KR20090092935A - Bonding method of probe - Google Patents

Bonding method of probe

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KR20090092935A
KR20090092935A KR1020080018193A KR20080018193A KR20090092935A KR 20090092935 A KR20090092935 A KR 20090092935A KR 1020080018193 A KR1020080018193 A KR 1020080018193A KR 20080018193 A KR20080018193 A KR 20080018193A KR 20090092935 A KR20090092935 A KR 20090092935A
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probe
pad
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bonding
probes
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KR1020080018193A
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한정섭
전병일
유정희
박희진
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윌테크놀러지(주)
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    • GPHYSICS
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    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor

Abstract

A bonding method of a probe is provided to utilize data for the bonding process by separately managing data for the unusual condition of probe and probe. The probe(100) is formed with the vertical type or the cantilever type. The probe pad(210) is formed in the substrate(200). The circuit pattern and probe are mounted to the probe pad. The substrate is a space transformer of the multilayer ceramic substrate. The conductivity powder is coated on the probe pad. The probe is arranged on the probe pad to be bonded to the pad.

Description

프로브 본딩 방법{BONDING METHOD OF PROBE}Probe bonding method {BONDING METHOD OF PROBE}

본 발명은 프로브 본딩 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판에 프로브를 본딩하는 프로브 본딩 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe bonding method, and more particularly, to a probe bonding method for bonding a probe to a substrate.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.In general, semiconductor devices have a fabrication process of forming contact pads for circuit patterns and inspections on a wafer, and an assembly process of assembling wafers having circuit patterns and contact pads into respective semiconductor chips. It is manufactured through.

페브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.Between the fabrication process and the assembly process, an inspection process is performed in which an electrical signal is applied to the contact pads formed on the wafer to inspect the electrical properties of the wafer. This inspection process is performed to inspect a defect of a wafer and to remove a portion of a wafer in which a defect occurs during an assembly process.

검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.In the inspection process, inspection equipment called a tester for applying an electrical signal to a wafer and probe equipment for performing an interface function between the wafer and the tester are mainly used. Among them, the probe card includes a printed circuit board that receives an electrical signal applied from a tester and a plurality of probes in contact with contact pads formed on the wafer.

최근에, 고 집적 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴 및 회로 패턴과 연결된 접촉 패드가 고 집적으로 형성된다. 즉, 이웃하는 접촉 패드간의 간격이 매우 좁고, 접촉 패드 자체의 크기도 미세하게 형성된다. 이에 의해, 검사 공정 시 사용하는 프로브 카드의 프로브는 접촉 패드와 접촉해야 하기 때문에 접촉 패드에 대응하여 이웃하는 프로브간의 간격이 매우 좁게 형성되어야 하며, 프로브 자체의 크기도 미세하게 형성되어야 한다.In recent years, as the demand for high integrated chips increases, circuit patterns formed on the wafer by the fabrication process and contact pads connected with the circuit patterns are highly integrated. That is, the spacing between neighboring contact pads is very narrow, and the size of the contact pad itself is also finely formed. As a result, since the probe of the probe card used in the inspection process must be in contact with the contact pad, the distance between neighboring probes corresponding to the contact pad must be formed very narrowly, and the size of the probe itself must also be finely formed.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 종래의 프로브 카드의 제조 방법에 대하여 살펴본다.Hereinafter, a method of manufacturing a conventional probe card will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1 내지 도 3은 종래의 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 to 3 are diagrams for explaining a conventional method of manufacturing a probe card.

우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 희생 기판(10)에 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용해 개구(11)를 형성하고, 상기 개구(11)에 도전성 물질을 채워 프로브(20)를 형성한다.First, as shown in FIG. 1, an opening 11 is formed in a sacrificial substrate 10 using photolithography technology, and a probe 20 is formed by filling a conductive material in the opening 11.

다음, 도 2에 도시된 바와 같이, 희생 기판(10)에 형성된 프로브(20)를 기판(30)에 형성되어 있는 프로브 패드(31)에 본딩한다.Next, as shown in FIG. 2, the probe 20 formed on the sacrificial substrate 10 is bonded to the probe pad 31 formed on the substrate 30.

다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 희생 기판(10)을 프로브(20)로부터 분리함으로써 프로브 카드가 완성된다.Next, as shown in FIG. 3, the probe card is completed by separating the sacrificial substrate 10 from the probe 20.

이상과 같은 종래의 프로브 카드의 제조 방법은 반도체의 패턴 형성에 사용되는 포토리소그래피 기술을 이용하기 때문에 프로브(20) 자체의 크기를 미세하게 형성할 수 있으며, 이웃하는 프로브(20)간의 간격도 매우 좁게 인쇄 회로 기판(30)에 형성시킬 수 있다.Since the conventional method of manufacturing a probe card as described above uses a photolithography technique used to form a pattern of a semiconductor, the size of the probe 20 itself can be finely formed, and the spacing between neighboring probes 20 is very large. The printed circuit board 30 can be narrowly formed.

그러나, 종래의 프로브 카드의 제조 방법에 따르면, 희생 기판(10)에 형성된 복수 개의 프로브(20)를 일괄하여 기판(30)에 본딩하므로, 희생 기판(10)에 형성된 복수 개의 프로브(20) 중 일부 프로브(20)에 이상이 있는 경우에도, 이상이 있는 프로브가 그대로 기판(30)에 본딩되는 문제점이 있다. 이로 인해, 추가적인 공정에 의해 이상이 있는 프로브(20)를 이상이 없는 프로브(20)로 일일이 교체해야 하는 번거로움이 발생한다. 이는 제조 기간 및 제조 비용을 높이는 요인으로 작용한다. However, according to the conventional method of manufacturing a probe card, the plurality of probes 20 formed on the sacrificial substrate 10 are collectively bonded to the substrate 30, and thus, among the plurality of probes 20 formed on the sacrificial substrate 10. Even when some of the probes 20 are abnormal, there is a problem that the abnormal probe is bonded to the substrate 30 as it is. As a result, the inconvenience of having to replace the probe 20 having an abnormality with the probe 20 having no abnormality by an additional process. This increases the manufacturing period and manufacturing cost.

