KR20090091657A - 반사판 및 발광 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정 폴리에스테르, 산화티탄 충전재 및 산화규소의 함유량이 85 중량％ 이상인 실리카계 충전재를 포함하는 수지 조성물로 얻어지며, 상기 수지 조성물은 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대하여 상기 산화티탄 충전재 5 내지 80 중량부 및 상기 실리카계 충전재 0.01 내지 20 중량부를 함유하는 것인 반사판을 제공한다. 상기 반사판은, 액정 폴리에스테르의 우수한 내열성을 유지한 채로, 우수한 반사율, 특히 가시광 영역의 광선에 대하여 우수한 반사율을 갖는다.

반사판, 액정 폴리에스테르, 산화티탄 충전재, 실리카계 충전재, 무기 충전재

Description

반사판 및 발광 장치{REFLECTION PLATE AND LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 반사율 및 내열성이 우수한 반사판, 및 상기 반사판을 갖는 발광 장치에 관한 것이다.

LED(발광 다이오드) 발광 장치용 반사판을 제조하기 위한 수지 조성물을 제공하기 위해, 액정 폴리에스테르가 고도의 성형성 및 고도의 내열성 때문에 충전제로서 산화티탄과 함께 사용되어 왔다.

예를 들면, 일본 특허 공개 제2007-320996호 공보에는 액정, 산화티탄 및 청색 착색료를 함유한 수지 조성물이 광원 주변의 반사판을 제조하기에 유용하다고 개시되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2004-256673호 공보에는 YI값이 32 이하인 액정 폴리에스테르와 산화티탄을 함유하는 수지 조성물로부터 얻어지는 반사판이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2007-320996호 공보에서 제안된 수지 조성물로부터 얻어진 반사판은, 액정 폴리에스테르에 대해 산화티탄의 충전량을 많이 한 경우에만 고도의 반사율을 갖는 것으로 보여진다(예를 들면, 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대한 산화티탄의 충전량을 100 중량부 이상으로 한 수지 조성물에 있어서, 파장 500 ㎚의 광선에 대한 반사율 85％ 이상의 성형체가 얻어졌음). 본 출원인은 산화티탄은 그의 충전량을 많게 할수록 액정 폴리에스테르 자체를 열화시키기 쉬워진다는 문제점이 있다는 것을 인식하였다. 한편, 일본 특허 공개 제2004-256673호 공보에제안된 반사판은, 보다 적은 충전량의 산화티탄으로 양호한 반사율을 갖지만, 그 반사율에는 아직 개선의 여지가 있었다.

따라서, 본 발명은 액정 폴리에스테르의 열화를 충분히 억제할 수 있는 정도의 산화티탄 배합량의 수지 조성물로부터 제조하는 것이 가능하고, 고도의 반사율을 실현할 수 있는 반사판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, LED 소자의 실장 공정 등의 고온 환경에 견딜 수 있는 고내열성과 같은 액정 폴리에스테르의 특성을 충분히 유지한 채로 가시광 영역의 반사율이 높은 반사판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기와 같은 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

즉, 본 발명은

(A) 액정 폴리에스테르

(B) 산화티탄 충전재

(C) 산화규소의 함유량이 85 중량％ 이상인 실리카계 충전재

를 포함하는 수지 조성물로 제조되며,

상기 수지 조성물이 상기 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대하여 상기 산화티탄 충전재 5 내지 80 중량부 및 상기 실리카계 충전재 0.01 내지 20 중량부를 함유하는 것인 반사판을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 수지 조성물을 제조하는 공정과 상기 조성물을 사출 성형하는 공정을 포함하는, 반사판의 제조 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 얻어진 반사판과 발광 소자를 구비하는 발광 장치를 제공한다.

본 발명에 따르면, 액정 폴리에스테르의 우수한 내열성을 유지한 채로, 우수한 반사율, 특히 가시광 영역의 광선에 대하여 우수한 반사율을 갖는 반사판을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 박육부(예를 들면, 박벽 부분)를 갖는 반사판도 제조할 수 있다. 상기 반사판을 이용하면, 휘도 등의 특성이 우수한 발광 장치를 얻을 수 있기 때문에 산업상 매우 유용하다.

본 발명의 반사판은

(A) 액정 폴리에스테르

(B) 산화티탄 충전재

(C) 산화규소의 함유량이 85 중량％ 이상인 실리카계 충전재

를 포함하는 수지 조성물로부터 형성되며,

상기 수지 조성물이 상기 액정 폴리에스테르(성분 (A)) 100 중량부에 대하여 상기 산화티탄 충전재 (성분 (B)) 5 내지 80 중량부 및 상기 실리카계 충전재 (성분 (C)) 0.01 내지 20 중량부를 함유한다.

이하, 이들 성분 (A), (B) 및 (C)에 대하여 바람직한 실시 양태, 이들 성분을 포함하는 수지 조성물, 수지 조성물을 이용하여 이루어지는 반사판, 발광 장치를 순차적으로 설명한다.

<성분 (A)>

성분 (A)에 이용하는 액정 폴리에스테르란, 열방성 액정 중합체라 불리는 폴리에스테르로서, 450℃ 이하에서 광학적으로 이방성을 나타내는 용융체를 형성하는 것이다. 예를 들면,

(1) 방향족 히드록시카르복실산과 방향족 디카르복실산과 방향족 디올과의 조합을 중합하여 얻어지는 것,

(2) 이종의 방향족 히드록시카르복실산을 중합하여 얻어지는 것,

(3) 방향족 디카르복실산과 방향족 디올과의 조합을 중합하여 얻어지는 것,

(4) 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 결정성 폴리에스테르를 방향족 히드록시카르복실산과 반응시켜 얻어지는 것 등을 구체적으로 들 수 있다.

또한, 상기 (1) 내지 (4)의 액정 폴리에스테르의 제조에는 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디카르복실산 및/또는 방향족 디올 대신에 이들의 에스테르 형성성 유도체를 사용하는 것도 가능하고, 상기 에스테르 형성성 유도체를 이용하면, 액정 폴리에스테르의 제조가 보다 용이해진다는 이점이 있다.

