KR20090084950A - 결정형 칸데사르탄 실렉세틸 제조 방법 - Google Patents

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KR20090084950A
KR20090084950A KR1020097013009A KR20097013009A KR20090084950A KR 20090084950 A KR20090084950 A KR 20090084950A KR 1020097013009 A KR1020097013009 A KR 1020097013009A KR 20097013009 A KR20097013009 A KR 20097013009A KR 20090084950 A KR20090084950 A KR 20090084950A
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나티비다드 로드리게스 살가도
안토니오 코스메 고메즈
프란시스코 에우헤니오 팔로모 니콜라우
페드로 곤살레스 에르난데스
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체모 이베리카,에스.에이.
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Abstract

1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 형태(Ⅰ)로서 언급되는 칸데사르탄 실렉세틸의 결정형태를 제조하는 방법이 기술된다. 상기 방법은 형태(Ⅰ)를 주로 포함하는 결정물들을 가지는 씨딩(seeding) 단계와 침지 단계를 포함한다. 본 발명은 상기 결정형태, 그를 포함하는 약학적 조성물, 및 고혈압 치료용 약제의 제조를 위한 그의 사용에 관한 것이다. 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)는 형태(Ⅱ)의 함량이 1% (w/w)보다 낮을 때, 가속 안정도 조건하에서 우수한 안정도를 나타냈다.
Figure P1020097013009
결정형태, 씨드, 침전, 고혈압 치료, 칸데사르탄 실렉세틸, 가속 안정도, 약학적 조성물

Description

결정형 칸데사르탄 실렉세틸 제조 방법{PROCESS FOR PREPARING A CRYSTALLINE FORM OF CANDESART AN CILEXETIL}
본 발명은 결정형 칸데사르탄 실렉세틸, 이러한 형태의 제조 방법, 그를 포함하는 조성물, 및 고혈압 치료에서의 그의 용도에 관한 것이다.
칸데사르탄 실렉세틸은 다음의 구조식을 가지는 2-에톡시-1-[[2'-(1H-테트라졸-5-일)[1,1'-바이페닐]-4-일]메틸]-1H-벤지미다졸-7-카복실산, 1-[[(시클로헥실옥시)카보닐]옥시]에틸 에스테르의 INN(국제 일반명칭)이다:
Figure 112009037687835-PCT00001
칸데사르탄 실렉세틸은 유럽특허출원 제EP-A-045913호에 처음 개시된 항고혈압제(Antihypertensive agent)로서 사용된 활성성분이다.
상기 특허출원의 실시예 1의 실시형태에서, C형으로서 언급되는 결정형태는 X-선 회절패턴과 IR 스펙트럼 흡수 주파수들로부터의 데이터에 의해 확인된다.
C형 결정형태는 원유 생성물, 또는 무정형물, 및/또는 C형 결정형태 외의 결정물을 -5℃ 내지 40℃, 바람직하게는 0℃ 내지 25℃의 온도로 적절한 용매에서 교반함에 의해 획득될 수 있다.
적절한 용매들 가운데, 단쇄(short-chain) 알코올(예, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올), 단쇄 알코올과 물의 혼합물, 및 단쇄 케톤(예, 아세톤)과 물의 혼합물이 보고된다. 용매:물의 비율은 바람직하게는 4:1 내지 1:1이다. 상술한 특허출원은 용매의 양이 제한되지 않지만 일반적으로 결정화될 생성물 질량의 2 내지 30배이라고 개시하고 있다. 이는 또한 C형 결정형태가 획득되지 않는 경우, C형 결정들은 결정화를 용이하게 하도록 씨드(seed)될 수 있다고 보고한다.
C형 결정형태의 제조 공정에 대한 상기 일반 지침과 관계없이, 상기 특허출원은 상기 결정형태를 획득하는 다른 특정 실시형태를 제공하지 않는다.
형태(Ⅰ) 및 형태(Ⅱ), 두 개의 결정형태가 DSC 온도기록도(DSC thermogram), X-선 회절패턴, IR 스펙트라, 및 고상의 13C-NMR 스펙트라에 의해 에이치.마츠나가 외의 Chem. Pharm. Bull.(1999, 47(2), 182-186)에 기술된다.
제EP-A-0459136호에 기재된 C형의 데이터와 본 항목에 기재된 형태(Ⅰ)의 데이터 간의 비교는 그들이 동일한 결정질 다형체라는 결론을 짓게 한다.
