KR102579528B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
메인 로봇의 핸드가 처리 유닛에 진입된다. 핸드에 의해 유지된 처리 전의 기판이 처리 유닛의 반입 위치에 건네진다. 처리 전의 기판이 반입 위치에 건네진 후, 핸드에 의해 처리 유닛의 반출 위치로부터 처리 후의 기판이 수취된다. 처리 후의 기판이 반출 위치로부터 수취된 후, 핸드가 처리 유닛으로부터 퇴출된다. 처리 유닛에 의해 처리 전의 기판에 처리가 실시된다.The main robot's hand enters the processing unit. The unprocessed substrate held by the hand is handed over to the loading position of the processing unit. After the substrate before processing is handed over to the loading position, the substrate after processing is received by a hand from the loading location of the processing unit. After the processed substrate is received from the unloading position, the hand is ejected from the processing unit. Processing is performed on the substrate before processing by the processing unit.
Description
본 발명은 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing on a substrate.
액정 표시 장치 또는 유기 EL (Electro Luminescence) 표시 장치 등에 사용되는 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 반도체 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지 처리를 실시하기 위해서, 기판 처리 장치가 사용되고 있다.Substrates for FPD (Flat Panel Display), semiconductor substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, and ceramic substrates used in liquid crystal displays or organic EL (Electro Luminescence) display devices. Alternatively, substrate processing equipment is used to perform various treatments on various substrates such as solar cell substrates.
예를 들어, 일본 공개특허공보 2013-77639호에는, 복수의 처리 유닛과, 제 1 및 제 2 핸드를 사용하여 복수의 처리 유닛 사이에서 기판을 반송하는 반송 기구를 포함하는 기판 처리 장치가 기재되어 있다. 복수의 처리 유닛은, 기판에 열 처리, 냉각 처리 및 도포 처리를 각각 실시하는 열 처리 유닛, 냉각 유닛 및 도포 처리 유닛 등을 포함한다. 반송 기구는, 제 1 핸드에 의해 기판을 유지하고 또한 제 2 핸드에 의해 기판을 유지하지 않는 상태에서 복수의 처리 유닛 사이를 이동한다. 또, 반송 기구는, 반송처의 처리 유닛으로부터 처리 후의 기판을 제 2 핸드에 의해 반출함과 함께, 제 1 핸드에 의해 유지된 처리 전의 기판을 당해 처리 유닛에 반입한다.For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-77639 describes a substrate processing apparatus including a plurality of processing units and a transport mechanism for transporting a substrate between the plurality of processing units using first and second hands. there is. The plurality of processing units include a heat treatment unit, a cooling unit, and an application processing unit that respectively perform heat treatment, cooling treatment, and application processing on the substrate. The transfer mechanism moves between a plurality of processing units while holding the substrate by the first hand and not holding the substrate by the second hand. Additionally, the transfer mechanism unloads the processed substrate from the processing unit at the transfer destination by the second hand, and also transports the unprocessed substrate held by the first hand into the processing unit.
일본 공개특허공보 2013-77639호에 기재된 기판 처리 장치에 있어서는, 처리 유닛으로부터의 처리 후의 기판의 반출과, 처리 유닛으로의 처리 전의 기판의 반입이 반송 기구의 제 1 및 제 2 핸드에 의해 연속적으로 실시된다. 그 때문에, 스루풋이 향상되는 것으로 생각되고 있었다. 그러나, 반송 기구는, 반송처의 처리 유닛으로부터 처리 후의 기판을 반출하기 위해서, 어느 것의 핸드에 기판을 유지하지 않는 상태에서 복수의 처리 유닛 사이를 이동할 필요가 있다. 이 경우, 핸드의 수보다 적은 장 수의 기판 밖에 한 번에 반송할 수 없기 때문에, 스루풋 향상에는 제한이 있다.In the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-77639, removal of the substrate after processing from the processing unit and loading of the substrate before processing into the processing unit are carried out continuously by the first and second hands of the transfer mechanism. It is carried out. Therefore, it was thought that throughput was improved. However, the transfer mechanism needs to move between a plurality of processing units without holding the substrate in any hand in order to unload the processed substrate from the processing unit at the transfer destination. In this case, there is a limit to improvement in throughput because only fewer substrates than the number of hands can be transported at a time.
본 발명의 목적은, 스루풋을 향상시키는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving throughput.
(1) 본 발명의 일 국면에 따르는 기판 처리 장치는, 처리 전의 기판이 반입되는 반입 위치와 처리 후의 기판이 반출되는 반출 위치를 갖고, 처리 전의 기판을 처리하는 처리 유닛과, 처리 전 및 처리 후의 기판을 선택적으로 유지 가능하게 구성된 반송 유지부를 갖는 기판 반송부를 구비하고, 반송 유지부는, 처리 전의 기판을 유지하여 처리 유닛에 진입하여 처리 전의 기판을 반입 위치에 건네준 후, 반출 위치로부터 처리 후의 기판을 수취하고, 처리 후의 기판의 수취 후에 처리 유닛으로부터 퇴출한다.(1) A substrate processing apparatus according to one aspect of the present invention has a loading position where a substrate before processing is loaded and a loading location where a substrate after processing is loaded, a processing unit that processes the substrate before processing, and a processing unit that processes the substrate before processing and after processing the substrate. A substrate transport unit is provided with a transport holder configured to selectively hold a substrate, wherein the transport holder holds the substrate before processing, enters the processing unit, delivers the unprocessed substrate to the loading location, and then transfers the processed substrate from the loading location. is received, and the processed substrate is discharged from the processing unit after receiving it.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 기판 반송부의 반송 유지부가 처리 유닛에 진입된다. 반송 유지부에 의해 유지된 처리 전의 기판이 처리 유닛의 반입 위치에 건네진다. 처리 전의 기판이 반입 위치에 건네진 후, 반송 유지부에 의해 처리 유닛의 반출 위치로부터 처리 후의 기판이 수취된다. 처리 후의 기판이 반출 위치로부터 수취된 후, 반송 유지부가 처리 유닛으로부터 퇴출된다. 처리 유닛에 의해 처리 전의 기판에 처리가 실시된다.In this substrate processing apparatus, the transport and holding portion of the substrate transport unit enters the processing unit. The substrate before processing held by the transfer holding unit is handed over to the loading position of the processing unit. After the substrate before processing is delivered to the loading position, the substrate after processing is received from the loading location of the processing unit by the transfer holding unit. After the processed substrate is received from the unloading position, the transport holding portion is ejected from the processing unit. Processing is performed on the substrate before processing by the processing unit.
이 구성에 의하면, 처리 유닛에 처리 후의 기판이 존재하는 경우에도, 처리 전의 기판을 처리 유닛에 반입할 수 있다. 그 때문에, 처리 유닛에 처리 전의 기판을 건네준 후에, 당해 반송 유지부에 의해 처리 후의 기판을 수취하는 것이 가능해진다. 따라서, 처리 후의 기판을 수취하기 위해서, 기판을 유지하지 않는 반송 유지부를 형성할 필요가 없다. 이에 따라, 반송 유지부의 수당 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to this configuration, even when a substrate after processing exists in the processing unit, a substrate before processing can be brought into the processing unit. Therefore, after handing over the unprocessed substrate to the processing unit, it becomes possible to receive the processed substrate by the transport holding unit. Therefore, in order to receive the processed substrate, there is no need to form a transport holding portion that does not hold the substrate. Accordingly, the throughput of the conveyance holding section can be improved.
(2) 반입 위치와 반출 위치는, 상하 방향으로 나열되도록 배치되어도 된다. 이 경우, 처리 유닛의 설치 플로어 면적 (풋 프린트) 을 저감할 수 있다.(2) The loading and unloading positions may be arranged so as to be aligned in the vertical direction. In this case, the installation floor area (footprint) of the processing unit can be reduced.
(3) 처리 유닛은 복수 형성되고, 반송 유지부는, 복수의 처리 유닛에 각각 대응하도록 복수 형성되고, 복수의 기판 반송부의 각각은, 대응하는 처리 유닛에 진입하여 처리 전의 기판을 반입 위치에 건네준 후, 반출 위치로부터 처리 후의 기판을 수취하고, 처리 후의 기판의 수취 후에 대응하는 처리 유닛으로부터 퇴출해도 된다. 이 경우, 처리 전의 기판을 건네줌과 함께, 처리 후의 기판을 수취하는 동작을 복수의 처리 유닛에 대해서 연속적으로 실시하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 스루풋을 보다 향상시킬 수 있다.(3) A plurality of processing units are formed, a plurality of transport holding units are formed to correspond to the plurality of processing units, and each of the plurality of substrate transport units enters the corresponding processing unit and passes the substrate before processing to the loading position. Afterwards, the processed substrate may be received from the unloading position, and the processed substrate may be discharged from the corresponding processing unit after receiving the processed substrate. In this case, it becomes possible to continuously perform the operations of handing over the substrate before processing and receiving the substrate after processing for a plurality of processing units. Accordingly, throughput can be further improved.
(4) 처리 유닛은, 반입 위치에 반입된 기판을 유지하는 제 1 기판 유지부와, 제 1 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리를 실시하는 제 1 처리부와, 반출 위치로부터 반입되는 기판을 유지하는 제 2 기판 유지부와, 제 1 처리부에 의해 처리된 기판을 제 1 기판 유지부로부터 제 2 기판 유지부에 건네주는 수수부와, 제 2 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리를 실시하는 제 2 처리부를 포함해도 된다. 이 경우, 반입 위치에 반입되어, 제 1 및 제 2 처리부에 의해 처리된 기판을 처리 후의 기판으로 하여 반출 위치로부터 반출할 수 있다.(4) The processing unit includes a first substrate holding unit that holds the substrate loaded into the loading position, a first processing unit that processes the substrate held by the first substrate holding section, and a substrate loaded from the loading position. A second substrate holding unit that holds the substrate, a receiving unit that passes the substrate processed by the first processing unit from the first substrate holding unit to the second substrate holding unit, and processing is performed on the substrate held by the second substrate holding unit. It may also include a second processing unit. In this case, the substrate brought in to the loading location and processed by the first and second processing units can be unloaded from the loading location as a processed substrate.
(5) 제 1 처리부와 제 2 처리부는, 기판에 서로 상이한 처리를 실시해도 된다. 이 경우, 기판에 상이한 처리를 효율적으로 실시할 수 있다.(5) The first processing unit and the second processing unit may perform different treatments on the substrate. In this case, different treatments can be efficiently performed on the substrate.
(6) 제 1 처리부는, 기판의 하면 중앙 영역의 세정 처리를 실시하고, 제 2 처리부는, 기판의 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역의 세정 처리를 실시해도 된다. 이 경우, 기판의 하면 전체의 세정 처리를 효율적으로 실시할 수 있다.(6) The first processing unit may perform a cleaning process on the central region of the lower surface of the substrate, and the second processing unit may perform a cleaning treatment on the outer region of the lower surface surrounding the central region of the lower surface of the substrate. In this case, the entire lower surface of the substrate can be cleaned efficiently.
(7) 본 발명의 다른 국면에 따르는 기판 처리 방법은, 기판 반송부의 반송 유지부를 처리 유닛에 진입시키는 스텝과, 반송 유지부에 의해 유지된 처리 전의 기판을 처리 유닛의 반입 위치에 건네주는 스텝과, 처리 전의 기판이 반입 위치에 건네진 후, 반송 유지부에 의해 처리 유닛의 반출 위치로부터 처리 후의 기판을 수취하는 스텝과, 처리 후의 기판이 반출 위치로부터 수취된 후, 반송 유지부를 처리 유닛으로부터 퇴출시키는 스텝과, 처리 유닛에 의해 처리 전의 기판에 처리를 실시하는 스텝을 포함한다.(7) A substrate processing method according to another aspect of the present invention includes a step of allowing the transfer holding portion of the substrate transport unit to enter the processing unit, and a step of passing the substrate before processing held by the transport holding unit to the loading position of the processing unit. A step of receiving the processed substrate from the unloading position of the processing unit by the transport holding unit after the unprocessed substrate is delivered to the loading position, and removing the transport holding unit from the processing unit after the processed substrate is received from the unloading position. It includes a step and a step of processing a substrate before processing by a processing unit.
이 기판 처리 방법에 의하면, 처리 유닛에 처리 후의 기판이 존재하는 경우에도, 처리 전의 기판을 처리 유닛에 반입할 수 있다. 그 때문에, 처리 유닛에 처리 전의 기판을 건네준 후에, 당해 반송 유지부에 의해 처리 후의 기판을 수취하는 것이 가능해진다. 따라서, 처리 후의 기판을 수취하기 위해서, 기판을 유지하지 않는 반송 유지부를 형성할 필요가 없다. 이에 따라, 반송 유지부의 수당 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to this substrate processing method, even when a substrate after processing exists in the processing unit, a substrate before processing can be brought into the processing unit. Therefore, after handing over the unprocessed substrate to the processing unit, it becomes possible to receive the processed substrate by the transport holding unit. Therefore, in order to receive the processed substrate, there is no need to form a transport holding portion that does not hold the substrate. Accordingly, the throughput of the conveyance holding section can be improved.
도 1 은, 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식적 평면도,
도 2 는, 도 1 의 J-J 선에 있어서의 기판 처리 장치의 모식적 단면도,
도 3 은, 도 1 의 기판 세정 장치의 모식적 평면도,
도 4 는, 도 3 의 기판 세정 장치의 내부 구성을 나타내는 외관 사시도,
도 5 는, 기판 처리 장치의 제어 계통의 구성을 나타내는 블록도,
도 6 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 7 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 8 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 9 는, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 10 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 11 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 12 는, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 13 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 14 는, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 15 는, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 16 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 17 은, 도 3 의 기판 세정 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도,
도 18 은, 도 5 의 제어 장치에 의한 기판 처리를 나타내는 플로 차트,
도 19 는, 도 5 의 제어 장치에 의한 기판 처리를 나타내는 플로 차트이다.1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus taken along line JJ in FIG. 1;
Figure 3 is a schematic plan view of the substrate cleaning device of Figure 1;
Fig. 4 is an external perspective view showing the internal structure of the substrate cleaning device of Fig. 3;
5 is a block diagram showing the configuration of the control system of the substrate processing apparatus;
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of FIG. 3;
Fig. 7 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 8 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 9 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 10 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 11 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 12 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 13 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 14 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 15 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 16 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 17 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device of Fig. 3;
Fig. 18 is a flow chart showing substrate processing by the control device of Fig. 5;
FIG. 19 is a flow chart showing substrate processing by the control device in FIG. 5.
이하, 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해서 도면을 사용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판 (웨이퍼), 액정 표시 장치 혹은 유기 EL (Electro Luminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등을 말한다. 또, 본 실시형태에서는, 기판의 상면이 회로 형성면 (표면) 이고, 기판의 하면이 회로 형성면과 반대측의 면 (이면) 이다. 또, 본 실시형태에서는, 기판은, 노치를 제외하고 원형상을 갖는다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method related to embodiments of the present invention will be described using drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate (wafer), a substrate for an FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a magneto-optical device. This refers to a substrate for a disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. Additionally, in this embodiment, the upper surface of the substrate is the circuit formation surface (front surface), and the lower surface of the substrate is the surface (back surface) opposite to the circuit formation surface. Additionally, in this embodiment, the substrate has a circular shape excluding the notch.
(1) 기판 처리 장치의 구성(1) Configuration of substrate processing equipment
도 1 은, 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 2 는, 도 1 의 J-J 선에 있어서의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적 단면도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 는, 인덱서 블록 (110) 및 처리 블록 (120) 을 갖는다. 인덱서 블록 (110) 및 처리 블록 (120) 은, 서로 이웃하도록 형성되어 있다.1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus 100 taken along line J-J in FIG. 1. As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment has an indexer block 110 and a processing block 120 . The indexer block 110 and the processing block 120 are formed adjacent to each other.
인덱서 블록 (110) 은, 복수 (본 예에서는 4 개) 의 캐리어 재치대 (載置臺) (140) 및 반송부 (150) 를 포함한다. 복수의 캐리어 재치대 (140) 는, 반송부 (150) 에 접속되고, 간격을 두고 일렬로 나열되도록 배치되어 있다. 각 캐리어 재치대 (140) 상에는, 복수 장의 기판 (W) 을 수납하는 캐리어 (C) 가 재치된다.The indexer block 110 includes a plurality of carrier stands 140 (four in this example) and a conveyance unit 150. A plurality of carrier platforms 140 are connected to the conveyance unit 150 and are arranged in a line with an interval between them. On each carrier mounting table 140, a carrier C accommodating a plurality of substrates W is placed.
반송부 (150) 에는, 인덱서 로봇 (200) 및 제어 장치 (170) 가 형성되어 있다. 인덱서 로봇 (200) 은, 복수 (본 예에서는 4 개) 의 핸드 (Ia, Ib, Ic, Id), 핸드 지지 부재 (210) 및 반송 구동부 (220) 를 포함한다.In the conveyance unit 150, an indexer robot 200 and a control device 170 are formed. The indexer robot 200 includes a plurality of hands (four in this example) (Ia, Ib, Ic, Id), a hand support member 210, and a conveyance drive unit 220.
