KR20090088797A - 스팻터링 타겟의 제조방법, 스팻터링 타겟의 세정방법, 스팻터링 타겟 및 스팻터링 장치 - Google Patents

스팻터링 타겟의 제조방법, 스팻터링 타겟의 세정방법, 스팻터링 타겟 및 스팻터링 장치 Download PDF

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알박 머티리얼스 가부시키가이샤
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Abstract

돌발적인 파티클 발생을 저감해, 막질 및 박막 제조 효율의 향상을 실현할 수 있는 스팻터링 타겟의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 스팻터링 타겟의 제조방법은 마그네트론 스팻터링 장치용 스팻터링 타겟의 제조방법에 있어서, 타겟 본체를 준비하고, 상기 타겟 본체 표면의 비이로존영역을 블라스트 처리하고, 상기 비이로존영역을 초음파 세정하고, 상기 초음파 세정한 상기 비이로존영역을 에칭하고, 또는 세정액으로 제트세정하고, 상기 비이로존영역을 재차 초음파 세정한다.
스팻터링, 타겟,스팻터링 타겟의 제조방법, 스팻터링 타겟의 세정방법

Description

스팻터링 타겟의 제조방법, 스팻터링 타겟의 세정방법, 스팻터링 타겟 및 스팻터링 장치{MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET, CLEANING METHOD OF SPUTTERING TARGET, SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING EQUIPMENT}
본 발명은 스팻터물 부착에 기인해 발생하는 파티클(먼지, 입자) 발생을 억제할 수 있는 스팻터링 타겟의 제조방법, 스팻터링 타겟의 세정방법, 스팻터링 타겟 및 스팻터링 장치에 관한 것이다.
고품질 금속막 성막방법(막 형성 방법)의 하나로 마그네트론 스팻터링법이 있다. 스팻터링법은 개략적으로 진공중에서 아르곤 가스의 플라즈마를 생성하고, 캐소드 전극에 고정된 타겟으로 아르곤(Ar) 이온을 충돌시켜, 타겟 표면으로부터 비산한 타겟 구성원자를 포함한 스팻터 입자를 성막대상인 기판상에 퇴적시키는 성막방법이다. 마그네트론 스팻터링법은 더욱이 타겟 표면에 자장을 형성해, 타겟 부근에 고밀도 플라즈마를 생성하는 것으로 성막속도의 고속화를 꾀하는 성막방법이다.
일반적으로, 타겟은 캐소드 전극인 배킹 플레이트 위에 접합된다. 마그네트론 스팻터링법에 있어서는 배킹 플레이트의 뒤편에, 타겟 표면에 자장을 형성하기 위한 영구자석 또는 전자석이 배치된다. 전형적으로는, 자석은 타겟 중심부분 및 주변부분에 비해, 이들 중간부분과 주변부분의 중간부분쪽이 자장이 커지도록 배치된다. 이 경우, 스팻터 효율은 타겟 중간영역에서 높고, 타겟 중심부분과 주변부분에서는 작다. 스팻터 효율이 높은 영역은 스팻터 효율이 낮은 영역에 비해 큰 침식작용을 받는다. 통상, 스팻터 효율이 높은 영역은 이로존영역(erosion; 침식영역)으로 불리고, 스팻터 효율이 낮은 영역은 비이로존영역(비침식영역)으로 불리고 있다(특허문헌 1 참조).
이 마그네트론 스팻터링법에 있어서는 이로존영역으로부터의 스팻터 입자가 기판 위에 퇴적하는 것으로 박막이 형성된다. 한편, 그 스팻터 입자의 일부는 타겟 표면의 비이로존영역에도 퇴적한다. 이 경우, 비이로존영역상의 퇴적물은 스팻터링 진행에 수반해 두께가 증대해, 자신의 내부응력에 의해 타겟 표면으로부터 박리한다. 타겟 표면으로부터 박리한 퇴적물이 기판상에 형성되는 박막중에 이물(異物; 파티클)로서 혼입하면, 중대한 품질불량을 초래하는 경우가 있다.
이 문제의 해결책으로서 타겟의 비이로존영역을 블라스트(blast) 처리에 의해 조면화하고, 퇴적물의 밀착도를 높일 방법이 제안되어 있다. 예를 들면 특허문헌 2에는 타겟 표면을 블라스트 처리해, 연속 생산 가능 뱃지수를 증가시키는 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 3에는 타겟 표면을 블라스트 처리할 때의, 블라스트재의 보다 효과적인 경도, 입경에 대해 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본국 특개평 7-90576호 공보
특허문헌 2: 일본국 특개평 4-301074호 공보
특허문헌 3: 일본국 특개평 7-316804호 공보
그렇지만, 타겟의 비이로존영역을 블라스트 처리하는 것만으로는, 타겟 표면으로부터의 퇴적물 박리를 억제하기에는 불충분하다는 문제가 있다.
즉, 타겟 표면에의 블라스트 처리에 의해, 타겟 표면에 부착한 퇴적물의 박리가 억제되어 정상적인 파티클 발생은 저감되지만, 타겟 표면에의 퇴적물 밀착도는 안정되지 않고, 자주자주 돌발적으로 다량의 파티클이 발생하는 경우가 존재한다. 그리고, 이 돌발적으로 발생하는 파티클이 막질에 중대한 영향을 주어 보류(保留;보호 유지력)를 저하시킨다는 문제가 생기고 있다.
