CN101036086A

CN101036086A - 挠性纳米压印模板

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Publication number: CN101036086A
Application number: CNA2005800300768A
Authority: CN
Inventors: 特奥多尔·尼尔森; 安诺斯·克里斯滕森; 奥勒·汉森
Original assignee: Nil Tech APS
Current assignee: Nil Tech APS
Priority date: 2004-09-08
Filing date: 2005-09-07
Publication date: 2007-09-12
Anticipated expiration: 2025-09-07
Also published as: NO20071731L; WO2006026993A9; US8075298B2; EP1789848B1; DK1789848T3; AU2005282060A1; JP4733134B2; EP1789848A1; WO2006026993A1; JP2008512274A; CA2579603A1; ZA200702713B; CN101036086B; US20080000375A1

Abstract

本发明涉及用于在毫米级结构上进行纳米级压印的纳米压印模板(1)，模板包括基体部件及第一和第二压印部分(2、3)，第一和第二压印部分具有待压印于接收衬底上的光刻图案(7)。在第一方面中，第一和第二压印部分(2、3)可在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上独立地移动。在第二方面中，第一和第二压印部分(2、3)在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上以机械方式弱接合。模板通过将模板的弯曲局限于压印部分(2、3)之间的基体部件(5)上来限制待压印光刻图案的衬底中或衬底上的缺陷和/或模板中或模板上的缺陷以及此类缺陷的任一组合的影响。

Description

挠性纳米压印模板

技术领域

本发明涉及用于在毫米级结构上进行纳米级压印的纳米压印模板，模板包括基体部件及第一和第二压印部分，第一和第二压印部分具有待压印于接收衬底上的光刻图案。

背景技术

在电子领域中，小型化到亚微米级的发展需要光刻处理的不断提高。纳米压印光刻(NIL)是有前景的光刻技术，用于在并行处理中制造纳米级结构。NIL已在国际半导体技术发展蓝图(IRTS)上被改造为有潜力的光刻技术以满足在2013年32纳米节点的目标。然而，首先要解决涉及NIL的大量技术问题，例如，大压印区域的均匀性、亚微米对准、错误检测、周期时间及关键尺寸控制。

在Microelectronic Eng的73-74(2004)页167-171行中，Plachetka等人公开了基于紫外线(UV)固化抗蚀剂的NIL处理。在该UV-NIL处理中，由聚二甲基硅氧烷(PDMS)制造的挠性透明模板确保与涂抹在衬底上的紫外线固化抗蚀剂的适当接触。由于PDMS的弹性特征，模板将其形状改变为衬底的波状且衬底与模板之间平行度的缺乏因此而解决。

US2003/0017424公开了用于形成图案的技术，例如半导体衬底上的光栅结构和其它结构。因此，该参考文献描述了可以是刚性或机械挠性的压印印模(模板)。为形成图案，压印印模被压在涂有可变形的粘性或液体材料的衬底上。压印印模可以是包括固定中间体(压印部分)和散装材料(支持部件)的复合构件。固定中间体包括压印图案且可由硬性材料形成，例如，硅，或者也可由机械挠性材料形成，例如PDMS。散装材料可类似地由硬性材料形成，例如硅或玻璃，其可形成得足够薄以能稍微弯曲，或者也可由机械挠性材料形成，例如PDMS。

然而，弹性材料制造的模板的问题是，在压印过程中，模板将因模板材料的相对较高的泊松比而在垂直于压印方向的方向上变形。这可导致模板的光刻图案的不良拉伸和扭曲。因此，作用于Plachetka等人的模板和US2003/0017424的挠性模板上的压力被有效地限制为较低的压力范围。此外，衬底中或衬底上的相对较大但却是局部的缺陷可影响此类模板的相邻压印部分。

