KR20090094548A - 페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자 부품 - Google Patents

페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자 부품 Download PDF

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Abstract

고온발열체용 페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자부품이 제공된다. 페이스트 조성물은 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하거나, 루테늄과 팔라듐에서 선택된 적어도 하나와 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하는 전체 조성물 100중량부에 대하여, 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나는 0.01 내지 20중량부로 포함된다.
페이스트, 발열, 저항체막, 탄소나노튜브

Description

페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자 부품{PASTE COMPOSITION, AND RESISTOR FILM AND ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING THE SAME}
본 발명은 페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자 부품에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온발열체용 페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자 부품에 관한 것이다.
일반적인 고온발열체용 페이스트에는 은(Ag), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru)계 산화물이 주로 사용되고 있다.
이러한 고온발열체용 페이스트에 사용되는 저저항 도전성 물질인 은(Ag)은 양의 온도저항계수를 갖기 때문에 자체로는 발열 저항으로 사용하기 어렵다. 따라서, 이를 보완하기 위해 고온발열체용 페이스트에 팔라듐(Pd)과 루테늄(Ru)이 첨가되고, 루테늄(Ru)의 경우에는 은(Ag)에 비하여 비저항이 높기 때문에 낮은 저항값을 갖기 위해서는 고가의 루테늄(Ru)이 다량으로 첨가되어야 한다. 그러나 이러한 은(Ag) 대비 루테늄(Ru) 비율의 증가는 저항의 증가를 가져오기 때문에 루테늄(Ru)의 첨가량에는 한계가 있다.
따라서, 저항의 증가를 억제하는 동시에 안정된 온도저항계수를 갖는 고온발 열체용 페이스트에 대한 연구 개발이 요구되고 있는 실정이다.
이에 본 발명에서는 낮은 저항을 갖고, 안정된 온도 저항 계수를 갖는 고온발열체용 페이스트 조성물을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명에서는 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함하여 이루어진 저항체막을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명에서는 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함하여 이루어진 저항체막을 포함하는 전자 부품을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하거나, 루테늄과 팔라듐에서 선택된 적어도 하나와 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하는 전체 조성물 100중량부에 대하여, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나는 상기 조성물에 0.01 내지 20중량부로 포함된다.
이러한 상기 페이스트 조성물은 상기 은 5 내지 60중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 40 중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40 중량부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 페이스트 조성물은 상기 은 10 내지 60중량부, 상기 루테늄 0.25 내지 20중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40 중량부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 페이스트 조성물은 상기 은 10 내지 60중량부, 상기 팔라듐 0.25 내지 20중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 페이스트 조성물은 상기 은 10 내지 60중량부, 상기 루테늄 0.25 내지 5중량부, 상기 팔라듐 0.25 내지 10중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함할 수 있다.
이러한 상기 페이스트 조성물에서 상기 유리 프릿은 400 내지 850℃의 연화점을 가질 수 있다.
또한, 상기 페이스트 조성물에서 상기 탄소나노튜브는 100 내지 600㎡/g 범위의 비표면적을 가질 수 있고, 이러한 상기 탄소나노튜브는 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브, 및 박벽 탄소나노튜브에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 페이스트 조성물에서 상기 탄소섬유는 탄소나노섬유일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 저항체막은 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 부품은 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함하여 이루어진 저항체막을 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 또는 탄소섬유를 포함하는 고온발열체용 페이스트 조성물은 저항체 크기에 따른 면저항값 및 온도저항계수의 변화가 적고, 낮은 면저항값 및 온도저항계수를 가지며, 다양한 발열체의 저항체로서 적용될 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
또한, 본 명세서의 은(Ag)은 순수한 은(Ag)뿐만 아니라 은(Ag) 산화물 또는 은(Ag) 화합물을 포함하고, 루테늄(Ru) 또한 순수한 루테늄(Ru)뿐만 아니라 루테늄(Ru) 산화물 또는 루테늄(Ru) 화합물을 포함하며, 팔라듐(Pd) 또한 순수한 팔라듐(Pd) 뿐만 아니라 팔라듐(Pd) 산화물 또는 팔라듐(Pd) 화합물을 포함한다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT)와 탄소섬유(carbon fiber)에서 선택된 적어도 하나와 은(Ag)을 포함하는 이루어진다.
은(Ag)은 저저항용 도전성 물질로서, 열과 전기에 대하여 우수한 도체이지만, 양의 온도저항계수를 갖기 때문에, 그 자체로는 발열 저항으로 사용하기에는 어려움이 있다.
이러한 은(Ag)의 단점을 극복하기 위해, 구리(Cu)에 필적하는 전기 전도도를 가지면서도, 음의 온도저항계수를 갖는 탄소나노튜브 및/또는 탄소섬유를 함께 혼합하여, 저항의 증가를 억제하면서도 동시에 안정된 온도 저항 계수를 갖는 고온발열체용 페이스트 조성물을 제공할 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 상기 페이스트 조성물은 은(Ag) 5 내지 60중량부, 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿(glass flit) 5 내지 40중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다.
상술한 중량부 범위의 은(Ag)은 페이스트 조성물이 낮은 저항값을 갖도록 하며, 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성시키는 경우, 저항체막이 고온으로 발열되어 손상되는 것을 방지한다.
또한, 유리 프릿은 페이스트 조성물의 바인더(binder)로서, 상술한 중량부 범위의 유리 프릿은 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성하는 경 우, 저항체막의 강도를 증가시키고, 저항체막의 기판에의 부착력을 증가시킬 뿐만 아니라, 낮은 면저항값과 온도저항계수를 갖도록 한다.
또한, 유기 바인더는 페이스트 조성물 내의 각 구성 성분의 분산을 용이하게 하고, 페이스트 조성물의 실크 인쇄 시 인쇄 도막의 균일성을 확보하기 위한 적절한 점도를 제공한다. 이러한 유기 바인더로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 에틸셀룰로즈, 메틸셀룰로즈, 니트로셀룰로즈, 카복시메틸셀룰로즈 등의 셀룰로즈 유도체와 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르, 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 등의 수지 성분이 사용될 수 있다.
또한, 탄소나노튜브 또는 탄소섬유는 전체 페이스트 조성물 100중량부에 대해, 예를 들어 약 0.01 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 탄소나노튜브 또는 탄소섬유는 무게 대비 부피비가 매우 크기 때문에 소량으로 페이스트 조성물에 존재하더라도 페이스트 조성물의 점도 유지가 가능하고, 유리 프릿의 바인더로서의 역할을 돕는다.
탄소나노튜브는 예를 들어 100 내지 600㎡/g 범위의 비표면적을 가질 수 있으며, 예를 들어 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브, 및 박벽 탄소나노튜브에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 페이스트 조성물에 적용되는 탄소섬유는 예를 들어 탄소나노섬유일 수 있다.