또한, 복수 개의 프로브(20)를 일괄하여 기판(30)에 형성된 프로브 패드(31)에 본딩하므로, 일부 프로브(20)가 프로브 패드(31) 상에 정확히 정렬되지 않는 불량이 발생할 수 있다. 이 경우, 복수 개의 프로브(20)를 기판(30)에 본딩한 후, 추가적인 공정에 의해 복수 개의 프로브(20)의 정렬 상태를 검사하여 정렬 상태가 불량인 프로브(20)가 있을 때에는 이를 제거하여 정렬 상태를 올바르게 재차 본딩해야 하는 문제가 발생한다. In addition, since the plurality of probes 20 are collectively bonded to the probe pads 31 formed on the substrate 30, a defect may occur in which some probes 20 are not aligned correctly on the probe pads 31. In this case, after bonding the plurality of probes 20 to the substrate 30, the alignment state of the plurality of probes 20 is inspected by an additional process to remove the probes 20 when the alignment state is poor. The problem arises in that the alignment must be correctly bonded again.

또한, 종래의 방법에서는 기판(30)에 형성된 프로브 패드(31)의 상태는 별도로 검사하지 않기 때문에, 기판(30)에 형성된 일부 프로브 패드(31)에 이상이 있는 경우, 이 프로브 패드(31)에 프로브(20)가 본딩된다면, 전기 신호가 통전되지 않는 불량이 발생한다고 하는 문제가 있다.In addition, since the state of the probe pad 31 formed in the board | substrate 30 is not examined separately in the conventional method, when the some probe pad 31 formed in the board | substrate 30 has an abnormality, this probe pad 31 is carried out. If the probe 20 is bonded to each other, there is a problem that a defect occurs in which an electric signal is not energized.

아울러, 종래의 방법에서는 상기와 같은 프로브(20) 및 프로브 패드(31)의 이상 상태에 관한 데이터를 별도로 관리, 활용을 하지 않기 때문에, 이상의 원인을 파악하고, 이상의 회수를 줄이는 데 어려움이 있다. In addition, in the conventional method, since data related to the abnormal state of the probe 20 and the probe pad 31 are not separately managed and utilized, it is difficult to identify the cause of the abnormality and reduce the number of abnormalities.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 프로브를 기판에 본딩할 시 본딩 상태의 이상 유무 및 프로브와 프로브 패드의 상태를 확인하여 본딩하는 공정의 신뢰성을 향상할 수 있는 프로브 본딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.One embodiment of the present invention is to solve the above-described problems, a probe that can improve the reliability of the bonding process to verify the bonding state and the state of the probe and the probe pad when bonding the probe to the substrate It is an object to provide a bonding method.

또한, 프로브를 기판에 본딩할 시 프로브에 불량이 발생하면 불량이 발생한 프로브만을 교체할 수 있는 프로브 본딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Further, an object of the present invention is to provide a probe bonding method in which only a defective probe can be replaced when a defect occurs in the probe when the probe is bonded to a substrate.

또한, 프로브 및 프로브 패드의 이상 상태에 관한 데이터를 별도로 관리하여 이 데이터를 본딩하는 공정에 활용할 수 있는 프로브 본딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, another object of the present invention is to provide a probe bonding method that can be used in a process of bonding data by separately managing data regarding abnormal states of a probe and a probe pad.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 프로브를 기판에 본딩하는 방법에 있어서, (a) 프로브를 마련하는 단계, (b) 표면 상에 프로브 패드가 형성되어 있는 상기 기판을 마련하는 단계, (c) 상기 프로브의 상태를 검사하는 단계, (d) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 정렬하는 단계 및 (e) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 본딩하는 단계를 포함하는 프로브 본딩 방법을 제공한다.As a technical means for achieving the above technical problem, the first aspect of the present invention is a method for bonding a probe to a substrate, (a) providing a probe, (b) a probe pad is formed on the surface Preparing the substrate; (c) inspecting the state of the probe; (d) aligning the probe on the probe pad; and (e) bonding the probe on the probe pad. It provides a probe bonding method.

상기 (c)단계는 상기 프로브의 이상 유무를 판단하는 단계, 및 상기 프로브에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 프로브를 기 설정된 장소로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.The step (c) may include determining whether there is an abnormality of the probe, and moving the probe to a predetermined place when it is determined that there is an abnormality in the probe.

상기 (c)단계는 상기 프로브의 이상 유무에 관한 프로브 데이터를 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (c) may further comprise the step of storing the probe data on the presence or absence of the probe.

상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include checking a state of the probe pad.

상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는 상기 프로브 패드의 이상 유무를 판단하는 단계, 및 상기 프로브 패드에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 기판을 기 설정된 장소로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.The checking of the state of the probe pad may include determining an abnormality of the probe pad and moving the substrate to a predetermined place when it is determined that the probe pad has an abnormality.

상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는 상기 프로브 패드의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.The checking of the state of the probe pad may further include storing substrate data regarding whether the probe pad is abnormal.

상기 (e) 단계는 레이저 또는 열을 이용해 수행할 수 있다.The step (e) may be performed using a laser or heat.

또한, 본 발명의 제 2 측면은 프로브를 기판에 본딩하는 방법에 있어서, (a) 프로브를 마련하는 단계, (b) 표면 상에 프로브 패드가 형성되어 있는 상기 기판을 마련하는 단계, (c) 상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계, (d) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 정렬하는 단계 및 (e) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 본딩하는 단계를 포함하는 프로브 본딩 방법을 제공한다.In addition, a second aspect of the present invention provides a method of bonding a probe to a substrate, the method comprising the steps of: (a) providing a probe, (b) providing a substrate having a probe pad formed on a surface thereof, (c) Inspecting the state of the probe pad, (d) aligning the probe on the probe pad, and (e) bonding the probe on the probe pad.

상기 (c)단계는 상기 프로브 패드의 이상 유무를 판단하는 단계, 및 상기 프로브 패드에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 기판을 기 설정된 장소로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.The step (c) may include determining an abnormality of the probe pad, and moving the substrate to a predetermined place when it is determined that there is an abnormality in the probe pad.

상기 (c)단계는 상기 프로브 패드의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (c) may further comprise the step of storing the substrate data relating to the abnormality of the probe pad.

상기 (e)단계는 레이저 또는 열을 이용해 수행할 수 있다.Step (e) may be performed using a laser or heat.

