KR20090097340A - Ｄｂｄ 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 DBD 플라즈마를 이용하여 오폐수를 정화방법에 관련된 것이다. 본 발명은 고압전극의 제1유전층과 접지전극의 제2유전층을 일정 간격으로 마주보도록 배치하여 반응공간을 형성하는 단계와; 상기 반응공간 내부로 오폐수를 투입하는 단계와; 상기 반응공간 내부로 반응기체를 투입하는 단계와; 상기 고압전극 및 상기 접지전극 사이에 고전압을 인가하여 상기 제1유전층과 상기 제2유전층 사이에 플라즈마 방전을 발생하는 단계와; 상기 플라즈마 방전에 의해 상기 반응기체가 활성 라디칼을 생성하고, 상기 활성 라디칼이 상기 오폐수와 반응하여, 상기 오폐수를 정화하는 단계와; 상기 정화 단계에 의해 정화된 정화수를 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 DBD 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법을 제공한다. 본 발명은 플라즈마 에너지로 오폐수를 정화하는 것으로서, 화학적 오폐수에 대하여 빠른 속도로 정화하며, 2차 오염을 발생하지 않는 친환경적으로 오폐수 처리 방법을 제공한다.

DBD 플라즈마, 플라즈마 정화장치, 수중 플라즈마

Description

ＤＢＤ 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법{SEWAGE PURIFY METHOD USING DBD PLASMA DISCHARGE}

본 발명은 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 플라즈마를 이용한 정화방법에 관련된 것이다. 특히, 본 발명은 오폐수(액체) 내에 기체를 투입하고, 기체-액체 2상 공간에 DBD 플라즈마를 발생시키고, 기체를 활성 라디칼로 만들어, 활성 라디칼과 오폐수를 반응시켜, 오폐수를 정화하는 방법에 관련된 것이다.

저온 플라즈마 발생기술은, 플라즈마를 이용한 활성입자로 수행하는 건식 에칭(dry etching), 반도체 분야에서 박막 형성에 이용하는 화학기상증착법, 불화탄소(PFC) 가스를 이용한 반도체용 증착 챔버 세정, 활성화된 이온 혹은 전자를 이용한 고체 표면 개질, 이온을 전기장으로 가속시켜 증착하는 스퍼터링 공법 등 다양한 분야에 응용되고 있다. 이와 같은 저온 플라즈마 발생기술은 주로 진공 중에서 이루어졌으나, 최근에는 대기압에서 플라즈마를 발생시키는 여러 가지 방법들이 개발되고 있다. 코로나 방전, 유전체장벽방전(DBD: Dielectric Barrier Discharge), 마이크로파 방전, 그리고 플라즈마 제트 등이 그것이다. 이 중에서 종래 기술에 의한 유전체장벽방전 방식의 대기압 플라즈마 발생장치를 도 1에 나타내었다.

유전체장벽방전 방식은 마주 보는 두 전극 (3a, 3b) 중 어느 하나 혹은 모두에 유전체 박막(1a, 1b)를 설치하고, 전원(5)에서 교류 혹은 펄스형 전압을 인가하여, 전극 전체 면적에서 플라즈마(7)를 발생하는 장치이다. 플라즈마 발생 면적이 넓고, 사용하는 전원의 특성에 따라 다양한 가스에서 방전이 일어나도록 할 수 있다. 또한, 1-10eV의 에너지를 가져 표면에서의 화학결합을 파괴하기에 적당하기 때문에, 표면 개질이나 표면 세정 등에 많이 사용되고 있다.

또한, 본 발명인이 이전에 대한민국 특허청에 출원한 발명 (출원번호 10-2006-0013831)에서 유전체장벽방전을 사용한 '반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치 및 방법'을 제시한 바 있다. 상기 '반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치 및 방법'은 유전체장벽방전을 액체-기체 2상 공간에서 발생하여, 포토레지스트 제거용 세정수를 만들어서 이를 이용하여 포토레지스트를 제거하는 장치 및 방법을 제시한 것이다.