복수의 핸드 (Ia ∼ Id) 는, 복수의 기판 (W) 을 각각 유지 가능하게 구성되고, 상하 방향으로 일정 간격으로 나열되는 상태로 핸드 지지 부재 (210) 상에 형성되어 있다. 핸드 지지 부재 (210) 는, 일 방향으로 연장되도록 형성되고, 그 일 방향으로 복수의 핸드 (Ia ∼ Id) 를 진퇴 가능하게 지지한다. 반송 구동부 (220) 는, 수평 방향 (복수의 캐리어 재치대 (140) 가 나열되는 방향) 으로 이동 가능하게 구성되고, 연직축의 둘레에서 회전 또한 승강 가능하게 핸드 지지 부재 (210) 를 지지한다. 또한, 반송 구동부 (220) 는, 복수의 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 복수의 핸드 (Ia ∼ Id) 에 의해 복수의 기판 (W) 을 반송하기 위해서, 핸드 지지 부재 (210) 를 수평 방향으로 이동시키고, 핸드 지지 부재 (210) 를 연직축의 둘레에서 회전시키고, 승강시킨다. 또, 반송 구동부 (220) 는, 복수의 핸드 (Ia ∼ Id) 를 수평 방향으로 진퇴시킨다. 제어 장치 (170) 는, CPU (중앙 연산 처리 장치), RAM (랜덤 액세스 메모리) 및 ROM (리드 온리 메모리) 및 기억 장치를 포함하는 컴퓨터 등으로 이루어지고, 기판 처리 장치 (100) 내의 각 구성부를 제어한다.The plurality of hands (Ia to Id) are configured to each be capable of holding the plurality of substrates (W), and are formed on the hand support member 210 in a state in which they are arranged at regular intervals in the vertical direction. The hand support member 210 is formed to extend in one direction and supports the plurality of hands Ia to Id so as to be able to advance and retreat in that one direction. The conveyance drive unit 220 is configured to be movable in the horizontal direction (the direction in which the plurality of carrier stands 140 are aligned), and supports the hand support member 210 so that it can rotate and be raised and lowered around the vertical axis. In addition, the transport drive unit 220 includes a plurality of motors, air cylinders, etc., and moves the hand support member 210 in the horizontal direction in order to transport the plurality of substrates W by the plurality of hands Ia to Id. , the hand support member 210 is rotated around the vertical axis, and the hand support member 210 is raised and lowered. Additionally, the conveyance drive unit 220 advances and retreats the plurality of hands Ia to Id in the horizontal direction. The control device 170 consists of a computer including a CPU (central processing unit), RAM (random access memory), ROM (read only memory), and a storage device, and controls each component in the substrate processing device 100. Control.
처리 블록 (120) 은, 세정부 (161, 162) 및 반송부 (163) 를 포함한다. 세정부 (161), 반송부 (163) 및 세정부 (162) 는, 반송부 (150) 에 이웃함과 함께 이 순서로 나열되도록 배치되어 있다. 세정부 (161, 162) 에 있어서는, 복수 (예를 들어 4 개) 의 기판 세정 장치 (1) 가 상하로 적층 배치되어 있다. 각 기판 세정 장치 (1) 는, 처리 전의 기판 (W) 이 반입되는 반입 위치와, 처리 후의 기판 (W) 이 반출되는 반출 위치를 갖는다. 기판 세정 장치 (1) 의 구성 및 동작의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.The processing block 120 includes a washing section 161 and 162 and a conveying section 163. The washing section 161, the conveying section 163, and the washing section 162 are arranged adjacent to the conveying section 150 and arranged in this order. In the cleaning units 161 and 162, a plurality (for example, four) of substrate cleaning devices 1 are stacked vertically. Each substrate cleaning device 1 has a loading position where the substrate W before processing is loaded and a loading position where the substrate W after processing is loaded. Details of the configuration and operation of the substrate cleaning device 1 will be described later.
반송부 (163) 에는, 메인 로봇 (300) 이 형성되어 있다. 메인 로봇 (300) 은, 복수 (본 예에서는 4 개) 의 핸드 (Ma, Mb, Mc, Md), 핸드 지지 부재 (310) 및 반송 구동부 (320) 를 포함한다. 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 는, 복수의 기판 (W) 을 각각 유지 가능하게 구성되고, 상하 방향으로 나열되는 상태로 핸드 지지 부재 (310) 상에 형성되어 있다.A main robot 300 is formed in the transfer unit 163. The main robot 300 includes a plurality (four in this example) of hands (Ma, Mb, Mc, Md), a hand support member 310, and a conveyance drive unit 320. The plurality of hands Ma to Md are configured to be capable of holding the plurality of substrates W, respectively, and are formed on the hand support member 310 in a state in which they are aligned in the vertical direction.
핸드 지지 부재 (310) 는, 일 방향으로 연장되도록 설치되고, 그 일 방향으로 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 를 각각 독립적으로 진퇴 가능하게 지지한다. 반송 구동부 (320) 는, 연직축의 둘레에서 회전 또한 승강 가능하게 핸드 지지 부재 (310) 를 지지한다. 또한, 반송 구동부 (320) 는, 복수의 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 복수의 기판 (W) 을 반송하기 위해서, 핸드 지지 부재 (310) 를 연직축의 둘레에서 회전시키고, 승강시킨다. 또, 반송 구동부 (320) 는, 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 를 수평 방향으로 진퇴시킨다.The hand support member 310 is installed to extend in one direction, and supports the plurality of hands Ma to Md so that they can advance and retreat independently. The conveyance drive unit 320 supports the hand support member 310 so that it can rotate and go up and down around the vertical axis. In addition, the transport drive unit 320 includes a plurality of motors, air cylinders, etc., and moves the hand support member 310 along the vertical axis in order to transport the plurality of substrates W by the plurality of hands Ma to Md. It rotates around and raises and lowers. Additionally, the conveyance drive unit 320 advances and retreats the plurality of hands Ma to Md in the horizontal direction.
인덱서 블록 (110) 과 처리 블록 (120) 사이에는, 인덱서 로봇 (200) 과 메인 로봇 (300) 사이에서 기판 (W) 의 수수를 실시하기 위한 복수 (본 예에서는 4 개) 의 기판 재치부 (PASS1) 및 복수의 기판 재치부 (PASS2) 가 상하로 적층 배치되어 있다. 복수의 기판 재치부 (PASS1) 는 복수 (본 예에서는 4 개) 의 기판 재치부 (PASS2) 보다 상방에 위치한다.Between the indexer block 110 and the processing block 120, there are a plurality of substrate placement units (four in this example) for transferring the substrate W between the indexer robot 200 and the main robot 300. PASS1) and a plurality of substrate mounting portions (PASS2) are stacked vertically. The plurality of substrate placement parts PASS1 are located above the plurality (four in this example) of substrate placement parts PASS2.
복수의 기판 재치부 (PASS2) 는, 인덱서 로봇 (200) 으로부터 메인 로봇 (300) 으로 기판 (W) 을 건네주기 위해서 사용된다. 복수의 기판 재치부 (PASS1) 는, 메인 로봇 (300) 으로부터 인덱서 로봇 (200) 으로 기판 (W) 을 건네주기 위해서 사용된다. 복수의 기판 재치부 (PASS1) 간의 간격은, 메인 로봇 (300) 의 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 사이의 간격과 대략 같아도 된다. 마찬가지로, 복수의 기판 재치부 (PASS2) 간의 간격은, 메인 로봇 (300) 의 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 사이의 간격과 대략 동일해도 된다.The plurality of substrate placement units PASS2 are used to transfer the substrates W from the indexer robot 200 to the main robot 300. The plurality of substrate placement units PASS1 are used to pass the substrates W from the main robot 300 to the indexer robot 200. The spacing between the plurality of substrate placement units PASS1 may be approximately the same as the spacing between the plurality of hands Ma to Md of the main robot 300. Similarly, the spacing between the plurality of substrate placement units PASS2 may be approximately the same as the spacing between the plurality of hands Ma to Md of the main robot 300.
인덱서 로봇 (200) 은, 복수의 캐리어 재치대 (140) 상에 재치된 복수의 캐리어 (C) 중 어느 것의 캐리어 (C) 로부터 처리 전의 기판 (W) 을 꺼낸다. 또, 인덱서 로봇 (200) 은, 꺼낸 처리 전의 기판 (W) 을 복수의 기판 재치부 (PASS2) 중 어느 것에 재치한다. 또한, 인덱서 로봇 (200) 은, 복수의 기판 재치부 (PASS1) 중 어느 것에 재치되어 있는 처리 후의 기판 (W) 을 수취하고, 빈 캐리어 (C) 내에 수용한다.The indexer robot 200 takes out the substrate W before processing from any one of the plurality of carriers C placed on the plurality of carrier placement tables 140 . Additionally, the indexer robot 200 places the unprocessed substrate W taken out on any one of the plurality of substrate placement units PASS2. Additionally, the indexer robot 200 receives the processed substrate W placed on any one of the plurality of substrate placement units PASS1 and accommodates it in the empty carrier C.
메인 로봇 (300) 은, 복수의 기판 재치부 (PASS2) 에 재치되어 있는 복수의 처리 전의 기판 (W) 을 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 각각 수취한다. 이 때, 메인 로봇 (300) 은, 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 복수의 기판 (W) 을 순차 수취해도 된다. 복수의 기판 재치부 (PASS2) 간의 간격이 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 사이의 간격과 대략 같은 경우에는, 메인 로봇 (300) 은, 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 복수의 기판 (W) 을 동시에 수취해도 된다.The main robot 300 receives the plurality of unprocessed substrates W placed in the plurality of substrate placement units PASS2 using the plurality of hands Ma to Md. At this time, the main robot 300 may sequentially receive the plurality of substrates W using the plurality of hands Ma to Md. When the interval between the plurality of substrate placement units (PASS2) is approximately equal to the interval between the plurality of hands (Ma to Md), the main robot 300 moves the plurality of substrates (W) by the plurality of hands (Ma to Md). ) can be received at the same time.
다음으로, 메인 로봇 (300) 은, 기판 재치부 (PASS2) 로부터 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 수취한 복수의 처리 전의 기판 (W) 을 세정부 (161) 또는 세정부 (162) 의 복수의 기판 세정 장치 (1) 에 있어서의 반입 위치에 각각 건네준다. 계속해서, 메인 로봇 (300) 은, 복수의 기판 세정 장치 (1) 에 있어서의 반출 위치에 재치되어 있는 복수의 처리 후의 기판 (W) 을 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 각각 수취한다.Next, the main robot 300 places the plurality of unprocessed substrates W received by the plurality of hands Ma to Md from the substrate placing unit PASS2 into the cleaning unit 161 or the cleaning unit 162. Each is handed to the loading position in the plurality of substrate cleaning devices 1. Subsequently, the main robot 300 receives the plurality of processed substrates W placed at the unloading positions in the plurality of substrate cleaning devices 1 using the plurality of hands Ma to Md.
그 후, 메인 로봇 (300) 은, 기판 세정 장치 (1) 로부터 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 수취된 복수의 처리 후의 기판 (W) 을 복수의 기판 재치부 (PASS1) 에 각각 재치한다. 이 때, 메인 로봇 (300) 은, 복수의 처리 후의 기판 (W) 을 복수의 기판 재치부 (PASS1) 에 순차 재치해도 된다. 복수의 기판 재치부 (PASS1) 간의 간격이 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 사이의 간격과 대략 같은 경우에는, 메인 로봇 (300) 은, 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 복수의 기판 (W) 을 복수의 기판 재치부 (PASS1) 에 동시에 재치해도 된다.After that, the main robot 300 places the plurality of processed substrates W received by the plurality of hands Ma to Md from the substrate cleaning device 1 on the plurality of substrate placing units PASS1, respectively. . At this time, the main robot 300 may sequentially place a plurality of processed substrates W on the plurality of substrate placement units PASS1. When the spacing between the plurality of substrate placement units (PASS1) is approximately equal to the spacing between the plurality of hands (Ma to Md), the main robot 300 moves the plurality of substrates (W) by the plurality of hands (Ma to Md). ) may be placed simultaneously on a plurality of substrate placement units (PASS1).
(2) 기판 세정 장치의 구성(2) Configuration of substrate cleaning device
도 3 은, 도 1 의 기판 세정 장치 (1) 의 모식적 평면도이다. 도 4 는, 도 3 의 기판 세정 장치 (1) 의 내부 구성을 나타내는 외관 사시도이다. 기판 세정 장치 (1) 에 있어서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서 서로 직교하는 X 방향, Y 방향 및 Z 방향을 정의한다. 도 3 및 도 4 이후의 소정의 도면에서는, X 방향, Y 방향 및 Z 방향이 적절히 화살표로 나타내어져 있다. X 방향 및 Y 방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z 방향은 연직 방향에 상당한다.FIG. 3 is a schematic plan view of the substrate cleaning device 1 in FIG. 1. FIG. 4 is an external perspective view showing the internal structure of the substrate cleaning device 1 in FIG. 3. In the substrate cleaning device 1, in order to clarify the positional relationship, the X-direction, Y-direction, and Z-direction are defined orthogonal to each other. In certain drawings after FIGS. 3 and 4, the X direction, Y direction, and Z direction are indicated by arrows as appropriate. The X direction and Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 세정 장치 (1) 는, 상측 유지 장치 (10A, 10B), 하측 유지 장치 (20), 대좌 장치 (30), 수수 장치 (40), 하면 세정 장치 (50), 컵 장치 (60), 상면 세정 장치 (70), 단부 (端部) 세정 장치 (80) 및 개폐 장치 (90) 를 구비한다. 이들 구성 요소는, 유닛 케이싱 (2) 내에 설치된다. 도 3 에서는, 유닛 케이싱 (2) 이 점선으로 나타내어져 있다.As shown in FIG. 3, the substrate cleaning device 1 includes an upper holding device 10A, 10B, a lower holding device 20, a pedestal device 30, a receiving device 40, a lower surface cleaning device 50, It is provided with a cup device (60), a top surface cleaning device (70), an end cleaning device (80), and an opening and closing device (90). These components are installed within the unit casing (2). In Figure 3, the unit casing 2 is indicated by a dotted line.
유닛 케이싱 (2) 은, 직사각형의 바닥면부 (2a) 와, 바닥면부 (2a) 의 4 변으로부터 상방으로 연장되는 4 개의 측벽부 (2b, 2c, 2d, 2e) 를 갖는다. 측벽부 (2b, 2c) 가 서로 대향하고, 측벽부 (2d, 2e) 가 서로 대향한다. 측벽부 (2b) 의 중앙부에는, 직사각형의 개구가 형성되어 있다. 이 개구는, 기판 (W) 의 반입 반출구 (2x) 로서, 유닛 케이싱 (2) 에 대한 기판 (W) 의 반입시 및 반출시에 사용된다. 도 4 에서는, 반입 반출구 (2x) 가 굵은 점선으로 나타내어져 있다. 이하의 설명에 있어서는, Y 방향 중 유닛 케이싱 (2) 의 내부로부터 반입 반출구 (2x) 를 통과하여 유닛 케이싱 (2) 의 외방으로 향하는 방향 (측벽부 (2c) 로부터 측벽부 (2b) 를 향하는 방향) 을 전방이라고 부르고, 그 반대의 방향 (측벽부 (2b) 로부터 측벽부 (2c) 를 향하는 방향) 을 후방이라고 부른다.The unit casing 2 has a rectangular bottom portion 2a and four side wall portions 2b, 2c, 2d, and 2e extending upward from the four sides of the bottom portion 2a. The side wall portions 2b and 2c face each other, and the side wall portions 2d and 2e face each other. A rectangular opening is formed in the central portion of the side wall portion 2b. This opening is the loading/unloading port 2x of the substrate W, and is used when loading and unloading the substrate W into the unit casing 2. In Fig. 4, the loading/unloading port 2x is indicated by a thick dotted line. In the following description, the Y direction refers to the direction from the inside of the unit casing 2 through the loading/unloading port 2x to the outside of the unit casing 2 (from the side wall portion 2c to the side wall portion 2b). direction) is called the front, and the opposite direction (the direction from the side wall portion 2b to the side wall portion 2c) is called the rear.
측벽부 (2b) 에 있어서의 반입 반출구 (2x) 의 형성 부분 및 그 근방의 영역에는, 개폐 장치 (90) 가 설치되어 있다. 개폐 장치 (90) 는, 반입 반출구 (2x) 를 개폐 가능하게 구성된 셔터 (91) 와, 셔터 (91) 를 구동하는 셔터 구동부 (92) 를 포함한다. 도 4 에서는, 셔터 (91) 가 굵은 이점 쇄선으로 나타내어져 있다. 셔터 구동부 (92) 는, 기판 세정 장치 (1) 에 대한 기판 (W) 의 반입시 및 반출시에 반입 반출구 (2x) 를 개방하도록 셔터 (91) 를 구동한다. 또, 셔터 구동부 (92) 는, 기판 세정 장치 (1) 에 있어서의 기판 (W) 의 세정 처리시에 반입 반출구 (2x) 를 폐색하도록 셔터 (91) 를 구동한다.An opening and closing device 90 is installed in the portion where the loading/unloading port 2x is formed in the side wall portion 2b and in the area near it. The opening and closing device 90 includes a shutter 91 configured to be capable of opening and closing the loading/unloading port 2x, and a shutter driving unit 92 that drives the shutter 91. In Fig. 4, the shutter 91 is indicated by a thick double-dashed line. The shutter drive unit 92 drives the shutter 91 to open the loading/unloading port 2x when loading and unloading the substrate W into and out of the substrate cleaning device 1 . Additionally, the shutter drive unit 92 drives the shutter 91 to block the loading/unloading opening 2x during the cleaning process of the substrate W in the substrate cleaning device 1.