이상과 같은 사정을 감안해서, 본 발명의 목적은 돌발적인 파티클 발생을 저감해, 막질 및 박막 제조 효율의 향상을 실현할 수 있는 스팻터링 타겟의 제조방법, 스팻터링 타겟의 세정방법, 스팻터링 타겟 및 스팻터링 장치를 제공하는 것을 제공하는 것에 있다.
이상의 과제를 해결함에 있어서, 본 발명자들은 열심히 검토한 결과, 돌발적으로 발생하는 다량의 파티클은 타겟 표면에 잔류하는 블라스트재 위에 부착한 퇴적물 박리에 원인이 있는 것을 찾아내 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 스팻터링 타겟의 제조방법은 마그네트론 스팻터링 장치용 스팻터링 타겟의 제조방법에 있어서, 타겟 본체를 준비하고, 상기 타겟 본체 표면의 비이로존영역을 블라스트 처리하고, 상기 비이로존영역을 초음파 세정하고, 상기 초음파 세정한 상기 비이로존영역을 에칭하고, 또는 세정액으로 제트세정하고, 상기 비이로존영역을 재차 초음파 세정한다.
본 발명에서는 타겟 본체 표면의 비이로존영역(블라스트 처리영역)을 블라스트 처리한 후, 우선, 초음파 세정에 의해 타겟 본체 표면을 세정한다. 이것에 의해, 비이로존영역에 잔류하는 블라스트재중, 타겟 본체에 대한 부착력이 비교적 약한 블라스트재를 제거할 수 있다.
여기서, 「비이로존영역」은 본 발명에 관한 스팻터링 타겟의 실사용시에 나타나는 이로존영역 이외의 영역을 의미한다. 이하의 설명에 있어서도 동일하다. 비이로존영역은 스팻터링 타겟의 상기 이로존영역이 속하는 표면부분만으로 한정하지 않고, 스팻터링 타겟의 측면도 포함되어도 좋다.
다음으로, 초음파 세정한 비이로존영역을 에칭 또는 제트세정한다. 이 공정은 에칭처리로 블라스트재와 타겟 본체의 경계 부분을 소량 용해시키는 것에 의해, 또는, 제트세정으로 블라스트재에 물리적 충격을 주는 것에 의해, 비이로존영역에 잔류하는 블라스트재와 타겟 본체간의 부착력을 약하게 한다.
그 후, 비이로존영역을 재차 초음파 세정한다. 이것에 의해, 타겟 본체에 대해 부착력을 약해진 블라스트재를 용이하게 제거하는 것이 가능해진다.
이상 일련의 처리에 의해, 타겟 본체의 비이로존영역에 잔류하는 블라스트재의 제거효율이 높아지므로, 청정한 표면상태의 비이로존영역을 가지는 스팻터링 타겟을 얻을 수 있다. 이것에 의해, 비이로존영역에 잔류하는 블라스트재에 기인한 돌발적인 다량의 파티클 발생을 억제하고, 안정된 박막형성 프로세스와 고품질의 스팻터 박막을 형성하는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서, 상기 블라스트 처리하는 공정은 상기 비이로존영역의 표면조도(산술평균 표면조도: Ra)를 1㎛이상 4㎛이하로 조면화한다. Ra가 1㎛미만의 경우는 블라스트 처리에 의한 효과가 거의 없기 때문이고, Ra가 4㎛를 넘는 경우는 타겟 표면의 높낮이차가 너무 커져 퇴적물 밀착도가 저하하기 때문이다.
본 발명에 있어서, 상기 비이로존영역을 초음파 세정하는 공정은 18㎑이상 19㎑이하 주파수의 초음파를 인가한 세정액 분류(噴流)로 상기 비이로존영역을 세정한다. 상기 주파수 범위의 초음파를 인가한 세정액은 캐비테이션 발생에 의한 세정효과가 높기 때문이다.
또, 본 발명의 스팻터링 타겟의 세정방법은 표면의 적어도 일부에 블라스트 처리가 실시된 스팻터링 타겟의 세정방법에 있어서, 상기 스팻터링 타겟의 블라스트 처리영역을 초음파 세정하고, 상기 초음파 세정한 상기 블라스트 처리영역을 에칭하고, 또는 세정액으로 제트세정하고, 상기 블라스트 처리영역을 재차 초음파 세정한다.
이상과 같이하여 제조 또는 세정된 스팻터링 타겟은, 타겟 본체와, 상기 타겟 본체의 표면 일부를 구성하고, 스팻터에 의해 침식되는 이로존영역과, 상기 타겟 본체 표면의 다른 일부를 구성하고, 표면조도(Ra)가 1㎛이상 4㎛이하이고, 또, 원상당 직경 10㎛이상의 블라스트재 갯수가 1평방센치미터당 4개 이하인 비이로존영역을 구비한다.
본 발명의 스팻터링 타겟에 있어서는, 블라스트 처리로 조면화된 비이로존영 역은 청정한 표면상태를 가지고 있다. 이것에 의해, 비이로존영역에 잔류하는 블라스트재에 기인한 돌발적인 다량의 파티클 발생을 억제해, 안정된 박막형성 프로세스와 고품질의 스팻터 박막을 형성하는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서는, 타겟 본체의 구성재료는 금속원소 또은 이를 주성분으로 하는 합금으로 된다. 금속원소로서는, 티탄(Ti), 알루미늄(Al), 동(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 탄탈(Ta), 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 니오브(Nb), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)을 들 수 있지만 이것에 한정되지 않는다.