이와 같은 종래의 유전체장벽방전 방식은 상압의 기체 공간 혹은 진공공간에서 반응 가스를 플라즈마로 활성화 시켜 고체상태의 대상물에 처리를 가하는 구조로 되어 있다. 즉, 고체 대상물에 대한 반응에만 사용할 수 있을 뿐 다양한 분야에 적용하는 데에는 한계가 있다. 또한, 본 발명인이 고안한 '반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치 및 방법'은 액체-기체 2상 공간에서 상기 기체의 활성라디칼을 상기 순수 내에 농축 용존 시키는 방법 및 장치에 국한된 것이다. 본 발명은 액체 상태의 물질에도 플라즈마 방전을 이용하여, 액체와 기체를 반응시키기 위한 방법을 제공하고자 한다. 본 발명은 액체-기체의 2상 공간에서 플라즈마를 발생하여, 오염된 액체(오염수)를 상기 기체에서 플라즈마로 활성화된 라디칼과 반응시켜 오염수를 정수하는 방법을 제공하고자 한다.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 DBD 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법은 고압전극의 제1유전층과 접지전극의 제2유전층을 일정 간격으로 마주보도록 배치하여 반응공간을 형성하는 단계와; 상기 반응공간 내부로 오폐수를 투입하는 단계와; 상기 반응공간 내부로 반응기체를 투입하는 단계와; 상기 고압전극 및 상기 접지전극 사이에 고전압을 인가하여 상기 제1유전층과 상기 제2유전층 사이에 플라즈마 방전을 발생하는 단계와; 상기 플라즈마 방전에 의해 상기 반응기체가 활성 라디칼을 생성하고, 상기 활성 라디칼이 상기 오폐수와 반응 하여, 상기 오폐수를 정화하는 단계와; 상기 정화 단계에 의해 정화된 정화수를 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 본 발명에 의하면, DBD 플라즈마 방전을 이용하여 반응기체와 혼합된 오폐수 내에서 플라즈마를 발생하여, 플라즈마 에너지로 오폐수를 정화하는 것으로서, 화학적 오폐수에 대하여 빠른 속도로 정화하는 장점과 효과가 있다. 또한, 전기적 에너지를 이용하여, 활성 라디칼에 의한 환원 방식에 의한 것으로 첨가제의 일종인 오폐수 중화제 등을 사용하지 않으므로, 이런 중화제에 의한 2차 오염문제가 발생하지 않는 친환경적으로 오폐수를 처리하는 효과 및 장점이 있다. 또한, 본 발명에 의한 방법으로는 일괄적인 처리 방법 및 연속적인 처리 방법을 선택적으로 조합하여 사용할 수 있으므로, 어떠한 방식 및 구성에도 손쉽게 적용할 수 있다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시 예를 도면을 참조하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 정체방식(In-Bath)의 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 처리장치를 나타내는 개략도이다. 도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유동방식 (In-Flow)의 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 처리 장치를 나타내는 개략도이다.

먼저, 도 2를 참조하여, 제1 실시 예에 의한 정체방식(In-Bath)의 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 처리장치의 구조 및 이를 이용한 오폐수 처리방법을 설명한다. 오폐수 처리조(101)의 상부에는 오폐수(100)를 상기 처리조(101) 내로 투입하 는 오폐수 공급기(103)가 연결되어 있다. 오폐수 처리조(101)의 하부에는 오폐수 (100)를 처리한 후에 정화된 정화수(200)를 처리조(101) 외부로 배출하는 정화수 배출기(105)가 연결되어 있다. 물은 높은 곳에서 낮은 곳으로 흐른다는 자연 원리를 이용해서, 오폐수(100)는 처리조(101)의 상부에서 투입되고, 정화수(200)는 처리조(101)의 하부로 배출되는 것이 바람직하기 때문에 이러한 구성을 하였으나, 필요에 따라서는, 이들 오폐수 공급기(103)와 정화수 배출기(105)의 위치를 설계 의도에 맞게 변경할 수 있다.