바닥면부 (2a) 의 중앙부에는, 대좌 장치 (30) 가 형성되어 있다. 대좌 장치 (30) 는, 리니어 가이드 (31), 가동 대좌 (32) 및 대좌 구동부 (33) 를 포함한다. 리니어 가이드 (31) 는, 2 개의 레일을 포함하고, 평면에서 보았을 때 측벽부 (2b) 의 근방으로부터 측벽부 (2c) 의 근방까지 Y 방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 가동 대좌 (32) 는, 리니어 가이드 (31) 의 2 개의 레일 상에서 Y 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 대좌 구동부 (33) 는, 예를 들어 펄스 모터를 포함하고, 리니어 가이드 (31) 상에서 가동 대좌 (32) 를 Y 방향으로 이동시킨다.A pedestal device 30 is formed in the central portion of the bottom surface portion 2a. The pedestal device 30 includes a linear guide 31, a movable pedestal 32, and a pedestal drive unit 33. The linear guide 31 includes two rails and is installed to extend in the Y direction from the vicinity of the side wall portion 2b to the vicinity of the side wall portion 2c when viewed in plan. The movable base 32 is formed to be movable in the Y direction on the two rails of the linear guide 31. The pedestal drive unit 33 includes, for example, a pulse motor and moves the movable pedestal 32 on the linear guide 31 in the Y direction.
가동 대좌 (32) 상에는, 하측 유지 장치 (20) 및 하면 세정 장치 (50) 가 Y 방향으로 나열되도록 설치되어 있다. 하측 유지 장치 (20) 는, 흡착 유지부 (21) 및 흡착 유지 구동부 (22) 를 포함한다. 흡착 유지부 (21) 는, 이른바 스핀 척이고, 기판 (W) 의 하면을 흡착 유지 가능한 원형의 흡착면을 갖고, 상하 방향으로 연장되는 축 (Z 방향의 축) 의 둘레에서 회전 가능하게 구성된다. 도 3 에서는, 하측 유지 장치 (20) 에 의해 흡착 유지된 기판 (W) 의 외형이 이점 쇄선으로 나타내어져 있다. 이하의 설명에서는, 흡착 유지부 (21) 에 의해 기판 (W) 이 흡착 유지될 때에, 기판 (W) 의 하면 중, 흡착 유지부 (21) 의 흡착면이 흡착해야 할 영역을 하면 중앙 영역이라고 부른다. 한편, 기판 (W) 의 하면 중, 하면 중앙 영역을 둘러싸는 영역을 하면 외측 영역이라고 부른다.On the movable pedestal 32, the lower holding device 20 and the lower surface cleaning device 50 are installed aligned in the Y direction. The lower holding device 20 includes a suction holding portion 21 and a suction holding driving portion 22. The adsorption holding portion 21 is a so-called spin chuck, has a circular adsorption surface capable of adsorbing and holding the lower surface of the substrate W, and is configured to be rotatable around an axis extending in the vertical direction (Z-direction axis). . In FIG. 3, the external shape of the substrate W adsorbed and held by the lower holding device 20 is indicated by a two-dashed chain line. In the following description, when the substrate W is adsorbed and held by the adsorption holding portion 21, the area on the lower surface of the substrate W to be adsorbed by the adsorption surface of the adsorption holding portion 21 is referred to as the central region. I call. On the other hand, the area surrounding the central area of the lower surface of the substrate W is called the lower outer area.
흡착 유지 구동부 (22) 는, 모터를 포함한다. 흡착 유지 구동부 (22) 의 모터는, 회전축이 상방을 향하여 돌출하도록 가동 대좌 (32) 상에 설치되어 있다. 흡착 유지부 (21) 는, 흡착 유지 구동부 (22) 의 회전축의 상단부에 장착된다. 또, 흡착 유지 구동부 (22) 의 회전축에는, 흡착 유지부 (21) 에 있어서 기판 (W) 을 흡착 유지하기 위한 흡인 경로가 형성되어 있다. 그 흡인 경로는, 도시되지 않은 흡기 장치에 접속되어 있다. 흡착 유지 구동부 (22) 는, 흡착 유지부 (21) 를 상기의 회전축의 둘레에서 회전시킨다.The suction holding drive unit 22 includes a motor. The motor of the suction holding drive unit 22 is installed on the movable base 32 so that the rotation axis protrudes upward. The suction holding portion 21 is mounted on the upper end of the rotation shaft of the suction holding driving portion 22. In addition, a suction path for adsorbing and holding the substrate W in the adsorption holding unit 21 is formed on the rotation axis of the adsorption holding driving unit 22. The suction path is connected to an intake device not shown. The suction holding drive unit 22 rotates the suction holding unit 21 around the rotation axis.
가동 대좌 (32) 상에는, 하측 유지 장치 (20) 의 근방에 추가로 수수 장치 (40) 가 설치되어 있다. 수수 장치 (40) 는, 복수 (본 예에서는 3 개) 의 지지 핀 (41), 핀 연결 부재 (42) 및 핀 승강 구동부 (43) 를 포함한다. 핀 연결 부재 (42) 는, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부 (21) 를 둘러싸도록 형성되어, 복수의 지지 핀 (41) 을 연결한다. 복수의 지지 핀 (41) 은, 핀 연결 부재 (42) 에 의해 서로 연결된 상태에서, 핀 연결 부재 (42) 로부터 일정 길이로 상방으로 연장된다. 핀 승강 구동부 (43) 는, 가동 대좌 (32) 상에서 핀 연결 부재 (42) 를 승강시킨다. 이에 따라, 복수의 지지 핀 (41) 이 흡착 유지부 (21) 에 대해서 상대적으로 승강한다.On the movable pedestal 32, a receiving device 40 is additionally installed near the lower holding device 20. The transfer device 40 includes a plurality (three in this example) of support pins 41, a pin connecting member 42, and a pin lifting/lowering drive unit 43. The pin connection member 42 is formed to surround the suction holding portion 21 when viewed in plan, and connects the plurality of support pins 41. The plurality of support pins 41 are connected to each other by the pin connecting member 42 and extend upward from the pin connecting member 42 at a certain length. The pin lifting/lowering driving unit 43 raises/lowers the pin connecting member 42 on the movable pedestal 32 . Accordingly, the plurality of support pins 41 rise and fall relative to the suction holding portion 21.
하면 세정 장치 (50) 는, 하면 브러시 (51), 2 개의 액 노즐 (52), 기체 분출부 (53), 승강 지지부 (54), 이동 지지부 (55), 하면 브러시 회전 구동부 (55a), 하면 브러시 승강 구동부 (55b) 및 하면 브러시 이동 구동부 (55c) 를 포함한다. 이동 지지부 (55) 는, 가동 대좌 (32) 상의 일정 영역 내에서 하측 유지 장치 (20) 에 대해서 Y 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 이동 지지부 (55) 상에, 승강 지지부 (54) 가 승강 가능하게 형성되어 있다. 승강 지지부 (54) 는, 흡착 유지부 (21) 로부터 멀어지는 방향 (본 예에서는 후방) 에 있어서 비스듬하게 하방으로 경사지는 상면 (54u) 을 갖는다.The lower surface cleaning device 50 includes a lower surface brush 51, two liquid nozzles 52, a gas jet part 53, a lifting support part 54, a moving support part 55, a lower surface brush rotation drive part 55a, and a lower surface brush 50. It includes a brush lifting/lowering driving unit 55b and a lower brush moving driving unit 55c. The movable support portion 55 is installed to be movable in the Y direction with respect to the lower holding device 20 within a certain area on the movable pedestal 32 . As shown in FIG. 4, a lifting support part 54 is formed on the movable support part 55 so as to be capable of being raised and lowered. The lifting support portion 54 has an upper surface 54u that slopes obliquely downward in a direction away from the adsorption holding portion 21 (rearward in this example).
도 3 에 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 는, 예를 들어 PVA (폴리비닐알코올) 스펀지 또는 지립이 분산된 PVA 스펀지에 의해 형성되고, 기판 (W) 의 하면에 접촉 가능한 원형의 세정면을 갖는다. 또, 하면 브러시 (51) 는, 세정면이 상방을 향하도록 또한 세정면이 당해 세정면의 중심을 통과하여 상하 방향으로 연장되는 축의 둘레에서 회전 가능해지도록, 승강 지지부 (54) 의 상면 (54u) 에 장착되어 있다. 하면 브러시 (51) 의 세정면의 면적은, 흡착 유지부 (21) 의 흡착면의 면적보다 크다.As shown in FIG. 3, the lower surface brush 51 is formed of, for example, a PVA (polyvinyl alcohol) sponge or a PVA sponge in which abrasive particles are dispersed, and has a circular cleaning surface that can be contacted with the lower surface of the substrate W. have In addition, the lower surface brush 51 is positioned on the upper surface 54u of the lifting support portion 54 so that the cleaning surface faces upward and the cleaning surface can rotate around an axis that extends in the vertical direction through the center of the cleaning surface. It is mounted on. The area of the cleaning surface of the lower surface brush 51 is larger than the area of the adsorption surface of the suction holding portion 21.
2 개의 액 노즐 (52) 의 각각은, 하면 브러시 (51) 의 근방에 위치하고 또한 액체 토출구가 상방을 향하도록, 승강 지지부 (54) 의 상면 (54u) 상에 장착되어 있다. 액 노즐 (52) 에는, 하면 세정액 공급부 (56) (도 5) 가 접속되어 있다. 하면 세정액 공급부 (56) 는, 액 노즐 (52) 에 세정액을 공급한다. 액 노즐 (52) 은, 하면 브러시 (51) 에 의한 기판 (W) 의 세정시에, 하면 세정액 공급부 (56) 로부터 공급되는 세정액을 기판 (W) 의 하면에 공급한다. 본 실시형태에서는, 액 노즐 (52) 에 공급되는 세정액으로서, 순수 (탈이온수) 가 사용된다. 또한, 액 노즐 (52) 에 공급되는 세정액으로는, 순수 대신에, 탄산수, 오존수, 수소수, 전해 이온수, SC1 (암모니아와 과산화수소수의 혼합 용액) 또는 TMAH (수산화테트라메틸암모늄) 등을 사용할 수도 있다.Each of the two liquid nozzles 52 is located near the lower surface brush 51 and is mounted on the upper surface 54u of the lifting support portion 54 so that the liquid discharge port faces upward. A lower surface cleaning liquid supply unit 56 (FIG. 5) is connected to the liquid nozzle 52. The lower surface cleaning liquid supply unit 56 supplies cleaning liquid to the liquid nozzle 52. The liquid nozzle 52 supplies the cleaning liquid supplied from the lower surface cleaning liquid supply unit 56 to the lower surface of the substrate W when the lower surface brush 51 cleans the substrate W. In this embodiment, pure water (deionized water) is used as the cleaning liquid supplied to the liquid nozzle 52. In addition, as the cleaning liquid supplied to the liquid nozzle 52, instead of pure water, carbonated water, ozone water, hydrogen water, electrolytic ion water, SC1 (mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide water), or TMAH (tetramethylammonium hydroxide) can be used. there is.
기체 분출부 (53) 는, 일 방향으로 연장되는 기체 분출구를 갖는 슬릿상의 기체 분사 노즐이다. 기체 분출부 (53) 는, 평면에서 보았을 때 하면 브러시 (51) 와 흡착 유지부 (21) 사이에 위치하고 또한 기체 분사구가 상방을 향하도록, 승강 지지부 (54) 의 상면 (54u) 에 장착되어 있다. 기체 분출부 (53) 에는, 분출 기체 공급부 (57) (도 5) 가 접속되어 있다. 분출 기체 공급부 (57) 는, 기체 분출부 (53) 에 기체를 공급한다. 본 실시형태에서는, 기체 분출부 (53) 에 공급되는 기체로서, 질소 가스가 사용된다. 기체 분출부 (53) 는, 하면 브러시 (51) 에 의한 기판 (W) 의 세정시 및 후술하는 기판 (W) 의 하면의 건조시에, 분출 기체 공급부 (57) 로부터 공급되는 기체를 기판 (W) 의 하면에 분사한다. 이 경우, 하면 브러시 (51) 와 흡착 유지부 (21) 사이에, X 방향으로 연장되는 띠상의 기체 커튼이 형성된다. 기체 분출부 (53) 에 공급되는 기체로는, 질소 가스 대신에, 아르곤 가스 또는 헬륨 가스 등의 불활성 가스를 사용할 수도 있다.The gas blowing portion 53 is a slit-shaped gas blowing nozzle having a gas blowing port extending in one direction. The gas ejection portion 53 is located between the lower brush 51 and the adsorption holding portion 21 when viewed in plan, and is mounted on the upper surface 54u of the lifting support portion 54 so that the gas ejection port faces upward. . A blowing gas supply part 57 (FIG. 5) is connected to the gas blowing part 53. The blowing gas supply unit 57 supplies gas to the gas blowing part 53. In this embodiment, nitrogen gas is used as the gas supplied to the gas blowing section 53. The gas blowing portion 53 supplies the gas supplied from the blowing gas supply portion 57 to the substrate (W) when cleaning the substrate W with the lower surface brush 51 and drying the lower surface of the substrate W to be described later. ) Spray on the bottom of the. In this case, a band-shaped gas curtain extending in the X direction is formed between the lower surface brush 51 and the adsorption holding portion 21. As the gas supplied to the gas blowing section 53, an inert gas such as argon gas or helium gas can be used instead of nitrogen gas.
하면 브러시 회전 구동부 (55a) 는, 모터를 포함하고, 하면 브러시 (51) 에 의한 기판 (W) 의 세정시에 하면 브러시 (51) 를 회전시킨다. 하면 브러시 승강 구동부 (55b) 는, 스텝 모터 또는 에어 실린더를 포함하고, 이동 지지부 (55) 에 대해서 승강 지지부 (54) 를 승강시킨다. 하면 브러시 이동 구동부 (55c) 는, 모터를 포함하고, 가동 대좌 (32) 상에서 이동 지지부 (55) 를 Y 방향으로 이동시킨다. 여기서, 가동 대좌 (32) 에 있어서의 하측 유지 장치 (20) 의 위치는 고정되어 있다. 그 때문에, 하면 브러시 이동 구동부 (55c) 에 의한 이동 지지부 (55) 의 Y 방향의 이동시에는, 이동 지지부 (55) 가 하측 유지 장치 (20) 에 대해서 상대적으로 이동한다. 이하의 설명에서는, 가동 대좌 (32) 상에서 하측 유지 장치 (20) 에 가장 가까워질 때의 하면 세정 장치 (50) 의 위치를 접근 위치라고 부르고, 가동 대좌 (32) 상에서 하측 유지 장치 (20) 로부터 가장 떨어졌을 때의 하면 세정 장치 (50) 의 위치를 이간 위치라고 부른다.The lower surface brush rotation drive unit 55a includes a motor and rotates the lower surface brush 51 when cleaning the substrate W with the lower surface brush 51 . The lower surface brush lifting drive unit 55b includes a step motor or an air cylinder, and raises and lowers the lifting support part 54 with respect to the moving support part 55. The lower brush movement drive unit 55c includes a motor and moves the movement support unit 55 on the movable base 32 in the Y direction. Here, the position of the lower holding device 20 on the movable pedestal 32 is fixed. Therefore, when the movable support part 55 is moved in the Y direction by the lower brush movement drive unit 55c, the movable support part 55 moves relative to the lower holding device 20. In the following description, the position of the lower surface cleaning device 50 when it is closest to the lower holding device 20 on the movable pedestal 32 is called the approach position, and the position of the lower surface cleaning device 50 when it is closest to the lower holding device 20 on the movable pedestal 32 is called the approach position. The position of the bottom cleaning device 50 when it falls the most is called the separation position.
바닥면부 (2a) 의 중앙부에는, 추가로 컵 장치 (60) 가 형성되어 있다. 컵 장치 (60) 는, 처리 컵 (61) 및 컵 구동부 (62) 를 포함한다. 처리 컵 (61) 은, 평면에서 보았을 때 하측 유지 장치 (20) 및 대좌 장치 (30) 를 둘러싸도록 또한 승강 가능하게 형성되어 있다. 도 4 에 있어서는, 처리 컵 (61) 이 점선으로 나타내어져 있다. 컵 구동부 (62) 는, 하면 브러시 (51) 가 기판 (W) 의 하면에 있어서의 어느 부분을 세정하는지에 따라서 처리 컵 (61) 을 하컵 위치와 상컵 위치의 사이에서 이동시킨다. 하컵 위치는 처리 컵 (61) 의 상단부가 흡착 유지부 (21) 에 의해 흡착 유지되는 기판 (W) 보다 하방에 위치하는 높이 위치이다. 또, 상컵 위치는 처리 컵 (61) 의 상단부가 흡착 유지부 (21) 보다 상방에 위치하는 높이 위치이다.A cup device 60 is further formed in the central portion of the bottom surface portion 2a. The cup device 60 includes a processing cup 61 and a cup driving unit 62. The processing cup 61 is formed to be raised and lowered so as to surround the lower holding device 20 and the pedestal device 30 when viewed from the top. In Fig. 4, the processing cup 61 is indicated by a dotted line. The cup driving unit 62 moves the processing cup 61 between the lower cup position and the upper cup position depending on which part of the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower surface brush 51. The lower cup position is a height position where the upper end of the processing cup 61 is located below the substrate W held by the suction holding portion 21. Additionally, the upper cup position is a height position where the upper end of the processing cup 61 is located above the suction holding portion 21.
처리 컵 (61) 보다 상방의 높이 위치에는, 평면에서 보았을 때 대좌 장치 (30) 를 사이에 두고 대향하도록 1 쌍의 상측 유지 장치 (10A, 10B) 가 설치되어 있다. 상측 유지 장치 (10A) 는, 하척 (11A), 상척 (12A), 하척 구동부 (13A) 및 상척 구동부 (14A) 를 포함한다. 상측 유지 장치 (10B) 는, 하척 (11B), 상척 (12B), 하척 구동부 (13B) 및 상척 구동부 (14B) 를 포함한다.At a height above the processing cup 61, a pair of upper holding devices 10A, 10B are installed to face each other across the pedestal device 30 when viewed from the top. The upper holding device 10A includes a lower chuck 11A, an upper chuck 12A, a lower chuck drive unit 13A, and an upper chuck drive unit 14A. The upper holding device 10B includes a lower chuck 11B, an upper chuck 12B, a lower chuck drive unit 13B, and an upper chuck drive unit 14B.
