)의 한 면(1084) 위에서, 유연한 시트(1004)의 다른 면 위의 접촉 면(1016)을 기판(1020)의 표면(1024)으로 점진적으로 누르기 위해 구르도록 회전된다. 이 방법과 장치(1010)는 본 발명에 따라 수정되는 US 2004/0197712로부터 알려진 방법과 장치에 기초한다. 그러므로, 앵커 표면(1032)을 가지는 앵커(1030)는 기판(1020)의 측면에 위치한다. 앵커와 기판은 전술한 실시예들에서 설명된 것과 유사한 방식으로 서로에 관해 (다시) 위치가 정해질 수 있다. 이 실시예에 따른 장치의 기계적인 구조에 대한 추가 세부적인 사항은 US 2004/0197712에 제공된다.
유연한 시트(1004)가 스프링(1088)을 사용하여 구조 부분(1086)들 사이에 탄력 있게 붙여지는 상황(도 10a)으로부터 시작하여, 도 10b의 제 1 스테이지가 제 1 접촉 프로세스를 사용하여 확립된다. 이 프로세스는, 예컨대 회전하는 부재(1080) 쪽으로 앵커(1030)를 옮긴 다음 접촉 표면(1016)과 표면(1024) 사이에 접촉부를 생 성하기 위해 회전하는 부재(1080)를 순방향 회전시킴으로써 앵커 표면(1032)과 접촉 표면(1016)의 한 부분 사이에 초기 접촉부를 확립하는 것을 포함한다. 앵커와의 접촉부의 형성은 회전 프로세스를 사용하여 생성된 접촉부보다 덜 정확하거나 재현 가능하다. 표면(1016,1024,1032)의 거친 상호 정렬은 나중의 접촉부를 확립하기 전에 수행될 수 있고, 작은 스케일의 정렬과 빠른 처리를 위해 바람직하다. 정렬 마커(1035,1034)를 사용하여, 예컨대 관련 분야에 공지된 다른 방법들을 사용하거나 전술한 바와 같은 광학 검출을 사용함으로써 유연한 시트(1004)와 기판(1020) 사이의 측면 부정합이 결정된다.
부정합이 받아들일 수 있는 임계값보다 크다면, 표면(1016)이 표면(1024)으로부터 방출되지만 앵커 표면(1032)에 부착된 채로 유지되는 회전이 도 10c의 제 2 스테이지가 확립되는 정도까지 반대로 이루어진다. 그 후, 앵커에 관해 표면(1024)의 상대적인 위치가 바뀌고, 이와 함께 표면(1024)과 표면(1016) 사이의 부정합을 정정한다.
또 다른 단계에서는, 정렬 마커(1034,1035)를 다시 사용하여 측면 오정렬을 결정함으로써 임의로 확인될 수 있는 것처럼, 표면(1016,1024)이 다시 접촉하게 되지만 이번에는 측면 정렬이 향상되는 도 10d의 제 3 스테이지를 확립하기 위해 순방향 회전이 수행된다.
US 5669303에서 설명된 방법과 장치에 기초한, 도 11을 참조하여 예시된 또 다른 실시예에서는, 그 방법과 장치가 주변 대기와 분리된 챔버(1190) 내에서, 유연한 시트(1104)에 의해 분리되는 제 1 구획(compartment)(1192)과 제 2 구 획(1194)이 형성되도록 홀더(1112)에서 유연한 시트(1104)를 탄력 있게 붙이는 것을 포함한다. 앵커 표면(1132)과 기판 표면(1124)이 유연한 시트(1104)의 표면(1116)에 실질적으로 평행하도록 앵커(1130)와 이 예에서는 2개인 하나 이상의 기판(1120)이 유연한 시트(1104) 부근에 배치된다. 이 장치에는 제 1 구획과 제 2 구획에서 개별적으로 그리고 독립적으로 대기 압력에 관해, 초과압력 및/또는 초과되지 않은 압력을 생성하기에 적합한 기체 취급 장비가 제공된다.