상기 오폐수 공급기(103)와 정화수 배출기(105)의 사이에는 DBD 플라즈마 발생기(111)와, 반응 기체 공급기(121)가 설치된다. 반응 기체 공급기(121)는 처리조(101)의 일측면에 연결된다. 처리조(101)를 관통하여 타측면에까지 연장되는 반응기체 공급관(123)이 반응기체 공급기(121)에 연결되어 있다. 상기 반응기체 공급관(123)의 위 측면에는 다수개의 반응기체 배출구멍(orifice)(125)들이 뚫려 있다. 그리고, 상기 반응기체 공급기(121)의 위쪽에는 반응기체 공급관(123)과 나란하게 배열된 DBD 플라즈마 발생기(111)가 설치되어 있다. 또한, 더욱 바람직하게는 상기 반응기체 공급관(123)과 상기 DBD 플라즈마 발생기(111) 사이에는 반응기체를 더욱 미세한 기체방울로 만들어주는 산기부(127)를 설치하는 것이 바람직하다.

본 제1 실시 예에서 사용하는 DBD 플라즈마 발생기(111)는 여러 가지 형태를 가질 수 있다. 몇 가지 가능한 구조에 대하여 살펴보면 다음과 같다. 도 4는 평행한 평판구조를 갖는 DBD 플라즈마 발생기를 나타내는 도면이다. 얇은 판상형을 갖는 고압전극(131)과 접지전극(135)이 서로 마주보며 평행하게 배치된다. 그리고, 고압전극 (131) 측에는 제1 유전층(133)이, 접지전극(135) 측에는 제2 유전층(137)이 서로 마주보도록 부착되어 있다. 제1 유전층(133)과 제2 유전층(137)은 일정 간격을 두고 떨어져 있어도 되지만, 필요한 경우에는 두 유전층들(133, 137)이 서로 붙어 있을 수도 있다. 상기 마주보도록 배치된 고압전극(131) 및 제1 유전층(133)과 접지전극(135) 및 제2 유전층(137) 사이의 공간에는 액체-기체 2상 반응 공간(139)이 된다. 따라서, 이 반응공간(139)으로 정화하고자 하는 오폐수 (100)와 반응기체(300)를 투입하기 위해서는 상기 고압전극(131) 및 제1 유전층 (133)과 접지전극(135) 및 제2 유전층(137)에는 액체와 기체를 모두 통과하기에 충분한 정도의 크기를 갖는 다수의 관통구멍들(141)을 형성한다. 상기 고압전극 (131) 및 접지전극(135)은 처리조(101)의 외부로 돌출되어 있고, 이 돌출된 전극들 (131, 135)에는 각각 플라즈마 + 전원(151)과 - 전원 혹은 접지 전원(153)이 연결된다. 또한, 제1 실시 예에서 사용하는 평판구조를 갖는 DBD 플라즈마 발생기는 처리조(101)의 단면 크기에 상응하는 넓은 판상 구조를 가질 수도 있고, 좁고 긴 판상 구조를 갖는 다수개의 DBD 플라즈마 발생기(111)를 옆으로 나열하여 구성할 수도 있다. 또한, 필요하다면, DBD 플라즈마 발생기(111)를 수직 방향으로 적층하여 구성할 수도 있다.

상기와 같은 제1 실시 예에 의한 정체방식(In-Bath)의 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 처리장치에서 오폐수 처리 방법을 살펴보면 다음과 같다. 오폐수 공급기(103)를 작동하여 처리조(101) 내부로 오폐수(100)를 공급한다. 미리 정해진 일 정량의 오폐수(100)가 처리조(101) 내에 채워지면, 오폐수 공급기(103)를 작동하여 오폐수(100) 공급을 차단한다. 상기 오폐수(100)의 공급과 차단을 자동으로 수행하도록 하기 위해 처리조 (101)의 일측면에 오폐수(100)의 수위를 감지하는 수준계(171)를 설치하고, 이 수준계(171)의 신호에 따라 오폐수 공급기(103)를 자동으로 개폐하도록 구성할 수도 있다.