또한, 본 발명의 제 3 측면은 기판과 프로브를 가지며 반도체 다이를 검사하는 프로브 카드의 제조 시, 상기 프로브를 상기 기판에 본딩하는 방법에 있어서, (a) 복수의 프로브를 마련하는 단계, (b) 표면 상에 복수의 프로브 패드가 형성되어 있는 상기 기판을 마련하는 단계, (c) 상기 복수의 프로브의 상태를 검사하는 단계, (d) 상기 복수의 프로브를 상기 복수의 프로브 패드 상에 정렬하는 단계 및 (e) 상기 복수의 프로브를 상기 복수의 프로브 패드 상에 본딩하는 단계를 포함하는 프로브 본딩 방법을 제공한다.Further, a third aspect of the present invention provides a method of bonding the probe to the substrate in the manufacture of a probe card having a substrate and a probe for inspecting a semiconductor die, the method comprising: (a) providing a plurality of probes; (C) inspecting a state of the plurality of probes, (d) arranging the plurality of probes on the plurality of probe pads; And (e) bonding the plurality of probes onto the plurality of probe pads.

상기 (c)단계, 상기 (d)단계 및 상기 (e)단계 중 적어도 하나의 단계는 한번의 공정으로 인해 수행될 수 있다.At least one of the steps (c), (d) and (e) may be performed by one process.

상기 복수의 프로브는 상기 반도체 다이 각각의 상의 접촉 패드의 수와 동일할 수 있다.The plurality of probes may be equal to the number of contact pads on each of the semiconductor dies.

상기 (c)단계는 상기 복수의 프로브 중 적어도 하나의 프로브의 이상 유무를 판단하는 단계, 및 상기 적어도 하나의 프로브에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 적어도 하나의 프로브를 기 설정된 장소로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.Step (c) is a step of determining whether there is an abnormality of at least one probe of the plurality of probes, and if it is determined that the at least one probe is abnormal, moving the at least one probe to a predetermined place It may include.

상기 (c)단계는 상기 프로브의 이상 유무에 관한 프로브 데이터를 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (c) may further comprise the step of storing the probe data on the presence or absence of the probe.

상기 복수의 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include checking a state of the plurality of probe pads.

상기 복수의 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는 상기 복수의 프로브 패드 중 적어도 하나의 프로브 패드의 이상 유무를 판단하는 단계, 및 상기 적어도 하나의 프로브 패드에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 기판을 기 설정된 장소로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.The checking of the state of the plurality of probe pads may include determining whether at least one probe pad is abnormal among the plurality of probe pads, and when it is determined that the at least one probe pad has an abnormality, the substrate may be read. The method may include moving to a set place.

상기 복수의 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는 상기 프로브 패드의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.The checking of the state of the plurality of probe pads may further include storing substrate data regarding abnormality of the probe pads.

상기 (e) 단계는 레이저 또는 열을 이용해 수행할 수 있다.The step (e) may be performed using a laser or heat.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 하나에 의하면, 프로브를 기판에 본딩할 시 프로브의 정렬 상태 및 프로브와 프로브 패드의 상태를 검사함으로써, 본딩하는 공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.According to one of the problem solving means of the present invention described above, by bonding the probe to the substrate by inspecting the alignment state of the probe and the state of the probe and the probe pad, there is an effect of improving the reliability of the bonding process.

또한, 프로브를 기판에 본딩할 시 프로브에 불량이 발생하면 불량이 발생한 프로브만을 교체할 수 있는 효과가 있다.In addition, if a defect occurs in the probe when the probe is bonded to the substrate, only the probe in which the defect occurs may be replaced.

또한, 프로브 및 프로브 패드의 이상 상태에 관한 데이터를 별도로 관리하여 이 데이터를 본딩하는 공정에 활용할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that can be used in the process of bonding the data by separately managing the data on the abnormal state of the probe and the probe pad.

도 1 내지 도 3은 종래의 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,1 to 3 are views for explaining a conventional method of manufacturing a probe card,

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법의 순서를 나타낸 순서도이고,4 is a flowchart illustrating a procedure of a probe bonding method according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에 따라 제조된 프로브 및 기판을 나타낸 사시도이고,5 is a perspective view showing a probe and a substrate manufactured according to the probe bonding method according to the first embodiment of the present invention,

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 패드의 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이고,6 is a flowchart illustrating a procedure of inspecting a state of a probe pad in the probe bonding method according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이고,7 is a flowchart illustrating a procedure of checking a probe state in the probe bonding method according to the first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브를 기판에 정렬 및 본딩하는 방법을 설명하기 위한 도면이고,8 is a view for explaining a method of aligning and bonding a probe to a substrate in the probe bonding method according to the first embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법의 순서를 나타낸 순서도이고,9 is a flowchart illustrating a procedure of a probe bonding method according to a second embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 패드의 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이고,10 is a flowchart illustrating a procedure of inspecting a state of a probe pad in a probe bonding method according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이며,11 is a flowchart illustrating a procedure of checking a probe state in a probe bonding method according to a second embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브를 기판에 정렬 및 본딩하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.12 is a view for explaining a method of aligning and bonding a probe to a substrate in the probe bonding method according to the second embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부분이 다른 부분에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부분 사이에 또 다른 부분이 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is located "on" with another part, this includes not only when a part is in contact with another part, but also when there is another part between the two parts. In addition, when a part is said to "include" a certain component, which means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.

이하, 도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a probe bonding method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 8.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법의 순서를 나타낸 순서도이고, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에 따라 제조된 프로브 및 기판을 나타낸 사시도이고, 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 패드의 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이고, 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이며, 도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브를 기판에 정렬 및 본딩하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.4 is a flowchart illustrating a procedure of a probe bonding method according to a first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a perspective view illustrating a probe and a substrate manufactured according to the probe bonding method according to the first embodiment of the present invention. 6 is a flowchart illustrating a procedure of inspecting a state of a probe pad in a probe bonding method according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sequence of inspecting a probe state in a probe bonding method according to a first embodiment of the present invention. 8 is a flowchart illustrating a method of aligning and bonding a probe to a substrate in the probe bonding method according to the first embodiment of the present invention.

우선, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 프로브(100)를 마련한다(S110).First, as shown in FIGS. 4 and 5, the probe 100 is provided (S110).