도 11b에서와 같이 제 1 및 초기 접촉부를 생성하기 위해, 제 1 구획(1192)에는 제 2 챔버(1194)에 관한 초과압력이 제공되어, 유연한 시트(1104)가 앵커 표면(1132) 쪽으로 굽혀지게 하고, 유연한 시트(1104)의 표면(1116)의 일부가 앵커 표면(1132)과 접촉하게 한다. 다음 단계에서는 기판 표면(1124)과 표면(1116)의 일부 사이의 추가 접촉부가 간극(1191)을 줄이기 위해 기판(1120)을 옮기거나 제 1 구획에서 초과압력을 늘임으로써 점진적으로 확립된다. 표면(1116,1124,1132)의 거친 상호 정렬은 도 11b의 스테이지를 확립하기 전에 바람직하게 수행된다.
앞선 실시예들에 관해 설명된 것과 같이 정렬 마커들을 사용하여, 예컨대 전술한 바와 같은 광학 검출을 사용하거나 관련 분야의 공지된 다른 방법을 사용함으로써, 유연한 시트(1104)와 기판(1120) 사이의 측면 부정합이 결정된다.
부정합이 받아들일 수 있는 임계값보다 크다면, 간극(1191)이 다시 증가되도록 기판(1120)을 변위시키거나, 제 1 구획과 제 2 구획 사이의 압력차를 감소시킴으로써 다시 도 11b의 상황을 얻기 위해 표면(1124)으로부터 표면(1116)이 방출되도록 된다. 하지만 표면(1132)은 앵커 표면(1132)과 접촉을 유지한다.
그 후, 앵커 표면(1132)에 관한 표면(1124)들의 제 1 상대적인 위치는 가능한 측면 부정합을 정정하기 위해 변경된다. 이 경우, 바람직하게는 앵커를 움직이지 않게 유지하고, 기판(1120)을 이동시킴으로써, 모든 기판에 관해 개별적인 정정을 제공한다. 그러한 측면 이동을 실현하기 위한 수단은 도시되어 있지 않다. 그러한 수단은, 예컨대 공간(1190) 내에 {동력화된(motorized)} 스테이지 상에 각 기판을 놓음으로써 기계 공학과 관련 분야 기술을 사용하여 제공될 수 있고, 이는 홀더와 앵커에 관해 기판들을 이동시키는 것을 허용한다. 다음 단계에서는 표면(1116)과 표면(1124) 사이의 추가 접촉부가 전술한 바와 동일한 프로세스에 의해 재확립된다. 이는 접촉부가 향상된 정렬로 확립되는 도 11d에 도시된 제 3 스테이지를 초래한다.
앵커마다 2개 이상의 기판을 사용하는 장점은, 비례하는 비용 및 노력을 적게하여 처리량이 증가된다는 점이다.
도 10을 참조하여 설명된 방법 및 장치와 비교시, 도 3 내지 도 9, 및 도 11의 방법 및 장치는 접촉부를 확립하는 동안 이동하는 부분을 사용하지 않고, 이와 함께 이들 부분의 동작으로 도입된 부정확성을 감소시킨다는 장점을 가진다.
도 3 내지 도 9의 장치 내에서는, WO 03/099463A2에서 설명된 것과 같은 다른 것들이나 압전 기계식 액추에이터와 같은 전자 기계식 수단으로 가압하는 노즐들의 형태로 된 발동 수단(actuation means)이 대체될 수 있다는 점이 명백해진다.
상이한 프로세스들을 수행하는 것과 연관된 장치들은, 초기 접촉부 및/또는 추가 접촉부를 만들기 위해 사용된 상이한 프로세스에 기초하여 그것들의 구조가 상당히 바뀔 수 있다. 하지만, 본 발명의 원리는 추가 접촉부의 확립을 위한 프로세스가 초기 접촉부의 확립을 위한 프로세스보다 측면 정렬의 관점에서 더 정확하고/정확하거나 재현 가능한 한 이들 장치 전부에 동등하게 잘 적용된다는 점을 알게 된다. 당업자라면 그들의 필요에 따라 이 장치에 본 발명에 따른 본질적인 특징들을 통합하는 방법을 쉽게 찾게 된다.
요약하면, 본 발명은 향상된 측면 정렬로 제 1 요소에 유연한 시트를 접촉시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 유연한 시트와, 제 1 요소 또는 제 1 스테이지에서 앵커라고 부르는 시트 파킹(parking) 표면 사이에 제 1 접촉부를 확립한 후 제 1 측면 오정렬을 측정하는 단계를 포함한다. 이 오정렬이 미리 결정된 임계값을 초과하면, 유연한 시트는 그것이 제 1 요소와 접촉하지 않도록 앵커에서 파킹되고, 제 1 요소와 앵커의 상대적인 위치는 이 방법의 다음 단계 내에서 확립될 제 1 요소와 유연한 시트가 접촉하는 동안의 부정합을 정정하기 위한 제 2 스테이지 동안 바뀐다. 제 2 스테이지를 얻기 위해 접촉점을 이동시키는 단계들 동안, 접촉 프로세스는 초기 접촉부를 확립하기 위한 프로세스보다 더 정확하고 재현 가능하다. 본 발명은 또한 본 발명의 방법을 실행하기 위한 장치와, 디바이스들의 제조를 위한 방법 및 장치의 사용에 관한 것이다.