하척 (11A, 11B) 은, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부 (21) 의 중심을 통과하여 Y 방향 (전후 방향) 으로 연장되는 연직면에 관해서 대칭으로 배치되고, 공통되는 수평면 내에서 X 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 하척 (11A, 11B) 의 각각은, 기판 (W) 의 하면 주연부를 기판 (W) 의 하방으로부터 지지 가능한 2 개의 지지편을 갖는다. 하척 구동부 (13A, 13B) 는, 하척 (11A, 11B) 이 서로 근접하도록, 또는 하척 (11A, 11B) 이 서로 멀어지도록, 하척 (11A, 11B) 을 이동시킨다.The lower chucks 11A, 11B are arranged symmetrically with respect to a vertical plane extending in the Y direction (front-back direction) through the center of the suction holding portion 21 when viewed from the top, and are movable in the X direction within a common horizontal plane. It is installed properly. Each of the lower chucks 11A, 11B has two support pieces capable of supporting the lower surface peripheral portion of the substrate W from below the substrate W. The lower chuck driving units 13A and 13B move the lower chucks 11A and 11B so that the lower chucks 11A and 11B approach each other or move the lower chucks 11A and 11B away from each other.
상척 (12A, 12B) 은, 하척 (11A, 11B) 과 마찬가지로, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부 (21) 의 중심을 통과하여 Y 방향 (전후 방향) 으로 연장되는 연직면에 관해서 대칭으로 배치되고, 공통되는 수평면 내에서 X 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 상척 (12A, 12B) 의 각각은, 기판 (W) 의 외주 단부의 2 개의 부분에 맞닿아 기판 (W) 의 외주 단부를 유지 가능하게 구성된 2 개의 유지편을 갖는다. 상척 구동부 (14A, 14B) 는, 상척 (12A, 12B) 이 서로 근접하도록, 또는 상척 (12A, 12B) 이 서로 멀어지도록, 상척 (12A, 12B) 을 이동시킨다.The upper chucks 12A, 12B, like the lower chucks 11A, 11B, are arranged symmetrically with respect to a vertical plane extending in the Y direction (front-back direction) through the center of the suction holding portion 21 when viewed from the top, and have a common It is installed to be movable in the X direction within the horizontal plane. Each of the upper chucks 12A, 12B has two holding pieces configured to be capable of holding the outer peripheral ends of the substrate W by abutting against two portions of the outer peripheral ends of the substrate W. The upper chuck driving units 14A, 14B move the upper chucks 12A, 12B so that the upper chucks 12A, 12B approach each other or the upper chucks 12A, 12B move away from each other.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 처리 컵 (61) 의 일측방에 있어서는, 평면에서 보았을 때 상측 유지 장치 (10B) 의 근방에 위치하도록, 상면 세정 장치 (70) 가 설치되어 있다. 상면 세정 장치 (70) 는, 회전 지지축 (71), 아암 (72), 스프레이 노즐 (73) 및 상면 세정 구동부 (74) 를 포함한다.As shown in FIG. 3, on one side of the processing cup 61, an upper surface cleaning device 70 is installed so as to be located near the upper holding device 10B when viewed from the top. The top surface cleaning device 70 includes a rotation support shaft 71, an arm 72, a spray nozzle 73, and a top surface cleaning drive unit 74.
회전 지지축 (71) 은, 바닥면부 (2a) 상에서, 상하 방향으로 연장되도록 그리고 승강 가능하고 또한 회전 가능하게 상면 세정 구동부 (74) 에 의해 지지된다. 아암 (72) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 상측 유지 장치 (10B) 보다 상방의 위치에서, 회전 지지축 (71) 의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 아암 (72) 의 선단부에는, 스프레이 노즐 (73) 이 장착되어 있다.The rotation support shaft 71 is supported on the bottom surface portion 2a by the top surface cleaning drive unit 74 so as to extend in the vertical direction and to be able to move up and down and to be rotatable. As shown in FIG. 4 , the arm 72 is installed to extend in the horizontal direction from the upper end of the rotation support shaft 71 at a position above the upper holding device 10B. A spray nozzle 73 is attached to the distal end of the arm 72.
스프레이 노즐 (73) 에는, 상면 세정 유체 공급부 (75) (도 5) 가 접속된다. 상면 세정 유체 공급부 (75) 는, 스프레이 노즐 (73) 에 세정액 및 기체를 공급한다. 본 실시형태에서는, 스프레이 노즐 (73) 에 공급되는 세정액으로서 순수가 사용되고, 스프레이 노즐 (73) 에 공급되는 기체로서 질소 가스가 사용된다. 스프레이 노즐 (73) 은, 기판 (W) 의 상면의 세정시에, 상면 세정 유체 공급부 (75) 로부터 공급되는 세정액과 기체를 혼합하여 혼합 유체를 생성하고, 생성된 혼합 유체를 하방으로 분사한다.A top surface cleaning fluid supply unit 75 (FIG. 5) is connected to the spray nozzle 73. The top cleaning fluid supply unit 75 supplies cleaning liquid and gas to the spray nozzle 73. In this embodiment, pure water is used as the cleaning liquid supplied to the spray nozzle 73, and nitrogen gas is used as the gas supplied to the spray nozzle 73. When cleaning the upper surface of the substrate W, the spray nozzle 73 mixes the cleaning liquid and gas supplied from the upper surface cleaning fluid supply unit 75 to generate a mixed fluid, and sprays the generated mixed fluid downward.
또한, 스프레이 노즐 (73) 에 공급되는 세정액으로는, 순수 대신에, 탄산수, 오존수, 수소수, 전해 이온수, SC1 (암모니아와 과산화수소수의 혼합 용액) 또는 TMAH (수산화테트라메틸암모늄) 등을 사용할 수도 있다. 또, 스프레이 노즐 (73) 에 공급되는 기체로는, 질소 가스 대신에, 아르곤 가스 또는 헬륨 가스 등의 불활성 가스를 사용할 수도 있다.Additionally, instead of pure water, carbonated water, ozone water, hydrogen water, electrolyzed ion water, SC1 (mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide water), or TMAH (tetramethylammonium hydroxide) can be used as the cleaning liquid supplied to the spray nozzle 73. there is. Additionally, as the gas supplied to the spray nozzle 73, an inert gas such as argon gas or helium gas can be used instead of nitrogen gas.
상면 세정 구동부 (74) 는, 1 또는 복수의 펄스 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 회전 지지축 (71) 을 승강시킴과 함게, 회전 지지축 (71) 을 회전시킨다. 상기한 구성에 의하면, 흡착 유지부 (21) 에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판 (W) 의 상면 상에서, 스프레이 노즐 (73) 을 원호상으로 이동시킴으로써, 기판 (W) 의 상면 전체를 세정할 수 있다.The top surface cleaning drive unit 74 includes one or more pulse motors, air cylinders, etc., and raises and lowers the rotation support shaft 71 and rotates the rotation support shaft 71. According to the above configuration, the entire upper surface of the substrate W can be cleaned by moving the spray nozzle 73 in an arc on the upper surface of the substrate W, which is adsorbed and held and rotated by the suction holding portion 21. there is.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 처리 컵 (61) 의 타측방에 있어서는, 평면에서 보았을 때 상측 유지 장치 (10A) 의 근방에 위치하도록, 단부 세정 장치 (80) 가 설치되어 있다. 단부 세정 장치 (80) 는, 회전 지지축 (81), 아암 (82), 베벨 브러시 (83) 및 베벨 브러시 구동부 (84) 를 포함한다.As shown in FIG. 3, on the other side of the processing cup 61, an end cleaning device 80 is installed so as to be located near the upper holding device 10A when viewed from the top. The end cleaning device 80 includes a rotating support shaft 81, an arm 82, a bevel brush 83, and a bevel brush drive unit 84.
회전 지지축 (81) 은, 바닥면부 (2a) 상에서, 상하 방향으로 연장되도록 그리고 승강 가능하고 또한 회전 가능하게 베벨 브러시 구동부 (84) 에 의해 지지된다. 아암 (82) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 상측 유지 장치 (10A) 보다 상방의 위치에서, 회전 지지축 (81) 의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 아암 (82) 의 선단부에는, 하방을 향하여 돌출하도록 또한 상하 방향의 축의 둘레에서 회전 가능해지도록 베벨 브러시 (83) 가 설치되어 있다.The rotation support shaft 81 is supported on the bottom surface portion 2a by the bevel brush drive portion 84 so as to extend in the vertical direction and to be capable of being raised and lowered and rotatable. As shown in FIG. 4 , the arm 82 is installed to extend in the horizontal direction from the upper end of the rotation support shaft 81 at a position above the upper holding device 10A. At the distal end of the arm 82, a bevel brush 83 is provided so as to protrude downward and to be rotatable around an axis in the vertical direction.
베벨 브러시 (83) 는, 예를 들어 PVA 스펀지 또는 지립이 분산된 PVA 스펀지에 의해 형성되고, 상반부가 역원추 사다리꼴 형상을 가짐과 함께, 하반부가 원추 사다리꼴 형상을 갖는다. 이 베벨 브러시 (83) 에 의하면, 외주면의 상하 방향에 있어서의 중앙 부분에서 기판 (W) 의 외주 단부를 세정할 수 있다.The bevel brush 83 is formed, for example, of a PVA sponge or a PVA sponge in which abrasive particles are dispersed, and the upper half has an inverted cone-trapezoid shape and the lower half has a cone-trapezoid shape. According to this bevel brush 83, the outer peripheral edge of the substrate W can be cleaned in the central portion in the vertical direction of the outer peripheral surface.
베벨 브러시 구동부 (84) 는, 1 또는 복수의 펄스 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 회전 지지축 (81) 을 승강시킴과 함께, 회전 지지축 (81) 을 회전시킨다. 상기한 구성에 의하면, 흡착 유지부 (21) 에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판 (W) 의 외주 단부에 베벨 브러시 (83) 의 외주면의 중앙 부분을 접촉시킴으로써, 기판 (W) 의 외주 단부 전체를 세정할 수 있다.The bevel brush drive unit 84 includes one or more pulse motors, air cylinders, etc., and raises and lowers the rotation support shaft 81 and rotates the rotation support shaft 81. According to the above configuration, the entire outer peripheral end of the substrate W is brought into contact with the central portion of the outer peripheral surface of the bevel brush 83 to the outer peripheral end of the substrate W, which is adsorbed and held and rotated by the suction holding portion 21. It can be cleaned.
여기서, 베벨 브러시 구동부 (84) 는, 추가로 아암 (82) 에 내장되는 모터를 포함한다. 그 모터는, 아암 (82) 의 선단부에 형성되는 베벨 브러시 (83) 를 상하 방향의 축의 둘레에서 회전시킨다. 따라서, 기판 (W) 의 외주 단부의 세정시에, 베벨 브러시 (83) 가 회전함으로써, 기판 (W) 의 외주 단부에 있어서의 베벨 브러시 (83) 의 세정력이 향상된다.Here, the bevel brush drive unit 84 further includes a motor built into the arm 82. The motor rotates the bevel brush 83 formed at the distal end of the arm 82 around an axis in the vertical direction. Therefore, when cleaning the outer peripheral edge of the substrate W, the bevel brush 83 rotates, thereby improving the cleaning power of the bevel brush 83 at the outer peripheral edge of the substrate W.
(3) 기판 처리 장치의 제어계(3) Control system of substrate processing equipment
도 5 는, 기판 처리 장치 (100) 의 제어 계통의 구성을 나타내는 블록도이다. 상기와 같이, 도 1 의 제어 장치 (170) 는, CPU, RAM, ROM 및 기억 장치를 포함한다. RAM 은, CPU 의 작업 영역으로서 사용된다. ROM 은, 시스템 프로그램을 기억한다. 기억 장치는, 기판 처리 프로그램을 기억한다.FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the control system of the substrate processing apparatus 100. As above, the control device 170 in FIG. 1 includes a CPU, RAM, ROM, and a storage device. RAM is used as the CPU's work area. ROM stores system programs. The memory device stores the substrate processing program.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (170) 는, 기능부로서, 척 제어부 (171), 흡착 제어부 (172), 대좌 제어부 (173), 수수 제어부 (174), 하면 세정 제어부 (175), 컵 제어부 (176), 상면 세정 제어부 (177), 베벨 세정 제어부 (178), 반입 반출 제어부 (179) 및 반송 제어부 (180, 181) 를 포함한다. CPU 가 기억 장치에 기억된 기판 처리 프로그램을 RAM 상에서 실행함으로써 제어 장치 (170) 의 기능부가 실현된다. 제어 장치 (170) 의 기능부의 일부 또는 전부가 전자 회로 등의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.As shown in FIG. 5, the control device 170 includes, as functional units, a chuck control unit 171, an adsorption control unit 172, a pedestal control unit 173, a delivery control unit 174, a lower surface cleaning control unit 175, and a cup. It includes a control unit 176, a top cleaning control unit 177, a bevel cleaning control unit 178, a loading/unloading control unit 179, and a conveyance control unit 180, 181. The functional portion of the control device 170 is realized by the CPU executing the substrate processing program stored in the memory device on the RAM. Part or all of the functional portion of the control device 170 may be realized by hardware such as an electronic circuit.
척 제어부 (171), 흡착 제어부 (172), 대좌 제어부 (173), 수수 제어부 (174), 하면 세정 제어부 (175), 컵 제어부 (176), 상면 세정 제어부 (177), 베벨 세정 제어부 (178) 및 반입 반출 제어부 (179) 는, 각 기판 세정 장치 (1) 의 동작을 제어한다. 구체적으로는, 척 제어부 (171) 는, 각 기판 세정 장치 (1) 에 반입되는 기판 (W) 을 수취하고, 흡착 유지부 (21) 의 상방의 위치에서 유지하기 위해서, 하척 구동부 (13A, 13B) 및 상척 구동부 (14A, 14B) 를 제어한다.Chuck control unit 171, adsorption control unit 172, pedestal control unit 173, water treatment control unit 174, lower surface cleaning control unit 175, cup control unit 176, upper cleaning control unit 177, bevel cleaning control unit 178. and the loading/unloading control unit 179 controls the operation of each substrate cleaning device 1. Specifically, the chuck control unit 171 includes lower chuck driving units 13A and 13B in order to receive the substrate W loaded into each substrate cleaning device 1 and hold it at a position above the suction holding unit 21. ) and the upper chuck driving units 14A, 14B.
흡착 제어부 (172) 는, 흡착 유지부 (21) 에 의해 기판 (W) 을 흡착 유지함과 함께 흡착 유지된 기판 (W) 을 회전시키기 위해서, 흡착 유지 구동부 (22) 를 제어한다. 대좌 제어부 (173) 는, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 유지되는 기판 (W) 에 대해서 가동 대좌 (32) 를 이동시키기 위해서, 대좌 구동부 (33) 를 제어한다. 수수 제어부 (174) 는, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 유지되는 기판 (W) 의 높이 위치와, 흡착 유지부 (21) 에 의해 유지되는 기판 (W) 의 높이 위치 사이에서 기판 (W) 을 이동시키기 위해서, 핀 승강 구동부 (43) 를 제어한다.The adsorption control unit 172 controls the adsorption-holding drive unit 22 in order to adsorb and hold the substrate W by the adsorption-holding unit 21 and rotate the adsorbed-held substrate W. The pedestal control unit 173 controls the pedestal drive unit 33 to move the movable pedestal 32 with respect to the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B. The transfer control unit 174 controls the substrate W between the height position of the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B and the height position of the substrate W held by the suction holding unit 21. ), the pin lifting and lowering drive unit 43 is controlled.
하면 세정 제어부 (175) 는, 기판 (W) 의 하면을 세정하기 위해서, 하면 브러시 회전 구동부 (55a), 하면 브러시 승강 구동부 (55b), 하면 브러시 이동 구동부 (55c), 하면 세정액 공급부 (56) 및 분출 기체 공급부 (57) 를 제어한다. 컵 제어부 (176) 는, 흡착 유지부 (21) 에 의해 흡착 유지된 기판 (W) 의 세정시에 기판 (W) 으로부터 비산되는 세정액을 처리 컵 (61) 으로 받아 내기 위해서, 컵 구동부 (62) 를 제어한다.In order to clean the lower surface of the substrate W, the lower surface cleaning control unit 175 includes a lower surface brush rotation driving unit 55a, a lower surface brush lifting and lowering driving unit 55b, a lower surface brush moving driving unit 55c, a lower surface cleaning liquid supply unit 56, and The blowing gas supply unit 57 is controlled. The cup control unit 176 uses a cup driving unit 62 to collect the cleaning liquid sprayed from the substrate W into the processing cup 61 when cleaning the substrate W held by the suction holding unit 21. control.