분자 내에 카르복실기를 갖는 방향족 히드록시카르복실산 또는 방향족 디카르복실산의 에스테르 형성성 유도체로서는, 상기 카르복실기를 고반응성의 산 할로겐기나 산 무수물 등의 기로 전환한 것, 상기 카르복실기를 에스테르 교환 반응에 의해 폴리에스테르를 생성하는 알코올류나 에틸렌글리콜 등과 에스테르를 형성하고 있는 것 등을 들 수 있다. 또한, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 방향족 히드록시카르복실산 또는 방향족 디올의 에스테르 형성성 유도체로서는, 상기 페놀성 수산기를 에스테르 교환 반응에 의해 폴리에스테르를 생성하듯이 저급 카르복실산류와 아실화 화합물을 형성시킨 것 등도 들 수 있다.

또한, 에스테르 형성성을 저해하지 않는 정도이면, 상술한 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디카르복실산 또는 방향족 디올은 그의 방향환에 염소 원자, 불소 원자 등의 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기 등의 알킬기, 또는 페닐기 등의 아릴기를 치환기로서 가질 수 있다.

액정 폴리에스테르를 구성하는 구조 단위로서는 하기의 것을 예시할 수 있다.

방향족 히드록시카르복실산에서 유래하는 구조 단위:

상기 구조 단위는 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 치환기로서 가질 수 있다.

방향족 디카르복실산에서 유래하는 구조 단위:

상기 구조 단위는 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 치환기로서 가질 수 있다.

방향족 디올에서 유래하는 구조 단위:

상기 구조 단위는 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 치환기로서 가질 수 있다.

바람직한 액정 폴리에스테르로서는 그의 구조 단위의 조합으로서 이하의 (a) 내지 (f)를 들 수 있다.

(a): (A₁), (B₁) 및 (C₁)로 이루어지는 조합, 또는 (A₁), (B₁), (B₂) 및 (C₁)로 이루어지는 조합

(b): (A₂), (B₃) 및 (C₂)로 이루어지는 조합, 또는 (A₂), (B₁), (B₃) 및 (C₂)로 이루어지는 조합

(c): (A₁) 및 (A₂)로 이루어지는 조합.

(d): (a)의 구조 단위의 조합에 있어서, (A₁)의 일부 또는 전부를 (A₂)로 치환한 것

(e): (a)의 구조 단위의 조합에 있어서, (B₁)의 일부 또는 전부를 (B₃)으로 치환한 것

(f): (a)의 구조 단위의 조합에 있어서, (C₁)의 일부 또는 전부를 (C₃)으로 치환한 것

(g): (b)의 구조 단위의 조합에 있어서, (A₂)의 일부 또는 전부를 (A₁)로 치환한 것

(h): (c)의 구조 단위의 조합에 (B₁)과 (C₂)를 가한 것

상술한 (a) 내지 (f)와 같이, 성분 (A)로서 이용되는 액정 폴리에스테르로서는 방향족 히드록시카르복실산에서 유래하는 구조 단위로서 (A₁) 및/또는 (A₂), 방향족 디올에서 유래하는 구조 단위로서 (B₁), (B₂) 및 (B₃)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상, 방향족 디카르복실산에서 유래하는 구조 단위로서 (C₁), (C₂) 및 (C₃)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 갖는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이, (A₁) 및/또는 (A₂), (B₁), (B₂), (B₃)의 하나 이상, (C₁), (C₂), (C₃)의 하나 이상은 그의 방향환에 치환기를 가질 수 있지만, 보다 고내열성의 액정 폴리에스테르를 얻는 경우에는 이러한 치환기를 갖고 있지 않은 것이 바람직하다.

성분 (A)에 이용되는 액정 폴리에스테르는 그의 유동 온도가 270 내지 400℃의 범위인 것이 바람직하고, 300 내지 380℃의 범위인 것이 보다 바람직하다. 유동 온도가 이러한 범위인 액정 폴리에스테르를 성분 (A)로서 이용한 경우, 얻어지는 반사판은 LED를 발광 소자로 하는 발광 장치에 이용한 경우에 있어서도, LED 모듈 조립 공정 등에서의 고온 환경하에서 반사판 자체가 변형되거나 액정 폴리에스테르 자체가 블리스터(이상 팽창)되는 것을 충분히 방지할 수 있다. 또한, 이러한 액정 폴리에스테르를 이용하면, 실용적인 용융 가공 온도에서 반사판을 제조할 수 있다. 특히, 400℃를 초과하는 것과 같은 고온의 용융 가공 온도에서 반사판을 제조하고자 하면 액정 폴리에스테르가 산화티탄의 영향을 받아 열 열화되기 쉽고, 심한 경우에는 반사판이 변색되어 반사율이 저하되기 쉽다는 문제점이 생길 수 있다.

또한, 여기서 말하는 액정 폴리에스테르의 유동 온도란, 내경 1 ㎜, 길이 10 ㎜의 모세관형 레오미터를 이용하여 9.8 MPa의 하중에 있어서 4℃/분의 승온 속도로 가열 용융체를 노즐로부터 압출할 때에, 액정 폴리에스테르의 용융 점도가 4800 Pa·초를 나타내는 온도를 의미하는 것으로서, 상기 유동 온도는 액정 폴리에스테르의 분자량을 나타내는 지표이다(문헌 [고이데 나오유끼 편찬, 액정성 중합체-합성·성형·응용-", 95 내지 105 페이지, 씨엠씨, 1987년 6월 5일 발행]을 참조).

액정 폴리에스테르의 제조 방법으로서는 다양한 공지된 방법을 채용할 수 있지만, YI값 32 이하의 액정 폴리에스테르를 제조할 수 있는 방법을 이용하는 것이 바람직하다 (예를 들면, 일본 특허 공개 제2004-256673호에서 개시된 제조 방법 중 하나).

구체적으로, 일본 특허 공개 제2004-256673호에서 개시한 바람직한 액정 폴리에스테르의 제조 방법에 대하여 설명한다.