마츠나가 외는 형태(Ⅰ)인 안정적인 칸데사르탄 실렉세틸 형태이며, 이는 무정형 형태로부터 또는 아세톤과 물의 혼합물(3:1 v/v)에서 상기 혼합물 중의 임의 의 것을 재결정화함에 의해 형태(Ⅱ)로부터 획득될 수 있다. 상기 항목은 개시된 분석에 사용된 형태(Ⅰ)가 99.4%의 결정학적 순도를 가지지만, 이를 획득하는 특정 방법이 개시되지 않았다고 보고한다.
본 명세서의 비교 실시예 2에서, 칸데사르탄 실렉세틸의 결정화는 상술한 항목의 지침을 따르는 3:1 비율(v/v)의 아세톤/물의 혼합물에서 재생성되었으며, 획득된 칸데사르탄 실렉세틸의 형태(Ⅰ) 결정들은 80℃로 실행된 가속 안정도에서 불완전한 안정도를 나타내며, 그 자체로 상기 가속 안정도 시험에서 높은 불안정도를 나타내는 불순물로서 높은 함량의 형태(Ⅱ)를 가졌음이 관찰되었다.
따라서, 더 나은 활성성분의 안정도를 얻는데 적합한 결정학적 순도를 가진 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법을 제공할 필요가 있다.
본 발명자들은 1% w/w보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가져, 향상된 안정도를 나타내며, 약학적 조성물에서의 사용이 적합한 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법을 개발했다.
본 발명의 목적은 1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 형태(Ⅱ)의 함량이 1% (w/w)보다 낮은 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 더 포함한다.
본 발명의 목적은 본 발명의 제조 방법에 의해 획득가능한 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 더 포함한다.
본 발명의 다른 목적은 형태(Ⅱ)의 함량이 1% (w/w)보다 낮은 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 포함하는 약학적 조성물이다.
본 발명의 목적은 고혈압 치료용 약제의 제조를 위해 형태(Ⅱ)의 함량이 1% (w/w)보다 낮은 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 사용을 더 포함한다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 분말 X-선 회절패턴을 도시한다. 세로좌표는 카운트의 수를 나타내며, 가로좌표는 2θ각으로서의 피크 위치를 나타낸다.
도 2는 본 명세서에 포함된 예비 실시예 1에 따라 제조된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅱ)의 분말 X-선 회절 패턴을 도시한다. 세로좌표는 카운트의 수를 나타내며, 가로좌표는 2θ각으로서의 피크 위치를 나타낸다.
도 3은 형태(Ⅰ)를 가지는 혼합물에서 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅱ)의 함량을 정량하는 측정 곡선을 도시한다. 상기 측정 곡선은 카운트 × 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ) 및 형태(Ⅱ)의 혼합물들 상에 기록된 7°내지 7.5°의 분말 X-선 회절패턴으로 이루어진 2θ각의 피크에 대응하는 °2θ로서 표현되는 강도들(영역들)로 구성되었다. 세로좌표는 형태(Ⅰ)의 비율을 나타내고, 가로좌표는 카운트 ×°2θ로서 표현되는 강도(영역)를 나타낸다.
도 4는 각 가로좌표 및 세로좌표에 있어서의 원점으로부터 2값에 이르는 측정 곡선 영역의 확대를 도시한다. 상기 측정 곡선은 글자(A)로 식별된다. 측정 곡선의 양 측면들에서 글자(B)로 식별되는 두 개의 곡선은 99%의 신뢰 구 간(confidence interval)에 대응하며, 마찬가지로 측정 곡선의 양측들에 위치되며, 곡선들(B)보다 멀게 있는 글자(C)로 지정된 곡선들은 99%의 예측한계에 대응한다. 형태(Ⅰ)에 존재하는 1% 및 0.5%의 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)에 대응하는 세로좌표로부터 점을 그리는 가로 점선들은 각각 18.5 및 23 ×°2θ에 대응하는 가로좌표값의 예측한계곡선을 교차한다.
본 발명의 목적은,
a) 유기 용매 대 물의 비율이 4:1 내지 1:1 (w/w)인, C1-C4 알코올, C1-C4 알코올과 물의 혼합물 및 C3-C4 케톤과 물의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매에 칸데사르탄 실렉세틸을 용해하는 단계, 및
b) 상기 용매로부터의 생성물을 냉각에 의해 결정화하는 단계를 포함하며,
상기 생성물 및 용매를 포함하는 혼합물은,
c) 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 주로 포함하는 결정들과 함께 40℃ 내지 70℃의 온도에서 씨드(seed)되는 단계, 및
d) 냉각 전에 40℃ 내지 70℃의 온도에서 30 내지 90분의 시간 동안 유지되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법에 의해 달성된다.