프로브(100)는 포토리소그래피(photolithography) 기술 등을 이용해 미세하게 제조될 수 있으며, 희생 기판 상에 제조되거나 혹은, 도전성 물질 자체를 에칭하여 제조될 수 있다. 예컨대, 프로브(100)는 수직형(vertical type) 또는 캔틸레버형(cantilever type) 등으로 형성될 수 있다.The probe 100 may be manufactured finely using photolithography technology, or the like, or may be manufactured on a sacrificial substrate or by etching the conductive material itself. For example, the probe 100 may be formed in a vertical type or a cantilever type.

다음, 프로브 패드(210)가 형성되어 있는 기판(200)을 마련한다(S120).Next, a substrate 200 on which the probe pad 210 is formed is prepared (S120).

기판(200)에는 회로 패턴 및 프로브(100)가 장착될 수 있는 프로브 패드(210)가 형성되어 있다.Probe pads 210 on which the circuit pattern and the probe 100 may be mounted are formed on the substrate 200.

또한, 기판(200)은 세라믹 등으로 이루어진 절연성 기판일 수 있다. 예컨대, 기판(200)은 인쇄 회로 기판(PCB) 또는 공간 변환기(space transformer)로서의 다층 세라믹 기판(Multi Layer Ceramic substrate, MLC) 등일 수 있다. In addition, the substrate 200 may be an insulating substrate made of ceramic or the like. For example, the substrate 200 may be a printed circuit board (PCB) or a multi-layer ceramic substrate (MLC) as a space transformer.

다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 프로브 패드(210)의 상태를 검사한다(S130).Next, as shown in FIG. 6, the state of the probe pad 210 is inspected (S130).

우선, 프로브 패드(210)의 이상 유무를 판단한다(S131). 기판(200) 표면에 형성되어 있는 프로브 패드(210)를 촬상하여 촬상된 프로브 패드(210)와 기 설정된 규격의 프로브 패드를 비교하여 프로브 패드(210)의 이상 유무를 판단한다. 예컨대, 프로브 패드(210)의 표면이 심하게 산화되었는지 또는 프로브 패드(210)의 정렬 상태가 올바른지 등을 판단한다.First, it is determined whether the probe pad 210 is abnormal (S131). The probe pad 210 formed on the surface of the substrate 200 is photographed to compare the photographed probe pad 210 with a probe pad having a predetermined standard to determine whether the probe pad 210 is abnormal. For example, it is determined whether the surface of the probe pad 210 is severely oxidized or the alignment state of the probe pad 210 is correct.

프로브 패드(210)에 이상이 있다고 판단된 경우, 기판(200)을 기 설정된 장소로 이동시킨다(S132).When it is determined that there is an abnormality in the probe pad 210, the substrate 200 is moved to a predetermined place (S132).

프로브 패드(210)에 이상이 없다고 판단된 경우, 기판(200)을 준비시킨다(S133). 여기서 기판(200)의 준비는 프로브 패드(210)가 형성된 기판(200)을 다음 공정에 사용하는 것을 말한다.When it is determined that there is no abnormality in the probe pad 210, the substrate 200 is prepared (S133). Here, the preparation of the substrate 200 refers to using the substrate 200 on which the probe pad 210 is formed in the next process.

다음, 프로브 패드(210)의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 소정의 데이터 베이스에 저장한다(S134). 데이터 베이스에 저장된 기판 데이터는 기판(200)의 공급에 따른 기판(200)의 불량 상태 또는 회수 등의 통계를 작성하는 데 이용될 수 있다.Next, the substrate data regarding the abnormality of the probe pad 210 is stored in a predetermined database (S134). The substrate data stored in the database may be used to prepare statistics such as a defective state or the number of times of the substrate 200 according to the supply of the substrate 200.

이상과 같은, 프로브 패드(210)의 이상 유무 판단은 프로브 패드(210)의 이상 유무 판단에 관련된 프로그램이 저장되어 있는 로봇(robot) 등을 이용해 수행할 수 있다.As described above, the abnormality determination of the probe pad 210 may be performed using a robot or the like in which a program related to the abnormality determination of the probe pad 210 is stored.

다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 프로브(100)의 상태를 검사한다(S140).Next, as shown in FIG. 7, the state of the probe 100 is inspected (S140).

우선, 프로브(100)의 이상 유무를 판단한다(S141). 프로브(100)를 촬상하여 촬상된 프로브(100)와 기 설정된 규격의 프로브를 비교하여 프로브(100)의 이상 유무를 판단한다. 예컨대, 프로브(100) 자체에 균열이 발생하였는지 또는 프로브(100)의 표면이 심하게 산화되었는지 등을 판단한다.First, it is determined whether or not the probe 100 is abnormal (S141). The probe 100 may be photographed to compare the photographed probe 100 with a preset standard probe to determine whether the probe 100 is abnormal. For example, it is determined whether a crack has occurred in the probe 100 itself or if the surface of the probe 100 is severely oxidized.

프로브(100)에 이상이 있다고 판단된 경우, 프로브(100)를 기 설정된 장소로 이동시킨다(S142).If it is determined that there is an abnormality in the probe 100, the probe 100 is moved to a predetermined place (S142).

프로브(100)에 이상이 없다고 판단된 경우, 프로브(100)를 준비시킨다(S143). 여기서 프로브(100)의 준비는 프로브(100)를 다음 공정에 사용하는 것을 말한다.When it is determined that there is no abnormality in the probe 100, the probe 100 is prepared (S143). Here, the preparation of the probe 100 refers to the use of the probe 100 in the next process.

다음, 프로브(100)의 이상 유무에 관한 프로브 데이터를 소정의 데이터 베이스에 저장한다(S144). 데이터 베이스에 저장된 프로브 데이터는 프로브(100)의 공급에 따른 프로브(100)의 불량 상태 또는 회수 등의 통계를 작성하는 데 이용될 수 있다.Next, probe data regarding the abnormality of the probe 100 is stored in a predetermined database (S144). The probe data stored in the database may be used to prepare statistics such as a defective state or the number of times of the probe 100 according to the supply of the probe 100.

이상과 같은, 프로브(100)의 이상 유무 판단은 프로브(100)의 이상 유무 판단에 관련된 프로그램이 저장되어 있는 로봇 등을 이용해 수행할 수 있다.As described above, the abnormality determination of the probe 100 may be performed using a robot or the like in which a program related to the abnormality determination of the probe 100 is stored.