한편, 본 발명의 스팻터링 장치는 진공조와, 상기 진공조 내부에 설치된 기판지지대와, 상기 기판지지대에 대향해 배치되어, 타겟 본체와, 상기 타겟 본체 표면의 일부를 구성하고, 스팻터에 의해 침식되는 이로존영역과, 상기 타겟 본체 표면의 다른 일부를 구성하고, 표면조도(Ra)가 1㎛이상 4㎛이하이고, 또, 원상당 직경 10㎛이상의 블라스트재의 갯수가 1평방센치미터당 4개 이하인 비이로존영역을 가지는 스팻터링 타겟과, 상기 스팻터링 타겟 표면에 자장분포를 형성하는 자기회로를 구비한다.
본 발명의 스팻터링 장치에 있어서는, 스팻터링 타겟의 비이로존영역은 청정한 표면 상태를 가지고 있다. 이것에 의해, 비이로존영역에 잔류하는 블라스트재에 기인한 돌발적인 다량의 파티클 발생을 억제하고, 안정된 박막형성 프로세스와, 고품질의 스팻터 박막을 형성하는 것이 가능해진다.
이상 기술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 비이로존영역에 잔류하는 블라스 트재에 기인한 돌발적인 다량의 파티클 발생을 억제할 수 있다. 이에 의해, 안정된 박막형성 프로세스와 고품질의 스팻터 박막을 형성하는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조해 설명한다. 또, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상에 근거하여 여러 가지의 변형이 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 마그네트론 방식의 스팻터링 장치(20)의 개략구성도이다. 본 실시형태의 스팻터링 장치(20)는 진공배기배관(1) 및 가스배관(2)이 설치된 진공조(3)를 가지고 있다. 진공배기배관(1)에는 진공펌프(도시생략)가 접속되어 있다. 가스배관(2)은 진공조(3) 내부에 프로세스 가스(수소, 산소, 또는 질소, 아르곤 등의 불활성가스, 반응가스 등)을 도입한다. 진공조(3) 내부에는 스팻터링 캐소드(4)와, 이에 대향하는 위치에 반도체 웨이퍼나 유리기판 등의 기판(S)을 지지하기 위한 지지대(5)가 설치되어 있다. 진공조(3) 및 지지대(5)는 그라운드 전위에 접속되어 있다.
스팻터링 캐소드(4)는 스팻터링 타겟{(이하 간단히 「타겟」이라 함); 6}과 배킹 플레이트(7)와 절연판(8)과 프레임(9)과 어스 쉴드(shield; 10)를 가진다.
타겟(6)은 배킹 플레이트(7)에 접합되어 있다. 배킹 플레이트(7)은 절연판(8)을 통해 프레임(9)에 고정되어 있다. 배킹 플레이트(7) 내부에는 타겟(6)을 냉각하기 위한 냉각매체가 순환하는 순환통로(도시생략)가 형성되어 있다. 배킹 플레이트(7)는 소정의 고전압 마이너스 전위원 또는 고주파 전력원이 접속되고, 프 레임(9)은 진공조(3)를 통해 그라운드 전위에 접속되어 있다. 타겟(6) 주위에는 배킹 플레이트(7), 절연판(8) 및 프레임(9)이 스팻터링되는 것을 방지하는 어스 쉴드(10)가 설치되어 있다. 어스 쉴드(10)는 프레임(9)에 고정되어 있다.
배킹 플레이트(7)의 타겟(6)과는 반대측 면 즉 배면측에는 타겟(6) 표면에 자장분포를 형성하기 위한 자기회로(21)가 설치되어 있다. 이 자기회로(21)는 요크(11)와, 요크(11) 위에 배치된 링상의 영구자석(12a)과, 그 중앙에 배치된 봉상(棒狀)의 영구자석(12b)으로 구성되어 있다. 자석(12a)과 자석(12b)은 배킹 플레이트(7)에 대해, 서로 다른 극성의 자극을 향하여 배치되어 있다. 그 결과, 타겟(6) 표면에 도 1에 나타내듯이 자력선(M)이 형성된다. 이 예에서는, 자석(12a 및 12b)이 대향하는 타겟(6) 중심부와 주변부 사이의 중간영역상에, 타겟 표면과 평행한 자장이 형성되게 된다.
이상과 같이 구성되는 스팻터링 장치(10)에 있어서는, 소정의 진공도로까지 배기된 진공조(3) 내부에 가스배관(2)을 통해 아르곤 가스가 도입된다. 배킹 플레이트(7)에는 소정의 마이너스 전위의 고전압 또는 고주파 전력이 인가되고 있어, 이에 의해 타겟(6)과 지지대(5) 사이에 아르곤 플라즈마가 형성된다. 아르곤 이온은 고속으로 타겟(6) 표면에 충돌하고, 타겟(6) 구성재료의 원자를 포함한 입자(스팻터 입자)가 방출된다. 타겟(6) 표면으로부터 방출된 스팻터 입자는, 대향하는 기판(S)의 표면에 부착해 박막을 형성한다.