본 발명의 방법에 사용되는 칸데사르탄 실렉세틸은 예를 들어, 유럽특허출원 제EP-A-0459136호의 실시예 44에 기재된 방법에 따라 획득될 수도 있다. 상기 실시 예에서, 칼럼크로마토그래피 및 후속 용매증발에 의한 반응원료의 정제로부터 무정형물의 제조가 기술되었다. 마찬가지로, 에탄올로부터 무정형물의 결정화에 의한 결정물의 제조가 기술된다.
본 발명의 출물물질로서 사용되는 칸데사르탄 실렉세틸은 무정형 또는 결정형일 수 있다. 결정물은 예를 들어, 형태(Ⅰ) 및 형태(Ⅱ)의 혼합물과 같은 단지 하나의 다형체 또는 다형체의 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 방법에서, 칸데사르탄 실렉세틸은 C1-C4 알코올, C1-C4 알코올과 물의 혼합물 및 C3-C4 케톤과 물의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매에서 용해된다.
본 발명에 걸쳐 용어 "용매"는 단지 하나의 용매이거나 또는 하나 이상의 용매가 포함된 경우, 용매 혼합물을 언급한다.
바람직하게는, 사용된 용매는 C3-C4 케톤과 물의 혼합물, 더 바람직하게는 아세톤과 물의 혼합물이다.
유기 용매/물의 혼합물이 사용될 때, 유기 용매:물의 비율은 바람직하게는 3.5:1 내지 2:1 (v/v), 더 바람직하게는 3.2:1 내지 2.8:1 (v/v)로 이루어진다.
일 바람직한 실시형태에서, 칸데사르탄 실렉세틸은 환류환경하의 아세톤에서 용해되며, 물이 55℃ 내지 57℃의 온도를 유지하면서 천천히 첨가된다. 생성물의 발생은 보통 첨가될 물의 총량 10%-50%에 해당하는 양의 물이 첨가된 후에 발생한다.
본 발명의 방법에 사용된 용매의 양은 결정화될 생성물 질량의 2 내지 30배, 바람직하게는 4 내지 10배이다.
상기 생성물 및 용매를 포함하는 혼합물은 40℃ 내지 70℃의 온도, 바람직하게는 50℃ 내지 60℃의 온도, 더 바람직하게는 54℃ 내지 58℃의 온도에서 씨드된다는 점이 특징된다.
사용될 용매 또는 용매들의 끊는점만이 고려되기 때문에, 본 기술분야의 당업자에게, 본 발명의 온도범위 내에서 선택된 용매계를 위한 적절한 온도를 측정하는 것은 일반적인 사항이다.
본 발명의 방법에서, 생성물 및 용매의 혼합물은 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)을 주로 포함하는 결정들과 함께 씨드된다. 바람직하게는, 상기 결정의 형태(Ⅰ) 함량은 75%보다 높고, 더 바람직하게는 90%보다 높고, 한층 더 바람직하게는 95%보다 높으며, 가장 바람직하게는 99%보다 높다.
처음 상기 씨드 방법(seeding process)을 실행하기 위해서, 비교 실시예 2(하기 참조)에 기술된 방법에 의해 획득된 칸데사르탄 실렉세틸이 사용될 수 있다. 이어서, 1% (w/w)보다 낮고, 보통 0.5% (w/w)보다도 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는, 본 발명의 방법에 의해 획득되는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)가 사용될 수 있다.
일반적으로, 결정들은 반응물에서 영구 혼탁도(permanent turbidity)가 획득될 때가지 씨드된다.
이어서, 씨딩 후에, 생성물/용매의 혼합물은 30 내지 90분, 바람직하게는 45 내지 75분, 더 바람직하게는 55 내지 65분의 시간 동안 40℃ 내지 70℃에서 유지된다. 바람직하게는 상기 온도는 50℃ 내지 60℃, 더 바람직하게는 54℃ 내지 58℃에서 유지된다.
이후에, 혼합물은 냉각된다.