다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 프로브(100)를 프로브 패드(210) 상에 정렬한다(S150).Next, as shown in FIG. 8, the probe 100 is aligned on the probe pad 210 (S150).

각각의 프로브(100)를 프로브 패드(210) 상에 순차적으로 정렬한다. 프로브(100)을 정렬할 때, 이웃하는 프로브(100)의 팁부와 정렬하는 프로브(100)의 팁부를 정렬선(A) 상에 정렬한다. 프로브(100)를 프로브 패드(210) 상에 정렬할 때, 이웃하는 프로브(100)의 간격이 매우 좁기 때문에 프로브(100)의 정렬에 관련된 프로그램이 저장되어 있는 로봇 등을 이용하는 것이 바람직하다.Each probe 100 is sequentially aligned on the probe pad 210. When aligning the probe 100, the tip portion of the probe 100 that aligns with the tip portion of the neighboring probe 100 is aligned on the alignment line A. When the probe 100 is aligned on the probe pad 210, since the distance between neighboring probes is very narrow, it is preferable to use a robot or the like in which a program related to the alignment of the probe 100 is stored.

또한, 프로브(100)를 프로브 패드(210) 상에 정렬하기 전에 프로브(100) 및 프로브 패드(210)의 본딩을 수행할 수 있는 도전성 파우더(powder)를 프로브 패드(210) 상에 도포하는 것이 바람직하다.In addition, before the probe 100 is aligned on the probe pad 210, it is preferable to apply conductive powder on the probe pad 210 to perform bonding of the probe 100 and the probe pad 210. desirable.

다음, 프로브(100)를 프로브 패드(210) 상에 본딩한다(S160).Next, the probe 100 is bonded on the probe pad 210 (S160).

프로브 패드(210)와 접하는 프로브(100)를 레이저 등을 이용해 프로브 패드(210)에 본딩한다.The probe 100 in contact with the probe pad 210 is bonded to the probe pad 210 using a laser or the like.

또한, 프로브 패드(210) 상에 도전성 파우더가 도포되어 있을 경우, 열을 가하여 도전성 파우더를 녹여 프로브(100) 및 프로브 패드(210) 사이를 본딩할 수 있다.In addition, when the conductive powder is coated on the probe pad 210, the conductive powder may be melted by applying heat to bond the probe 100 to the probe pad 210.

포토리소그래피 기술 등을 이용해 제조된 프로브(100) 및 프로브 패드(210)는 매우 미세하기 때문에, 프로브(100) 및 프로브 패드(210)의 본딩에 관련된 프로그램이 저장되어 있으며 레이저 조사 장치 등의 본딩툴을 구비한 로봇 등을 이용하는 것이 바람직하다.Since the probe 100 and the probe pad 210 manufactured using the photolithography technique are very fine, a program related to the bonding of the probe 100 and the probe pad 210 is stored and a bonding tool such as a laser irradiation apparatus. It is preferable to use a robot or the like having a.

또한, 프로브(100)를 프로브 패드(210)에 본딩한 후, 이웃하는 프로브(100)의 정렬 상태를 검사하는 것이 바람직하다.In addition, after bonding the probe 100 to the probe pad 210, it is preferable to check the alignment of the neighboring probe (100).

이상과 같은 방법에 의하여 프로브 카드에 사용되는 프로브를 기판에 본딩할 수 있다.By the above method, the probe used for a probe card can be bonded to a board | substrate.

이상과 같이, 프로브(100) 자체의 상태, 프로브 패드(210) 자체의 상태, 및 이웃하는 프로브(100)간의 정렬 상태를 프로브(100)를 프로브 패드(210)에 본딩할 시 확인할 수 있으며, 이에 의해 프로브(100)를 기판(200)에 본딩하는 공정의 신뢰성이 향상된다.As described above, the state of the probe 100 itself, the state of the probe pad 210 itself, and the alignment state between neighboring probes 100 may be checked when the probe 100 is bonded to the probe pad 210. This improves the reliability of the process of bonding the probe 100 to the substrate 200.

또한, 프로브(100)의 상태에 관한 프로브 데이터 및 기판(200) 표면에 형성된 프로브 패드(210)의 상태에 관한 기판 데이터 각각을 데이터 베이스에 저장할 수 있기 때문에, 추후 프로브(100) 및 기판(200)의 공급 수율에 대한 불량 상태의 통계를 작성하여 제조 공정 시 활용할 수 있다.In addition, since the probe data regarding the state of the probe 100 and the substrate data regarding the state of the probe pad 210 formed on the surface of the substrate 200 can be stored in the database, the probe 100 and the substrate 200 will be stored later. Statistics of the defective state of the supply yield of the can be prepared and utilized in the manufacturing process.

또한, 제조 공정 또는 검사 공정 시 프로브(100)에 불량이 발생할 경우, 불량이 발생한 프로브(100)를 기판(200)으로부터 분리한 후, 그 위치에 새로운 프로브(100)를 부착하여 불량이 발생한 프로브(100)만을 교체할 수 있다.In addition, when a defect occurs in the probe 100 during a manufacturing process or an inspection process, the probe 100 having the defect is separated from the substrate 200, and then a new probe 100 is attached to the position to detect the defect. Only 100 can be replaced.

또한, 각각의 프로브(100)를 기판(200)에 본딩하기 때문에, 기판(200)의 크기에 상관없이 프로브(100)를 기판(200)에 본딩할 수 있다. 즉, 웨이퍼의 크기 및 프로브(100)와 접촉하는 접촉 패드의 수에 탄력적으로 대응할 수 있다.In addition, since each probe 100 is bonded to the substrate 200, the probe 100 may be bonded to the substrate 200 regardless of the size of the substrate 200. That is, the size of the wafer and the number of contact pads in contact with the probe 100 may be elastically corresponding.

이하, 도 9 및 도 12를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법을 설명한다.Hereinafter, a probe bonding method according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 12.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법의 순서를 나타낸 순서도이고, 도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 패드의 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이고, 도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브 상태를 검사하는 순서를 나타낸 순서도이며, 도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법에서 프로브를 기판에 정렬 및 본딩하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.9 is a flowchart illustrating a procedure of a probe bonding method according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a flowchart illustrating a procedure of inspecting a state of a probe pad in a probe bonding method according to a second embodiment of the present invention. 11 is a flowchart illustrating a procedure of inspecting probe states in a probe bonding method according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 12 illustrates alignment of probes to a substrate in a probe bonding method according to a second embodiment of the present invention. It is a figure for demonstrating the bonding method.