또, 타겟(6) 표면에 평행한 자장성분으로 2차 전자에 의한 아르곤 원자의 충돌빈도가 높아진다. 이에 의해, 플라즈마 밀도가 향상하고, 타겟(6)의 스팻터 효 율이 높아져 성막속도의 고속화를 실현할 수 있다.
타겟(6) 표면에 있어 플라즈마 밀도의 분포에 의해, 타겟(6) 표면의 중심부분 및 주변부분에 비해, 이러한 중간부분에 있어서 플라즈마 밀도가 높아진다. 플라즈마 밀도가 높은 영역은, 플라즈마 밀도가 낮은 영역에 비해, 타겟(6)의 스팻터링 효율이 높다. 이 때문에, 타겟(6) 표면에는 도 2에 나타내듯이 스팻터링 효율이 높은 이로존영역(6a)과, 스팻터링 효율이 낮은 비이로존영역(6b)이 형성된다. 비이로존영역(6b)은 타겟(6) 표면의 중심부 및 주변부에 대응하고, 이로존영역(6a)은 이러한 중간부분에 대응하는 위치(도 2 참조)에 환상으로 형성된다.
이 마그네트론 스팻터링법에 있어서는, 이로존영역(6a)으로부터의 스팻터 입자가 기판(S) 위에 퇴적하는 것으로 박막이 형성된다. 한편, 그 스팻터 입자의 일부는 타겟 표면의 비이로존영역(6b)에도 퇴적한다. 이 경우, 비이로존영역(6b)상의 퇴적물은, 스팻터링 진행에 수반해 두께가 증대하고, 자신의 내부 응력에 의해 타겟 표면으로부터 박리한다. 타겟 표면으로부터 박리한 퇴적물은 기판(S)상에 형성되는 박막중에 이물(파티클)로서 혼입하면, 중대한 품질 불량을 초래하는 경우가 있다.
이 문제를 방지하기 위해서, 타겟(6)의 비이로존영역을 블라스트 처리에 의해 조면화하고, 스팻터 입자의 퇴적물 박리를 억제하는 방법이 효과적이다. 그러나 비이로존영역의 블라스트 처리에 의해 파티클 발생 빈도는 저감할 수 있지만, 돌발적인 파티클 발생을 억제할 수 없다. 이것은, 비이로존영역에 잔류하는 블라스트재 위에 부착한 퇴적물 박리에 원인이 있다는 본 발명자들의 견해에 근거한다.
그래서 본 실시형태에서는, 타겟 표면에 잔류하는 블라스트재를 극력 배제해, 돌발적인 파티클 발생을 회피하고, 고품질의 박막형성을 실현하도록 하고 있다. 이하, 본 발명의 실시형태에 의한 타겟의 제조방법에 대해 설명한다.
도 3은 타겟의 제조방법을 설명하는 공정 플로우도이다. 본 실시형태의 타겟의 제조방법은 타겟 본체를 준비하는 공정과, 타겟 본체 표면의 비이로존영역을 블라스트 처리하는 공정(ST1)과, 블라스트 처리한 비이로존영역을 초음파 세정하는 공정(ST2)과, 초음파 세정한 비이로존영역을 에칭하는 공정(ST3)과, 비이로존영역을 재차 초음파 세정하는 공정(ST4)을 가진다.
[타겟 본체의 준비공정]
우선, 소정의 크기, 두께의 타겟 본체를 준비한다. 타겟 본체의 형상은 원형, 타원형, 장공형, 정방형, 사각형등 임의의 기하학 형상의 것을 이용할 수 있다. 타겟 본체는 금속원소 또는 이를 주성분으로 하는 합금의 성형체 또는 소결체로 구성된다. 금속원소로서는, 티탄(Ti), 알루미늄(Al), 동(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 탄탈(Ta), 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 니오브(Nb), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)을 들 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
[블라스트 처리공정(ST1)]
이 공정에서는 타겟 본체의 비이로존영역에 대응하는 영역(이하 간단히 「비이로존영역」이라 함)이 블라스트 처리에 의해 조면화된다. 본 실시 형태에서는 타겟 본체의 이로존영역에 대응하는 영역(이하 간단히 「이로존영역」이라 함)이 미리 포토레지스트(photoresist) 등의 레지스트재 그 외의 마스크재에 의해 마스킹 되는 것에 의해, 비이로존영역이 선택적으로 블라스트 처리된다. 이하, 이 브라스트 처리된 비이로존영역을 「블라스트 처리영역」이라 한다. 블라스트 처리영역은 타겟(6) 표면에 한정하지 않고, 그 측주위면도 포함된다.
블라스트 처리공정의 결과 얻은 피처리면의 표면조도(산술평균 표면조도: Ra)는 예를 들면, 1㎛이상 4㎛이하로 된다. Ra가 1㎛미만의 경우는 블라스트 처리에 의한 효과가 거의 없기 때문이고, Ra가 4㎛를 넘는 경우는 타겟 표면의 높낮이 차이가 너무 커져 퇴적물 밀착도가 저하하기 때문이다. 표면조도는 블라스트재의 입경, 조사 압력, 처리시간 등으로 조정된다. 블라스트재는 타겟의 재질과 용도에 의해 SiC, 유리비즈, 알루미나 등에서 선택된다.