전술한 실시예는 본 발명을 한정하기보다는 예시하기 위한 것이고, 당업자라면 첨부된 청구항의 범위를 벗어나지 않고 많은 대안적인 실시예를 디자인할 수 있을 것이라는 점을 주목해야 한다. 청구항에서, 괄호들 사이에 놓인 임의의 참조 기호들은 그 청구항을 한정하는 것으로 해석되지는 않는다. "포함하는"이라는 단어는 청구항에 나열된 것 외의 다른 요소 또는 단계의 존재를 배제하지 않는다. 요소나 제품 앞에 있는 단수 표현은 다수의 그러한 요소나 제품의 존재를 배제하지 않는다. 서로 상이한 종속항들에서 특정 수단이 인용된다는 단순한 사실은 이들 수단들의 조합이 유리하게 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 유연한 시트의 시트 표면을 제 1 요소의 제 1 접촉 표면과 접촉시키기 위한 방법 및 시스템과, 복수의 층을 포함하는 디바이스를 제작하는 방법에 이용 가능하다.

Claims (24)

  1. 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면과 접촉하는 방법으로서,
    a. 앵커(anchor) 표면을 가지는 앵커를 제공하는 단계로서, 상기 앵커 표면과 제 1 접촉 표면은 서로에 대해 조정 가능한 제 1 상대적 측면 위치를 가지는, 앵커 제공 단계,
    b. 시트 표면의 적어도 하나의 제 1 부분이 앵커 표면과 제 1 접촉 표면 중 적어도 하나와 접촉하는 제 1 스테이지(stage)를 확립하기 위해 제 1 접촉 프로세스를 사용하는 단계,
    c. 상기 제 1 스테이지에 존재하면서, 상기 제 1 접촉 표면이 접촉중인 표면들 중 적어도 한 표면에 관해 제 1 요소 표면의 제 1 측면 오정렬(misalignment)을 결정하는 단계,
    d. 상기 제 1 측면 오정렬이 임계값을 초과한다면, 시트 표면의 어떠한 부분도 제 1 접촉 표면과 접촉하지 않으면서, 시트 표면의 한 부분이 앵커 표면과 접촉하는 제 2 스테이지를 확립하는 단계로서, 상기 제 2 스테이지는 시트 표면의 적어도 한 부분이 앵커 표면과 제 1 접촉 표면 중 적어도 하나와 항상 접촉하게 유지되는 방식으로 확립되는, 제 2 스테이지 확립 단계,
    e. 상기 제 2 스테이지에 존재하면서, 제 1 측면 오정렬을 정정하기 위해 제 1 상대적 측면 위치를 조정하는 단계,
    f. 시트 표면이 제 1 접촉 표면과 접촉하는 제 3 스테이지를 확립하기 위해 제 2 접촉 프로세스를 사용하는 단계로서, 상기 제 2 접촉 프로세스는 상기 제 1 접촉 프로세스보다 더 정확한, 제 2 접촉 프로세스를 사용하는 단계를
    포함하는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    제 2 접촉 프로세스는 앵커 표면이나 제 1 접촉 표면과 접촉하는 시트 표면의 제 1 영역과, 각각의 표면 중 어느 것과도 접촉하지 않는 시트 표면의 제 2 영역 사이의 경계선에 의해 한정되는 접촉 전면(front)이 제 2 영역의 방향으로 위치 이동되게 만들어지도록 접촉의 점진적인 확립을 포함하는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 접촉 전면은 외부의 힘이 가해지지 않고 위치 이동되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 앵커 표면은 제 1 에지(edge)를 포함하고, 제 1 접촉 표면은 제 2 에지를 포함하며, 상기 제 1 에지와 상기 제 2 에지는 서로 인접하고 있고 서로로부터 의 일정 거리에서 연장하며, 제 1 에지에서의 앵커 표면은 적어도 제 2 접촉 프로세스를 수행하는 동안 제 2 에지에서의 제 1 접촉 표면과 동일한 가상의 평면에서 존재하는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 에지는 제 1 디지털화된 에지를 포함하고, 상기 제 2 에지는 제 2 디지털화된 에지를 포함하며, 제 1 디지털화된 에지의 디지트들은 제 2 디지털화된 에지의 디지트들 사이에 적어도 부분적으로 위치하는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 거리는 1㎜보다 작은, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유연한 시트는 제 1 측면 열 팽창 계수를 가지고, 상기 제 1 요소는 제 2 측면 열 팽창 계수를 가지며, 상기 제 1 열 측면 팽창 계수와 상기 제 2 측면 열 팽창 계수의 차이는 5% 미만인, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 c) 내지 단계 f)의 시퀀스는 적어도 한번 