상술한 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브 등의 탄소나노튜브는 열전도도와 전기전도도가 우수하여 가장 활용도가 높으며 산화 온도가 비교적 높아 상대적으로 높은 온도의 발열체의 소재로 적합하며, 탄소나노섬유는 탄소나노튜브 보다 열전도도와 전기전도도는 떨어지나 가격이 저렴하며 상대적으로 낮은 온도의 발열체의 소재로 적용하기 용이하다.
이외에도, 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에는 점도를 조절하기 위하여, 예를 들어 터피놀, 부틸칼비톨 아세테이트, 부틸칼비톨 등의 유기 용매가 포함될 수 있다.
계속해서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다.
본 발명의 다른 실시에에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은(Ag)과, 루테늄(Ru)을 포함하여 이루어진다.
이러한 본 발명의 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 상기 페이스트 조성물은 은(Ag) 10 내지 60중량부, 루테늄(Ru) 0.25 내지 20중량부, 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다.
루테늄(Ru)은 음의 온도저항계수를 갖는 것으로, 상술한 중량부 범위의 루테늄은 페이스트 조성물이 낮은 저항값을 갖도록 하고, 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성하는 경우 막의 표면 평활성을 증가시킨다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에서 루테늄(Ru) 이외에 은(Ag), 탄소나노튜브, 탄소섬유, 유리 프릿, 및 유기 바인더는 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에서와 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 중복되는 설명은 생략한다.
계속해서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와, 은(Ag)과, 팔라듐(Pd)을 포함하여 이루어진다.
이러한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 상기 페이스트 조성물은 은(Ag) 10 내지 60중량부, 팔라듐(Pd) 0.25 내지 20중량부, 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다.
팔라듐(Pd)은 양의 온도저항계수를 갖는 은(Ag)을 보완하기 위한 것으로, 상술한 중량부 범위의 팔라듐(Pd)은 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성하는 경우 막의 기계적 물성을 향상시킨다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에서 팔라듐(Pd) 이외의 은(Ag), 탄소나노튜브, 탄소섬유, 유리 프릿, 및 유기 바인더는 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에서와 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 중복되는 설명은 생략한다.
계속해서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와, 은(Ag), 루테늄(Ru)과, 팔라듐(Pd)을 포함하여 이 루어진다.
이러한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 은(Ag) 10 내지 60중량부, 루테늄(Ru) 0.25 내지 5중량부, 팔라듐(Pd) 0.25 내지 10중량부, 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에서, 은(Ag), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd)과 탄소나노튜브, 탄소나노섬유는 상술한 바와 같은 실시예들에서 설명된 바와 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물들은 은(Ag), 루테늄(Ag) 등의 발열에 따른 저항 증가분과 탄소나노튜브 등의 저항 감소분이 서로 상쇄됨으로서, 발열에 따른 저항의 변화를 줄일 수 있다. 이는 발열 전후의 저항의 변화가 거의 없음을 의미하며, 발열체의 저항 설계의 용이성과 안정성을 가질 수 있음을 의미한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물들은 세라믹이나 절연 처리를 한 금속 등의 기판에 실크 인쇄를 통하여 저항체막을 형성할 수 있으며, 저항의 조절이 자유로워 다양한 전자 부품에 적용이 가능하다.
이하, 실험예들과 비교예들을 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실험예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실험예들 에 의하여 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.
실험예 1
은(Ag) 분말 40중량부, 팔라듐(Pd) 분말 5중량부, 단일벽 탄소나노튜브 10중량부, 유리 프릿 35중량부 및 에틸셀룰로즈 10중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 17㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 9㎛였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
실험예 2
은(Ag) 분말 42중량부, 루테늄(Ru) 분말 3중량부, 단일벽 탄소나노튜브 15중량부, 유리 프릿 32중량부, 및 에틸셀룰로즈 8중량부에 테레비네올을 가하여 점도 를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 8㎛였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
실험예 3
은(Ag) 분말 40중량부, 루테늄(Ru) 분말 2중량부, 팔라듐(Pd) 분말 5중량부, 단일벽 탄소나노튜브 12중량부, 유리 프릿 31중량부, 및 에틸셀룰로즈 10중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 20㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온 하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 12㎛였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
실험예 4
은(Ag) 분말 40중량부, 단일벽 탄소나노튜브 15중량부, 유리 프릿 33중량부, 및 에틸셀룰로즈 12중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 7㎛였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
비교예 1
은(Ag) 분말 55중량부, 팔라듐(Pd) 분말 6중량부, 유리 프릿 31중량부, 및 에틸셀룰로즈 8중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 16㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 9㎛였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
비교예 2
은(Ag) 분말 55중량부, 루테늄(Ru) 분말 5중량부, 유리 프릿 30중량부, 및 에틸셀룰로즈 40중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합 하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 7㎛였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
비교예 3
은(Ag) 분말 45중량부, 루테늄(Ru) 분말 2중량부, 팔라듐(Pd) 분말 5중량부, 유리 프릿 37중량부, 및 에틸셀룰로즈 48중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였 다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 9㎛였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
표 1
구분 저항 측정값(Ω)
초기 저항값 발열시 저항값
실험예 1 412 436
실험예 2 410 385
실험예 3 405 392
실험예 4 420 429
비교예 1 403 840
비교예 2 410 823
비교예 3 418 823
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물에 의해 형성된 저항체막을 포함하는 실험예 1 내지 4의 발열체의 초기 저항값과 발열시 저항값을 비교하여 보면, 발열시 저항값은 초기 저항값과 유사하거나 오히려 낮아지는 것을 알 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 3의 발열체의 발열시 저항값은 초기 저항값에 비해 약 2배 정도 증가됨을 알 수 있다.
이로부터, 본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물은 저항의 증가를 억제하면서도, 동시에 안정된 온도저항계수를 갖는 것을 알 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명 의 범위는 상기와 같은 특정 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.