블라스트 처리에 의해 조사된 블라스트재 일부가 블라스트 처리영역에 부착 혹은 자입(刺入; 찌르고 들어감)등에 의해 잔류한다. 블라스트 처리후, 블라스트 처리영역에 에어를 내뿜는 것으로 제거할 수 있는 블라스트재도 있지만 부착강도가 높은 블라스트재는 그대로 잔류한다.
블라스트 처리영역에 잔류하는 블라스트재를 제거하는 방법으로 초음파 세정이 있다. 그러나 이 초음파 세정만으로는 블라스트 처리영역에 잔류하는 블라스트재의 제거 효과가 낮다는 것이 본 발명자들의 실험에 의해 판명되어 있다. 즉, 주파수 30∼50㎑의 초음파 세정에서는 블라스트 처리영역의 표면에 부착 혹은 고착하고 있는 블라스트재의 제거 효과는 높은데 대해, 블라스트 처리영역의 표면 내부에 자입한 블라스트재는 제거할 수 없고, 계속 잔류하는 것이 확인되었다. 그리고 이 잔류하고 있는 블라스트재 위에 퇴적한 막은 블라스트 처리한 타겟 본체의 표면에 직접 퇴적한 막에 비해 용이하게 박리하고, 이것이 돌발적인 파티클 발생 원인이 되는 것을 찾아냈다.
그래서, 본 실시형태에서는 이하와 같이하여 블라스트 처리영역을 세정하고, 블라스트재의 잔류수가 적고, 청정도가 높은 스팻터링 타겟을 얻도록 하고 있다.
[초음파 세정공정(ST2)]
이 공정은 타겟 본체의 블라스트 처리영역을 초음파 세정한다. 이 공정에서는 이 블라스트 처리영역을 초음파를 인가한 세정액의 분류로 세정한다. 초음파의 주파수는 캐비테이션 발생에 의한 세정효과가 높은 18㎑이상 19㎑이하의 범위로 한다.
도 4는 타겟 본체의 초음파 세정공정에 있어서 이용되는 세정장치의 개략구성을 나타내고 있다. 이 예에서는, 세정조(13)내의 세정액(14)중에 타겟 본체(60)를 침지(浸漬)하고 이 세정조(13)를 초음파 발진기(17)로 진동시켜 펌프(15) 구동에 의해 배관(16)을 통해 세정액(14)을 순환시킨다. 그리고 세정조(13)내로 압송되는 세정액(14)의 분류(噴流)로 타겟 본체(60)의 블라스트 처리영역을 세정한다.
이 공정에서는 세정액(14) 분류와 저주파수 초음파 세정에 있어 발생하는 캐비테이션의 충격파에 의해, 타겟 본체(60)의 블라스트 처리영역에 부착 또는 고착하고 있는 잔류 블라스트재를 제거하고, 블라스트 처리영역에 자입하고 있는 잔류 블라스트재에 대해서는 물리적 충격을 주는 것이 가능해진다.
[에칭처리공정(ST3)]
다음으로, 초음파 세정한 블라스트 처리영역을 에칭한다. 에칭은 웨이퍼 에 칭법이 이용된다. 에칭액은 블라스트재나 타겟 본체의 구성재료 등에 의해 적절히 선택되고, 적절한 산 또는 알칼리계 수용액이 이용된다. 처리방법은 침지법, 도포법 등의 방법이 적용 가능하다. 본 실시형태에서는 불화초산 수용액중으로 타겟 본체를 침지하여 블라스트 처리영역을 에칭한다. 처리시간은 특히 한정되지 않지만, 블라스트 처리영역 소정의 면조도로 큰 변화가 생기지 않는 정도로 한다. 에칭 후, 물로 씻는 것 또는 뜨거운 물로 씻는 것에 의해 타겟 본체를 세정한다.
이 공정은 타겟 본체 표면에 자입(刺入)되어 있는 블라스트재와 타겟 본체 사이의 경계부를 소량 용융시켜서 타겟 본체에 대한 블라스트재의 물리적 감입(嵌入)을 약하게 한다. 이것에 의해, 앞의 초음파 세정공정에서 제거할 수 없었던 잔류 블라스트재를 제거하고, 또는 타겟 본체에 대한 블라스트재의 부착력을 약하게 할 수 있다.
또, 에칭처리효과는 블라스트 처리영역에 고압수를 내뿜는 것에 의해서도 같은 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 상기 에칭처리공정 대신해 고압 세정액에 의한 제트세정공정을 채용해도 좋다. 이 경우, 구체적으로는 200∼300㎏f/㎠, 수량(水量) 20∼30L/min의 고압수가 이용된다.
[초음파 세정공정(ST4)]
마지막으로, 블라스트 처리영역을 다시 초음파 세정한다. 이 공정에서는 상술한 1회째 초음파 세정공정(ST2)과 같은 처리조건을 채용할 수 있다. 즉, 도 4에 나타낸 세정장치를 이용해, 주파수 18㎑이상 19㎑이하의 초음파를 인가한 세정액 분류를 200∼300㎪의 압력으로 블라스트 처리영역을 세정한다.
이 공정에 의해, 앞의 에칭처리공정(또는 고압 세정수에 의한 제트세정공정)에 의해 타겟 본체 표면에 대한 물리적 감입력이 완화된 잔류 블라스트재가 효율좋게 제거된다. 그 결과, 블라스트 처리영역에 잔류하는 블라스트재 거의 전부를 제거할 수 있다.