반복되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    제 3 스테이지 앞에 오는 모든 스테이지에서, 시트 표면은 오직 앵커 표면하고만 접촉하는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 스테이지에서, 시트 표면의 제 1 부분은 적어도 제 1 접촉 표면과 접촉하고 있고, 상기 시트 표면과 상기 제 1 접촉 표면 사이에서 측면 오정렬이 결정되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    시트 표면과, 앵커 표면 및/또는 제 1 접촉 표면 중 임의의 것의 측면 오정렬은 시트 표면의 측면 방향으로 떨어져 놓여있는 복수의 위치들로부터 결정되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측면 오정렬은 앵커 표면 또는 제 1 접촉 표면과 접촉하는 시트 표면의 한 부분에서 결정되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 측면 오정렬은 유연한 시트 내에 존재하는 제 1 정렬 마커(marker)와 상기 제 1 요소와 상기 앵커 중 적어도 하나 내에 존재하는 제 2 정렬 마커에 의해 형성된 광학 강도(intensity) 패턴의 검출로부터 결정되고, 상기 제 2 정렬 마커는 상기 제 1 정렬 마커와 적어도 부분적으로 측면으로 중복되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 제 1 요소를 포함하는 홀더(holder)를 제공하는 단계와,
    - 또 다른 접촉 표면을 가지는 제 2 요소를 제공하는 단계로서, 상기 제 2 요소는 상기 홀더에 의해 유지되고, 상기 홀더에 관해 제 2 측면 상대적 위치를 가지는, 제 2 요소 제공 단계를 더 포함하고,
    - 상기 제 2 측면 상대적 위치를 고려하여 제 1 상대적 위치가 조정되며,
    - 시트 표면이 상기 또 다른 접촉 표면과 적어도 부분적으로 접촉하도록 제 3 스테이지가 확립되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    - 상기 제 1 상대적 위치를 조정하기 전에 제 2 상대적 위치를 결정하는 단계를 더 포함하는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제 2 상대적 위치는 또 다른 접촉 표면의 부분이 아닌 제 2 요소의 한 부분으로부터 결정되는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  17. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유연한 시트는 제 1 요소에 전사되거나, 제 2 요소가 제공될 때에는 제 2 요소에 전사되는 템플릿(template) 패턴을 포함하는, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 템플릿 패턴은 엠보싱(embossing), 임프린팅(imprinting) 또는 마이크 로 접촉(micro-contact) 인쇄 프로세스를 사용하여 전사되는 릴리프(relief) 패턴인, 유연한 시트의 시트 표면 및 제 1 요소의 제 1 접촉 표면을 접촉하는 방법.
  19. 복수의 층을 포함하는 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 복수의 층 중 적어도 2개 층은 서로 측면으로 정렬되고, 상기 방법은 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 따른 방법을 사용하는, 복수의 층을 포함하는 디바이스의 제조 방법.
  20. 제 1항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 따른 방법을 실행하도록 적응된 시스템으로서,
    적어도 제 2 접촉 프로세스를 수행하기 위해 유연한 시트를 조작하기 위한 조작기(manipulator), 제 1 요소를 고정하거나, 또는 상기 제 1 요소가 홀더의 부분이라면 제 2 요소를 고정하기 위한 홀더를 포함하고,
    상기 조작기와 홀더는 서로에 관해 상기 조작기와 홀더의 위치를 정하기 위해 기계적인 구조에 부착되는 시스템에 있어서,
    - 상기 홀더에 관한 상대적인 위치가 조정 수단을 통해 조정 가능한 앵커와,
    - 제 1 측면 오정렬을 결정하기 위한 측정 수단을
    더 포함하는 것을 특징으로 하는, 디바이스 제조 방법을 실행하도록 적응된 시스템.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 앵커와 유연한 시트는 상기 시스템으로부터 제거 가능한, 디바이스 제조 방법을 실행하도록 적응된 시스템.