반응기체 공급기(121)를 작동하여 반응기체(300)를 반응기체 공급관(123)으로 투입한다. 그러면, 반응기체(300)들이 반응기체 배출구멍(125)을 통해 방울 형태로 오폐수(100) 내로 투입된다. 또한, 반응기체 공급관(123)의 외부에 설치된 산기부(127)에 의해 반응기체(300)들은 더욱 작은 미세한 기포의 형태로 분산된다. 기포의 형태로 분산된 반응기체(300)는 DBD 플라즈마 발생기(111)의 관통구멍(141)들을 통해, 이미 오폐수(100)로 채워져 있는 반응공간(139)으로 투입된다. 이로써, 반응공간(139)은 액체-기체 2상 공간이 형성된다. 이때, 플라즈마 전원을 작동하여, 플라즈마 발생기(111)의 고압전극(131)과 접지전극(135)에 전원을 인가한다. 그러면, 플라즈마 에너지에 의해 반응기체(300)는 활성 라디칼을 생성한다. 활성 라디칼은 오폐수(100)에 포함된 오염물질과 반응하여, 오폐수(100)를 정화한다.

이상 제1 실시 예에서 사용한 DBD 플라즈마 발생기(111)는 평행한 평판구조를 갖는 것이었으나 이와 다른 형태의 것을 사용할 수도 있다. 도 5는 동심 원통형 구조를 갖는 DBD 플라즈마 발생기를 나타내는 도면이다. 직경 d를 갖는 속이 찬 원기둥형 상을 갖는 고압전극(131)을 준비한다. 상기 고압전극(131)의 외주면 에 제1 유전층(133)을 밀착시켜 둘러싼다. 상기 고압전극(131)과 동심원을 이루며 상기 고압전극의 직경 d보다 큰 직경값 D를 갖는 원통형 접지전극(135)을 준비한다. 상기 접지전극(135)의 내주면에 제2 유전층(137)을 고르게 밀착시켜 두른다. 상기 제1 유전층(133)과 상기 제2 유전층(137)이 일정한 간격을 두고 동심원상에 놓이도록 고압전극(131)을 접지전극(135)의 내부에 배치한다. 그러면, 고압전극(131)의 제1 유전층(133)과 접지전극(137)의 제2 유전층(137) 사이의 원통형 공간이 액체-기체 2상 플라즈마 반응공간(139)으로 형성된다. 여기서, 액체와 기체가 상기 반응공간(139)으로 원활하게 유입될 수 있도록, 접지전극(135)과 제2 유전층(137)을 관통하는 다수개의 관통구멍(141)을 형성하는 것이 바람직하다.

다음으로 본 발명의 제2 실시 예에 대하여 설명한다. 제2 실시 예는 유동방식(In-Flow)으로서, 오폐수가 머무르지 않고 일정한 유속으로 흘러가면서 정화되는 방식이다. 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유동방식(In-Flow)의 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 처리 장치를 나타내는 개략도인 도 3을 참조하여 설명한다.