또, 이 초음파 세정공정은 타겟 본체 표면을 가리는 마스크재를 제거한 상태로 실시해도 좋고, 마스크재를 제거하지 않고 실시해도 좋다. 마스크재를 제거한 상태로 이 초음파 세정공정을 실시하는 경우, 마스크재는 에칭공정(ST3) 후에 제거된다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면 블라스트 처리후, 1회째 초음파 세정, 에칭(또는 제트세정) 및 2번째 초음파 세정의 조합으로 되는 다단계 세정 프로세스에 의해, 타겟 본체 표면의 블라스트 처리영역에 잔류하는 블라스트재를 효율적으로 제거 할 수 있다.
이상과 같이하여, 타겟 본체(60)와 타겟 본체(60) 표면의 일부를 구성하고, 스팻터에 의해 침식되는 이로존영역(6a)과, 타겟 본체(60) 표면의 다른 일부를 구성하고, 표면조도(Ra)가 1㎛이상 4㎛이하이고, 또, 원상당 직경 10㎛이상의 블라스트재 갯수가 1평방센치미터당 4개 이하인 비이로존영역을 구비하는 스팻터링 타겟(6)이 제조된다.
본 실시형태의 타겟(6)은 비이로존영역(6b)의 표면조도가 1㎛이상 4㎛이하의 범위에 형성되고 있으므로, 스팻터물과의 밀착성을 높여 해당 스팻터물의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 원상당 직경 10㎛이상의 블라스트재 갯수가 1평방센치미터 당 4개 이하로 억제하는 것이 가능해지므로, 잔류 블라스트재 위에 부착한 스팻터물의 박리에 의한 돌발적인 다량의 파티클 발생 빈도를 큰 폭으로 저감할 수 있다. 이에 의해, 안정된 박막형성 프로세스와 고품질의 스팻터 박막을 형성하는 것이 가능해진다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.
(실시예 1)
직경 250㎜, 두께 6㎜의 티탄(순도 5N)제의 원형 타겟 본체를 준비했다. 그리고 타겟 본체 중심부의 직경 30㎜이하의 영역과, 타겟 본체 주변부로부터 5㎜이내의 영역과, 타겟 본체 측주부를 블라스트 처리했다. 이러한 영역 이외의 영역은, 마스킹하여 블라스트 처리의 영향을 받지 않게 했다.
블라스트 처리조건은 이하와 같다.
·블라스트재: 입경 100∼300㎛의 SiC 입자
·타겟 본체와 노즐간의 거리: 150㎜
· 에어 압력: 4.5㎏/㎠
블라스트 처리후, 에어를 불어넣어 타겟 본체 표면(측주면을 포함한다)의 블라스트재를 제거한 후 타겟 본체를 초음파 세정했다. 이 공정에서는 순수 세정액을 펌프(250㎪)로 순환시켜 분류로 하고, 동시에 19㎑의 초음파 세정을 5분간 실시 했다. 다음으로, 초음파 세정한 타겟 본체를 3% 불화수소산 10% 초산수용액에 3분간 침지한 후, 물로 씻는 것 및 뜨거운 물로 씻는 것을 실시해 타겟 본체에 부착되어 있는 산을 제거했다. 계속해서, 마스킹을 제거하고, 순수 세정액을 펌프(250㎪)로 순환시켜 분류로 하고, 동시에 19㎑의 초음파 세정을 5분간 실시한 후 타겟 본체를 세정조에서 끌어 올려 건조처리했다.
다음으로, 이상과 같은 다단계 세정처리를 거쳐 제조된 스팻터링 타겟을 이하의 순서로 평가했다.
우선, 타겟의 블라스트 처리영역의 표면조도를 측정기로 측정했다. 그 결과, 표면조도는 Ra=2.5㎛였다. 다음으로, 타겟의 블라스트 처리영역을 금속현미경으로 관찰하고, 잔류 블라스트재 갯수를 계측했다. 그 결과, 원상당 직경 10㎛이상의 갯수로 1㎠당 평균 1개였다. 더욱이, 해당 타겟을 배킹 플레이트에 본딩하여 스팻터 캐소드를 구성했다. 그리고 이 스팻터 캐소드를 마그네트론 스팻터링 장치에 짜넣어 스팻터링 테스트를 실시해, 막중의 파티클 발생상황을 관찰했다. 평가 결과를 도 5에 나타낸다.
스팻터링 조건은 이하와 같다.
·가스 및 압력: Ar가스, 0.5㎩
·전력: 7㎾
·막두께: 500Å(엉거스트롱)
스팻터막은 5인치 Si 웨이퍼상에 형성했다. 파티클은 막중 0.2㎛이상 크기의 것을 카운트했다. 파티클 수는 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90 및 100뱃지 각각의 카운트값의 평균값으로 했다. 측정결과, 5인치 웨이퍼상의 평균 파티클 수는 2개였다. 또, 평균값의 2배 이상의 수를 카운트한 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 2)
블라스트재의 에어 압력을 4.1㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=1.2㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 1개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 1회였다.
(실시예 3)
블라스트재 입경을 200∼400㎛, 에어 압력을 4.9㎏/㎠, 에칭시간을 2분으로 한 이외는 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=3.8㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 1회였다.