일반적으로, 혼합물은 많은 침전물을 생성하는 20℃ 내지 30℃의 실내온도에서 냉각된다. 바람직하게는, 상기 냉각공정은 0℃에서 10℃까지의 온도에 이르기까지 계속되며, 이러한 온도는 약 1시간의 기간 동안 유지된다. 이러한 시간주기는 완전한 침전을 보장하도록 더 길어질 수도 있다.
침전이 완료되었다고 고려되면, 결정물이 예를 들어, 여과법에 의해 회수되며, 일반적으로 30℃ 내지 50℃의 온도로 난로에서 진공하에 건조된다.
본 발명의 방법에 의해, 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)는 출발물질에 대해 일반적으로 80% 내지 95%인 우수한 수율로 획득된다.
본 발명의 방법은 1% (w/w)보다 낮은, 일반적으로 0.5% (w/w)보다 낮은, 0.1% (w/w)보다도 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 획득하는 것을 가능하게 한다.
획득된 생성물의 결정학적 순도는 이후에 설명되는 바와 같이 구성된 측정 곡선을 사용한 분말 X-선 회절에 의해 정량 측정될 것이다.
우선, 본 발명의 방법(실시예 2)에 따라 제조된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)(도 1) 및 본 발명의 비교 실시예 1에 따라 제조된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅱ)(도 2)의 분말 X-선 회절패턴들이 기록되었다.
이어서 상기 분말 X-선 회절패턴들 및 그들의 피크 목록들이 비교되었으며, 형태(Ⅰ)와 상당히 다른 7°내지 7.5°의 2θ에서의 형태(Ⅱ)의 특징피크가 확인된다. 상기 피크는 Cu Kα방사법을 위해 정확하게 7.26°에 위치하며, 이는 12.15Å의 공간배치에 대응한다.
이러한 추정은 형태(Ⅱ)가 7.28°의 2θ각도에서 형태(Ⅱ)에 대한 분말 X-선 회절패턴에 있어서 가장 높은 강도를 나타내는 특징피크를 가진다고 개시한 마츠나가 외에 의한 전술한 연구에서와 일치한다.
다음으로 표준 샘플들이 실시예 2에 따라 획득된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)과 예비 실시예 1에 따라 획득된 0.5%, 1%, 2%, 5%, 10% 및 20% (w/w)의 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅱ)를 포함하여 제조되었다.
상기 샘플들은 마노 유발기(agate mortar)에서 연마되었으며, X-선 회절계의 회전 샘플 홀더에 놓였으며, 각 샘플들의 분말 X-선 회절패턴이 기록되었다.
분말 X-선 회절패턴들은 40 kV의 전압 및 40 mA의 강도에서 작동하는 동관, 그래파이트 모노크로미터(graphite monochromator) 및 자동 슬롯을 장착한 XCELERATOR 검출기를 구비한 PANALYTICAL XPERT-PRO 기구에 기록되었다. 상기 회전 샘플 홀더는 0.05°의 단계 크기(step size)를 가지고 2°내지 15°사이의 2θ범위에서 지속적으로 주사되었다. 조사 길이는 12 mm였다.
X-선 회절과 관련한 컴퓨터 프로그램은 다른 데이터 중에서도, 2θ각의 피크 및 또한 각 피크에 대응하는 영역들로서 표현되는 강도들이 보이는 목록(listings) 의 획득을 가능하게 한다. 영역으로서 표현되는 강도의 단위는 카운트 ×°2θ이며, 상기 카운트는 피크의 각도 범위 상에서 측정된다. 표 1은 형태(Ⅱ)의 질량에 의해 상이한 비율을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 샘플들에 대응하는 7°내지 7.5°의 2θ각도에서의 피크에 대한 강도 값들을 나타낸다:
Figure 112009037687835-PCT00002
이들 데이터로부터, 식:
Y = 0.0003X2 + 0.1034X-0.1357에 대응하는, 다항조정(polynomial adjustment)을 사용한 측정 곡선이 구성되었으며,
상기 Y는 형태(Ⅱ)의 질량%이며, X는 7°내지 7.5°의 2θ각에서 피크영역으로 표현되는 강도이다. 측정 곡선의 회귀계수는 0.9995의 (R2) 이고, 이는 도 3에 나타난다.