우선, 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디올 및 방향족 디카르복실산을 혼합한 혼합물에 지방산 무수물을 가하고, 질소 분위기 중에서 130 내지 180℃에서 가열함으로써, 방향족 히드록시카르복실산 및 방향족 디올의 페놀성 수산기를 지방산 무수물과 반응시켜 아실화함으로써, 아실화물(방향족 히드록시카르복실산 아실화물 및 방향족 디올 아실화물)을 얻는다. 그리고, 추가로 승온시켜 반응 부생물을 반응계 외로 증류 제거하면서, 얻어진 아실화물의 아실기와, 방향족 히드록시카르복실산 아실화물 및 방향족 디카르복실산의 카르복실기를 에스테르 교환시킴으로써 중축합시켜 액정 폴리에스테르를 제조한다.

방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디올 및 방향족 디카르복실산의 혼합물에 있어서, 페놀성 수산기와 카르복실기의 당량비는 0.9 내지 1.1인 것이 바람직하다.

또한, 방향족 디올 및 방향족 히드록시카르복실산의 페놀성 수산기의 합계 당량에 대한 지방산 무수물의 사용량은 0.95 내지 1.2배 당량이 바람직하고, 1.00 내지 1.15배 당량이 보다 바람직하다.

지방산 무수물의 사용량이 적으면 액정 폴리에스테르의 착색이 억제되는 경향이 있지만, 지방산 무수물의 사용량이 너무 적으면, 중축합시에 미반응 방향족 디올 또는 방향족 디카르복실산이 승화하기 쉬워져서, 반응계가 폐색될 우려가 있다. 한편, 지방산 무수물의 사용량이 1.2배 당량을 초과하는 경우에는, 얻어지는 액정 폴리에스테르의 착색이 현저해져서 반사판의 반사율을 악화시킬 우려가 있다.

사용하는 지방산 무수물로서는, 예를 들면 무수 아세트산, 무수 프로피온산, 무수 부티르산, 무수 이소부티르산, 무수 발레르산, 무수 피발산, 무수 2-에틸헥산산, 무수 모노클로로아세트산, 무수 디클로로아세트산, 무수 트리클로로아세트산, 무수 모노브로모아세트산, 무수 디브로모아세트산, 무수 트리브로모아세트산, 무수 모노플루오로아세트산, 무수 디플루오로아세트산, 무수 트리플루오로아세트산, 무수 글루타르산, 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 β-브로모프로피온산 등을 들 수 있지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. 이들은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 가격과 취급성 면에서, 무수 아세트산, 무수 프로피온산, 무수 부티르산, 무수 이소부티르산이 바람직하고, 무수 아세트산이 보다 바람직하다.

에스테르 교환(중축합) 반응은 130 내지 400℃의 범위에서 0.1 내지 50℃/분의 비율로 승온시키면서 행하는 것이 바람직하고, 150 내지 350℃의 범위에서 0.3 내지 5℃/분의 비율로 승온시키면서 행하는 것이 보다 바람직하다.

상기 일본 특허 공개 제2004-256673호 공보에 개시된 바와 같이, 에스테르 교환(중축합) 반응은 질소 원자를 2개 이상 포함하는 복소환상 유기 염기 화합물의 존재하에 행하는 것이 바람직하다. 상기 질소 함유 복소환상 유기 염기 화합물의 존재하에서 중축합을 행하면, 액정 폴리에스테르의 제조를 보다 원활하게 하여, 얻어지는 액정 폴리에스테르의 착색을 충분히 억제할 수 있다.

이러한 질소 함유 복소환상 유기 염기 화합물로서는, 예를 들면 이미다졸 화합물, 트리아졸 화합물, 디피리딜릴 화합물, 페난트롤린 화합물, 디아자페난트렌 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응성 면에서는 이미다졸 화합물이 바람직하게 사용되고, 입수가 용이한 점에서 1-메틸이미다졸, 1-에틸이미다졸이 보다 바람직하게 사용된다.

또한, 이 질소 함유 복소환상 유기 염기 화합물은 상기 아실화물을 제조하는 과정에서 반응계에 공존시킬 수도 있고, 상술한 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디올 및 방향족 디카르복실산을 혼합하는 단계에서, 질소 함유 복소환상 유기 염기 화합물을 합쳐서 혼합할 수도 있다.

또한, 에스테르 교환(중축합) 반응을 보다 촉진시켜 중축합 속도를 증가시키기 위해, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위이면, 상기 질소 함유 복소환상 유기 염기 화합물 이외의 촉매를 이용할 수도 있다. 단, 금속염 등을 촉매로서 사용하는 경우에는, 이 금속염이 액정 폴리에스테르에 불순물로서 잔존하게 되기 때문에, 본 발명의 반사판과 같은 전자 부품에는 악영향을 미칠 수 있다. 이 점에서도, 상기 질소 함유 복소환상 유기 염기 화합물을 이용하는 것은 성분 (A)에 이용되는 액정 폴리에스테르를 제조함에 있어서 특히 바람직한 실시 양태이다.

에스테르 교환(중축합) 반응을 더욱 진행시켜 중합도를 높이는 방법으로서는, 에스테르 교환(중축합) 반응의 반응 용기 내를 감압하는 등의 방법(감압 중합) 이나, 에스테르 교환(중축합) 후의 반응 생성물을 냉각 고화한 후, 분말상으로 분쇄하고, 얻어진 분말을 250 내지 350℃에서 2 내지 20시간 가열 처리하는 방법(고상 중합) 등을 들 수 있다. 이러한 방법으로 중합도를 높임으로써, 바람직한 유동 온도의 액정 폴리에스테르를 제조하는 것이 용이해진다. 간편한 설비에 의해 실시할 수 있다는 점에서, 액정 폴리에스테르의 중합도를 높이는 방법으로서는 고상 중합이 바람직하다.