(실시예 4)
블라스트재 입경을 200∼400㎛, 에어 압력을 4.7㎏/㎠, 에칭시간을 2분으로 한 이외는 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=3.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 3개, 평균 파티클 수는 1개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 5)
타겟 본체 재질을 알루미늄, 블라스트재의 에어 압력을 4.6㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.8㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 1개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 6)
블라스트 처리후, 에칭처리 대신에, 토출압력 200㎏f/㎠, 수량 20L/min으로 고압수 세정을 실시한 이외는 실시예 1과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.1㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 3개, 평균 파티클 수는 3개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 7)
블라스트재 입경을 200∼400㎛, 에어 압력을 4.7㎏/㎠, 고압수 세정액의 토출압력을 250㎏f/㎠로 한 이외는 실시예 6과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=3.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 4개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 8)
타겟 본체 재질을 동, 블라스트재의 에어 압력을 4.3㎏/㎠, 에칭시간을 2분 으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.0㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 9)
타겟 본체 재질을 니켈, 블라스트재 입경을 200∼400㎛, 에어 압력을 4.3㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=3.0㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 10)
타겟 본체 재질을 코발트, 블라스트재 에어 압력을 4.3㎏/㎠, 에칭시간을 2분으로 한 이외는 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.3㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 1개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 1회였다.
(실시예 11)
타겟 본체 재질을 탄탈, 블라스트재 에어 압력을 4.3㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 3개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 12)
타겟 본체 재질을 금, 블라스트재 에어 압력을 4.3㎏/㎠, 블라스트 처리 후, 에칭처리 대신에, 토출압력 200㎏f/㎠, 수량 20L/min로 고압수 세정을 실시한 이외는, 실시예 1과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 13)
타겟 본체 재질을 은, 블라스트 처리 후, 에칭처리 대신에, 토출압력 200㎏f/㎠, 수량 20L/min로 고압수 세정을 실시한 이외는, 실시예 1과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=3.0㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 3개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 14)
타겟 본체 재질을 크롬, 블라스트재 에어 압력을 4.3㎏/㎠, 블라스트 처리 후, 에칭처리 대신에, 토출압력 200㎏f/㎠, 수량 20L/min로 고압수 세정을 실시한 이외는, 실시예 1과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.8㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 1개, 평균 파티클 수는 2개, 돌발적 파티클 발생회수는 1회였다.
(실시예 15)
타겟 본체 재질을 니오브, 블라스트재 에어 압력을 4.3㎏/㎠, 블라스트 처리 후, 에칭처리 대신에, 토출압력 200㎏f/㎠, 수량 20L/min로 고압수 세정을 실시한 이외는, 실시예 1과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 1개, 평균 파티클 수는 1개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 16)
타겟 본체 재질을 백금, 블라스트재 에어 압력을 4.3㎏/㎠, 블라스트 처리 후, 에칭처리 대신에, 토출압력 200㎏f/㎠, 수량 20L/min로 고압수 세정을 실시한 이외는, 실시예 1과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 3개, 평균 파티클 수는 1개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 17)
타겟 본체 재질을 몰리브덴, 블라스트재 에어 압력을 4.3㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.3㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 1개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(실시예 18)
타겟 본체 재질을 텅스텐, 블라스트재 입경을 200∼400㎛, 에어 압력을 4.3㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 5에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.7㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 1개, 돌발적 파티클 발생회수는 0회였다.
(비교예 1)
블라스트재 입경을 300∼500㎛, 에어 압력을 5.3㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 6에 나타낸다. 표면조도는 Ra=4.8㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 2개, 평균 파티클 수는 10개, 돌발적 파티클 발생회수는 4회였다.
(비교예 2)
블라스트재 입경을 300∼500㎛, 에어 압력을 4.6㎏/㎠으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 6에 나타낸다. 표면조도는 Ra=4.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 1개, 평균 파티클 수는 12개, 돌발적 파티클 발생회수는 4회였다.
(비교예 3)
블라스트재 에어 압력을 4.1㎏/㎠, 에칭시간을 1분으로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 6에 나타낸다. 표면조도는 Ra=1.2㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 8개, 평균 파티클 수는 12개, 돌발적 파티클 발생회수는 3회였다.
(비교예 4)
블라스트재 입경을 200∼400㎛, 블라스트 처리 후, 에칭처리를 실시하지 않고, 초음파 세정만을 실시한 이외는, 실시예 1과 같은 세정조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 6에 나타낸다. 표면조도는 Ra=3.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 15개, 평균 파티클 수는 15개, 돌발적 파티클 발생회수는 4회였다.
(비교예 5)
블라스트 처리를 하지 않고, 티탄제 타겟 본체를 제작 후, 초음파 세정만을 실시했다. 초음파 세정의 처리조건은 실시예 1과 같은 조건으로 했다. 평가결과를 도 6에 나타낸다. 표면조도는 Ra=0.5㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 0개, 평균 파티클 수는 13개, 돌발적 파티클 발생회수는 4회였다.
(비교예 6)
블라스트재 입경을 200∼400㎛, 에어 압력을 4.6㎏/㎠, 블라스트 처리 후의 초음파 세정 및 에칭처리 후의 초음파 세정의 인가 초음파 주파수를 각각 30㎑로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 6에 나타낸다. 표면조도는 Ra=3.2㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 9개, 평균 파티클 수는 10개, 돌발적 파티클 발생회수는 4회였다.