본 발명의 목적 및 상기 측정 곡선 및 99%의 예측한계(도 4 참조)를 참작하여, 7°내지 7.5°사이에 위치된 2θ각에서의 피크영역으로 표현되는 강도가 23개 카운트 ×°2θ보다 낮은 값을 가지는 경우, 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)는 1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 것으로 고려된다. 마찬가지로, 7°내지 7.5°사이에 위치된 2θ각에서의 피크영역으로 표현되는 강도가 18개 카운트 ×°2θ보다 낮은 값을 가지는 경우, 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)는 0.5% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 것으로 고려된다.
도 3의 측정 곡선이 본 발명의 실시예 2와 같은 본 발명의 방법에 따라 제조된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)가 실질상 형태(Ⅱ)가 없는, 즉 형태(Ⅱ)의 함량이 0.1% (w/w)보다 낮은 것으로 해석될 수 있는 대략 원점(점(0.0))을 통과하는 것이 확인될 수 있다.
본 발명의 목적은 형태(Ⅱ)의 함량이 1% (w/w)보다 낮은, 바람직하게는 0.5% (w/w)보다 낮은, 더 바람직하게는 0.1%(w/w)보다 낮은 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)을 포함한다.
본 발명은 또한 본 발명의 방법에 의해 획득될 수 있는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 포함한다.
상기 발명자들은 선행기술의 개시에 의한 여러 결정화 분석을 실행했으며, 다른 결정형태들, 특히 형태(Ⅱ)를 가지는 비정제된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 획득하였으며, 이는 가속 안정도 시험환경 하에서 5 내지 9일의 주기 동안 80℃로 유지될 때, 취약한 안정도를 나타낸다.
표 2는 마츠나가 외에 의한 상술한 연구에 보고된 용매로서 아세톤/물의 혼합물(3:1 v/v)을 사용하는 칸데사르탄 실렉세틸의 결정화 분석 결과들을 요약한다.
Figure 112009037687835-PCT00003
형태(Ⅰ)를 주로 포함한 결정물을 가지고 씨딩(seeding)이 실행되었으며, 침지(digestion)가 30 내지 90분의 시간 동안 40℃ 내지 70℃ 범위의 온도에서 실행되었다.
분석들 1, 2 및 3이 결정형태의 혼합물인 칸데사르탄 실렉세틸을 이끄는 반면, 본 발명의 방법에 대응하는 분석 4는 1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 이끌어낸다.
놀랍게도, 본 발명자들은 주로 형태(Ⅰ)를 포함하는 결정물로 씨딩한 후에 침지 단계를 적용함에 있어서, 형태(Ⅱ)로 설계된 다형체가 실질상 없는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)가 획득되며, 이는 실행된 가속 안정도 시험 조건하에서 유지될 때에 높은 안정도를 보인다는 것을 발견했다.
칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 안정도에 대한 형태(Ⅱ)의 영향을 측정하기 위해, 상이한 비율의 형태(Ⅱ)를 가지는 샘플들이 제조되었으며, 9일에 이르는 상이한 시간기간 동안 80℃온도에서 가속 안정도 시험을 받았다. 상기 시간기간이 지났으면, 샘플들은 실시예들에 기재된 방법에 따라 불순물들의 함량을 측정하기 위해 HPLC에 의해 분석되었다.
상기 시험에서 획득된 결과들은 5일 동안 80℃에서 유지된 후에, HPLC 크로마토그램의 영역들로부터 측정된 60% (w/w)의 불순물 함량을 나타내었기 때문에, 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅱ) 그 자체에 의해 나타난 불안정도의 증가를 나타냈다.
반면, 본 발명의 방법에 의해 제조된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)는 7일 동안 80℃에서 유지된 후에 2% (w/w), 심지어 0.5% (w/w)이하의 불순물 함량을 가졌다. 가속 시험 연구 후에 불순물들의 함량은 실시예 3에 기재된 분석에 나타난 바와 같이, 혼합물에서 형태(Ⅱ)의 비율이 증가함에 따라 증가했다.
본 발명은 또한 이 발명에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있으며, 및/또는 형태(Ⅱ)의 함량이 1% (w/w)보다 낮은, 바람직하게는 0.5% (w/w)보다 낮은, 한층 바람직하게는 0.1% (w/w)보다 낮은 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 포함하는 조성물을 가지는 것이다.