또한, 상기 아실화 및 에스테르 교환이나, 그 후의 감압 중합이나 고상 중합은 질소 등의 불활성 가스 분위기하에서 행해지는 것이, 액정 폴리에스테르의 착색을 충분히 방지할 수 있는 점에서 유리하다.

이와 같이 하여 제조된 액정 폴리에스테르는 상기 일본 특허 공개 제2004-256673호 공보에서 나타낸 바와 같이, YI값으로서 32 이하를 나타내는 액정 폴리에스테르이고, 성분 (A)로서 특히 바람직한 것이다. 또한, YI값이란, 액정 폴리에스테르로 이루어지는 시험편을 얻었을 때, 상기 시험편을 색차계를 이용하여 측정함으로써 얻어지는 값을 말한다. YI값은 물체의 황색도를 나타내는 지표로서, ASTM D1925에 정의되는 것이고, 구체적으로는 하기 화학식으로 구할 수 있다.

YI=[100(1.28×-1.06Z)/Y]

(여기서, X값, Y값, Z값은 각각 XYZ 표색계에서의 광원색의 삼자극값임)

상기 질소 함유 복소환상 유기 염기 화합물을 이용한 제조 방법으로 얻어지는 YI값 32 이하의 액정 폴리에스테르는 성분 (A)로서 특히 바람직한 것이지만, 복수종의 액정 폴리에스테르를 혼합함으로써 YI값이 32 이하가 되는 액정 폴리에스테 르 혼합물을 성분 (A)으로서 이용할 수도 있다. 이 경우도, 상기 액정 폴리에스테르 혼합물의 YI값을, 상술한 바와 같은 색차계를 이용한 방법으로 구하면, 성분 (A)로서 바람직한 액정 폴리에스테르의 조합을 구할 수도 있다.

<성분 (B)>

본 발명의 반사판 제조용 수지 조성물은 성분 (B)로서 산화티탄 충전재를 포함한다.

산화티탄 충전재란 주로 산화티탄으로 이루어지는 것으로서, 수지 조성물 제조용 충전재로서 시판되고 있는 산화티탄일 수 있다. 또한, 산화티탄이라 호칭되고 수지 조성물용 충전재로서 시판되고 있는 것은 그대로 사용할 수 있고, 의도하지 않게 함유되는 불순물을 배제하는 것은 아니다. 또한, 성분 (B)로서는 후술하는 바와 같은 표면 처리가 실시된 산화티탄도 사용 가능하다.

성분 (B)에 이용되는 산화티탄 충전재는 함유되는 산화티탄 자체의 결정 형태는 특별히 한정되지 않으며, 루틸형의 산화티탄, 아나타제형의 산화티탄, 또는 양자를 임의로 혼합한 형태의 산화티탄 충전재를 이용할 수도 있다. 보다 우수한 반사율을 갖고, 더욱 내광성이 양호한 반사판을 얻기 위해서는 루틸형의 산화티탄을 함유하는 산화티탄 충전재를 이용하는 것이 바람직하다.

산화티탄 충전재는 입자상 또는 판상일 수 있다. 산화티탄 충전재의 입경(평균 입경)에 대해서도 특별히 한정은 되지 않지만, 반사판에 대하여 산화티탄 충전재를 거의 균일하게 분산할 수 있다는 점에서는 평균 입경이 0.01 내지 10 ㎛인 것이 바람직하고, 0.1 내지 1 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.5 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 또한, 얻어지는 반사판의 반사율을 보다 높게 하기 위해서는 산화티탄 충전재의 입경은 0.15 내지 0.25 ㎛인 것이 가장 바람직하다.

산화티탄 충전재의 입경이 10 ㎛보다 크면, 후술하는 성분 (C) 실리카계 충전재에 의한 반사율의 개량 효과가 달성되기 어려워지는 경향도 있다. 또한, 평균 입경이 0.01 내지 10 ㎛인 산화티탄 충전재를 이용하면, 비교적 소형의 반사판의 제조도 용이해진다.

또한, 본원에서 사용하는 입경은 하기 방법에 의해 측정한 부피 평균 입경이다. 즉, 산화티탄 충전재의 외관을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 측정하고, 얻어진 SEM 사진을 화상 해석 장치(예를 들면 가부시끼가이샤 니레코사 제조의 "루젝스 IIIU(LUZEX IIIU))"를 이용하여 1차 입자의 각 입경 구간에서의 입자량(％)을 플롯하여 분포 곡선을 구한다. 계속해서, 상기 분포 곡선으로부터 누적 분포 곡선을 구하고, 이 누적 분포 곡선에서의 누적도 50％의 값을 판독함으로써, 부피 평균 입경이 구해진다.

이상과 같이, 본 발명의 성분 (B)에 사용하는 산화티탄은 시판되고 있는 산화티탄일 수 있다. 바람직한 산화티탄 충전재는, 시판품으로부터 상기의 바람직한 입경의 것을 선택하여 사용하거나, 시판품을 적당한 분급 수단(즉, 체질)에 의해 바람직한 입경이 되도록 분급하여 얻을 수 있다.

또한, 이러한 바람직한 입경의 산화티탄 충전재를 각종 공지된 수단에 의해 제조할 수도 있다. 이러한 산화티탄 충전재는 이른바 "염소법"으로 제조되는 산화티탄을 포함하는 산화티탄 충전재가 바람직하다. 상기 염소법을 간단히 설명하면, 티탄원인 광석(예를 들면, 합성 루틸형 산화티탄)을 1000℃ 부근에서 염소와 반응시켜 사염화티탄을 얻고, 이 사염화티탄을 정류로 정제한 후, 얻어진 사염화티탄을 산소로 산화하여 산화티탄을 얻는 방법이다. 이 염소법에 따르면, 바람직한 결정형인 루틸형의 산화티탄이 얻어진다. 그리고, 산화 공정에서의 조건을 최적화함으로써, 백색도가 우수한 산화티탄이 얻어지기 쉽고, 이러한 산화티탄으로 주로 이루어진 산화티탄 충전재는 본 발명의 성분 (B)로서 특히 바람직하다.