이하, 제 1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제 1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제 2 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.Hereinafter, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and the description thereof will be omitted according to the first embodiment. In addition, in the second embodiment of the present invention, for the convenience of description, the same components will be described using the same reference numerals.

우선, 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 프로브(100)를 마련한다(S210).First, as shown in FIG. 9, a plurality of probes 100 are provided (S210).

프로브(100)는 포토리소그래피 기술 등을 이용해 미세하게 제조될 수 있으며, 희생 기판 상에 제조되거나 혹은, 도전성 물질 자체를 에칭하여 한번의 공정으로 인해 복수의 프로브(100)가 제조될 수 있다. 프로브(100)의 개수는 프로브 카드를 이용한 검사 공정 시 프로브(100)와 접촉하는 반도체 다이 각각의 상에 형성된 접촉 패드 수와 동일할 수 있다.The probe 100 may be finely manufactured by using a photolithography technique, or may be manufactured on a sacrificial substrate, or a plurality of probes 100 may be manufactured by a single process by etching the conductive material itself. The number of probes 100 may be equal to the number of contact pads formed on each of the semiconductor dies in contact with the probes 100 in the inspection process using the probe card.

다음, 복수의 프로브 패드(210)가 형성되어 있는 기판(200)을 마련한다(S220).Next, a substrate 200 on which a plurality of probe pads 210 are formed is prepared (S220).

기판(200)에는 회로 패턴 및 복수의 프로브(100)가 장착될 수 있는 복수의 프로브 패드(210)가 형성되어 있다.A plurality of probe pads 210 on which the circuit pattern and the plurality of probes 100 are mounted may be formed on the substrate 200.

프로브 패드(210)의 개수는 프로브 카드를 이용한 검사 공정 시 프로브(100)와 접촉하는 반도체 다이 각각의 상에 형성된 접촉 패드 수와 동일할 수 있다.The number of probe pads 210 may be equal to the number of contact pads formed on each of the semiconductor die contacting the probe 100 in the inspection process using the probe card.

다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 프로브 패드(210)의 상태를 검사한다(S230).Next, as shown in FIG. 10, the state of the plurality of probe pads 210 is inspected (S230).

우선, 복수의 프로브 패드(210)의 이상 유무를 판단한다(S231). 기판(200) 표면에 형성되어 있는 복수의 프로브 패드(210)를 촬상하여 촬상된 복수의 프로브 패드(210)와 기 설정된 규격의 프로브 패드를 비교하여 복수의 프로브 패드(210)의 이상 유무를 확인한다. 복수의 프로브 패드(210)의 상태를 검사하는 공정은 한번에 기판(200) 전체를 촬상하여 복수의 프로브 패드(210)를 한번에 검사할 수 있다.First, it is determined whether the plurality of probe pads 210 are abnormal (S231). A plurality of probe pads 210 formed on the surface of the substrate 200 are photographed to compare a plurality of photographed probe pads 210 with probe pads of a predetermined standard to check whether the plurality of probe pads 210 is abnormal. do. In the process of inspecting a state of the plurality of probe pads 210, the entire substrate 200 may be captured at a time to inspect the plurality of probe pads 210 at once.

복수의 프로브 패드(210) 중 적어도 하나에 이상이 있다고 판단된 경우, 기판(200)을 기 설정된 장소로 이동시킨다(S232).If it is determined that at least one of the plurality of probe pads 210 is abnormal, the substrate 200 is moved to a predetermined place (S232).

복수의 프로브 패드(210)에 이상이 없다고 판단된 경우, 기판(200)을 준비시킨다(S233). 여기서 기판(200)의 준비는 복수의 프로브 패드(210)가 형성된 기판(200)을 다음 공정에 사용하는 것을 말한다.When it is determined that there are no abnormalities in the plurality of probe pads 210, the substrate 200 is prepared (S233). Here, the preparation of the substrate 200 refers to the use of the substrate 200 on which the plurality of probe pads 210 is formed in the next process.

다음, 프로브 패드(210)의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 소정의 데이터 베이스에 저장한다(S234). Next, the substrate data regarding the abnormality of the probe pad 210 is stored in a predetermined database (S234).

이상과 같은, 복수의 프로브 패드(210)의 이상 유무 판단은 복수의 프로브 패드(210)의 이상 유무 판단에 관련된 프로그램이 저장되어 있는 로봇 등을 이용해 수행할 수 있다.As described above, the abnormality determination of the plurality of probe pads 210 may be performed using a robot or the like in which a program related to the abnormality determination of the plurality of probe pads 210 is stored.

다음, 도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 프로브(100)의 상태를 검사한다(S240).Next, as shown in FIG. 11, the state of the plurality of probes 100 is inspected (S240).

우선, 복수의 프로브(100)의 이상 유무를 판단한다(S241). 복수의 프로브(100)를 촬상하여 촬상된 복수의 프로브(100)와 기 설정된 규격의 프로브를 비교하여 복수의 프로브(100)의 이상 유무를 판단한다. 복수의 프로브(100)의 상태를 검사하는 공정은 한번에 복수의 프로브(100) 전체를 촬상하여 복수의 프로브(100)를 한번에 검사할 수 있다.First, it is determined whether the plurality of probes 100 are abnormal (S241). The plurality of probes 100 are photographed to compare the photographed probes 100 with a preset standard probe to determine whether the plurality of probes 100 is abnormal. In the process of inspecting the states of the plurality of probes 100, the plurality of probes 100 may be inspected at once by capturing the entirety of the plurality of probes 100 at a time.

복수의 프로브(100) 중 적어도 하나에 이상이 있다고 판단된 경우, 이상이 있는 적어도 하나의 프로브(100)를 기 설정된 장소로 이동시키고, 이상이 없는 새로운 프로브(100)를 그 위치로 이동시킨다(S242).If it is determined that at least one of the plurality of probes 100 is abnormal, the at least one probe 100 having the abnormality is moved to a predetermined place, and the new probe 100 having no abnormality is moved to the position ( S242).

복수의 프로브(100)에 이상이 없다고 판단된 경우, 복수의 프로브(100)를 준비시킨다(S243). 여기서 복수의 프로브(100)의 준비는 복수의 프로브(100)를 다음 공정에 사용하는 것을 말하며, 또한 복수의 프로브(100)를 복수의 프로브(100)가 위치할 수 있는 복수의 개구가 형성된 지그가 구비되어 있는 로봇 등에 위치시키는 것을 말할 수 있다.When it is determined that there are no abnormalities in the plurality of probes 100, the plurality of probes 100 are prepared (S243). Here, the preparation of the plurality of probes 100 refers to the use of the plurality of probes 100 in the next process, and also a jig in which a plurality of openings in which the plurality of probes 100 can be located are formed. It can be said to be located in the robot or the like is provided.

다음, 프로브(100)의 이상 유무에 관한 프로브 데이터를 소정의 데이터 베이스에 저장한다(S244). Next, probe data relating to the abnormality of the probe 100 is stored in a predetermined database (S244).

이상과 같은, 복수의 프로브(100)의 이상 유무 판단은 복수의 프로브(100)의 이상 유무 판단에 관련된 프로그램이 저장되어 있는 로봇 등을 이용해 수행할 수 있다.As described above, the abnormality determination of the plurality of probes 100 may be performed using a robot or the like in which a program related to the abnormality determination of the plurality of probes 100 is stored.

다음, 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 프로브(100)를 복수의 프로브 패드(210) 상에 정렬한다(S250).Next, as shown in FIG. 12, the plurality of probes 100 are aligned on the plurality of probe pads 210 (S250).

복수의 프로브(100)를 복수의 프로브 패드(210) 상에 한번의 공정을 통해 정렬한다. 복수의 프로브(100)을 정렬할 때, 복수의 프로브(100)가 위치할 수 있는 복수의 개구가 형성된 지그가 구비되어 있으며, 복수의 프로브(100)의 정렬에 관련된 프로그램이 저장되어 있는 로봇 등을 이용하는 것이 바람직하다.The plurality of probes 100 are aligned on the plurality of probe pads 210 through one process. When aligning the plurality of probes 100, a jig having a plurality of openings in which the plurality of probes 100 can be positioned is provided, and a robot in which a program related to the alignment of the plurality of probes 100 is stored. It is preferable to use.

또한, 복수의 프로브(100)를 복수의 프로브 패드(210) 상에 정렬하기 전에 프로브(100) 및 프로브 패드(210)의 본딩을 수행할 수 있는 도전성 파우더(powder)를 복수의 프로브 패드(210) 상에 도포하는 것이 바람직하다.In addition, before the plurality of probes 100 are aligned on the plurality of probe pads 210, conductive powders capable of bonding the probes 100 and the probe pads 210 may be provided with a plurality of probe pads 210. It is preferable to apply on).

다음, 복수의 프로브(100)를 복수의 프로브 패드(210)에 본딩한다(S260).Next, the plurality of probes 100 are bonded to the plurality of probe pads 210 (S260).

복수의 프로브 패드(210)와 접하는 복수의 프로브(100)를 레이저 등을 이용해 복수의 프로브 패드(210)에 본딩한다. 복수의 프로브(100)를 복수의 프로브 패드(210)에 본딩하는 공정은 한번의 공정을 통해 수행될 수 있다.The plurality of probes 100 contacting the plurality of probe pads 210 are bonded to the plurality of probe pads 210 using a laser or the like. The process of bonding the plurality of probes 100 to the plurality of probe pads 210 may be performed through one process.

또한, 복수의 프로브 패드(210) 상에 도전성 파우더가 도포되어 있을 경우, 열을 가하여 복수의 프로브(100) 및 복수의 프로브 패드(210) 사이에 위치한 도전성 파우더를 녹여 복수의 프로브(100) 및 복수의 프로브 패드(210) 사이를 본딩할 수 있다.In addition, when the conductive powder is coated on the plurality of probe pads 210, the conductive powders disposed between the plurality of probes 100 and the plurality of probe pads 210 are melted by applying heat to the plurality of probes 100 and The plurality of probe pads 210 may be bonded to each other.

포토리소그래피 기술 등을 이용해 제조된 복수의 프로브(100) 및 복수의 프로브 패드(210)는 매우 미세하기 때문에, 복수의 프로브(100) 및 복수의 프로브 패드(210)의 본딩에 관련된 프로그램이 저장되어 있으며 복수의 레이저 조사 장치 등의 본딩툴을 구비한 로봇 등을 이용하는 것이 바람직하다.Since the plurality of probes 100 and the plurality of probe pads 210 manufactured using photolithography techniques are very fine, programs related to bonding of the plurality of probes 100 and the plurality of probe pads 210 may be stored. It is preferable to use a robot having a bonding tool such as a plurality of laser irradiation apparatuses.

또한, 복수의 프로브(100)를 복수의 프로브 패드(210)에 본딩한 후, 이웃하는 프로브(100)의 정렬 상태를 검사하는 것이 바람직하다.In addition, after bonding the plurality of probes 100 to the plurality of probe pads 210, it is preferable to check the alignment of the neighboring probes 100.

이상과 같은 방법에 의하여 프로브 카드에 사용되는 프로브를 기판에 본딩할 수 있다.By the above method, the probe used for a probe card can be bonded to a board | substrate.

이상과 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 본딩 방법은 한번의 공정으로 이용해 복수의 프로브(100) 자체의 상태, 복수의 프로브 패드(210) 자체의 상태, 복수의 프로브(100)간의 정렬 상태 및 복수의 프로브(100)를 복수의 프로브 패드(210)에 본딩하는 것 중 하나 이상을 수행할 수 있으며, 이에 의해 제조 시간이 단축되어 제조 비용을 절감할 수 있다.As described above, the probe bonding method according to the second exemplary embodiment of the present invention may be performed in a single process using a plurality of probes 100, a plurality of probe pads 210, and a plurality of probes 100. One or more of the alignment and bonding the plurality of probes 100 to the plurality of probe pads 210 may be performed, thereby reducing manufacturing time and reducing manufacturing costs.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

Claims (20)