본 발명의 생성물을 포함한 약학적 조성물은 본 기술분야의 당업자에게 공지된 종래의 방법에 의한 제시형태의 제형을 목적으로, 약학적으로 허용가능한 첨가제, 보조제, 부형제, 및/또는 희석제를 포함할 수 있다. 상기 제시형태는 파우더, 과립, 타블렛, 캡슐, 주사, 시럽, 에멀젼, 엘릭시르, 현탁액, 용액, 좌약들을 포함한다. 투여의 경로는 경구, 비경구, 흡입, 직장, 또는 국부일 수 있다.
본 발명은 또한 본 발명의 방법에 따라 획득가능하며, 및/또는 고혈압 치료의 약제 제조를 위한 형태(Ⅱ)의 함량이 1% (w/w)보다 낮은, 바람직하게는 0.5% (w/w)보다 낮은, 한층 바람직하게는 0.1% (w/w)보다 낮은 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 사용하는 것을 포함한다.
다음 실시예들은 본 기술분야의 당업자에게 본 발명의 화합물을 제조하는 방법에 있어서의 특정 실시형태의 상세한 설명을 제공하기 위해 주어진다.
실시예들
예비 실시예 1 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조
예를 들어 특허출원 제EP-A-0459136호에 기재된 방법에 따라 획득된 10.5 g의 원료 칸데사르탄 실렉세틸을 무게를 재워, 63ml(6 볼륨)의 아세톤에 용해하여, 55℃온도에서 환류하에 가열하였다
결과한 용액은 침전물이 나타날 때까지 실내온도(20℃-30℃)에서 서서히 냉각되었다. 침전물이 나타나지 않는 경우, 상기 용액은 용매의 반을 제거함으로써 농축될 것이다.
다음으로 현탁액이 0℃-10℃ 범위의 온도에서 1시간 동안 침전물과 교반되었다.
생성물이 여과법에 의해 분리되었으며, 40℃의 난로(stove)에서 진공하에 건조되었다. 10.1g의 순수한 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅱ)가 획득되었다(96.7% 수율).
결과 생성물의 결정형태는 분말 X-선 회절패턴(도 2)의 기록에 의해 특징되었으며, 이는 마츠나가 외에 의한 전술한 항목에서 제공된 2θ각들에서의 피크 목록 및 분말 X-선 회절패턴과 대략 일치한다.
예비 실시예 2 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 씨드 결정의 제조
예를 들어 특허출원 제EP-A-0459136호에 기재된 방법에 따라 획득된 32.8 kg의 원료 칸데사르탄 실렉세틸의 무게를 재웠다. 83 kg (105.3 l)의 아세톤 및 16 kg의 정화수가 첨가되었으며, 상기 혼합물은 환류하에 가열되었다. 환류온도는 1시간 후에 55℃에 이르렀다.
다음으로, 5.2 kg의 정화수가 첨가되었으며, 55℃온도의 가열이 생성물의 용해를 완료할 때까지 지속되었으며, 이는 약 15분 내에 발생한다.
결과한 용액은 부수하여 일어나는 착색의 제거를 위해 1 kg의 활성탄 및 2 kg의 보조 여과제를 사용하여 여과되었다.
상기 여과한 용액은 40℃에서 유지되었으며, 28 kg (35.5 l)의 아세톤 및 26 kg의 물이 첨가되었다.
결정화에 사용된 아세톤:물의 비율은 3:1 (v/v)이었다.
상기 용액은 55℃로 30분 내에 가열되어, 탁해졌다. 한번 55℃온도에 이르면, 반응물은 이러한 온도를 1시간 동안 유지하였다.
다음으로, 그것은 24℃의 온도에서 2시간 내에 냉각되었다. 대량의 침전물이 나타났으며, 냉각은 -2℃로 5시간 내로 계속되었다.
현탁액이 고체 생성물을 분리하기 위해 원심분리되었으며, 이는 진공하에 40℃의 난로에서 건조되었다. 19% (w/w)의 형태(Ⅱ)를 함유한 28.4 kg (수율 87%)의 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)가 획득되었다.
형태(Ⅱ)의 함량은 전술한 측정 곡선을 기반으로 하여 X-선 회절에 의해 정량 측정되었다.
실시예 1 본 발명의 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조
예를 들어 특허출원 제EP-A-0459136호에 기재된 방법에 따라 획득된 10 g의 원료 칸데사르탄 실렉세틸을 무게를 재워, 41ml(4.1의 볼륨)의 아세톤에 용해하였으며, 상기 혼합물은 55℃-57℃의 온도에서 환류하에 가열되었다. 다음으로, 13.25 ml (1.32의 볼륨)의 물이 서서히 첨가되었으며, 온도는 약 55℃로 유지되었다. 전체 물의 10-15%가 첨가된 후에, 생성물의 완전한 용해가 관찰되었다.