본 발명의 반사판에서의 성분 (B) 산화티탄 충전재의 함량은 성분 (A) 100 중량부에 대하여 5 내지 80 중량부이고, 10 내지 75 중량부이면 보다 바람직하다. 5 중량부 미만이면 반사판의 반사율이 충분하지 않고, 또한 80 중량부를 초과하는 경우에는 반사판의 제조가 곤란해지는 경향이 있고, 액정 폴리에스테르의 종류에 따라서는 그의 내열성 등의 특성이 충분히 유지되지 않을 수 있다. 성분 (B)의 함량이 상기 범위 내에 존재한다면, 액정 폴리에스테르의 특성을 충분히 유지하면서, 후술하는 성분 (C) 실리카계 충전재와의 상승 효과에 의해, 우수한 반사율을 나타내는 반사판을 제조할 수 있다.

또한, 성분 (B)로서 복수종의 산화티탄 충전재를 이용하는 경우에는 그의 합계 질량이 상기 범위 내에 존재한다.

성분 (B)에 사용하는 산화티탄 충전재는 그의 분산성 등의 특성 향상을 목적으로 하여 추가로 표면 처리를 실시할 수 있다. 이러한 표면 처리는 특별히 한정되지 않지만, 산화티탄 충전재의 분산성 및 얻어지는 반사판의 내후성을 향상시킨다는 점에서는 무기 금속 산화물에 의한 표면 처리가 바람직하고, 상기 무기 금속 산화물로서는 산화알루미늄(즉, 알루미나)가 바람직하다. 단, 사용하는 산화티탄 충전재가 응집 등이 없고, 취급이 용이하면, 표면 처리는 반드시 필요한 것은 아니다. 표면 처리되지 않은 산화티탄 충전재를 사용하면, 얻어지는 반사판의 내열성이나 경도를 보다 양호하게 할 수 있다는 이점도 있다.

성분 (B)로서 사용 가능한 산화티탄 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면 이시하라 산교(주)가 판매하고 있는 "TIPAQUE CR-60"을 들 수 있다.

<성분 (C)>

본 발명의 반사판 제조용 수지 조성물은 산화규소를 주로 함유하는 실리카계 충전재 성분 (C)를 포함한다.

성분 (C)로서 사용하는 실리카계 충전재란, 산화규소(SiO₂)의 함유량이 전형적으로 85 중량％ 이상인 충전재이다. 상기 산화규소의 함유량은 바람직하게는 90 중량％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95 중량％ 이상의 산화규소를 포함하는 실리카계 충전재가 성분 (C)로서는 바람직하다.

본 발명자들은 이러한 실리카계 충전재를 이용함으로써, 성분 (B) 산화티탄 충전재의 사용량을 액정 폴리에스테르가 현저히 열화되지 않는 배합 비율로 하면서도 매우 높은 반사율의 반사판을 얻을 수 있다는 것을 발견하였다.

실리카계 충전재는 입자상 또는 판상이 바람직하다. 상기 실리카계 충전재의 입경 (예를 들면, 평균 입경)은 0.2 내지 50 ㎛로 하는 것이 바람직하고, 반사판의 반사율을 보다 향상시키는 점에서는 0.5 내지 20 ㎛가 보다 바람직하고, 1 내 지 10 ㎛가 보다 바람직하다. 상기 평균 입경이 0.2 ㎛보다 작으면 빛을 투과하는 경향이 강해져, 실리카계 충전재의 첨가 효과가 낮아진다. 한편, 50 ㎛보다 크면, 소형 형상의 반사판을 제조하는 경우, 그의 성형성이 나빠지는 경향이 있다. 이러한 실리카계 충전재의 평균 입경은 제조하는 반사판의 두께를 감안하여 최적의 것을 사용할 필요가 있지만, 실리카계 충전재의 평균 입경이 상기 범위이면, 보다 양호한 반사율을 발현하는 반사판이 얻어질 뿐만 아니라, 소형 형상의 반사판을 제조하는 경우에 있어서도 성형성이 충분해진다.

또한, 본원에서 사용하는 실리카계 충전재의 평균 입경의 측정법은 JIS B 9925에 기초하여 레이저 회절 산란 방식 입도 분포 측정 장치(상품명 LA-910(호리바 세이사꾸쇼))에 의해 측정되는 것이다.

실리카계 충전재의 형상으로서는 구상, 입방상, 바늘 형상, 막대 형상, 방추 형상, 판상, 인편상, 섬유상 중 어느 하나일 수 있지만, 실질적으로 구상인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 "실질적으로 구상"이란 평균 구형도로 나타내어 0.7 내지 1의 구상인 것을 의미하는 것이다. 또한, 평균 구형도는 이하의 방법에 의해 측정되는 것이다.

<평균 구형도의 측정>

실체 현미경(니콘사 제조의 모델 "SMZ-10형") 또는 주사형 전자 현미경으로 외관 촬영한 입자 사진을 화상 해석 장치(예를 들면 니혼 아비오닉스사 제조의 화상 해석 장치)에 도입하여 입자상을 얻는다. 얻어진 입자상으로부터 입자의 투영 면적 (A)와 주변 길이(PM)를 측정한다. 주변 길이(PM)에 대응하는 진원의 면적을 (B)로 하면, 그 입자의 진원도는 A/B로서 표시할 수 있다. 여기서 시료 입자의 주위 길이(PM)와 동일한 주위 길이를 갖는 진원을 상정하면, PM=2лr, B=лr²이기 때문에, B=л×(PM/2л)²가 되고, 개개의 입자의 구형도는 구형도=A/B=A×4л/(PM)²로서 산출할 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 임의의 입자 개수의 입경도를 구하고, 그의 평균값을 평균 구형도로 한다.