US2002/0132482公开了一种使用液压来将模具(模板)压到衬底支撑膜中的压印光刻方法。模具由主体和模具层构成，模具层通常由硬性材料例如熔融石英、玻璃或陶瓷制成。衬底包括半导体晶片，且衬底支撑膜可以是聚合物例如PMMA或者也可以是液体例如紫外线硬化硅树脂。模具主体和/或衬底可通过使用具有小于2mm厚度的硅衬底而制造得有挠性。因此，尽管平面度有差别，模具和衬底也将匹配。在压印处理中使用的压力在1-1000psi＝6.9kPa-6.9MPa范围内。

然而，US2002/0132482的模板具有内在缺陷，由于模具/衬底的弯曲，压印将不可避免地产生不均匀的压印压力，这可反过来使形成的光刻图案严重变差。

因而，NIL用改进模板将是有优势的，且挠性更大的模板将特别有优势。

发明内容

因此，本发明更适合致力于减小、减轻或消除上述不利中的一种或多种亦或任何组合。特别地，可以看作本发明的一个目的是提供挠性NIL模板，其可限制待压印光刻图案的衬底中或衬底上的缺陷和/或模板中或模板上的缺陷以及此类缺陷的任一组合的影响。

该目的与其它几个目的通过提供一种纳米压印模板而在本发明的第一方面中实现，该纳米压印模板包括：基体部件及第一和第二压印部分，第一和第二压印部分可在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上独立地移动。

在第二方面中，本发明提供一种纳米压印模板，其包括与基体部件整合的第一和第二压印部分，其中，第一和第二压印部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上以机械方式弱接合。

根据第一和第二方面的本发明特别但不排他地有利于获得一种纳米压印模板，该模板可限制待压印光刻图案的衬底中或衬底上的缺陷和/或模板中或模板上的缺陷以及此类缺陷的任一组合的影响。特别地，本发明提供一种模板，该模板可在压印过程中施加相对高的压印应力并仍然限制缺陷的影响。缺陷可包括：衬底和/或衬底上聚合物膜的弯曲、用于将模板压向衬底的按压工具的弯曲、模板和衬底之间的滞留空气、待压印模板上的突起、压印位置处的灰尘或类似有害微粒、光刻图案中的单个缺损、待压印聚合物的有限聚合物流动、模板上不充足的防粘层等。

本发明不限于仅具有单个压印方向的应用。更恰当的是，本发明特别可用于具有一个以上压印方向的应用，也就是，模板具有用于多维光刻图案地一个以上压印方向。可选择地或额外地，模板的光刻图案可在相对于衬底平面的非平行方向上压印。

纳米压印模板可具有第一和第二压印部分的有效弯曲刚度，该刚度在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上显著大于基体部件的有效弯曲刚度。因此，基体部件相对于压印部分可起到弹性部件或吸收变形部件的作用。

有利的是，在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上第一和/或第二压印部分的有效弯曲刚度与基体部件的有效弯曲刚度之间的比率rs可具有从10、20、30、40、50、60、70、80、90或100的组中选取的最小值。因此，模板能够符合已调整的表面并保持压印部分的有效弯曲刚度，从而可实现更均匀的压印压力。有效的是，纳米压印模板在压印过程中的任何弯曲主要或专门位于基体部件中间或连接压印部分之处。

纳米压印模板可布置成第一和第二部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上可独立地移动以用于第一和/或第二压印部分的弹性移动。

纳米压印模板的第一和第二压印部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上可独立地移动以使移动小于待压印光刻图案的平均高度。或者，所述移动可基本上等于或大于待压印光刻图案的平均高度。

纳米压印模板可具有在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上可独立地移动的第一和第二压印部分以使移动基本上等于或小于待压印衬底的厚度变幅。典型地，硅树脂的抛光衬底可具有超越5微米晶片的厚度变幅。由于压印部分的独立，厚度变幅可由本发明补偿。

对于纳米压印模板，第一和第二压印部分可在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上独立地移动以使第一和/或第二压印部分的移动处于1nm到10微米的范围内，优选为5到500nm，更优选为10到100nm。