판상형의 고압전극(131)과 접지전극(135)을 각각 위 아래로 배치하여 서로 마주보도록 구성하고, 고압전극(131)과 접지전극(135)이 마주보는 내측 면에 각각 제1유전층(133)과 제2유전층(137)을 부착한다. 그리고, 상기 제1유전층(133)과 제2유전층(137)이 일정한 간격을 갖도록 이격시켜 놓는다. 그러면, 그 사이 공간이 오폐수인 액체와 반응기체가 플라즈마 방전에 의해 반응을 이루는 반응공간 (139)이 된다. 상기 반응공간(139)의 일측면에서 오폐수(100)가 유입될 수 있도록 오폐수 유입 파이프(107)를 연결하고, 그 마주보는 대향측면에는 정수된 정화수 (200) 를 배출하는 정화수 배출 파이프(207)를 연결한다. 오폐수 유입 파이프(107)는 오폐수 공급기(103)에 의해 개폐되고, 정화수 배출 파이프(207)는 정화수 배출기(105)에 의해 개폐된다. 그리고, 상기 고압전극(131)과 접지전극(135)의 외부에는 외부와의 단락을 방지하기 위한 하우징(500)으로 감싸는 것이 바람직하다. 또한, 오폐수 유입 파이프(105)와 나란하게 반응기체(300)를 상기 반응공간(139)으로 투입할 수 있는 반응기체 공급관(123)을 연결한다. 더욱이, 상기 반응기체 (300)가 상기 오폐수(100)와 더욱 잘 섞이게 하기 위해서 반응기체 공급관(123)의 단부에는 산기부(127)가 배치되는 것이 바람직하다.

이제 상기와 같은 본 발명의 제2 실시 예에 의한 오폐수 처리 과정을 살펴본다. 오폐수 공급기(103)을 작동하여 오폐수 유입 파이프(107)을 통해, 반응공간 (139) 내부로 오폐수(100)를 투입한다. 또한, 반응기체 공급기(121)도 열어서, 반응기체(300)를 반응공간(139) 내부로 공급한다. 반응기체(300)는 산기부(127)를 통과하면서, 아주 미세한 기포로 형성되어 오폐수(100)와 섞인다. 이때, 고압전극 (131)과 접지전극(135) 사이에는 플라즈마 방전을 위한 전압을 인가한다. 그러면, 마주보고 있는 제1 유전체(133)와 제2 유전체(137) 사이의 반응 공간(139)에서 플라즈마 방전이 일어나고, 이 에너지로 인해 반응기체 (300)가 이온화되어 활성 라디칼을 생성한다. 이 활성 라디칼은 오폐수(100)에 섞여 있는 불순물질과 반응하여 오폐수(100)를 정화한다.

본 제2 실시 예에 의한 오폐수 처리 방법은 오폐수를 계속해서 흘려 보내면서 정화를 하도록 설계한 것이다. 그러나, 필요에 따라서는 오폐수 및/또는 정화 수의 흐름을 잠시 정지하여야 할 필요가 있을 수 있다. 따라서, 오폐수 유입 파이프(107)에 연결된 오폐수 공급기(103)과 정화수 배출 파이프(207)에 연결된 정화수 배출기(105)를 개폐함으로써 이를 조절할 수 있다.

본 발명은 유기물질이 용존된 오염수에서 유기물질을 화학적으로 분해함으로써 오폐수를 정화하는 방법을 제공하는 것이다. 따라서, 대표적인 유기물질 중 하나인 메틸오렌지와 같은 오렌지색 시약을 물에 섞어서, 오염수를 만든 후에, 이 메틸오렌지 수를 본 발명에 의한 오폐수 처리 방법으로 처리한 결과, 메틸오렌지가 완전히 분해되는 결과를 얻을 수 있었다. 즉, 플라즈마 방전으로 인해 물과 공기에서 O^- 및 OH^-와 같은 라디칼이 생성되고, 이 라디칼들이 유기물질의 구성요소인 탄소와 반응하여 CO₂로 변하면서, 유기물질이 완전히 분해되는 것으로 사료된다. 물에 용해되는 시약 중에서 분해하기가 가장 어려운 메틸오렌지가 본 발명에 의해 쉽게 분해된 결과를 얻은 것으로 보아, 본 발명은 일반적인 거의 모든 유기물을 분해 시킬 수 있을 것으로 기대한다. 또한, 본 발명의 수중 플라즈마 발생기를 이용하여, 물속에 용존하는 유기물질을 분해한 후에, 필요하다면, 추가적으로 다른 정화 공정을 더 수행할 수도 있다.