성분 (C)로서는 실리카계 충전재를 1종만을 이용한 것이라도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 어느 경우에 있어서든, 성분 (C)의 사용량은 성분 (A)액정 폴리에스테르 100 중량부에 대하여 0.01 내지 20 중량부가 바람직하고, 0.03 내지 15 중량부가 보다 바람직하고, 0.05 내지 10 중량부가 더욱 바람직하다. 실리카계 충전재의 사용량이 상기 범위이면, 성분 (B)와의 상승 효과에 의해 고도의 반사율의 반사판을 얻을 수 있다. 실리카계 충전재의 사용량이 상기 범위보다 적으면 반사율의 향상 효과가 거의 얻어지지 않는다. 실리카계 충전재의 사용량을 많게 함에 따라 반사율의 향상 효과가 보이지만, 20 중량부를 초과하는 범위에서는 반사율의 향상 효과가 작아지는 경향이 있기 때문에, 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대하여 실리카계 충전재는 20 중량부 이하이면 바람직하다. 공기 중의 수분을 흡습한 실리카계 충전재의 시판품은 상기 범위로 사용할 수 있다. 이러한 흡습된 실리카계 충전재를 20 중량부 초과하도록 하여 이용하면, 성분 (A)의 액정 폴리에스테르가 용융 가공시에 가수분해될 수 있다. 이러한 가수분해를 회피하기 위해서는 실리카계 충전재는 20 중량부 이하가 바람직하다. 또한, 흡습된 실리카계 충전재 는 200℃ 정도의 온도에서 수시간 감압 건조를 행함으로써, 흡습된 수분을 제거할 수도 있다.

성분 (C) 실리카계 충전재는, 산화규소의 함유량이 60 중량％ 이하인 통상적으로 유리계 충전재 (예를 들면, 유리 비드)로 대체할 수 있다.

성분 (C)로서 사용 가능한 실리카계 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면 덴키 가가꾸 고교(주)의 구상 실리카, "FB 또는 FBX 시리즈: FB-105"나 쇼꾸바이 가세이 고교(주)의 "SILICA MICROBEADS 시리즈: P-500" 등을 들 수 있다.

<수지 조성물>

본 발명의 반사판은 상기 성분 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 수지 조성물로부터 얻어지는 것으로서, 상기 수지 조성물에서의 성분 (A), (B) 및 (C)의 배합 비율은 상술한 바와 같다. 이하, 이 수지 조성물에 대하여 설명한다.

상기 수지 조성물에는 필요에 따라 성분 (B)나 성분 (C) 이외의 무기 충전재를 성분 (D)로서 첨가할 수 있다.

이 경우, 성분 (D)의 첨가량은 성분 (A), (B) 및 (C)의 합계 질량을 100 중량부로 했을 때, 성분 (D)가 5 내지 100 중량부의 범위이면 바람직하고, 5 내지 90 중량부이면 보다 바람직하다. 성분 (D)의 첨가량이 100 중량부를 초과하면, 반사판의 색조의 저하나 수지 조성물의 용융 점도가 높아져서 상기 수지 조성물을 용융 조립할 때의 조립성이 악화되기 쉽고, 소형의 반사판을 성형하는 경우에는 성형 가공성이 저하되는 경향이 있다.

성분 (D)로서는, 얻어지는 반사판의 반사율이 현저히 악화되지 않는 점에서, 섬유상의 충전재 또는 위스커상의 무기 충전재가 바람직하다. 구체적으로 예시하면, 산화규소 80％ 중량부 이하를 함유한 유리 섬유, 탄소 섬유, 금속 섬유, 알루미나 섬유, 보론 섬유, 티탄산염 섬유, 규회석, 아스베스토스 등의 무기 섬유, 탄화규소, 알루미나, 보론 니트라이드, 붕산 알루미늄이나 질화규소 등의 위스커상의 무기 충전재 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 얻어지는 반사판의 반사율을 현저히 저하시키지 않고, 실용적인 기계 강도를 반사판에 부여하기 위해서는 산화규소 80％ 중량부 이하를 함유한 유리 섬유, 티탄산 섬유, 규회석 등의 무기 섬유, 붕산 알루미늄이나 질화규소 등의 위스커상의 무기 충전재가 바람직하다.

또한, 이러한 무기 충전재에 있어서는 집속제가 사용되는 경우도 있지만, 색조의 저하를 억제하여 반사판이 높은 반사율로 유지된다는 점에서, 사용되는 집속제의 양은 적은 편이 바람직하다.

또한, 본 발명의 목적을 현저히 손상시키지 않는 범위에서, 산화티탄 충전재 이외의 백색 안료를 상기 수지 조성물에 이용할 수도 있다. 이러한 백색 안료로서는 산화아연, 황화아연, 백연 등을 들 수 있다.

또한, 상기 수지 조성물에는 불소 수지, 고급 지방산 에스테르 화합물, 지방산 금속 비누류 등의 이형 개량제; 염료, 안료 등의 착색제; 산화 방지제; 열 안정제; 형광 증백제: 자외선 흡수제; 대전 방지제; 계면활성제 등의 통상의 첨가제를 첨가할 수 있다. 또한, 고급 지방산, 고급 지방산 에스테르, 고급 지방산 금속염, 플루오로카본계 계면활성제 등의 외부 윤활제 효과를 갖는 것을 첨가할 수 있다. 이러한 첨가제는 얻어지는 반사판의 반사율을 현저히 손상시키지 않도록 하여 그의 종류 및/또는 사용량을 결정하는 것이 바람직하다.

<반사판>

본 발명의 반사판은, 성분 (A), (B) 및 (C), 및 필요에 따라 사용되는 성분 (D)를 함유하는 수지 조성물을 제조하는 제조 공정과, 상기 수지 조성물의 사출 성형 공정을 포함하는 제조 방법으로 얻을 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 반사판은

(A) 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대하여, (B) 산화티탄 충전재 5 내지 80 중량부 및 (C) 산화규소 85 중량％ 이상을 함유한 실리카계 충전재 0.01 내지 20 중량부를 혼합하여 수지 조성물을 제조하는 공정; 및 상기 수지 조성물을 사출 성형하는 공정을 포함하는 방법으로 얻어질 수 있다.