对于本发明的纳米压印模板，第一和第二压印部分可在垂直于压印模板的压印方向的方向上基本相对固定。因此，垂直于压印模板的压印方向的移动可基本上用改进的压印来消除。

确定纳米压印模板的尺寸，从而基体部件包括隔膜，隔膜连接第一和第二压印部分。因此，压印过程中的缺陷可由隔膜吸收。有益的是，第一和/或第二压印部分可在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上具有大于隔膜厚度的厚度。特别地，至少一个压印部分的厚度与隔膜厚度之间的比率rt可具有从1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、8、9或10的组中选取的最小值。

纳米压印模板可布置成第一和第二压印部分包括具有光刻图案的第一部分、形成隔膜部件的第二部分和第三部分。有益的是，至少第三部分封装于弹性后部模型中，就是说，所述后部模型可包括弹性体聚合物、凝胶体、封闭流体、气体等。弹性后部模型的影响可在压印过程中均匀地分配压印应力。

典型地，纳米压印模板可通过本领域技术人员公知的微电子处理方法制造。有益的是，处理可在半导体材料中进行，优选为Si、Ge或碳及其任何组合和其任何结构变型。有益的是，纳米压印模板可主要或单独在具有至少1GPa杨氏模量的材料中制造，优选为至少10GPa，或者更优选为至少100GPa。因此，模板可优选在足够硬及非弹性体材料中制造。

纳米压印模板可包括传感机构，从而在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上检测第一和第二压印部分中至少一个的移动。因此，任何移动位置即可确定以进行更有效的制造处理。

在第三方面，本发明提供一种方法，用于使用根据第一或第二方面的纳米压印模板在接收衬底上压印光刻图案。

根据第三方面的本发明特别但不排他地有利于提供一种与公知方法比较可给予更均匀压印的方法。特别地，待压印衬底和压印模板之间平面度的较高需求通过使用本发明而减小。有代表性地，压印过程中的压力可具有从10kPa、50kPa、100kPa、250kPa或300kPa的组中选取的近似最小值。然而，方法并不限于这些最小值，且可在较低和较高的压力模式下使用。

可使用本发明的方法，从而压印模板被平行板装置压向接收衬底。或者，压印模板可由气动装置压向接收衬底。

典型地，接收衬底具有取决于制造、压力条件和温度的向内或向外的弯曲。

本发明的第一、第二和第三方面可与任一其它方面结合。本发明的这些和其它方面将参照后面描述的实施例进行说明并显现出来。

附图说明

现在将仅通过参照附图的实例来解释本发明，其中：

图1表示本发明第一实施例的剖视图；

图2表示本发明第二实施例的剖视图；

图3表示本发明第三实施例的剖视图；

图4表示根据本发明的模板的制作顺序；

图5表示根据本发明的模板在压印工具内与衬底的层叠；

图6表示Si晶片上PMMA聚合物层的产生压印深度的轮廓线；

图7表示图6中PMMA聚合物残留高度层的轮廓线。

具体实施方式

图1表示根据本发明的纳米压印模板1的第一实施例的剖视图。模板1包括第一压印部分2和第二压印部分3。为进行阐述，仅在图1到图3中表示出两个压印部分1和2。在图1的实施例中，第一和第二压印部分2和3安装在基体部件5中，基体部件5具有适当的孔以容纳第一和第二压印部分2和3。第一和第二压印部分2和3安装于基体部件5中以使得箭头10所表示的压印压力可如图1所示那样向下移动整个模板1，且第一和第二压印部分2和3可在双向箭头6所示的垂直方向上独立移动。这通过在第一和第二压印部分2和3与基体部件5之间的界面提供适当的摩擦力而实现。因此，如图1所示，在模板1被垂直向下压到待压印衬底(图1中未示出)时，如果遇到某种缺陷例如衬底的弯曲或突出则压印部分2和3中的每个皆可以稍向上移动。在图1中，这点通过第二压印部分3相对于第一压印部分2的较小向上移动来表示。第二压印部分3的向上移动可通过基体部件5和压印部分2和3之间界面上的摩擦力的变化来控制。所述摩擦力应该相对于压印应力10足够大小以允许压印开始。第一和第二压印部分2和3包括压印在衬底上的光刻图案7。

图2表示根据本发明的纳米压印模板1的第二实施例的剖视图。在图2的实施例中，压印部分2和3容纳于基体部件5的相应的孔11和12中，但在压印部分2和3及基体部件5之间没有直接的物理接触。取而代之的是，压印部分2和3的上部件插入到弹性体材料例如PDMS或类似材料的后部模型15中。后部模型15用于相同目的来提供一种将压印应力传递到压印部分2和3的方式并允许压印部分2和3如箭头6所示那样可在压印模板1的压印方向上独立地移动。由于后部模型15在较大压印应力10的作用下横向变形，基体部件5用于将压印部分2和3限制在垂直于压印模板1的压印方向的方向上。因此，在较大压印应力10作用下，基体部件5可与压印部分2和3物理接触。基体部件5与压印部分2和3之间的间隙可最小化以限制压印部分2和3在垂直于压印模板1的压印方向的方向上的任何移动。

图3表示根据本发明的纳米压印模板1的第三实施例的剖视图。在图3所示的实施例中，压印部分2和3与基体部件5整合。因此，在第一和第二压印部分2和3与基体部件5之间的界面20和21，第一和第二压印部分2和3例如通过粘接剂粘接、阳极连接、熔合连接等被连接到基体部件5上，或者另一种选择是基体部件5与压印部分2和3可被制造成单件材料，例如半导体材料如Si或类似材料。在该实施例中，第一和第二压印部分2和3在基本上与压印模板1的压印方向平行的方向上独立移动的能力通过基体部件5的厚度大小相对于压印部分2和3的厚度T的适当设计来确保，这将在下面详细描述。应把压印部分2和3的宽度W相对于压印部分2和3的分离距离考虑在内。厚度T应该显著大于厚度t，从而薄基体部件5局部向上绕压印部分2或3弯曲，压印部分2和3由于压印处理过程中的某种缺陷而位置相对较高。因此，基体部件5具有隔膜类结构和功能。再有，在该实施例中，后部模型15由弹性体材料例如PDMS制造，这使得可以向模板1施加均匀的压印应力10。其次，如果任一压印部分2和3在压印过程中向上相对移动，则后部模型15可被弹性压缩。后部模型15还可提供支撑以保持压印部分2和3在压印处理过程中互相平行。

在任一上述实施例中，压印模板1可用于所谓的热纳米压印光刻(NIL)处理中，其中，待压印衬底包括聚合物例如PMMA，聚合物被加热到玻化温度以上。接着，模板1压在聚合物中且将图形复制到聚合物上。然后，开始冷却处理。在冷却导致聚合物温度下降到玻化温度以下使解除压印压力，最后将模板1从聚合物(在下面详细描述)离开。对于此类热NIL，也称为热压，基体部件5与压印部分2和3可通过下面将描述的公知微电子处理由单件石英半导体材料例如Si来制造。

在任一上述实施例中，压印模板1可用于所谓的紫外线纳米压印光刻(NIL)处理中，其中，待压印衬底包括紫外线硬化聚合物的顶层例如LR8765(BASF AG)。基体部件5与压印部分2和3应该相应地由透光材料制造以通过光硬化材料来制作光刻图案。适当的透明材料的实例为玻璃、石英(单晶或熔合)、钻石、聚合物例如SU-8等。可选择地或额外地，下面的衬底可由透明材料制造。应该注意的是，本发明具有的优点为，由任何缺陷造成的损害由于压印部分2和3地独立而通常限于待压印光刻图案上的独立位置。一个或多个压印部分2和3可连接到适当的传感器(图中未示出)，传感器能够检测压印部分2和3是否发生任何移动，且传感器可检测移动量。因此，整合的错误检测传感器阵列可安装在模板1上或与其整合。传感器可以是位于压印部分2和3后侧的原子力显微镜(AFM)型。或者，可使用压电或电容变化来将移动转变为表示移动的电信号。压电传感器可有利地与基体部件5整合，这对于硅树脂基体部件5特别有利。光束扫描也可用于与能够因压印部分2和3而改变一个或多个光学特性的透光后部模型15或偏光后部模型15连接。能够定位且甚至于使压印部分2和3的移动量子化是很有益的，这是因为光刻图案处理通常只是微米级或纳米级器件的许多额外制造步骤中的一个。因此，压印步骤中的错误检测可在产生更高效生产的定位错误的位置处造成多余的再制造步骤。