본 발명의 실시 예에서는 본 발명의 기본적인 개념을 설명하기 위해, 단일 구성을 갖는 정체방식(In-Bath) 및 유동방식(In-Flow)을 중심으로 설명하였다. 그러나, 처리해야 할 오폐수의 양에 따라 필요한 경우라면, 상기와 같은 정체방식 혹은 유동방식에 의한 오폐수 처리 장치를 복수개를 구성하고 이를 각각 직렬 혹은 병렬로 연결하여, 한번에 다량의 오폐수를 처리하든지, 연속하여 오폐수를 처리하여 더욱 정화도를 높이든지 할 수 있다. 또한, 정체방식과 유동방식을 혼용하여 사용하여 새로운 구성을 이룩할 수도 있다. 앞에서 설명하고 도면에 나타낸 본 발명의 실시 예들은, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.

도 1은 종래 기술에 의한 유전체장벽방전 방식의 대기압 플라즈마 발생장치를 나타내는 개략도

도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 정체방식(In-Bath)의 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 처리장치를 나타내는 개략도

도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유동방식(In-Flow)의 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 처리 장치를 나타내는 개략도

도 4는 평행한 평판구조를 갖는 DBD 플라즈마 발생기를 나타내는 사시도

도 5는 동심 원통형 구조를 갖는 DBD 플라즈마 발생기를 나타내는 사시도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1A, 1b: 유전체 박막 31, 3b: 전극

5: 전원 7: 플라즈마

100: 오폐수 101: 오폐수 처리조

103: 오폐수 공급기 105: 정화수 배출기

107: 오폐수 유입 파이프 111: DBD 플라즈마 발생기

121: 반응기체 공급기 123: 반응기체 공급관

125: 반응기체 배출구멍 127: 산기부

131: 고압전극 133: 제1 유전층

135: 접지전극 137: 제2 유전층

139: 액체-기체 2상반응공간 151: + 전원

153: 접지 전원 171: 수준계

200: 정화수 300: 반응기체

500: 하우징

Claims (4)

1. 고압전극의 제1유전층과 접지전극의 제2유전층을 일정 간격으로 마주보도록 배치하여 반응공간을 형성하는 단계와;

   상기 반응공간 내부로 오폐수를 투입하는 단계와;

   상기 반응공간 내부로 반응기체를 투입하는 단계와;

   상기 고압전극 및 상기 접지전극 사이에 고전압을 인가하여 상기 제1유전층과 상기 제2유전층 사이에 플라즈마 방전을 발생하는 단계와;

   상기 플라즈마 방전에 의해 상기 반응기체가 활성 라디칼을 생성하고, 상기 활성 라디칼이 상기 오폐수와 반응하여, 상기 오폐수를 정화하는 단계와;

   상기 정화 단계에 의해 정화된 정화수를 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 DBD 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 반응기체를 투입하는 단계에서, 상기 반응기체는 산기부를 통과하는 단계를 더 구비하여 상기 오폐수와 섞이는 것을 특징으로 하는 DBD 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 오폐수를 투입하는 단계는, 수조에 일정양이 되도록 상기 오폐수를 채우고;

   상기 플라즈마 방전 발생 단계와 상기 오폐수 정화 단계를 거친 후;

   상기 정화수를 배출하는 단계는, 정화된 정화수를 일시에 배출하는 것을 특징으로 하는 DBD 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 오폐수를 투입하는 단계는, 상기 반응 공간 내부로 연속적인 유동을 갖도록 상기 오폐수를 투입하고;

   상기 반응기체를 투입하는 단계는, 상기 연속적인 유동을 갖는 오폐수의 투입과 동시에 연속적으로 투입하고;

   상기 오폐수 정화 단계에서는, 상기 연속적인 유동을 하는 상기 오폐수와 상기 반응기체에 의해 연속적인 유동을 하는 정화수를 생성하고;

   상기 정화수 배출단계에서 상기 연속적인 유동을 하는 정화수가 배출되는 것을 특징으로 하는 DBD 플라즈마 방전을 이용한 오폐수 정화방법.

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