Claims (11)

  1. 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하거나, 루테늄과 팔라듐에서 선택된 적어도 하나와 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하는 전체 조성물 100중량부에 대하여,
    상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나는 0.01 내지 20중량부로 포함되는 페이스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물은
    상기 은 5 내지 60중량부;
    상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부;
    유리 프릿 5 내지 40중량부; 및
    유기 바인더 10 내지 40 중량부를 포함하는 페이스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물은
    상기 은 10 내지 60중량부;
    상기 루테늄 0.25 내지 20중량부;
    상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부;
    유리 프릿 5 내지 35중량부; 및
    유기 바인더 10 내지 40 중량부를 포함하는 페이스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물은
    상기 은 10 내지 60중량부;
    상기 팔라듐 0.25 내지 20중량부;
    상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부;
    유리 프릿 5 내지 35중량부; 및
    유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하는 페이스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물은
    상기 은 10 내지 60중량부;
    상기 루테늄 0.25 내지 5중량부;
    상기 팔라듐 0.25 내지 10중량부;
    상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부;
    유리 프릿 5 내지 35중량부; 및
    유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하는 페이스트 조성물.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 400 내지 850℃의 연화점을 갖는 페이스트 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브는 100 내지 600㎡/g 범위의 비표면적을 갖는 페이스트 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브는 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브, 및 박벽 탄소나노튜브에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 페이스트 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 탄소섬유는 탄소나노섬유인 페이스트 조성물.
  10. 제 1 항에 따른 페이스트 조성물을 포함하는 저항체막.
  11. 제 10 항의 저항체막을 포함하는 전자부품.
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