KR20090070664A - Injection unit and apparatus for treating substrate with the same - Google Patents

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Abstract

An injection unit and a substrate processing device having the same are provided to reduce a time of a substrate process by reducing a replacing time of a nozzle in a cleaning process. An injection unit(200) sprays the process liquid. The injection unit includes an injection module and a driving module. An injection module includes a shaft which is horizontally placed and a nozzle(210) which is coupled to the shaft and is rotated to the direction vertical to the shaft. A driving module drives the injection module. The nozzle includes a rotating unit and a discharging unit. The rotating unit is coupled to the shaft. The discharging unit is extended from the rotating unit and sprays the process fluid.

Description

분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{INJECTION UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}Injection unit and substrate processing apparatus having the same {INJECTION UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}

본 발명은 처리유체를 분사하는 분사유닛 및 이를 구비하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an injection unit for injecting a processing fluid and an apparatus for treating a substrate having the same.

반도체 집적회로 칩 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조를 위한 유리 기판 등의 기판을 처리하는 장치들 중 세정 장치는 기판으로 처리유체를 분사하여 기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다.Among apparatuses for processing substrates such as wafers for semiconductor integrated circuit chip manufacturing and glass substrates for flat panel display manufacturing, a cleaning apparatus sprays a processing fluid onto the substrate to remove foreign substances remaining on the surface of the substrate.

이러한 세정 장치는 용기, 척, 그리고 분사유닛을 가진다. 용기는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 척은 공정시 상기 용기 내부에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 그리고, 분사유닛은 공정시 용기의 개방된 상부를 통해 척에 놓여진 웨이퍼의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 분사유닛으로는 복수의 노즐들이 사용된다. 공정이 개시되면, 척에 웨이퍼가 놓여지고 각각의 노즐들은 척에 의해 회전되는 웨이퍼 상에 처리유체를 분사하여 웨이퍼를 세정한다. 이때, 각각의 노즐은 처리유체를 분사하기 전 장치의 일측에서 대기하며, 처리유체 분사시 노즐들 중 어느 하나가 선택적으로 처리유체를 분사하기 위한 분사위치로 이동되어 처리액을 분사한다. 그리 고, 처리유체 분사를 완료한 노즐은 다시 대기위치로 이동되고, 다른 노즐이 분사위치로 이동되어 다음의 처리유체를 기판상에 분사한다.This cleaning device has a vessel, a chuck and an injection unit. The container has a cup shape with an open top, and the chuck supports and rotates the substrate inside the container during processing. And, the injection unit injects the processing fluid to the processing surface of the wafer placed on the chuck through the open top of the container during the process. A plurality of nozzles are used as the injection unit. When the process is initiated, the wafer is placed on the chuck and the respective nozzles spray the processing fluid onto the wafer rotated by the chuck to clean the wafer. At this time, each nozzle is waiting at one side of the apparatus before injecting the processing fluid, any one of the nozzles is selectively moved to the injection position for injecting the processing fluid during the injection of the processing fluid to spray the processing liquid. Then, the nozzle having completed the injection of the processing fluid is moved to the standby position again, and another nozzle is moved to the injection position to inject the next processing fluid onto the substrate.

그러나, 이러한 기판 세정 장치는 노즐을 교체하는 시간이 길어 공정시간이 증가한다. 예를 들면, 세정 공정시 노즐의 토출단 부분은 용기의 개방된 상부를 통해 용기 내부 공간에 위치된 상태로 처리유체를 토출시킨다. 따라서, 이 경우 노즐이 분사위치와 대기위치 간에 이동시 노즐의 이동 경로 상에 용기가 위치되어 노즐과 용기가 충돌될 수 있다. 노즐과 용기의 충돌을 방지하기 위해서는 노즐이 이동되기 전에 노즐의 이동경로 상으로부터 용기의 위치를 변경시키거나, 노즐이 용기를 피해서 분사위치와 대기위치 상호간에 이동되도록 하여야 하므로, 노즐 교체에 따른 시간이 증가한다. 노즐 교체시에는 기판으로의 처리유체 공급이 중단되므로, 노즐을 교체하는 동안에 웨이퍼의 표면이 외부 공기 중에 노출되어 웨이퍼의 세정 효율이 저하된다.However, such a substrate cleaning apparatus has a long time for replacing the nozzle, thereby increasing the processing time. For example, during the cleaning process, the discharge end portion of the nozzle discharges the processing fluid in a state located in the interior space of the container through the open top of the container. Therefore, in this case, when the nozzle moves between the injection position and the standby position, the container may be positioned on the movement path of the nozzle, and the nozzle and the container may collide. In order to prevent the nozzle from colliding with the container, the position of the container must be changed from the nozzle moving path before the nozzle is moved, or the nozzle must be moved between the spraying position and the standby position to avoid the container. This increases. Since the supply of the processing fluid to the substrate is stopped during the nozzle replacement, the surface of the wafer is exposed to the outside air during the nozzle replacement, thereby reducing the cleaning efficiency of the wafer.

본 발명은 노즐의 교체로 인해 기판 처리 공정 효율이 저하되는 것을 방지하는 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a spray unit and a substrate processing apparatus having the same, which prevents the substrate processing process efficiency from being lowered due to the replacement of the nozzle.

본 발명은 노즐의 교체 시간을 단축하여 기판 처리 공정 시간을 단축하는 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a spray unit and a substrate processing apparatus having the same, which shortens the replacement time of the nozzle and shortens the substrate processing time.

본 발명에 따른 분사유닛은 수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 회전되는 노즐을 가지는 분사모듈 및 상기 분사모듈을 구동시키는 구동모듈을 포함한다.The injection unit according to the present invention includes an injection module having a shaft placed horizontally and a nozzle coupled to the shaft and rotated in a direction perpendicular to the shaft, and a driving module for driving the injection module.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐은 상기 샤프트와 축결합되는 회전부 및 상기 회전부로부터 연장되며 처리유체를 분사하는 토출부를 가진다.According to an embodiment of the present invention, the nozzle has a rotating part axially coupled with the shaft and a discharge part extending from the rotating part and injecting a processing fluid.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인, 상기 제1 라인과 수직하는 제2 라인, 그리고 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하며, 라운드지는 형상을 가지는 연결라인을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the discharge portion is a first line extending in a straight line from the end of the rotating portion, a second line perpendicular to the first line, and connects the first line and the second line, round It includes a connecting line having a losing shape.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인 및 상기 제1 라인의 끝단으로부터 상기 제1 라인과 수직하게 아래방향으로 연장되는 제2 라인을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the discharge part includes a first line extending in a straight line from an end of the rotating part and a second line extending downwardly perpendicular to the first line from an end of the first line.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 가지는 용기, 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 척, 그리고 상기 척에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 분사유닛은 수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 회전되는 노즐을 가지는 분사모듈 및 상기 분사모듈을 구동시키는 구동모듈을 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a container having a space in which a substrate processing process is performed, a chuck for supporting a substrate in the container, and a spraying unit for injecting a processing fluid into a substrate placed on the chuck. The injection unit includes an injection module having a shaft placed horizontally and a nozzle coupled to the shaft and rotating in a direction perpendicular to the shaft, and a driving module for driving the injection module.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐은 상기 샤프트와 축결합되는 회전부 및 상기 회전부로부터 연장되며 처리유체를 분사하는 토출부를 가지되, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인, 상기 제1 라인과 수직하는 제2 라인, 그리고 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하며, 라운드지는 형상을 가지는 연결하는 연결라인을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the nozzle has a rotating part axially coupled with the shaft and a discharge part extending from the rotating part and injecting a processing fluid, wherein the discharge part has a first line extending straight from the end of the rotating part; And a second line perpendicular to the first line, and a connection line connecting the first line and the second line and having a rounded shape.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인 및 상기 제1 라인의 끝단으로부터 아래방향으로 수직하게 연장되는 제2 라인을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the discharge part includes a first line extending straight from the end of the rotating part and a second line extending vertically downward from the end of the first line.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동모듈은 상기 노즐이 처리유체를 분사하기 위한 분사위치 및 상기 분사위치로 이동되기 전에 상기 노즐이 대기하는 대기위치 상호간에 위치되도록 상기 노즐을 회전시키는 노즐 구동기를 포함하되, 상기 분사위치는 상기 회전부가 수평으로 놓여지는 위치이고, 상기 대기위치는 상기 회전부가 수직하게 놓여지는 위치이다.According to an embodiment of the present invention, the driving module includes a nozzle driver for rotating the nozzle so that the nozzle is positioned between the injection position for injecting the processing fluid and the standby position where the nozzle waits before moving to the injection position. Including, the injection position is a position where the rotating part is placed horizontally, the standby position is a position where the rotating part is placed vertically.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐은 복수가 일렬로 배치되고, 상기 구 동모듈은 각각의 상기 노즐을 독립적으로 상기 분사위치 및 상기 대기위치 상호간에 위치시킨다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of nozzles are arranged in a row, and the driving module independently positions each nozzle between the injection position and the standby position.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동모듈은 상기 분사모듈을 수평으로 일정각도로 스윙 운동시키는 제2 구동기 및 상기 제2 구동기를 직선왕복이동시키는 제3 구동기를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the driving module further includes a second driver for swinging the injection module horizontally at a predetermined angle and a third driver for linearly reciprocating the second driver.

본 발명에 따른 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 세정 공정시 노즐의 교체시간을 단축하여 기판의 처리 공정의 효율을 향상시키고, 기판 처리 공정 시간을 단축한다.The injection unit and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention shorten the replacement time of the nozzle during the cleaning process, thereby improving the efficiency of the substrate processing process and shortening the substrate processing time.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것은 아니다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자, 즉 당업자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a substrate processing apparatus and method according to an embodiment of the present invention. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, that is, to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures is exaggerated to emphasize clear explanation.

또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판 상에 처리유체를 분사하여 기판상의 이물질을 제거하는 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리유체를 분사하는 분사유닛을 구비하는 모든 장치에 적용이 가능할 수 있다. In addition, the embodiment of the present invention has been described with an apparatus for performing a process of removing the foreign matter on the substrate by injecting the processing fluid on the semiconductor substrate as an example, the present invention is applied to all devices having an injection unit for injecting the processing fluid Application may be possible.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 분사유닛의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 1에 도시된 제1 내지 제3 노즐을 보여주는 사시도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a view showing the configuration of the injection unit shown in FIG. 3 is a perspective view illustrating the first to third nozzles shown in FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 반도체 기판(이하, 웨이퍼)(W)을 세정하는 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 세정유닛(cleaning unit)(100) 및 분사유닛(injection unit)(200)을 가진다. 세정유닛(100)은 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정공정을 수행하고, 분사유닛(200)은 세정공정시 웨이퍼(W) 상으로 처리유체를 분사한다.1 to 3, an apparatus for treating substrate 10 according to the present invention performs a process of cleaning a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a wafer) W. FIG. The substrate processing apparatus 10 has a cleaning unit 100 and an injection unit 200. The cleaning unit 100 performs a cleaning process for removing foreign matter remaining on the wafer W, and the injection unit 200 injects a processing fluid onto the wafer W during the cleaning process.

세정유닛(100)은 용기(110) 및 스핀척(120)을 가진다. The cleaning unit 100 has a container 110 and a spin chuck 120.

용기(110)는 내부에 세정공정을 수행하는 공간을 가진다. 용기(110)는 상부가 개방된 컵(cup) 형상을 가진다. 용기(110)의 개방된 상부(112)는 웨이퍼(W)가 용기(110) 내 공간으로 출입되기 위한 통로로 사용된다.The container 110 has a space for performing a cleaning process therein. The container 110 has a cup shape with an open top. The open top 112 of the vessel 110 serves as a passage for the wafer W to enter and exit the space in the vessel 110.

스핀척(120)은 세정공정시 용기(110) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지 및 회전한다. 스핀척(120)은 스핀헤드(122), 회전축(124), 그리고 척 구동기(126)를 가진다. 스핀헤드(122)는 대체로 원통형상을 가진다. 스핀헤드(122)는 웨이퍼(W)가 놓여지는 상부면(122a)을 가진다. 상부면(122a)의 가장자리에는 복수의 척킹핀(122b)들이 설치된다. 척킹핀(122b)은 상부면(122a)에 놓여진 웨이퍼(W)의 가장자리를 척킹 및 언척킹하여, 스핀헤드(122) 상에 웨이퍼(W)를 고정시킨다.The spin chuck 120 supports and rotates the wafer W in the container 110 during the cleaning process. The spin chuck 120 has a spin head 122, a rotation axis 124, and a chuck driver 126. Spinhead 122 has a generally cylindrical shape. The spin head 122 has an upper surface 122a on which the wafer W is placed. A plurality of chucking pins 122b are installed at the edge of the upper surface 122a. The chucking pin 122b chucks and unchucks the edge of the wafer W placed on the upper surface 122a to fix the wafer W on the spin head 122.

회전축(124)은 용기(110) 하부벽(112) 중앙을 상하로 관통하도록 설치된다. 회전축(124)의 상단은 스핀헤드(122)의 하부 중앙에 결합되고, 회전축(124)의 하단은 척 구동기(126)에 결합된다. 그리고, 척 구동기(126)는 세정공정시 회전축(124)을 회전시켜, 스핀헤드(122)에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 또한, 척 구동기(126)는 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩시, 회전축(124)을 상승시켜 스핀헤드(122)의 상부면(122a)이 용기(110)의 개방된 상부(112)를 통해 용기(110) 외부 공간에 노출되도록 한다. The rotating shaft 124 is installed to vertically penetrate the center of the lower wall 112 of the container 110. The upper end of the rotation shaft 124 is coupled to the lower center of the spin head 122, and the lower end of the rotation shaft 124 is coupled to the chuck driver 126. The chuck driver 126 rotates the rotating shaft 124 during the cleaning process to rotate the wafer W placed on the spin head 122 at a predetermined rotation speed. In addition, the chuck driver 126 raises the rotation shaft 124 when loading and unloading the wafer W so that the upper surface 122a of the spin head 122 opens the open upper 112 of the container 110. Through the container 110 to be exposed to the external space.

본 실시예에서는 스핀헤드(122)를 승강시켜 웨이퍼(W)의 로딩을 수행하는 경우를 설명하였으나, 용기(110)의 높이를 조절하여 스핀헤드(122)를 용기(110)의 개방된 상부(112)를 통해 용기(110) 외부로 노출되도록 하여 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩을 수행할 수 있다.In the present embodiment, a case in which the loading of the wafer W is performed by elevating the spin head 122 is performed, but the height of the container 110 is adjusted to move the spin head 122 to an open upper portion of the container 110. The wafer W may be loaded and unloaded by being exposed to the outside of the container 110 through 112.

분사유닛(200)은 분사모듈(injection module)(202) 및 구동모듈(driving module)(250)을 가진다. 분사모듈(202)은 샤프트(shaft)(210), 제1 노즐(first nozzle)(220), 제2 노즐(second nozzle)(230), 그리고 제3 노즐(third nozzle)(240)을 가진다. The injection unit 200 has an injection module 202 and a driving module 250. The injection module 202 has a shaft 210, a first nozzle 220, a second nozzle 230, and a third nozzle 240.

샤프트(210)는 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)의 회전을 위해 제공된다. 샤프트(210)는 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)과 축결합되어, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 일정각도로 회전되도록 한다. 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)들은 샤프트(210)의 길이방향을 따라 서로 나란히 배치된다. 이때, 샤프 트(210)는 대체로 수평하게 놓여지며, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)은 샤프트(210)를 축으로 하여 회전된다. 본 실시예에서는 하나의 샤프트(210)가 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)과 축결합되는 구조를 예로 들어 설명하였으나, 샤프트는 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각에 하나씩 구비될 수 있다.The shaft 210 is provided for rotation of the first to third nozzles 220, 230, and 240. The shaft 210 is axially coupled with each of the first to third nozzles 220, 230, and 240, such that the first to third nozzles 220, 230, and 240 are rotated at an angle. The first to third nozzles 220, 230, and 240 are arranged side by side along the longitudinal direction of the shaft 210. In this case, the shaft 210 is generally horizontally positioned, and the first to third nozzles 220, 230, and 240 are rotated about the shaft 210. In the present embodiment, a structure in which one shaft 210 is axially coupled to the first to third nozzles 220, 230, and 240 is described as an example, but the shaft is the first to third nozzles 220, 230, and 240. One may be provided in each.

제1 노즐(220)은 세정공정시 제1 유체를 분사한다. 제1 유체는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 세정액일 수 있다. 제1 노즐(220)은 제1 회전부(222) 및 제1 토출부(224)를 가진다. 제1 회전부(222)의 일측은 샤프트(210)와 축결합된다. 따라서, 제1 회전부(222)는 샤프트(210)를 기준으로 일정각도 회전된다. 제1 토출부(224)는 세정공정시 웨이퍼(W) 상으로 제1 유체를 토출한다. 제1 토출부(224)는 제1 회전부(222)의 타단으로부터 연장되되 라운드(round)지는 형상을 가진다. 예컨대, 제1 토출부(224)는 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2), 그리고 연결라인(L3)을 가진다. 제1 라인(L1)은 제1 회전부(222)의 타단으로부터 일직선으로 연장된다. 제2 라인(L10)은 제2 라인(L1)과 수직하는 라인이다. 제2 라인(L2)의 하단에는 제1 유체가 토출되는 토출홀(h1)이 형성된다. 그리고, 연결라인(L3)은 제1 라인(L1)와 제2 라인(L2)을 연결하는 라인이다. 이때, 연결라인(L3)은 제1 라인(L1)의 끝단으로부터 제2 라인(L2)의 상단으로 갈수록 굴곡지게 구부러지는 형상을 가진다. The first nozzle 220 injects the first fluid during the cleaning process. The first fluid may be a cleaning liquid for removing foreign matter remaining on the wafer (W). The first nozzle 220 has a first rotating part 222 and a first discharge part 224. One side of the first rotating part 222 is axially coupled with the shaft 210. Thus, the first rotating part 222 is rotated by an angle based on the shaft 210. The first discharge part 224 discharges the first fluid onto the wafer W during the cleaning process. The first discharge part 224 extends from the other end of the first rotating part 222 and has a shape that is rounded. For example, the first discharge part 224 has a first line L1, a second line L2, and a connection line L3. The first line L1 extends in a straight line from the other end of the first rotating part 222. The second line L10 is a line perpendicular to the second line L1. A discharge hole h1 through which the first fluid is discharged is formed at a lower end of the second line L2. In addition, the connection line L3 is a line connecting the first line L1 and the second line L2. At this time, the connection line (L3) has a shape that is bent toward the upper end of the second line (L2) from the end of the first line (L1).

제2 노즐(230) 및 제3 노즐(240)은 세정공정시 각각 제2 유체 및 제3 유체를 분사한다. 제2 유체는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 제1 유체 및 기타 이물질을 제거하기 위한 린스액이고, 제3 유체는 웨이퍼(W)를 건조하기 위한 건조가스일 수 있다. 제2 노즐(230)은 제2 회전부(232) 및 제2 토출부(234)를 가지고, 제3 노즐(240)은 제3 회전부(242) 및 제3 토출부(244)를 가진다. 제2 및 제3 회전부(232, 242)는 상술한 제1 회전부(222)와 동일한 형상 및 구조를 가지고, 제2 및 제3 토출부(234)는 상술한 제1 토출부(234)와 동일한 형상 및 구조를 가진다.The second nozzle 230 and the third nozzle 240 inject the second fluid and the third fluid, respectively, during the cleaning process. The second fluid may be a rinse liquid for removing the first fluid and other foreign matter remaining on the wafer W, and the third fluid may be a dry gas for drying the wafer W. The second nozzle 230 has a second rotating part 232 and a second discharge part 234, and the third nozzle 240 has a third rotating part 242 and a third discharge part 244. The second and third rotating parts 232 and 242 have the same shape and structure as the first rotating part 222 described above, and the second and third discharge parts 234 are the same as the first discharge part 234 described above. It has a shape and a structure.

구동모듈(240)은 분사모듈(202)을 구동한다. 구동모듈(240)은 제1 구동기(242) 및 제2 구동기(244) 그리고 제3 구동기(246)를 가진다. The drive module 240 drives the injection module 202. The driving module 240 has a first driver 242, a second driver 244, and a third driver 246.

제1 구동기(242)는 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)을 독립적으로 구동시킨다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 구동기(242)는 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각을 선택적으로 분사위치(a) 및 스탠바이위치(b) 상호간에 위치시키는 구동기(242a, 242b, 242c)를 가진다. 분사위치(a)는 공정시 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 처리유체를 분사하기 위한 위치이고, 스탠바이위치(b)는 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 분사위치(a)로 이동되기 전 대기하는 위치이다. 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각이 분사위치(a)에 위치되면 각각의 회전부(222, 232, 242)는 대체로 수평하게 놓여지며, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각이 분사위치(a)에 위치되면, 각각의 회전부(222, 232, 242)는 대체로 상하로 수직하게 놓여진다. 또한, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 분사위치(a)에 위치되면, 토출구(h1, h2, h3)가 형성된 토출부(224, 234, 244)의 끝단은 용기(210) 내부 공간에 위치된다.The first driver 242 independently drives each of the first to third nozzles 220, 230, and 240. For example, as shown in FIG. 3, the first driver 242 selectively drives each of the first to third nozzles 220, 230, and 240 between the injection position (a) and the standby position (b). (242a, 242b, 242c). The injection position (a) is a position for each of the first to third nozzles 220, 230, and 240 to inject the processing fluid during the process, and the standby position (b) is for each of the first to third nozzles 220, 230 and 240 are positions waiting before moving to the injection position (a). When each of the first to third nozzles 220, 230, and 240 is positioned at the injection position a, the rotating parts 222, 232, and 242 are generally horizontally positioned, and the first to third nozzles 220, 230 are positioned horizontally. 240, each of which is located in the injection position (a), each of the rotary parts 222, 232, 242 is generally placed vertically vertically. In addition, when the first to third nozzles 220, 230, and 240 are positioned at the injection position a, the ends of the discharge parts 224, 234, and 244 in which the discharge holes h1, h2, and h3 are formed are disposed in the container 210. ) Is located in the inner space.

여기서, 각각의 구동기(242a, 242b, 242c)로는 구동실린더(driving cylinder)가 사용될 수 있다. 즉, 구동기(242a, 242b, 242c) 각각은 제1 내지 제3 회전부(222, 232, 242)의 일부를 밀거나 당겨 회전되도록 함으로서 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)들이 분사위치(a) 및 스탠바이위치(b) 상호간에 위치되도록 할 수 있다. 또는, 구동기(242a, 242b, 242c)로는 회전모터(rotating motor)가 사용될 수 있다. 즉, 각각의 구동기(242a, 242b, 242c)는 제1 내지 제3 회전부(242a, 242b, 242c)를 각각 회전시켜 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 분사위치(a) 및 스탠바이위치(b) 상호간에 위치되도록 할 수 있다. 이 경우 제1 구동기(242)에는 구동기(242a, 242b, 242c)의 회전력을 제1 내지 제3 회전부(242a, 242b, 242c)이 전달받기 위한 구성들, 예컨대 기어(gear) 및 벨트(belt)가 구비될 수 있다. 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)을 구동하는 방식은 다양한 구동기술이 적용될 수 있다.Here, a driving cylinder may be used as each of the drivers 242a, 242b, and 242c. That is, each of the drivers 242a, 242b, and 242c is rotated by pushing or pulling a portion of the first to third rotating parts 222, 232, and 242 so that the first to third nozzles 220, 230, and 240 are sprayed. (a) and the standby position (b) can be located mutually. Alternatively, a rotating motor may be used as the drivers 242a, 242b, and 242c. That is, each of the drivers 242a, 242b, and 242c rotates the first to third rotating parts 242a, 242b, and 242c, respectively, so that the first to third nozzles 220, 230, and 240 are spray positions (a) and Standby positions (b) can be located mutually. In this case, the first driver 242 includes components for receiving the rotational force of the drivers 242a, 242b, and 242c from the first to third rotating parts 242a, 242b, and 242c, such as a gear and a belt. It may be provided. Various driving techniques may be applied to a method of driving the first to third nozzles 220, 230, and 240.

제2 구동기(244)는 회전축(244a)을 회전방향(R)으로 회전시켜, 세정공정시 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 스윙운동(swing movement)하면서 처리유체를 분사하도록 한다. 또한, 제2 구동기(244)는 분사모듈(202)을 상하로 승강 및 하강시켜 제1 노즐 내지 제3 노즐(220, 230, 240)의 높이를 조절할 수 있다.The second driver 244 rotates the rotation shaft 244a in the rotation direction R so that the first to third nozzles 220, 230, and 240 may spray the processing fluid while swinging during the cleaning process. do. In addition, the second driver 244 may adjust the height of the first to third nozzles 220, 230, and 240 by raising and lowering the injection module 202 up and down.

제3 구동기(246)는 분사모듈(202)을 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)으로 직선이동한다. 제3 구동기(246)는 제2 구동기(244)의 제1 및 제2 방향(X1, X2)으로의 이동을 안내하는 가이드레일(246a)을 가진다. 제3 구동기(246)는 제2 구동기(244)를 가이드레일(242a)를 따라 직선이동시켜, 분사모듈(202)을 공정위치(c) 및 대기위치(d) 상호간에 위치시킨다. 공정위치(c)는 세정공정시 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 스핀척(126)에 놓여진 웨이퍼(W) 상에 처리유체를 분사하기 위한 분사모듈(202)의 위치이고, 대기위치(d)는 공정위치(c)로 이동되기 전에 분사모듈(202)이 장치(10)의 일측에서 대기하는 위치이다.The third driver 246 linearly moves the injection module 202 in the first direction X1 and the second direction X2. The third driver 246 has a guide rail 246a for guiding movement of the second driver 244 in the first and second directions X1 and X2. The third driver 246 linearly moves the second driver 244 along the guide rail 242a to position the injection module 202 between the process position c and the standby position d. The process position (c) is a position of the injection module 202 for injecting a processing fluid onto the wafer W on which the first to third nozzles 220, 230, and 240 are placed on the spin chuck 126 during the cleaning process. , Waiting position (d) is a position where the injection module 202 waits on one side of the device 10 before moving to the process position (c).

본 실시예에서는 일부가 일정한 곡률로 라운드지는 토출부를 가지는 분사모듈(202)을 예로 들어 설명하였으나, 토출부의 형상은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 분사모듈(202a)은 일부분이 직각으로 구부러지는 형상의 토출부(224', 234', 244')를 가진다. 즉, 토출부(224', 234', 244')은 각각 회전부(222, 232, 242)의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인(224a, 234a, 244a) 및 각각의 제1 라인(224a, 234a, 244a)의 끝단으로부터 제1 라인(224a, 234, 244a)과 수직하게 아래로 연장되는 제2 라인(224b, 234b, 244b)를 가진다. In the present exemplary embodiment, the injection module 202 having a discharge part rounded to a certain curvature has been described as an example, but the shape of the discharge part may be variously changed and modified. For example, as shown in FIG. 4, the injection module 202a according to another embodiment of the present invention has discharge portions 224 ′, 234 ′, and 244 ′ in which a portion is bent at a right angle. That is, the discharge parts 224 ′, 234 ′, and 244 ′ are respectively formed of the first lines 224 a, 234 a, 244 a and the first lines 224 a, which extend in a straight line from the ends of the rotating parts 222, 232, 242, respectively. And second lines 224b, 234b and 244b extending downwardly perpendicular to the first lines 224a, 234 and 244a from the ends of 234a and 244a.

또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분사유닛(200b)은 일부분이 일정각도(θ)로 구부러지는 토출부(224'',234'',244'')를 가진다. 즉, 토출부(224'', 234'', 244'')는 제1 라인(224a',234a',244a') 및 제2 라인(224b', 234b', 244b')를 가진다. 제1 토출라인(224a', 234a', 244a')은 각각 회전부(222, 232, 242)의 끝단으로부터 제1 각도로 경사지도록 연장된다. 제2 토출라인(224b', 234b', 244b')은 제1 토출라인(224a', 234a', 244a')의 끝단으로부터 상기 제1 각도보다 큰 제2 각도로 아래로 경사지게 연장된다. Or, as shown in Figure 5, the injection unit 200b according to another embodiment of the present invention is the discharge portion (224 ″, 234 ″, 244 ″), a portion of which is bent at a certain angle (θ) Has That is, the discharge parts 224 ″, 234 ″, and 244 ″ have first lines 224a ', 234a' and 244a 'and second lines 224b', 234b 'and 244b'. The first discharge lines 224a ', 234a', and 244a 'extend to be inclined at a first angle from the ends of the rotating parts 222, 232, and 242, respectively. The second discharge lines 224b ', 234b', and 244b 'extend inclined downward at a second angle greater than the first angle from the ends of the first discharge lines 224a', 234a ', and 244a'.

이하, 도 6 및 도 7a 내지 도 7e를 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 6는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이고, 도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.Hereinafter, a process of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7A to 7E. 6 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to the present invention, and FIGS. 7A to 7E are diagrams for describing a process of the substrate processing apparatus according to the present invention.

기판 처리 공정이 개시되면, 세정유닛(100)에 웨이퍼(W)가 로딩(loading)된다(S110). 즉, 도 7a를 참조하면, 로봇암(미도시됨)은 스핀척(120)의 스핀헤드(122) 상에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 이때, 스핀헤드(122)의 상부면은 용기(110)의 개방된 상부(112)를 통해 용기(110) 외부에 노출되어 있다. 스핀헤드(122)에 웨이퍼(W)가 놓여지면, 구동기(126)는 스핀헤드(122)를 용기(110) 내부로 위치시킨다.When the substrate treating process is started, the wafer W is loaded into the cleaning unit 100 (S110). That is, referring to FIG. 7A, a robot arm (not shown) seats the wafer W on the spin head 122 of the spin chuck 120. At this time, the upper surface of the spin head 122 is exposed to the outside of the container 110 through the open top 112 of the container 110. When the wafer W is placed on the spin head 122, the driver 126 positions the spin head 122 into the container 110.

웨이퍼(W)가 로딩되면, 구동모듈(240)의 제3 구동기(246)는 분사모듈(202)을 대기위치(d)로부터 공정위치(c)로 이동시킨다(S120). 즉, 제3 구동기(246)는 제2 구동기(244)를 가이드레일(246a)를 따라 제1 방향(X1)으로 이동시켜, 분사모듈(202)을 공정위치(c)에 위치시킨다.When the wafer W is loaded, the third driver 246 of the driving module 240 moves the injection module 202 from the standby position d to the process position c (S120). That is, the third driver 246 moves the second driver 244 along the guide rail 246a in the first direction X1 to position the injection module 202 at the process position c.

분사모듈(202)이 공정위치(c)에 위치되면, 제1 노즐(220)에 의해 웨이퍼(W) 세정이 수행된다(S130). 즉, 도 7b를 참조하면, 척 구동기(126)는 회전축(124)을 회전시켜, 스핀헤드(122)에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 그리고, 제1 구동기(242)는 스탠바이 위치(b)에 위치된 제1 노즐(220)을 회전시켜 분사위치(a)에 위치시킨다. 제1 노즐(220)이 분사위치(a)에 위치되면, 제1 노즐(220)의 토출홀(h1)은 용기(210) 내 공간에 위치된다. 분사위치(a)에 위치된 제1 노즐(220)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 제1 유체를 분사한다. 분사된 제1 유체는 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 이때, 제2 구동기(244)는 분사모듈(202)을 회전방향(R)으로 회전시켜, 제1 노즐(220)이 스윙운동하면서 제1 유체를 분사하도록 할 수 있다.When the injection module 202 is located at the process position c, the wafer W is cleaned by the first nozzle 220 (S130). That is, referring to FIG. 7B, the chuck driver 126 rotates the rotation shaft 124 to rotate the wafer W placed on the spin head 122 at a predetermined rotation speed. In addition, the first driver 242 rotates the first nozzle 220 positioned at the standby position b to position the injection position a. When the first nozzle 220 is located at the injection position a, the discharge hole h1 of the first nozzle 220 is located in the space in the container 210. The first nozzle 220 positioned at the injection position a injects a first fluid to the processing surface of the wafer W to be rotated. The injected first fluid removes foreign matter remaining on the wafer W surface. In this case, the second driver 244 may rotate the injection module 202 in the rotation direction R to inject the first fluid while the first nozzle 220 swings.

제1 노즐(220)에 의한 웨이퍼(W) 세정이 완료되면, 제2 노즐(230)에 의한 웨이퍼(W) 세정이 수행된다(S140). 즉, 도 7c를 참조하면, 제1 구동기(242)는 제1 노즐(220)을 분사위치(a)로부터 스탠바이 위치(b)로 이동시키고, 제2 노즐(230)을 스탠바이 위치(b)로부터 분사위치(a)로 이동시킨다. 이때, 제1 노즐(220)의 스탠바이 위치(b)로의 이동과 제2 노즐(230)의 분사위치(a)로의 이동은 동시에 수행될 수 있다. 제2 노즐(230)이 분사위치(a)에 위치되면, 제2 노즐(230)의 토출홀(h2)은 용기(210) 내 공간에 위치된다. 분사위치(a)에 위치된 제2 노즐(230)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 제2 유체를 분사한다. 분사된 제2 유체는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 제1 유체 및 기타 이물질을 제거한다. 이때, 제2 구동기(244)는 분사모듈(202)을 회전방향(R1)으로 왕복 회전시켜, 제2 노즐(230)이 스윙운동하면서 제2 유체를 분사하도록 할 수 있다.When the cleaning of the wafer W by the first nozzle 220 is completed, the cleaning of the wafer W by the second nozzle 230 is performed (S140). That is, referring to FIG. 7C, the first driver 242 moves the first nozzle 220 from the injection position a to the standby position b, and moves the second nozzle 230 from the standby position b. Move to the injection position (a). In this case, the movement of the first nozzle 220 to the standby position b and the movement of the second nozzle 230 to the injection position a may be simultaneously performed. When the second nozzle 230 is located at the injection position a, the discharge hole h2 of the second nozzle 230 is located in the space in the container 210. The second nozzle 230 located at the injection position (a) injects a second fluid to the processing surface of the wafer W to be rotated. The injected second fluid removes the first fluid and other foreign matter remaining on the wafer (W). In this case, the second driver 244 may reciprocate the injection module 202 in the rotation direction R1 to inject the second fluid while the second nozzle 230 swings.

제2 노즐(230)에 의한 웨이퍼(W) 세정이 완료되면, 제3 노즐(240)에 의한 웨이퍼(W)의 건조가 수행된다(S150). 즉, 도 7d를 참조하면, 제1 구동기(242)는 분사위치(a)에 위치된 제2 노즐(240)을 스탠바이 위치(b)로 이동시킴과 동시에 스탠바이 위치(b)에 위치된 제3 노즐(240)을 분사위치(a)로 이동시킨다. 제3 노즐(240)이 분사위치(a)에 위치되면, 제3 노즐(240)의 토출홀(h3)은 용기(110) 내 공간에 위치 된다. 분사위치(a)에 위치된 제3 노즐(240)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 제3 유체를 분사한다. 분사된 제3 유체는 웨이퍼(W)를 건조시킨다.When the cleaning of the wafer W by the second nozzle 230 is completed, drying of the wafer W by the third nozzle 240 is performed (S150). That is, referring to FIG. 7D, the first driver 242 moves the second nozzle 240 located at the injection position a to the standby position b, and at the same time, the third driver located at the standby position b. The nozzle 240 is moved to the injection position (a). When the third nozzle 240 is located at the injection position a, the discharge hole h3 of the third nozzle 240 is located in the space in the container 110. The third nozzle 240 positioned at the injection position a injects a third fluid to the processing surface of the wafer W to be rotated. The injected third fluid dries the wafer (W).

제3 노즐(240)에 의한 웨이퍼(W)의 건조가 완료되면, 도 7e에 도시된 바와 같이 제3 구동기(246)는 공정위치(c)에 위치한 분사모듈(202)을 대기위치(d)로 이동시키고(S160), 웨이퍼(W)는 스핀척(120)으로부터 언로딩(unloading)된 후 후속 공정이 수행되는 설비로 반출된다(S170).When the drying of the wafer W by the third nozzle 240 is completed, as shown in FIG. 7E, the third driver 246 moves the injection module 202 located at the process position c to the standby position d. In step S160, the wafer W is unloaded from the spin chuck 120 and then transported to a facility in which a subsequent process is performed (S170).

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 웨이퍼(W)의 세정시 각각의 노즐(220, 230, 240)의 교체 시간을 최소화하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.As described above, the substrate processing apparatus and method according to the present invention improves the efficiency of the substrate processing process by minimizing the replacement time of each nozzle 220, 230, 240 during the cleaning of the wafer W.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 분사유닛의 구성들을 보여주는 도면이다.2 is a view showing the configuration of the injection unit shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 제1 내지 제3 노즐을 보여주는 사시도이다.3 is a perspective view illustrating first to third nozzles illustrated in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 분사유닛을 보여주는 도면이다.4 is a view showing an injection unit according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분사유닛을 보여주는 도면이다.5 is a view showing a spray unit according to another embodiment of the present invention.

도 6는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.6 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.7A to 7E are diagrams for describing a process of a substrate processing apparatus according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

10 : 기판 처리 장치10: substrate processing apparatus

100 : 세정유닛100: cleaning unit

110 : 용기110: container

120 : 스핀척120: spin chuck

200 : 분사유닛200: injection unit

210 : 노즐210: nozzle

220 : 구동기220: driver

Claims (10)

처리유체를 분사하는 유닛에 있어서,In the unit for spraying the processing fluid, 수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 회전되는 노즐을 가지는 분사모듈과,An injection module having a shaft placed horizontally and a nozzle coupled to the shaft and rotating in a direction perpendicular to the shaft; 상기 분사모듈을 구동시키는 구동모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 분사유닛.Injection unit comprising a drive module for driving the injection module. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 노즐은,The nozzle, 상기 샤프트와 축결합되는 회전부와,A rotating part axially coupled with the shaft; 상기 회전부로부터 연장되며 처리유체를 분사하는 토출부를 가지는 것을 특징으로 하는 분사유닛.And a discharge unit extending from the rotating unit and injecting a processing fluid. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 토출부는,The discharge portion, 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인과,A first line extending in a straight line from an end of the rotating part, 상기 제1 라인과 수직하는 제2 라인, 그리고A second line perpendicular to the first line, and 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하며, 라운드지는 형상을 가지는 연결라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 분사유닛.The injection unit connecting the first line and the second line, characterized in that it comprises a connection line having a rounded shape. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 토출부는,The discharge portion, 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인과,A first line extending in a straight line from an end of the rotating part, 상기 제1 라인의 끝단으로부터 상기 제1 라인과 수직하게 아래방향으로 연장되는 제2 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 분사유닛.And a second line extending downwardly from the end of the first line and perpendicular to the first line. 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 가지는 용기와,A container having a space in which a substrate treatment process is performed; 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 척, 그리고A chuck for supporting a substrate inside the container, and 상기 척에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 분사유닛을 포함하되,Including a spray unit for injecting a processing fluid to the substrate placed on the chuck, 상기 분사유닛은,The injection unit, 수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 회전되는 노즐을 가지는 분사모듈과,An injection module having a shaft placed horizontally and a nozzle coupled to the shaft and rotating in a direction perpendicular to the shaft; 상기 분사모듈을 구동시키는 구동모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus comprising a drive module for driving the injection module. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 노즐은,The nozzle, 상기 샤프트와 축결합되는 회전부와,A rotating part axially coupled with the shaft; 상기 회전부로부터 연장되며 처리유체를 분사하는 토출부를 가지되,Extends from the rotating part and has a discharge part for injecting a processing fluid, 상기 토출부는,The discharge portion, 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인과,A first line extending in a straight line from an end of the rotating part, 상기 제1 라인과 수직하는 제2 라인, 그리고A second line perpendicular to the first line, and 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하며, 라운드지는 형상을 가지는 연결하는 연결라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a connection line connecting the first line and the second line, the connecting line having a rounded shape. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 토출부는,The discharge portion, 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인과,A first line extending in a straight line from an end of the rotating part, 상기 제1 라인의 끝단으로부터 아래방향으로 수직하게 연장되는 제2 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second line extending vertically downwardly from an end of the first line. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 5 to 7, 상기 구동모듈은,The drive module, 상기 노즐이 처리유체를 분사하기 위한 분사위치 및 상기 분사위치로 이동되기 전에 상기 노즐이 대기하는 대기위치 상호간에 위치되도록 상기 노즐을 회전시키는 노즐 구동기를 포함하되,A nozzle driver for rotating the nozzle such that the nozzle is positioned between an injection position for injecting a processing fluid and a standby position where the nozzle waits before being moved to the injection position, 상기 분사위치는,The injection position is, 상기 회전부가 수평으로 놓여지는 위치이고,The rotary part is positioned horizontally, 상기 대기위치는,The standby position is, 상기 회전부가 수직하게 놓여지는 위치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that the position where the rotating portion is placed vertically. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 노즐은,The nozzle, 복수가 일렬로 배치되고,The plural are placed in a row, 상기 구동모듈은,The drive module, 각각의 상기 노즐을 독립적으로 상기 분사위치 및 상기 대기위치 상호간에 위치시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And each nozzle is independently positioned between the injection position and the standby position. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 구동모듈은,The drive module, 상기 분사모듈을 수평으로 일정각도로 스윙 운동시키는 제2 구동기와,A second driver for swinging the injection module horizontally at a predetermined angle; 상기 제2 구동기를 직선왕복이동시키는 제3 구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a third driver for linearly reciprocating the second driver.
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