在下面的描述中，公开了如何根据第三实施例(图3所示)来制造和应用纳米压印模板1的实例。

图4表示根据用于热NIL的本发明第三实施例的模板1的制造步骤。在单侧抛光硅树脂晶片30中制造模板1。氧化物在硅树脂晶片30的两侧生长，后侧的氧化层通过缓冲氢氟酸(BHF)蚀刻来除去。所产生的晶片30表示于图4中，步骤A。

接着，将1.5微米光致抗蚀剂(AZ521e，Shipley)旋转涂在后侧并在负片处理(紫外线光刻)中显影以用于形成压印部分2和3。将300nm铝用电子束蒸镀(Alcatel SCM600)于后侧，且通过丙酮和超声波处理来完成去除。剩余的铝用作蚀刻掩模以用于在所产生的晶片30中使用深度反应离子蚀刻(STSASE)来产生孔35，如图4所示，步骤B。

具有硅树脂氧化物31的前侧涂有1.5微米光致抗蚀剂(AZ521e，Shipley)。光致抗蚀剂通过掩模而显影，其中，光刻图案7应位于掩模下。光刻图案7通过使用硅作为封闭层的BHF蚀刻而蚀刻在硅氧化层31上。可使用任一种光刻图案7，因为本发明并不限于具体的光刻图案7。更可期待的是，本发明可用于广阔范围的电子和微机械应用，例如光电子、纳米电子、微电子机械系统(MEMS)等。所产生的晶片30表示于图4中，步骤C。

使用另一种光致抗蚀剂处理以覆盖光刻图案7来作为蚀刻掩模，使用后来的反应离子蚀刻(RIE)来在硅中从前侧蚀刻1.7微米，产生图4所示的晶片31，步骤D，其中压印部分2和3台面结构形成。该台面结构可具有任一宽度，但优选宽度为0.5cm、1cm、1.5cm、2cm、2.5cm或3cm。

最后，晶片31的后部位于PDMS(Sylgaard 184)的后部模型15中且获得类似于图3所示模板的模板1，如图4所示，步骤E。

在特定实施例中，模板1的具体尺寸与可能的间隔的表示在表1中给出。

表1

参数	特定实施例(微米)	可能的间隔(微米)
参数	特定实施例(微米)	可能的间隔(微米)	隔膜厚度t	150	10-500
压印部分厚度T	550	20到晶片厚度	隔膜厚度t	150	10-500
压印部分厚度T	550	20到晶片厚度	压印部分宽度W	1000	10到晶片宽度
压印部分距离d	500	0-10000	压印部分宽度W	1000	10到晶片宽度

具有表1中给出的特定尺寸并使用结晶硅的机械常数，简化的弹性模量产生了所得到的用于压印部分2和3的1.85×10⁷N/m的有效弹性常数。因此，通过该有限弹性常数，模板1因例如待压印衬底的波动而产生的任何变形由于相应的压印应力和条件，例如0到10kN之间的压印应力，优选为1kN到10kN，而独立于基体部件5的周围部分。类似地，压印部分2和3地有限弹性常数可在1到1×10⁹N/m范围内，优选为1×10⁴到1×10⁷N/m范围内，这取决于压印条件。

模板相对于衬底构造的简单模式可通过考虑压力p来得到，需要该压力使已调整表面与完好的相对平面一致。压力可从平板偏转等式得到，参照L.D.Landau and E.M.Lifshitz，Theory of Elasticity，(1986)。

²²w(r)＝p(r)/D (1)

w(r)是垂直于表面的偏转，r是位置向量，D是抗挠刚度，由

D＝Eh³/[12(1-v²)] (2)得到，其中，E是杨氏模量，h是厚度，v是平板的泊松比。发明人所进行的实验表明，垂直于表面的偏转，也就是平面调节，可通过贝塞尔级数来估计，也就是，

w(r)＝aJ₀(kr) (3)

a为比例常数。因此，在假设圆柱对称的情况下，压力p可通过

p＝Dk⁴w＝4π⁴Eh³w(r)/[3λ⁴(1-v²)] (4)

得到，其中λ是表面调节的主波长。应该注意的是，使调节表面平坦所需的压力与表面厚度的三次方h³成比例，且与表面波动的四次方λ⁴成反比例。应该注意的是，表面厚度的三次方h³的该比例也将遵从上述的将压印部分2和3考虑为局部约束阻尼固支梁的单个弹性模式。

对于弹性压印状态，待压印衬底(参照图5，标记106)和模板1将具有特定的表面波动，因而使用等式(4)来计算压力以使模板1和衬底互相一致仅是近似值。然而，压力p的计算可使用w＝5、λ＝4cm及硅的材料常数来得到。通过h对应于压印部分2和3地厚度T，h＝550μm，压力p为7.4kPa，但对于h＝150μm，由于h对应于隔膜5的厚度t，所以压力p仅为0.13kPa。对于例如全部255kPa压印应力，对于隔膜5的相对压力变化仅为0.1％，但对于压印部分2和3地相对压力变化高达5.8％。因此，对于模板1，需要模板与衬底一致和最小的模板弯曲之间的折中通过定位向非关键区域弯曲的模板来解决，也就是弯向隔膜或基体部件5，且在模板1的关键区域，也就是压印部分2和3，保持高刚度或有效弹性常数。因此，模板1允许同时与衬底一致来进行压印以及压印部分2和3的控制。

图5表示根据本发明的模板1在平行板型压印工具内与衬底的层叠。模板1通过PDMS的后部模型15而固定于虚拟晶片104上。虚拟晶片104安装于铝箔103上以用于经上加热板102适当导热。加热板102能够被按压装置(未图示)下压，从而开始压印。最初，热塑性塑料105被加热到玻化温度以上，例如，对于PMMA，压印温度为170℃。压印应力10是2000N，且压印持续5分钟，并使用0.1mbar的室压。热塑性塑料105在衬底106上被固定于铝箔101上，且依次固定于加热板100上，类似于上加热板102。压印应力10在5分钟后或者在温度到达70℃时解除。冷却通过经加热板100和102中的导引通道(未图示)的流动液氮来开始。

平行板装置可以选择的是，根据本发明的模板1用于所谓的气动装置中。气动实验的结果与平行板装置所得结果没有明显不同。在气动装置中，压印应力从作用于模板1上的高气压产生，因而获得均匀的压印应力。气动压印的其它细节可在WO03/090985中找到。然而，该方法也可受益于本发明，这是因为气动方法没有解决衬底/衬底上聚合物膜弯曲、压印将模板压到衬底上的按压工具的弯曲、模板和衬底之间的空气滞留、待压印衬底的突出、压印位置处的灰尘或类似有害微粒等的问题。然而，这些问题可用本发明来消除或减小。

图6表示通过使用根据本发明第三实施例的模板1而在平行板装置中的涂有307nm厚(14.7nm(3σ)变幅)PMMA层的硅晶片上的已测量压印深度的图。压印由1562个压印区域构成，每个皆为1mm×1mm，每个压印区域由1mm长和25μm宽的8行图案构成。压印深度为249.4nm，且具有4.8nm(3σ)变幅。

图7表示已测量聚合物残留层例如模板突出部已被压印之处以下的厚度的图。聚合物残留层厚度为17.6nm，且具有13.6nm(3σ)变幅。

图6和7所示结果表示使用根据本发明的模板1的压印在大区域通过均匀压印。此外，如图7所示，得到具有可接受变幅的非常低的残留聚合物层。低残留聚合物层是用于进一步以纳米级进行装置的处理的关键参数。

虽然本发明与特定实施例相关联地进行描述，但并不是趋向于限制于上述特定形式。更恰当的是，本发明的范围仅由所附权利要求限定。在权利要求中，术语“包括”没有排除其它元件或步骤的存在。此外，虽然独立的特征可包括于不同权利要求中，这些特征可有益地进行结合，且不同权利要求中的内容不是暗示特征的结合是不可行的和/或不利的。此外，单数标记不排除多数。因此，提及“一个”、“第一”、“第二”等没有排除多个。再有，权利要求中的参考标记不能被看作是限制范围。

Claims

1.一种纳米压印模板，包括：基体部件及第一和第二压印部分，第一和第二压印部分可在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上独立地移动。

2.一种纳米压印模板，其包括与基体部件整合的第一和第二压印部分，其中，第一和第二压印部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上以机械方式弱接合。

3.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中第一和第二压印部分的有效弯曲刚度在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上显著大于基体部件的有效弯曲刚度。

4.根据权利要求3所述的纳米压印模板，其中，在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上第一和/或第二压印部分的有效弯曲刚度与基体部件的有效弯曲刚度之间的比率r_s可具有从10、20、30、40、50、60、70、80、90或100的组中选取的最小值。

5.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，第一和第二部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上可独立地移动以用于第一和/或第二压印部分的弹性移动。

6.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上可独立地移动以使移动基本上小于待压印光刻图案的平均高度。

7.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上可独立地移动以使移动基本上等于或大于待压印光刻图案的平均高度。

8.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上可独立地移动以使移动基本上小于待压印衬底的厚度变幅。

9.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分可在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上独立地移动以使第一和/或第二压印部分的移动处于1nm到10微米的范围内，优选为5到500nm，更优选为10到100nm。

10.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，纳米压印模板在压印过程中的弯曲主要位于基体部件上。

11.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分可在基本垂直于压印模板的压印方向的方向上基本相对固定。

12.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，其中，基体部件包括隔膜，隔膜连接第一和第二压印部分。

13.根据权利要求12所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分中的至少一个在与压印模板的压印方向基本平行的方向上具有比隔膜厚度(t)大的厚度(T)。

14.根据权利要求11所述的纳米压印模板，其中，至少一个压印部分的厚度(T)与隔膜厚度(t)之间的比率r_t可具有从1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、8、9或10的组中选取的最小值。

15.根据权利要求12所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分包括具有光刻图案的第一部分。

16.根据权利要求15所述的纳米压印模板，其中，光刻图案位于台面结构上。

17.根据权利要求10所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分包括形成隔膜部分的第二部分。

18.根据权利要求17所述的纳米压印模板，其中，第二部分制造为隔膜的整合部分。

19.根据权利要求12所述的纳米压印模板，其中，第一和第二压印部分包括第三部分。

20.根据权利要求19所述的纳米压印模板，其中，第三部分在相对压印方向的方向上从隔膜突出。

21.根据权利要求19所述的纳米压印模板，其中，至少第三部分封装于弹性后部模型中。

22.根据权利要求21所述的纳米压印模板，其中，弹性后部模型包括弹性体聚合物。

23.根据权利要求21所述的纳米压印模板，其中，弹性后部模型包括封闭流体。

24.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，包括传感机构，所述传感机构能够在基本上平行于压印模板的压印方向的方向上检测第一和第二压印部分中至少一个的移动。

25.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，由微电子处理装置制造。

26.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板，主要由具有至少1Gpa，优选至少10GPa或更优选至少100GPA杨氏模量的材料制造。

27.根据权利要求25所述的纳米压印模板，其中，压印模板包括半导体材料。

28.一种在接收衬底上压印光刻图案用的方法，其使用根据权利要求1或2所述的纳米压印模板。

29.根据权利要求28所述的在接收衬底上压印光刻图案用的方法，其中，压印过程中的压力可具有从10kPa、50kPa、100kPa、250kPa或300kPa的组中选取的近似最小值。

30.根据权利要求28所述的方法，其中，压印模板由平行板装置压向接收衬底。

31.根据权利要求28所述的方法，其中，压印模板由气动装置压向接收衬底。

32.根据权利要求28所述的方法，其中，接收衬底具有向内或向外弯曲的曲率。