사용된 아세톤:물의 비율은 3:1:1(v/v)이었다.
물의 첨가가 종료되자, 이는 영구 혼탁도(permanent turbidity)가 획득될 때까지 예비 실시예 2에서 획득된 칸데사르탄 실렉세틸의 결정들과 함께 씨드되었다.
상기 혼합물은 55℃로 1시간 동안 교반되었으며, 이어서 서서히 이는 추가 교반하에 약 1시간 내에 실내온도(20℃-30℃)에서 냉각되었다. 대량의 침전물의 출현이 관찰되었다.
다음으로 현탁액은 약 30분 내에 아이스-메탄올 배스(ice-methanol bath)에서 0℃-10℃ 범위의 온도에서 냉각되었으며, 이는 이러한 온도에서 1시간 동안 교반되었다.
참전물이 여과법에 의해 분리되었으며, 9.5 ml의 아세톤/물의 혼합물(3:1 v/v)로 세척되었다.
결과한 생성물은 진공하에 40℃의 난로에서 건조되었으며, 9.1 g (수율 91 %)의 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)가 0.5%(w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량으로 획득되었다.
실시예 2 본 발명의 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조
예를 들어 특허출원 제EP-A-0459136호에 기재된 방법에 따라 획득된 20 g의 원료 칸데사르탄 실렉세틸을 무게를 재워, 60 ml(3의 볼륨)의 아세톤에 용해하였으며, 상기 혼합물은 55℃-57℃의 온도에서 환류하에 가열되었다. 다음으로, 20 ml (1의 볼륨)의 물이 서서히 첨가되었으며, 온도는 약 55℃로 유지되었다.
물의 첨가가 끝나자, 0.5%(w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 예비 실시예 1에서 획득된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 결정들로 씨딩(seeding)이 실행되었다.
상기 혼합물은 55℃로 1시간 동안 교반되었으며, 다음으로 대량의 침전물이 생성될 때까지 교반하에 실내온도(20℃-30℃)에서 서서히 냉각되었다.
다음으로 19 ml의 아세톤:물의 혼합물 (3:1 v/v)이 첨가되었으며, 현탁액이 0℃ 내지 10℃의 온도에서 냉각되어, 상기 온도로 교반하에 1시간 동안 유지되었다.
침전물이 여과법에 의해 분리되었으며, 19 ml의 아세톤/물의 혼합물(3:1 v/v)로 세척되었다.
결과한 생성물은 진공하에 40℃의 난로에서 건조되었으며, 18.4 g의 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)가 실질상 형태(Ⅱ) 없이 획득되었다(수율 92 %).
이 실시예에서 획득된 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)는 불순물로서 형태(Ⅱ)를 함유한 샘플들의 제조를 위해 사용되었으며, 상기 샘플들은 형태(Ⅱ)를 함유한 샘플들에 있어서 형태(Ⅱ)의 함량을 정량 측정하기 위해 측정 곡선을 구성하는 분말 X-선 회절패턴의 기록에 사용되었다.
실시예 3 가속 안정도 시험
상이한 비율의 형태(Ⅱ)를 함유한 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 샘플들이 실시예 2 및 예비 실시예 1에서 획득된 생성물로부터 제조되었다. 상기 샘플들은 9일에 이르는 상이한 기간주기 동안에 80℃의 온도에서 가속 안정도 시험에 노출되었다.
한번 시간주기가 경과하면, 샘플들은 불순물 함량의 측정을 위해 HPLC에 의해 분석되었다.
다음의 유지 시간: 8.3,분 10.4분, 12.5분, 14.1분 및 16.4분에 대응하는 불순물들이 HPLC 크로마토그램에서 확인되었다.
불순물의 HPLC 분석은 V 검출기(워터스 얼리이언스:Waters Alliance)을 가지는 HPLC 시스템에서, 미국 약전 명칭에 의한 L1형 컬럼(L1-type column)으로, 30℃의 온도에서, 1 ml/분의 유동속도, 10μl의 주입량, 210 nm의 UV 검출기를 가지고 실행되었다.
이동상(mobile phase)은 용액(A)(v/v)(수성 0.1% v/v의 트리플루오로아세트산 완충제)과 아세토니트릴의 혼합물에 의해 구성되었다.
분석 동안에, 상기 이동상은 5%의 용액(A)과 95%의 아세토니트릴의 혼합물이 사용되었던 15 내지 25분의 주기를 제외하고는, 45%의 용액(A)과 55%의 아세토니트릴을 포함하였다.
샘플이 상기 샘플의 0.2 mg을 1 ml의 이동상에 용해하면서 제조되었다.
표(Ⅲ)는 실시예 2(형태(Ⅰ)), 예비 실시예 1(형태(Ⅱ))에서 제조된 생성물 및 상기 생성물들과 함께 제조된 혼합물에 대응하는, 나타난 주기 동안에 80℃ 온도로 실행된 가속 안정도 시험의 결과들을 나타낸다:
Figure 112009037687835-PCT00004
불순물의 합계는 상기 명시된 유지 시간에 검출된 분해 불순물(degradation impurities)에 대응하여 HPLC 크로마토그램에 기록된 영역들의 합계를 언급한다.
본 발명의 방법에 따라 제조된 실질상 형태(Ⅱ)가 없는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)는 우수한 안정도를 나타내는 반면, 형태(Ⅱ)는 그 자체로 불안정하며, 가속 안정도의 조건들 하에서 시험 될 때에 상당한 양의 불순물을 생성하는 것이 관찰될 수 있다.
상기 샘플들에서 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅱ)의 비율이 증가할 때, 가속 안정도 시험에서 생성되는 불순물의 비율도 증가한다는 것이 관찰될 수 있다.

Claims (21)

  1. a) 유기 용매 대 물의 비율이 4:1 내지 1:1 (w/w)인, C1-C4 알코올, C1-C4 알코올과 물의 혼합물 및 C3-C4 케톤과 물의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매에 칸데사르탄 실렉세틸을 용해하는 단계, 및
    b) 냉각에 의해 상기 용매로부터의 생성물을 결정화하는 단계를 포함하는 1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법에 있어서,
    상기 생성물 및 용매를 포함하는 혼합물은,
    c) 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 주로 포함하는 결정들과 함께 40℃ 내지 70℃의 온도에서 씨드(seed)되는 단계, 및
    d) 냉각 전에 40℃ 내지 70℃의 온도에서 30 내지 90분의 시간 동안 유지되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 사용된 용매는 C3-C4 케톤과 물의 혼합물인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 용매는 아세톤과 물의 혼합물인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  4. 제 1항 내지 3항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 용매 대 물의 비율은 3.5:1 내지 2:1 (v/v)인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 유기 용매 대 물의 비율은 3.2:1 내지 2.8:1 (v/v)인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  6. 제 1항 내지 5항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 생성물과 용매를 포함하는 생성물은 50℃ 내지 60℃의 온도에서 씨드(seed)되는 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 씨딩(seeding)은 54℃ 내지 58℃의 온도에서 실행되는 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  8. 제 1항 내지 7항 중의 어느 한 항에 있어서,
    씨드 결정들에서 상기 형태(Ⅰ)의 함량은 75%보다 높은 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    씨드 결정들에서 상기 형태(Ⅰ)의 함량은 90%보다 높은 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    씨드 결정들에서 상기 형태(Ⅰ)의 함량은 95%보다 높은 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    씨드 결정들에서 상기 형태(Ⅰ)의 함량은 99%보다 높은 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  12. 제 1항 내지 11항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 d) 단계의 시간주기는 45 내지 75분인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 d) 단계의 시간주기는 55 내지 65분인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  14. 제 1항 내지 13항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 d) 단계의 온도는 50℃ 내지 60℃인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 d) 단계의 온도는 54℃ 내지 58℃인 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 제조 방법.
  16. 1% (w/w)보다 낮은 형태(Ⅱ)의 함량을 가지는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ).
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 형태(Ⅱ)의 함량은 0.5% (w/w)보다 낮은 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ).
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 형태(Ⅱ)의 함량은 0.1% (w/w)보다 낮은 것을 특징으로 하는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ).
  19. 제 1항 내지 15항 중의 어느 한 항에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있는 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ).
  20. 제 16항 내지 19항 중의 어느 한 항에 따른 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)를 포함하는 약학적 조성물.
  21. 고혈압 치료용 약제 제조를 위한 제 16항 내지 19항 중의 어느 한 항에 따른 칸데사르탄 실렉세틸 형태(Ⅰ)의 용도.
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