프로브를 기판에 본딩하는 방법에 있어서,In the method of bonding the probe to the substrate, (a) 프로브를 마련하는 단계,(a) preparing a probe, (b) 표면 상에 프로브 패드가 형성되어 있는 상기 기판을 마련하는 단계,(b) providing a substrate having a probe pad formed on a surface thereof, (c) 상기 프로브의 상태를 검사하는 단계,(c) examining the state of the probe, (d) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 정렬하는 단계 및(d) aligning the probe on the probe pad, and (e) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 본딩하는 단계(e) bonding the probe on the probe pad 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (c)단계는,Step (c) is, 상기 프로브의 이상 유무를 판단하는 단계 및Determining the abnormality of the probe and 상기 프로브에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 프로브를 기 설정된 장소로 이동시키는 단계If it is determined that the probe has an abnormality, moving the probe to a preset location 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 (c)단계는,Step (c) is, 상기 프로브의 이상 유무에 관한 프로브 데이터를 저장하는 단계를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method further comprising the step of storing the probe data on the presence or absence of the probe. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.And inspecting a state of the probe pad. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는,Examining the state of the probe pad, 상기 프로브 패드의 이상 유무를 판단하는 단계 및Determining an abnormality of the probe pad; and 상기 프로브 패드에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 기판을 기 설정된 장소로 이동시키는 단계If it is determined that the probe pad has an abnormality, moving the substrate to a preset location 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는,Examining the state of the probe pad, 상기 프로브 패드의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 저장하는 단계를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.And storing substrate data relating to abnormality of the probe pad. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (e) 단계는,In step (e), 레이저 또는 열을 이용해 수행하는 것인 프로브 본딩 방법.A probe bonding method performed by using a laser or heat. 프로브를 기판에 본딩하는 방법에 있어서,In the method of bonding the probe to the substrate, (a) 프로브를 마련하는 단계,(a) preparing a probe, (b) 표면 상에 프로브 패드가 형성되어 있는 상기 기판을 마련하는 단계,(b) providing a substrate having a probe pad formed on a surface thereof, (c) 상기 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계,(c) inspecting a state of the probe pad; (d) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 정렬하는 단계 및(d) aligning the probe on the probe pad, and (e) 상기 프로브를 상기 프로브 패드 상에 본딩하는 단계(e) bonding the probe on the probe pad 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 (c)단계는,Step (c) is, 상기 프로브 패드의 이상 유무를 판단하는 단계 및Determining an abnormality of the probe pad; and 상기 프로브 패드에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 기판을 기 설정된 장소로 이동시키는 단계If it is determined that the probe pad has an abnormality, moving the substrate to a preset location 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 (c)단계는,Step (c) is, 상기 프로브 패드의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 저장하는 단계를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.And storing substrate data relating to abnormality of the probe pad. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 (e)단계는,In step (e), 레이저 또는 열을 이용해 수행하는 것인 프로브 본딩 방법.A probe bonding method performed by using a laser or heat. 기판과 프로브를 가지며 반도체 다이를 검사하는 프로브 카드의 제조 시, 상기 프로브를 상기 기판에 본딩하는 방법에 있어서,In the manufacture of a probe card having a substrate and a probe and inspecting a semiconductor die, the method of bonding the probe to the substrate, (a) 복수의 프로브를 마련하는 단계,(a) preparing a plurality of probes, (b) 표면 상에 복수의 프로브 패드가 형성되어 있는 상기 기판을 마련하는 단계,(b) providing a substrate having a plurality of probe pads formed on a surface thereof, (c) 상기 복수의 프로브의 상태를 검사하는 단계,(c) inspecting a state of the plurality of probes, (d) 상기 복수의 프로브를 상기 복수의 프로브 패드 상에 정렬하는 단계 및(d) aligning the plurality of probes on the plurality of probe pads; and (e) 상기 복수의 프로브를 상기 복수의 프로브 패드 상에 본딩하는 단계(e) bonding the plurality of probes on the plurality of probe pads 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 (c)단계, 상기 (d)단계 및 상기 (e)단계 중 적어도 하나의 단계는,At least one of the steps (c), (d) and (e), 한번의 공정으로 인해 수행되는 것인 프로브 본딩 방법.A probe bonding method that is performed due to one process. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 복수의 프로브는 상기 반도체 다이 각각의 상의 접촉 패드의 수와 동일한 것인 프로브 본딩 방법.Wherein the plurality of probes is equal to the number of contact pads on each of the semiconductor dies. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 (c)단계는,Step (c) is, 상기 복수의 프로브 중 적어도 하나의 프로브의 이상 유무를 판단하는 단계 및Determining whether at least one probe is abnormal among the plurality of probes; and 상기 적어도 하나의 프로브에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 적어도 하나의 프로브를 기 설정된 장소로 이동시키는 단계If it is determined that the at least one probe is abnormal, moving the at least one probe to a preset location. 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 (c)단계는,Step (c) is, 상기 프로브의 이상 유무에 관한 프로브 데이터를 저장하는 단계를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method further comprising the step of storing the probe data on the presence or absence of the probe. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 복수의 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.And inspecting a state of the plurality of probe pads. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 복수의 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는,Examining the state of the plurality of probe pads, 상기 복수의 프로브 패드 중 적어도 하나의 프로브 패드의 이상 유무를 판단하는 단계 및Determining an abnormality of at least one probe pad among the plurality of probe pads; and 상기 적어도 하나의 프로브 패드에 이상이 있다고 판단된 경우, 상기 기판을 기 설정된 장소로 이동시키는 단계Moving the substrate to a predetermined place when it is determined that the at least one probe pad is abnormal. 를 포함하는 프로브 본딩 방법.Probe bonding method comprising a. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 복수의 프로브 패드의 상태를 검사하는 단계는,Examining the state of the plurality of probe pads, 상기 프로브 패드의 이상 유무에 관한 기판 데이터를 저장하는 단계를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.And storing substrate data relating to abnormality of the probe pad. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 (e) 단계는,In step (e), 레이저 또는 열을 이용해 수행하는 것인 프로브 본딩 방법.A probe bonding method performed by using a laser or heat.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102261798B1 (en) * 2020-04-03 2021-06-07 (주)화이컴 Jig for Manufacturing Probe Card, Probe Alignment System Comprising the Same and Probe Card Manufactured by the Same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102261798B1 (en) * 2020-04-03 2021-06-07 (주)화이컴 Jig for Manufacturing Probe Card, Probe Alignment System Comprising the Same and Probe Card Manufactured by the Same

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