상면 세정 제어부 (177) 는, 흡착 유지부 (21) 에 의해 흡착 유지된 기판 (W) 의 상면을 세정하기 위해서, 상면 세정 구동부 (74) 및 상면 세정 유체 공급부 (75) 를 제어한다. 베벨 세정 제어부 (178) 는, 흡착 유지부 (21) 에 의해 흡착 유지된 기판 (W) 의 외주 단부를 세정하기 위해서, 베벨 브러시 구동부 (84) 를 제어한다. 반입 반출 제어부 (179) 는, 각 기판 세정 장치 (1) 에 있어서의 기판 (W) 의 반입시 및 반출시에 유닛 케이싱 (2) 의 반입 반출구 (2x) 를 개폐하기 위해서, 셔터 구동부 (92) 를 제어한다.The top cleaning control unit 177 controls the top cleaning drive unit 74 and the top cleaning fluid supply unit 75 to clean the upper surface of the substrate W held by the suction holding unit 21. The bevel cleaning control unit 178 controls the bevel brush drive unit 84 in order to clean the outer peripheral edge of the substrate W held by the suction holding unit 21. The loading/unloading control unit 179 operates the shutter drive unit 92 to open and close the loading/unloading port 2x of the unit casing 2 during loading and unloading of the substrate W in each substrate cleaning device 1. ) is controlled.
반송 제어부 (180) 는, 복수의 캐리어 (C) 와 복수의 기판 재치부 (PASS1, PASS2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송하기 위해서, 반송 구동부 (220) 를 제어한다. 반송 제어부 (181) 는, 복수의 기판 재치부 (PASS1, PASS2) 와 복수의 기판 세정 장치 (1) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송하기 위해서, 반송 구동부 (320) 를 제어한다.The transport control unit 180 controls the transport drive unit 220 to transport the substrate W between the plurality of carriers C and the plurality of substrate placement units PASS1 and PASS2. The transport control unit 181 controls the transport drive unit 320 to transport the substrate W between the plurality of substrate placement units PASS1 and PASS2 and the plurality of substrate cleaning devices 1.
또한, 도 5 의 예에서는, 제어 장치 (170) 는, 인덱서 로봇 (200) 및 메인 로봇 (300) 의 동작에 더하여, 복수의 기판 세정 장치 (1) 의 동작을 제어하지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 각 기판 세정 장치 (1) 는, 당해 기판 세정 장치 (1) 의 동작을 제어하기 위한 제어 장치를 가져도 된다. 이 경우, 제어 장치 (170) 는 척 제어부 (171), 흡착 제어부 (172), 대좌 제어부 (173), 수수 제어부 (174), 하면 세정 제어부 (175), 컵 제어부 (176), 상면 세정 제어부 (177), 베벨 세정 제어부 (178) 및 반입 반출 제어부 (179) 를 포함하지 않아도 된다.In the example of FIG. 5 , the control device 170 controls the operations of the plurality of substrate cleaning devices 1 in addition to the operations of the indexer robot 200 and the main robot 300, but the embodiment does not depend on this. It is not limited. Each substrate cleaning device 1 may have a control device for controlling the operation of the substrate cleaning device 1 in question. In this case, the control device 170 includes a chuck control unit 171, a suction control unit 172, a pedestal control unit 173, a delivery control unit 174, a lower surface cleaning control unit 175, a cup control unit 176, and an upper surface cleaning control unit ( 177), the bevel cleaning control unit 178, and the loading/unloading control unit 179 do not need to be included.
(4) 기판 세정 장치의 동작(4) Operation of the substrate cleaning device
복수의 기판 세정 장치 (1) 에 있어서, 도 1 의 메인 로봇 (300) 의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 각각 반송된 복수의 기판 (W) 에 대해서 세정 처리가 순차 실시된다. 이하, 핸드 (Ma) 에 의해 반송된 기판 (W) 에 대한 기판 세정 장치 (1) 의 동작을 설명하지만, 핸드 (Mb ∼ Md) 에 의해 반송된 기판 (W) 에 대한 기판 세정 장치 (1) 의 동작도 핸드 (Ma) 에 의해 반송된 기판 (W) 에 대한 기판 세정 장치 (1) 의 동작과 동일하다.In the plurality of substrate cleaning devices 1, cleaning processes are sequentially performed on the plurality of substrates W each conveyed by the hands Ma to Md of the main robot 300 in FIG. 1. Hereinafter, the operation of the substrate cleaning device 1 for the substrate W conveyed by the hand Ma will be described, but the operation of the substrate cleaning device 1 for the substrate W conveyed by the hands Mb to Md is explained below. The operation of is also the same as the operation of the substrate cleaning device 1 with respect to the substrate W transported by the hand Ma.
도 6 ∼ 도 17 은, 도 3 의 기판 세정 장치 (1) 의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도이다. 도 6 ∼ 도 17 의 각각에 있어서는, 상단에 기판 세정 장치 (1) 의 평면도가 나타내어져 있다. 또, 중단에 Y 방향을 따라서 바라본 하측 유지 장치 (20) 및 그 주변부의 측면도가 나타내어지고, 하단에 X 방향을 따라서 바라본 하측 유지 장치 (20) 및 그 주변부의 측면도가 나타내어져 있다. 중단의 측면도는 도 3 의 A-A 선 측면도에 대응하고, 하단의 측면도는 도 3 의 B-B 선 측면도에 대응한다. 또한, 기판 세정 장치 (1) 에 있어서의 각 구성 요소의 형상 및 동작 상태의 이해를 용이하게 하기 위해서, 상단의 평면도와 중단 및 하단의 측면도 사이에서는, 일부의 구성 요소의 확축률이 상이하다. 또, 도 6 ∼ 도 17 에서는, 처리 컵 (61) 이 이점 쇄선으로 나타내어짐과 함께, 기판 (W) 의 외형이 굵은 일점 쇄선으로 나타내어져 있다.6 to 17 are schematic diagrams for explaining an example of the operation of the substrate cleaning device 1 in FIG. 3. In each of FIGS. 6 to 17, a top view of the substrate cleaning device 1 is shown at the top. Additionally, a side view of the lower retaining device 20 and its peripheral portion as seen along the Y direction is shown in the middle, and a side view of the lower retaining device 20 and its peripheral portion as viewed along the X direction is shown at the lower portion. The side view in the middle corresponds to the side view along line A-A in FIG. 3, and the side view at the bottom corresponds to the side view along line B-B in FIG. 3. Additionally, in order to facilitate understanding of the shape and operating state of each component in the substrate cleaning device 1, the expansion ratios of some components are different between the top plan view and the middle and bottom side views. 6 to 17, the processing cup 61 is indicated by a two-dot chain line, and the external shape of the substrate W is indicated by a thick one-dot chain line.
기판 세정 장치 (1) 에 기판 (W) 이 반입되기 전의 초기 상태에 있어서는, 개폐 장치 (90) 의 셔터 (91) 가 반입 반출구 (2x) 를 폐색하고 있다. 또, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 하척 (11A, 11B) 은, 하척 (11A, 11B) 간의 거리가 기판 (W) 의 직경보다 충분히 커진 상태에서 유지되어 있다. 또, 상척 (12A, 12B) 도, 상척 (12A, 12B) 간의 거리가 기판 (W) 의 직경보다 충분히 커진 상태에서 유지되어 있다. 또, 대좌 장치 (30) 의 가동 대좌 (32) 는, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부 (21) 의 중심이 처리 컵 (61) 의 중심에 위치하도록 배치되어 있다. 또, 가동 대좌 (32) 상에서 하면 세정 장치 (50) 는, 접근 위치에 배치되어 있다. 또, 하면 세정 장치 (50) 의 승강 지지부 (54) 는, 하면 브러시 (51) 의 세정면 (상단부) 이 흡착 유지부 (21) 보다 하방에 위치하는 상태에 있다. 또, 수수 장치 (40) 는, 복수의 지지 핀 (41) 이 흡착 유지부 (21) 보다 하방에 위치하는 상태에 있다. 또한, 컵 장치 (60) 에 있어서는, 처리 컵 (61) 은 하컵 위치에 있다. 이하의 설명에서는, 평면에서 보았을 때의 처리 컵 (61) 의 중심 위치를 평면 기준 위치 rp 라고 부른다. 또, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부 (21) 의 중심이 평면 기준 위치 rp 에 있을 때의 바닥면부 (2a) 상의 가동 대좌 (32) 의 위치를 제 1 수평 위치라고 부른다.In the initial state before the substrate W is loaded into the substrate cleaning device 1, the shutter 91 of the opening and closing device 90 blocks the loading/unloading opening 2x. Moreover, as shown in FIG. 3, the lower chucks 11A and 11B are maintained in a state where the distance between the lower chucks 11A and 11B is sufficiently larger than the diameter of the substrate W. In addition, the upper chucks 12A and 12B are also maintained in a state where the distance between the upper chucks 12A and 12B is sufficiently larger than the diameter of the substrate W. Additionally, the movable pedestal 32 of the pedestal device 30 is arranged so that the center of the suction holding portion 21 is located at the center of the processing cup 61 when viewed from the top. Additionally, on the movable pedestal 32, the lower surface cleaning device 50 is arranged at an accessible position. Additionally, the lifting support portion 54 of the lower surface cleaning device 50 is in a state in which the cleaning surface (upper end portion) of the lower surface brush 51 is located below the suction holding portion 21. Additionally, the water transfer device 40 is in a state in which the plurality of support pins 41 are located below the suction holding portion 21. Additionally, in the cup device 60, the processing cup 61 is at the lower cup position. In the following description, the center position of the processing cup 61 when viewed from the plane is called the plane reference position rp. In addition, the position of the movable base 32 on the bottom surface portion 2a when the center of the suction holding portion 21 is at the plane reference position rp when viewed in a plan view is called the first horizontal position.
기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 내에 처리 전의 기판 (W) 이 반입된다. 구체적으로는, 기판 (W) 의 반입 직전에 셔터 (91) 가 반입 반출구 (2x) 를 개방한다. 그 후, 도 6 에 굵은 실선의 화살표 a1 로 나타내는 바와 같이, 도 1 의 메인 로봇 (300) 의 핸드 (Ma) 가 반입 반출구 (2x) 를 통과하여 유닛 케이싱 (2) 에 진입하고, 유닛 케이싱 (2) 내의 대략 중앙의 위치에 기판 (W) 을 건네준다. 이 때, 핸드 (Ma) 에 의해 유지되는 기판 (W) 은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 하척 (11A) 및 상척 (12A) 과 하척 (11B) 및 상척 (12B) 의 사이에 위치한다.The substrate W before processing is loaded into the unit casing 2 of the substrate cleaning device 1. Specifically, immediately before loading the substrate W, the shutter 91 opens the loading/unloading port 2x. Then, as indicated by the thick solid arrow a1 in FIG. 6, the hand Ma of the main robot 300 in FIG. 1 passes through the loading/unloading port 2x and enters the unit casing 2, and enters the unit casing 2. The substrate (W) is handed over to approximately the center position in (2). At this time, the substrate W held by the hand Ma is positioned between the lower chuck 11A and the upper chuck 12A and the lower chuck 11B and the upper chuck 12B, as shown in FIG. 6 .
다음으로, 도 7 에 굵은 실선의 화살표 a2 로 나타내는 바와 같이, 하척 (11A, 11B) 의 복수의 지지편이 기판 (W) 의 하면 주연부의 하방에 위치하도록, 하척 (11A, 11B) 이 서로 근접한다. 이 상태에서, 핸드 (Ma) 가 하강한다. 그에 따라, 핸드 (Ma) 에 유지된 기판 (W) 의 하면 주연부의 복수의 부분이, 하척 (11A, 11B) 의 복수의 지지편에 의해 지지된다. 이 때의 기판 (W) 의 위치가 반입 위치이다. 이 시점에 있어서, 반출 위치에는, 유닛 케이싱 (2) 에 전회 반입되고 또한 처리가 종료된 기판 (W) 이 존재한다. 그래서, 핸드 (Ma) 는, 상기와 같이 반입 위치에서 하척 (11A, 11B) 에 기판 (W) 을 건네준 후, 반출 위치의 처리 후의 기판 (W) 을 수취하여, 유닛 케이싱 (2) 으로부터 퇴출한다. 핸드 (Ma) 의 퇴출 후, 셔터 (91) 는 반입 반출구 (2x) 를 폐색한다.Next, as indicated by the thick solid arrow a2 in FIG. 7, the lower chucks 11A, 11B approach each other so that the plurality of support pieces of the lower chucks 11A, 11B are located below the peripheral edge of the lower surface of the substrate W. . In this state, the hand (Ma) is lowered. Accordingly, a plurality of portions of the lower surface peripheral portion of the substrate W held by the hand Ma are supported by a plurality of support pieces of the lower chucks 11A, 11B. The position of the substrate W at this time is the loading position. At this point, there is a substrate W that was previously loaded into the unit casing 2 and whose processing has been completed at the unloading position. Therefore, after handing the substrate W to the lower chucks 11A and 11B at the loading position as described above, the hand Ma receives the processed substrate W at the loading position and removes it from the unit casing 2. do. After the hand Ma is withdrawn, the shutter 91 closes the loading/unloading port 2x.
다음으로, 도 8 에 굵은 실선의 화살표 a3 으로 나타내는 바와 같이, 상척 (12A, 12B) 의 복수의 유지편이 기판 (W) 의 외주 단부에 맞닿도록, 상척 (12A, 12B) 이 서로 근접한다. 상척 (12A, 12B) 의 복수의 유지편이 기판 (W) 의 외주 단부의 복수의 부분에 맞닿음으로써, 하척 (11A, 11B) 에 의해 지지된 기판 (W) 이 상척 (12A, 12B) 에 의해 더욱 유지된다. 이와 같이 하여, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 유지되는 기판 (W) 의 중심은, 평면에서 보았을 때 평면 기준 위치 rp 와 겹치거나 거의 겹친다. 또, 도 8 에 굵은 실선의 화살표 a4 로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부 (21) 가 평면 기준 위치 rp 로부터 소정 거리 어긋남과 함께 하면 브러시 (51) 의 중심이 평면 기준 위치 rp 에 위치하도록, 가동 대좌 (32) 가 제 1 수평 위치로부터 전방으로 이동한다. 이 때, 바닥면부 (2a) 상에 위치하는 가동 대좌 (32) 의 위치를 제 2 수평 위치라고 부른다.Next, as shown by the thick solid arrow a3 in FIG. 8, the upper chucks 12A and 12B approach each other so that the plurality of holding pieces of the upper chucks 12A and 12B come into contact with the outer peripheral end of the substrate W. The plurality of holding pieces of the upper chucks 12A, 12B abut against the plurality of portions of the outer peripheral ends of the substrate W, so that the substrate W supported by the lower chucks 11A, 11B is moved by the upper chucks 12A, 12B. more maintained. In this way, the center of the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B overlaps or almost overlaps the planar reference position rp when viewed from the top. In addition, as indicated by the thick solid arrow a4 in FIG. 8, the movable base is positioned so that when the suction holding portion 21 deviates a predetermined distance from the plane reference position rp, the center of the brush 51 is located at the plane reference position rp. (32) moves forward from the first horizontal position. At this time, the position of the movable pedestal 32 located on the floor portion 2a is called the second horizontal position.
다음으로, 도 9 에 굵은 실선의 화살표 a5 로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 의 세정면이 기판 (W) 의 하면 중앙 영역에 접촉하도록, 승강 지지부 (54) 가 상승한다. 또, 도 9 에 굵은 실선의 화살표 a6 으로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 가 상하 방향의 축의 둘레에서 회전 (자전) 한다. 그에 따라, 기판 (W) 의 하면 중앙 영역에 부착된 오염 물질이 하면 브러시 (51) 에 의해 물리적으로 박리된다.Next, as indicated by the thick solid arrow a5 in FIG. 9 , the lifting support portion 54 rises so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 contacts the central region of the lower surface of the substrate W. Additionally, as shown by the thick solid arrow a6 in FIG. 9, the lower surface brush 51 rotates (rotates) around the axis in the vertical direction. Accordingly, contaminants adhering to the central area of the lower surface of the substrate W are physically peeled off by the lower surface brush 51.
도 9 의 하단에는, 하면 브러시 (51) 가 기판 (W) 의 하면에 접촉하는 부분의 확대 측면도가 부분 확대도 내에 나타내어져 있다. 그 부분 확대도 내에 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 가 기판 (W) 에 접촉한 상태에서, 액 노즐 (52) 및 기체 분출부 (53) 는, 기판 (W) 의 하면에 근접하는 위치에 유지된다. 이 때, 액 노즐 (52) 은, 백색의 화살표 a51 로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 의 근방의 위치에서 기판 (W) 의 하면을 향하여 세정액을 토출한다. 이에 따라, 액 노즐 (52) 로부터 기판 (W) 의 하면에 공급된 세정액이 하면 브러시 (51) 와 기판 (W) 의 접촉부로 유도됨으로써, 하면 브러시 (51) 에 의해 기판 (W) 의 이면으로부터 제거된 오염 물질이 세정액에 의해 씻겨 흘러내린다. 이와 같이, 하면 세정 장치 (50) 에 있어서는, 액 노즐 (52) 이 하면 브러시 (51) 와 함께 승강 지지부 (54) 에 장착되어 있다. 그에 따라, 하면 브러시 (51) 에 의한 기판 (W) 의 하면의 세정 부분에 효율적으로 세정액을 공급할 수 있다. 따라서, 세정액의 소비량이 저감됨과 함께 세정액의 과잉된 비산이 억제된다.At the bottom of Fig. 9, an enlarged side view of the portion where the lower surface brush 51 contacts the lower surface of the substrate W is shown in a partially enlarged view. As shown in the partial enlarged view, with the lower surface brush 51 in contact with the substrate W, the liquid nozzle 52 and the gas jet portion 53 are positioned close to the lower surface of the substrate W. maintain. At this time, the liquid nozzle 52 discharges the cleaning liquid toward the lower surface of the substrate W at a position near the lower surface brush 51, as indicated by the white arrow a51. Accordingly, the cleaning liquid supplied from the liquid nozzle 52 to the lower surface of the substrate W is guided to the contact portion between the lower surface brush 51 and the substrate W, thereby removing the liquid from the lower surface of the substrate W by the lower surface brush 51. The removed contaminants are washed away by the cleaning solution. In this way, in the lower surface cleaning device 50, the liquid nozzle 52 is mounted on the lifting support portion 54 together with the lower surface brush 51. Accordingly, the cleaning liquid can be efficiently supplied to the cleaning portion of the lower surface of the substrate W by the lower surface brush 51. Accordingly, the consumption of the cleaning liquid is reduced and excessive scattering of the cleaning liquid is suppressed.