  22. 제 20항에 있어서,
    상기 제 1 요소는 상기 홀더의 부분인, 디바이스 제조 방법을 실행하도록 적응된 시스템.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 홀더는 제 2 상대적인 위치를 결정하기 위한 수단을 포함하는, 디바이스 제조 방법을 실행하도록 적응된 시스템.
  24. 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
    제 20항에 따른 시스템이 제 1항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 따른 방법을 실행하는 것을 가능하게 하기 위한 컴퓨터 프로그램 제품.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170058993A (ko) * 2014-09-22 2017-05-29 코닌클리케 필립스 엔.브이. 전사 방법 및 장치 그리고 컴퓨터 프로그램 제품

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5281989B2 (ja) * 2009-08-26 2013-09-04 富士フイルム株式会社 パターン転写装置及びパターン形成方法
TWI458557B (zh) * 2009-11-26 2014-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 噴塗遮蔽結構及採用該結構之噴塗遮蔽方法
JP5832345B2 (ja) * 2012-03-22 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
WO2015150110A1 (en) 2014-03-31 2015-10-08 Koninklijke Philips N.V. Imprinting method, computer program product and apparatus for the same
KR101802993B1 (ko) * 2015-02-12 2017-12-28 남한석 비제한적 구동형 마킹 시스템 및 그 마킹 방법
KR20180044744A (ko) * 2016-10-24 2018-05-03 삼성전자주식회사 패턴 구조체 및 그 제조방법
CN106980193B (zh) * 2017-03-30 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 膜材贴合装置及采用该装置的膜材贴合方法
KR101853127B1 (ko) 2017-05-19 2018-04-27 주식회사 랜도르아키텍쳐 구동형 마킹 시스템, 구동형 마킹 장치의 제어방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록매체
JP7417600B2 (ja) 2018-10-12 2024-01-18 モーフォトニクス ホールディング ベスローテン フェノーツハップ 調整可能な高い寸法安定性を有するフレキシブルスタンプ
EP4390540A1 (en) 2022-12-19 2024-06-26 Koninklijke Philips N.V. Alignment method
EP4390539A1 (en) 2022-12-19 2024-06-26 Koninklijke Philips N.V. Alignment method for imprint method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2859809B2 (ja) * 1994-03-15 1999-02-24 松下電器産業株式会社 露光方法およびその装置
US5669303A (en) 1996-03-04 1997-09-23 Motorola Apparatus and method for stamping a surface
JP2001075288A (ja) * 1999-09-08 2001-03-23 Ono Sokki Co Ltd 露光装置
US20050064344A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
JP4639081B2 (ja) * 2002-05-27 2011-02-23 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ スタンプから基板にパターンを転写する方法及び装置
US6792856B2 (en) * 2002-07-16 2004-09-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for accurate, micro-contact printing
US7027156B2 (en) * 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US20040197712A1 (en) * 2002-12-02 2004-10-07 Jacobson Joseph M. System for contact printing
JP4478424B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-09 キヤノン株式会社 微細加工装置およびデバイスの製造方法
JP4726789B2 (ja) 2003-09-29 2011-07-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 製造方法
JP4522166B2 (ja) * 2004-06-29 2010-08-11 キヤノン株式会社 露光方法
JP2006165371A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 転写装置およびデバイス製造方法
WO2006117745A2 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for transferring a pattern from a stamp to a substrate
JP4665608B2 (ja) * 2005-05-25 2011-04-06 株式会社日立プラントテクノロジー 微細構造転写装置
CN102967993A (zh) 2006-11-01 2013-03-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 一种氧化硅化合物溶液及其应用
JP5039145B2 (ja) * 2006-12-04 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シートを基板に適用するための方法及び装置
US20090070847A1 (en) 2007-07-06 2009-03-12 Rosum Corporation Positioning with Time Sliced Single Frequency Networks

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170058993A (ko) * 2014-09-22 2017-05-29 코닌클리케 필립스 엔.브이. 전사 방법 및 장치 그리고 컴퓨터 프로그램 제품

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