제조 공정으로서는, 예를 들면 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C), 및 필요에 따라 사용되는 성분 (D)를, 헨셀 믹서, 텀블러 등을 이용하여 혼합한 후, 압출기를 이용하여 용융 조립하는 등의 방법을 들 수 있고, 이러한 용융 조립에 의해 수지 조성물을 펠릿화한 다음, 성형 공정을 행하는 것이 바람직하다. 펠릿화하여 얻어진 수지 조성물은 조작성이 양호해져, 목적으로 하는 반사판의 형상에 따라 바람직한 성형 방법의 선택 폭을 넓힐 수 있다.

성형 공정에서의 성형 방법으로서는, 예를 들면 사출 성형법, 사출 압축 성형법, 압출 성형법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 사출 성형법이 바람직하고, 사출 성형하여 얻어지는 반사판은 박육부를 것이 가능해진다. 특히, 박육부가 0.03 내지 3 ㎜, 바람직하게는 0.05 내지 2 ㎜, 보다 바람직하게는 0.05 내지 1 ㎜ 와 같은 소형의 반사판에는 사출 성형이 특히 적합하다. 반사판을 사출 성형하는 경우에, 얻어진 반사판의 표면 평활성을 개선한다는 점에서, 용융 수지와 접촉하는 밀러 가공한 표면을 갖는 금형이 바람직하다.

사출 성형 등의 용융 성형에서의 성형 온도는 사용하는 수지 조성물의 유동 온도보다 10 내지 60℃ 정도 높은 온도인 것이 바람직하다. 성형 온도가 상기 온도보다 낮으면 유동성이 극단적으로 저하되어, 성형성의 악화나 반사판의 강도 저하를 초래하는 경향이 있다. 반대로, 성형 온도가 상기 온도보다 높으면, 액정 폴리에스테르의 열화가 현저해져 반사판의 반사율 저하를 일으키는 경향이 있다. 또한, 수지 조성물의 유동 온도는 액정 폴리에스테르의 유동 온도의 측정 방법으로서 설명한 방법과 동일하게 모세관형 레오미터를 이용하여 구할 수 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 본 발명의 반사판은 특히 가시광 영역의 광선에 대한 반사율이 매우 양호하다. 예를 들면, 파장 460 ㎚의 광선에 대한 반사율이 70％ 이상인 반사율을 갖는 반사판을 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반사율이 75.0％ 이상, 나아가 반사율이 80.0％ 이상인 반사판을 제조할 수도 있다. 또한, 본원에서 사용하는 반사율이란, JIS K7105-1981의 전체 광선 반사율 측정법 A(표준 백색판: 황산바륨)에 기초하여 구해지는 것이다.

<발광 장치>

본 발명의 반사판은 전기, 전자, 자동차, 기계 등의 분야에서 광 반사, 특히 가시광 영역의 광선에 대한 반사를 필요로 하는 반사판에 바람직하게 사용할 수 있다. 예를 들면, 할로겐 램프, HID 등의 광원 장치의 램프 반사경이나, LED나 유기 EL 소자 등의 발광 소자를 이용한 발광 장치, 표시 장치의 반사판으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 특히, LED를 발광 소자로 하는 발광 장치에 있어서는 그의 제조 과정에서, 소자의 실장 공정이나 납땜 공정 등의 고온 환경하에 반사판이 노출될 수 있지만, 본 발명의 반사판에서는 이러한 고온 공정, 특히 납땜을 행했다 하더라도 블리스터 등의 변형을 일으키는 경우가 없다. 따라서, LED를 발광 소자로 하는 발광 장치에 본 발명의 반사판을 이용한 경우, 휘도 등의 특성이 우수한 발광 장치를 얻을 수 있다.

이와 같이 기재된 본 발명은 다양한 방식으로 변형될 수 있다는 것이 분명할 것이다. 이러한 변형은 본 발명의 취지 및 범위 내에 존재하는 것으로 간주해야 하며, 당업자에게 명백한 이러한 모든 변경은 하기 청구의 범위 내에 존재하는 것으로 간주한다.

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 보다 상세하게 설명하나, 이러한 실시예가 본 발명의 범위를 한정하려는 것으로 간주해서는 안된다.

또한, 실시예 중의 물성 등은 다음 방법으로 측정하였다.

(1) 반사율

자기 분광 광도계(U-3500: (주) 히따찌 세이사꾸쇼 제조)를 이용하여 64 ㎜×64 ㎜×1 ㎜의 반사판 시험편의 표면에 조사함으로써 상이한 파장광(측정 파장: 460 ㎚, 520 ㎚, 640 ㎚의 3 수준으로 행함)에 대한 확산 반사율의 측정을 행하였다. 또한, 반사율은 황산바륨의 표준 백판의 확산 반사율을 100％로 했을 때의 상 대값이다.

(2) 300℃ 땜납 내열 평가

각 실시예 및 비교예에서 얻은 액정 폴리에스테르 수지 조성물로 이루어지는 미니덤벨(JIS K71131(1/2)(두께 1.2 ㎜)의 시험편을 300℃로 가열한 땜납욕에 1분간 침지한 후, 성형체의 변형이 보이지 않는 경우를 ○, 변형이 보이는 경우를 ×로 하였다.

또한, 실시예, 비교예에서 반사판의 시험편을 얻기 위해 사용한 충전재는 하기와 같다.