또한, 기판 (W) 의 하면을 세정할 때의 하면 브러시 (51) 의 회전 속도는, 액 노즐 (52) 로부터 기판 (W) 의 하면에 공급되는 세정액이 하면 브러시 (51) 의 측방으로 비산되지 않을 정도의 속도로 유지된다.Additionally, the rotational speed of the lower surface brush 51 when cleaning the lower surface of the substrate W is such that the cleaning liquid supplied from the liquid nozzle 52 to the lower surface of the substrate W does not scatter to the side of the lower surface brush 51. It is maintained at a speed that does not occur.
여기서, 승강 지지부 (54) 의 상면 (54u) 은, 흡착 유지부 (21) 로부터 멀어지는 방향에 있어서 비스듬하게 하방으로 경사져 있다. 이 경우, 기판 (W) 의 하면으로부터 오염 물질을 포함하는 세정액이 승강 지지부 (54) 상에 낙하할 경우에, 상면 (54u) 에 의해 받아 내어진 세정액이 흡착 유지부 (21) 로부터 멀어지는 방향으로 유도된다.Here, the upper surface 54u of the lifting support part 54 is inclined diagonally downward in the direction away from the suction holding part 21. In this case, when the cleaning liquid containing contaminants falls from the lower surface of the substrate W onto the lifting support portion 54, the cleaning liquid received by the upper surface 54u flows in a direction away from the adsorption holding portion 21. It is induced.
또, 하면 브러시 (51) 에 의한 기판 (W) 의 하면의 세정시에는, 기체 분출부 (53) 가, 도 9 의 부분 확대도 내에 백색의 화살표 a52 로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 와 흡착 유지부 (21) 사이의 위치에서 기판 (W) 의 하면을 향하여 기체를 분사한다. 본 실시형태에 있어서는, 기체 분출부 (53) 는, 기체 분사구가 X 방향으로 연장되도록 승강 지지부 (54) 상에 장착되어 있다. 이 경우, 기체 분출부 (53) 로부터 기판 (W) 의 하면으로 기체가 분사될 때에는, 하면 브러시 (51) 와 흡착 유지부 (21) 사이에서 X 방향으로 연장되는 띠상의 기체 커튼이 형성된다. 그에 따라, 하면 브러시 (51) 에 의한 기판 (W) 의 하면의 세정시에, 오염 물질을 포함하는 세정액이 흡착 유지부 (21) 를 향하여 비산되는 것이 방지된다. 따라서, 하면 브러시 (51) 에 의한 기판 (W) 의 하면의 세정시에, 오염 물질을 포함하는 세정액이 흡착 유지부 (21) 에 부착되는 것이 방지되어, 흡착 유지부 (21) 의 흡착면이 청정하게 유지된다.In addition, when cleaning the lower surface of the substrate W using the lower surface brush 51, the gas blowing portion 53 is in contact with the lower surface brush 51, as indicated by the white arrow a52 in the partially enlarged view of FIG. 9. Gas is sprayed from a position between the adsorption holding portions 21 toward the lower surface of the substrate W. In the present embodiment, the gas injection portion 53 is mounted on the lifting support portion 54 so that the gas injection port extends in the X direction. In this case, when gas is injected from the gas blowing portion 53 to the lower surface of the substrate W, a band-shaped gas curtain extending in the X direction is formed between the lower surface brush 51 and the adsorption holding portion 21. Accordingly, when cleaning the lower surface of the substrate W with the lower surface brush 51, the cleaning liquid containing contaminants is prevented from scattering toward the adsorption holding portion 21. Therefore, when cleaning the lower surface of the substrate W with the lower surface brush 51, the cleaning liquid containing contaminants is prevented from adhering to the adsorption holding part 21, and the adsorption surface of the adsorption holding part 21 is It is kept clean.
또한, 도 9 의 예에 있어서는, 기체 분출부 (53) 는, 백색의 화살표 a52 로 나타내는 바와 같이, 기체 분출부 (53) 로부터 하면 브러시 (51) 를 향하여 비스듬하게 상방으로 기체를 분사하지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 기체 분출부 (53) 는, 기체 분출부 (53) 로부터 기판 (W) 의 하면을 향하여 Z 방향을 따르도록 기체를 분사해도 된다.Additionally, in the example of FIG. 9 , the gas ejection unit 53 ejects gas obliquely upward from the gas ejection unit 53 toward the lower surface brush 51, as indicated by the white arrow a52. The form is not limited to this. The gas blowing portion 53 may spray gas along the Z direction from the gas blowing portion 53 toward the lower surface of the substrate W.
다음으로, 도 9 의 상태에서, 기판 (W) 의 하면 중앙 영역의 세정이 완료되면, 하면 브러시 (51) 의 회전이 정지되고, 하면 브러시 (51) 의 세정면이 기판 (W) 으로부터 소정 거리 이간되도록, 승강 지지부 (54) 가 하강한다. 또, 액 노즐 (52) 로부터 기판 (W) 에 대한 세정액의 토출이 정지된다. 이 때, 기체 분출부 (53) 로부터 기판 (W) 에 대한 기체의 분사는 계속된다.Next, in the state of FIG. 9, when cleaning of the central area of the lower surface of the substrate W is completed, the rotation of the lower surface brush 51 is stopped, and the cleaning surface of the lower surface brush 51 is moved to a predetermined distance from the substrate W. To separate them, the lifting support portion 54 is lowered. Additionally, discharge of the cleaning liquid from the liquid nozzle 52 to the substrate W is stopped. At this time, the injection of gas from the gas injection unit 53 to the substrate W continues.
그 후, 도 10 에 굵은 실선의 화살표 a7 로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부 (21) 가 평면 기준 위치 rp 에 위치하도록, 가동 대좌 (32) 가 후방으로 이동한다. 즉, 가동 대좌 (32) 는, 제 2 수평 위치로부터 제 1 수평 위치로 이동한다. 이 때, 기체 분출부 (53) 로부터 기판 (W) 에 대한 기체의 분사가 계속됨으로써, 기판 (W) 의 하면 중앙 영역이 기체 커튼에 의해 순차적으로 건조된다.After that, as shown by the thick solid arrow a7 in FIG. 10, the movable base 32 moves rearward so that the suction holding portion 21 is located at the plane reference position rp. That is, the movable pedestal 32 moves from the second horizontal position to the first horizontal position. At this time, as the gas is continuously sprayed from the gas blowing portion 53 to the substrate W, the central region of the lower surface of the substrate W is sequentially dried by the gas curtain.
다음으로, 도 11 에 굵은 실선의 화살표 a8 로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 의 세정면이 흡착 유지부 (21) 의 흡착면 (상단부) 보다 하방에 위치하도록, 승강 지지부 (54) 가 하강한다. 또, 도 11 에 굵은 실선의 화살표 a9 로 나타내는 바와 같이, 상척 (12A, 12B) 의 복수의 유지편이 기판 (W) 의 외주 단부로부터 이간하도록, 상척 (12A, 12B) 이 서로 멀어진다. 이 때, 기판 (W) 은, 하척 (11A, 11B) 에 의해 지지된 상태가 된다.Next, as shown by the thick solid line arrow a8 in FIG. 11, the lifting support portion 54 is lowered so that the cleaning surface of the lower brush 51 is positioned below the suction surface (upper end) of the suction holding portion 21. do. In addition, as shown by the thick solid arrow a9 in FIG. 11, the upper chucks 12A and 12B are spaced apart from each other so that the plurality of holding pieces of the upper chucks 12A and 12B are spaced apart from the outer peripheral end of the substrate W. At this time, the substrate W is supported by the lower chucks 11A and 11B.
그 후, 도 11 에 굵은 실선의 화살표 a10 으로 나타내는 바와 같이, 복수의 지지 핀 (41) 의 상단부가 하척 (11A, 11B) 보다 약간 상방에 위치하도록, 핀 연결 부재 (42) 가 상승한다. 그에 따라, 하척 (11A, 11B) 에 의해 지지된 기판 (W) 이, 복수의 지지 핀 (41) 에 의해 수취된다.After that, as indicated by the thick solid arrow a10 in FIG. 11, the pin connecting member 42 rises so that the upper ends of the plurality of support pins 41 are located slightly above the lower chucks 11A and 11B. Accordingly, the substrate W supported by the lower chucks 11A, 11B is received by the plurality of support pins 41.
다음으로, 도 12 에 굵은 실선의 화살표 a11 로 나타내는 바와 같이, 하척 (11A, 11B) 이 서로 멀어진다. 이 때, 하척 (11A, 11B) 은, 평면에서 보았을 때 복수의 지지 핀 (41) 에 의해 지지되는 기판 (W) 과 겹치지 않는 위치까지 이동한다. 그에 따라, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 는, 모두 초기 상태로 돌아간다.Next, as indicated by the thick solid arrow a11 in FIG. 12, the lower chucks 11A and 11B move away from each other. At this time, the lower chucks 11A, 11B move to a position where they do not overlap the substrate W supported by the plurality of support pins 41 when viewed from the top. Accordingly, the upper holding devices 10A, 10B all return to their initial states.
다음으로, 도 13 에 굵은 실선의 화살표 a12 로 나타내는 바와 같이, 복수의 지지 핀 (41) 의 상단부가 흡착 유지부 (21) 보다 하방에 위치하도록, 핀 연결 부재 (42) 가 하강한다. 그에 따라, 복수의 지지 핀 (41) 상에 지지된 기판 (W) 이, 흡착 유지부 (21) 에 의해 수취된다. 이 상태에서, 흡착 유지부 (21) 는, 기판 (W) 의 하면 중앙 영역을 흡착 유지한다. 이와 같이 하여, 하측 유지 장치 (20) 에 의해 흡착 유지되는 기판 (W) 의 중심은, 평면에서 보았을 때 평면 기준 위치 rp 와 겹치거나 거의 겹친다. 이 때의 기판 (W) 의 위치가 반출 위치이다. 따라서, 본 예에서는, 반출 위치는, 반입 위치의 하방에 있다. 핀 연결 부재 (42) 의 하강과 동시이거나 또는 핀 연결 부재 (42) 의 하강 완료 후, 도 13 에 굵은 실선의 화살표 a13 으로 나타내는 바와 같이, 처리 컵 (61) 이 하컵 위치에서 상컵 위치까지 상승한다. 그에 따라, 반출 위치에 있는 기판 (W) 은, 처리 컵 (61) 의 상단부보다 하방에 위치한다.Next, as shown by the thick solid line arrow a12 in FIG. 13, the pin connecting member 42 is lowered so that the upper ends of the plurality of support pins 41 are located below the suction holding portion 21. Accordingly, the substrate W supported on the plurality of support pins 41 is received by the suction holding portion 21. In this state, the adsorption holding portion 21 adsorbs and holds the central region of the lower surface of the substrate W. In this way, the center of the substrate W held by the lower holding device 20 overlaps or almost overlaps the plane reference position rp when viewed from the top. The position of the substrate W at this time is the unloading position. Therefore, in this example, the unloading position is below the loading position. Simultaneously with the lowering of the pin connecting member 42 or after the lowering of the pin connecting member 42 is completed, the processing cup 61 rises from the lower cup position to the upper cup position, as indicated by the thick solid line arrow a13 in FIG. 13. . Accordingly, the substrate W in the unloading position is located below the upper end of the processing cup 61.
다음으로, 도 14 에 굵은 실선의 화살표 a14 로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부 (21) 가 상하 방향의 축 (흡착 유지 구동부 (22) 의 회전축의 축심) 의 둘레에서 회전한다. 그에 따라, 흡착 유지부 (21) 에 흡착 유지된 기판 (W) 이 수평 자세에서 회전한다.Next, as shown by the thick solid line arrow a14 in FIG. 14, the suction holding portion 21 rotates around the vertical axis (the axis of the rotation axis of the suction holding driving portion 22). Accordingly, the substrate W held by the adsorption holding portion 21 rotates in the horizontal position.
다음으로, 상면 세정 장치 (70) 의 회전 지지축 (71) 이 회전하고, 하강한다. 그에 따라, 도 14 에 굵은 실선의 화살표 a15 로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐 (73) 이 기판 (W) 의 상방의 위치까지 이동하고, 스프레이 노즐 (73) 과 기판 (W) 사이의 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 하강한다. 이 상태에서, 스프레이 노즐 (73) 은, 기판 (W) 의 상면에 세정액과 기체의 혼합 유체를 분사한다. 또, 회전 지지축 (71) 이 회전한다. 그에 따라, 도 14 에 굵은 실선의 화살표 a16 으로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐 (73) 이 회전하는 기판 (W) 의 상방의 위치에서 이동한다. 기판 (W) 의 상면 전체에 혼합 유체가 분사됨으로써, 기판 (W) 의 상면 전체가 세정된다.Next, the rotation support shaft 71 of the top surface cleaning device 70 rotates and descends. Accordingly, as indicated by the thick solid line arrow a15 in FIG. 14, the spray nozzle 73 moves to a position above the substrate W, and the distance between the spray nozzle 73 and the substrate W is set to a predetermined distance. Descend as far as possible. In this state, the spray nozzle 73 sprays a mixed fluid of the cleaning liquid and gas onto the upper surface of the substrate W. Additionally, the rotation support shaft 71 rotates. Accordingly, as indicated by the thick solid line arrow a16 in FIG. 14, the spray nozzle 73 moves at a position above the rotating substrate W. By spraying the mixed fluid onto the entire upper surface of the substrate W, the entire upper surface of the substrate W is cleaned.
또, 스프레이 노즐 (73) 에 의한 기판 (W) 의 상면의 세정시에는, 단부 세정 장치 (80) 의 회전 지지축 (81) 도 회전하고, 하강한다. 그에 따라, 도 14 에 굵은 실선의 화살표 a17 로 나타내는 바와 같이, 베벨 브러시 (83) 가 기판 (W) 의 외주 단부의 상방의 위치까지 이동한다. 또, 베벨 브러시 (83) 의 외주면의 중앙 부분이 기판 (W) 의 외주 단부에 접촉하도록 하강한다. 이 상태에서, 베벨 브러시 (83) 가 상하 방향의 축의 둘레에서 회전 (자전) 한다. 그에 따라, 기판 (W) 의 외주 단부에 부착된 오염 물질이 베벨 브러시 (83) 에 의해 물리적으로 박리된다. 기판 (W) 의 외주 단부로부터 박리된 오염 물질은, 스프레이 노즐 (73) 로부터 기판 (W) 에 분사되는 혼합 유체의 세정액에 의해 씻겨 흘러내린다.Additionally, when cleaning the upper surface of the substrate W using the spray nozzle 73, the rotation support shaft 81 of the end cleaning device 80 also rotates and moves down. Accordingly, as indicated by the thick solid line arrow a17 in FIG. 14, the bevel brush 83 moves to a position above the outer peripheral end of the substrate W. Additionally, the central portion of the outer peripheral surface of the bevel brush 83 is lowered so as to contact the outer peripheral end of the substrate W. In this state, the bevel brush 83 rotates (rotates) around the vertical axis. Accordingly, the contaminants adhering to the outer peripheral end of the substrate W are physically peeled off by the bevel brush 83. Contaminants peeled off from the outer peripheral end of the substrate W are washed away by the cleaning liquid of the mixed fluid sprayed onto the substrate W from the spray nozzle 73.
또한, 스프레이 노즐 (73) 에 의한 기판 (W) 의 상면의 세정시에는, 하면 브러시 (51) 의 세정면이 기판 (W) 의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 승강 지지부 (54) 가 상승한다. 또, 도 14 에 굵은 실선의 화살표 a18 로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시 (51) 가 상하 방향의 축의 둘레에서 회전 (자전) 한다. 또한, 액 노즐 (52) 은 기판 (W) 의 하면을 향하여 세정액을 토출하고, 기체 분출부 (53) 는 기판 (W) 의 하면을 향하여 기체를 분사한다. 이 상태에서, 다시 도 14 에 굵은 실선의 화살표 a19 로 나타내는 바와 같이, 이동 지지부 (55) 가 가동 대좌 (32) 상에서 접근 위치와 이간 위치 사이를 진퇴 동작한다. 이와 같이, 이동 지지부 (55) 에 의해 하면 브러시 (51) 가 기판 (W) 의 하면에 접촉한 상태에서 수평 방향으로 이동함으로써, 기판 (W) 의 하면에 있어서의 하면 브러시 (51) 에 의한 세정 가능한 범위가 확대된다. 그에 따라, 흡착 유지부 (21) 에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판 (W) 의 하면 외측 영역이 전체에 걸쳐서 하면 브러시 (51) 에 의해 세정된다.Additionally, when cleaning the upper surface of the substrate W with the spray nozzle 73, the lifting support portion 54 rises so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 contacts the outer region of the lower surface of the substrate W. Additionally, as shown by the thick solid line arrow a18 in FIG. 14, the lower surface brush 51 rotates (rotates) around the axis in the vertical direction. Additionally, the liquid nozzle 52 discharges the cleaning liquid toward the lower surface of the substrate W, and the gas blowing portion 53 sprays gas toward the lower surface of the substrate W. In this state, as indicated again by the thick solid arrow a19 in FIG. 14, the movable support portion 55 advances and retreats between the approach position and the separation position on the movable pedestal 32. In this way, the lower surface brush 51 is moved in the horizontal direction while in contact with the lower surface of the substrate W by the movable support portion 55, so that the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower surface brush 51. The possible range is expanded. Accordingly, the entire outer surface area of the lower surface of the substrate W, which is adsorbed and held by the adsorption holding portion 21 and rotated, is cleaned by the lower surface brush 51.