(비교예 7)
블라스트재 에어 압력을 4.4㎏/㎠, 블라스트 처리 후의 초음파 세정의 인가 초음파 주파수를 30㎑, 에칭처리 대신에, 토출압력 250㎏f/㎠, 수량 20L/min로 고압수 세정을 실시하고, 고압수 세정 후의 초음파 세정의 인가 초음파 주파수를 30㎑로 한 이외는, 실시예 1과 같은 세정처리조건으로 스팻터링 타겟을 제조했다. 그 후, 실시예 1과 같은 평가를 실시했다. 평가결과를 도 6에 나타낸다. 표면조도는 Ra=2.1㎛, 잔류 블라스트재 평균갯수는 1㎠당 9개, 평균 파티클 수는 10개, 돌발적 파티클 발생회수는 3회였다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 스팻터링 장치의 개략구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 스팻터링 타겟을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 의한 스팻터링 타겟의 제조방법 또는 세정방법을 설명하는 공정 플로우도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 있어 타겟 본체의 초음파 세정장치의 개략구성도이다.
도 5는 본 발명 실시예의 실험결과를 나타내는 도표이다.
도 6은 본 발명 비교예의 실험결과를 나타내는 도표이다.
*부호의 설명*
1: 진공배기배관 2: 가스배관
3: 진공조 4: 스팻터링 캐소드
5: 지지대(支持台) 6: 타겟(스팻터링 타겟)
6a: 이로존영역 6b: 비이로존영역
7: 배킹 플레이트 8: 절연판
9: 프레임 10: 어스 쉴드(shield)
11: 요크 12a, 12b: 자석
13: 세정조 14: 세정액
15: 펌프 16: 배관
17: 초음파 발진기 20: 스팻터링 장치
60: 타겟 본체 S: 기판

Claims (12)

  1. 마그네트론 스팻터링 장치용 스팻터링 타겟의 제조방법에 있어서,
    타겟 본체를 준비하고,
    상기 타겟 본체 표면의 비이로존영역을 블라스트 처리하고,
    상기 비이로존영역을 초음파 세정하고,
    상기 초음파 세정한 상기 비이로존영역을 에칭하고, 또는 세정액으로 제트세정하고,
    상기 비이로존영역을 재차 초음파 세정하는
    스팻터링 타겟의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 블라스트 처리하는 공정은 상기 비이로존영역을 표면조도(Ra) 1㎛이상 4㎛이하로 조면화하는 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 비이로존영역을 초음파 세정하는 공정은 18㎑이상 19㎑이하 주파수의 초음파를 인가한 세정액 분류로 상기 비이로존영역을 세정하는 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 분류 압력을 200㎪이상 300㎪이하로 하는 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟의 제조방법.
  5. 표면의 적어도 일부에 블라스트 처리가 실시된 스팻터링 타겟의 세정방법에 있어서,
    상기 스팻터링 타겟의 블라스트 처리영역을 초음파 세정하고,
    상기 초음파 세정한 상기 블라스트 처리영역을 에칭하고, 또는 세정액으로 제트세정하고,
    상기 블라스트 처리영역을 재차 초음파 세정하는
    스팻터링 타겟의 세정방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 블라스트 처리영역을 초음파 세정하는 공정은 18㎑이상 19㎑이하의 초음파를 인가한 세정액 분류로 상기 블라스트 처리영역을 세정하는 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟의 세정방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 분류 압력을 200㎪이상 300㎪이하로 하는 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟의 세정방법.
  8. 마그네트론 스팻터링 장치용 스팻터링 타겟에 있어서,
    타겟 본체와,
    상기 타겟 본체 표면의 일부를 구성하고, 스팻터에 의해 침식되는 이로존영역과,
    상기 타겟 본체 표면의 다른 일부를 구성하고, 표면조도(Ra)가 1㎛이상 4㎛이하이고, 또, 원상당 직경 10㎛이상의 블라스트재 갯수가 1평방센치미터당 4개 이하인 비이로존영역과
    를 구비하는 스팻터링 타겟.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 비이로존영역은 상기 타겟 본체 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 타겟 본체는 금속원소 또는 이를 주성분으로 하는 합금으로 되는 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 금속원소는 티탄, 알루미늄, 동, 니켈, 코발트, 탄탈, 금, 은, 크롬, 니오브, 백금, 몰리브덴 또는 텅스텐인 것을 특징으로 하는 스팻터링 타겟.
  12. 진공조와,
    상기 진공조 내부에 설치된 기판지지대와,
    상기 기판지지대에 대향해 배치되어 타겟 본체와, 상기 타겟 본체 표면의 일부를 구성하고, 스팻터에 의해 침식되는 이로존영역과, 상기 타겟 본체 표면의 다른 일부를 구성하고, 표면조도(Ra)가 1㎛이상 4㎛이하이고, 또, 원상당 직경 10㎛이상의 블라스트재 갯수가 1평방센치미터당 4개 이하인 비이로존영역을 가지는 스팻터링 타겟과,
    상기 스팻터링 타겟 표면에 자장분포를 형성하는 자기회로와,
    를 구비하는 스팻터링 장치.
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