산화티탄 충전재(CR-60): TIPAQUE CR-60(이시하라 산교(주) 제조), 알루미나 표면 처리품, 평균 입경 0.21 ㎛, (이하, "CR-60"이라 약칭함);

산화티탄 충전재(CR-58): TIPAQUE CR-58(이시하라 산교(주) 제조), 알루미나 표면 처리품, 평균 입경 0.28 ㎛, (이하, "CR-58"이라 약칭함);

실리카계 충전재(P-500): 실리카 비드 P-500(쇼꾸바이 가세이(주) 제조), 평균 입경: 약 2 ㎛, 평균 구형도: 0.7 이상, 산화규소 함유량: 90 중량％ 이상, (이하, "P-500"이라 약칭함);

실리카계 충전재(FB-105): 실리카 비드 FB-105(덴끼 가가꾸(주) 제조), 평균 입경: 약 12 ㎛, 평균 구형도: 0.7 이상, 산화규소 함유량: 90 중량％ 이상, (이하, "FB-105"라 약칭함);

유리 섬유: EFH75-01(센트럴 글래스(주) 제조)

유리 비드: UBS-0010L(유니티카(주) 제조, 재질 E 유리(산화규소 함유량 52 ％ 내지 56％)

실시예 1

교반 장치, 토크미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 구비한 반응기에, 파라히드록시벤조산 994.5 g(7.2몰), 4,4'-디히드록시비페닐 446.9 g(2.4몰), 테레프탈산 299.0 g(1.8몰), 이소프탈산 99.7 g(0.6몰) 및 무수 아세트산 1347.6 g(13.2몰)을 투입하고, 1-메틸이미다졸을 0.2 g 첨가한 후, 반응기 내를 충분히 질소 가스로 치환하였다. 그 후, 질소 가스 기류하에서 30분에 걸쳐 150℃까지 승온시키고, 동 온도를 유지하여 1시간 환류시켰다.

그 후, 1-메틸이미다졸을 0.9 g 첨가하고, 부생 아세트산 및 미반응 무수 아세트산을 증류 제거하면서 2시간 50분에 걸쳐 320℃까지 승온시키고, 토크의 상승이 보이는 시점을 반응 종료로 하여 예비 중합체를 얻었다.

얻어진 예비 중합체를 실온까지 냉각시키고, 조분쇄기로 분쇄한 후, 질소 분위기하에서 실온부터 250℃까지 1시간에 걸쳐 승온시키고, 250℃부터 285℃까지 5시간에 걸쳐 승온시키고, 285℃에서 3시간 유지하여 고상 중합을 행하였다. 얻어진 액정 폴리에스테르의 유동 온도는 327℃이고, YI값은 32 정도였다. 이와 같이 하여 얻어진 수지를 액정 폴리에스테르 1로 한다.

얻어진 액정 폴리에스테르 1에 대하여 산화티탄 및 무기 충전재를 표 1에 나타내는 배합량으로 배합한 후, 2축 압출기(이케가이 뎃꼬(주) 제조의 PCM-30)를 이용하여 용융 조립하여 액정 폴리에스테르 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 조성물을 사출 성형기(닛세이 쥬시 고교(주) 제조의 PS40E5ASE형) 을 이용하여 340℃에서 사출 성형하여 64 ㎜×64 ㎜×1 ㎜의 반사판의 시험편을 얻었다. 이 시험편을 측정에 이용한 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 이 시험편의 성형에는 경면 가공한 금형을 사용하였다.

실시예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 6

실시예 1에서 이용한 액정 폴리에스테르 1에 대하여 각종 충전재를 표 1에 나타내는 배합량으로 배합하여 수지 조성물을 얻은 후, 실시예 1과 동일하게 하여 반사판의 시험편을 얻어 각종 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다.

표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5의 성분 (A) 내지 성분 (D)를 포함하는 시험편은 실리카계 충전재(성분 (C))를 첨가하지 않은 비교예 1 내지 5의 시험편에 비하여 반사율의 향상 효과가 보였다. 또한, 산화티탄 충전재를 많이 이용하면, 반사율이 높은 시험편(비교예 2)을 얻는 것이 가능하지만, 이 시험편은 매우 땜납내열성이 저하되었음이 판명되었다. 또한, 실리카계 충전재를 유리제 충전재(유리 비드)로 치환한 바와 같은 비교예 3 내지 5의 시험편에서는, 실시예 1 내지 5의 시험편뿐만 아니라 비교예 1의 시험편에 대해서도 그의 반사율은 저하되었다. 이는, 본 발명의 성분 (C) 실리카계 충전재의 유용성을 나타내는 것이다. 이러한 고도한 반사율과 양호한 땜납내열성을 갖는 시험편이 얻어지는 수지 조성물은 반사율 및 내열성이 우수한 반사판을 형성할 수 있는 것이다.

Claims (10)

1. (A) 액정 폴리에스테르

   (B) 산화티탄 충전재

   (C) 산화규소의 함유량이 85 중량％ 이상인 실리카계 충전재

   를 포함하는 수지 조성물로 제조되며,

   상기 수지 조성물이 상기 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대하여 상기 산화티탄 충전재 5 내지 80 중량부 및 상기 실리카계 충전재 0.01 내지 20 중량부를 함유하는 반사판.
2. 제1항에 있어서, 상기 실리카계 충전재가 실질적으로 구상의 형상인 반사판.
3. 제1항에 있어서, 상기 실리카계 충전재 및 산화티탄 충전재가 실질적으로 구상의 형태인 반사판.
4. 제2항에 있어서, 상기 수지 조성물이 산화티탄 충전재 및 실리카계 충전재 이외에 (D) 섬유상 또는 위스커상의 무기 충전재를 추가로 함유하는 반사판.
5. 제4항에 있어서, 상기 수지 조성물이 액정 폴리에스테르, 산화티탄 충전재 및 실리카계 충전재의 합계 질량을 100 중량부로 했을 때, 무기 충전재를 5 내지 100 중량부 함유하는 반사판.
6. 제1항에 있어서, 두께 0.01 ㎜ 내지 3.0 ㎜의 박육부를 갖는 반사판.
7. 제1항에 있어서, JIS K7105-1981의 전체 광선 반사율 측정법 A에 기초하여 구해지는 파장 460 ㎚의 광선에 대한 반사율이 70.0％ 이상인 반사판.
8. (A) 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대하여, (B) 산화티탄 충전재 5 내지 80 중량부 및 (C) 산화규소 85 중량％ 이상을 함유한 실리카계 충전재 0.01 내지 20 중량부를 혼합하여 수지 조성물을 제조하는 공정; 및

   상기 수지 조성물을 사출 성형하는 공정

   을 포함하는 반사판의 제조 방법.
9. 제1항에 기재된 반사판과 발광 소자를 구비하는 발광 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 발광 소자가 발광 다이오드인 발광 장치.