다음으로, 기판 (W) 의 상면, 외주 단부 및 하면 외측 영역의 세정이 완료되면, 스프레이 노즐 (73) 로부터 기판 (W) 에 대한 혼합 유체의 분사가 정지된다. 또, 도 15 에 굵은 실선의 화살표 a20 으로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐 (73) 이 처리 컵 (61) 의 일측방의 위치 (초기 상태의 위치) 까지 이동한다. 또, 도 15 에 굵은 실선의 화살표 a21 로 나타내는 바와 같이, 베벨 브러시 (83) 가 처리 컵 (61) 의 타측방의 위치 (초기 상태의 위치) 까지 이동한다. 또한, 하면 브러시 (51) 의 회전이 정지되고, 하면 브러시 (51) 의 세정면이 기판 (W) 으로부터 소정 거리 이간되도록, 승강 지지부 (54) 가 하강한다. 또, 액 노즐 (52) 로부터 기판 (W) 에 대한 세정액의 토출, 및 기체 분출부 (53) 로부터 기판 (W) 에 대한 기체의 분사가 정지된다. 이 상태에서, 흡착 유지부 (21) 가 고속으로 회전함으로써, 기판 (W) 에 부착된 세정액이 털어 내어지고, 기판 (W) 전체가 건조된다.Next, when cleaning of the upper surface, outer peripheral end, and lower surface outer region of the substrate W is completed, spraying of the mixed fluid from the spray nozzle 73 to the substrate W is stopped. Additionally, as indicated by the thick solid line arrow a20 in FIG. 15, the spray nozzle 73 moves to a position on one side of the processing cup 61 (position in the initial state). Additionally, as shown by the thick solid line arrow a21 in FIG. 15, the bevel brush 83 moves to a position on the other side of the processing cup 61 (position in the initial state). Additionally, the rotation of the lower surface brush 51 is stopped, and the lifting support portion 54 is lowered so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 is spaced a predetermined distance away from the substrate W. Additionally, the discharge of the cleaning liquid from the liquid nozzle 52 to the substrate W and the injection of gas from the gas blowing portion 53 to the substrate W are stopped. In this state, the adsorption holding portion 21 rotates at high speed, so that the cleaning liquid adhering to the substrate W is shaken off, and the entire substrate W is dried.
다음으로, 도 16 에 굵은 실선의 화살표 a22 로 나타내는 바와 같이, 처리 컵 (61) 이 상컵 위치에서 하컵 위치까지 하강한다. 그에 따라, 반출 위치에 있는 기판 (W) 은, 처리 컵 (61) 의 상단부보다 상방에 위치한다. 또, 새로운 기판 (W) 이 유닛 케이싱 (2) 내에 반입되는 것에 대비하여, 도 16 에 굵은 실선의 화살표 a23 으로 나타내는 바와 같이, 새로운 기판 (W) 을 지지 가능한 위치까지 하척 (11A, 11B) 이 서로 근접한다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a22 in FIG. 16, the processing cup 61 is lowered from the upper cup position to the lower cup position. Accordingly, the substrate W in the unloading position is located above the upper end of the processing cup 61. In addition, in preparation for the new board W being loaded into the unit casing 2, the lower chucks 11A, 11B are moved to a position where the new board W can be supported, as indicated by the thick solid arrow a23 in FIG. 16. close to each other
마지막으로, 기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 내로부터 기판 (W) 이 반출된다. 구체적으로는, 기판 (W) 의 반출 직전에 셔터 (91) 가 반입 반출구 (2x) 를 개방한다. 이 시점에 있어서, 반입 위치에는 기판 (W) 이 존재하지 않는다. 그래서, 도 1 의 메인 로봇 (300) 의 핸드 (Ma) 는, 다음의 처리 전의 기판 (W) 을 유지한 상태에서, 반입 반출구 (2x) 를 통과하여 유닛 케이싱 (2) 내에 진입하고, 처리 전의 기판 (W) 을 반입 위치에 건네준다. 그 후, 도 17 에 굵은 실선의 화살표 a24 로 나타내는 바와 같이, 핸드 (Ma) 는, 반출 위치의 처리 후의 기판 (W) 을 수취하고, 유닛 케이싱 (2) 으로부터 퇴출한다. 핸드 (Ma) 의 퇴출 후, 셔터 (91) 는 반입 반출구 (2x) 를 폐색한다.Finally, the substrate W is carried out from within the unit casing 2 of the substrate cleaning device 1. Specifically, just before the substrate W is unloaded, the shutter 91 opens the loading/unloading port 2x. At this point, the substrate W does not exist at the loading position. Therefore, the hand Ma of the main robot 300 in FIG. 1 passes through the loading/unloading port 2x and enters the unit casing 2 while holding the substrate W before the next processing, thereby processing it. Pass the previous board (W) to the loading location. Thereafter, as indicated by the thick solid line arrow a24 in FIG. 17, the hand Ma receives the processed substrate W at the unloading position and ejects it from the unit casing 2. After the hand Ma is withdrawn, the shutter 91 closes the loading/unloading port 2x.
(5) 기판 처리(5) Substrate processing
도 18 및 도 19 는, 도 5 의 제어 장치 (170) 에 의한 기판 처리를 나타내는 플로 차트이다. 도 18 및 도 19 의 기판 처리는, 제어 장치 (170) 의 CPU 가 기억 장치에 기억된 기판 처리 프로그램을 RAM 상에서 실행함으로써 실시된다. 이하, 도 18 및 도 19 의 플로 차트를 사용하여 기판 처리를 설명한다.18 and 19 are flow charts showing substrate processing by the control device 170 in FIG. 5. The substrate processing in FIGS. 18 and 19 is performed by the CPU of the control device 170 executing the substrate processing program stored in the memory device on the RAM. Hereinafter, substrate processing will be explained using the flow charts of FIGS. 18 and 19.
또한, 도 18 및 도 19 의 플로 차트에서는, 주로 메인 로봇 (300) 의 핸드 Ma 의 동작이 기재되지만, 핸드 Mb ∼ Md 의 동작도 핸드 Ma 의 동작과 동일하다. 또, 도 18 및 도 19 의 플로 차트에서는, 인덱서 로봇 (200) 의 동작의 설명에 대해서는 생략한다.In addition, in the flow charts of Figs. 18 and 19, the operation of the hand Ma of the main robot 300 is mainly described, but the operation of the hands Mb to Md is also the same as the operation of the hand Ma. In addition, in the flow charts of FIGS. 18 and 19, description of the operation of the indexer robot 200 is omitted.
먼저, 메인 로봇 (300) 은, 처리 전의 기판 (W) 을 각 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 기판 재치부 (PASS2) 로부터 반출한다 (스텝 S1). 다음으로, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Ma) 를 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 에 진입시킨다 (스텝 S2).First, the main robot 300 carries out the substrate W before processing from the substrate placing unit PASS2 using each hand Ma to Md (step S1). Next, the main robot 300 causes the hand Ma to enter the unit casing 2 of the corresponding substrate cleaning device 1 (step S2).
계속해서, 메인 로봇 (300) 은, 스텝 S1 에서 기판 재치부 (PASS2) 로부터 반출된 처리 전의 기판 (W) 을 핸드 (Ma) 에 의해 반입 위치에 건네준다 (스텝 S3). 이 때, 반출 위치에는 기판 (W) 이 존재하지 않는다. 그 때문에, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Ma) 를 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 으로부터 퇴출시킨다 (스텝 S4). 또, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Mb ∼ Mc) 를 사용하여, 대응하는 기판 세정 장치 (1) 에 대해서 스텝 S2 ∼ S4 와 동일한 처리를 순차 실행한다.Subsequently, the main robot 300 passes the unprocessed substrate W unloaded from the substrate placing unit PASS2 in step S1 to the loading position using the hand Ma (step S3). At this time, the substrate W does not exist at the unloading position. Therefore, the main robot 300 ejects the hand Ma from the unit casing 2 of the corresponding substrate cleaning device 1 (step S4). Additionally, the main robot 300 sequentially performs the same processing as steps S2 to S4 with respect to the corresponding substrate cleaning device 1 using the hands Mb to Mc.
다음으로, 각 기판 세정 장치 (1) 는, 도 6 ∼ 도 17 의 세정 처리를 실행한다 (스텝 S5). 또, 메인 로봇 (300) 은, 처리 전의 기판 (W) 을 각 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 기판 재치부 (PASS2) 로부터 반출한다 (스텝 S6). 스텝 S5 와 스텝 S6 은, 병렬적으로 실행되어도 된다.Next, each substrate cleaning device 1 performs the cleaning process shown in FIGS. 6 to 17 (step S5). Additionally, the main robot 300 carries out the substrate W before processing from the substrate placing unit PASS2 using each hand Ma to Md (step S6). Step S5 and step S6 may be executed in parallel.
세정 처리의 종료 후, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Ma) 를 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 에 진입시킨다 (스텝 S7). 그 후, 메인 로봇 (300) 은, 스텝 S6 에서 기판 재치부 (PASS2) 로부터 반출된 처리 전의 기판 (W) 을 핸드 (Ma) 에 의해 반입 위치에 건네준다 (스텝 S8). 이 때, 반출 위치에는, 스텝 S5 또는 후술하는 스텝 S11 에서 세정 처리된 기판 (W) 이 존재한다.After completion of the cleaning process, the main robot 300 causes the hand Ma to enter the unit casing 2 of the corresponding substrate cleaning device 1 (step S7). Thereafter, the main robot 300 passes the unprocessed substrate W unloaded from the substrate placing unit PASS2 in step S6 to the loading position using the hand Ma (step S8). At this time, the substrate W that has been cleaned in step S5 or step S11 described later exists at the unloading position.
그래서, 메인 로봇 (300) 은, 처리 후의 기판 (W) 을 핸드 (Ma) 에 의해 반출 위치로부터 수취한다 (스텝 S9). 그 후, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Ma) 를 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 으로부터 퇴출시킨다 (스텝 S10). 또, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Mb ∼ Mc) 를 사용하여, 대응하는 기판 세정 장치 (1) 에 대해서 스텝 S7 ∼ S10 과 동일한 처리를 순차 실행한다.Therefore, the main robot 300 receives the processed substrate W from the unloading position using the hand Ma (step S9). Thereafter, the main robot 300 ejects the hand Ma from the unit casing 2 of the corresponding substrate cleaning device 1 (step S10). Additionally, the main robot 300 sequentially performs the same processing as steps S7 to S10 with respect to the corresponding substrate cleaning device 1 using the hands Mb to Mc.
다음으로, 각 기판 세정 장치 (1) 는, 도 6 ∼ 도 17 의 세정 처리를 실행한다 (스텝 S11). 또, 메인 로봇 (300) 은, 스텝 S9 에서 반출 위치로부터 수취된 처리 후의 각 기판 (W) 을 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 기판 재치부 (PASS1) 에 반입한다 (스텝 S12). 스텝 S11 과 스텝 S12 는, 병렬적으로 실행되어도 된다.Next, each substrate cleaning device 1 performs the cleaning process shown in FIGS. 6 to 17 (step S11). Additionally, the main robot 300 loads each processed substrate W received from the unloading position in step S9 into the substrate placing unit PASS1 using the hands Ma to Md (step S12). Step S11 and step S12 may be executed in parallel.
계속해서, 제어 장치 (170) 는, 기판 처리를 종료할지 여부를 판정한다 (스텝 S13). 제어 장치 (170) 는, 사용자에 의해 종료 지령이 부여된 경우에, 기판 처리를 종료한다고 판정해도 된다. 혹은, 제어 장치 (170) 는, 소정 장 수의 기판 (W) 의 세정 처리를 실행한 경우에, 기판 처리를 종료한다고 판정해도 된다. 기판 처리를 종료한다고 판정된 경우, 제어 장치 (170) 는, 스텝 S6 으로 돌아간다. 이 경우, 기판 처리를 종료한다고 판정될 때까지, 스텝 S6 ∼ S13 이 반복된다.Subsequently, the control device 170 determines whether to end substrate processing (step S13). The control device 170 may determine that substrate processing is terminated when a termination command is given by the user. Alternatively, the control device 170 may determine that the substrate processing is terminated when the cleaning processing for a predetermined number of substrates W has been performed. When it is determined that the substrate processing is finished, the control device 170 returns to step S6. In this case, steps S6 to S13 are repeated until it is determined that the substrate processing is finished.
기판 처리를 종료한다고 판정된 경우, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Ma) 를 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 에 진입시킨다 (스텝 S14). 이 때, 반출 위치에는, 스텝 S11 에서 세정 처리된 기판 (W) 이 존재한다. 그래서, 메인 로봇 (300) 은, 처리 후의 기판 (W) 을 핸드 (Ma) 에 의해 반출 위치로부터 수취한다 (스텝 S15). 그 후, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Ma) 를 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 유닛 케이싱 (2) 으로부터 퇴출시킨다 (스텝 S16). 또, 메인 로봇 (300) 은, 핸드 (Mb ∼ Mc) 를 사용하여, 대응하는 기판 세정 장치 (1) 에 대해서 스텝 S14 ∼ S16 과 동일한 처리를 순차 실행한다.When it is determined that the substrate processing is finished, the main robot 300 causes the hand Ma to enter the unit casing 2 of the corresponding substrate cleaning device 1 (step S14). At this time, the substrate W that has been cleaned in step S11 is present at the unloading position. Therefore, the main robot 300 receives the processed substrate W from the unloading position using the hand Ma (step S15). Thereafter, the main robot 300 ejects the hand Ma from the unit casing 2 of the corresponding substrate cleaning device 1 (step S16). Additionally, the main robot 300 sequentially performs the same processing as steps S14 to S16 with respect to the corresponding substrate cleaning device 1 using the hands Mb to Mc.
마지막으로, 메인 로봇 (300) 은, 스텝 S15 에서 반출 위치로부터 수취된 처리 후의 각 기판 (W) 을 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 기판 재치부 (PASS1) 에 반입한다 (스텝 S17). 이에 따라, 기판 처리가 종료된다.Finally, the main robot 300 loads each processed substrate W received from the unloading position in step S15 into the substrate placing unit PASS1 using the hands Ma to Md (step S17). Accordingly, the substrate processing ends.
(6) 효과(6) Effect
본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 에 있어서는, 메인 로봇 (300) 의 핸드 (Ma ∼ Md) 가 대응하는 기판 세정 장치 (1) 에 진입된다. 각 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 유지된 처리 전의 기판 (W) 이 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 반입 위치에 건네진다. 처리 전의 기판 (W) 이 반입 위치에 건네진 후, 각 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 대응하는 기판 세정 장치 (1) 의 반출 위치로부터 처리 후의 기판 (W) 이 수취된다. 처리 후의 기판 (W) 이 반출 위치로부터 수취된 후, 각 핸드 (Ma ∼ Md) 가 대응하는 기판 세정 장치 (1) 로부터 퇴출된다. 각 기판 세정 장치 (1) 에 의해 처리 전의 기판 (W) 에 처리가 실시된다.In the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment, the hands Ma to Md of the main robot 300 enter the corresponding substrate cleaning apparatus 1. The substrate W before processing held by each hand Ma to Md is passed to the loading position of the corresponding substrate cleaning device 1. After the unprocessed substrate W is delivered to the loading position, the processed substrate W is received from the corresponding unloading position of the substrate cleaning device 1 by each hand Ma to Md. After the processed substrate W is received from the unloading position, each hand Ma to Md is discharged from the corresponding substrate cleaning device 1. Each substrate cleaning device 1 performs processing on the substrate W before processing.
이 구성에 의하면, 각 기판 세정 장치 (1) 에 처리 후의 기판 (W) 이 존재하는 경우에도, 처리 전의 기판 (W) 을 기판 세정 장치 (1) 에 반입할 수 있다. 그 때문에, 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 대응하는 기판 세정 장치 (1) 에 처리 전의 기판 (W) 을 건네준 후에, 동일한 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해 처리 후의 기판 (W) 을 수취하는 것이 가능해진다. 따라서, 처리 후의 기판 (W) 을 수취하기 위해서, 기판 (W) 을 유지하지 않는 핸드를 형성할 필요가 없다. 또, 복수의 핸드 (Ma ∼ Md) 에 의해, 처리 전의 기판 (W) 을 건네줌과 함께, 처리 후의 기판 (W) 을 수취하는 동작을 복수의 기판 세정 장치 (1) 에 대해서 연속적으로 실시하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 스루풋을 보다 향상시킬 수 있다.According to this configuration, even when the substrate W after processing exists in each substrate cleaning device 1, the substrate W before processing can be brought into the substrate cleaning device 1. Therefore, after passing the unprocessed substrate W to the corresponding substrate cleaning device 1 by the hands Ma to Md, the processed substrate W is received by the same hands Ma to Md. It becomes possible. Therefore, in order to receive the processed substrate W, there is no need to form a hand that does not hold the substrate W. In addition, the operation of handing over the substrate W before processing and receiving the substrate W after processing is continuously performed to the plurality of substrate cleaning devices 1 by the plurality of hands Ma to Md. It becomes possible. Accordingly, throughput can be further improved.
또, 각 기판 세정 장치 (1) 에 있어서, 반입 위치에 반입된 기판 (W) 이 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 유지된 상태에서, 하면 세정 장치 (50) 에 의해 하면 중앙 영역의 세정 처리가 실시된다. 다음으로, 수수 장치 (40) 에 의해 기판 (W) 은 하측 유지 장치 (20) 에 의해 건네진다. 계속해서, 기판 (W) 이 하측 유지 장치 (20) 에 의해 유지된 상태에서, 하면 세정 장치 (50) 에 의해 하면 외측 영역의 세정 처리가 실시된다. 이에 따라, 기판 (W) 의 하면 전체를 효율적으로 세정하면서, 세정 후의 기판 (W) 을 반출 위치로부터 반출할 수 있다. 반입 위치와 반출 위치는, 상하 방향으로 나열되도록 배치되므로, 기판 세정 장치 (1) 의 설치 플로어 면적 (풋 프린트) 을 저감할 수 있다.In addition, in each substrate cleaning device 1, the substrate W brought into the loading position is held by the upper holding devices 10A, 10B, and the central region of the lower surface is cleaned by the lower surface cleaning device 50. Processing is carried out. Next, the substrate W is handed over to the lower holding device 20 by the transfer device 40 . Subsequently, with the substrate W held by the lower holding device 20, the lower surface cleaning device 50 performs a cleaning process on the outer region of the lower surface. Accordingly, the cleaned substrate W can be unloaded from the unloading position while efficiently cleaning the entire lower surface of the substrate W. Since the loading and unloading positions are arranged to be aligned in the vertical direction, the installation floor area (footprint) of the substrate cleaning device 1 can be reduced.
또, 상기와 같이, 1 개의 기판 세정 장치 (1) 에 대해서 1 개의 핸드에 의해 기판의 건네주기 및 수취가 실시되므로, 핸드의 불량에 의해 기판 (W) 의 균열 등의 반송 불량이 발생했을 경우에, 문제가 발생되어 있는 핸드를 용이하게 특정할 수 있다. 또한, 스루풋이 향상되므로, 메인 로봇 (300) 의 반송 속도를 크게 할 필요가 없다. 이에 따라, 반송의 안정성을 향상시킬 수 있다.In addition, as above, since the substrate is handed over and received by one hand for one substrate cleaning device 1, if a conveyance defect such as a crack in the substrate W occurs due to a defect in the hand, Therefore, the hand in which the problem is occurring can be easily identified. Additionally, since throughput is improved, there is no need to increase the transfer speed of the main robot 300. Accordingly, the stability of conveyance can be improved.
(7) 다른 실시형태(7) Other embodiments
(a) 상기 실시형태에 있어서, 반출 위치는 반입 위치의 하방에 형성되지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 반출 위치는, 반입 위치의 상방에 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 하측 유지 장치 (20) 의 흡착 유지부 (21) 의 중심에 반입 위치가 형성되고, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 사이에 반출 위치가 형성되어도 된다.(a) In the above embodiment, the unloading position is formed below the loading position, but the embodiment is not limited to this. The unloading position may be formed above the loading position. For example, the loading position may be formed at the center of the suction holding portion 21 of the lower holding device 20, and the unloading position may be formed between the upper holding devices 10A and 10B.
이 구성에 있어서는, 기판 (W) 은 반입 위치에 건네지고, 최초로 하측 유지 장치 (20) 에 의해 흡착 유지된 상태에서, 그 하면 중앙 영역, 외주 단부 및 상면이 세정된다. 그 후, 하측 유지 장치 (20) 에 의해 유지된 기판 (W) 이 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 수취되고, 반출 위치에서 유지된다. 이 상태에서, 기판 (W) 의 하면 중앙 영역이 세정된다. 세정 후의 기판 (W) 은, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 로부터 유닛 케이싱 (2) 의 외부로 반출된다.In this configuration, the substrate W is delivered to the loading position, and while initially adsorbed and held by the lower holding device 20, its lower central region, outer peripheral edge, and upper surface are cleaned. After that, the substrate W held by the lower holding device 20 is received by the upper holding devices 10A, 10B and held at the unloading position. In this state, the central area of the lower surface of the substrate W is cleaned. The substrate W after cleaning is carried out of the unit casing 2 from the upper holding devices 10A, 10B.
혹은, 반입 위치와 반출 위치는 상하 방향으로 나열되도록 배치되지 않아도 된다. 반입 위치와 반출 위치는, 예를 들어 수평 방향으로 나열되도록 배치되어도 된다.Alternatively, the loading and unloading locations do not need to be arranged in a vertical direction. The loading and unloading positions may be arranged, for example, to line up in the horizontal direction.
(b) 상기 실시형태에 있어서, 수수 장치 (40) 가 수수부이고, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 와 하측 유지 장치 (20) 사이에서 기판 (W) 을 주고 받지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 상측 유지 장치 (10A, 10B) 및 하측 유지 장치 (20) 중 적어도 일방이 승강 가능하게 구성되는 경우에는, 수수 장치 (40) 는 설치되지 않아도 된다. 이 경우, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 및 하측 유지 장치 (20) 중 적어도 일방이 수수부이며, 당해 수수부가 승강함으로써, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 와 하측 유지 장치 (20) 사이에서 기판 (W) 이 주고 받아진다.(b) In the above embodiment, the receiving device 40 is a receiving unit, and the substrate W is exchanged between the upper holding devices 10A, 10B and the lower holding device 20, but the embodiment is limited to this. It doesn't work. When at least one of the upper holding devices 10A, 10B and the lower holding device 20 is configured to be capable of being raised and lowered, the receiving device 40 does not need to be installed. In this case, at least one of the upper holding devices 10A, 10B and the lower holding devices 20 is a receiving portion, and the receiving portion is raised and lowered to move the substrate between the upper holding devices 10A, 10B and the lower holding devices 20. (W) This is given and received.
(c) 상기 실시형태에 있어서, 메인 로봇 (300) 은 4 개의 핸드 (Ma ∼ Md) 를 갖지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 메인 로봇 (300) 은, 2 개, 3 개 또는 5 개 이상의 핸드를 가져도 된다. 또, 기판 처리 장치 (100) 에는, 메인 로봇 (300) 의 핸드에 대응하도록 기판 세정 장치 (1) 가 형성되는 것이 바람직하다. 혹은, 메인 로봇 (300) 은, 1 개의 핸드를 가져도 된다. 이 경우에도, 핸드의 수당 스루풋을 향상시킬 수 있다.(c) In the above embodiment, the main robot 300 has four hands (Ma to Md), but the embodiment is not limited to this. The main robot 300 may have 2, 3, or 5 or more hands. In addition, it is preferable that the substrate cleaning device 1 is provided in the substrate processing apparatus 100 to correspond to the hand of the main robot 300. Alternatively, the main robot 300 may have one hand. Even in this case, the throughput per hand can be improved.
(d) 상기 실시형태에 있어서, 처리 유닛으로서 세정 처리를 실시하는 기판 세정 장치 (1) 가 설치되지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 처리 유닛으로서 열 처리를 실시하는 열 처리 장치, 현상 처리를 실시하는 현상 장치 또는 도포 처리를 실시하는 도포 장치 등이 설치되어도 된다. 또, 열 처리 장치는, 기판에 서로 상이한 처리로서, 가열 처리와 냉각 처리를 실행 가능하게 구성되어도 된다. 현상 장치는, 기판에 서로 상이한 처리로서, 포지티브 현상과 네거티브 현상을 실행 가능하게 구성되어도 된다.(d) In the above embodiment, a substrate cleaning device 1 that performs cleaning processing is installed as a processing unit, but the embodiment is not limited to this. As a processing unit, a heat treatment device that performs heat treatment, a developing device that performs development, or a coating device that performs application may be installed. Additionally, the heat treatment apparatus may be configured to be able to perform heat treatment and cooling treatment as different treatments on the substrate. The developing device may be configured to perform positive development and negative development as different processes on the substrate.
(e) 상기 실시형태에 있어서, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 유지된 기판 (W) 과, 하측 유지 장치 (20) 에 의해 유지된 기판 (W) 에 서로 상이한 처리가 실시되지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 유지된 기판 (W) 과, 하측 유지 장치 (20) 에 의해 유지된 기판 (W) 에 동일한 처리가 실시되어도 된다. 혹은, 상측 유지 장치 (10A, 10B) 에 의해 유지된 기판 (W), 또는 하측 유지 장치 (20) 에 의해 유지된 기판 (W) 에는 처리가 실시되지 않아도 된다.(e) In the above embodiment, different processes are performed on the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B and the substrate W held by the lower holding device 20. The form is not limited to this. The same process may be performed on the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B and the substrate W held by the lower holding device 20. Alternatively, no processing needs to be performed on the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B or the substrate W held by the lower holding device 20.
(f) 상기 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 는 기판 세정 장치 (1) 및 메인 로봇 (300) 등을 제어하는 제어 장치 (170) 를 포함하지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 기판 세정 장치 (1) 및 메인 로봇 (300) 이 기판 처리 장치 (100) 의 외부의 정보 처리 장치에 의해 제어 가능하게 구성되어 있는 경우에는, 기판 처리 장치 (100) 는 제어 장치 (170) 를 포함하지 않아도 된다.(f) In the above embodiment, the substrate processing device 100 includes a control device 170 that controls the substrate cleaning device 1 and the main robot 300, etc., but the embodiment is not limited to this. When the substrate cleaning device 1 and the main robot 300 are configured to be controllable by an information processing device external to the substrate processing device 100, the substrate processing device 100 includes a control device 170. You do not have to do.
(8) 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 부의 대응 관계(8) Correspondence between each component of the claims and each part of the embodiment
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 요소의 대응 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다. 청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지 요소를 사용할 수도 있다.Hereinafter, corresponding examples of each element of the claims and each element of the embodiment will be described, but the present invention is not limited to the examples below. As each element of a claim, various other elements having the structure or function described in the claim may be used.
상기 실시형태에 있어서는, 기판 (W) 이 기판의 예이고, 기판 세정 장치 (1) 가 처리 유닛의 예이고, 핸드 (Ma ∼ Md) 가 반송 유지부의 예이고, 메인 로봇 (300) 이 기판 반송부의 예이고, 기판 처리 장치 (100) 가 기판 처리 장치의 예이다. 상측 유지 장치 (10A, 10B) 가 제 1 기판 유지부의 예이고, 하면 세정 장치 (50) 가 제 1 및 제 2 처리부의 예이고, 하측 유지 장치 (20) 가 제 2 기판 유지부의 예이고, 수수 장치 (40) 가 수수부의 예이다.In the above embodiment, the substrate W is an example of a substrate, the substrate cleaning device 1 is an example of a processing unit, the hands Ma to Md are examples of a transport holding unit, and the main robot 300 is an example of a substrate transport. This is an example of a unit, and the substrate processing apparatus 100 is an example of a substrate processing apparatus. The upper holding devices 10A, 10B are examples of the first substrate holding portions, the lower surface cleaning device 50 is an example of the first and second processing portions, and the lower holding device 20 is an example of the second substrate holding portions. Device 40 is an example of a receiver.
Claims (7)
상기 처리 전 및 처리 후의 기판을 선택적으로 유지 가능하게 구성된 반송 유지부를 갖는 기판 반송부를 구비하고,
상기 반송 유지부는, 상기 처리 전의 기판을 유지하여 상기 처리 유닛에 진입하여 상기 처리 전의 기판을 상기 반입 위치에 건네준 후, 상기 반출 위치로부터 상기 처리 후의 기판을 수취하고, 상기 처리 후의 기판의 수취 후에 상기 처리 유닛으로부터 퇴출하는, 기판 처리 장치.A processing unit having an loading position where a substrate before processing is loaded and a loading location where a substrate after processing is loaded, and processing the substrate before processing,
A substrate transport unit having a transport holding unit configured to selectively hold the substrate before and after the processing,
The transfer holding section holds the substrate before processing, enters the processing unit, delivers the substrate before processing to the loading position, receives the substrate after processing from the loading position, and receives the substrate after processing. A substrate processing device being removed from the processing unit.
상기 반입 위치와 상기 반출 위치는, 상하 방향으로 나열되도록 배치되는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The substrate processing apparatus wherein the loading position and the unloading position are arranged to be aligned in a vertical direction.
상기 처리 유닛은 복수 형성되고,
상기 반송 유지부는, 복수의 처리 유닛에 각각 대응하도록 복수 형성되고,
복수의 기판 반송부의 각각은, 대응하는 처리 유닛에 진입하여 상기 처리 전의 기판을 상기 반입 위치에 건네준 후, 상기 반출 위치로부터 상기 처리 후의 기판을 수취하고, 상기 처리 후의 기판의 수취 후에 상기 대응하는 처리 유닛으로부터 퇴출하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
The processing unit is formed in plural,
A plurality of the transport holding units are formed to respectively correspond to a plurality of processing units,
Each of the plurality of substrate transport units enters the corresponding processing unit, delivers the unprocessed substrate to the loading position, then receives the processed substrate from the unloading position, and receives the processed substrate from the unprocessed substrate, and then receives the processed substrate from the unprocessed substrate to the loading position. A substrate processing device being removed from a processing unit.
상기 처리 유닛은,
상기 반입 위치에 반입된 기판을 유지하는 제 1 기판 유지부와,
상기 제 1 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리를 실시하는 제 1 처리부와,
상기 반출 위치로부터 반입되는 기판을 유지하는 제 2 기판 유지부와,
상기 제 1 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 제 1 기판 유지부로부터 상기 제 2 기판 유지부에 건네주는 수수부와,
상기 제 2 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리를 실시하는 제 2 처리부를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
The processing unit is,
a first substrate holding portion that holds the loaded substrate at the loading position;
a first processing unit that processes the substrate held by the first substrate holding unit;
a second substrate holding portion that holds the substrate loaded from the unloading position;
a receiving unit that passes the substrate processed by the first processing unit from the first substrate holding unit to the second substrate holding unit;
A substrate processing apparatus comprising a second processing unit that processes a substrate held by the second substrate holding unit.
상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부는, 기판에 서로 상이한 처리를 실시하는, 기판 처리 장치.According to claim 4,
A substrate processing apparatus wherein the first processing unit and the second processing unit perform different processes on a substrate.
상기 제 1 처리부는, 기판의 하면 중앙 영역의 세정 처리를 실시하고,
상기 제 2 처리부는, 기판의 상기 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역의 세정 처리를 실시하는, 기판 처리 장치.According to claim 5,
The first processing unit performs a cleaning process on the central area of the lower surface of the substrate,
A substrate processing apparatus, wherein the second processing unit performs a cleaning process on an area outside the lower surface surrounding the central area of the lower surface of the substrate.
상기 반송 유지부에 의해 유지된 처리 전의 기판을 상기 처리 유닛의 반입 위치에 건네주는 스텝과,
상기 처리 전의 기판이 상기 반입 위치에 건네진 후, 상기 반송 유지부에 의해 상기 처리 유닛의 반출 위치로부터 처리 후의 기판을 수취하는 스텝과,
상기 처리 후의 기판이 상기 반출 위치로부터 수취된 후, 상기 반송 유지부를 상기 처리 유닛으로부터 퇴출시키는 스텝과,
상기 처리 유닛에 의해 상기 처리 전의 기판에 처리를 실시하는 스텝을 포함하는, 기판 처리 방법.A step of allowing the transfer holding part of the substrate transfer unit to enter the processing unit;
a step of handing the unprocessed substrate held by the transfer holding unit to the loading position of the processing unit;
a step of receiving the processed substrate from the unloading position of the processing unit by the transfer holding unit after the unprocessed substrate is delivered to the loading position;
a step of discharging the transport holding unit from the processing unit after the processed substrate is received from the unloading position;
A substrate processing method comprising a step of processing the substrate before the processing by the processing unit.
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2020-157269 | 2020-09-18 | ||
JPJP-P-2020-157267 | 2020-09-18 | ||
JP2020157268A JP7477410B2 (en) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | Substrate Cleaning Equipment |
JP2020157269A JP2022051028A (en) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | Substrate processing device and substrate processing method |
JPJP-P-2020-157270 | 2020-09-18 | ||
JP2020157267A JP7461842B2 (en) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS |
JP2020157270A JP2022051029A (en) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | Substrate washing device and substrate washing method |
JPJP-P-2020-157268 | 2020-09-18 | ||
JPJP-P-2020-168777 | 2020-10-05 | ||
JP2020168777A JP7491805B2 (en) | 2020-10-05 | 2020-10-05 | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
JPJP-P-2020-169411 | 2020-10-06 | ||
JP2020169411A JP2022061415A (en) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220037989A KR20220037989A (en) | 2022-03-25 |
KR102579528B1 true KR102579528B1 (en) | 2023-09-15 |
Family
ID=80646100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210123486A KR102579528B1 (en) | 2020-09-18 | 2021-09-15 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102579528B1 (en) |
CN (1) | CN114203587A (en) |
TW (1) | TWI808489B (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100368A (en) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus and method for substrate treatment |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3650495B2 (en) * | 1995-12-12 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Semiconductor processing apparatus, substrate replacement mechanism and substrate replacement method thereof |
JP5469015B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate transfer method |
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JP6543534B2 (en) * | 2015-08-26 | 2019-07-10 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing equipment |
-
2021
- 2021-09-15 TW TW110134348A patent/TWI808489B/en active
- 2021-09-15 KR KR1020210123486A patent/KR102579528B1/en active IP Right Grant
- 2021-09-17 CN CN202111094534.1A patent/CN114203587A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100368A (en) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus and method for substrate treatment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI808489B (en) | 2023-07-11 |
KR20220037989A (en) | 2022-03-25 |
TW202213607A (en) | 2022-04-01 |
CN114203587A (en) | 2022-03-18 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |